KR20030033237A - 원자력 현미경용 캔틸레버 및 그의 제조방법 - Google Patents

원자력 현미경용 캔틸레버 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR20030033237A
KR20030033237A KR1020010064684A KR20010064684A KR20030033237A KR 20030033237 A KR20030033237 A KR 20030033237A KR 1020010064684 A KR1020010064684 A KR 1020010064684A KR 20010064684 A KR20010064684 A KR 20010064684A KR 20030033237 A KR20030033237 A KR 20030033237A
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Abstract

본 발명은 원자력 현미경용 캔틸레버 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 질화막과 실리콘층으로 이루어진 지지대와; 상기 지지대의 상부에 형성되어 일측이 부상된 실리콘 질화막으로 이루어진 캔틸레버와; 상기 캔틸레버의 부상된 영역의 선단에 형성된 실리콘으로 형성된 팁과; 상기 캔틸레버의 상부에 형성된 실리콘 산화막과; 상기 실리콘 산화막의 상부에 하부전극, PZT막과 상부전극이 순차적으로 적층되어 형성된 압전 구동기로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 캔틸레버의 두께 불균일성을 방지하고, 팁을 날카롭게 형성하여 센싱 감도를 증가시켜 원자력 현미경, 데이터 저장용 장치 및 나노-감광 장치 등의 응용시스템에 적용할 수 있는 효과가 있다.

Description

원자력 현미경용 캔틸레버 및 그의 제조방법{Cantilever for atomic force microscopy and method for fabricating the same}
본 발명은 원자력 현미경용 캔틸레버에 관한 것으로, 보다 상세하게는 캔틸레버의 두께 불균일성을 방지하고, 팁을 날카롭게 형성하여 센싱 감도를 증가시킬 수 있는 원자력 현미경용 캔틸레버에 관한 것이다.
최근 원자력 현미경(AFM, Atomic Force Microscopy)의 원리를 이용한 나노-감광(Nano-lithography)장치와 차세대 고밀도 데이터 저장(high data storage; HDS)장치에 대한 연구가 다각적으로 진행되고 있다.
이러한 원자력 현미경은 마이크로 머시닝으로 제조된 작은 막대, 즉, 캔틸레버를 사용한다. 이 캔틸레버는 미세한 힘에 의해서도 아래위로 쉽게 휘어지도록 만들어졌고, 끝 부분에는 원자 몇 개 정도의 크기로 탐침(뾰족한 바늘 형상)이 형성 되어있다.
이 탐침은 시료 표면에 접근시키면 탐침 끝의 원자와 시료표면의 원자 사이에 서로의 간격에 따라 1-10nN 정도의 미세한 인력이나 척력이 작용하며, 이로 인해 캔틸레버는 휘어지게 된다.
이 캔틸레버가 상, 하로 휘는 것을 측정하기 위하여 레이저 광선을 캔틸레버에 비추고, 캔틸레버 상부면에서 반사된 광선의 각도를 포토다이오드를 사용하여 측정한다. 이렇게 포토다이오드에서 측정된 신호는 피에조튜브(Piezotube) 구동기에서 피드백되어 탐침 끝과 시료사이의 간격이 일정하게 유지되도록 하여 피에조튜브에 가해진 전압을 측정하여 시료의 형상을 측정해낼 수 있다.
그러나, 원자력 현미경의 레이저와 포토다이오드를 사용한 감지장치는 장치 구성이 복잡하여 소형화하기가 어렵고, 피에조튜브의 기계적인 공진주파수가 매우 낮아 동작속도가 매우 느린 문제점이 있었다. 특히, 원자력 현미경의 차세대 응용분야로 부상하고 있는 나노 감광장치 및 데이터 저장장치에 적용하는데 가장 큰 걸림돌로 작용하고 있다.
따라서, 기존의 레이저를 이용한 감지 장치 대신에 캔틸레버에 피에조 저항 센서를 집적화한 장치를 사용하는 방법이 제안되었고, 피에조 튜브 대신에 압전 엑튜에이터를 캔틸레버에 집적화한 자체 구동형 캔틸레버를 사용하여 동작속도를 향상시키는 기술이 발표된 바 있다.
또한, 이러한 캔틸레버를 어레이화하여 동작속도를 향상시킬 수 있다는 연구가 현재 진행되고 있다.
도 1은 종래의 SOI 웨이퍼를 이용한 원자력 현미경용 캔틸레버의 단면도로써, 실리콘 지지대(10)의 상부에 실리콘 산화막(SiO2)(11)이 형성되어 있고, 상기 실리콘 산화막(11)의 상부에 실리콘으로 이루어진 캔틸레버(12)가 형성되어 있으며, 상기 캔틸레버(12)의 선단 상부에 실리콘으로 이루어진 팁(13)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 팁(13) 반대측의 상기 캔틸레버(12)의 상부에는 실리콘 산화막(14)이 형성되어 있고, 상기 실리콘 산화막(14)의 상부에는 하부전극(15),PZT(Lead(Pb) Zirconate Titanate)막과 상부전극(17)으로 이루어진 PZT 압전구동기가 형성되어 있다.
이러한 구조를 갖는 종래의 원자력 현미경은 SOI(Silicon on Insulator) 웨이퍼를 적당한 두께로 식각하여 탐침을 형성하고, PZT 압전구동기를 형성한 후, 지지된 실리콘을 식각하여 부상된 캔틸레버를 형성하는 것이다.
일반적으로 SOI 웨이퍼를 이용하여 AFM용 캔틸레버를 제작할 때, 캔틸레버의 두께를 균일하게 형성하기는 매우 어렵다. 그 이유는 SOI 웨이퍼의 소자층의 두께를 일정하게 만들기가 어렵고, Si 식각시 일정한 속도로 식각하는 것이 어렵기 때문이다.
예를 들어, 약 10㎛의 소자층 두께를 갖는 SOI 웨이퍼의 경우, 약 0.5㎛의 두께 편차가 있다.
Si 팁을 형성하기 위하여 Si를 식각하여 약 2㎛의 실리콘을 남기게 되면, 초기 소자층의 0.5㎛의 두께 편차로 인하여 실리콘 캔틸레버는 약 25%의 두께 편차가 나타난다.
특히, 복수의 캔틸레버를 어레이하여 원자력 현미경용으로 이용할 경우, 상기의 캔틸레버 두께의 불균형으로 인하여 각각의 캔틸레버의 센싱값도 편차가 발생하게 되어, 이에 따른 소자의 신뢰성을 크게 저하시키게 된다.
도 2는 종래의 실리콘 질화막을 이용한 원자력 현미경용 캔틸레버의 단면도로써, 실리콘 지지대(20)의 상부에 Si3N4인 캔틸레버(21)와 팁(25)이 형성되어 있고, 상기 캔틸레버(21)의 상부에는 압전 구동기인 하부전극(22), PZT막(23)과 상부전극(24)이 형성되어 있다.
상기 도 2와 같은 캔틸레버의 구조에서는 Si3N4로 이루어진 팁(25)은 실리콘을 이방성 식각하여 다이아몬드(Diamond) 모양의 요홈을 만들고, 이 다이아몬드 모양의 요홈에 Si3N4박막을 거의 균일한 두께로 증착하였다.
따라서, 도 2에 도시된 캔틸레버에서는 불균일한 캔틸레버 두께 문제를 크게 향상시켰으나, Si3N4로 이루어진 팁(25)은 기존의 실리콘 팁에 비해서 날카롭지 못하여, 센싱작용이 저하될 뿐만 아니라, 실리콘 팁과는 달리 Si3N4로 이루어진 팁(25)은 캔틸레버의 저면방향으로 기울어져 형성됨으로써 실제 원자현미경에는 적용하기가 어렵다.
그리고, 원자 현미경에 이러한 캔틸레버를 적용하는 경우 각도를 충분히 기울이지 않으면, 팁이 시료에 접근하기 전에 실리콘 기판이 시료에 접촉하게 되어 측정이 불가능하게 되는 문제점이 발생하였다.
이에 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 캔틸레버의 두께 불균일성을 방지하고, 팁을 날카롭게 형성하여 원자력 현미경에 적용할 수 있는 원자력 현미경용 캔틸레버를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 캔틸레버의 두께를 균일하게 하고, 팁을 날카롭게 형성할 수 있는 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, 실리콘 질화막과 실리콘층으로 이루어진 지지대와;
상기 지지대의 상부에 형성되어 일측이 부상된 실리콘 질화막으로 이루어진 캔틸레버와;
상기 캔틸레버의 부상된 영역의 선단에 실리콘으로 형성된 팁과;
상기 캔틸레버의 상부에 형성된 실리콘 산화막과;
상기 실리콘 산화막의 상부에 하부전극, PZT막과 상부전극이 순차적으로 적층되어 형성된 압전 구동기로 이루어짐을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버가 제공된다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, 제 1 실리콘층(101), 실리콘 산화막(102)과 제 2 실리콘층(103)으로 이루어진 SOI기판의 상기 제 1 실리콘층(101) 하부와 제 2 실리콘층(103)의 상부에 제 2 실리콘 산화막(104)을 형성하는 제 1 단계와;
상기 제 2 실리콘층(103) 상부의 제 2 실리콘 산화막(104)은 팁이 형성될 영역을 제외하고 식각하고, 상기 팁이 형성될 영역의 제 2 실리콘 산화막(104')을 마스크로 하여 상기 제 2 실리콘층(103)을 식각하여 팁 형태의 실리콘(103')을 형성하는 제 2 단계와;
상기 팁이 형성될 영역의 제 2 실리콘 산화막(104')와 상기 실리콘 산화막(102)과 제 1 실리콘층(101) 하부의 제 2 실리콘 산화막(104)을 식각하여,상기 제 2 실리콘층(103)의 상부에 팁 형태의 실리콘과 그 팁 형태의 실리콘 하부에 실리콘 산화막(102')을 형성하는 제 3 단계와;
상기 팁 형태의 실리콘(103')과 그 팁 형태의 실리콘(103')의 하부에 형성된 실리콘 산화막(102')을 감싸도록 상기 제 1 실리콘층(101)의 상, 하부에 실리콘 질화막(105)을 증착하는 제 4 단계와;
상기 팁 형태의 실리콘(103') 상부에 형성된 상기 실리콘 질화막(105)만을 식각하여 상기 팁 형태의 실리콘(103')의 상부를 노출시키는 제 5 단계와;
상기 실리콘 질화막(105)의 상부와 상기 노출된 팁 형태의 실리콘(103') 상부에 제 3 실리콘 산화막(106)을 형성하는 제 6 단계와;
상기 팁형태의 실리콘(103')의 상부에 형성된 제 3 실리콘 산화막(106)의 상부에 하부전극(107), PZT막(108)과 상부전극(109)을 순차적으로 적층하는 제 7 단계와;
상기 하부전극(107'), PZT막(108')과 상부전극(109')을 식각하여 상기 팁 형태의 실리콘(103')이 형성된 영역으로부터 이격된 영역에 압전구동기를 형성하는 제 8 단계와;
상기 압전구동기 형성영역의 제 3 실리콘 산화막(106)을 제외하고, 상기 팁형태의 실리콘(103')의 상부에 형성된 제 3 실리콘 산화막(106)을 식각하여 상기 팁형태의 실리콘(103')을 노출시키는 제 9 단계와;
상기 압전구동기와 제 3 실리콘 산화막(106)이 형성되지 않은 반대측의 실리콘 질화막(105)을 일부 식각하고, 상기 실리콘 질화막(105)으로 노출된 제 1 실리콘층(101)을 이방성 식각하여 실리콘 질화막(105')과 실리콘층(101')으로 이루어진 지지대 및 실리콘 질화막(105)으로 이루어져 부상된 캔틸레버를 형성하는 제 10 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 원자 현미경용 캔틸레버의 제조방법이 제공된다.
도 1은 종래의 SOI(Silicon on Insulator) 웨이퍼를 이용한 원자력 현미경용 캔틸레버의 단면도이다.
도 2는 종래의 실리콘 질화막을 이용한 원자력 현미경용 캔틸레버의 단면도이다.
도 3a 내지 3k는 본 발명에 따른 원자력 현미경용 캔틸레버의 공정 순서도이다.
도 4는 본 발명에 따른 원자력 현미경용 캔틸레버가 어레이된 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101 : 제 1 실리콘층 102 : 실리콘 산화막
103 : 제 2 실리콘층 104 : 제 2 실리콘 산화막
105 : 실리콘 질화막 106 : 제 3 실리콘 산화막
107 : 하부전극 108 : PZT막
109 : 상부전극
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 3a 내지 3k는 본 발명에 따른 원자력 현미경용 캔틸레버의 공정 순서도로써, 본 발명의 원자력 현미경용 캔틸레버는 제 1 실리콘층(101), 실리콘 산화막(102)과 제 2 실리콘층(103)으로 이루어진 SOI기판을 이용하여 형성한다.
먼저, SOI기판의 상기 제 1 실리콘층(101)의 하부와 제 2 실리콘층(103) 상부에 5000Å의 제 2 실리콘 산화막(104)을 증착하고(도 3a), 상기 제 2 실리콘층(103) 상부의 제 2 실리콘 산화막(104)은 팁이 형성될 영역을 제외하고 식각하고, 상기 팁이 형성될 영역의 제 2 실리콘 산화막(104')을 마스크로 하여 상기 제 2 실리콘층(103)을 식각하여 팁 형태의 실리콘(103')을 형성한다.(도 3b)
그리고, 상기 팁이 형성될 영역의 제 2 실리콘 산화막(104')와 상기 실리콘 산화막(102)과 제 1 실리콘층(101) 하부의 제 2 실리콘 산화막(104)을 식각하여, 상기 제 2 실리콘층(103)의 상부에 팁 형태의 실리콘과 그 팁 형태의 실리콘 하부에 실리콘 산화막(102')을 형성한다(도 3c).
그런 다음, 상기 팁이 형성될 영역의 제 2 실리콘 산화막(104')과 상기 실리콘 산화막(102)을 식각하여 상기 제 2 실리콘층(103)의 상부에 팁 형태의 실리콘(103')과 그 팁 형태의 실리콘(103') 하부에 실리콘 산화막(102')을 형성한다.(도 3d)
상기 팁 형태의 실리콘(103')이 형성된 공정 이후에 상기 팁의 형상이 더욱 날카롭게 하기 위해, 상기 팁 형태의 실리콘(103')과 그 팁 형태의 실리콘(103')의 하부에 형성된 실리콘 산화막(102')을 감싸도록 상기 제 1 실리콘층(101)의 상, 하부에 선택적으로 5000Å의 실리콘 산화막을 형성한 다음, 형성된 실리콘 산화막을 다시 식각처리 할 수 있다.
도 3e에 도시된 바와 같이, 상기 팁 형태의 실리콘(103')과 그 팁 형태의 실리콘(103')의 하부에 형성된 실리콘 산화막(102')을 감싸도록 상기 제 1 실리콘층(101)의 상, 하부에 실리콘 질화막(105)인 Si3N4를 저기압 화상 기상 증착(LPCVD, Low pressure CVD)하여 1.5㎛의 두께를 갖도록 형성한다.
또한, 상기 팁 형태의 실리콘(103') 상부에 형성된 상기 실리콘 질화막(105)만을 인산용액인 H3PO4용액으로 식각하여 상기 팁 형태의 실리콘(103')의 상부를 노출시키고(도 3e), 상기 실리콘 질화막(105)의 상부와 상기 노출된 팁 형태의 실리콘(103')의 상부에 차후의 공정에서 PZT박막과 실리콘과의 상호 확산을 방지하고, 압전구동기를 형성하는 식각공정에서 실리콘 팁이 무뎌지는 것을 방지하기 위하여 1000Å의 제 3 실리콘 산화막(106)을 증착한다.(도 3f)
그리고, 상기 팁 형태의 실리콘(103')의 상부에 형성된 제 3 실리콘산화막(106)의 상부에 하부전극(107), PZT막(108)과 상부전극(109)을 순차적으로 적층한다.(도 3g)
상기 상, 하부 전극(107,109)은 Pt/Ti와 Pt 등의 금속전극과 RuO2와 IRO2등의 산화물 전극을 사용하여 형성할 수 있으며, 상기 하부전극(107)은 Pt/Ti로 형성하고, 상기 상부전극(109)은 RuO2로 형성하는 것이 가장 바람직하다.
이어서, 상기 하부전극(107'), PZT막(108')과 상부전극(109')을 식각하여 상기 팁 형태의 실리콘(103')이 형성된 영역으로부터 이격된 영역에 압전구동기를 형성한다.(도 3h)
상기 압전구동기가 형성된 후에, 상기 압전구동기 형성영역의 제 3 실리콘 산화막(106)을 제외하고, 상기 팁 형태의 실리콘(103')의 상부에 형성된 제 3 실리콘 산화막(106)을 식각하여 상기 팁 형태의 실리콘(103')을 노출시킨다.(도 3i)
상기 압전구동기의 하부전극(107')과 상부전극(109')에는 전극패드(110,111)를 형성하여, 외부의 소자와 전기적 연결을 할 수 있다.(도 3j)
마지막으로, 캔틸레버의 구조를 형성하기 위하여, 상기 압전구동기와 제 3 실리콘 산화막(106)이 형성되지 않은 반대측의 실리콘 질화막(105)을 일부 식각하고, 상기 실리콘 질화막(105)으로 노출된 제 1 실리콘층(101)을 KOH수용액, 에틸렌 디아민 피로카테콜(EDP, Ethylenediamine pyrocatechol)과 테트라메틸-암모늄 하이드록사이드(TMAH, Tetramethyl ammonium hydroxide)들 중 선택된 어느 하나로 이방성 식각하여 실리콘 질화막(105')과 실리콘층(101')으로 이루어진 지지대 및 실리콘 질화막(105)으로 이루어져 부상된 캔틸레버를 형성하면(도 3k), 본 발명의 원자력 현미경용 캔틸레버는 완성하게 된다.
이와 같은 본 발명의 공정을 수행하면, 도 3k에 도시된 바와 같이, 실리콘 질화막(105')과 실리콘층(101')으로 이루어진 지지대와; 상기 지지대의 상부에 형성되어 일측이 부상된 실리콘 질화막(105)으로 이루어진 캔틸레버와; 상기 캔틸레버의 부상된 영역의 선단에 실리콘으로 형성된 팁(103')과; 상기 캔틸레버의 상부에 형성된 실리콘 산화막(106')과; 상기 실리콘 산화막(106')의 상부에 하부전극(107'), PZT막(108')과 상부전극(109')이 순차적으로 적층되어 형성된 압전 구동기로 이루어진 원자력 현미경용 캔틸레버를 제조할 수 있게 된다.
그러므로, 본 발명은 팁이 무뎌지는 것을 방지하여 팁을 날카롭게 함으로써, 센싱 감도를 증가시킬 수 있고, 실리콘 산화막 및 실리콘을 식각하여 최초에 증착한 실리콘 질화막의 두께를 유지된 캔틸레버를 형성할 수 있게 되는 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 원자력 현미경용 캔틸레버가 어레이된 평면도로써, 실리콘 지지대(200)에는 부상된 실리콘 질화막으로 이루어진 캔틸레버(204)가 복수개로 형성되어 있고, 상기 캔틸레버(204)에는 선단에 실리콘으로 된 팁(205)이 형성되어 있고, 캔틸레버(204)의 상부에는 실리콘 산화막(201)과 하부전극(202), PZT막과 상부전극(203)이 형성되어 원자력 현미경용으로 이용할 수 있게 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 캔틸레버의 두께 불균일성을방지하고, 팁을 날카롭게 형성하여 센싱 감도를 증가시켜 원자력 현미경, 데이터 저장용 장치 및 나노-감광 장치 등의 응용시스템에 적용할 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (6)

  1. 실리콘 질화막과 실리콘층으로 이루어진 지지대와;
    상기 지지대의 상부에 형성되어 일측이 부상된 실리콘 질화막으로 이루어진 캔틸레버와;
    상기 캔틸레버의 부상된 영역의 선단에 실리콘으로 형성된 팁과;
    상기 캔틸레버의 상부에 형성된 실리콘 산화막과;
    상기 실리콘 산화막의 상부에 하부전극, PZT막과 상부전극이 순차적으로 적층되어 형성된 압전 구동기로 이루어진 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 질화막은 Si3N4이며,
    상기 팁의 하부의 상기 캔틸레버에는 실리콘 산화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버.
  3. 제 1 실리콘층(101), 실리콘 산화막(102)과 제 2 실리콘층(103)으로 이루어진 SOI기판의 상기 제 1 실리콘층(101) 하부와 제 2 실리콘층(103)의 상부에 제 2 실리콘 산화막(104)을 형성하는 제 1 단계와;
    상기 제 2 실리콘층(103) 상부의 제 2 실리콘 산화막(104)은 팁이 형성될 영역을 제외하고 식각하고, 상기 팁이 형성될 영역의 제 2 실리콘 산화막(104')을 마스크로 하여 상기 제 2 실리콘층(103)을 식각하여 팁 형태의 실리콘(103')을 형성하는 제 2 단계와;
    상기 팁이 형성될 영역의 제 2 실리콘 산화막(104')과 상기 실리콘 산화막(102)과 제 1 실리콘층(101) 하부의 제 2 실리콘 산화막(104)을 식각하여, 상기 제 2 실리콘층(103)의 상부에 팁 형태의 실리콘과 그 팁 형태의 실리콘 하부에 실리콘 산화막(102')을 형성하는 제 3 단계와;
    상기 팁 형태의 실리콘(103')과 그 팁 형태의 실리콘(103')의 하부에 형성된 실리콘 산화막(102')을 감싸도록 상기 제 1 실리콘층(101)의 상, 하부에 실리콘 질화막(105)을 증착하는 제 4 단계와;
    상기 팁 형태의 실리콘(103') 상부에 형성된 상기 실리콘 질화막(105)만을 식각하여 상기 팁 형태의 실리콘(103')의 상부를 노출시키는 제 5 단계와;
    상기 실리콘 질화막(105)의 상부와 상기 노출된 팁 형태의 실리콘(103') 상부에 제 3 실리콘 산화막(106)을 형성하는 제 6 단계와;
    상기 팁형태의 실리콘(103')의 상부에 형성된 제 3 실리콘 산화막(106)의 상부에 하부전극(107), PZT막(108)과 상부전극(109)을 순차적으로 적층하는 제 7 단계와;
    상기 하부전극(107'), PZT막(108')과 상부전극(109')을 식각하여 상기 팁 형태의 실리콘(103')이 형성된 영역으로부터 이격된 영역에 압전구동기를 형성하는제 8 단계와;
    상기 압전구동기 형성영역의 제 3 실리콘 산화막(106)을 제외하고, 상기 팁형태의 실리콘(103')의 상부에 형성된 제 3 실리콘 산화막(106)을 식각하여 상기 팁형태의 실리콘(103')을 노출시키는 제 9 단계와;
    상기 압전구동기와 제 3 실리콘 산화막(106)이 형성되지 않은 반대측의 실리콘 질화막(105)을 일부 식각하고, 상기 실리콘 질화막(105)으로 노출된 제 1 실리콘층(101)을 이방성 식각하여 실리콘 질화막(105')과 실리콘층(101')으로 이루어진 지지대 및 실리콘 질화막(105)으로 이루어져 부상된 캔틸레버를 형성하는 제 10 단계로 이루어진 것을 특징으로 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 3 단계와 제 4 단계의 사이에,
    상기 팁의 형상이 더욱 날카롭게 하기 위해, 상기 팁형태의 실리콘(103')과 그 팁형태의 실리콘(103')의 하부에 형성된 실리콘 산화막(102')을 감싸도록 상기 제 1 실리콘층(101)의 상,하부에 선택적으로 5000Å의 실리콘 산화막을 형성한 다음, 상기 형성된 실리콘 산화막을 식각하는 단계가 더 구비된 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 4 단계에서, 상기 실리콘 질화막(105)은 Si3N4를 저기압 화상 기상 증착(LPCVD, Low pressure CVD)하여 1.5㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 10 단계에서, 상기 제 1 실리콘층(101)을 이방성 식각하는 것은,
    상기 제 1 실리콘층(101)을 KOH수용액, 에틸렌 디아민 피로카테콜(EDP, Ethylenediamine pyrocatechol)과 테트라메틸-암모늄 하이드록사이드(TMAH, Tetramethyl ammonium hydroxide)들 중 선택된 어느 하나로 이방성 식각하는 것을 특징으로 하는 원자력 현미경용 캔틸레버의 제조방법.
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