JP6954498B1 - ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 - Google Patents
ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6954498B1 JP6954498B1 JP2021523086A JP2021523086A JP6954498B1 JP 6954498 B1 JP6954498 B1 JP 6954498B1 JP 2021523086 A JP2021523086 A JP 2021523086A JP 2021523086 A JP2021523086 A JP 2021523086A JP 6954498 B1 JP6954498 B1 JP 6954498B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellicle
- frame
- pellicle frame
- exposure
- original plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
1.ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームであって、該ペリクルフレームの内側面には、粗さ曲線のクルトシス(Rku)が3.0以下である領域を有することを特徴とするペリクルフレーム。
2.粗さ曲線のクルトシス(Rku)が3.0以下である領域は、ペリクルフレームの内側面全部の領域又はペリクルフレームの表面全部の領域である上記1記載のペリクルフレーム。
3.上記粗さ曲線のクルトシス(Rku)が、0.1以上である上記1又は2記載のペリクルフレーム。
4.ペリクルフレームの少なくとも内側面の一部において、平均粗さ(Ra)が0.001〜1.0の範囲である上記1又は2記載のペリクルフレーム。
5.ペリクルフレームの少なくとも内側面の一部において、二乗平均平方根高さ(Rq)が0.001〜1.0の範囲である上記1又は2記載のペリクルフレーム。
6.検査光に対する反射率が20%以下である上記1又は2記載のペリクルフレーム。
7.検査光の波長が550nmである上記6記載のペリクルフレーム。
8.ペリクルフレームの材料は、チタン、チタン合金、アルミニウム及びアルミニウム合金からなる群から選ばれる上記1又は2記載のペリクルフレーム。
9.ペリクルフレームの厚みが、2.5mm未満である上記1又は2記載のペリクルフレーム。
10.ペリクルフレームの厚みが、1.0mm以上である上記1又は2記載のペリクルフレーム。
11.ペリクルフレームの表面に酸化膜が形成されている上記1又は2記載のペリクルフレーム。
12.ペリクルフレームの表面が黒色化されている上記1又は2記載のペリクルフレーム。
13.ペリクルフレームの表面に物理的研磨又は化学的研磨が施されている上記1又は2記載のペリクルフレーム。
14.EUV用ペリクルに用いられるペリクルフレームである上記1又は2記載のペリクルフレーム。
15.上記1記載のペリクルフレームと、該ペリクルフレームの一端面に粘着剤又は接着剤を介して設けられるペリクル膜とを具備することを特徴とするペリクル。
16.ペリクル膜が、ペリクルフレームの上端面に設けられる上記15記載のペリクル。
17.ペリクル膜が、シリコン膜又は炭素膜である上記15又は16記載のペリクル。
18.ペリクルの高さが2.5mm以下である上記15又は16記載のペリクル。
19.真空下又は減圧下における露光に使用される上記15又は16記載のペリクル。
20.EUV露光に使用される上記15又は16記載のペリクル。
21.露光原版に、上記15記載のペリクルが装着されていることを特徴とするペリクル付露光原版。
22.露光原版が、EUV用露光原版である上記21記載のペリクル付露光原版。
23.EUVリソグラフィに用いられるペリクル付露光原版である上記21記載のペリクル付露光原版。
24.上記21記載のペリクル付露光原版によって露光が行われることを特徴とする露光方法。
25.露光の光源が、EUV光を発する露光光源である上記24記載の露光方法。
26.上記21記載のペリクル付露光原版を用いて、真空下又は減圧下において基板を露光する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
27.露光の光源が、EUV光を発する露光光源である上記26記載の半導体装置の製造方法。
28.上記21記載のペリクル付露光原版を用いて、真空下又は減圧下において基板を露光する工程を備えることを特徴とする液晶表示板の製造方法。
29.露光の光源が、EUV光を発する露光光源である上記28記載の液晶表示板の製造方法。
本発明のペリクルフレームは、ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームである。
チタン製のペリクルフレーム(外寸150mm×118mm×1.5mm、フレーム幅4.0mm)を作製した。チタン製のフレーム表面(フレームの上端面、下端面、内側面及び外側面の全表面)を、サンドペーパー(粒度1,000)で表面の加工キズを除去した後、手作業により金属磨き粉(日本研磨工業(株)製のピカール液)で研磨した。このペリクルフレームを純水と中性洗剤による超音波洗浄により洗浄し、該フレームの上端面には、ペリクル膜接着剤としてシリコーン粘着剤(信越化学工業(株)製X−40−3264)100質量部に硬化剤(信越化学工業(株)製PT−56)を1質量部加えて撹拌した材料を、幅1mm、厚み0.1mmになるよう塗布した。また、フレームの下端面には、マスク粘着剤として、アクリル粘着剤(綜研化学(株)製SKダイン1495)100質量部に硬化剤(綜研化学(株)製L−45)を0.1質量部加えて撹拌した材料を、全周に亘り幅1mm、厚み0.1mmになるよう塗布した。その後、ペリクルフレームを90℃で12時間加熱して、上下端面のペリクル膜接着剤及びマスク粘着剤を硬化させた。続いて、ペリクル膜として極薄シリコン膜を、フレームの上端面に形成したペリクル膜接着剤に圧着させて、ペリクルを完成させた。
チタン製フレームを作製した後、サンドペーパーによる表面の加工キズの除去に代えてサンドブラスト装置によるブラスト処理を行い、金属磨き粉による研磨に代えて化学研磨処理を行った以外は実施例1と同様にしてペリクルを完成させた。ここで使用したサンドブラスト条件及び化学研磨処理条件は以下である。
〈サンドブラスト条件〉
・研磨剤:(株)不二製作所製のガラスビーズ(中心粒径≦30μm)
・吐出圧:7kgf/cm2
・時間:30秒
〈化学研磨処理条件〉
・薬液:佐々木化学薬品(株)製の「エスクリーンS-22」
・温度:30℃
・処理時間:10秒
化学研磨処理に続いて陽極酸化により紫色に着色した以外は実施例2と同様にしてペリクルを完成させた。
チタン製のペリクルフレームの代わりにアルミニウム合金製のペリクルフレームを作製し、サンドペーパーによる表面の加工キズの除去に代えて実施例2と同条件のブラスト処理を行い、金属磨き粉による研磨に代えて陽極酸化、黒色染色及び封孔処理して表面に黒色の酸化被膜を形成した以外は実施例1と同様にしてペリクルを完成させた。
サンドペーパーによる表面の加工キズの除去に代えて実施例2と同条件のブラスト処理を行い、金属磨き粉による研磨に代えて陽極酸化により紫色に着色した以外は実施例1と同様にしてペリクルを完成させた。
金属磨き粉による研磨に代えて実施例2と同条件の化学研磨処理を行った以外は実施例1と同様にしてペリクルを完成させた。
3cm×3cm、厚み5mmのサンプルピースを準備し、実施例1〜4並びに比較例1及び2と同様の表面処理を施し、サンプルを準備した。「分光光度計V−780」(日本分光(株)製、型式名)を用いて、550nmの反射率を測定した。
各例のペリクルのフレーム各辺内側面の中央部4点(図1の符号P,P,P,P)における、算術平均粗さRa、二乗平均平方根高さRq及びクルトシス(Rku)を3D測定レーザー顕微鏡「LEXT OLS4000」(オリンパス(株)製、型式名)を用いて以下の条件で測定した。
<LEXT OLS4000 測定条件>
・評価長さ:4mm
・カットオフ:λc 800μm、λs 2.5μm、λf なし
・フィルタ:ガウシアンフィルタ
・解析パラメータ:粗さパラメータ
・対物レンズ:×50
得られたペリクルの内壁面に20μmの標準粒子を一部分に付着させ、暗室にて集光ランプを照射しながら、異物の検査性の良否について下記の基準により評価した。
〈判定基準〉
〇:粒子が付着していない部分では散乱光は確認されず、粒子が付着する部分のみ散乱光を確認した。
×:粒子が付着していない部分においても散乱光を確認した。
比較例1及び比較例2のペリクルフレームは、低反射率あるいは算術平均粗さRaが小さいものではあるが、クルトシス(Rku)が3を超えてしまい、その結果として、目視による異物検査性が悪いことが分かる。
一方、フレーム表面のクルトシス(Rku)が3以下である実施例1〜4のペリクルフレームについては、反射率や粗さ曲線の別の高さパラメータであるRaやRqの値の大小に関係なく、目視による異物検査性が良好であることが分かる。
2 ペリクル膜
3 フォトマスク
4 ペリクル膜接着剤
5 マスク粘着剤
10 ペリクル
P 内側面の中央部
Claims (19)
- ペリクル膜を設ける上端面とフォトマスクに面する下端面とを有する枠状のペリクルフレームであって、該ペリクルフレームの内側面には、粗さ曲線のクルトシス(Rku)が3.0以下である領域を有することを特徴とするペリクルフレーム。
- 粗さ曲線のクルトシス(Rku)が3.0以下である領域は、ペリクルフレームの内側面全部の領域又はペリクルフレームの表面全部の領域である請求項1記載のペリクルフレーム。
- 上記粗さ曲線のクルトシス(Rku)が、0.1以上である請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- ペリクルフレームの少なくとも内側面の一部において、平均粗さ(Ra)が0.001〜1.0の範囲である請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- ペリクルフレームの少なくとも内側面の一部において、二乗平均平方根高さ(Rq)が0.001〜1.0の範囲である請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- 検査光に対する反射率が20%以下である請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- 検査光の波長が550nmである請求項6記載のペリクルフレーム。
- ペリクルフレームの材料は、チタン、チタン合金、アルミニウム及びアルミニウム合金からなる群から選ばれる請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- ペリクルフレームの厚みが、2.5mm未満である請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- EUV用ペリクルに用いられるペリクルフレームである請求項1又は2記載のペリクルフレーム。
- 請求項1記載のペリクルフレームと、該ペリクルフレームの一端面に粘着剤又は接着剤を介して設けられるペリクル膜とを具備することを特徴とするペリクル。
- 真空下又は減圧下における露光に使用される請求項11記載のペリクル。
- EUV露光に使用される請求項11又は12記載のペリクル。
- 露光原版に、請求項11記載のペリクルが装着されていることを特徴とするペリクル付露光原版。
- 請求項14記載のペリクル付露光原版によって露光が行われることを特徴とする露光方法。
- 露光の光源が、EUV光を発する露光光源である請求項15記載の露光方法。
- 上記露光が、真空下又は減圧下において行われる請求項15又は16記載の露光方法。
- 請求項14記載のペリクル付露光原版を用いて、真空下又は減圧下において基板を露光する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14記載のペリクル付露光原版を用いて、真空下又は減圧下において基板を露光する工程を備えることを特徴とする液晶表示板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021157022A JP2022000709A (ja) | 2020-02-04 | 2021-09-27 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020016970 | 2020-02-04 | ||
JP2020016970 | 2020-02-04 | ||
PCT/JP2021/003614 WO2021157539A1 (ja) | 2020-02-04 | 2021-02-02 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021157022A Division JP2022000709A (ja) | 2020-02-04 | 2021-09-27 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021157539A1 JPWO2021157539A1 (ja) | 2021-08-12 |
JP6954498B1 true JP6954498B1 (ja) | 2021-10-27 |
Family
ID=77200227
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021523086A Active JP6954498B1 (ja) | 2020-02-04 | 2021-02-02 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 |
JP2021157022A Pending JP2022000709A (ja) | 2020-02-04 | 2021-09-27 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021157022A Pending JP2022000709A (ja) | 2020-02-04 | 2021-09-27 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230135575A1 (ja) |
EP (1) | EP4102296A4 (ja) |
JP (2) | JP6954498B1 (ja) |
KR (1) | KR20220137023A (ja) |
CN (2) | CN215449882U (ja) |
TW (3) | TWM618015U (ja) |
WO (1) | WO2021157539A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202328808A (zh) * | 2021-11-01 | 2023-07-16 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 防塵薄膜組件框架、防塵薄膜組件、帶有防塵薄膜組件的曝光原版及防塵薄膜組件的製造方法 |
WO2023149056A1 (ja) * | 2022-02-04 | 2023-08-10 | 日本軽金属株式会社 | 光学部材及びその製造方法 |
WO2024009976A1 (ja) * | 2022-07-06 | 2024-01-11 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム、ペリクル及びペリクル付露光原版、並びにペリクルフレームの製造方法、露光方法、半導体装置の製造方法及び液晶表示板の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11167198A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィー用ペリクル |
JP2002323752A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
JP2003222990A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-08-08 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクルのフォトマスクへの装着構造 |
JP2005292623A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
JP2016200616A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル用フレーム及びそれを用いたペリクル |
JP2017151427A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 旭硝子株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスクブランクの製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001249442A (ja) | 2000-03-07 | 2001-09-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体リソグラフィ用ペリクル |
JP2002202589A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Mitsui Chemicals Inc | ペリクル |
JP6008784B2 (ja) * | 2013-04-15 | 2016-10-19 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム及びその製作方法とペリクル |
JP6347741B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-06-27 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル |
JP6551837B2 (ja) * | 2015-08-17 | 2019-07-31 | 三井化学株式会社 | ペリクルフレーム、及びこれを含むペリクル |
US20170090278A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-03-30 | G-Force Nanotechnology Ltd. | Euv pellicle film and manufacturing method thereof |
KR101900720B1 (ko) * | 2017-11-10 | 2018-09-20 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법 |
-
2021
- 2021-02-02 US US17/796,145 patent/US20230135575A1/en active Pending
- 2021-02-02 KR KR1020227027691A patent/KR20220137023A/ko active Search and Examination
- 2021-02-02 WO PCT/JP2021/003614 patent/WO2021157539A1/ja unknown
- 2021-02-02 TW TW110201301U patent/TWM618015U/zh unknown
- 2021-02-02 JP JP2021523086A patent/JP6954498B1/ja active Active
- 2021-02-02 TW TW110103895A patent/TWI770802B/zh active
- 2021-02-02 CN CN202120288860.5U patent/CN215449882U/zh active Active
- 2021-02-02 CN CN202180011703.2A patent/CN115023651A/zh active Pending
- 2021-02-02 TW TW111120791A patent/TW202238261A/zh unknown
- 2021-02-02 EP EP21750061.0A patent/EP4102296A4/en active Pending
- 2021-09-27 JP JP2021157022A patent/JP2022000709A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11167198A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | リソグラフィー用ペリクル |
JP2002323752A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
JP2003222990A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-08-08 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクルのフォトマスクへの装着構造 |
JP2005292623A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
JP2016200616A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル用フレーム及びそれを用いたペリクル |
JP2017151427A (ja) * | 2016-02-24 | 2017-08-31 | 旭硝子株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスクブランクの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4102296A4 (en) | 2024-03-20 |
JP2022000709A (ja) | 2022-01-04 |
CN115023651A (zh) | 2022-09-06 |
US20230135575A1 (en) | 2023-05-04 |
TW202238261A (zh) | 2022-10-01 |
TWI770802B (zh) | 2022-07-11 |
WO2021157539A1 (ja) | 2021-08-12 |
KR20220137023A (ko) | 2022-10-11 |
TWM618015U (zh) | 2021-10-11 |
EP4102296A1 (en) | 2022-12-14 |
JPWO2021157539A1 (ja) | 2021-08-12 |
TW202147021A (zh) | 2021-12-16 |
CN215449882U (zh) | 2022-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6954498B1 (ja) | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 | |
US11971655B2 (en) | Pellicle frame and pellicle | |
JP2022066486A (ja) | ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法 | |
KR20100087619A (ko) | 리소그래피용 펠리클 | |
JP5304622B2 (ja) | リソグラフィ用ペリクル | |
JP6632057B2 (ja) | ペリクル | |
WO2021149602A1 (ja) | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクルの検査方法、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体又は液晶表示板の製造方法 | |
JP2003057804A (ja) | リソグラフィ用ペリクル | |
TWI440971B (zh) | 防塵薄膜組件框架 | |
WO2024009976A1 (ja) | ペリクルフレーム、ペリクル及びペリクル付露光原版、並びにペリクルフレームの製造方法、露光方法、半導体装置の製造方法及び液晶表示板の製造方法 | |
JP2011107519A (ja) | リソグラフィ用ペリクル | |
JP2001249442A (ja) | 半導体リソグラフィ用ペリクル | |
WO2023074899A1 (ja) | ペリクルフレーム及びペリクル | |
TW202417983A (zh) | 防護膜框架、防護膜及帶防護膜的曝光原版、以及防護膜框架的製造方法、曝光方法、半導體裝置的製造方法以及液晶顯示面板的製造方法 | |
JP2024054261A (ja) | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版、露光方法及び半導体の製造方法 | |
TW202420478A (zh) | 防塵薄膜框架及防塵薄膜組件 | |
JPH11167196A (ja) | リソグラフィー用ペリクル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210512 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210831 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210913 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6954498 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R157 | Certificate of patent or utility model (correction) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R157 |