JPH0422809A - 原子間力顕微鏡用探針およびその製造方法 - Google Patents

原子間力顕微鏡用探針およびその製造方法

Info

Publication number
JPH0422809A
JPH0422809A JP2127362A JP12736290A JPH0422809A JP H0422809 A JPH0422809 A JP H0422809A JP 2127362 A JP2127362 A JP 2127362A JP 12736290 A JP12736290 A JP 12736290A JP H0422809 A JPH0422809 A JP H0422809A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
film
tip
curvature
radius
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2127362A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2624873B2 (ja
Inventor
Hiroyuki Kado
博行 加道
Takao Toda
任田　隆夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2127362A priority Critical patent/JP2624873B2/ja
Priority to US07/699,951 priority patent/US5239863A/en
Priority to DE69107510T priority patent/DE69107510T2/de
Priority to EP91107748A priority patent/EP0457253B1/en
Publication of JPH0422809A publication Critical patent/JPH0422809A/ja
Priority to US08/067,612 priority patent/US5336369A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2624873B2 publication Critical patent/JP2624873B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
    • G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
    • G01Q60/38—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
    • Y10S977/86—Scanning probe structure
    • Y10S977/875—Scanning probe structure with tip detail
    • Y10S977/878—Shape/taper
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49007—Indicating transducer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、カンチレバーの自由端側の尖端部を探針とし
て用いた原子間力顕微鏡用探針及Ｕその製造方法に関す
るものである。
従来の技術 従来、固体表面を原子オーダで観察できる顕微鏡として
走査型トンネル顕微鏡（以後ＳＴＭと呼ぶ）が開発され
ている。しかし、ＳＴＭは試料と探針間のトンネル電流
を検出して試料表面を観察するため、絶縁体表面は観察
不可能であった。この問題を解決するために試料と探針
間に働く原子間力を検出して試料表面を観察しようとす
る原子開力顕微鏡（以後ＡＦＭと呼ぶ）が提案されてい
る。このＡＦＭの分解能はＳＴＭと同様に探針先端部の
曲率半径に大きく依存し、曲率半径が小さいほど分解能
は上がる。ＡＦＭでは微少な力を検出するために第７図
に示すようなカンチレバー２５が必要であり、その先端
部に探針２６を設けなくてはならない。従来、この探針
としては、カンチレバー先端部分を探針として併用した
もの、結晶のエッチピットを鋳型として利用し作製した
もの、異方性エツチングにより作製したもの等が使用さ
れ、先端部の曲率半径が３００Ａ程度のものも得られて
いる。
発明が解決しようとする課題 ＡＦＭ用探針は上記のような種々の手法によって作製さ
れているにもかかわらず、それぞれに課題を残している
。カンチレバー先端部分を探針として利用する場合には
、カンチレバーと探針間の密着性に閏する問題はなく、
製造工程も比較的簡単であるが、ホトリソグラフィの精
度で先端曲率半径が決まりるため、通常のホトエツチン
グ技術では数１０００Ａ程度が限界であり、顕微鏡とし
ての分解能は低くなる。これ以下の曲率半径の微細加工
にはＦＩＢ等のマスクレスエツチング技術が必要となる
が、製造工程が複雑化するとともに、コスト面の課題も
生じてくる。結晶のエッチピットを鋳型として作製した
探針は、曲率半径を比較的小さくできるが、工程が複雑
となり、また探針とカンチレバーの密着性が悪いため、
振動モード−この観測が困難であるという課題が生じて
いた。
さらに異方性エツチングを利用した作製方法はエツチン
グ時の種々のパラメータにかなり敏感で探針形状の再現
性に乏しいという課題が生じていそこで、本発明は１記
従来の課題に鑑みてなされたものであり、微小曲率半径
の先端部を有する原子間力顕微鏡用探針及びその製造方
法を提供することを目的としている。
課題を解決するための手段 基板表面に探針材料を成膜し、前記探針材料表面に探針
材料と異なる材料を用いて、ホトエツチング技術により
尖端部を有する形状の薄膜を形成し、前記薄膜をレジス
ト膜として等方性エツチング技術を用いて、エツチング
深さが、少なくともレジスト膜尖端部の曲率半径以上と
なるように探針材料をエツチングすることで、０．１μ
ｍ以下の曲率半径の尖端部を有するカンチレバーを形成
し、カンチレバーの一方の主面の尖端部を探針として使
用する。
作用 本発明においては、レジスト膜として用いる薄膜の尖端
部分は従来の微細加工技術により形成されるため、曲率
半径は０．１μｍ以上である。等方性エツチング技術を
用いると、レジスト膜下部の探針材料薄膜は、レジスト
膜尖端部の両側からエツチングされるため、エツチング
深さが少なくともレジスト膜尖端部の曲率半径以上とな
るようにエツチングすれは、レジスト膜下部に形成され
たカンチレバーの少なくとも上面の尖端部分は、非常に
微小な曲率半径となり、さらにエツチングをすることで
、下面の尖端部分も非常に微少な曲率半径になる。従っ
て、このカンチレバーの一方の主面の尖端部を探針とし
て使用すれば、ＦＩＢ等のサブミクロンオーダの微細加
工技術を用いなくとも、従来のホトエツチング技術を用
いて、０．１μｍ以下の曲率半径を有する探針が形成さ
れ、分解能の高い原子開力顕微鏡が得られる。さらにカ
ンチレバー尖端部を探針として利用しているため探針と
カンチレバーが一体化され、探針とカンチレバー間の密
着性の問題も解決できる。
実施例 以下に、本発明に係る原子間力顕微鏡用探針及びその製
造方法の一実施例について図面を参照しながら説明する
。
第１図に本発明の一実施例の原子間力顕微鏡用探針ｌお
よびカンチレバー２の概略図を示す。第１図に於て、一
方が基材３に固定された平板状のカンチレバー２は、自
由端側のカンチレバー２の上下２面にある尖端部４の内
、突出した方の主面の尖端部を探針１として使用してい
る。第２図に原子開力顕微鏡の観測時の配置図を示す。
第２図に於て、カンチレバー２は観測試料６に対して角
度２０度程度の面を形成している。試料表面７の充分近
くに探針１が存在すれば、試料表面７の原子と探針１の
原子の間に力が発生し、カンナレバー２がたわむ。この
たわみを適当な方法で検出することで試料表面の観測が
可能となる。
本実施例で用いた原子間力顕微鏡用探針の製造プロセス
を第３図（ａ）〜（Ｃ）に示す。Ｓｉ基板８の表面に探
針（カンチレバー）材料として熱酸化により厚さ１〜２
μｍのＳｉＯ２膜９を形成後、このＳ　ｉｏ２膜９の表
面にレジスト膜として厚さ０．１μｍのＷ　Ｓ　ｉ　２
膜１０を成膜する。このＷＳｉ２膜１０を通常のホトエ
ツチング技術によって尖端部１１を有する形状に加工す
る（第３図（ａ）　）ｅ形成されたＷＳｉ２膜（レジス
ト膜）の尖端部１１の曲率半径は０．５μｍ程度である
。次にこの基板をバッファエッチ溶液（ＨＦ２容とＮＨ
４Ｆ６容の混合液）に浸漬してＷ　Ｓ　ｉ　２膜１０を
レジスト膜としてＳｉＯ２膜９を充分な時間をかけて、
等方性エツチングする。ＳｉＯ２膜９は、ＷＳｉ２膜１
０尖端部の両側からエツチングされるため、エツチング
深さが少なくともＷＳｉ２膜１０尖端部の曲率半径以上
となるようにエツチングすれば、ＷＳｉ２膜１０下部に
形成されたＳｉＯ２膜９の少なくとも上面の尖端部分は
、非常に微小な曲率半径となり、更にエツチングをする
ことによって、下面の尖端部分も非常に微小な曲率半径
になる。このように、ＷＳｉ２膜１０の尖端部下部に微
小曲率半径の尖端部１２を有する５１０２膜９を形成す
る（第３図（ｂ））。本実施例では３００Ａ程度の曲率
半径の尖端部が形成された。次にこの基板を希フッ硝酸
に浸漬して、ＷＳｉ２膜１０をエツチングにより取り除
く。その後形成されたカンチレバーに基材１３を接着し
、Ｓｉ基板８をエツチングして取り除くにことにより、
カンチレバー２と尖端曲率半径３００Ａの探針ｌを作製
する（第３図（Ｃ））。
なお、探針材料とレジスト膜材料の絹合せは、ＳｉＯ２
とＷＳｉ２に限られるものではなく、探針材料としては
５ｉ３Ｎａ等が用いられ、レジスト膜は従来のホトレジ
スト材料でも可能である。
また、本実施例では探針としてカンチレバーの突出した
方の主面の尖端部を使用しているが、他方の主面の尖端
部を探針として用いても充分微小な曲率半径と高い分解
能を得ることができる。この場合には、８１基板として
単結晶Ｓ１を用いれば、カンチレバーの基材を、異方性
エツチングによりＳ１基板の一部を利用して、直接作製
することが可能となりプロセスがさらに簡略化される。
次に、他の実施例を説明する。
第４図に他の実施例の原子間力顕微鏡用探針１４および
カンチレバー１５の概略図を示す。探針部分はカンチレ
バーに対して角度５５度の面を形成している。
本実施例で用いた原子間力顕微鏡用探針の製造プロセス
を第５図（ａ）〜（ｃ）に示す。異方性エツチング技術
によってこのＳ１単結晶基板１６に５ｉ１１１１＞面の
傾斜面１７を形成する（第５図（ａ））。形成された＜
１　ｉ　ｉ＞面は＜ｉｏｏ＞面１８に対し５５度の角度
を成す。この時、傾斜面の傾斜角は他の形成方法によっ
ても制御することができろ。例えば、スパッタエツチン
グによれば、急峻な傾斜が得られ、湿式ではエツチング
速度によってサイドエツチング量が変化することから、
容易に傾斜を変化させることができる。この表面に探針
（カンナレバー）材料として熱酸化により厚さ１〜２μ
ｍのＳ　ｉｏ２膜１９を形成後、この５ｉ０２膜１９の
表面に厚さ０．１　μｍのＷＳｉ２膜２０（レジスト膜
）を成膜する。このＷＳｉ２膜２０を通常のホトエツチ
ング技術によって少なくとも尖端部２１が傾斜面上にく
るように加工する（第５図（ｂ））。以下最初に説明し
た一実施例で用いたプロセスでカンチレバー２２に対し
５５度の角度をなす尖端曲率半径３００Ａの探針２３を
形成した（第５図（Ｃ））。探針のカンチレバーに対す
る傾斜角が４５〜９０度では、突出した方の主面の尖端
部が探針として使用でき、０〜４５度では他方の主面の
尖端部の方が通常試料表面に近くなるので探針として使
用できる。
なお、探針材料とレジスト膜材料の組合せは、最初に説
明した一実施例で示した材料の組合せが可能である。
また、本実施例ではカンチレバーをＳｉ基板凹剖の（１
００＞面（底面）を利用して作製したが、凸部の＜１０
０＞面（頂面）を利用しても作製できる。この場合には
、第６図に示すように傾斜角０〜９０度において突出し
た方の主面の尖端部２４を探針として使用できる。
発明の効果 本発明によれば、ＦＩＢ等のサブミクロンオーダの微細
加工技術を用いなくとも、従来のホトエツチング技術を
用いて、０．１１１ｍ以下の尖端曲率半径を有し、また
カンチレバーとの密着性も良好な原子間力顕微鏡用探針
を形成することが可能となり、信頼性が高く、分解能が
非常に大きく試料表面を原子オーダで観察可能な原子間
力顕微鏡が得られる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例における原子間力顕微鏡用探
針の概略を示す斜視図、第２図はその原子間力顕微鏡用
探針および試料の配置を示す側面図、第３図は上記実施
例における探針製造プロセスを説明するための工程図、
第４図は本発明の他の実施例における原子間力顕微鏡用
探針の概略を示す斜視図、第５図は上記他の実施例にお
ける探針製造プロセスを説明するための工程図、第６図
は上記他の実施例における他の製造方法による原子間力
顕微鏡用探針の概略斜視図、第７図は従来の原子開力顕
微鏡用カンナレバーおよび探針の斜視図である。 】、　１４、２３、２６・・・探針、　２、１５、２２
．２５・・・カンチレバー　４．１２．２４・・・５Ｉ
０２膜（探針材料）尖端部、８．１６・・・Ｓｉ基板、
９．１９・・・５１０２膜（探針材料）、１０．２０・
・・レジスト膜、１１．２１・・・レジスト膜尖端部。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）試料表面と探針間に働く原子間力により試料表面
    を観察する原子間力顕微鏡用探針において、カンチレバ
    ーは、一端が固定され他端が尖端部を有する平板形状を
    有しており、前記カンチレバーの一方の主面の尖端部は
    探針として利用され、前記尖端部が０．１μｍ以下の曲
    率半径を有し、一方の主面の尖端部が他方の主面の尖端
    部より突出した形状に形成されていることを特徴とする
    原子間力顕微鏡用探針。
  2. （２）一端が固定されている前記カンチレバーの他端が
    尖端部を有し、少なくとも前記尖端部近傍部の主面と前
    記固定端近傍部の主面とのなす角が０〜９０度であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の原子間力顕微鏡用探針。
  3. （３）基板の表面に前記基板とは異なる材料からなる原
    子間力顕微鏡用探針材料を成膜し、前記探針材料表面に
    前記探針材料と異なる材料で尖端部を有する形状のレジ
    スト薄膜を形成し、等方性エッチング技術を用いて、エ
    ッチング深さが少なくとも前記レジスト膜の尖端部の曲
    率半径以上となるように前記探針材料をエッチングし、
    ０．１μｍ以下の曲率半径を有し、かつ一方の主面より
    他方の主下面が突出した形状の尖端部を形成し、さらに
    少なくとも形成された前記探針材料の尖端部上部の前記
    レジスト膜および下部の前記基板材料を除去することを
    特徴とする原子間力顕微鏡用探針の製造方法。
  4. （４）基板の一部に角度０〜９０度の傾斜面が形成され
    、前記探針尖端部が前記傾斜面に形成されることを特徴
    とする請求項３記載の原子間力顕微鏡用探針の製造方法
    。
JP2127362A 1990-05-16 1990-05-16 原子間力顕微鏡用探針およびその製造方法 Expired - Fee Related JP2624873B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2127362A JP2624873B2 (ja) 1990-05-16 1990-05-16 原子間力顕微鏡用探針およびその製造方法
US07/699,951 US5239863A (en) 1990-05-16 1991-05-14 Cantilever stylus for use in an atomic force microscope and method of making same
DE69107510T DE69107510T2 (de) 1990-05-16 1991-05-14 Auslegertastspitze zur Anwendung in einem Rasterkraftmikroskop und Verfahren zu seiner Herstellung.
EP91107748A EP0457253B1 (en) 1990-05-16 1991-05-14 Cantilever stylus for use in an atomic force microscope and method of making same
US08/067,612 US5336369A (en) 1990-05-16 1993-05-27 Method of making a cantilever stylus for an atomic force microscope

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2127362A JP2624873B2 (ja) 1990-05-16 1990-05-16 原子間力顕微鏡用探針およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0422809A true JPH0422809A (ja) 1992-01-27
JP2624873B2 JP2624873B2 (ja) 1997-06-25

Family

ID=14958081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2127362A Expired - Fee Related JP2624873B2 (ja) 1990-05-16 1990-05-16 原子間力顕微鏡用探針およびその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5239863A (ja)
EP (1) EP0457253B1 (ja)
JP (1) JP2624873B2 (ja)
DE (1) DE69107510T2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106323866A (zh) * 2016-08-15 2017-01-11 清华大学 利用石墨烯膜球探针获取异质材料间摩擦系数的方法

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE68903950T2 (de) * 1989-08-16 1993-07-01 Ibm Verfahren fuer die herstellung ultrafeiner siliziumspitzen fuer afm/stm-profilometrie.
US5356218A (en) * 1993-05-04 1994-10-18 Motorola, Inc. Probe for providing surface images
US7579269B2 (en) 1993-11-16 2009-08-25 Formfactor, Inc. Microelectronic spring contact elements
US6184053B1 (en) 1993-11-16 2001-02-06 Formfactor, Inc. Method of making microelectronic spring contact elements
US6727580B1 (en) 1993-11-16 2004-04-27 Formfactor, Inc. Microelectronic spring contact elements
US5591903A (en) * 1994-08-11 1997-01-07 Iowa State University Research Foundation Reconstructing the shape of an atomic force microscope probe
US5929438A (en) * 1994-08-12 1999-07-27 Nikon Corporation Cantilever and measuring apparatus using it
WO1996028837A1 (en) * 1995-03-10 1996-09-19 Molecular Imaging Corporation Hybrid control system for scanning probe microscopes
US5630932A (en) * 1995-09-06 1997-05-20 Molecular Imaging Corporation Tip etching system and method for etching platinum-containing wire
US5874668A (en) * 1995-10-24 1999-02-23 Arch Development Corporation Atomic force microscope for biological specimens
US5727978A (en) * 1995-12-19 1998-03-17 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming electron beam emitting tungsten filament
JP3370527B2 (ja) * 1996-03-08 2003-01-27 セイコーインスツルメンツ株式会社 原子間力顕微鏡用プローブとその製造方法および原子間力顕微鏡
JP3599880B2 (ja) * 1996-03-12 2004-12-08 オリンパス株式会社 カンチレバーチップ
WO1997043653A1 (en) * 1996-05-17 1997-11-20 Formfactor, Inc. Contact tip structures for microelectronic interconnection elements and methods of making same
US5744799A (en) * 1996-05-20 1998-04-28 Ohara; Tetsuo Apparatus for and method of real-time nanometer-scale position measurement of the sensor of a scanning tunneling microscope or other sensor scanning atomic or other undulating surfaces
US5729026A (en) * 1996-08-29 1998-03-17 International Business Machines Corporation Atomic force microscope system with angled cantilever having integral in-plane tip
JP3260644B2 (ja) * 1996-12-10 2002-02-25 セイコーインスツルメンツ株式会社 カンチレバーおよびその製造方法
US6246054B1 (en) * 1997-06-10 2001-06-12 Olympus Optical Co., Ltd. Scanning probe microscope suitable for observing the sidewalls of steps in a specimen and measuring the tilt angle of the sidewalls
US5928207A (en) * 1997-06-30 1999-07-27 The Regents Of The University Of California Microneedle with isotropically etched tip, and method of fabricating such a device
US6223591B1 (en) 1997-11-28 2001-05-01 Nikon Corporation Probe needle arrangement and movement method for use in an atomic force microscope
EP1061529A1 (en) * 1999-06-11 2000-12-20 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw A probe tip for the investigation of a substrate and a method of fabrication therof
WO2001025720A1 (de) * 1999-10-07 2001-04-12 Rainer Kassing Verfahren zur herstellung von sonden für die rastersondenmikroskopie
DE10027060B4 (de) * 2000-06-05 2006-11-30 Nanosurf Ag Abtastspitzen,Verfahren zur Herstellung und Verwendung derselben, insbesondere für die Rastersondenmikroskopie
US6955078B2 (en) * 2001-03-30 2005-10-18 Xidex Corporation Caliper method, system, and apparatus
JP4257044B2 (ja) * 2001-04-18 2009-04-22 オリンパス株式会社 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー
JP4656761B2 (ja) * 2001-05-31 2011-03-23 オリンパス株式会社 Ｓｐｍカンチレバー
SG101537A1 (en) * 2002-06-03 2004-01-30 Sensfab Pte Ltd Method of forming atomic force microscope tips
JP2004150839A (ja) 2002-10-29 2004-05-27 Olympus Corp Ｓｐｍ用カンチレバー及びその製造方法
US6927400B2 (en) * 2003-03-13 2005-08-09 Ascend Instruments, Llc Sample manipulation system
CN1297854C (zh) * 2003-04-15 2007-01-31 力晶半导体股份有限公司 光掩模传送方法
DE10326379B4 (de) * 2003-06-12 2007-04-05 Bundesrepublik Deutschland, vertr. d. d. Bundesministerium für Wirtschaft und Technologie, dieses vertr. d. d. Präsidenten der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt Scansonden-Mikroskop zur Bestimmung topologischer oder elektrischer Eigenschaften eines Probenkörpers sowie Verfahren zur Herstellung eines Sondenkörpers
KR100771851B1 (ko) * 2006-07-21 2007-10-31 전자부품연구원 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경 캔틸레버및 그의 제조방법
KR100761059B1 (ko) * 2006-09-29 2007-09-21 파크시스템스 주식회사 오버행 샘플 측정이 가능한 주사 탐침 현미경
DE102007052610A1 (de) * 2007-11-05 2009-05-07 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Nanosondenspitze für fortschrittliche Rastersondenmikroskopie mit einem Schichtsondenmaterial, das durch Lithographie und/oder durch lonenstrahltechniken strukturiert ist
EP2169409A1 (de) * 2008-09-30 2010-03-31 Nanoworld AG SPM-Sensor und Herstellungsverfahren
CN102353815B (zh) * 2011-06-30 2014-08-27 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 材料的表面局域电子态的测量装置以及测量方法
CN105629079B (zh) * 2014-11-05 2019-02-01 中国科学院大连化学物理研究所 一种原子力显微镜和表面光电压谱联用方法
CN104451680B (zh) * 2014-12-20 2017-01-04 中山联合光电科技有限公司 一种化学蚀纹工艺
CN106290989B (zh) * 2016-07-25 2019-04-12 四川理工学院 一种原子力显微镜探针针尖修饰方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6013258B2 (ja) * 1978-04-12 1985-04-05 工業技術院長 炭化物フイ−ルドエミツタ−の製造法
EP0194323B1 (en) * 1985-03-07 1989-08-02 International Business Machines Corporation Scanning tunneling microscope
JPS6355845A (ja) * 1986-08-27 1988-03-10 Agency Of Ind Science & Technol プロ−ブ
US5066358A (en) * 1988-10-27 1991-11-19 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Juninor University Nitride cantilevers with single crystal silicon tips
US4916002A (en) * 1989-01-13 1990-04-10 The Board Of Trustees Of The Leland Jr. University Microcasting of microminiature tips
US4943719A (en) * 1989-01-17 1990-07-24 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford University Microminiature cantilever stylus
US5260824A (en) * 1989-04-24 1993-11-09 Olympus Optical Co., Ltd. Atomic force microscope
EP0413042B1 (en) * 1989-08-16 1992-12-16 International Business Machines Corporation Method of producing micromechanical sensors for the afm/stm profilometry and micromechanical afm/stm sensor head
US5021364A (en) * 1989-10-31 1991-06-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Microcantilever with integral self-aligned sharp tetrahedral tip

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106323866A (zh) * 2016-08-15 2017-01-11 清华大学 利用石墨烯膜球探针获取异质材料间摩擦系数的方法
CN106323866B (zh) * 2016-08-15 2018-10-30 清华大学 利用石墨烯膜球探针获取异质材料间摩擦系数的方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0457253B1 (en) 1995-02-22
US5336369A (en) 1994-08-09
EP0457253A3 (en) 1991-12-27
US5239863A (en) 1993-08-31
DE69107510D1 (de) 1995-03-30
EP0457253A2 (en) 1991-11-21
DE69107510T2 (de) 1995-08-03
JP2624873B2 (ja) 1997-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0422809A (ja) 原子間力顕微鏡用探針およびその製造方法
EP0468071B1 (en) Method of producing micromechanical sensors for the AFM/STM/MFM profilometry and micromechanical AFM/STM/MFM sensor head
EP0413042B1 (en) Method of producing micromechanical sensors for the afm/stm profilometry and micromechanical afm/stm sensor head
US6066265A (en) Micromachined silicon probe for scanning probe microscopy
JPH03104136A (ja) 超微細シリコン・テイツプを形成する方法
JPH0762259B2 (ja) 薄膜状センサの製造方法
JPH04231811A (ja) 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー及びその作製方法
US8828243B2 (en) Scanning probe having integrated silicon tip with cantilever
JPH01262403A (ja) プローブおよびその製造方法
JPH08262040A (ja) Ａｆｍカンチレバー
US7119332B2 (en) Method of fabricating probe for scanning probe microscope
JP3599880B2 (ja) カンチレバーチップ
JPH10170530A (ja) Ａｆｍカンチレバー及びその製造方法
JP2825973B2 (ja) 原子間力顕微鏡用カンチレバーの製造方法
JPH05299015A (ja) 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの作製方法
JP3805418B2 (ja) Ａｆｍカンチレバー
JPH11271347A (ja) 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー及びその製造方法
JPH05256643A (ja) 走査型プローブ顕微鏡用のカンチレバーチップ
JPH1090288A (ja) Ａｆｍカンチレバー及びその製造方法
JP3986373B2 (ja) Ｓｐｍカンチレバー
JP2720579B2 (ja) 原子間力顕微鏡用カンチレバーの製造方法
JPH06123621A (ja) 原子間力顕微鏡用探針付カンチレバーおよびその製造方法
JP3095822B2 (ja) 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーチップ
JPH10332717A (ja) カンチレバー型プローブとその製造方法
JPH06187905A (ja) カンチレバーの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees