TW202238261A - 防護薄膜框架、防護薄膜組件、帶防護薄膜組件的曝光原版及曝光方法、以及半導體裝置或液晶顯示板的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明的目的在於提供一種防止源自框架的散射光、且附著於框架表面的異物檢查容易的防護薄膜框架及使用所述防護薄膜框架的防護薄膜組件。一種防護薄膜框架，其為具有設置防護膜的上端面以及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架，其特徵在於：在所述防護薄膜框架的內側面具有粗糙度曲線的峭度（Rku）為3.0以下的區域；以及一種防護薄膜組件，其特徵在於：包括所述防護薄膜框架作為結構要素。

Description

防護薄膜框架、防護薄膜組件、帶防護薄膜組件的曝光原版及曝光方法、以及半導體裝置或液晶顯示板的製造方法

本發明關於一種作為除塵器而裝設於微影（lithography）用光遮罩的防護薄膜框架（pellicle frame）、防護薄膜組件（pellicle）、帶防護薄膜組件的曝光原版及曝光方法、以及半導體裝置或液晶顯示板的製造方法。

近年來，大規模積體電路（Large Scale Integrated circuit，LSI）的設計規則正推進向次四分之一微米（sub-quarter micron）的微細化，伴隨於此，正推進曝光光源的短波長化。即，曝光光源自基於水銀燈的g射線（436 nm）、i射線（365 nm）轉移為KrF準分子雷射（248 nm）、ArF準分子雷射（193 nm）等，進而研究有使用主波長13.5 nm的極紫外光（Extreme Ultra Violet Light，EUV光）的EUV曝光。

在LSI、超LSI等半導體製造或液晶顯示板的製造中，對半導體晶片或液晶用原板照射光來製作圖案，若此時使用的微影用光遮罩及標線（reticle）（以下，加以總稱而記述為“曝光原版”）附著有塵埃，則所述塵埃會吸收光，或者會使光彎曲，因此所轉印的圖案變形，或者邊緣粗雜，此外，還存在基底被染黑，尺寸、品質、外觀等受損的問題。

這些作業通常是於潔淨室（clean room）內進行，但即便如此，也難以使曝光原版始終保持潔淨。因此，通常採用於在曝光原版表面貼附防護薄膜組件作為除塵器後進行曝光的方法。此情況下，異物不會直接附著於曝光原版的表面，而是附著於防護薄膜組件上，因此，若在微影時使焦點在曝光原版的圖案上對焦，則防護薄膜組件上的異物便與轉印無關。

所述防護薄膜組件的基本結構為：在包含鋁或鈦等的防護薄膜框架的上端面張設相對於曝光中所使用的光而透過率高的防護膜，並且在下端面形成氣密用襯墊（gasket）。氣密用襯墊通常使用黏合劑層，並貼附有以保護所述黏合劑層為目的的保護片。防護膜包含使曝光中使用的光（基於水銀燈的g射線（436 nm）、i射線（365 nm）、KrF準分子雷射（248 nm）、ArF準分子雷射（193 nm）等）良好地透過的硝基纖維素、乙酸纖維素、氟系聚合物等，但在EUV曝光用途中，正在研究極薄矽膜或碳膜來作為防護膜。

防護薄膜組件的目的在於保護曝光原版以便異物不會附著於曝光原版，因此，對防護薄膜組件要求非常高的潔淨度。因此，在防護薄膜組件製造步驟中，需要在出貨前檢查防護膜、防護薄膜框架、黏合劑及保護片是否沒有附著異物。

通常，對防護薄膜框架的異物檢查是在暗室中將聚光照射到框架，並以目視檢測來自異物的散射光。或者，使用異物檢查裝置，對防護薄膜框架照射He-Ne雷射或半導體雷射，並利用半導體檢測器（電荷耦合器件（Charge Coupled Device，CCD））等檢測來自異物的散射光。

在專利文獻1中，提出有藉由降低框架內表面處的對於檢查光的反射率來提高檢查性。然而，即便減低反射率，存在於框架表面的凹部或凸部有時也會產生散射光，從而存在如下問題：難以判斷所偵測到的散射光是源自異物還是源自框架。

另外，由於EUV曝光是在高真空下進行，因此EUV用防護薄膜組件暴露在自大氣壓向真空、以及自真空向大氣壓的壓力變化中。此時，藉由設置於防護薄膜框架的通氣部而產生空氣的移動。在EUV用防護薄膜組件中，由於產生ArF用防護薄膜組件中不存在的防護薄膜組件內部的空氣的移動，因此附著於防護薄膜框架表面的異物落下至曝光原版的風險高。因此，在EUV用防護薄膜組件中，需要比ArF用防護薄膜組件更嚴格的異物檢查。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2001-249442號公報

[發明所要解決的問題] 本發明是鑒於所述情況而成，目的在於提供一種可防止源自框架的散射光、確實且容易地檢測到附著於框架表面的異物的防護薄膜框架、防護薄膜組件、帶防護薄膜組件的曝光原版及曝光方法、以及半導體裝置或液晶顯示板的製造方法。 [解決問題的技術手段]

本發明人獲得了如下見解：在具有設置防護膜的上端面以及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架中，對所述防護薄膜框架進行表面處理，以便在所述防護薄膜框架的內側面具有粗糙度曲線的峭度（Rku）為3.0以下的區域，結果，可抑制防護薄膜框架表面的尖銳部，可對所述防護薄膜框架表面的微小的異物進行檢查。通常，防護薄膜框架的表面粗糙度是由算術平均粗糙度Ra表示，但單純地減低Ra，也存在檢查性差的情況，本發明人藉由著眼於峭度（Rku）來代替所述表面粗糙度的指標，結果，發現可確實且容易地檢測到防護薄膜框架表面的異物，從而形成了本發明。

因此，本發明提供以下的防護薄膜框架、防護薄膜組件、帶防護薄膜組件的曝光原版及曝光方法、以及半導體裝置或液晶顯示板的製造方法。 1. 一種防護薄膜框架，其為具有設置防護膜的上端面以及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架，其特徵在於：在所述防護薄膜框架的內側面具有粗糙度曲線的峭度（Rku）為3.0以下的區域。 2. 根據所述1記載的防護薄膜框架，其中：粗糙度曲線的峭度（Rku）為3.0以下的區域是防護薄膜框架的內側面全部的區域或防護薄膜框架的表面全部的區域。 3. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：所述粗糙度曲線的峭度（Rku）為0.1以上。 4. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：在防護薄膜框架的至少內側面的一部分，平均粗糙度（Ra）為0.001～1.0的範圍。 5. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：在防護薄膜框架的至少內側面的一部分，均方根高度（Rq）為0.001～1.0的範圍。 6. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：對於檢查光的反射率為20%以下。 7. 根據所述6記載的防護薄膜框架，其中：檢查光的波長為550 nm。 8. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架是選自由鈦框架、鈦合金框架、鋁框架及鋁合金框架所組成的群組中。 9. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的厚度小於2.5 mm。 10. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的厚度為1.0 mm以上。 11. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：在防護薄膜框架的表面形成有氧化膜。 12. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的表面被黑色化。 13. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其中：防護薄膜框架的表面施加有物理性研磨或化學性研磨。 14. 根據所述1或2記載的防護薄膜框架，其為用於極紫外光用防護薄膜組件的防護薄膜框架。 15. 一種防護薄膜組件，包括：根據所述1記載的防護薄膜框架、以及經由黏合劑或黏接劑而設置於所述防護薄膜框架的一端面的防護膜。 16. 根據所述15記載的防護薄膜組件，其中：防護膜是設置於防護薄膜框架的上端面。 17. 根據所述15或16記載的防護薄膜組件，其中：防護膜為矽膜或碳膜。 18. 根據所述15或16記載的防護薄膜組件，其中：防護薄膜組件的高度為2.5 mm以下。 19. 根據所述15或16記載的防護薄膜組件，其在真空下或減壓下的曝光中使用。 20. 根據所述15或16記載的防護薄膜組件，其使用於極紫外光曝光。 21. 一種帶防護薄膜組件的曝光原版，其特徵在於：在曝光原版裝設有根據所述15記載的防護薄膜組件。 22. 根據所述21記載的帶防護薄膜組件的曝光原版，其中：曝光原版為極紫外光用曝光原版。 23. 根據所述21記載的帶防護薄膜組件的曝光原版，其為用於極紫外光微影的帶防護薄膜組件的曝光原版。 24. 一種曝光方法，其特徵在於：藉由根據所述21記載的帶防護薄膜組件的曝光原版進行曝光。 25. 根據所述24記載的曝光方法，其中：曝光的光源為發出極紫外光的曝光光源。 26. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於：使用根據所述21記載的帶防護薄膜組件的曝光原版，在真空下或減壓下對基板進行曝光。 27. 根據所述26記載的半導體裝置的製造方法，其中：曝光的光源為發出極紫外光的曝光光源。 28. 一種液晶顯示板的製造方法，其特徵在於：使用根據所述21記載的帶防護薄膜組件的曝光原版，在真空下或減壓下對基板進行曝光。 29. 根據所述28記載的液晶顯示板的製造方法，其中：曝光的光源為發出極紫外光的曝光光源。 [發明的效果]

本發明的防護薄膜框架及防護薄膜組件可防止源自框架的散射光、確實且容易地檢測到附著於框架表面的異物，可提供檢查性良好的防護薄膜框架及防護薄膜組件。另外，藉由使用所述防護薄膜組件，在包括使用帶防護薄膜組件的曝光原版對基板進行曝光的步驟的半導體裝置或液晶顯示板的製造系統中非常有用。

以下，對本發明，更詳細地進行說明。 本發明的防護薄膜框架為具有設置防護膜的上端面以及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架。

防護薄膜框架若為框狀，則其形狀與裝設防護薄膜組件的光遮罩的形狀對應。通常為四邊形（長方形或正方形）框狀。關於防護薄膜框架的角部（邊緣部）的形狀，可保持原樣而為有角（尖銳）的形狀，或者也可實施R倒角或C倒角等倒角而為曲線形狀等其他形狀。

另外，在防護薄膜框架，存在用於設置防護膜的面（此處設為上端面）、以及裝設光遮罩時面向光遮罩的面（此處設為下端面）。

通常，在防護薄膜框架的上端面，經由黏接劑等而設置防護膜，且在下端面設置用於將防護薄膜組件裝設到光遮罩的黏合劑等，但並不限於此。

防護薄膜框架的材質並無限制，可使用公知的材質。在EUV用途的防護薄膜框架中，由於有暴露於高溫下的可能性，因此優選為熱膨脹係數小的材料。例如，可列舉Si、SiO ₂、SiN、石英、因瓦合金（invar）、鈦、鈦合金、鋁、鋁合金等。其中，就加工容易性或輕量的方面而言，優選為選自由鈦、鈦合金、鋁及鋁合金所組成的群組中。另外，就低熱膨脹係數的觀點而言，優選為選自鈦或鈦合金中。

防護薄膜框架的尺寸並無特別限定，在EUV用防護薄膜組件的高度被限制為2.5 mm以下的情況下，EUV用途的防護薄膜框架的厚度優選為比其小而小於2.5 mm。尤其是，若考量到防護膜或遮罩黏合劑等的厚度，則EUV用途的防護薄膜框架的厚度優選為1.5 mm以下。另外，所述防護薄膜框架的厚度的下限值優選為1.0 mm以上。

在本發明的防護薄膜框架中，例如，實施所述防護薄膜框架的表面處理，以便在所述防護薄膜框架的內側面具有粗糙度曲線的峭度（Rku）為3.0以下的區域。關於所述表面處理的方法，並無特別限制，可使用物理性研磨（基於手工作業的金屬磨光、拋光研磨、機械化學研磨、噴磨（blast）處理等）或化學性研磨（化學研磨或電解研磨等），也可將這些研磨方法加以組合。在這些研磨方法中，藉由適宜地使研磨材料種類、研磨材料粒徑、研磨時間等研磨條件發生變化，可調整Rku的值。另外，在本發明中，粗糙度曲線的峭度（Rku）為3.0以下的區域只要存在於防護薄膜框架的內側面的一部分即可。就製造效率的觀點而言，可對防護薄膜框架進行表面處理，以便優選為在內側面的全部、更優選為在框架表面全部（即、框架的上端面、下端面、內側面及外側面的全部表面）中將Rku值設為3.0以下。此情況下，防護薄膜框架中也可局部不進行表面處理。

另外，在本發明中，關於所述峭度（Rku），為3.0以下，優選為2.9以下，更優選為2.8以下，特別優選為2.7以下。下限值並無特別限制，優選為0.1，更優選為0.5。

峭度（Rku）的測定方法是由日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）B 0601：2013規定。峭度（Rku）是指表面銳度的尺度即峰度，表示高度分佈的峰態（銳度）。若峭度（Rku）的值為3.0，則表示正態分佈，若大於3.0，則是指成為高度分佈尖銳的形狀，若小於3.0，則是指成為表面凹凸的高度分佈圓鈍的形狀。

峭度（Rku）是根據以下式子來算出。即，峭度（Rku）為藉由粗糙度曲線的Rq（均方根粗糙度）的4次方來進行無量綱化而成的基準長度中的Z（x）的4次方的平均值，且強烈受到表面凹凸的突出的峰或谷的影響。 [數式1]

（Rq：均方根粗糙度，l：基準長度）

作為所述峭度（Rku）的測定方法，例如可使用市售的三維（three dimensions，3D）測定雷射顯微鏡，並藉由由所述測定機獲得的測定剖面曲線來測定峭度（Rku）。作為此種測定機，例如可列舉製品名“LEST OLS4000”（奧林巴斯（Olympus）公司製造）或製品名“VK-X1000”（基恩士（keyence）公司製造）。

另外，作為所述峭度（Rku）以外的表面粗糙度的指標，可列舉平均粗糙度（Ra）及均方根高度（Rq）。在本發明中，並無特別限制，在防護薄膜框架的至少內側面的一部分，Ra優選為0.001～1.0的範圍，另外，Rq優選為0.001～1.0的範圍。關於這些Ra及Rq的值，也可根據JIS B 0601：2013的規定進行測定，可利用製品名“LEST OLS4000”（奧林巴斯（Olympus）公司製造）或製品名“VK-X1000”（基恩士（keyence）公司製造）等測定機進行測定。

另外，為了進一步提高檢查性，也可對框架進行著色，減低對於檢查光的反射率。此情況下，對於檢查光的反射率優選為20%以下。著色方法並無限制，由於不需要添加其他物質，因此優選為藉由陽極氧化等在表面形成氧化膜，並藉由干涉色使其顯色。

另外，通常，在防護薄膜框架的側面，設置有在進行處理（handling）或將防護薄膜組件自光遮罩剝離時所使用的夾具孔。夾具孔的大小是指防護薄膜框架的厚度方向上的長度（在為圓形時為直徑），優選為0.5 mm～1.0 mm。孔的形狀並無限制，可為圓形或矩形。

另外，在防護薄膜框架，也可設置通氣部，為了防止異物侵入到通氣部，可設置過濾器。再者，在防護薄膜框架的表面（即，框架的上端面、下端面、內側面及外側面的任意部位），也可設置無機膜或有機膜。

本發明的防護薄膜組件經由黏合劑或黏接劑而在防護薄膜框架的上端面設置防護膜。黏合劑或黏接劑的材料並無限制，可使用公知的材料。為了強力地保持防護膜，優選為黏接力強的黏合劑或黏接劑。

關於所述防護膜的材質，並無特別限制，優選為曝光光源的波長下的透過率高且耐光性高的材質。例如，針對EUV曝光而使用極薄矽膜或碳膜等。作為這些碳膜，例如可列舉：石墨烯、類鑽碳、碳納米管等膜。所述防護膜並不僅限定於薄膜，也可採用包括對防護膜進行支撐的支撐框的膜。例如，可採用如下方法：在矽晶片上形成防護膜，僅對用作防護膜的部位進行背面蝕刻而去除矽晶片，由此製作防護膜。此情況下，防護膜可在由矽框支撐的狀態下獲得。

進而，在防護薄膜框架的下端面，形成用於裝設於光遮罩的遮罩黏合劑。通常，遮罩黏合劑優選為遍及防護薄膜框架的整周來設置。

作為所述遮罩黏合劑，可使用公知的黏合劑，可適宜地使用丙烯酸系黏合劑或矽酮系黏合劑。黏合劑也可視需要被加工成任意形狀。

在所述遮罩黏合劑的下端面，也可貼附用於保護黏合劑的脫模層（隔離膜（separator））。脫模層的材質並無特別限制，例如可使用：聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene，PTFE）、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物（tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer，PFA）、聚乙烯（polyethylene，PE）、聚碳酸酯（Polycarbonate，PC）、聚氯乙烯（polyvinyl chloride，PVC）、聚丙烯（polypropylene，PP）等。另外，視需要，也可在脫模層的表面塗布矽酮系脫模劑或氟系脫模劑等脫模劑。再者，關於防護薄膜組件向光遮罩的裝設，除了可利用遮罩黏合劑以外，也可利用物理性固定手段進行固定。作為所述固定手段，可列舉螺釘、螺栓、螺母、鉚釘、鍵、銷等。也可將遮罩黏合劑與物理性固定手段加以並用。

此處，圖1中示出本發明的防護薄膜框架1的一例，符號11表示防護薄膜框架的內側面，符號12表示防護薄膜框架的外側面，符號13表示防護薄膜框架的上端面，符號14表示防護薄膜框架的下端面。再者，通常，在防護薄膜框架的長邊側設置用於將防護薄膜組件自光遮罩剝離的夾具孔，但在圖1中並未特別地進行圖示。

圖2是表示防護薄膜組件10的圖，利用黏接劑4而在防護薄膜框架1的上端面黏接、張設防護膜2。另外，在防護薄膜框架1的下端面，利用黏合劑5以能夠剝離的方式黏接於光遮罩3，保護光遮罩3上的圖案面。

本發明的防護薄膜組件不僅可作為用於在EUV曝光裝置內抑制異物附著於曝光原版的保護構件，而且還可作為在曝光原版的保管時或在曝光原版的搬運時用於保護曝光原版的保護構件。將防護薄膜組件裝設於光遮罩等曝光原版並製造帶防護薄膜組件的曝光原版的方法除了存在利用所述遮罩黏合劑進行貼附的方法以外，還存在靜電吸附法、進行機械性固定的方法等。

本實施形態的半導體裝置或液晶顯示板的製造方法包括利用所述帶防護薄膜組件的曝光原版對基板（半導體晶片或液晶用原板）進行曝光的步驟。例如，在作為半導體裝置或液晶顯示板的製造步驟之一的微影步驟中，為了在基板上形成與積體電路等對應的光致抗蝕劑圖案，而在步進器設置所述帶防護薄膜組件的曝光原版進行曝光。通常，在EUV曝光中，使用EUV光被曝光原版反射並被引導至基板的投影光學系統，這些是在減壓或真空下進行。由此，假設即便在微影步驟中異物附著於防護薄膜組件上，這些異物也不會在塗布有光致抗蝕劑的晶片上成像，因此可防止由異物的像引起的積體電路等的短路或斷線等。因此，藉由使用帶防護薄膜組件的曝光原版，可提高微影步驟中的良率。 [實施例]

以下，示出實施例及比較例，具體說明本發明，但本發明不受下述實施例的限制。

[實施例1] 製作鈦製防護薄膜框架（外形尺寸150 mm×118 mm×1.5 mm，框架寬度4.0 mm）。對於鈦製框架表面（框架的上端面、下端面、內側面及外側面的全部表面），利用砂紙（sand paper）（粒度1,000）去除表面的加工傷痕後，藉由手工作業利用金屬磨光粉（日本研磨工業（股）製造的皮卡魯（PIKAL）液）進行研磨。藉由利用純水與中性洗劑的超音波清洗對所述防護薄膜框架進行清洗，在所述框架的上端面，以成為寬度1 mm、厚度0.1 mm的方式塗布對矽酮黏合劑（信越化學工業（股）製造的X-40-3264）100質量份加入1質量份的硬化劑（信越化學工業（股）製造的PT-56）並進行攪拌而成的材料作為防護膜黏接劑。另外，在框架的下端面，遍及整周，以成為寬度1 mm、厚度0.1 mm的方式塗布對丙烯酸黏合劑（綜研化學（股）製造的SK戴恩（SK-Dyne）1495）100質量份加入0.1質量份的硬化劑（綜研化學（股）製造的L-45）並進行攪拌而成的材料來作為遮罩黏合劑。其後，將防護薄膜框架在90℃下加熱12小時，使上下端面的防護膜黏接劑及遮罩黏合劑硬化。繼而，使作為防護膜的極薄矽膜壓接於形成於框架的上端面的防護膜黏接劑，從而完成防護薄膜組件。

[實施例2] 製作鈦製框架後，進行利用噴砂裝置進行的噴磨處理來代替利用砂紙進行的表面的加工傷痕的去除，並進行化學研磨處理來代替利用金屬磨光粉進行的研磨，除此以外，與實施例1同樣地完成防護薄膜組件。此處所使用的噴砂條件及化學研磨處理條件為以下條件。 ＜噴砂條件＞ ·研磨劑：不二製作所（股）製造的玻璃珠粒（中心粒徑≦30 μm） ·噴出壓力：7 kgf/cm ²·時間：30秒 ＜化學研磨處理條件＞ ·藥液：佐佐木化學藥品（股）製造的“艾斯庫林（S-CLEAN）S-22” ·溫度：30℃ ·處理時間：10秒

[實施例3] 緊接著化學研磨處理，藉由陽極氧化而著色為紫色，除此以外，與實施例2同樣地完成防護薄膜組件。

[實施例4] 代替鈦製防護薄膜框架而製作鋁合金製的防護薄膜框架，進行與實施例2為相同條件的噴磨處理來代替利用砂紙進行的表面的加工傷痕的去除，並進行陽極氧化、黑色染色及封孔處理而在表面形成黑色的氧化被膜來代替利用金屬磨光粉進行的研磨，除此以外，與實施例1同樣地完成防護薄膜組件。

[比較例1] 進行與實施例2為相同條件的噴磨處理來代替利用砂紙進行的表面的加工傷痕的去除，並藉由陽極氧化而著色為紫色來代替利用金屬磨光粉進行的研磨，除此以外，與實施例1同樣地完成防護薄膜組件。

[比較例2] 進行與實施例2為相同條件的化學研磨處理來代替利用金屬磨光粉進行的研磨，除此以外，與實施例1同樣地完成防護薄膜組件。

對於實施例1～實施例4以及比較例1及比較例2中所獲得的防護薄膜組件，實施目視檢查及表面粗糙度測定。另外，使用利用與實施例1～實施例4以及比較例1及比較例2相同的框架的材質、並對所述材質實施表面處理而成的樣件（sample piece），實施各樣品的反射率測定。

[反射率測定] 準備3 cm×3 cm、厚度5 mm的樣件，實施與實施例1～實施例4以及比較例1及比較例2相同的表面處理，準備樣品。使用“分光光度計V-780”（日本分光（股）製造，型號名）測定550 nm的反射率。

[表面粗糙度測定] 使用3D測定雷射顯微鏡“LEXT OLS4000”（奧林巴斯（Olympus）（股）製造，型號名）在以下的條件下測定各例的防護薄膜組件的框架各邊內側面的中央部4點（圖1的符號P、P、P、P）處的、算術平均粗糙度Ra、均方根高度Rq及峭度（Rku）。 ＜LEXT OLS4000 測定條件＞ ·評價長度：4 mm ·截止值：λc 800 μm、λs 2.5 μm、無λf ·濾波器：高斯濾波器（Gaussian filter） ·分析參數：粗糙度參數 ·接物鏡：×50

[目視檢查] 使20 μm的標準粒子附著於所獲得的防護薄膜組件的內壁面的一部分，在暗室中一邊照射聚光燈，一邊根據下述基準評價異物的檢查性的好壞。 ＜判定基準＞ ○：在並未附著粒子的部分未確認到散射光，確認到僅附著粒子的部分的散射光。 ×：在並未附著粒子的部分也確認到散射光。

[表1]

	反射率 （%）	Ra （μm）	Rq （μm）	Rku	目視檢查
實施例1	44	0.39	0.49	2.8	○
實施例2	44	0.34	0.42	2.8	○
實施例3	5	0.34	0.42	2.7	○
實施例4	5	0.65	0.81	2.9	○
比較例1	5	0.63	0.83	5.3	×
比較例2	44	0.24	0.31	3.4	×

根據所述表1的結果，考察下述方面。 比較例1及比較例2的防護薄膜框架中，雖然為低反射率或算術平均粗糙度Ra小，但峭度（Rku）超過3，結果，得知基於目視的異物檢查性差。 另一方面，關於框架表面的峭度（Rku）為3以下的實施例1～實施例4的防護薄膜框架，得知與反射率或粗糙度曲線的其他高度參數即Ra或Rq的值的大小無關，基於目視的異物檢查性良好。

1:防護薄膜框架 2:防護膜 3:光遮罩 4:防護膜黏接劑 5:遮罩黏合劑 10:防護薄膜組件 11:防護薄膜框架的內側面 12:防護薄膜框架的外側面 13:防護薄膜框架的上端面 14:防護薄膜框架的下端面 P:內側面的中央部

圖1是表示本發明的防護薄膜框架的一例的立體圖。 圖2是表示將本發明的防護薄膜組件裝設於光遮罩的形態的概略圖。

1:防護薄膜框架

11:防護薄膜框架的內側面

12:防護薄膜框架的外側面

13:防護薄膜框架的上端面

14:防護薄膜框架的下端面

P:內側面的中央部

Claims (1)

1. 一種防護薄膜框架，其為具有設置防護膜的上端面以及面向光遮罩的下端面的框狀的防護薄膜框架，其特徵在於：在所述防護薄膜框架的內側面具有粗糙度曲線的峭度（Rku）為3.0以下的區域。

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