JPH02244046A - フォトマスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置ｆＰＪ　Ｍのフォト工程で用いら
れるＳゝリクルを装着したフォトマスクに関する。

［従来の技術］ 半導体装置製造のフォト工程で、半導体基板上に所望の
レジストパターンを形成する方法として、縮小投影露光
装置（以下、ステッパーとする）を使用することが一般
的であるが、近年、素子の微細化が進み、集積度が増す
につれ、フォトマスク（以下、レティクルとする）上の
異物の転写が問題となってきている。ステッパーは、レ
ティクル上のパターンを５分の１、または、１０分の１
に縮小して投影するが、投影レンズや、レジストの解像
性能の向上によって、レティクル上にミクロンオーダー
の異物があれば、十分に転写する可能性がある。そして
、転写された異物はパターン欠陥となり、半導体素子の
機能を劣化させ、歩留りを低下させる。

そこで、最近、異物の転写を防止する方法としてペリク
ルが使用されている。第２図は、従来のペリクルを装着
したレティクルを示す図であるが、ペリクル２２は、ニ
トロセルロースニ代表される透明薄膜からなり、アルミ
合金等からなるペリクル枠２３を介して、レティクル２
１からある一定の距離をおいて、レティクル２１上のパ
ターン部を保護するように覆って固定される。前記ペリ
クル２２上には、空気中の異物が、ペリクルのない時と
同様に付着するが、投影露光時の焦点位置はレティクル
２１面上にあるため、ペリクル２２上の異物は焦点ズレ
となり、数十ミクロンのレベルの異物は転写しない仕組
みとなっている。しかし、５０ミクロン以上の異物は転
写する可能性があり、依然、ペリクル２１上の異物検査
が必要であるものの、クリーンルーム内では、この程度
の異物はほとんど存在せず、異物管理は以前より非常に
容易となった。

ところで、前述のペリクル２２面上の異物検査は、ペリ
クル２２面にレーザー元を走査し、異物があれば、その
散乱光を検出して、前記異物の位置、大きさを判定する
方式に基づく検査装置が一般的に使用されており、高い
検出精度を得るためには、ペリクル２２面の平担性が十
分確保されている必要がある。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、前述の従来技術では、ペリクルの平担性をそこ
なう原因として、ペリクル、ペリクル枠、及び、レティ
クルで囲まれる密室の内圧と外圧の差がある。ペリクル
が薄膜であるために、内圧よりも外圧が高ければ、ペリ
クルは内側へへこみ、逆に、内圧よりも外圧が低ければ
、ペリクルは外側へ膨らむ。実際に、低地のマスク工場
で、レティクルにペリクルを装着し、高地の工場へレテ
ィクルを移動させた時には、ペリクルの膨らみが顕著に
現われ、また、台風などの低気圧通過時にも変形が起こ
る。このように、ペリクル面の変形によって平担性がそ
こなわれ、ペリクル面上の異物検査を、十分な検出精度
をもって行なうことができず、異物転写に起因するパタ
ーン欠陥が増えると共に、歩留りも低下した。

そこで、本発明は、このような課題を解決するものであ
り、その目的とするところは、ペリクル面の平担性を維
持することにより、異物検査時の検出精度を高め、半導
体装置製造のフォト工程での異物転写に起因するパター
ン欠陥を減らし、半導体装置の歩留りを向上することに
ある。

［課題を解決するための手段］ （１）　本発明のフォトマスクは、ペリクルを装着した
フォトマスクにおいて、前記フォトマスクへ、ペリクル
を装着するためのペリクル枠の少なくとも一部に開口部
を設け、更に、前記開口部を、テープで開閉可能にした
ことを特徴とする。

（２）　本発明のフォトマスクは、第１項記載のフォト
マスクにおいて、テープに持ちしろを設けたことを特徴
とする。

（６）　本発明の半導体装置の製造方法は、半導体装置
製造のフォト工程において、第１項、または、第２項記
載のフォトマスクを用いることを特徴とする。

［実施例］ 第１図は、本発明のペリクルを装着したレティクルを示
す図であるが、従来と同様に、ペリクル１２は、ニトロ
セルロースに代表される透明Ｎｉｌからなり、アルミ合
金等からなるペリクル枠１５を介して、レティクル１１
からある一定の距離をおいて、レティクル１１上のパタ
ーン部を保護するように覆って固定される。しかし、ペ
リクル枠１３の側面には、切削加工により、直径ＣＬ　
５　ミ１７の開口部１４を一つ設け、前記開口部１４を
覆って防塵性に優れたテープ１５が貼付され、更に、前
記テープ１５の一部分を、持ちしろ１６としている。従
って、持ちしろ１６をつまんで、前記テープ１５を、剥
がしたり、貼り付けたりすることで開口部１４を開閉す
ることができ、半導体装置製造のフォト工程に、前記レ
ティクルを使用することで、以下なる利点が得られる。

（１）　前記開口部１４が設けられ、開閉可能であるた
め、ペリクル１２．ペリクル枠１３、及び、レティクル
１１で囲まれる密室部分に通気性がもたされ、前記密室
の内圧と外圧の差に起因するペリクル面の変形が防止さ
れる。

（２）　前述のように、ペリクル面の変形が防止され、
平担性が確保されるために、ペリクル面上の異物を十分
な検出精度でもって検出可能となり、フォト工程での異
物転写に起因するパターン欠陥が減り、歩留りが向上す
る。

（３）　前記テープ１５を剥がし、数秒間の通気を行な
う時以外は、前記開口部１４を閉じた状態にしておける
ため、フォト工程上支障となる異物の、前記密室内への
侵入を十分防ぐことができる。

（４）　前記テープ１５に、持ちしろ１６が設げられて
いるため、この持ちしろ１６をつまんで、容易に開閉作
業ができる。

以上、本発明の一実施例を述べたが、これ以外に、 （１）　縮小投影露光装置（ステツパー）に用いられる
レティクルに限らず、本発明を、１；１投影露光装置用
のマスクに適用する（２）　開口部を、ペリクル枠の側
面に限らず、他の位置に設ける。また、複数箇所に設け
る。

（３）　テープ以外の防塵性に優れた材料を用いて開口
部の開閉を行なう機構とする。

（４）　テープに、テープ以外の防塵性に優れた材料を
取り付け、持ちしろとする。

などの場合についても、本実施例と同様な利点が得られ
る。

［発明の効果］ 以上述べたように、本発明によれば、 （１）　ペリクルを装着したフォトマスクにおいて、前
記フォトマスクへ、ペリクル装着するためのペリクル枠
の少なくとも一部に開口部を設け、更に、前記開口部を
、テープで開閉可能にする。

（２）　前記テープに１持ちしろを設ける。

（６）　半導体装置製造のフォト工程において、ｆｌ’
Ｊ記（１）＊（２）記載のフォトマスクを用いる。

ことにより、ｎＲ単な操作でペリクル面の平担・性を維
持し、異物検査時の検出精度を高めることができ、それ
によって半導体装置製造のフォト工程での異物転写に起
因するパターン欠陥が減り、半導体装置の歩留りを向上
する効果を有するものである。

５・・・・・・・・・ペリクル枠 ４・・・・・・・・・開口部 ５・・・・・・・・・テープ ６・・・・・・・・・持ちしろ ２１・・・・・・・・・レティクル ２２・・・・・・・・・ペリクル ２３・・・・・・・・・ペリクル枠 以上

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例である、ペリクルを装着し
たフォトマスクを示す図である。 第２図は、従来の、べり゛クルを装着したフォトマスク
を示す図である。 １１・・・・・・・・・レティクル １２・・・・・・・・・ペリクル

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）ペリクルを装着したフォトマスクにおいて、前記
   フォトマスクへ、ペリクルを装着するためのペリクル枠
   の少なくとも一部に開口部を設け、更に、前記開口部を
   、テープで開閉可能にしたことを特徴とするフォトマス
   ク。
2. （２）テープに、持ちしろを設けたことを特徴とする請
   求項１記載のフォトマスク。
3. （３）半導体装置製造のフォト工程において、請求項１
   、または、請求項２記載のフォトマスクを用いることを
   特徴とする半導体装置の製造方法。