JPH0580494A - 露光装置用レテイクル - Google Patents
露光装置用レテイクルInfo
- Publication number
- JPH0580494A JPH0580494A JP3240699A JP24069991A JPH0580494A JP H0580494 A JPH0580494 A JP H0580494A JP 3240699 A JP3240699 A JP 3240699A JP 24069991 A JP24069991 A JP 24069991A JP H0580494 A JPH0580494 A JP H0580494A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dust
- mask pattern
- glass plate
- reticle
- protective glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】マスクパターン２の形成面にごみが付着するこ
とがない。また、ガラス保護板４にごみが付着しても、
半導体基板にごみの像を転写させない。 【構成】ガラス基板１のマスクパターン２の凹凸を平坦
化する透明膜３に被着する保護ガラス板４を備え、マス
クパターン２へのごみの付着を防止するとともに、たと
え保護ガラス板４にごみが付着しても、マスクパターン
２の形成面と保護ガラス４面と段差があるので、ごみの
像は半導体基板に結像されることなく、転写されない。
とがない。また、ガラス保護板４にごみが付着しても、
半導体基板にごみの像を転写させない。 【構成】ガラス基板１のマスクパターン２の凹凸を平坦
化する透明膜３に被着する保護ガラス板４を備え、マス
クパターン２へのごみの付着を防止するとともに、たと
え保護ガラス板４にごみが付着しても、マスクパターン
２の形成面と保護ガラス４面と段差があるので、ごみの
像は半導体基板に結像されることなく、転写されない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
におけるリソグラフィ工程で使用されるパターン転写用
の露光装置用レティクルに関する。
におけるリソグラフィ工程で使用されるパターン転写用
の露光装置用レティクルに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２（ａ）及び（ｂ）は従来の例を示す
露光装置用レティクルの断面図である。
露光装置用レティクルの断面図である。
【０００３】従来、この種のレティクルは、例えば、図
２（ａ）に示すように透明なガラス基板１ａと、このガ
ラス基板１ａの片面にスパッタリングで形成されるマス
クパターン２ａと、ガラス基板１ａの両面に衝立てられ
るごみの付着防止用のペリクル５ａとで構成されてい
た。
２（ａ）に示すように透明なガラス基板１ａと、このガ
ラス基板１ａの片面にスパッタリングで形成されるマス
クパターン２ａと、ガラス基板１ａの両面に衝立てられ
るごみの付着防止用のペリクル５ａとで構成されてい
た。
【０００４】また、他の例として、例えば、図２（ｂ）
に示すように、ガラス基板１ｂを厚くし、マスクパター
ンの形成面のみペリクル５ｂが衝立てられるものもあ
る。
に示すように、ガラス基板１ｂを厚くし、マスクパター
ンの形成面のみペリクル５ｂが衝立てられるものもあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のレティクルでは、マスクパターン面に異物が付
着した場合、半導体基板上に付着した異物の像が転写さ
れ、不良が発生するという問題があった。
た従来のレティクルでは、マスクパターン面に異物が付
着した場合、半導体基板上に付着した異物の像が転写さ
れ、不良が発生するという問題があった。
【０００６】また、前述したペリクルについては完全な
異物防止とはなりえず、しかも、使用する毎にペリクル
の貼り、剥しを行なわなければならないという煩しさが
あった。
異物防止とはなりえず、しかも、使用する毎にペリクル
の貼り、剥しを行なわなければならないという煩しさが
あった。
【０００７】本発明の目的は、かかる問題を解決すべ
く、ごみが付着されても半導体基板にごみの像を転写す
ることがない露光装置用レティクルを提供することであ
る。
く、ごみが付着されても半導体基板にごみの像を転写す
ることがない露光装置用レティクルを提供することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の露光装置用レテ
ィクルはガラス基板に形成されるマスクパターンの凹凸
を平坦化する透明膜に被着される保護ガラス板を備えて
いる。
ィクルはガラス基板に形成されるマスクパターンの凹凸
を平坦化する透明膜に被着される保護ガラス板を備えて
いる。
【０００９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１は本発明の一実施例を示す露光装置用
レティクルの断面図である。この露光装置用レティクル
は、図１に示すように、ガラス基板１のマスクパターン
２を覆うように透明膜３を形成し、さらに、この透明膜
３に重ねる平坦な保護ガラス板４を被着させたことであ
る。
レティクルの断面図である。この露光装置用レティクル
は、図１に示すように、ガラス基板１のマスクパターン
２を覆うように透明膜３を形成し、さらに、この透明膜
３に重ねる平坦な保護ガラス板４を被着させたことであ
る。
【００１１】このようにマスクパターン面側に保護ガラ
ス板３を被着させることで、ガラス基板にはごみの付着
することがなく、しかも、ごみが保護ガラス板３に付着
したとしても、この保護ガラス板の面とガラス基板１の
マスクパターン２の面とは、段差があるので、保護ガラ
ス板３に付着したごみの像は半導体基板に焦点が合うこ
とがないので、ごみの像は転写されまい。
ス板３を被着させることで、ガラス基板にはごみの付着
することがなく、しかも、ごみが保護ガラス板３に付着
したとしても、この保護ガラス板の面とガラス基板１の
マスクパターン２の面とは、段差があるので、保護ガラ
ス板３に付着したごみの像は半導体基板に焦点が合うこ
とがないので、ごみの像は転写されまい。
【００１２】特に、最近の露光装置の開口度が上昇にれ
て、焦点深度が浅くなり、きわめて薄い保護ガラス板が
用いることが出来る。特に高倍率の露光装置であれば、
この保護ガラス板も不要で、単に、透明膜のみでも、同
様な効果が得られる。
て、焦点深度が浅くなり、きわめて薄い保護ガラス板が
用いることが出来る。特に高倍率の露光装置であれば、
この保護ガラス板も不要で、単に、透明膜のみでも、同
様な効果が得られる。
【００１３】なお、この透明膜には、光学レンズの重ね
合せに使用されるバルサムが適用される。
合せに使用されるバルサムが適用される。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は表面にマ
スクパターンが形成されているガラス基板面に、マスク
パターン凹凸を平坦化する透明膜と、この透明膜を介し
てガラス基板に被着する保護ガラス板を設けることによ
て、ガラス基板に異物が付着することを防止するという
効果がある。また、被着された保護ガラス板面にごみが
付着しても、マスクパターン面と段差があるので、半導
体基板にはごみの像の焦点が合わず、転写されない。こ
のことは不良の発生を防ぐという効果を有する。さら
に、ごみ付着防止用のペリクルが不要となり、レティク
ルの管理が簡単になり、運用経費の低減も図れるという
効果がある。
スクパターンが形成されているガラス基板面に、マスク
パターン凹凸を平坦化する透明膜と、この透明膜を介し
てガラス基板に被着する保護ガラス板を設けることによ
て、ガラス基板に異物が付着することを防止するという
効果がある。また、被着された保護ガラス板面にごみが
付着しても、マスクパターン面と段差があるので、半導
体基板にはごみの像の焦点が合わず、転写されない。こ
のことは不良の発生を防ぐという効果を有する。さら
に、ごみ付着防止用のペリクルが不要となり、レティク
ルの管理が簡単になり、運用経費の低減も図れるという
効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す露光装置用レティクル
の断面図。
の断面図。
【図２】従来例を示す露光用レティクルの断面図。
１，１ａ，１ｂ ガラス基板 ２，２ａ，２ｂ マスクパターン ３ 透明膜 ４ 保護ガラス板 ５ａ，５ｂ ヘリクル
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板に形成されるマスクパターン
の凹凸を平坦化する透明膜に被着される保護ガラス板を
備えることを特徴とする露光装置用レティクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240699A JPH0580494A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 露光装置用レテイクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240699A JPH0580494A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 露光装置用レテイクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580494A true JPH0580494A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17063389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240699A Pending JPH0580494A (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 露光装置用レテイクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0580494A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60122946A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Fujitsu Ltd | フォト・マスク |
| JPS6381352A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Ltd | 光学マスク |
| JPH0255235B2 (ja) * | 1985-08-27 | 1990-11-26 | Mitsubishi Rayon Co |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP3240699A patent/JPH0580494A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60122946A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Fujitsu Ltd | フォト・マスク |
| JPH0255235B2 (ja) * | 1985-08-27 | 1990-11-26 | Mitsubishi Rayon Co | |
| JPS6381352A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Ltd | 光学マスク |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971028 |