JPH11271015A - 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップ及びその製造方法 - Google Patents
走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップ及びその製造方法Info
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- JPH11271015A JPH11271015A JP9221098A JP9221098A JPH11271015A JP H11271015 A JPH11271015 A JP H11271015A JP 9221098 A JP9221098 A JP 9221098A JP 9221098 A JP9221098 A JP 9221098A JP H11271015 A JPH11271015 A JP H11271015A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レバー部の長さを短く支持部を薄型化して、
高速動作を可能とした走査型プローブ顕微鏡用カンチレ
バーチップ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 カンチレバー部101 と、該カンチレバー
部101 の先端に該カンチレバー部と一体的に又は別体で
形成された探針部102 と、該カンチレバー部101の基部
に設けられた、ＳＯＩ基板の活性層又はＣＶＤ膜からな
る支持部103 とで走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー
チップを構成する。
高速動作を可能とした走査型プローブ顕微鏡用カンチレ
バーチップ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 カンチレバー部101 と、該カンチレバー
部101 の先端に該カンチレバー部と一体的に又は別体で
形成された探針部102 と、該カンチレバー部101の基部
に設けられた、ＳＯＩ基板の活性層又はＣＶＤ膜からな
る支持部103 とで走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー
チップを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ： Atomic Force Microscope）などの走査型プ
ローブ顕微鏡（ＳＰＭ： Scanning Probe Microscope）
に用いるカンチレバーチップ及びその製造方法に関す
る。
（ＡＦＭ： Atomic Force Microscope）などの走査型プ
ローブ顕微鏡（ＳＰＭ： Scanning Probe Microscope）
に用いるカンチレバーチップ及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、導電性試料を原子サイズオーダー
の分解能で観察できる装置として走査トンネル顕微鏡
（ＳＴＭ： Scanning Tunneling Microscope）が Binni
ngと Rohrer らにより発明されてから、原子オーダーの
表面凹凸を観察できる顕微鏡として各方面での利用が進
んでいる。しかしＳＴＭでは、観察できる試料は導電性
のものに限られている。
の分解能で観察できる装置として走査トンネル顕微鏡
（ＳＴＭ： Scanning Tunneling Microscope）が Binni
ngと Rohrer らにより発明されてから、原子オーダーの
表面凹凸を観察できる顕微鏡として各方面での利用が進
んでいる。しかしＳＴＭでは、観察できる試料は導電性
のものに限られている。
【０００３】そこで、ＳＴＭにおけるサーボ技術を始め
とする要素技術を利用しながら、ＳＴＭでは測定し難か
った絶縁性の試料を原子サイズオーダーの精度で観察す
ることのできる顕微鏡として、原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）が提案された。このＡＦＭは、例えば特開昭６２−
１３０３０２号公報（ＩＢＭ、Ｇ．ビニッヒ、サンプル
表面の像を形成する方法及び装置）に開示されている。
とする要素技術を利用しながら、ＳＴＭでは測定し難か
った絶縁性の試料を原子サイズオーダーの精度で観察す
ることのできる顕微鏡として、原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）が提案された。このＡＦＭは、例えば特開昭６２−
１３０３０２号公報（ＩＢＭ、Ｇ．ビニッヒ、サンプル
表面の像を形成する方法及び装置）に開示されている。
【０００４】ＡＦＭの構造はＳＴＭに類似しており、走
査型プローブ顕微鏡の一つとして位置づけられている。
走査型プローブ顕微鏡としては、この他に磁気力顕微鏡
（ＭＦＭ）、走査型近接場光顕微鏡などが挙げられる。
ＡＦＭでは、自由端に鋭い突起部分（探針部）を持つ片
持ち梁（カンチレバー）を、試料に対向して近接させ、
探針部の先端の原子と試料原子との間に働く相互作用力
により変位する片持ち梁の動きを、電気的あるいは光学
的にとらえて測定しつつ、試料をＸＹ方向に走査し、片
持ち梁の探針部との位置関係を相対的に変化させること
によって、試料の凹凸情報などを原子サイズオーダーで
三次元的にとらえることができるようになっている。
査型プローブ顕微鏡の一つとして位置づけられている。
走査型プローブ顕微鏡としては、この他に磁気力顕微鏡
（ＭＦＭ）、走査型近接場光顕微鏡などが挙げられる。
ＡＦＭでは、自由端に鋭い突起部分（探針部）を持つ片
持ち梁（カンチレバー）を、試料に対向して近接させ、
探針部の先端の原子と試料原子との間に働く相互作用力
により変位する片持ち梁の動きを、電気的あるいは光学
的にとらえて測定しつつ、試料をＸＹ方向に走査し、片
持ち梁の探針部との位置関係を相対的に変化させること
によって、試料の凹凸情報などを原子サイズオーダーで
三次元的にとらえることができるようになっている。
【０００５】このような構成のＡＦＭ等の走査型プロー
ブ顕微鏡用のカンチレバーチップとしては、T.R.Albrec
htらが半導体ＩＣ製造プロセスを応用して作製すること
のできる酸化シリコン膜製のカンチレバーを提案して以
来（Thomas R. Albrecht andCalvin F. Quate : Atomic
resolution imaging of a nonconductor AtomforceMic
roscopy J. Appl. Phy. 62(1987)2599）、ミクロンオー
ダーの高精度で優れた再現性をもって作製することが可
能になっている。また、このようなカンチレバーチップ
は、バッチプロセスによって作製することができ、低コ
スト化が実現されている。したがって、現在では、半導
体ＩＣ製造プロセスを応用して作製されるカンチレバー
チップが主流となっている。
ブ顕微鏡用のカンチレバーチップとしては、T.R.Albrec
htらが半導体ＩＣ製造プロセスを応用して作製すること
のできる酸化シリコン膜製のカンチレバーを提案して以
来（Thomas R. Albrecht andCalvin F. Quate : Atomic
resolution imaging of a nonconductor AtomforceMic
roscopy J. Appl. Phy. 62(1987)2599）、ミクロンオー
ダーの高精度で優れた再現性をもって作製することが可
能になっている。また、このようなカンチレバーチップ
は、バッチプロセスによって作製することができ、低コ
スト化が実現されている。したがって、現在では、半導
体ＩＣ製造プロセスを応用して作製されるカンチレバー
チップが主流となっている。
【０００６】ＡＦＭの測定方式としては、試料と探針部
を１nm程度に近接させて測定する接触方式、５〜10nm離
して測定する非接触方式、試料表面を探針部で軽くたた
きながら移動させて測定するタッピング方式等がある。
これらの測定方式のうち、非接触方式及びタッピング方
式のカンチレバーに要求される条件として、機械的共振
周波数が高いこと、Ｑ値が高いこと等が挙げられる。こ
れらの条件を満たすことによって、検出速度（image tr
acking speed）を上げることができると共に、測定環境
から発生する振動によるノイズを実質的に低減でき、検
出感度を上げることも可能となる。
を１nm程度に近接させて測定する接触方式、５〜10nm離
して測定する非接触方式、試料表面を探針部で軽くたた
きながら移動させて測定するタッピング方式等がある。
これらの測定方式のうち、非接触方式及びタッピング方
式のカンチレバーに要求される条件として、機械的共振
周波数が高いこと、Ｑ値が高いこと等が挙げられる。こ
れらの条件を満たすことによって、検出速度（image tr
acking speed）を上げることができると共に、測定環境
から発生する振動によるノイズを実質的に低減でき、検
出感度を上げることも可能となる。
【０００７】従来のカンチレバーチップでは、高検出速
度を得るためにはレバー長を短くするかレバー厚を厚く
する必要があることが、前記ビニッヒの特許公開公報の
中で記載されており、共振周波数がカンチレバーのレバ
ー厚に比例し、レバー長の二乗に反比例することが述べ
られている。
度を得るためにはレバー長を短くするかレバー厚を厚く
する必要があることが、前記ビニッヒの特許公開公報の
中で記載されており、共振周波数がカンチレバーのレバ
ー厚に比例し、レバー長の二乗に反比例することが述べ
られている。
【０００８】ところで、ＡＦＭカンチレバーとして、探
針部、レバー部、支持部をシリコンで一体に形成するも
のが広く知られている（例えば、O. Wolter, Th. Baye
r, and J. Greschner : Micromachined silicon sensor
s for scanning force microscopy J. Vac. Sci. Techn
ol. B9(2), May/April 1991参照）。このシリコン一体
形成型のカンチレバーは、前述したものと同じく半導体
製造技術を用いて作製するため、ミクロンオーダーの高
精度で非常に再現性よく作製することができる。また、
ＳＯＩ基板の活性層側に探針部及びレバー部を形成する
ことが可能であり、活性層厚や形成条件を制御すること
によって、長探針や厚いレバーのカンチレバーを作製す
ることが容易である。また探針部がシリコンで形成され
ているため、シリコンに不純物をあらかじめ拡散させて
おくことにより、探針部に導電性を付加させることがで
きるので、ＳＴＭ測定や表面修飾、加工も可能である。
針部、レバー部、支持部をシリコンで一体に形成するも
のが広く知られている（例えば、O. Wolter, Th. Baye
r, and J. Greschner : Micromachined silicon sensor
s for scanning force microscopy J. Vac. Sci. Techn
ol. B9(2), May/April 1991参照）。このシリコン一体
形成型のカンチレバーは、前述したものと同じく半導体
製造技術を用いて作製するため、ミクロンオーダーの高
精度で非常に再現性よく作製することができる。また、
ＳＯＩ基板の活性層側に探針部及びレバー部を形成する
ことが可能であり、活性層厚や形成条件を制御すること
によって、長探針や厚いレバーのカンチレバーを作製す
ることが容易である。また探針部がシリコンで形成され
ているため、シリコンに不純物をあらかじめ拡散させて
おくことにより、探針部に導電性を付加させることがで
きるので、ＳＴＭ測定や表面修飾、加工も可能である。
【０００９】また、半導体ＩＣ製造プロセスを応用した
窒化シリコン膜製のＡＦＭカンチレバーが知られている
が、次に、図７の（Ａ）〜（Ｅ）を参照しながら、従来
から実施されている窒化シリコン膜製ＡＦＭカンチレバ
ーの製造方法について説明する。まず、図７の（Ａ）に
示すように、面方位（１００）Ｓi 基板701 上に、窒化
シリコン膜パターン702 を設け、この窒化シリコン膜パ
ターン702 を耐エッチングマスクとして、Ｓi 基板701
にカンチレバーの探針部の型となる四角錐状のレプリカ
穴703 を形成する。この後、図７の（Ｂ）に示すよう
に、探針材により探針部704 を形成し、次に図７の
（Ｃ）に示すように、新たにカンチレバーの母材料とな
る窒化シリコン膜を堆積する。この窒化シリコン膜をカ
ンチレバーの形状に選択エッチングすることにより、カ
ンチレバーパターン705 を形成する。次いで図７の
（Ｄ）に示すように、このカンチレバーパターン705 上
に薄い酸化シリコン706 を形成し、所定領域にカンチレ
バーの支持部707 となるパイレックスガラスを陽極接合
する。続いて、図７の（Ｅ）に示すように、Ｓi 基板70
1 をエッチングにより除去し、支持部707 ，レバー部70
8 及び探針部604 を具備するＡＦＭカンチレバー700 を
得るようになっている。
窒化シリコン膜製のＡＦＭカンチレバーが知られている
が、次に、図７の（Ａ）〜（Ｅ）を参照しながら、従来
から実施されている窒化シリコン膜製ＡＦＭカンチレバ
ーの製造方法について説明する。まず、図７の（Ａ）に
示すように、面方位（１００）Ｓi 基板701 上に、窒化
シリコン膜パターン702 を設け、この窒化シリコン膜パ
ターン702 を耐エッチングマスクとして、Ｓi 基板701
にカンチレバーの探針部の型となる四角錐状のレプリカ
穴703 を形成する。この後、図７の（Ｂ）に示すよう
に、探針材により探針部704 を形成し、次に図７の
（Ｃ）に示すように、新たにカンチレバーの母材料とな
る窒化シリコン膜を堆積する。この窒化シリコン膜をカ
ンチレバーの形状に選択エッチングすることにより、カ
ンチレバーパターン705 を形成する。次いで図７の
（Ｄ）に示すように、このカンチレバーパターン705 上
に薄い酸化シリコン706 を形成し、所定領域にカンチレ
バーの支持部707 となるパイレックスガラスを陽極接合
する。続いて、図７の（Ｅ）に示すように、Ｓi 基板70
1 をエッチングにより除去し、支持部707 ，レバー部70
8 及び探針部604 を具備するＡＦＭカンチレバー700 を
得るようになっている。
【００１０】したがって、この製法により製造されるＡ
ＦＭカンチレバーは、ガラス製の支持部と窒化シリコン
膜で一体形成された探針部及びレバー部とにより構成さ
れる。そして、このように構成されたＡＦＭカンチレバ
ーは、ミクロンオーダーの高精度で非常に再現性よく作
製することができ、しかも探針部が材料的性質として親
水性である窒化シリコン膜で形成されているので、生体
試料に有効な液中でのＡＦＭ測定に適している。
ＦＭカンチレバーは、ガラス製の支持部と窒化シリコン
膜で一体形成された探針部及びレバー部とにより構成さ
れる。そして、このように構成されたＡＦＭカンチレバ
ーは、ミクロンオーダーの高精度で非常に再現性よく作
製することができ、しかも探針部が材料的性質として親
水性である窒化シリコン膜で形成されているので、生体
試料に有効な液中でのＡＦＭ測定に適している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年ＡＦＭ
カンチレバーに対しては、原子レベルの高分解能の要求
以外に、工業用の検査装置としての要求が高く、例えば
半導体製造におけるＣＭＰ（Chemical Mechanical Poli
shing ）プロセス後のウェハー表面状態の検査等で使用
されるようになってきている。その結果、検査工程のス
ループットを上げたいという要求が高く、検出速度の向
上が求められている。
カンチレバーに対しては、原子レベルの高分解能の要求
以外に、工業用の検査装置としての要求が高く、例えば
半導体製造におけるＣＭＰ（Chemical Mechanical Poli
shing ）プロセス後のウェハー表面状態の検査等で使用
されるようになってきている。その結果、検査工程のス
ループットを上げたいという要求が高く、検出速度の向
上が求められている。
【００１２】これに対して、上記従来のシリコンあるい
は窒化シリコン膜で探針部及びレバー部を一括形成した
ＡＦＭカンチレバーにおいては、次のような問題点があ
る。すなわち、前述したように、共振周波数がレバー長
の二乗に反比例することから、レバー長を短くすると最
も簡単に高検出速度を得ることができる。そこでレバー
長を短くしていくと、図８の（Ａ）に示すように、現状
のＡＦＭカンチレバー800 においては、レバー部801 の
自由端に存在する探針部802 とは反対側に設けられてい
るレバー支持部803 が非常に厚いために、図８の（Ｂ）
に示すように、測光用レーザ光804 が支持部803 の角部
803aに遮られて、レバー部上面のスポットに照射されな
いという問題点がある。なお、図８の（Ｂ）において、
805 は試料面を示している。このような問題を回避する
ためには、現状のカンチレバーにおいては 100μｍ以上
のレバー長が必要であり、したがって検出速度すなわち
高速動作には限界が生じ、数百ｋＨz の共振周波数を得
るのがせいぜいである。
は窒化シリコン膜で探針部及びレバー部を一括形成した
ＡＦＭカンチレバーにおいては、次のような問題点があ
る。すなわち、前述したように、共振周波数がレバー長
の二乗に反比例することから、レバー長を短くすると最
も簡単に高検出速度を得ることができる。そこでレバー
長を短くしていくと、図８の（Ａ）に示すように、現状
のＡＦＭカンチレバー800 においては、レバー部801 の
自由端に存在する探針部802 とは反対側に設けられてい
るレバー支持部803 が非常に厚いために、図８の（Ｂ）
に示すように、測光用レーザ光804 が支持部803 の角部
803aに遮られて、レバー部上面のスポットに照射されな
いという問題点がある。なお、図８の（Ｂ）において、
805 は試料面を示している。このような問題を回避する
ためには、現状のカンチレバーにおいては 100μｍ以上
のレバー長が必要であり、したがって検出速度すなわち
高速動作には限界が生じ、数百ｋＨz の共振周波数を得
るのがせいぜいである。
【００１３】また、カンチレバーの支持部による測光用
レーザ光のけられを防止するために、単に薄型の支持部
をレバー部に装着させた場合には、カンチレバーの装置
への脱着、あるいは操作性が非常に悪く、取り扱い時に
レバー部や探針部に損傷を与え、歩留まりを著しく低下
させてしまう。そのため現在用いられているガラス製支
持部の陽極接合では、ガラスの信頼性を保つためには、
少なくとも 300μｍ以上の厚さが必要であり、更にダイ
シング時の加工精度を考慮すると、ガラス製支持部を薄
膜化するのは適した方法ではない。
レーザ光のけられを防止するために、単に薄型の支持部
をレバー部に装着させた場合には、カンチレバーの装置
への脱着、あるいは操作性が非常に悪く、取り扱い時に
レバー部や探針部に損傷を与え、歩留まりを著しく低下
させてしまう。そのため現在用いられているガラス製支
持部の陽極接合では、ガラスの信頼性を保つためには、
少なくとも 300μｍ以上の厚さが必要であり、更にダイ
シング時の加工精度を考慮すると、ガラス製支持部を薄
膜化するのは適した方法ではない。
【００１４】また、従来のＳＯＩ基板を用いて構成した
カンチレバーでは、活性層を探針部及びレバー部にし、
Ｓi 基板側を支持部にしている。このＳＯＩ基板を半導
体プロセスで使うためには装置内の搬送、基板の反り等
を考慮すると、 300μｍ以上の基板厚は必要になり、し
たがって支持部の厚さを 300μｍ以上から数十μｍまで
薄くするのは困難であった。
カンチレバーでは、活性層を探針部及びレバー部にし、
Ｓi 基板側を支持部にしている。このＳＯＩ基板を半導
体プロセスで使うためには装置内の搬送、基板の反り等
を考慮すると、 300μｍ以上の基板厚は必要になり、し
たがって支持部の厚さを 300μｍ以上から数十μｍまで
薄くするのは困難であった。
【００１５】また、カンチレバー形成後にエッチングや
研磨等により、支持部であるＳi 基板を薄膜化するのは
難しく、先鋭化した探針部先端が欠損したり、レバー部
上に異物が付着するため、歩留まりを著しく低下させる
ことになる。また、ＳＯＩ基板の活性層を単にカンチレ
バーの支持部に用いた場合、カンチレバーをチップ分離
するときに、探針部やレバー部に損傷を与えて歩留まり
を著しく低下させる原因になる。
研磨等により、支持部であるＳi 基板を薄膜化するのは
難しく、先鋭化した探針部先端が欠損したり、レバー部
上に異物が付着するため、歩留まりを著しく低下させる
ことになる。また、ＳＯＩ基板の活性層を単にカンチレ
バーの支持部に用いた場合、カンチレバーをチップ分離
するときに、探針部やレバー部に損傷を与えて歩留まり
を著しく低下させる原因になる。
【００１６】更に、レバー部の厚さを厚くするために、
ＳＯＩ基板の活性層を厚くすると、エッチング制御が難
しいという問題、更に窒化膜等の絶縁膜で数ミクロンの
厚いレバーを形成すると、自らの応力で基板が反り、カ
ンチレバーの信頼性を著しく低下させるという問題があ
る。
ＳＯＩ基板の活性層を厚くすると、エッチング制御が難
しいという問題、更に窒化膜等の絶縁膜で数ミクロンの
厚いレバーを形成すると、自らの応力で基板が反り、カ
ンチレバーの信頼性を著しく低下させるという問題があ
る。
【００１７】本発明は、従来の半導体製造技術を用いて
作製するＡＦＭカンチレバーなどの走査型プローブ顕微
鏡用カンチレバーにおける上記問題点を解消するために
なされたもので、各種の用途、使用方法におのおの要求
されるレバー部特性と探針部特性とを共に満足する走査
型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップ及びその製造方
法を提供することを目的とする。
作製するＡＦＭカンチレバーなどの走査型プローブ顕微
鏡用カンチレバーにおける上記問題点を解消するために
なされたもので、各種の用途、使用方法におのおの要求
されるレバー部特性と探針部特性とを共に満足する走査
型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップ及びその製造方
法を提供することを目的とする。
【００１８】請求項毎の目的を述べると、次の通りであ
る。すなわち、請求項１に係る発明は、高速動作すなわ
ち高検出速度を可能とする走査型プローブ顕微鏡用カン
チレバーチップを提供することを目的とする。請求項２
に係る発明は、より信頼性の高い走査型プローブ顕微鏡
用カンチレバーチップを提供することを目的とする。請
求項３に係る発明は、取り扱い時にレバー部や探針部に
損傷を与えず操作性を向上させることの可能な走査型プ
ローブ顕微鏡用カンチレバーチップを提供することを目
的とする。請求項４に係る発明は、チップ分離を容易に
行えるようにした走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー
チップを提供することを目的とする。請求項５に係る発
明は、高速動作すなわち高検出速度を可能とする走査型
プローブ顕微鏡用カンチレバーチップを提供することを
目的とする。請求項６に係る発明はチップ分離を容易に
行えるようにした走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー
チップを提供することを目的とする。請求項７に係る発
明は、高速動作を可能とする走査型プローブ顕微鏡用カ
ンチレバーチップを容易に製造できる製造方法を提供す
ることを目的とする。請求項８に係る発明は、チップ分
離を容易に行えるようにした走査型プローブ顕微鏡用カ
ンチレバーチップを容易に製造できる製造方法を提供す
ることを目的とする。
る。すなわち、請求項１に係る発明は、高速動作すなわ
ち高検出速度を可能とする走査型プローブ顕微鏡用カン
チレバーチップを提供することを目的とする。請求項２
に係る発明は、より信頼性の高い走査型プローブ顕微鏡
用カンチレバーチップを提供することを目的とする。請
求項３に係る発明は、取り扱い時にレバー部や探針部に
損傷を与えず操作性を向上させることの可能な走査型プ
ローブ顕微鏡用カンチレバーチップを提供することを目
的とする。請求項４に係る発明は、チップ分離を容易に
行えるようにした走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー
チップを提供することを目的とする。請求項５に係る発
明は、高速動作すなわち高検出速度を可能とする走査型
プローブ顕微鏡用カンチレバーチップを提供することを
目的とする。請求項６に係る発明はチップ分離を容易に
行えるようにした走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー
チップを提供することを目的とする。請求項７に係る発
明は、高速動作を可能とする走査型プローブ顕微鏡用カ
ンチレバーチップを容易に製造できる製造方法を提供す
ることを目的とする。請求項８に係る発明は、チップ分
離を容易に行えるようにした走査型プローブ顕微鏡用カ
ンチレバーチップを容易に製造できる製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１に係る発明は、走査型プローブ顕微鏡用カ
ンチレバーチップを、支持部と、該支持部より延びるよ
うに配置されたレバー部と、該レバー部の自由端であっ
て、該レバー部の前記支持部の配置面とは反対側の表面
に設けられた探針部とで構成し、前記支持部をＳＯＩ基
板の活性層で形成することを特徴とするものである。こ
のように、支持部をＳＯＩ基板の活性層で構成すること
により容易に薄膜化することができ、したがって支持部
による測光用レーザ光を遮光せずにレバー部を短くする
ことが可能となり、高速動作すなわち高検出速度の可能
な走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップを実現す
ることができる。
め、請求項１に係る発明は、走査型プローブ顕微鏡用カ
ンチレバーチップを、支持部と、該支持部より延びるよ
うに配置されたレバー部と、該レバー部の自由端であっ
て、該レバー部の前記支持部の配置面とは反対側の表面
に設けられた探針部とで構成し、前記支持部をＳＯＩ基
板の活性層で形成することを特徴とするものである。こ
のように、支持部をＳＯＩ基板の活性層で構成すること
により容易に薄膜化することができ、したがって支持部
による測光用レーザ光を遮光せずにレバー部を短くする
ことが可能となり、高速動作すなわち高検出速度の可能
な走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップを実現す
ることができる。
【００２０】請求項２に係る発明は、請求項１に係る走
査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップにおいて、前
記レバー部は、自由端とは反対側に伸びている部分を少
なくとも前記支持部表面に接するように構成することを
特徴とするものである。このように構成することによ
り、より信頼性の高い走査型プローブ顕微鏡用カンチレ
バーチップを実現することができる。
査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップにおいて、前
記レバー部は、自由端とは反対側に伸びている部分を少
なくとも前記支持部表面に接するように構成することを
特徴とするものである。このように構成することによ
り、より信頼性の高い走査型プローブ顕微鏡用カンチレ
バーチップを実現することができる。
【００２１】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップにおい
て、前記支持部の端部より延びるように配置されたＳＯ
Ｉ基板の活性層からなるチップ保持部を備え、該チップ
保持部にはＳＯＩ基板のシリコン基板からなるチップ保
護部が支持されていることを特徴とするものである。こ
のようにチップ保護部を設けることにより、チップの切
り離し操作や、走査型プローブ顕微鏡の治具への装着な
どを探針部やレバー部に損傷を与えずに安全に且つ容易
に行うことが可能となる。
係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップにおい
て、前記支持部の端部より延びるように配置されたＳＯ
Ｉ基板の活性層からなるチップ保持部を備え、該チップ
保持部にはＳＯＩ基板のシリコン基板からなるチップ保
護部が支持されていることを特徴とするものである。こ
のようにチップ保護部を設けることにより、チップの切
り離し操作や、走査型プローブ顕微鏡の治具への装着な
どを探針部やレバー部に損傷を与えずに安全に且つ容易
に行うことが可能となる。
【００２２】請求項４に係る発明は、請求項１〜３のい
ずれか１項に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー
チップにおいて、前記チップ保持部には、チップ分離用
割溝が形成されていることを特徴とするものである。こ
のように構成することにより、チップの切り離し分離を
容易に行うことが可能となる。
ずれか１項に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー
チップにおいて、前記チップ保持部には、チップ分離用
割溝が形成されていることを特徴とするものである。こ
のように構成することにより、チップの切り離し分離を
容易に行うことが可能となる。
【００２３】請求項５に係る発明は、走査型プローブ顕
微鏡用カンチレバーチップを、支持部と、該支持部より
延びるように配置されたレバー部と、該レバー部の自由
端であって、該レバー部の前記支持部の配置面とは反対
側の表面に設けられた探針部とで構成し、前記支持部を
ＣＶＤ膜で形成することを特徴とするものである。この
ように、支持部をＣＶＤ膜で構成することにより、ＳＯ
Ｉ基板を用いずに低コストで容易に薄膜化された支持部
を形成することができ、したがってレバー部を短くする
ことが可能となり、高速動作すなわち高検出速度の可能
な走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップを容易に
実現することができる。
微鏡用カンチレバーチップを、支持部と、該支持部より
延びるように配置されたレバー部と、該レバー部の自由
端であって、該レバー部の前記支持部の配置面とは反対
側の表面に設けられた探針部とで構成し、前記支持部を
ＣＶＤ膜で形成することを特徴とするものである。この
ように、支持部をＣＶＤ膜で構成することにより、ＳＯ
Ｉ基板を用いずに低コストで容易に薄膜化された支持部
を形成することができ、したがってレバー部を短くする
ことが可能となり、高速動作すなわち高検出速度の可能
な走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップを容易に
実現することができる。
【００２４】請求項６に係る発明は、請求項５に係る走
査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップにおいて、前
記支持部の端部に連接したシリコン基板からなるチップ
保持部と、該チップ保持部に支持されたチップ保護部と
を備え、前記チップ保持部にはチップ分離用割溝が形成
されていることを特徴とするものである。このようにチ
ップ保護部やチップ分離用割溝を設けることにより、チ
ップの切り離し操作や、走査型プローブ顕微鏡の治具へ
の装着などを探針部やレバー部に損傷を与えずに安全に
且つ容易に行うことが可能となる。
査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップにおいて、前
記支持部の端部に連接したシリコン基板からなるチップ
保持部と、該チップ保持部に支持されたチップ保護部と
を備え、前記チップ保持部にはチップ分離用割溝が形成
されていることを特徴とするものである。このようにチ
ップ保護部やチップ分離用割溝を設けることにより、チ
ップの切り離し操作や、走査型プローブ顕微鏡の治具へ
の装着などを探針部やレバー部に損傷を与えずに安全に
且つ容易に行うことが可能となる。
【００２５】請求項７に係る発明は、ＳＯＩ基板の活性
層に所定のエッチングマスクを施し活性層と酸化膜層を
エッチングして活性層からなる支持部を形成する工程
と、表出したＳＯＩ基板のシリコン基板に探針部形成用
レプリカ穴を形成したのち、該レプリカ穴に探針部を形
成すると共に該探針部から前記支持部に亘って前記シリ
コン基板上にレバー部を形成する工程と、前記シリコン
基板を除去して探針部とレバー部と支持部とを表出させ
る工程とで、走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチッ
プの製造方法を構成するものである。このような製造工
程を用いることにより、活性層からなる薄膜化を図った
支持部を備えた走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチ
ップを容易に製造することができる。
層に所定のエッチングマスクを施し活性層と酸化膜層を
エッチングして活性層からなる支持部を形成する工程
と、表出したＳＯＩ基板のシリコン基板に探針部形成用
レプリカ穴を形成したのち、該レプリカ穴に探針部を形
成すると共に該探針部から前記支持部に亘って前記シリ
コン基板上にレバー部を形成する工程と、前記シリコン
基板を除去して探針部とレバー部と支持部とを表出させ
る工程とで、走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチッ
プの製造方法を構成するものである。このような製造工
程を用いることにより、活性層からなる薄膜化を図った
支持部を備えた走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチ
ップを容易に製造することができる。
【００２６】請求項８に係る発明は、請求項７に係る走
査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップの製造方法に
おいて、前記活性層からなる支持部の延長部の活性層に
チップ分離用割溝を、前記支持部の形成又は前記探針部
形成用レプリカ穴の形成と同時に形成する工程とを備え
ていることを特徴とするものである。このようにチップ
分離用割溝を、支持部又は探針部形成用レプリカ穴の形
成と同時に形成することにより、工数を削減してチップ
分離用割溝を備えた走査型プローブ顕微鏡用カンチレバ
ーチップを容易に製造することが可能となる。
査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップの製造方法に
おいて、前記活性層からなる支持部の延長部の活性層に
チップ分離用割溝を、前記支持部の形成又は前記探針部
形成用レプリカ穴の形成と同時に形成する工程とを備え
ていることを特徴とするものである。このようにチップ
分離用割溝を、支持部又は探針部形成用レプリカ穴の形
成と同時に形成することにより、工数を削減してチップ
分離用割溝を備えた走査型プローブ顕微鏡用カンチレバ
ーチップを容易に製造することが可能となる。
【００２７】
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図１の（Ａ）は、本発明に係る走査型プローブ顕微
鏡用カンチレバーチップの第１の実施の形態に係るＡＦ
Ｍカンチレバーチップを示す裏面平面図で、複数のチッ
プを分離する前の状態を示しており、図１の（Ｂ）は単
一のチップの横断面図である。この実施の形態に係るＡ
ＦＭカンチレバーチップ100 は、カンチレバー（片持ち
梁）部101 と、該カンチレバー部101 の先端の自由端に
該カンチレバー部101 と一体的に設けられた探針部102
と、該カンチレバー部101 の基部に設けられた支持部10
3 とで構成されており、該支持部103 はＳＯＩ基板の活
性層で薄型に形成されている。また、チップ分離用のＶ
型の割溝104 が支持部103 の延長部上に形成されてお
り、更に、割溝104を挟んで支持部103 とは反対側に、
ＳＯＩ基板のＳi 基板からなるチップ保護部105 がＳＯ
Ｉ基板の酸化膜層106 を介して形成されている。カンチ
レバー部101の構成材料には、窒化シリコンが適してい
るが、その他の材料でも成膜してカンチレバー部を形成
できるものであれば、同様に用いることができる。な
お、図１の（Ａ）において、107 はウェハーにおけるカ
ンチレバーチップの形成領域を示している。
る。図１の（Ａ）は、本発明に係る走査型プローブ顕微
鏡用カンチレバーチップの第１の実施の形態に係るＡＦ
Ｍカンチレバーチップを示す裏面平面図で、複数のチッ
プを分離する前の状態を示しており、図１の（Ｂ）は単
一のチップの横断面図である。この実施の形態に係るＡ
ＦＭカンチレバーチップ100 は、カンチレバー（片持ち
梁）部101 と、該カンチレバー部101 の先端の自由端に
該カンチレバー部101 と一体的に設けられた探針部102
と、該カンチレバー部101 の基部に設けられた支持部10
3 とで構成されており、該支持部103 はＳＯＩ基板の活
性層で薄型に形成されている。また、チップ分離用のＶ
型の割溝104 が支持部103 の延長部上に形成されてお
り、更に、割溝104を挟んで支持部103 とは反対側に、
ＳＯＩ基板のＳi 基板からなるチップ保護部105 がＳＯ
Ｉ基板の酸化膜層106 を介して形成されている。カンチ
レバー部101の構成材料には、窒化シリコンが適してい
るが、その他の材料でも成膜してカンチレバー部を形成
できるものであれば、同様に用いることができる。な
お、図１の（Ａ）において、107 はウェハーにおけるカ
ンチレバーチップの形成領域を示している。
【００２８】次に、上記第１の実施の形態に係るＡＦＭ
カンチレバーチップの製造方法を、図２の（Ａ）〜
（Ｅ）に示す製造工程図に基づいて説明する。まず、図
２の（Ａ）に示すように、ＳＯＩ基板201 の厚さ20μｍ
程度の活性層201-３に、 0.1μｍ程度の厚さの窒化膜を
形成し、フォト・エッチングを行い、各カンチレバーチ
ップが形成される領域203 とＶ型チップ割溝形成領域20
4aの窒化膜を除去し、窒化膜のマスクパターン202 を形
成する。その後マスクパターン202 を用いて強アルカリ
エッチング液、例えば水酸化カリウム水溶液等により、
ＳＯＩ基板201 の活性層201-３をエッチング除去し、Ｓ
ＯＩ基板201 の酸化膜層201-２の表面でエッチングをス
トップさせ、活性層からなる支持部205 を形成する。こ
のときチップ割溝形成領域204aも同時にエッチングされ
て割溝204 が形成され、図２の（Ａ）に示す状態の形状
が得られる。
カンチレバーチップの製造方法を、図２の（Ａ）〜
（Ｅ）に示す製造工程図に基づいて説明する。まず、図
２の（Ａ）に示すように、ＳＯＩ基板201 の厚さ20μｍ
程度の活性層201-３に、 0.1μｍ程度の厚さの窒化膜を
形成し、フォト・エッチングを行い、各カンチレバーチ
ップが形成される領域203 とＶ型チップ割溝形成領域20
4aの窒化膜を除去し、窒化膜のマスクパターン202 を形
成する。その後マスクパターン202 を用いて強アルカリ
エッチング液、例えば水酸化カリウム水溶液等により、
ＳＯＩ基板201 の活性層201-３をエッチング除去し、Ｓ
ＯＩ基板201 の酸化膜層201-２の表面でエッチングをス
トップさせ、活性層からなる支持部205 を形成する。こ
のときチップ割溝形成領域204aも同時にエッチングされ
て割溝204 が形成され、図２の（Ａ）に示す状態の形状
が得られる。
【００２９】次に、図２の（Ｂ）に示すように、ＳＯＩ
基板表面に形成されている窒化膜のマスクパターン202
を、そのまま基板上に残し、酸化膜層201-２に探針部形
成用レプリカ穴を形成するためのマスクパターンをフォ
ト・エッチングを行って形成した後、再度水酸化カリウ
ム水溶液等のアルカリ溶液に浸し、探針部形成用レプリ
カ穴206 を形成する。このとき、チップ割溝204 も同時
にエッチングされるが、割溝204 の側面を形成している
（１１１）面では（１００）面ほどエッチングが進行せ
ず、数μｍサイドエッチングが入る程度である。
基板表面に形成されている窒化膜のマスクパターン202
を、そのまま基板上に残し、酸化膜層201-２に探針部形
成用レプリカ穴を形成するためのマスクパターンをフォ
ト・エッチングを行って形成した後、再度水酸化カリウ
ム水溶液等のアルカリ溶液に浸し、探針部形成用レプリ
カ穴206 を形成する。このとき、チップ割溝204 も同時
にエッチングされるが、割溝204 の側面を形成している
（１１１）面では（１００）面ほどエッチングが進行せ
ず、数μｍサイドエッチングが入る程度である。
【００３０】次に、図２の（Ｂ）に示す状態において基
板表面に存在している酸化膜層201-２をフッ酸系のエッ
チング液により除去した後、割溝204 等の形成に用いた
マスクパターン（窒化膜）202 もリン酸等のエッチング
液で除去し、図２の（Ｃ）に示すように、再度基板全面
にカンチレバーの探針部及びレバー部となる窒化膜208
を厚さ 1.0μｍ程度形成する。次いで、図２の（Ｄ）に
示すように、窒化膜208 をフォト・エッチングして、窒
化膜からなる探針部209 と、支持部205 の一部に接する
ように配置されたレバー部210 とを一体的に形成する。
板表面に存在している酸化膜層201-２をフッ酸系のエッ
チング液により除去した後、割溝204 等の形成に用いた
マスクパターン（窒化膜）202 もリン酸等のエッチング
液で除去し、図２の（Ｃ）に示すように、再度基板全面
にカンチレバーの探針部及びレバー部となる窒化膜208
を厚さ 1.0μｍ程度形成する。次いで、図２の（Ｄ）に
示すように、窒化膜208 をフォト・エッチングして、窒
化膜からなる探針部209 と、支持部205 の一部に接する
ように配置されたレバー部210 とを一体的に形成する。
【００３１】次に、図２の（Ｅ）に示すように、ＳＯＩ
基板201 の裏面に酸化膜等の絶縁膜マスク211 を形成
し、基板表面にエッチング液が回り込まないようにし、
チップ保護部212 を残して、チップ領域のＳi 基板210-
１をエッチング除去し、探針部209 とレバー部210 とＳ
ＯＩ基板の活性層からなる薄膜化された支持部205 とか
らなるＡＦＭカンチレバーチップ213 が完成する。
基板201 の裏面に酸化膜等の絶縁膜マスク211 を形成
し、基板表面にエッチング液が回り込まないようにし、
チップ保護部212 を残して、チップ領域のＳi 基板210-
１をエッチング除去し、探針部209 とレバー部210 とＳ
ＯＩ基板の活性層からなる薄膜化された支持部205 とか
らなるＡＦＭカンチレバーチップ213 が完成する。
【００３２】なお、本実施の形態においては、探針部及
びレバー部の形成材料として窒化膜を用いたものを示し
ているが、スパッタ装置やＭＯ−ＣＶＤ装置などで形成
される金属膜を用いて形成してもよい。その際の金属膜
としては、Ｔi ，Ａu ，Ｐt，AuPd，PzPd, TiＮ等の金
属膜が挙げられる。このような金属膜を用いると、レバ
ー部に測光用レーザ光を反射させるための反射膜を形成
する必要がなくなる。また、金属膜を用いた場合、導電
性を有しているので、ＡＦＭ測定のみならず、ＳＴＭ測
定、ＡＦＭ／ＳＴＭ測定、電荷測定、静電気力測定等に
も適用可能となる。更に、レバー部を形成する金属膜が
支持部にも形成されることになり、電極を試料側とは反
対側に設けることができ、電極の配置が容易となる。
びレバー部の形成材料として窒化膜を用いたものを示し
ているが、スパッタ装置やＭＯ−ＣＶＤ装置などで形成
される金属膜を用いて形成してもよい。その際の金属膜
としては、Ｔi ，Ａu ，Ｐt，AuPd，PzPd, TiＮ等の金
属膜が挙げられる。このような金属膜を用いると、レバ
ー部に測光用レーザ光を反射させるための反射膜を形成
する必要がなくなる。また、金属膜を用いた場合、導電
性を有しているので、ＡＦＭ測定のみならず、ＳＴＭ測
定、ＡＦＭ／ＳＴＭ測定、電荷測定、静電気力測定等に
も適用可能となる。更に、レバー部を形成する金属膜が
支持部にも形成されることになり、電極を試料側とは反
対側に設けることができ、電極の配置が容易となる。
【００３３】本実施の形態においては、従来行っていた
ような、レバー部の探針部とは逆側の一端の表面に、例
えば予め片面に溝を形成したパイレックスガラス（例え
ばコーニング＃7740）で形成された支持部を陽極接合し
たり、あるいは適当な支持部を接着剤等を用いて接合す
ることなどをせずに、薄膜の支持部を形成することがで
きる。これは、単に支持部を薄膜化できるだけでなく、
陽極接合を行うための高温アニール工程が短縮でき、そ
れにより基板やレバー部の反りも著しく低減できるの
で、歩留まりを向上させることができる。
ような、レバー部の探針部とは逆側の一端の表面に、例
えば予め片面に溝を形成したパイレックスガラス（例え
ばコーニング＃7740）で形成された支持部を陽極接合し
たり、あるいは適当な支持部を接着剤等を用いて接合す
ることなどをせずに、薄膜の支持部を形成することがで
きる。これは、単に支持部を薄膜化できるだけでなく、
陽極接合を行うための高温アニール工程が短縮でき、そ
れにより基板やレバー部の反りも著しく低減できるの
で、歩留まりを向上させることができる。
【００３４】更に本実施の形態では、薄膜支持部を切り
離すためのＶ型割溝を、チップ領域を形成するときに同
時に形成するようにしているため工数の削減が可能とな
る。更に探針部形成用のレプリカ穴をＳＯＩ基板に存在
している酸化膜層を用いて形成することができるので、
マスク材の形成プロセスを必要としない。またＳＯＩ基
板をチップの保護部として用いることができるため、カ
ンチレバー完成後の信頼性も高く、チップの切り離し及
びＡＦＭ装置治具への装着を容易に行うことができる。
離すためのＶ型割溝を、チップ領域を形成するときに同
時に形成するようにしているため工数の削減が可能とな
る。更に探針部形成用のレプリカ穴をＳＯＩ基板に存在
している酸化膜層を用いて形成することができるので、
マスク材の形成プロセスを必要としない。またＳＯＩ基
板をチップの保護部として用いることができるため、カ
ンチレバー完成後の信頼性も高く、チップの切り離し及
びＡＦＭ装置治具への装着を容易に行うことができる。
【００３５】次に、第２の実施の形態について説明す
る。図３の（Ａ）は第２の実施の形態に係るＡＦＭカン
チレバーチップを示す裏面平面図で、複数のチップを分
離する前の状態を示しており、図３の（Ｂ）は単一のチ
ップの横断面図である。この実施の形態に係るＡＦＭカ
ンチレバーチップ300 は、カンチレバー部301 と、該カ
ンチレバー部301 の先端に設けられた、該カンチレバー
部301 とは別個の部材で形成されている探針部302 と、
該カンチレバー部301 の基部に設けられた支持部303 と
で構成されており、該支持部303 はＳＯＩ基板の活性層
で薄型に形成されている。また、チップ分離用のＶ型割
溝304 が支持部303 の延長部上に形成されており、更に
割溝304 を挟んで支持部303 とは反対側に、ＳＯＩ基板
のＳi 基板からなるチップ保護膜部305 が、ＳＯＩ基板
の酸化膜層306 を介して形成されている。探針部302 の
形成材料としては、用途に応じて光透過性、導電性、硬
質性等の各種特性を有する材料を適宜選択できる。な
お、図３の（Ａ）において、307 はウェハーにおけるカ
ンチレバーチップの形成領域を示している。
る。図３の（Ａ）は第２の実施の形態に係るＡＦＭカン
チレバーチップを示す裏面平面図で、複数のチップを分
離する前の状態を示しており、図３の（Ｂ）は単一のチ
ップの横断面図である。この実施の形態に係るＡＦＭカ
ンチレバーチップ300 は、カンチレバー部301 と、該カ
ンチレバー部301 の先端に設けられた、該カンチレバー
部301 とは別個の部材で形成されている探針部302 と、
該カンチレバー部301 の基部に設けられた支持部303 と
で構成されており、該支持部303 はＳＯＩ基板の活性層
で薄型に形成されている。また、チップ分離用のＶ型割
溝304 が支持部303 の延長部上に形成されており、更に
割溝304 を挟んで支持部303 とは反対側に、ＳＯＩ基板
のＳi 基板からなるチップ保護膜部305 が、ＳＯＩ基板
の酸化膜層306 を介して形成されている。探針部302 の
形成材料としては、用途に応じて光透過性、導電性、硬
質性等の各種特性を有する材料を適宜選択できる。な
お、図３の（Ａ）において、307 はウェハーにおけるカ
ンチレバーチップの形成領域を示している。
【００３６】次に、上記第２の実施の形態に係るＡＦＭ
カンチレバーチップの製造方法を、図４の（Ａ）〜
（Ｅ）に示す製造工程図に基づいて説明する。まず、図
４の（Ａ）に示すように、ＳＯＩ基板401 の厚さ20μｍ
程度の活性層401-３に、 0.1μｍ程度の厚さの酸化膜を
形成し、フォト・エッチングを行い、各カンチレバーチ
ップが形成される領域403 の酸化膜を除去しマスクパタ
ーン402 を形成する。その後マスクパターン402 を用い
て強アルカリエッチング液、例えば水酸化カリウム水溶
液等により、ＳＯＩ基板401 の活性層401-３をエッチン
グ除去して、活性層からなる支持部404 を形成し、図４
の（Ａ）に示す状態の形状を得る。
カンチレバーチップの製造方法を、図４の（Ａ）〜
（Ｅ）に示す製造工程図に基づいて説明する。まず、図
４の（Ａ）に示すように、ＳＯＩ基板401 の厚さ20μｍ
程度の活性層401-３に、 0.1μｍ程度の厚さの酸化膜を
形成し、フォト・エッチングを行い、各カンチレバーチ
ップが形成される領域403 の酸化膜を除去しマスクパタ
ーン402 を形成する。その後マスクパターン402 を用い
て強アルカリエッチング液、例えば水酸化カリウム水溶
液等により、ＳＯＩ基板401 の活性層401-３をエッチン
グ除去して、活性層からなる支持部404 を形成し、図４
の（Ａ）に示す状態の形状を得る。
【００３７】次に、図４の（Ｂ）に示すように、基板表
面上の基板エッチングに用いたマスクパターン402 及び
ＳＯＩ基板の酸化膜層401-２を、フッ酸系のエッチング
液で除去し、再度基板全面に窒化膜を形成する。続い
て、カンチレバーの探針部形成部分と支持部404 に形成
されるチップ割溝形成部分の窒化膜を除去して、窒化膜
よりなるマスクパターン405 を形成し、次いで、探針部
形成用レプリカ穴406 が十分エッチング形成される時
間、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ液に浸し、探針
部形成用レプリカ穴406 とチップ割溝407 を同時に形成
する。
面上の基板エッチングに用いたマスクパターン402 及び
ＳＯＩ基板の酸化膜層401-２を、フッ酸系のエッチング
液で除去し、再度基板全面に窒化膜を形成する。続い
て、カンチレバーの探針部形成部分と支持部404 に形成
されるチップ割溝形成部分の窒化膜を除去して、窒化膜
よりなるマスクパターン405 を形成し、次いで、探針部
形成用レプリカ穴406 が十分エッチング形成される時
間、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ液に浸し、探針
部形成用レプリカ穴406 とチップ割溝407 を同時に形成
する。
【００３８】次に、図４の（Ｃ）に示すように、基板表
面の探針部形成用レプリカ穴406 部分にのみ、Si3 Ｎ4
等の硬い材料を設けて探針部408 を形成する。次いで、
図４の（Ｄ）に示すように、レバー部となる窒化膜を基
板全面に形成した後フォト・エッチングして、窒化膜か
らなるレバー部409 を支持部404 の一部に接するように
形成する。この際、探針部形成用レプリカ穴を形成する
ときに使用した窒化膜のマスクパターン405 も同時にエ
ッチング除去する。次いで、図４の（Ｅ）に示すよう
に、ＳＯＩ基板401 の裏面に酸化膜等の絶縁膜マスク41
0 を形成し、基板表面にエッチング液が回り込まないよ
うにし、チップ保護膜部411 を残して、チップ領域のＳ
i 基板401-１をエッチング除去することによって、探針
部408 とレバー部409 とＳＯＩ基板の活性層からなる薄
膜化された支持部404 とからなるＡＦＭカンチレバーチ
ップ412 が完成する。
面の探針部形成用レプリカ穴406 部分にのみ、Si3 Ｎ4
等の硬い材料を設けて探針部408 を形成する。次いで、
図４の（Ｄ）に示すように、レバー部となる窒化膜を基
板全面に形成した後フォト・エッチングして、窒化膜か
らなるレバー部409 を支持部404 の一部に接するように
形成する。この際、探針部形成用レプリカ穴を形成する
ときに使用した窒化膜のマスクパターン405 も同時にエ
ッチング除去する。次いで、図４の（Ｅ）に示すよう
に、ＳＯＩ基板401 の裏面に酸化膜等の絶縁膜マスク41
0 を形成し、基板表面にエッチング液が回り込まないよ
うにし、チップ保護膜部411 を残して、チップ領域のＳ
i 基板401-１をエッチング除去することによって、探針
部408 とレバー部409 とＳＯＩ基板の活性層からなる薄
膜化された支持部404 とからなるＡＦＭカンチレバーチ
ップ412 が完成する。
【００３９】上記第２の実施の形態においては、探針部
の形成材料としては、Ｓi と窒素との含有量比が３：４
である膜組成のもの（Si3 Ｎ4 ）を使用しているが、光
透過性のある、シリコンがリッチな窒化シリコン膜，酸
化シリコン膜，ＩＴＯ，SnＯ2 等を用いることにより、
ＳＮＯＭ（Scanning Near-field Optical Microscope）
測定や、そのスペクトル測定が可能となる。
の形成材料としては、Ｓi と窒素との含有量比が３：４
である膜組成のもの（Si3 Ｎ4 ）を使用しているが、光
透過性のある、シリコンがリッチな窒化シリコン膜，酸
化シリコン膜，ＩＴＯ，SnＯ2 等を用いることにより、
ＳＮＯＭ（Scanning Near-field Optical Microscope）
測定や、そのスペクトル測定が可能となる。
【００４０】一方、探針部形成材料として導電性材料を
用いると、ＡＦＭ測定のみならず、ＳＴＭ測定、あるい
はＳＴＭを用いた原子、分子操作等の表面修飾や加工に
も適用可能である。探針部形成用の導電性材料として
は、各種金属を用いることができるが、特にＭo ，Ｗ等
の高融点金属及びそのシリサイドを使用することによ
り、探針部形成材料の成膜後も高温熱処理することが可
能となり、カンチレバーチップの作製上の制約が少なく
なる。
用いると、ＡＦＭ測定のみならず、ＳＴＭ測定、あるい
はＳＴＭを用いた原子、分子操作等の表面修飾や加工に
も適用可能である。探針部形成用の導電性材料として
は、各種金属を用いることができるが、特にＭo ，Ｗ等
の高融点金属及びそのシリサイドを使用することによ
り、探針部形成材料の成膜後も高温熱処理することが可
能となり、カンチレバーチップの作製上の制約が少なく
なる。
【００４１】また、前述のＩＴＯやSnＯ2 等の透明材料
を探針部として用いることにより、ＡＦＭ、ＳＮＯＭ、
ＳＴＭの測定を全て行うことが可能となる。更にまた、
探針部形成材料として、例えばSiＣやＤＬＣ（Diamond
Like Carbon ）やAl2 Ｏ3 やZrＯ2 等の硬質材料を用い
ることにより、被加工体表面を走査して削る等の超微細
な機械的加工処理も可能となる。
を探針部として用いることにより、ＡＦＭ、ＳＮＯＭ、
ＳＴＭの測定を全て行うことが可能となる。更にまた、
探針部形成材料として、例えばSiＣやＤＬＣ（Diamond
Like Carbon ）やAl2 Ｏ3 やZrＯ2 等の硬質材料を用い
ることにより、被加工体表面を走査して削る等の超微細
な機械的加工処理も可能となる。
【００４２】また本実施の形態においては、第１の実施
の形態と同様に、従来行っていたような、レバー部の探
針部とは逆側の一端の表面に、例えば予め片面に溝を形
成したパイレックスガラス（例えばコーニング＃7740）
で形成された支持部を陽極接合したり、あるいは適当な
支持部を接着剤等を用いて接合することなどをせずに、
薄膜の支持部を形成することができる。これは、単に支
持部を薄膜化できるだけでなく、陽極接合を行うための
高温アニール工程が短縮でき、それにより基板やレバー
部の反りも著しく低減できるので、歩留まりを向上させ
ることができる。
の形態と同様に、従来行っていたような、レバー部の探
針部とは逆側の一端の表面に、例えば予め片面に溝を形
成したパイレックスガラス（例えばコーニング＃7740）
で形成された支持部を陽極接合したり、あるいは適当な
支持部を接着剤等を用いて接合することなどをせずに、
薄膜の支持部を形成することができる。これは、単に支
持部を薄膜化できるだけでなく、陽極接合を行うための
高温アニール工程が短縮でき、それにより基板やレバー
部の反りも著しく低減できるので、歩留まりを向上させ
ることができる。
【００４３】更に本実施の形態では、薄膜支持部を切り
離すためのＶ型割溝を、探針部形成用のレプリカ穴を形
成するときに同時に形成するようにしているので、工数
の削減が可能となる。またＳＯＩ基板をチップの保護部
として用いることができるため、カンチレバー完成後の
信頼性も高く、チップの切り離し及びＡＦＭ装置治具へ
の装着を容易に行うことができる。
離すためのＶ型割溝を、探針部形成用のレプリカ穴を形
成するときに同時に形成するようにしているので、工数
の削減が可能となる。またＳＯＩ基板をチップの保護部
として用いることができるため、カンチレバー完成後の
信頼性も高く、チップの切り離し及びＡＦＭ装置治具へ
の装着を容易に行うことができる。
【００４４】次に、第３の実施の形態について説明す
る。図５の（Ａ）は第３の実施の形態に係るＡＦＭカン
チレバーチップを示す裏面平面図で、複数のチップを分
離する前の状態を示しており、図５の（Ｂ）は単一のチ
ップの横断面図である。この実施の形態に係るＡＦＭカ
ンチレバーチップ500 は、カンチレバー部501 と、該カ
ンチレバー部501 の先端に設けられた、該カンチレバー
部501 とは別個の部材で形成されている探針部502 と、
該カンチレバー部501 の基部に設けられた支持部503 と
で構成されており、該支持部503 はＣＶＤ法により薄型
形成された部材で構成されている。また、チップ分離用
のＶ型割溝504 が支持部503 に連接したＳi 基板上に形
成されており、更に割溝504 を挟んで支持部503 とは反
対側に、Ｓi 基板からなるチップ保護部505 が形成され
ている。なお、図５の（Ａ）において、506 はウェハー
におけるカンチレバーチップの形成領域を示している。
る。図５の（Ａ）は第３の実施の形態に係るＡＦＭカン
チレバーチップを示す裏面平面図で、複数のチップを分
離する前の状態を示しており、図５の（Ｂ）は単一のチ
ップの横断面図である。この実施の形態に係るＡＦＭカ
ンチレバーチップ500 は、カンチレバー部501 と、該カ
ンチレバー部501 の先端に設けられた、該カンチレバー
部501 とは別個の部材で形成されている探針部502 と、
該カンチレバー部501 の基部に設けられた支持部503 と
で構成されており、該支持部503 はＣＶＤ法により薄型
形成された部材で構成されている。また、チップ分離用
のＶ型割溝504 が支持部503 に連接したＳi 基板上に形
成されており、更に割溝504 を挟んで支持部503 とは反
対側に、Ｓi 基板からなるチップ保護部505 が形成され
ている。なお、図５の（Ａ）において、506 はウェハー
におけるカンチレバーチップの形成領域を示している。
【００４５】次に、上記第３の実施の形態に係るＡＦＭ
カンチレバーチップの製造方法を、図６の（Ａ）〜
（Ｆ）に示す製造工程図に基づいて説明する。この実施
の形態においては、薄膜化した支持部を数十μｍのＣＶ
Ｄ膜で形成しているため、ＳＯＩ基板のような高価な基
板を用いずに、薄膜化した支持部を備えたカンチレバー
チップを形成することができることを特徴としている。
すなわち、まず、図６の（Ａ）に示すように、面方位
（１００）のＳi 基板601 に酸化シリコン膜等からなる
絶縁膜を形成し、フォト・エッチング処理により、各カ
ンチレバーチップが形成される領域603 及びチップ割溝
形成領域の絶縁膜を除去し、マスクパターン602 を形成
する。続いてマスクパターン602 を用いて、水酸化カリ
ウム水溶液等のアルカリ溶液を用いてＳi 基板601 をエ
ッチングし、カンチレバーチップ形成領域603 に数十μ
ｍの段差部を形成すると共に、チップ割溝604 を形成す
る。
カンチレバーチップの製造方法を、図６の（Ａ）〜
（Ｆ）に示す製造工程図に基づいて説明する。この実施
の形態においては、薄膜化した支持部を数十μｍのＣＶ
Ｄ膜で形成しているため、ＳＯＩ基板のような高価な基
板を用いずに、薄膜化した支持部を備えたカンチレバー
チップを形成することができることを特徴としている。
すなわち、まず、図６の（Ａ）に示すように、面方位
（１００）のＳi 基板601 に酸化シリコン膜等からなる
絶縁膜を形成し、フォト・エッチング処理により、各カ
ンチレバーチップが形成される領域603 及びチップ割溝
形成領域の絶縁膜を除去し、マスクパターン602 を形成
する。続いてマスクパターン602 を用いて、水酸化カリ
ウム水溶液等のアルカリ溶液を用いてＳi 基板601 をエ
ッチングし、カンチレバーチップ形成領域603 に数十μ
ｍの段差部を形成すると共に、チップ割溝604 を形成す
る。
【００４６】次に、図６の（Ｂ）に示すように、基板表
面の絶縁膜からなるマスクパターン602 を除去した後、
基板表面に窒化膜605 を形成し、探針部形成領域をフォ
ト・エッチングにより開口し、水酸化カリウム水溶液等
のアルカリ溶液でＳi 基板601 をエッチングし、探針部
形成用のレプリカ穴606 を形成する。次いで、図６の
（Ｃ）に示すように、基板表面の探針部形成用レプリカ
穴606 部分にのみ、Si3Ｎ4 等の硬い材料を設けて探針
部607 を形成し、更に基板上面にレバー部を構成する窒
化膜608aを形成する。
面の絶縁膜からなるマスクパターン602 を除去した後、
基板表面に窒化膜605 を形成し、探針部形成領域をフォ
ト・エッチングにより開口し、水酸化カリウム水溶液等
のアルカリ溶液でＳi 基板601 をエッチングし、探針部
形成用のレプリカ穴606 を形成する。次いで、図６の
（Ｃ）に示すように、基板表面の探針部形成用レプリカ
穴606 部分にのみ、Si3Ｎ4 等の硬い材料を設けて探針
部607 を形成し、更に基板上面にレバー部を構成する窒
化膜608aを形成する。
【００４７】次いで、図６の（Ｄ）に示すように、レバ
ー部用の窒化膜608a及び探針部形成用レプリカ穴606 の
形成時に用いた窒化膜605 をフォト・エッチングし、チ
ップ割溝604 の近傍に達する長さのカンチレバー部608
を形成する。続いて、基板全面にＣＶＤ法によるＣＶＤ
膜609 ，例えばＤＬＣ膜を数十μｍの厚さに形成する。
この際、ＣＶＤ膜としては非常に厚膜のため、高速堆積
が可能な装置、例えば高密度プラズマＣＶＤ装置が用い
られる。次いで、図６の（Ｅ）に示すように、ＤＬＣ膜
などのＣＶＤ膜609 をフォト・エッチングにより加工し
て支持部610 を形成する。最後に、図６の（Ｆ）に示す
ように、Ｓi 基板601 の裏面に酸化膜等の絶縁膜マスク
611 を形成し、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ溶液
でカンチレバー部608 の裏面が現れるまでＳi 基板601
をエッチングして、探針部607 とレバー部608 と薄膜化
したＣＶＤ膜からなる支持部610 からなるＡＦＭカンチ
レバーチップ612 を完成すると共に、該ＡＦＭカンチレ
バーチップ612 を保持するシリコン基板部613 とチップ
保護部614 とを同時に形成する。このＳi 基板601のエ
ッチングの際、ＳＯＩ基板のように酸化膜層でエッチン
グが停止しないので、ＡＦＭカンチレバーチップを保持
するシリコン基板部613 が薄くなる可能性があるが、Ｃ
ＶＤ膜からなる支持部610 が数十μｍの厚さがあるの
で、カンチレバーチップには支障を与えない。
ー部用の窒化膜608a及び探針部形成用レプリカ穴606 の
形成時に用いた窒化膜605 をフォト・エッチングし、チ
ップ割溝604 の近傍に達する長さのカンチレバー部608
を形成する。続いて、基板全面にＣＶＤ法によるＣＶＤ
膜609 ，例えばＤＬＣ膜を数十μｍの厚さに形成する。
この際、ＣＶＤ膜としては非常に厚膜のため、高速堆積
が可能な装置、例えば高密度プラズマＣＶＤ装置が用い
られる。次いで、図６の（Ｅ）に示すように、ＤＬＣ膜
などのＣＶＤ膜609 をフォト・エッチングにより加工し
て支持部610 を形成する。最後に、図６の（Ｆ）に示す
ように、Ｓi 基板601 の裏面に酸化膜等の絶縁膜マスク
611 を形成し、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ溶液
でカンチレバー部608 の裏面が現れるまでＳi 基板601
をエッチングして、探針部607 とレバー部608 と薄膜化
したＣＶＤ膜からなる支持部610 からなるＡＦＭカンチ
レバーチップ612 を完成すると共に、該ＡＦＭカンチレ
バーチップ612 を保持するシリコン基板部613 とチップ
保護部614 とを同時に形成する。このＳi 基板601のエ
ッチングの際、ＳＯＩ基板のように酸化膜層でエッチン
グが停止しないので、ＡＦＭカンチレバーチップを保持
するシリコン基板部613 が薄くなる可能性があるが、Ｃ
ＶＤ膜からなる支持部610 が数十μｍの厚さがあるの
で、カンチレバーチップには支障を与えない。
【００４８】なお、上記実施の形態においては、支持部
を構成するＣＶＤ膜としてＤＬＣ膜を用いたものを示し
たが、ＣＶＤ膜としては、その他に、SiＣ，SiＯ2 ，Ｔ
ＥＯＳ（Tetraethylorthosilicate ），SiＮ等のＣＶＤ
膜を用いることができる。
を構成するＣＶＤ膜としてＤＬＣ膜を用いたものを示し
たが、ＣＶＤ膜としては、その他に、SiＣ，SiＯ2 ，Ｔ
ＥＯＳ（Tetraethylorthosilicate ），SiＮ等のＣＶＤ
膜を用いることができる。
【００４９】また、上記各実施の形態においては、本発
明を主としてＡＦＭカンチレバーに適用したものについ
て説明を行ったが、本発明は走査型トンネル顕微鏡（Ｓ
ＴＭ）、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、走査型近接場光顕微
鏡（ＳＮＯＭ）等の他の走査型プローブ顕微鏡用カンチ
レバーチップに適用することができる。
明を主としてＡＦＭカンチレバーに適用したものについ
て説明を行ったが、本発明は走査型トンネル顕微鏡（Ｓ
ＴＭ）、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、走査型近接場光顕微
鏡（ＳＮＯＭ）等の他の走査型プローブ顕微鏡用カンチ
レバーチップに適用することができる。
【００５０】
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて説明したよう
に、請求項１に係る発明によれば、支持部をＳＯＩ基板
の活性層で構成しているので容易に薄膜化することがで
き、支持部による測光用レーザ光を遮光せずにレバー部
を短くすることができ、高速動作可能な走査型プローブ
顕微鏡用カンチレバーチップを実現することができる。
請求項２に係る発明によれば、レバー部を少なくとも支
持部表面に接するように構成しているので、より信頼性
の高い走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップを提
供することができる。請求項３に係る発明によれば、チ
ップの切り離し操作や走査型プローブ顕微鏡の治具への
装着などを、探針部やレバー部に損傷を与えずに安全に
且つ容易に行うことができる。請求項４に係る発明によ
れば、チップの切り離し分離を容易に行うことが可能と
なる。請求項５に係る発明によれば、支持部をＣＶＤ膜
で構成しているので、ＳＯＩ基板を用いずに低コストで
容易に薄膜化した支持部を形成することができ、支持部
による測光用レーザ光を遮光せずにレバー部を短くする
ことができ、高速動作可能な走査型プローブ顕微鏡用カ
ンチレバーチップを実現することができる。請求項６に
係る発明によれば、チップの切り離し操作や走査型プロ
ーブ顕微鏡の治具への装着などを、探針部やレバー部に
損傷を与えずに安全に且つ容易に行うことができる。請
求項７に係る発明によれば、活性層からなる薄膜化を図
った支持部を備えた走査型プローブ顕微鏡用カンチレバ
ーチップを容易に製造することができる。請求項８に係
る発明によれば、工数を削減してチップ切り離し用Ｖ溝
を備えた走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップを
容易に製造することができる。
に、請求項１に係る発明によれば、支持部をＳＯＩ基板
の活性層で構成しているので容易に薄膜化することがで
き、支持部による測光用レーザ光を遮光せずにレバー部
を短くすることができ、高速動作可能な走査型プローブ
顕微鏡用カンチレバーチップを実現することができる。
請求項２に係る発明によれば、レバー部を少なくとも支
持部表面に接するように構成しているので、より信頼性
の高い走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップを提
供することができる。請求項３に係る発明によれば、チ
ップの切り離し操作や走査型プローブ顕微鏡の治具への
装着などを、探針部やレバー部に損傷を与えずに安全に
且つ容易に行うことができる。請求項４に係る発明によ
れば、チップの切り離し分離を容易に行うことが可能と
なる。請求項５に係る発明によれば、支持部をＣＶＤ膜
で構成しているので、ＳＯＩ基板を用いずに低コストで
容易に薄膜化した支持部を形成することができ、支持部
による測光用レーザ光を遮光せずにレバー部を短くする
ことができ、高速動作可能な走査型プローブ顕微鏡用カ
ンチレバーチップを実現することができる。請求項６に
係る発明によれば、チップの切り離し操作や走査型プロ
ーブ顕微鏡の治具への装着などを、探針部やレバー部に
損傷を与えずに安全に且つ容易に行うことができる。請
求項７に係る発明によれば、活性層からなる薄膜化を図
った支持部を備えた走査型プローブ顕微鏡用カンチレバ
ーチップを容易に製造することができる。請求項８に係
る発明によれば、工数を削減してチップ切り離し用Ｖ溝
を備えた走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップを
容易に製造することができる。
【図１】本発明の走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー
チップの第１の実施の形態に係るＡＦＭカンチレバーチ
ップの構成を示す図である。
チップの第１の実施の形態に係るＡＦＭカンチレバーチ
ップの構成を示す図である。
【図２】図１に示した第１の実施の形態に係るＡＦＭカ
ンチレバーチップの製造方法を説明するための製造工程
図である。
ンチレバーチップの製造方法を説明するための製造工程
図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係るＡＦＭカンチ
レバーチップの構成を示す図である。
レバーチップの構成を示す図である。
【図４】図３に示した第２の実施の形態に係るＡＦＭカ
ンチレバーチップの製造方法を説明するための製造工程
図である。
ンチレバーチップの製造方法を説明するための製造工程
図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係るＡＦＭカンチ
レバーチップの構成を示す図である。
レバーチップの構成を示す図である。
【図６】図５に示した第３の実施の形態に係るＡＦＭカ
ンチレバーチップの製造方法を説明するための製造工程
図である。
ンチレバーチップの製造方法を説明するための製造工程
図である。
【図７】従来のＡＦＭカンチレバーの製造方法を示す製
造工程図である。
造工程図である。
【図８】従来のＡＦＭカンチレバーの構成を示す図及び
それにおける問題点を示す説明図である。
それにおける問題点を示す説明図である。
100 ＡＦＭカンチレバーチップ 101 レバー部 102 探針部 103 ＳＯＩ基板の活性層からなる支持部 104 チップ分離用割溝 105 チップ保護部 106 酸化膜層 107 カンチレバーチップ形成領域 201 ＳＯＩ基板 201-１ Ｓi 基板 201-２ 酸化膜層 201-３ 活性層 202 マスクパターン 203 カンチレバーチップ形成領域 204a チップ割溝形成領域 204 チップ分離用割溝 205 支持部 206 探針部形成用レプリカ穴 208 窒化膜 209 探針部 210 レバー部 211 基板裏面エッチング用絶縁膜マスク 212 チップ保護部 213 ＡＦＭカンチレバーチップ 300 ＡＦＭカンチレバーチップ 301 レバー部 302 探針部 303 ＳＯＩ基板の活性層からなる支持部 304 チップ分離用割溝 305 チップ保護部 306 酸化膜層 307 カンチレバーチップ形成領域 401 ＳＯＩ基板 401-１ Ｓi 基板 401-２ 酸化膜層 401-３ 活性層 402 マスクパターン 403 カンチレバーチップ形成領域 404 支持部 405 マスクパターン 406 探針部形成用レプリカ穴 407 チップ分離用割溝 408 探針部 409 レバー部 410 絶縁膜マスク 411 チップ保護部 412 ＡＦＭカンチレバーチップ 500 ＡＦＭカンチレバーチップ 501 レバー部 502 探針部 503 ＣＶＤ膜からなる支持部 504 チップ分離用割溝 505 チップ保護部 506 カンチレバーチップ形成領域 601 シリコン基板 602 マスクパターン 603 カンチレバーチップ形成領域 604 チップ分離用割溝 605 窒化膜 606 探針部形成用レプリカ穴 607 探針部 608a 窒化膜 608 レバー部 609 支持部形成用ＣＶＤ膜 610 支持部 611 絶縁膜マスク 612 ＡＦＭカンチレバーチップ 613 チップ保持用シリコン基板部 614 チップ保持部
Claims (8)
- 【請求項１】 支持部と、該支持部より延びるように配
置されたレバー部と、該レバー部の自由端であって、該
レバー部の前記支持部の配置面とは反対側の表面に設け
られた探針部とを備え、前記支持部はＳＯＩ基板の活性
層で構成されていることを特徴とする走査型プローブ顕
微鏡用カンチレバーチップ。 - 【請求項２】 前記レバー部は、自由端とは反対側に伸
びている部分が少なくとも前記支持部表面に接している
ことを特徴とする請求項１に係る走査型プローブ顕微鏡
用カンチレバーチップ。 - 【請求項３】 前記支持部の端部より延びるように配置
されたＳＯＩ基板の活性層からなるチップ保持部を備
え、該チップ保持部にはＳＯＩ基板のシリコン基板から
なるチップ保護部が支持されていることを特徴とする請
求項１又は２に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバ
ーチップ。 - 【請求項４】 前記チップ保持部には、チップ分離用割
溝が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか１項に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー
チップ。 - 【請求項５】 支持部と、該支持部より延びるように配
置されたレバー部と、該レバー部の自由端であって、該
レバー部の前記支持部の配置面とは反対側の表面に設け
られた探針部とを備え、前記支持部はＣＶＤ膜で構成さ
れていることを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カン
チレバーチップ。 - 【請求項６】 前記支持部の端部に連接したシリコン基
板からなるチップ保持部と、該チップ保持部に支持され
たチップ保護部とを備え、前記チップ保持部にはチップ
分離用割溝が形成されていることを特徴とする請求項１
に係る走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップ。 - 【請求項７】 ＳＯＩ基板の活性層に所定のエッチング
マスクを施し活性層と酸化膜層をエッチングして活性層
からなる支持部を形成する工程と、表出したＳＯＩ基板
のシリコン基板に探針部形成用レプリカ穴を形成したの
ち、該レプリカ穴に探針部を形成すると共に該探針部か
ら前記支持部に亘って前記シリコン基板上にレバー部を
形成する工程と、前記シリコン基板を除去して探針部と
レバー部と支持部とを表出させる工程とを備えているこ
とを特徴とする走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチ
ップの製造方法。 - 【請求項８】 前記活性層からなる支持部の延長部の活
性層にチップ分離用割溝を、前記支持部の形成又は前記
探針部形成用レプリカ穴の形成と同時に形成する工程と
を備えていることを特徴とする請求項７に係る走査型プ
ローブ顕微鏡用カンチレバーチップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9221098A JPH11271015A (ja) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9221098A JPH11271015A (ja) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11271015A true JPH11271015A (ja) | 1999-10-05 |
Family
ID=14048092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9221098A Withdrawn JPH11271015A (ja) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11271015A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008151515A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Micronics Japan Co Ltd | プローブおよびその製造方法 |
| JP2008191027A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Micronics Japan Co Ltd | プローブの製造方法 |
| US7637960B2 (en) * | 2005-11-15 | 2009-12-29 | University Of Houston | Short and thin silicon cantilever with tip and fabrication thereof |
| JP2010038900A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Winmems Technologies Holdings Co Ltd | プローブカードに応用するための再利用可能な基板上へのｍｅｍｓプローブの製造方法 |
| JP2011221031A (ja) * | 2011-06-14 | 2011-11-04 | Japan Electronic Materials Corp | プローブ |
-
1998
- 1998-03-23 JP JP9221098A patent/JPH11271015A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7637960B2 (en) * | 2005-11-15 | 2009-12-29 | University Of Houston | Short and thin silicon cantilever with tip and fabrication thereof |
| JP2008151515A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Micronics Japan Co Ltd | プローブおよびその製造方法 |
| JP2008191027A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Micronics Japan Co Ltd | プローブの製造方法 |
| JP2010038900A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Winmems Technologies Holdings Co Ltd | プローブカードに応用するための再利用可能な基板上へのｍｅｍｓプローブの製造方法 |
| JP2011221031A (ja) * | 2011-06-14 | 2011-11-04 | Japan Electronic Materials Corp | プローブ |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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