TWI431415B - 具有光罩及遮蓋光罩之防塵薄膜組件的光罩單元與其製造方法。 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 28
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本發明係關於在生產大規模積體電路及超大規模積體電路等半導體裝置或液晶顯示器時，具有作為光罩(photomask)和精密光罩(reticle)等曝光用原版(本說明書中總稱為「光罩」)之防塵罩來使用的微影用防塵薄膜組件和光罩之光罩單元之製造方法。更具體而言，係關於使用波長極短之光，將感光膜曝光，適合形成微小圖案之光罩單元及光罩單元之製造方法。
當生產大規模積體電路及超大規模集體電路等半導體設備或者液晶顯示器時，於半導體晶圓或液晶用原版上所形成之微影感光膜，通過光罩而受到曝光用之光照射，光罩之圖案被轉印，進而形成半導體設備或者液晶顯示器之圖案。
因此，在這種情況下，光罩上附著有塵垢等異物時，附著於光罩表面的塵垢導致曝光用之光被反射或被吸收，於半導體晶圓或液晶用原版上所形成之感光膜上被轉印之圖案不僅會發生變形、圖案之邊緣部分變得不鮮明，而且底板發黑變臟，損傷產品之尺寸、質量、外形等，就無法將印光罩之圖案如願地轉印至半導體晶圓或液晶用原版，從而導致半導體裝置或液晶顯示器性能降低、成品率惡化等問題之發生。
為防止有關問題之發生，半導體晶圓或液晶原版上所形成之感光膜之曝光，需在無塵室內進行，盡管如此，要完全避免光罩之表面附著異物也非常困難，所以，通常在光罩之表面安裝對曝光用之光有高穿透率之稱為防塵薄膜組件之防塵罩，而對半導體晶圓或液晶原版進行曝光。
一般而言，防塵薄膜組件之製造如下：防塵薄膜由對曝光用光有高透射率之硝化纖維素、醋酸纖維素等纖維素系樹脂和氟化樹脂等製成；而防塵薄膜組件框架藉由鋁、不銹鋼、聚乙烯等形成；並在防塵薄膜組件框架一邊的面上，塗上防塵薄膜材料之良溶劑，並將防塵薄膜風乾進而黏接，或者用丙烯酸樹脂、環氧樹脂和氟樹脂等黏接劑來黏接防塵薄膜，並在防塵薄膜組件框架之另一表面，形成由聚丁烯樹脂、聚醋酸乙烯基樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂等構成且供光罩附著之黏接層，再於黏接層上設置保護黏接層用的脫膜層乃至於分離器。(例如，參照日本特開昭和58-219023號公報，美國專利第4861402號說明書，日本特公昭和63-27707號公報及日本特開平成7-168345號公報等)。
將如此構成之防塵薄膜組件安裝於光罩之表面，通過光罩，對於半導體晶圓或液晶原版上所形成之感光膜進行曝光時，塵垢等異物係附著於防塵薄膜組件之表面，並不直接附著於光罩之表面，所以只要以焦點位於在光罩上所形成之圖案的方式來照射曝光用之光，即能消除塵垢等異物之影響。
圖1是將防塵薄膜組件安裝於光罩之上之傳統光罩單元之簡單俯視圖，圖2是沿圖1之A-A線之簡單剖面圖。
如圖1及圖2所示，光罩單元1具有光罩2以及由防塵薄膜6及框架狀之防塵薄膜組件框架7所構成之防塵薄膜組件5，防塵薄膜6側部附近區域係黏附至防塵薄膜組件框架7一邊的表面，防塵薄膜組件框架7另一邊的表面則利用由有機物質形成之黏接劑(圖中未顯示)固定於光罩2之表面上。
如此，因光罩2之表面遮蓋有作為防塵罩之防塵薄膜組件5，在對半導體晶圓或液晶原版上所形成之感光膜進行曝光時，塵垢等異物係附著於防塵薄膜6之表面，並不直接附著於光罩2之表面，只要使曝光之光之焦點位於光罩2所形成之圖案上，即能消除塵垢等異物之影響。
另一方面，近年來，半導體設備及液晶顯示器之發展越來越高度積體化、微小化。現在，在感光膜上形成45nm左右的微小圖案之技術逐漸實用化。如果是45nm左右之圖案，只要利用在半導體晶圓或液晶用原版和投影鏡片之間填滿超純水等液體且使用氟化氬(ArF)準分子雷射來對感光膜進行曝光的浸潤式曝光技術，及雙重曝光等習知利用準分子雷射之曝光技術的改良即能因應。
但是，下一代半導體設備和液晶顯示器要求形成更加微小化的32nm以下之圖案，而要形成如此細小化的32nm以下之圖案，已不可能藉由改良傳統使用準分子雷射之曝光技術來因應，就形成32nm或其以下圖案之方法而言，使用主波長為13.5nm之EUV(Extreme Ultra Violet，超紫外線)光來形成圖案之EUV曝光技術被視為正選。
使用此EUV曝光技術，於感光膜上形成32nm以下的微小圖案時，必須解決使用何種光源、使用何種感光膜、使用何種防塵薄膜組件等技術性問題。
其中，隨著開發之進展，有關新光源及新之感光膜材料已有各種建議，但是，左右半導體設備或液晶顯示器之成品率之防塵薄膜組件，雖然建議使用作為對EUV光有高透射率之材料之矽，但是仍留有尚未解決之問題，對於EUV曝光技術之實用化形成很大之障礙(例如，參照Shroff et al. "EUV pellicle Development for Mask Defect Control," Emerging Lithographic Technologies X,Proc of SPIE Vol. 6151 615104-1(2006)及美國專利第6623893號說明書)。
[專利文獻1]日本特開昭和58-219023號公報
[專利文獻2]美國專利第4861402號說明書
[專利文獻3]日本特公昭和63-27707號公報
[專利文獻4]日本特開平成7-168345號公報
[專利文獻5]美國專利第6623893號說明書
[非專利文獻1] Shroff et al. “EUV pellicle Development for Mask Defect Control,”Emerging Lithographic Technologies X,Proc of SPIE Vol.6151 615104-1(2006)
習知使用i線(波長365nm)之曝光，在使用KrF準分子雷射光(波長248nm)之曝光，使用氟化氬(ArF)準分子雷射光(波長193nm)之曝光中，係將貼附有防塵薄膜之防塵薄膜組件框架利用由有機物質構成之黏接劑而安裝在光罩上，但是，若使用EUV曝光技術於感光膜上形成32nm或其以下之微小圖案時，曝光室內必須保持真空狀態。一旦使用由有機物質構成之黏接劑，將產生釋出氣體(out gas)，而導致難以將防塵薄膜組件框架用由有機物質構成之黏接劑安裝在光罩上，在光罩附近必須極力避免使用由有機物質構成之黏接劑。
另外，採用EUV曝光技術以在感光膜上形成微小之圖案時，要求光罩具有高平坦度，但使用由有機物質構成之黏接劑來將防塵薄膜組件安裝在光罩上時，也會有光罩之平坦度惡化之問題。
因此，本發明目的在於提供一種具有防塵薄膜組件以及防塵薄膜組件所遮蓋的光罩之光罩單元，適合使用EUV曝光技術於感光膜上形成32nm以下之微小圖案並能確實地防止光罩之平坦度惡化。
此外，本發明之另一目的在於提供一種由防塵薄膜組件以及防塵薄膜組件所遮蓋的光罩之光罩單元之製造方法，適合使用EUV曝光技術於感光膜上形成32nm以下之微小圖案並能確實地防止光罩之平坦度惡化。
本發明之目的藉由下述方式達成：一種光罩單元，包含：防塵薄膜；防塵薄膜組件框架，其形成框架狀，一邊的表面受到該防塵薄膜之側部附近區域所貼附；光罩；以及平台，於其一邊的表面固定有該光罩及該防塵薄膜組件框架；其特徵在於，該防塵薄膜組件框架，在比該平台上固定該光罩的區域更外側處固定於該平台上。
依據本發明，在一邊的面上貼設有防塵薄膜之側部附近區域的防塵薄膜組件框架，係藉由比平台上固定光罩的區域之外側來固定在平台上，因防塵薄膜組件框架之平台之安裝部係與光罩之曝光圖案部隔開，所以在使用EUV曝光技術且保持曝光室內真空的狀態下，在感光膜上形成32nm以下之微小圖案時，即使從由有機物質形成之黏接劑中發生外部氣體，也可有效地防止對於半導體設備或液晶顯示器上所形成之感光膜之曝光產生惡劣影響。
並且，依據本發明，防塵薄膜組件框架在平台上係固定至固定有光罩的平台區域之外側，並未如習知方式固定在光罩之上，所以能確實地防止光罩之平坦度發生惡化。
在本發明中，前述防塵薄膜組件框架宜由金屬製成。
本發明之較佳實施形態為，該防塵薄膜組件框架係利用靜電吸盤而固定在該平台的一邊表面上。
依據本發明之較佳實施形態，因防塵薄膜組件框架係利用靜電吸盤而固定在平台的一邊表面上，所以在使用EUV曝光技術且保持曝光室內真空的狀態下，於感光膜上形成32nm以下之微小圖案時，能確實地防止從防塵薄膜組件框架之平台之安裝部產生釋出氣體。
本發明之另一個較佳實施形態為，該防塵薄膜組件框架係利用機械方式而固定在該平台的一邊表面上。
依據本發明之另一個較佳實施形態，因防塵薄膜組件框架係利用釦釘、螺釘等機械方式而固定在平台的一邊表面上，所以在使用EUV曝光技術且保持曝光室內真空的狀態下，於感光膜上形成32nm以下之微小圖案時，能確實地防止從防塵薄膜組件框架向平台之安裝部產生釋出氣體。
在本發明之其他之較佳實施形態中，該防塵薄膜組件框架係利用黏接劑而固定在該平台的一邊表面上。
本發明之目的還藉由下述方式達成：該光罩單元係包含：防塵薄膜；防塵薄膜組件框架，其呈框架狀，該防塵薄膜之側部附近區域貼附在此防塵薄膜組件框架之一邊的表面；光罩；以及平台，其一邊的表面固定有該光罩及該防塵薄膜組件框架；其特徵在於，將該光罩固定於該平台的一邊表面上，並將該防塵薄膜組件框架的另一面在比該平台上固定該光罩的區域更外側處固定於該平台上。
依據本發明，將一邊表面貼設有防塵薄膜之側部附近區域之防塵薄膜組件框架，在平台上固定於比固定有光罩的平台之範圍之外側，因防塵薄膜組件框架之平台之安裝部係與光罩之曝光圖案部隔開，所以在使用EUV曝光技術且保持曝光室內之真空的狀態下，於感光膜上形成32nm或其以下之微小圖案時，即使在從由有機物質形成之黏接劑中產生釋出氣體之情況下，也能有效防止對半導體設備或液晶顯示器上所形成感光膜之曝光所產生之惡劣影響。
並且，依據本發明，防塵薄膜組件框架在光罩之外側被固定於平台上，並未如習知方式固定在光罩上，所以能確實地防止光罩之平坦度惡化。
本發明之較佳實施形態為，該防塵薄膜組件框架係利用靜電吸盤而固定在該平台的一邊表面上。
依據本發明之較佳實施形態，因防塵薄膜組件框架係利用靜電吸盤而固定於平台的一邊表面上，在使用EUV曝光技術且保持曝光室內真空的狀態下，於感光膜上形成32nm或其以下之微小圖案之時候，能確實地防止從防塵薄膜組件框架之平台之安裝部產生釋出氣體。
本發明之另外之較佳實施形態為，該防塵薄膜組件框架係利用機械方式而固定在該平台的一邊表面上。
依據本發明之另外之較佳實施形態，因防塵薄膜組件框架係利用釦釘、螺釘等機械方式而固定在平台的一邊表面上，所以使用EUV曝光技術而在保持曝光室內真空的狀態下，於感光膜上形成32nm或其以下之微小圖案時，能確實地防止從防塵薄膜組件框架之平台之安裝部產生釋出氣體。
本發明之其他較佳實施形態為，該防塵薄膜組件框架係利用黏接劑而固定在該平台的一邊表面上。
本發明之目的及特徵可藉由以下引用圖式的說明而明晰。
依據本發明，可提供一種具有光罩及遮蓋光罩之防塵薄膜組件的光罩單元，其適合使用EUV曝光技術於感光膜上形成32nm以下之微小圖案，能確實地防止光罩之平坦度發生變差。
此外，依據本發明，可提供一種具有光罩及遮蓋光罩之防塵薄膜組件的光罩單元的製造方法，其適合使用EUV曝光技術於感光膜上形成32nm以下之微小圖案，能確實地防止光罩之平坦度發生惡化。
圖3為具有光罩以及遮蓋光罩之防塵薄膜組件的本發明較佳實施形態之光罩單元之簡略透視俯視圖。圖4為沿圖3中光罩單元之B-B線之簡略剖面圖。
如圖3及圖4所示，本實施形態之光罩單元1包含：光罩2；光罩平台3，固定有光罩2；防塵薄膜6；以及框架狀之防塵薄膜組件框架7，其一邊的表面貼設有防塵薄膜6；並且，藉由防塵薄膜6和防塵薄膜組件框架7而形成防塵薄膜組件5。在本實施形態之中，防塵薄膜組件框架7係由鋁製成。
如圖3及圖4所示，防塵薄膜組件框架7之尺寸大於光罩2之尺寸。防塵薄膜組件框架7係在比光罩平台3上固定光罩2的區域更外側處固定於光罩平台3上，光罩2收納在由防塵薄膜6與防塵薄膜組件框架7所形成之密閉空間內。
在本實施形態中，光罩2利用靜電吸盤(未圖示)而固定在光罩平台3之上。
另一方面，在本實施形態中，可將防塵薄膜組件框架7以靜電吸盤固定在光罩平台3上，也可使用釦釘、螺釘等機械方式(未圖示)將防塵薄膜組件框架7良好地固定在光罩平台3上，並且也能使用由矽酮黏接劑等有機物質組成之黏接劑將防塵薄膜組件框架7固定在光罩平台3之上。
這樣製造的光罩單元1被組裝至曝光室內(未圖示)，半導體晶圓或液晶用原版上所塗之感光膜，通過光罩2而受到曝光用之光照射，光罩2之圖案被轉印，進而形成半導體晶圓或液晶用原版之圖案。
依據本實施形態，光罩2和防塵薄膜組件框架7係利用靜電吸盤而固定在光罩平台3上。因防塵薄膜組件框架7之尺寸大於光罩2之尺寸，防塵薄膜組件框架7利用靜電吸盤而在比光罩平台3上固定光罩2的區域更外側處固定於光罩平台3上。因此，即使在保持曝光室內真空的狀態下使用EUV光，將半導體晶圓或液晶用原版(未圖示)之感光膜曝光，也不會產生釋出氣體。因而，在保持曝光室內真空的狀態下，於半導體晶圓或液晶用原版上所塗之感光膜上形成32nm以下之微小圖案時，能提高半導體晶圓或液晶顯示器之成品率。
另外，依據本實施形態，防塵薄膜組件框架7係在比光罩平台3上固定光罩2的區域更外側處固定於光罩平台3上，並未如習知方式固定在光罩2之表面上，所以能將安裝防塵薄膜組件5所導致之光罩2之平坦度惡化抑制到最小限度。
圖5為有關本發明之另一較佳實施形態，其為由光罩以及遮蓋光罩之防塵薄膜組件構成之光罩單元之簡略透視俯視圖，圖6為沿圖5之光罩單元之C-C線之簡略剖面圖。
如圖5及圖6所示，本實施形態之光罩單元1與上述實施形態同樣地包含：光罩2；固定有光罩2之光罩平台3；防塵薄膜6；以及框架狀之防塵薄膜組件框架7，其一邊的表面貼設有防塵薄膜6；並且，藉由防塵薄膜6和防塵薄膜組件框架7構成防塵薄膜組件5。在本實施形態中，防塵薄膜組件框架7也由鋁製成。
如圖5及圖6所示，防塵薄膜組件框架7之尺寸大於光罩2之尺寸，防塵薄膜組件框架7係在比光罩平台3上固定光罩2的區域更外側處固定於光罩平台3上。
在本實施形態中，也可將光罩2利用靜電吸盤固定在光罩平台3上。
如圖5及圖6所顯示，在有關本實施形態之光罩單元1中，防塵薄膜組件框架7係利用機械式釦釘9而固定在光罩平台3上。
這樣，製造出來之光罩單元1組裝至曝光室(未圖示)內，半導體晶圓或液晶用原版上所塗之感光膜上，通過光罩2受到曝光用之光照射，光罩2之圖案被轉印，進而形成半導體晶圓或液晶用原版之圖案。
根據本實施形態，防塵薄膜組件框架7之尺寸大於光罩2之尺寸，防塵薄膜組件框架7利用機械式釦釘9而在比光罩平台3上固定光罩2的區域更外側處固定於光罩平台3上。因此，即使在保持曝光室內真空的狀態下使用EUV光將半導體晶圓或液晶用原版(未圖示)之感光膜曝光，也不產生釋出氣體。因而，在保持曝光室內真空的狀況下於半導體晶圓或液晶用原版上所塗之感光膜上形成32nm以下之微小圖案時，能提高半導體晶圓或者液晶顯示器之成品率。
另外，根據本實施形態，防塵薄膜組件框架7係在比光罩平台3上固定光罩2的區域更外側處固定於光罩平台3上，並未如習知方式固定在光罩2之表面，所以能將安裝防塵薄膜組件5所導致的光罩之平坦度變差被抑制到最小限度。
以下，為了表明本發明之效果，提出實施例及比較例。
[實施例1]
在形成邊長152mm之正方形且厚度為6mm之石英製之光罩基板的一邊表面上蒸鍍鉻膜，並將光罩基板之另一表面利用靜電吸盤固定於光罩平台上。
其次，將形成內框邊長160mm、外框邊長166mm之長方形框架狀且厚度3mm的鋁製防塵薄膜組件框架利用靜電吸盤而在比光罩平台上固定光罩基板的區域更外側處固定於光罩平台上，藉以製成光罩單元。
接著，作為光罩單元在實際生產線所接受的高速掃描運動之模擬實驗而言，以施加約5G之加速度的方式使光罩平台震動經過10分鐘，即使防塵薄膜組件框架僅利用機械式靜電吸盤而固定在光罩平台上，仍未觀察到防塵薄膜組件框架從初始位置發生位移。
然後，使用波長13.5nm之EUV光間斷地對光罩單元進行總計3分鐘之照射，並測量經EUV光照射後的光罩之反射率。如此測定之光罩之反射率，與用EUV光照射前之反射率相比較，並未觀察到反射率降低。
[實施例2]
在形成邊長152mm之正方形且厚度6mm的石英製之光罩基板的一邊表面上蒸鍍鉻膜，並將光罩基板之另一表面利用靜電吸盤固定於光罩平台上。
其次將形成內框邊長160mm、外框邊長166mm之長方形框架狀且厚度3mm厚的鋁製防塵薄膜組件框架利用機械式釦釘而在比光罩平台上固定光罩基板的區域更外側處固定於光罩平台上，藉以製成光罩單元。
然後，作為光罩單元在實際生產線所接受的高速掃描運動之模擬實驗而言，以施加約5G之加速度的方式使光罩平台震動經過10分鐘，即使防塵薄膜組件框架僅利用機械式釦釘而固定在光罩平台上，仍未觀察到防塵薄膜組件框架從初始位置發生位移。
並且，使用波長13.5nm之EUV光間斷地對光罩單元進行總計3分鐘之照射，並測量經EUV光照射後的光罩之反射率。如此測定之光罩之反射率，與用EUV光照射前之反射率相比較，並未觀察到反射率降低。
[實施例3]
在形成邊長152mm之正方形且厚度6mm的石英製之光罩基板的一邊表面上蒸鍍鉻膜，並將光罩基板之另一表面利用靜電吸盤固定於光罩平台上。
其次，將形成內框一邊長為160mm、外框邊長為166mm之長方形框架狀且厚度3mm厚的鋁製防塵薄膜組件框架利用矽酮黏接劑而在比光罩平台上固定光罩基板的區域更外側處固定於光罩平台上，藉以製成光罩單元。
然後，作為光罩單元在實際生產線所接受的高速掃描運動之模擬實驗而言，以施加約5G之加速度的方式使光罩平台震動經過10分鐘，即使防塵薄膜組件框架僅利用矽酮黏接劑被固定在光罩平台上，仍未觀察到防塵薄膜組件框架從初始位置發生位移。
並且，使用波長13.5nm之EUV光間斷地對光罩單元進行總計3分鐘之照射，並測量經EUV光照射後的光罩之反射率。如此測定之光罩之反射率，與用EUV光照射前之反射率相比較，並未觀察到反射率降低。
[比較例]
在形成邊長152mm之正方形且厚度6mm的石英製之光罩基板的一邊表面上蒸鍍鉻膜，並將光罩基板之另一表面利用靜電吸盤固定於光罩平台上。
其次，將形成內框邊長143mm、外框邊長149mm之長方形框架狀且厚度3mm的鋁製防塵薄膜組件框架，利用矽酮黏接劑固定在光罩基板上，藉以製成光罩單元。
然後，作為光罩單元在實際之生產線所接受的高速掃描運動之模擬實驗而言，以施加約5G之加速度的方式使光罩平台震動經過10分鐘，即使防塵薄膜組件框架僅利用矽酮黏接劑而固定在光罩平台上，仍未觀察到防塵薄膜組件框架從初始位置發生位移。
並且，使用波長13.5nm之EUV光間斷地對光罩單元進行總計3分鐘之照射，並測量經EUV光照射後的光罩之反射率。如此測定之光罩之反射率，與用EUV光照射前之反射率相比較，發現反射率下降了約0.5%。推測此反射率下降之原因為，在光罩基板上固定防塵薄膜組件框架時，從所使用之矽酮黏接劑中產生了外部氣體。
本發明，並不限定於以上實施形態或實施例，可以在申請專利範圍所記載之發明之範圍內進行種種變更，亦當然包含在本發明之範圍之內。
例如，在圖3及圖4所示之實施形態中，防塵薄膜組件框架7係利用靜電吸盤而固定於光罩平台3上，在圖5及圖6所顯示之實施形態中，防塵薄膜組件框架7係利用機械式釦釘9而固定在光罩平台3上，但防塵薄膜組件框架7不一定要用靜電吸盤或機械式釦釘9固定在光罩平台3上，也可以將防塵薄膜組件框架7利用矽酮黏接劑等有機黏接劑而固定在光罩平台3上。防塵薄膜組件框架7係利用矽酮黏接劑等有機黏接劑而固定在光罩平台3上之情況下，因防塵薄膜組件框架7係利用光罩2之外側來固定在光罩平台3上，所以在保持曝光室內真空的狀態下使用EUV光對半導體晶圓或液晶用原版(未圖示)之感光膜進行曝光時，能將產生釋出氣體之惡劣影響控制在最小限度。
另外，在圖5及圖6所顯示之實施形態中，防塵薄膜組件框架7係利用機械式釦釘9而固定於光罩平台3上，但在利用機械式手段而將防塵薄膜組件框架7固定在光罩平台3上之情況下，不一定要利用機械式釦釘9將防塵薄膜組件框架7固定在光罩平台3上，也可通過螺釘等其他機械方式而將防塵薄膜組件框架7固定在光罩平台3上。
並且，前述實施形態及前述實施例係使用鋁製之防塵薄膜組件框架7，但防塵薄膜組件框架7不一定要鋁製，也能使用以不銹鋼等其他金屬製成之防塵薄膜組件框架7，而且，防塵薄膜組件框架7不一定要金屬製，也能使用以聚乙烯等塑料製成之防塵薄膜組件框架7。
另外，在前述實施例中，光罩基板形成正方形形狀，防塵薄膜組件框架形成長方形形狀，但光罩基板不一定要形成正方形形狀，而且，防塵薄膜組件框架亦不一定要形成長方形形狀，可因應其目的而採用任意形狀之光罩基板及防塵薄膜組件框架。
1．．．光罩單元
2．．．光罩
3．．．平台(光罩平台)
5．．．防塵薄膜組件
6．．．防塵薄膜
7．．．防塵薄膜組件框架
9．．．機械式釦釘
圖1為具有光罩、與安裝於光罩之上之防塵薄膜組件之傳統光罩單元之簡略俯視圖。
圖2為沿圖1所顯示之光罩單元之A-A線之簡略剖面圖。
圖3為由光罩以及遮蓋光罩之防塵薄膜組件構成之本發明較佳實施形態之光罩單元之簡略透視俯視圖。
圖4為沿圖3所顯示之光罩單元之B-B線之簡略剖面圖。
圖5為本發明之另一較佳實施形態，係由光罩以及遮蓋光罩之防塵薄膜組件構成之光罩單元之簡略透視俯視圖。
圖6為沿圖5所顯示之光罩單元之C-C線之簡略剖面圖。
1．．．光罩單元
2．．．光罩
3．．．平台(光罩平台)
5．．．防塵薄膜組件
6．．．防塵薄膜
7．．．防塵薄膜組件框架
Claims (8)
- 一種光罩單元，包含：防塵薄膜；防塵薄膜組件框架，形成框架狀，該防塵薄膜之側部附近區域貼附在此防塵薄膜組件框架之一邊的表面；光罩；以及平台，於其一邊的表面固定有該光罩及該防塵薄膜組件框架；其特徵在於：該防塵薄膜組件框架，係在比該平台上固定該光罩的區域更外側處固定於該平台上；該光罩及該防塵薄膜，均係利用靜電吸盤而固定在該平台上。
- 如申請專利範圍第1項之光罩單元，其中，該防塵薄膜組件框架是金屬製。
- 如申請專利範圍第1或2項之光罩單元，其中，該防塵薄膜組件框架係利用靜電吸盤及機械方式而固定在該平台的一邊表面上。
- 如申請專利範圍第1或2項之光罩單元，其中，該防塵薄膜組件框架係利用靜電吸盤及黏接劑而固定在該平台的一邊表面上。
- 一種光罩單元的製造方法，該光罩單元係包含：防塵薄膜；防塵薄膜組件框架，呈框架狀，該防塵薄膜之側部附近區域貼附在此防塵薄膜組件框架之一邊的表面；光罩；以及平台，其一邊的表面固定有該光罩及該防塵薄膜組件框架；其特徵在於，將該光罩係利用靜電吸盤而固定於該平台的一邊表面上，並將該防塵薄膜組件框架的另一面在比該平台上固定該光罩的區域更外側處利用靜電吸盤而固定於該平台上。
- 如申請專利範圍第5項之光罩單元之製造方法，其中，該 防塵薄膜組件框架是金屬製。
- 如申請專利範圍第5或6項之光罩單元之製造方法，其中，該防塵薄膜組件框架係利用靜電吸盤及機械方式而固定在該平台的一邊表面上。
- 如申請專利範圍第5或6項之光罩單元之製造方法，其中，該防塵薄膜組件框架係利用靜電吸盤及黏接劑而固定在該平台的一邊表面上。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010086368 | 2010-04-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201211675A TW201211675A (en) | 2012-03-16 |
| TWI431415B true TWI431415B (zh) | 2014-03-21 |
Family
ID=44762368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100111267A TWI431415B (zh) | 2010-04-02 | 2011-03-31 | 具有光罩及遮蓋光罩之防塵薄膜組件的光罩單元與其製造方法。 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130003036A1 (zh) |
| EP (1) | EP2555052A4 (zh) |
| JP (1) | JP5285185B2 (zh) |
| KR (1) | KR20130024878A (zh) |
| CN (1) | CN102822744B (zh) |
| TW (1) | TWI431415B (zh) |
| WO (1) | WO2011125407A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI745990B (zh) * | 2015-04-07 | 2021-11-11 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件的光阻、曝光方法、圖案的製造方法、半導體裝置的製造方法以及液晶面板的製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5609663B2 (ja) * | 2011-01-18 | 2014-10-22 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板保持手段、およびそれを用いたｅｕｖマスクブランクスの製造方法 |
| CN105051604B (zh) * | 2013-03-15 | 2019-07-23 | 旭化成株式会社 | 表膜用膜和表膜 |
| WO2014188710A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 三井化学株式会社 | ペリクル、及びこれらを含むｅｕｖ露光装置 |
| JP6025178B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2016-11-16 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルの貼り付け方法及びこの方法に用いる貼り付け装置 |
| JP6308592B2 (ja) | 2014-04-02 | 2018-04-11 | 信越化学工業株式会社 | Ｅｕｖ用ペリクル |
| WO2016154478A1 (en) * | 2015-03-24 | 2016-09-29 | Hexagon Health, Inc. | Gender-specific mesh implant with barrier for inguinal hernia repair |
| JP6341166B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2018-06-13 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| KR102502727B1 (ko) | 2015-11-09 | 2023-02-23 | 삼성전자주식회사 | 레티클 및 그를 포함하는 노광 장치 |
| US10714371B2 (en) * | 2017-11-16 | 2020-07-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for lithography in semiconductor fabrication |
| KR102374206B1 (ko) | 2017-12-05 | 2022-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
| US10976666B1 (en) * | 2019-10-23 | 2021-04-13 | Globalfoundries U.S. Inc. | Apparatus and related method to control radiation transmission through mask pattern |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219023A (ja) | 1982-06-15 | 1983-12-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 樹脂薄膜の製造方法 |
| US4861402A (en) | 1984-10-16 | 1989-08-29 | Du Pont Tau Laboratories, Inc. | Method of making a cellulose acetate butyrate pellicle |
| JPS6327707A (ja) | 1986-07-21 | 1988-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 双曲面鏡検査装置 |
| JP3089153B2 (ja) | 1993-12-13 | 2000-09-18 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィー用ペリクル |
| US6317479B1 (en) * | 1996-05-17 | 2001-11-13 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask, and exposure method and apparatus using the same |
| JP3332762B2 (ja) * | 1996-11-14 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | Ｘ線マスク構造体、及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光装置と該ｘ線マスク構造体を用いて作製された半導体デバイス |
| US6197454B1 (en) * | 1998-12-29 | 2001-03-06 | Intel Corporation | Clean-enclosure window to protect photolithographic mask |
| JP2001312048A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Mitsui Chemicals Inc | ペリクル |
| JP2002196478A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | フォトマスクユニット、フォトマスク装置、投影露光装置、投影露光方法及び半導体装置 |
| US6623893B1 (en) | 2001-01-26 | 2003-09-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Pellicle for use in EUV lithography and a method of making such a pellicle |
| CN1233685C (zh) * | 2001-04-27 | 2005-12-28 | 三井化学株式会社 | 含氟环烯聚合物,其环烯单体,聚合物制备方法及聚合物的应用 |
| KR20030041811A (ko) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 페리클의 포토마스크에 대한 장착구조 |
| JP2003222990A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-08-08 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクルのフォトマスクへの装着構造 |
| US6727029B1 (en) * | 2003-01-02 | 2004-04-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for making reticles with reduced particle contamination and reticles formed |
| CN1856738A (zh) * | 2003-09-23 | 2006-11-01 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于保护用在芯片制造中的标线片不被污染的方法和装置 |
| JP2005195992A (ja) * | 2004-01-09 | 2005-07-21 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル装着治具、ペリクル装着方法及びペリクル装着構造並びにペリクル |
| US20060269847A1 (en) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | International Business Machines Corporaton | Binding of hard pellicle structure to mask blank and method |
| JP2007333910A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル |
| JPWO2008007521A1 (ja) * | 2006-07-11 | 2009-12-10 | 株式会社ニコン | レチクル保持部材、レチクル・ステージ、露光装置、投影露光方法およびデバイス製造方法 |
| JP2008258490A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Canon Inc | 露光装置及び原版 |
| JP2008304840A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Nikon Corp | マスク保護装置、マスク、露光方法、デバイス製造方法、及び搬送方法 |
| US7473501B1 (en) * | 2008-03-30 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Method for reducing photo-mask distortion |
| JP4928494B2 (ja) * | 2008-05-02 | 2012-05-09 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
-
2011
- 2011-03-10 EP EP11765309.7A patent/EP2555052A4/en active Pending
- 2011-03-10 JP JP2012509361A patent/JP5285185B2/ja active Active
- 2011-03-10 KR KR1020127019475A patent/KR20130024878A/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-03-10 CN CN201180017361.1A patent/CN102822744B/zh active Active
- 2011-03-10 WO PCT/JP2011/055602 patent/WO2011125407A1/ja active Application Filing
- 2011-03-31 TW TW100111267A patent/TWI431415B/zh active
-
2012
- 2012-09-10 US US13/608,716 patent/US20130003036A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI745990B (zh) * | 2015-04-07 | 2021-11-11 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件的光阻、曝光方法、圖案的製造方法、半導體裝置的製造方法以及液晶面板的製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2011125407A1 (ja) | 2011-10-13 |
| CN102822744A (zh) | 2012-12-12 |
| JPWO2011125407A1 (ja) | 2013-07-08 |
| US20130003036A1 (en) | 2013-01-03 |
| EP2555052A4 (en) | 2017-12-13 |
| CN102822744B (zh) | 2015-04-01 |
| TW201211675A (en) | 2012-03-16 |
| KR20130024878A (ko) | 2013-03-08 |
| JP5285185B2 (ja) | 2013-09-11 |
| EP2555052A1 (en) | 2013-02-06 |
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