JPH03168641A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
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- JPH03168641A JPH03168641A JP1308763A JP30876389A JPH03168641A JP H03168641 A JPH03168641 A JP H03168641A JP 1308763 A JP1308763 A JP 1308763A JP 30876389 A JP30876389 A JP 30876389A JP H03168641 A JPH03168641 A JP H03168641A
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Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
フォトマスク、即ち縮小投影露光に用いる拡大マスク（
レチクル）及びプロキシミティ或いは密着露光に用いる
等倍マスクの改良に関し、石英を用いるマスク基板の屈
折率を減少させて光の透過率を高め、これによってより
高い解像力を得てウエーハ上へのより微細なパターンの
転写を可能にし、半導体装置の一層の高集積化に寄与す
ることを目的とし、 ガラス基板の遮光膜パターンが配設される表面及び該ガ
ラス基板の裏面の、何れか一方の面若しくは両面に、該
ガラス基板より屈折率の小さいガラス状の層が被着され
た構戒を有する。
レチクル）及びプロキシミティ或いは密着露光に用いる
等倍マスクの改良に関し、石英を用いるマスク基板の屈
折率を減少させて光の透過率を高め、これによってより
高い解像力を得てウエーハ上へのより微細なパターンの
転写を可能にし、半導体装置の一層の高集積化に寄与す
ることを目的とし、 ガラス基板の遮光膜パターンが配設される表面及び該ガ
ラス基板の裏面の、何れか一方の面若しくは両面に、該
ガラス基板より屈折率の小さいガラス状の層が被着され
た構戒を有する。
本発明はフォトマスク、即ち縮小投影露光に用いる拡大
マスク（レチクル）及びプロキシミティ或いは密着露光
に用いる等倍マスクの改良に関する。
マスク（レチクル）及びプロキシミティ或いは密着露光
に用いる等倍マスクの改良に関する。
近年、半導体集積回路装置の高集積化により半導体ウエ
ーハ上に形成される各種のパターンは極度に微細且つ高
密度化されてきており、それに伴って上記ウエーハ上へ
のパターンの転写に用いられるフォトマスクのパターン
も、一層微細で且つ高精度を有することが要求されてい
る．〔従来の技術］ 従来のフォトマスク例えばレチクルは、第６図に示す模
式側断面図のように、透明な石英基仮５１上に、例えば
クロム（Ｃｒ）膜からなり半導体ウエーハ上に転写され
るパターンの５〜１０倍の大きさを有する透光パターン
５６を有する遮光膜５３が配設された構造を有していた
． このような従来の構造のレチクルにおいては、石英の屈
折率が約１．４８であることによって、次の（１）式に
基づき光の透過率は約９２．５％以下に制限される． 透過率＝１−２Ｒ ＝１ − （（ｎ−１）／ （ｎ＋１））” Ｘ２一
・・・−・−（１） Ｒ：反射率 ｎ：屈折率 即ち、従来のマスクは両面が同一物質からなる反射面で
構威されるので、マスク全体としての反射率は２Ｒ（両
面の和）となり、透過率は（１）式に示すように（１−
２Ｒ）となる。
ーハ上に形成される各種のパターンは極度に微細且つ高
密度化されてきており、それに伴って上記ウエーハ上へ
のパターンの転写に用いられるフォトマスクのパターン
も、一層微細で且つ高精度を有することが要求されてい
る．〔従来の技術］ 従来のフォトマスク例えばレチクルは、第６図に示す模
式側断面図のように、透明な石英基仮５１上に、例えば
クロム（Ｃｒ）膜からなり半導体ウエーハ上に転写され
るパターンの５〜１０倍の大きさを有する透光パターン
５６を有する遮光膜５３が配設された構造を有していた
． このような従来の構造のレチクルにおいては、石英の屈
折率が約１．４８であることによって、次の（１）式に
基づき光の透過率は約９２．５％以下に制限される． 透過率＝１−２Ｒ ＝１ − （（ｎ−１）／ （ｎ＋１））” Ｘ２一
・・・−・−（１） Ｒ：反射率 ｎ：屈折率 即ち、従来のマスクは両面が同一物質からなる反射面で
構威されるので、マスク全体としての反射率は２Ｒ（両
面の和）となり、透過率は（１）式に示すように（１−
２Ｒ）となる。
従って従来のマスクにおいては、（１）式のｎに石英の
屈折率１．４８を代入して計算した結果、前記９２．５
％近傍の透過率の値が得られる。
屈折率１．４８を代入して計算した結果、前記９２．５
％近傍の透過率の値が得られる。
上記のように従来のレチクルにおいては、石英の屈折率
によって光の透過率が９２．５％程度以下の低い値に制
限されるために、極度に微細な幅を有する透光パターン
においては、透過する光量が不足してレジストを十分に
感光させる光量が得られず、パターンの解像力即ち解像
し得るパターンの最小幅はレジストに転写される幅で０
．６〜０．７μｍが限度であった． そこで本発明は、上記石英を用いるマスク基板の屈折率
を減少させて光の透過率を高め、これによってより高い
解像力を得てウエーハ上へのより微細なパターンの転写
を可能にし、半導体装置の一層の高集積化に寄与するこ
とを目的とする．〔課題を解決するための手段〕 上記課題は、ガラス基板の遮光膜パターンが配設される
表面及び該ガラス基板の裏面の、何れか一方の面若しく
は両面に、該ガラス基板より屈折率の小さいガラス状の
層が被着される本発明によるフォトマスクによって解決
される． 〔作 用〕 前記（１）式によって、屈折率の小さい（空気の屈折率
に近い）層の方が光の透過率が高くなることが明らかで
ある。
によって光の透過率が９２．５％程度以下の低い値に制
限されるために、極度に微細な幅を有する透光パターン
においては、透過する光量が不足してレジストを十分に
感光させる光量が得られず、パターンの解像力即ち解像
し得るパターンの最小幅はレジストに転写される幅で０
．６〜０．７μｍが限度であった． そこで本発明は、上記石英を用いるマスク基板の屈折率
を減少させて光の透過率を高め、これによってより高い
解像力を得てウエーハ上へのより微細なパターンの転写
を可能にし、半導体装置の一層の高集積化に寄与するこ
とを目的とする．〔課題を解決するための手段〕 上記課題は、ガラス基板の遮光膜パターンが配設される
表面及び該ガラス基板の裏面の、何れか一方の面若しく
は両面に、該ガラス基板より屈折率の小さいガラス状の
層が被着される本発明によるフォトマスクによって解決
される． 〔作 用〕 前記（１）式によって、屈折率の小さい（空気の屈折率
に近い）層の方が光の透過率が高くなることが明らかで
ある。
従って本発明に係るフォトマスクにおいては、それの基
体となる石英基板の表面に石英より屈折率の小さいガラ
ス状の層を被着して、上記石英基板とガラス状の層を含
むマスク基板全体としての光の透過率を、マスク基板が
石英基板のみからなる従来のフォトマスクよりも高くす
るものであり、これによって従来解像し得なかった微細
パターンの解像を可能にし、半導体装置の高集積化に寄
与するものである。
体となる石英基板の表面に石英より屈折率の小さいガラ
ス状の層を被着して、上記石英基板とガラス状の層を含
むマスク基板全体としての光の透過率を、マスク基板が
石英基板のみからなる従来のフォトマスクよりも高くす
るものであり、これによって従来解像し得なかった微細
パターンの解像を可能にし、半導体装置の高集積化に寄
与するものである。
（実施例）
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明のフォトマスクの第１の
実施例に係る製造工程断面図、第２図（ａ）〜（ｂ）は
第２の実施例に係る製造工程断面図、第３図（ａ）〜（
ｂ）は第３の実施例に係る製造工程断面図、第４図（ａ
）〜ｒｂ＞は第４の実施例に係る製造工程断面図、第５
図は第５の実施例に係る製造工程断面図である。
実施例に係る製造工程断面図、第２図（ａ）〜（ｂ）は
第２の実施例に係る製造工程断面図、第３図（ａ）〜（
ｂ）は第３の実施例に係る製造工程断面図、第４図（ａ
）〜ｒｂ＞は第４の実施例に係る製造工程断面図、第５
図は第５の実施例に係る製造工程断面図である。
全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
本発明の第１の実施例に係るフォトマスク（レチクル）
は、例えば第１図（ｆ）に示すように、従来同様の石英
基板Ｉの遮光膜パターンが配設される側の面即ち表面に
、厚さ１０００〜２０００人程度のガラス状の層、例え
ば弗化マグネシウム（ＭｇＦ，）層２Ａが被着され、そ
の上に遮光膜として例えば厚さ８００〜１０００人程度
のクロム（Ｃｒ）膜３が被着され、このクロム（Ｃｒ）
膜３に所定の微細幅を有する開札パターン６Ａ、６Ｂが
形成されてなり、片面のみにガラス状の層を有して構威
される。
は、例えば第１図（ｆ）に示すように、従来同様の石英
基板Ｉの遮光膜パターンが配設される側の面即ち表面に
、厚さ１０００〜２０００人程度のガラス状の層、例え
ば弗化マグネシウム（ＭｇＦ，）層２Ａが被着され、そ
の上に遮光膜として例えば厚さ８００〜１０００人程度
のクロム（Ｃｒ）膜３が被着され、このクロム（Ｃｒ）
膜３に所定の微細幅を有する開札パターン６Ａ、６Ｂが
形成されてなり、片面のみにガラス状の層を有して構威
される。
この構造を有するフォトマスクは、
第１図（ａ）に示すように、通常のマスク用の石英基板
１上に、例えば真空蒸着法或いはスパッタリング法等に
より厚さ２０００〜３０００人程度のＭｇＦ．層２Ａを
被着形戒する。
１上に、例えば真空蒸着法或いはスパッタリング法等に
より厚さ２０００〜３０００人程度のＭｇＦ．層２Ａを
被着形戒する。
次いで第１図い）に示すように、上記ＭｇＦ．層２Ａ上
にスパッタリング法等により厚さ８００〜１０００人程
度のＣｒ膜３を形戒する。
にスパッタリング法等により厚さ８００〜１０００人程
度のＣｒ膜３を形戒する。
次いで第１図（Ｃ）に示すように、上記Ｃｒ膜３上に例
えばボジレジストＮ４を形成し、次いでこのレジスト層
４に電子ビーム（ＥＢ）描画により微細幅を有する開孔
パターンに対応する形状の露光を行う．５Ａ、５Ｂは露
光領域を示す。
えばボジレジストＮ４を形成し、次いでこのレジスト層
４に電子ビーム（ＥＢ）描画により微細幅を有する開孔
パターンに対応する形状の露光を行う．５Ａ、５Ｂは露
光領域を示す。
次いで第１図（ｄ）に示すように現像を行ってレジスト
層４に前記露光領域５Ａ、５Ｂに対応するエッチング用
開札１０５Ａ， １０５Ｂを形戒する。
層４に前記露光領域５Ａ、５Ｂに対応するエッチング用
開札１０５Ａ， １０５Ｂを形戒する。
次いで第１図（ｅ）に示すように、上記レジスト層４を
マスクにし上記エッチング用開孔１０５Ａ， １０５Ｂ
を介し、例えば四塩化炭素（ＣＣ１ａ）等の塩素系のガ
スによるリアクティブイオンエッチング（１？Ｉｆ！）
処理を行い、Ｃｒ膜３に所定の微細幅を有する開孔パタ
ーン６八、及び６Ｂを形或する。
マスクにし上記エッチング用開孔１０５Ａ， １０５Ｂ
を介し、例えば四塩化炭素（ＣＣ１ａ）等の塩素系のガ
スによるリアクティブイオンエッチング（１？Ｉｆ！）
処理を行い、Ｃｒ膜３に所定の微細幅を有する開孔パタ
ーン６八、及び６Ｂを形或する。
次いで、上記レジスト層４を溶剤等により溶解除去して
第１図（ｆ）に示す構威を有し片面のみにガラス状の層
を有するフォトマスクが完或する。
第１図（ｆ）に示す構威を有し片面のみにガラス状の層
を有するフォトマスクが完或する。
本発明の第２の実施例に係るフォトマスクは、第２図（
ａ）に示すように、第１の実施例と同様な方法で石英基
板１の裏面側に２０００〜３０００入程度の厚さを有す
るＭｇＦＪ２Ｂを被着形戒した後、第１図（ａ）〜（ｅ
）に示す工程に従って、表面側への８００〜１０００人
程度の厚さのＣｒ膜３の形或、Ｃｒ膜３への微細幅を有
する開孔パターン６Ａ、６Ｂの形成を行うことによって
、第２図（ｂ）に示すように、開孔パターン６Ａ、６Ｂ
を有するＣｒ膜３が石英基板１の一面（表面）側に直に
形戒され、２０００〜３０００人程度の厚さのＭｇＰ．
Ｊｉ２Ｂが、Ｃｒ膜３形戒面に対して裏面側に被着され
た、片面のみにガラス状の層を有する構造に形成される
。
ａ）に示すように、第１の実施例と同様な方法で石英基
板１の裏面側に２０００〜３０００入程度の厚さを有す
るＭｇＦＪ２Ｂを被着形戒した後、第１図（ａ）〜（ｅ
）に示す工程に従って、表面側への８００〜１０００人
程度の厚さのＣｒ膜３の形或、Ｃｒ膜３への微細幅を有
する開孔パターン６Ａ、６Ｂの形成を行うことによって
、第２図（ｂ）に示すように、開孔パターン６Ａ、６Ｂ
を有するＣｒ膜３が石英基板１の一面（表面）側に直に
形戒され、２０００〜３０００人程度の厚さのＭｇＰ．
Ｊｉ２Ｂが、Ｃｒ膜３形戒面に対して裏面側に被着され
た、片面のみにガラス状の層を有する構造に形成される
。
また本発明の第３の実施例に係るフォトマスクは、第３
図（ａ）に示すように、第１の実施例と同様蒸着或いは
スパッタリング法等により石英基板１の両面に厚さ２０
００〜３０００入程度のＭｇｈｌｉ２Ａ、２Ｂを被着形
戒した後、第ｌの実施例の第１図（ａ）〜（ｅ）の工程
に従って８００〜１０００人程度の厚さのＣｒ膜３の形
戒、Ｃｒ膜３への微細幅を有する開孔パターン６Ａ，６
Ｂの形或を行うことによって、第３図（ハ）に示すよう
に、石英基板１の表面及び裏面にＭｇＦｘＪｉ２Ａ及び
２Ｂを有し、表面のＭｇＦ．層２Ａ上に微細開孔パター
ン６Ａ， ６Ｂを有するＣｒ膜３からなるマスクパター
ンが設けられた、両面にガラス状の層を有する構造に形
成される．なおＣｒ膜３によるマスクパターンの形戒と
裏面のＭｇＦ．層２Ｂの形或順序は逆であってもよい． また本発明の第４の実施例に係るフォトマスクは、第４
図（ａ）に示すように、従来同様に石英基板１の表面上
に直に微細開孔パターン６Ａ， ６Ｂを有するＣｒ膜３
からなるマスクパターンを形成した後、このマスクパタ
ーンが形成された表面上に蒸着或いはスパッタリング法
等により厚さ２０００〜３０００人程度のＭｇＰ．層２
Ｂを形戒することによって、第４図（ロ）に示すように
、石英基板１上に直に微細間孔パターン６Ａ， ６Ｂを
有するＣｒ膜３によるマスクパターンが形成され、その
上をＭｇＦｚＪｉｉ２Ｂで覆ってなる、片面のみにガラ
ス状の層を有する構造に形成される。
図（ａ）に示すように、第１の実施例と同様蒸着或いは
スパッタリング法等により石英基板１の両面に厚さ２０
００〜３０００入程度のＭｇｈｌｉ２Ａ、２Ｂを被着形
戒した後、第ｌの実施例の第１図（ａ）〜（ｅ）の工程
に従って８００〜１０００人程度の厚さのＣｒ膜３の形
戒、Ｃｒ膜３への微細幅を有する開孔パターン６Ａ，６
Ｂの形或を行うことによって、第３図（ハ）に示すよう
に、石英基板１の表面及び裏面にＭｇＦｘＪｉ２Ａ及び
２Ｂを有し、表面のＭｇＦ．層２Ａ上に微細開孔パター
ン６Ａ， ６Ｂを有するＣｒ膜３からなるマスクパター
ンが設けられた、両面にガラス状の層を有する構造に形
成される．なおＣｒ膜３によるマスクパターンの形戒と
裏面のＭｇＦ．層２Ｂの形或順序は逆であってもよい． また本発明の第４の実施例に係るフォトマスクは、第４
図（ａ）に示すように、従来同様に石英基板１の表面上
に直に微細開孔パターン６Ａ， ６Ｂを有するＣｒ膜３
からなるマスクパターンを形成した後、このマスクパタ
ーンが形成された表面上に蒸着或いはスパッタリング法
等により厚さ２０００〜３０００人程度のＭｇＰ．層２
Ｂを形戒することによって、第４図（ロ）に示すように
、石英基板１上に直に微細間孔パターン６Ａ， ６Ｂを
有するＣｒ膜３によるマスクパターンが形成され、その
上をＭｇＦｚＪｉｉ２Ｂで覆ってなる、片面のみにガラ
ス状の層を有する構造に形成される。
また本発明の第５の実施例に係るフォトマスクは、第４
図（ｂ）に示したと同様の石英基板１上に直に蒸着或い
はスパッタリング法等により厚さ２０００〜３０００人
程度のＭｇＦｚｌｉ２Ｂを形戒することによって、第５
図に示すように、石英基板１上に直に微細開孔パターン
６Ａ， ６Ｂを有するＣｒ膜３によるマスクパターンが
形成され、マスクパターン配設面と裏面との両面上にそ
れぞれ２０００〜３０００人程度の厚さを有するＭｇＦ
．層２Ａ及び２Ｂが被着された、両面にガラス状の層を
有する構造に形成される．なお、裏面側のＭｇＦ．層２
ＢとＣｒ膜３によるマスクパターンの形或順序は何れが
先であってもよい． 上記実施例においてガラス状の層として用いたＭｇＦ，
の屈折率は１．３７８である。従って基板石英の屈折率
が前記のようにｌ．４８であることから、それぞれのフ
ォトマスク全体としての光の透過率は下記のようになる
． 即ち、ＭｇＦ．層が片面のみに設けられた第１、第２、
第４の実施例においては、 透過率Ｚ１００− （ （（１．４８−１）／（１．４
８＋１））寞＋ ｛（１．４８ −１．３７８）／（１
．４８＋１．３７８）） ”＋ （（１．３７８−１）
／（１．３７８ ＋１）） ” ） Ｘ１ｏＯ− ９３
．６ Ｃ％〕 となり、 ＭｇＦ．層が両面に設けられた第３、第５の実施例にお
いては、 透過率！＝ｉ １００− （ （１．３７８ −１）／
（１．３７８ ＋１）） ”Ｘ２ ＋ ｛（１．４８
−１．３７８）／（１．４８＋１．３７８）） ”Ｘ２
） ＸＩＯＯ − ９４．７ （％〕 となる。
図（ｂ）に示したと同様の石英基板１上に直に蒸着或い
はスパッタリング法等により厚さ２０００〜３０００人
程度のＭｇＦｚｌｉ２Ｂを形戒することによって、第５
図に示すように、石英基板１上に直に微細開孔パターン
６Ａ， ６Ｂを有するＣｒ膜３によるマスクパターンが
形成され、マスクパターン配設面と裏面との両面上にそ
れぞれ２０００〜３０００人程度の厚さを有するＭｇＦ
．層２Ａ及び２Ｂが被着された、両面にガラス状の層を
有する構造に形成される．なお、裏面側のＭｇＦ．層２
ＢとＣｒ膜３によるマスクパターンの形或順序は何れが
先であってもよい． 上記実施例においてガラス状の層として用いたＭｇＦ，
の屈折率は１．３７８である。従って基板石英の屈折率
が前記のようにｌ．４８であることから、それぞれのフ
ォトマスク全体としての光の透過率は下記のようになる
． 即ち、ＭｇＦ．層が片面のみに設けられた第１、第２、
第４の実施例においては、 透過率Ｚ１００− （ （（１．４８−１）／（１．４
８＋１））寞＋ ｛（１．４８ −１．３７８）／（１
．４８＋１．３７８）） ”＋ （（１．３７８−１）
／（１．３７８ ＋１）） ” ） Ｘ１ｏＯ− ９３
．６ Ｃ％〕 となり、 ＭｇＦ．層が両面に設けられた第３、第５の実施例にお
いては、 透過率！＝ｉ １００− （ （１．３７８ −１）／
（１．３７８ ＋１）） ”Ｘ２ ＋ ｛（１．４８
−１．３７８）／（１．４８＋１．３７８）） ”Ｘ２
） ＸＩＯＯ − ９４．７ （％〕 となる。
なお、従来のガラス状の層を被着しないフォトマスクに
おいては、 透過率！＝＝ １００− （ （（１．４８ −１）／
（１．４８＋１）） ” ）Ｘ２ ＸＩＯＯ − ９２．５ （％〕 である． このように本発明に係るフォトマスクにおいては、光の
透過率を従来に比べて向上できるので、その分、解像力
を高めることができる。
おいては、 透過率！＝＝ １００− （ （（１．４８ −１）／
（１．４８＋１）） ” ）Ｘ２ ＸＩＯＯ − ９２．５ （％〕 である． このように本発明に係るフォトマスクにおいては、光の
透過率を従来に比べて向上できるので、その分、解像力
を高めることができる。
なお、ガラス状の層を構或する物質には氷晶石（ＡＩＦ
ｓ−３ＮａＦ） 、屈折率−１．３５も用いられる。
ｓ−３ＮａＦ） 、屈折率−１．３５も用いられる。
以上説明のように本発明によれば、レチクル、等倍マス
ク等のフォトマスクの解像力を従来より高めることがで
きるので、より高集積化されパターンが一層微細化され
る半導体装置の製造に効果を生ずる．
ク等のフォトマスクの解像力を従来より高めることがで
きるので、より高集積化されパターンが一層微細化され
る半導体装置の製造に効果を生ずる．
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明のフォトマスクの第１の
実施例に係る製造工程断面図、 第２図（ａ）〜伽）は第２の実施例に係る製造工程断面
図、 第３図（ａ）〜（ｂ）は第３の実施例に係る製造工程断
面図、 第４図（ａ）〜（ｂ）は第４の実施例に係る製造工程断
面図、 第５図は第５の実施例に係る製造工程断面図、第６図は
従来のフォトマスクの模式側断面図である． 図において、 ■は石英基板、 ２Ａ， ２ＢはＭｇＦ．層、３
はＣｒ膜、 ４はボジレジスト層、５Ａ，
５Ｂは露光領域、 ６Ａ、６Ｂは開孔パターン、１
０５Ａ， １０５Ｂはエッチング用間孔、ＥＢは電子ビ
ーム を示す． 不発日月／）７ｆトマス７の！ＡＩＪ洪ジ乃仁イ泰う甲
Ｕ近工４里ｄつ′遺ｎ８′！ｆ １ 旧 第 ２ 図 ４’？芒日月ラつ＠＋θラ【杷４声１１＝イ衆ラｌ喝辻
１工寸ヱｑ宸昨ｄｂ５ヨダ ＋ 配
実施例に係る製造工程断面図、 第２図（ａ）〜伽）は第２の実施例に係る製造工程断面
図、 第３図（ａ）〜（ｂ）は第３の実施例に係る製造工程断
面図、 第４図（ａ）〜（ｂ）は第４の実施例に係る製造工程断
面図、 第５図は第５の実施例に係る製造工程断面図、第６図は
従来のフォトマスクの模式側断面図である． 図において、 ■は石英基板、 ２Ａ， ２ＢはＭｇＦ．層、３
はＣｒ膜、 ４はボジレジスト層、５Ａ，
５Ｂは露光領域、 ６Ａ、６Ｂは開孔パターン、１
０５Ａ， １０５Ｂはエッチング用間孔、ＥＢは電子ビ
ーム を示す． 不発日月／）７ｆトマス７の！ＡＩＪ洪ジ乃仁イ泰う甲
Ｕ近工４里ｄつ′遺ｎ８′！ｆ １ 旧 第 ２ 図 ４’？芒日月ラつ＠＋θラ【杷４声１１＝イ衆ラｌ喝辻
１工寸ヱｑ宸昨ｄｂ５ヨダ ＋ 配
Claims (3)
- （１）ガラス基板の遮光膜パターンが配設される表面及
び該ガラス基板の裏面の、何れか一方の面若しくは両面
に、該ガラス基板より屈折率の小さいガラス状の層が被
着されることを特徴とするフォトマスク。 - （２）前記ガラス基板の表面側に被着される該ガラス状
の層が遮光膜パターンの下部に被着されることを特徴と
する請求項（１）記載のフォトマスク。 - （３）前記ガラス基板の表面側に被着される該ガラス状
の層が、遮光膜パターンが形成された上に被着されるこ
とを特徴とする請求項（１）記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308763A JPH03168641A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1308763A JPH03168641A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03168641A true JPH03168641A (ja) | 1991-07-22 |
Family
ID=17985003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1308763A Pending JPH03168641A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03168641A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960042202A (ko) * | 1995-05-19 | 1996-12-21 | 김주용 | 반도체 패턴형성용 레티클 |
| WO1999024869A1 (fr) * | 1997-11-11 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Photomasque plaque de correction d'aberration, dispositif d'exposition et procede de fabrication de micro-dispositif |
| TWI587949B (zh) * | 2015-10-27 | 2017-06-21 | Interface Optoelectronics (Shenzhen) Co Ltd | A method of manufacturing a hole on a substrate |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP1308763A patent/JPH03168641A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960042202A (ko) * | 1995-05-19 | 1996-12-21 | 김주용 | 반도체 패턴형성용 레티클 |
| WO1999024869A1 (fr) * | 1997-11-11 | 1999-05-20 | Nikon Corporation | Photomasque plaque de correction d'aberration, dispositif d'exposition et procede de fabrication de micro-dispositif |
| US6653024B1 (en) | 1997-11-11 | 2003-11-25 | Nikon Corporation | Photomask, aberration correction plate, exposure apparatus, and process of production of microdevice |
| TWI587949B (zh) * | 2015-10-27 | 2017-06-21 | Interface Optoelectronics (Shenzhen) Co Ltd | A method of manufacturing a hole on a substrate |
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