JPH03179351A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH03179351A JPH03179351A JP1320254A JP32025489A JPH03179351A JP H03179351 A JPH03179351 A JP H03179351A JP 1320254 A JP1320254 A JP 1320254A JP 32025489 A JP32025489 A JP 32025489A JP H03179351 A JPH03179351 A JP H03179351A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
特にマスク基板の形成方法に関し、
レジスト膜が剥がれて他部分に付着して、パターン欠陥
を発生しないようにすることを目的とし、周囲部にレジ
スト膜が塗布されていないマスク基板を原版にして、前
記レジスト膜に選択的に描画露光して遮光パターンを形
成したフォトマスクを作製するようにしたことを特徴と
する。
を発生しないようにすることを目的とし、周囲部にレジ
スト膜が塗布されていないマスク基板を原版にして、前
記レジスト膜に選択的に描画露光して遮光パターンを形
成したフォトマスクを作製するようにしたことを特徴と
する。
〔産業上の利用分野］
本発明はフォトマスクの製造方法に係り、特にマスク基
板の形成方法に関する。
板の形成方法に関する。
最近、ＬＳＩなどの半導体デバイスは極めて微細化され
ており、それに伴ってレチクルやマスクなどのフォトマ
スクに設けた遮光パターンも微細化されている。しかし
、そのようなフォトマスクはできる限り高精度なパター
ンを形成することが重要で、そのためには塵などの付着
を最小限に少なくする必要がある。
ており、それに伴ってレチクルやマスクなどのフォトマ
スクに設けた遮光パターンも微細化されている。しかし
、そのようなフォトマスクはできる限り高精度なパター
ンを形成することが重要で、そのためには塵などの付着
を最小限に少なくする必要がある。
〔従来の技術］
さて、半導体装置の製造方法におけるフォトリソグラフ
ィ技術で使用されるフォトマスクにはレチクルとマスク
との二種類があって、レチクルとは半導体基板に転写す
るパターンの５〜１０倍の大きさのパターンが設けてあ
り、このレチクルを縮小投影露光装置（ステッパ）に取
り付けて、半導体基板上に縮小投影するフォトマスクの
ことで、また、マスク（狭義）とは半導体基板に転写す
るパターンと同し等倍のパターンが設けてあり、アライ
メント装置によって半導体基板に転写するマスクのこと
である。これらのレチクルやマスクを総称して、ただ単
にマスク（広義）として以下に説明する。
ィ技術で使用されるフォトマスクにはレチクルとマスク
との二種類があって、レチクルとは半導体基板に転写す
るパターンの５〜１０倍の大きさのパターンが設けてあ
り、このレチクルを縮小投影露光装置（ステッパ）に取
り付けて、半導体基板上に縮小投影するフォトマスクの
ことで、また、マスク（狭義）とは半導体基板に転写す
るパターンと同し等倍のパターンが設けてあり、アライ
メント装置によって半導体基板に転写するマスクのこと
である。これらのレチクルやマスクを総称して、ただ単
にマスク（広義）として以下に説明する。
第３図（ａ）、 （ｂ）は従来のフォトマスクを示して
おり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
ＡＡ断面図である。図中の記号ｌはマスク基板、２はパ
ターン領域、２０はパターン領域２内の遮光パターン。
おり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）の
ＡＡ断面図である。図中の記号ｌはマスク基板、２はパ
ターン領域、２０はパターン領域２内の遮光パターン。
３は周囲領域で、例えば、この遮光パターン２ｏは酸化
クロム（ＣｒｏＸ）膜（膜厚１００人）、クロム（Ｃｒ
）膜（膜厚６００Å）、酸化クロム（Ｃｒｕｘ）膜（膜
厚３００人）の三層を積層した金属膜パターンで構成さ
れており、また、周囲領域３はパターン転写には不要な
領域であり、この領域にも同様構成の遮光膜が残存して
いる。且つ、マスク基板は透明な石英ガラスまたは硬質
ガラスからなる厚さ２．３Ｉ程度の平板で、外形は例え
ば−辺が５インチ程度の方形または同程度の直径の円形
のものである。
クロム（ＣｒｏＸ）膜（膜厚１００人）、クロム（Ｃｒ
）膜（膜厚６００Å）、酸化クロム（Ｃｒｕｘ）膜（膜
厚３００人）の三層を積層した金属膜パターンで構成さ
れており、また、周囲領域３はパターン転写には不要な
領域であり、この領域にも同様構成の遮光膜が残存して
いる。且つ、マスク基板は透明な石英ガラスまたは硬質
ガラスからなる厚さ２．３Ｉ程度の平板で、外形は例え
ば−辺が５インチ程度の方形または同程度の直径の円形
のものである。
このようなフォトマスクは基板主面に上記の遮光膜をス
パッタ法または蒸着法で被着し、その上にレジスト膜（
膜Ｗ−１〜２μｍ）を塗布したマスク基板を原版にして
作製し、第４図（ａ）、 （ｂ）に従来のマスク基板の
平面図と断面図（同図（ｔ））は同図（ａ）のＢＢ断面
図）を示しており、記号ｌはマスク基板、２１は遮光膜
、４はレジスト膜である。
パッタ法または蒸着法で被着し、その上にレジスト膜（
膜Ｗ−１〜２μｍ）を塗布したマスク基板を原版にして
作製し、第４図（ａ）、 （ｂ）に従来のマスク基板の
平面図と断面図（同図（ｔ））は同図（ａ）のＢＢ断面
図）を示しており、記号ｌはマスク基板、２１は遮光膜
、４はレジスト膜である。
このようなマスク基板を原版にし、レジスト膜を電子ビ
ーム露光法または光露光法によって描画露光してレジス
ト膜パターンを形成し、そのレジスト膜パターンをマス
クにして遮光膜を選択的にエツチングして遮光パターン
を作製している。
ーム露光法または光露光法によって描画露光してレジス
ト膜パターンを形成し、そのレジスト膜パターンをマス
クにして遮光膜を選択的にエツチングして遮光パターン
を作製している。
ところが、上記のようなマスク基板（原版）は基板ホル
ダーにセット（取り付け）され、ローダ部から露光装置
、アンローダ部に自動的に搬送されて自動処理されてお
り、その基板ホルダーにマスク基板を着脱する操作も自
動的に行われるが、その基板ホルダーへのマスク基板の
着脱によってレジスト膜が剥がれて塵埃（レジスト滓）
になり、同一基板ホルダーに次にセットした他のマスク
基板に付着してパターン精度を低下させ、フォトマスク
の品質を劣化させる欠点がある。
ダーにセット（取り付け）され、ローダ部から露光装置
、アンローダ部に自動的に搬送されて自動処理されてお
り、その基板ホルダーにマスク基板を着脱する操作も自
動的に行われるが、その基板ホルダーへのマスク基板の
着脱によってレジスト膜が剥がれて塵埃（レジスト滓）
になり、同一基板ホルダーに次にセットした他のマスク
基板に付着してパターン精度を低下させ、フォトマスク
の品質を劣化させる欠点がある。
第５図（ａ）、 （ｂ）は従来の基板ホルダーと問題点
を示す図で、同図（ａ）はマスク基板を取り付けた基板
ホルダーの平面図、同図（ｂ）はそのＣＣ断面図である
。記号ｌはマスク基板、 １１はホルダー枠、１２は押
さえ板、 １３はスプリング、 １４は樹脂ボールであ
り、マスク基板ｌの裏面を樹脂ボール１４を介してスプ
リング１３によって押圧し、レジスト膜４を被覆したマ
スク基板ｌの主面を押さえ板１２に圧着して保持してい
る。この保持には他の器具（図示していない）を用いて
、スプリング１３を押下してマスク基板１を一方向（矢
印方向）からホルダー枠１１に滑り込ませて取り付ける
方法が採られる。
を示す図で、同図（ａ）はマスク基板を取り付けた基板
ホルダーの平面図、同図（ｂ）はそのＣＣ断面図である
。記号ｌはマスク基板、 １１はホルダー枠、１２は押
さえ板、 １３はスプリング、 １４は樹脂ボールであ
り、マスク基板ｌの裏面を樹脂ボール１４を介してスプ
リング１３によって押圧し、レジスト膜４を被覆したマ
スク基板ｌの主面を押さえ板１２に圧着して保持してい
る。この保持には他の器具（図示していない）を用いて
、スプリング１３を押下してマスク基板１を一方向（矢
印方向）からホルダー枠１１に滑り込ませて取り付ける
方法が採られる。
このようにして、マスク基板をセットした基板ホルダー
がローラＲによってローダ部から露光装置、アンローダ
部へと搬送されるが、上記の基板ホルダーにおけるマス
ク基板の圧着部分にはレジスト膜４が存在しており、マ
スク基板の着脱の際にレジストＭ４が押さえ板１２に付
着して、それが次にセットした他のマスク基板に付着し
て主面に転々と移動し、それが同時に露光されてパター
ン欠陥を引き起こすようになる。かくして、次々とパタ
ーン欠陥をもったフォトマスクが作製されて、その品質
を低下させることになる。例えば、剥がれたレジスト膜
は他のレジスト膜を被覆したマスク基板上に付着したま
ま露光されると、レジスト膜の膜厚が倍加することにな
るために不鮮明なパターンが描画されてパターン欠損が
発生する。特にレジストは付着し易いために、このよう
なパターン欠陥が発生し易い傾向がある。
がローラＲによってローダ部から露光装置、アンローダ
部へと搬送されるが、上記の基板ホルダーにおけるマス
ク基板の圧着部分にはレジスト膜４が存在しており、マ
スク基板の着脱の際にレジストＭ４が押さえ板１２に付
着して、それが次にセットした他のマスク基板に付着し
て主面に転々と移動し、それが同時に露光されてパター
ン欠陥を引き起こすようになる。かくして、次々とパタ
ーン欠陥をもったフォトマスクが作製されて、その品質
を低下させることになる。例えば、剥がれたレジスト膜
は他のレジスト膜を被覆したマスク基板上に付着したま
ま露光されると、レジスト膜の膜厚が倍加することにな
るために不鮮明なパターンが描画されてパターン欠損が
発生する。特にレジストは付着し易いために、このよう
なパターン欠陥が発生し易い傾向がある。
本発明はこのような問題点を低減させて、レジスト膜が
剥がれて他部分に付着して、パターン欠陥を発生しない
ようにすることを目的とした製造方法を提案するもので
ある。
剥がれて他部分に付着して、パターン欠陥を発生しない
ようにすることを目的とした製造方法を提案するもので
ある。
その課題は、第１図の実施例のように、周囲部５にレジ
スト膜４が塗布されていないマスク基板を原版にして、
前記レジスｌ−膜に選択的に描画露光して遮光パターン
を形成したフォトマスクを作製するようにしたフォトマ
スクの製造方法によって解決される。
スト膜４が塗布されていないマスク基板を原版にして、
前記レジスｌ−膜に選択的に描画露光して遮光パターン
を形成したフォトマスクを作製するようにしたフォトマ
スクの製造方法によって解決される。
本発明は、基板ホルダーの押さえ板で圧着される部分に
はレジスト膜が被覆されていないマスク基板を用いて、
フォトマスクを作製する。即ち、フォトマスクの周囲領
域はパターン転写には不要の余分領域であるから、その
部分のレジストを除去しておく。そうすれば、レジスト
膜の剥がれが少なくなって再付着が減少する。
はレジスト膜が被覆されていないマスク基板を用いて、
フォトマスクを作製する。即ち、フォトマスクの周囲領
域はパターン転写には不要の余分領域であるから、その
部分のレジストを除去しておく。そうすれば、レジスト
膜の剥がれが少なくなって再付着が減少する。
以下に実施例によって詳細に説明する。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかるマスク基板の
平面図と断面図（同図（ｂ）は同図（ａ）のＤＤ断面図
）を示しており、記号１はマスク基板、２はパターン領
域（点線で囲んだ領域）、３は周囲領域（点線外の領域
）、４はレジスト膜、５は周囲領域３内の周囲部（レジ
スｌ−膜のない部分）、２１は遮光膜で、周囲部５は遮
光膜２１が被着しているが、レジスト膜４は被覆されて
おらず、例えば、−辺５インチの正方形マスク基板であ
れば周囲部５を幅５ｍｍ程度にレジスト膜を除去する。
平面図と断面図（同図（ｂ）は同図（ａ）のＤＤ断面図
）を示しており、記号１はマスク基板、２はパターン領
域（点線で囲んだ領域）、３は周囲領域（点線外の領域
）、４はレジスト膜、５は周囲領域３内の周囲部（レジ
スｌ−膜のない部分）、２１は遮光膜で、周囲部５は遮
光膜２１が被着しているが、レジスト膜４は被覆されて
おらず、例えば、−辺５インチの正方形マスク基板であ
れば周囲部５を幅５ｍｍ程度にレジスト膜を除去する。
そのため、例えば、レジスト塗布時に主面の周囲部に薄
枠を添付しておく。
枠を添付しておく。
このようなマスク基板を原版として、これを基板ホルダ
ーにセットすれば、基板ホルダーの押さえ板の押圧によ
るレジスト膜の剥がれがなくなって、パターン欠陥が減
少する。
ーにセットすれば、基板ホルダーの押さえ板の押圧によ
るレジスト膜の剥がれがなくなって、パターン欠陥が減
少する。
第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかるフォトマスク
を示しており、同図（ａ）はポジ型レジストからなるレ
ジスト膜を塗布し、選択的に露光してパターンを形成し
たフォトマスクである。従って、従来のフォトマスクと
比べて周囲部５の遮光膜が除去されており、第３図（ａ
）に示す従来のフォトマスクと比較すれば明らかである
。また、同図（ｂ）はネガ型レジストからなるレジスト
膜を塗布して選択露光したフォトマスクで、これは従来
のフォトマスクと変わりはない。なお、同図中）におけ
るパターン領域２１周囲領域３１周囲部５は点線で区別
しており、２０は遮光パターンである。
を示しており、同図（ａ）はポジ型レジストからなるレ
ジスト膜を塗布し、選択的に露光してパターンを形成し
たフォトマスクである。従って、従来のフォトマスクと
比べて周囲部５の遮光膜が除去されており、第３図（ａ
）に示す従来のフォトマスクと比較すれば明らかである
。また、同図（ｂ）はネガ型レジストからなるレジスト
膜を塗布して選択露光したフォトマスクで、これは従来
のフォトマスクと変わりはない。なお、同図中）におけ
るパターン領域２１周囲領域３１周囲部５は点線で区別
しており、２０は遮光パターンである。
次に、試験結果のデータを以下に示す。
但し、単位は個数、塵の大きさの単位はμｍ。
従来試料とは従来のマスク基板の試料２本試料とは本発
明にかかるマスク基板の試料のことである。
明にかかるマスク基板の試料のことである。
これは光照射によるゴミ検出装置によって得たデータで
あり、これより本発明にかかるマスク基板では従来のマ
スク基板よりゴミ（主としてレジスト滓）の数が半分な
いし３分の１に減少していることが判り、従って、本発
明にかかるマスク基板を用いればフォトマスクを高品質
化することができる。
あり、これより本発明にかかるマスク基板では従来のマ
スク基板よりゴミ（主としてレジスト滓）の数が半分な
いし３分の１に減少していることが判り、従って、本発
明にかかるマスク基板を用いればフォトマスクを高品質
化することができる。
なお、上記実施例で説明した基板ホルダー構造以外の基
板ホルダーでも同様に主面を押圧して保持する構造が多
いために、本発明にかかるマスク基板の作製方法を適用
して同様の効果を得ることができる。
板ホルダーでも同様に主面を押圧して保持する構造が多
いために、本発明にかかるマスク基板の作製方法を適用
して同様の効果を得ることができる。
且つ、上記は方形のマスク基板を実施例としたが、円形
のマスク基板も用いられており、その円形マスク基板に
本発明を適用できることはいうまでもない。
のマスク基板も用いられており、その円形マスク基板に
本発明を適用できることはいうまでもない。
以上の説明から明らかなように、本発明によればレジス
ト膜の剥がれを少なくできて、そのレジスト滓の付着、
再付着が減少し、フォトマスクの歩留２品質の向上に役
立たせることができるものである。
ト膜の剥がれを少なくできて、そのレジスト滓の付着、
再付着が減少し、フォトマスクの歩留２品質の向上に役
立たせることができるものである。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかるマスク基板の
平面図と断面図、 第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかるフォトマスク
を示す図、 第３図（ａ）、 （ｂ）は従来のフォトマスクを示す図
、第４図（ａ）、 （ｂ）は従来のマスク基板の平面図
と断面図、 第５図（ａ）、 （ｔ））は基板ホルダーと問題点を示
す図である。 図において、 ■はマスク基板、 ２はパターン領域、 ３は周囲領域、 ４はレジスト膜、 ５は周囲部、 ２０は遮光パターン、 ２１は遮光膜 を示している。 ネ・発註用１；４％／１）るマスグ宴Ａ瓦の平面図ヒψ
将對２第１図 第３Ｂ！１
平面図と断面図、 第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明にかかるフォトマスク
を示す図、 第３図（ａ）、 （ｂ）は従来のフォトマスクを示す図
、第４図（ａ）、 （ｂ）は従来のマスク基板の平面図
と断面図、 第５図（ａ）、 （ｔ））は基板ホルダーと問題点を示
す図である。 図において、 ■はマスク基板、 ２はパターン領域、 ３は周囲領域、 ４はレジスト膜、 ５は周囲部、 ２０は遮光パターン、 ２１は遮光膜 を示している。 ネ・発註用１；４％／１）るマスグ宴Ａ瓦の平面図ヒψ
将對２第１図 第３Ｂ！１
Claims (1)
- 周囲部にレジスト膜が塗布されていないマスク基板を原
版にして、前記レジスト膜に選択的に描画露光して遮光
パターンを形成したフォトマスクを作製するようにした
ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1320254A JPH03179351A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1320254A JPH03179351A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03179351A true JPH03179351A (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=18119448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1320254A Pending JPH03179351A (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03179351A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006318A1 (ja) * | 2004-06-02 | 2006-01-19 | Hoya Corporation | マスクブランクス及びその製造方法並びに転写プレートの製造方法 |
-
1989
- 1989-12-07 JP JP1320254A patent/JPH03179351A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006318A1 (ja) * | 2004-06-02 | 2006-01-19 | Hoya Corporation | マスクブランクス及びその製造方法並びに転写プレートの製造方法 |
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