JP2005292623A - ペリクル - Google Patents
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Abstract
【課題】 F2レーザ光等により接着剤及びシール剤が分解されにくく、接着剤の硬化光及び洗浄光の透過率が高い、合成石英ガラス製のペリクルを提供する。
【解決手段】 ペリクルを形成するペリクルフレーム10を、酸素欠乏型欠陥の濃度が0.2×1015〜7.0×1015ヶ/cm3である合成石英ガラスで構成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 ペリクルを形成するペリクルフレーム10を、酸素欠乏型欠陥の濃度が0.2×1015〜7.0×1015ヶ/cm3である合成石英ガラスで構成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、集積回路の製造工程で使用されるフォトマスクまたはレチクル(以下、これらを併せてマスクという)に異物付着防止の目的で装着されるペリクル、特にF2レーザー(波長157.6nm)等の短波長の光源を用いる光リソグラフィに好適なペリクルに関する。
集積回路の製造工程で使用される光リソグラフィ工程においては、マスクに付着している塵埃等の異物がウエハ上に転写されることを防止するため、マスクの片面又は両面に異物よけとしてのペリクルが装着される。
このペリクルは、平面状のペリクル板(合成石英ガラスなどからなる光線透過性防塵板)またはフッ素樹脂などからなるペリクル膜と、ペリクル板またはペリクル膜をマスクから離隔するために所定の厚みを持つペリクルフレームとからなり、ペリクルフレームの上面にペリクル板またはペリクル膜が接着され、容器状に形成されている。
近年、半導体デバイス製造プロセスでは、回路パターンの微細化による高集積化を図るために、光リソグラフィ工程で使用される露光光源の短波長化が進められている。例えば、リソグラフィ用ステッパの光源は、従来のg線(波長436nm、)、i線(波長365nm)から進んでKrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2レーザ(波長157.6nm)等のより短波長の光源が用いられようとしている。
上記F2レーザ等の短波長の光源を使用する場合には、フッ素樹脂などからなるペリクル膜では光学的エネルギーにより分解されるので、実際の露光で使用するエネルギーでのショット数、いいかえれば使用時間に対して充分な耐久性を持っていない。そこで、上記ペリクル膜に替わり合成石英ガラスなどからなるペリクル板が使用される。下記特許文献1にも、ペリクル板に合成石英ガラスを使用したぺリクルが開示されている。この場合、ペリクルフレームの材料として従来使用されていたアルミニウム等の金属を使用すると、ペリクル板との熱膨張率の相違からペリクル板が歪み、ペリクル板の複屈折が大きくなってウエハへの結像性が悪くなる。このため、ペリクルフレームにも合成石英ガラスを使用するのが好適である。
特開平8−160597号公報
しかし、上記従来の技術においては、F2レーザ光等の短波長の光がマスク表面やペリクル表面で反射し、マスクとペリクルとで形成された空間内に迷光が発生し、ペリクル板をペリクルフレームに接着する接着剤及びペリクルフレームとマスクとを貼り合わせる粘着性のシール剤がF2レーザ光等に暴露されて分解することによりゴミが発生し、粘着力も低下するという問題があった。
また、上記ペリクル板をペリクルフレームに接着する接着剤としては、紫外線硬化型の接着剤が使用されるが、短時間で十分な接着強度を得るためには、接着面に対して硬化光を様々な方向から照射する必要がある。このため、ペリクルフレームは、この硬化光である紫外線の透過率が高い方が好ましい。
さらに、ペリクルはその内部に保管や輸送のためのケースから発生した有機系成分を主体とした脱ガス成分や雰囲気中の水分あるいは接着剤が分解して発生したゴミ等が付着する場合があるので、これらを分解し、除去するためにキセノン(Xe)エキシマランプを洗浄光(波長172nm)として照射する。このため、ペリクルフレームは、この洗浄光の透過率が高い方が好ましい。
本発明は、上記従来の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、F2レーザ光等により接着剤及びシール剤が分解されにくく、接着剤の硬化光及び洗浄光の透過率が高い、合成石英ガラス製のペリクルを提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、ペリクルフレームとペリクルフレームの一方の面に接着された合成石英ガラス製のペリクル板とからなるペリクルであって、前記ペリクルフレームの材質が合成石英ガラスであり、該合成石英ガラス中の酸素欠乏型欠陥の濃度が0.2×1015〜7.0×1015ヶ/cm3であることを特徴とする。
また、上記ペリクルフレームの材質の合成石英ガラスは、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び遷移金属の合計含有量が100ppb以下であり、塩素の含有量が10ppm以下であるのが好適である。
本発明によれば、合成石英ガラス中の酸素欠乏型欠陥の濃度が0.2×1015〜7.0×1015ヶ/cm3であるので、F2レーザ光の透過率を低くでき、且つ接着剤の硬化光及び洗浄光の透過率を高くできる。
以下、本発明を実施するための最良の形態(以下、実施形態という)を、図面に従って説明する。
図1には、本発明にかかるペリクルの実施形態の斜視図が示される。また、図2には、図1のA−A’断面図が示される。図1及び図2において、合成石英ガラスで構成されたペリクルフレーム10に、合成石英ガラスで構成されたペリクル板12が接着剤14により接着され、ペリクルが形成されている。なお、説明の便宜のために、図1においてはペリクル板12を省略している。このペリクルフレーム10は、マスク16に粘着性のシール剤18により接着されて使用される。
ペリクルフレーム10の内側面20、外側面22、ペリクル板12との接着面24及びマスクとの接着面26は鏡面加工され、表面粗さRaが1.0nm以下であるのが望ましい。また、ペリクルフレーム10には、不活性ガス等の導入、排出を行う換気孔28が形成されており、ペリクル内部を不活性ガスで強制的に置換できる構成となっているが、この換気孔28の内面も鏡面加工されるのが望ましい。鏡面加工は、バフ研磨、両面研磨、レーザー加工等で行うことができる。このような鏡面加工を行うことにより、表面からマイクロクラックをなくすことができる。これにより、表面の欠落によるカレットの発生及び表面での異物のトラップを防止でき、表面からの発塵を抑制できる。
本発明者らは、以上に述べたペリクルを形成する際に、ペリクルフレーム10の材質である合成石英ガラス中の酸素欠乏型欠陥の濃度を0.2×1015〜7.0×1015ヶ/cm3、より好ましくは0.5×1015〜3.0×1015ヶ/cm3とすると、波長157.6nmのF2レーザ光の透過率を低くでき、且つ紫外線及びキセノンエキシマランプによる洗浄光の透過率を高くすることができることを見出した。このような合成石英ガラスをペリクルフレームの材料とすると、マスクとペリクルとで形成された空間内に発生するF2レーザ光の迷光を抑制できる。また、洗浄光の透過率が高いので、ペリクルの洗浄効果を高くでき、紫外線の透過率も高いので、短時間でペリクル板とペリクルフレームとを接着できる。
ここで、酸素欠乏型欠陥とは、合成石英ガラス中の構造式(≡Si−Si≡)で表される珪素同士の化学結合部分をいう。この酸素欠乏型欠陥の濃度は、合成石英ガラスを製造する際に、スート法によりSiCl4を酸水素火炎中で加水分解するときに発生する
(≡Si−OH)結合からOH基を加熱脱離させるための加熱条件を調整することにより制御できる。即ち、加熱温度が高く且つ加熱時間が長い程OH基の脱離が進行し、酸素欠乏型欠陥の濃度が高くなる。展型的にはOH基濃度は100ppm以下、特に10ppm以下となる。
(≡Si−OH)結合からOH基を加熱脱離させるための加熱条件を調整することにより制御できる。即ち、加熱温度が高く且つ加熱時間が長い程OH基の脱離が進行し、酸素欠乏型欠陥の濃度が高くなる。展型的にはOH基濃度は100ppm以下、特に10ppm以下となる。
また、合成石英ガラス中にアルカリ金属(Na,K,Li等)、アルカリ土類金属(Mg,Ca等)、遷移金属(Fe,Ni,Cr,Cu,Mo,W,Al,Ti,Ce等)等の金属不純物が含有されると、紫外域から真空紫外域における光透過率を低下させるとともに、耐光性も悪化させるので、その含有量は少ない方が好ましい。そこで、本実施形態にかかる合成石英ガラスでは、上記金属不純物の合計含有量が100ppb以下、特に好ましくは50ppb以下とされる。
さらに、合成石英ガラス中に塩素が含有されると光透過率を低下させるので、塩素の含有量は10ppm以下とするのが好適である。
以下に本発明の実施例を説明する。
以下の手順により、本実施例に係るペリクルを製造するための合成石英ガラスであって、酸素欠乏型欠陥の濃度が0.2×1015〜7.0×1015ヶ/cm3であるものを製造した。
まず、スート法によりSiCl4を酸水素火炎中で加水分解し、SiO2の微粒子を基材上に堆積させて400mmφ×長さ800mmの多孔質石英ガラス体を作製した。この多孔質石英ガラス体を水素ガス100%の雰囲気、10atmの圧力下で1000℃,50時間(実施例1)、または1000℃,70時間(実施例2)熱処理を行い、多孔質石英ガラス体の脱水(脱OH基)を実施した。
続いて、上記多孔質石英ガラス体につき、圧力10torr(1.3×102atm)以下の減圧下に保持した状態で、1275℃,50時間熱処理を行い、多孔質石英ガラス体中の水素の除去処理を行った。続いて、圧力10torr(1.3×102atm)以下の減圧下に保持した状態で1450℃まで昇温し、この温度で2時間保持し、透明石英ガラス体(160mmφ×長さ450mm)を作製した。
さらに、得られた透明石英ガラス体を、カーボン製発熱体を有する電気炉で軟化点以上の1750℃に加熱し、自重変形を起こさせて石英成型ガラス体(340mmφ×長さ100mm)を得た。
得られた石英成型ガラス体を340mmφ×厚さ40mmに切断し、これを電気炉内に設置し、徐冷点近傍である1250℃に加熱し、以降0.5℃/時間の冷却速度で徐冷を行い、炉内温度が950℃になったとき給電を中止して炉内を放冷した。
以上のようにして得た合成石英ガラス素材より、152mm×152mm×厚さ5.0mmの素板を切り出し、研削加工により厚さを3.5mmまで削った15枚の合成石英ガラスの試料を、上記実施例1及び実施例2についてそれぞれ作製した。この合成石英ガラス中のOH基濃度については後述する方法(評価方法1)にて測定し、また酸素欠乏型欠陥の濃度測定については、後述の方法(評価方法2)にて評価した。その結果、上記実施例1については酸素欠乏型欠陥の個数は6.0×1014ヶ/cm3であり、実施例2については5.0×1015ヶ/cm3であった。
その後、上記合成石英ガラスの板材を、市販のNC面取り機によりC0.3〜0.7になるように面取り加工を実施した。
次に、上述した工程で実施された切断により発生したクラック及び面取りにより発生したクラックの進行を止めるため、上記合成石英ガラスの板材を5重量%のHF溶液に3分間浸漬した。
次に、この合成石英ガラスの板材をスピードファム製20B両面ラップ機を使用し、研磨材としてFO#1200(商品名、フジミコーポレーション製)を濾過水に10〜12重量%懸濁させたスラリーを用い、3.25mmになるまでラップ加工を実施した。
さらに、ラップ後の板材に対して前述と同様の5重量%のHF溶液で3分間エッチング処理を行った。続いて、この板材をスピードファム製20B両面ポリシング機を用いて、酸化セリウムを主体としたスラリーとポリウレタンパッドで研磨し、上記実施例1及び実施例2についてそれぞれ厚さ3.20mmのペリクルフレーム用板材15枚を得た。この板材について、トロペル社製レーザー干渉式平坦度測定器FM200により平坦度を測定したところ、一方の面が0.38〜0.62μmであり、他方の面が0.46〜0.66μmであった。さらに、これらの試料の平行度を計測したところ、いずれの板材も1.00μm以下であった。これらの結果を元に、板材からエンドミルを用いて外寸144mm×124mm、内寸140mm×120mm(幅2mm)の長方型の枠体であり、各角部に半径5mmの丸みをつけたペリクルフレームを作製した。その後、未だ鏡面加工がされていない面、即ちペリクルフレームの内側面と外側面とにつき、バフ研磨により鏡面加工を行った。
次に、上記ペリクルフレームにフッ素系粘着剤を用いて、厚さ0.8mmで、ペリクルフレームの外寸に一致する平面形状のペリクル板を載置し、365nmの紫外光を3000Wで照射して接着した。このようにして作製したペリクルにキセノンランプを用いた洗浄(初期洗浄)を実施した後157.6nmの波長の光(F2レーザー光)の透過率を測定した(後述する評価方法3の(a))。また、ペリクルに157.6nmの波長の光を照射した後に157.6nmの波長の光の透過率を測定した(評価方法3の(b))。さらに、ペリクルにキセノンランプを用いた洗浄を再度実施(再洗浄)した後、157.6nmの波長の光の透過率を測定した(評価方法3の(c))。これらの結果が表1に示される。
また、上記ペリクルフレームの材料として使用した合成石英ガラスの板材について、157.6nmの波長の光及び172nmの波長の光の初期の内部透過率も測定した。その結果が表2に示される。
以上に述べた実施例に対する比較例を以下に説明する。
まず、上記実施例と同様にして作製した多孔質石英ガラス体を、水素ガス100%の雰囲気、10atmの圧力下で1000℃,10時間(比較例3)、または1000℃,100時間(比較例4)熱処理を行い、多孔質石英ガラス体の脱水(脱OH基)を実施した。比較例3は、脱OH基をあまり行わず、その結果酸素欠乏型欠陥の個数を実施例より少なくしたものであり、比較例4は、脱OH基を十分行って、酸素欠乏型欠陥の個数を実施例より多くしたものである。
以後、実施例と同じ工程により得た合成石英ガラス素材より、152mm×152mm×厚さ5.0mmの素板を切り出し、研削加工により厚さを3.5mmまで削った15枚の合成石英ガラスの試料を、上記比較例3及び比較例4についてそれぞれ作製した。この合成石英ガラス中のOH基濃度を後述する方法(評価方法1)にて測定し、また酸素欠乏型欠陥の濃度を後述の方法(評価方法2)にて評価した。その結果、上記比較例3については酸素欠乏型欠陥の個数は1.0×1014ヶ/cm3未満であり、比較例4については1.2×1016ヶ/cm3であった。
その後、実施例と同じ工程によりペリクルを作製し、実施例と同様に157.6nmの波長の光の透過率を測定した(評価方法3の(a),(b),(c))。これらの結果も表1に示される。
なお、本比較例にかかるペリクルフレームの材料として使用した合成石英ガラスの板材について、157.6nmの波長の光及び172nmの波長の光の初期の内部透過率も測定した。その結果が表2に示される。
上記表1から、実施例1,2のペリクルでは、キセノンランプの172nmの波長の光による初期洗浄後の光透過率が高く(評価○)、また157.6nmの波長の光を照射した後の透過率の低下率が比較例3より小さくなっている(評価○)。これは、キセノンランプによる初期洗浄によりペリクル内面に付着した有機物等が分解、除去され、またペリクルフレームにおける157.6nmの波長の光の透過率が小さく、迷光が発生しにくいので、ペリクル板をペリクルフレームに接着する接着剤等が分解されにくくなり、透過率を低下させる有機物が発生しにくいためである。
また、実施例1,2では、キセノンランプによる再洗浄後の透過率の回復率も十分確保できている(評価○)。これは、ペリクルフレームにおけるキセノンランプの波長172nmの光の透過率が高いためである。
これに対して、比較例3では、キセノンランプによる初期洗浄後及び再洗浄後の透過率は、いずれも高くなっているが(評価○)、157.6nmの波長の光を照射した後の透過率の低下率が大きい(評価×)。これは、比較例3では、157.6nmの波長の光の透過率も大きくなり、迷光が発生してペリクル板をペリクルフレームに接着する接着剤等が分解され、透過率を低下させる有機物が大量に発生したためである。
また、比較例4では、酸素欠乏型欠陥が非常に多く、157.6nmの波長の光及び172nmの波長の光の透過率が小さいので、接着剤等の分解が起こりにくいが、キセノンランプによる洗浄効果も小さくなってしまう。このため、キセノンランプによる初期洗浄後及び再洗浄後の透過率がいずれも低い値になっている(評価×)。
また、表2より、実施例1,2における合成石英ガラスでは、157.6nmの波長の光の内部透過率が小さく、172nmの波長の光の内部透過率が大きいという、本実施形態にかかるペリクルフレームの材料としての条件を、比較例よりもより良く満たしている。
評価方法1:OH基含有量評価
評価用試料の中央付近について、赤外線分光光度計による側提を行い、波長2.7μmにおける吸収ピークからOH基の含有量を求める(J.P.Williams et.al.,Ceramic.Bulletin,55(5),524,1976)。本方法における検出限界は1ppmである。
評価用試料の中央付近について、赤外線分光光度計による側提を行い、波長2.7μmにおける吸収ピークからOH基の含有量を求める(J.P.Williams et.al.,Ceramic.Bulletin,55(5),524,1976)。本方法における検出限界は1ppmである。
評価方法2:酸素欠乏型欠陥
試料の温度を25℃に保持した状態で真空紫外分光光度計(分光計器社製「UV201M」、以下同じ)を用いて、厚さ10mm及び厚さ30mmの2種類の試料について、波長163nmでの光透過率を測定し、それぞれの厚さの試料についての波長163nmの光の透過率T10及びT30より、下記(1)式により酸素欠乏型欠陥CODCを算出する。この方法による検出限界は1.0×1014である。
CODC=4.5×1015×ln(T10/T30)・・・(1)
試料の温度を25℃に保持した状態で真空紫外分光光度計(分光計器社製「UV201M」、以下同じ)を用いて、厚さ10mm及び厚さ30mmの2種類の試料について、波長163nmでの光透過率を測定し、それぞれの厚さの試料についての波長163nmの光の透過率T10及びT30より、下記(1)式により酸素欠乏型欠陥CODCを算出する。この方法による検出限界は1.0×1014である。
CODC=4.5×1015×ln(T10/T30)・・・(1)
評価方法3:透過率測定
(a)ペリクルにキセノンランプの光(波長172nm、照度10mw/cm2)を30分照射して洗浄し、その後真空紫外分光光度計を用いて、ペリクルの中心部における157.6nmの光の透過率を測定する。157.6nmの光の透過率が96%以上であれば評価良好(評価○)とした。
(a)ペリクルにキセノンランプの光(波長172nm、照度10mw/cm2)を30分照射して洗浄し、その後真空紫外分光光度計を用いて、ペリクルの中心部における157.6nmの光の透過率を測定する。157.6nmの光の透過率が96%以上であれば評価良好(評価○)とした。
(b)次に、ペリクル板の面に垂直に157.6nmの光を0.2mJ/cm2・1000Hzで30分間照射する。照射する範囲はペリクル板の外周から3mm内側の全面とする。その後、真空紫外分光光度計を用いて、ペリクルの中心部における157.6nmの光の透過率を測定する。157.6nmの光の照射前後において157.6nmの光の透過率の変動が1%未満であれば評価良好(評価○)とした。
(c)次に、ペリクルにキセノンランプの光を30分照射して再洗浄し、その後真空紫外分光光度計を用いて、ペリクルの中心部における157.6nmの光の透過率を測定する。157.6nmの光の透過率が97%以上であれば評価良好(評価○)とした。
10 ペリクルフレーム、12 ペリクル板、14 接着剤、16 マスク、18 シール剤、20 内側面、22 外側面、24,26 接着面、28 換気孔。
Claims (2)
- ペリクルフレームとペリクルフレームの一方の面に接着された合成石英ガラス製のペリクル板とからなるペリクルであって、前記ペリクルフレームの材質が合成石英ガラスであり、該合成石英ガラス中の酸素欠乏型欠陥の濃度が0.2×1015〜7.0×1015ヶ/cm3であることを特徴とするペリクル。
- 請求項1記載のペリクルにおいて、前記ペリクルフレームの材質の合成石英ガラスは、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び遷移金属の合計含有量が100ppb以下であり、塩素の含有量が10ppm以下であることを特徴とするペリクル。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010210974A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルの製造方法及びペリクル |
WO2021157539A1 (ja) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 |
US11703752B2 (en) * | 2018-02-22 | 2023-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of accelerated hazing of mask assembly |
-
2004
- 2004-04-02 JP JP2004109890A patent/JP2005292623A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010210974A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルの製造方法及びペリクル |
US11703752B2 (en) * | 2018-02-22 | 2023-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of accelerated hazing of mask assembly |
WO2021157539A1 (ja) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 |
JP6954498B1 (ja) * | 2020-02-04 | 2021-10-27 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 |
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