JP2016200616A - ペリクル用フレーム及びそれを用いたペリクル - Google Patents
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Abstract
Description
インバー:1×10−6
スーパーインバー:0.1×10−6
ステンレスインバー:0.1×10−6
コバール:5×10−6
石英ガラス:0.5×10−6
ホウケイ酸ガラス:5×10−6
ソーダ石灰ガラス:8×10−6
炭化ケイ素:4×10−6
窒化ケイ素:3×10−6
窒化ホウ素:1×10−6
窒化アルミニウム:5×10−6
酸化アルミニウム:6×10−6
アルミニウム:24×10−6
SUS304:17×10−6
はじめに、外形サイズ149mm×122mm×高さ5.8mm、肉厚2mmで、材質が鉄とニッケルの合金であるインバー(Fe−Ni36、線膨張係数:1×10−6(1/K))製のペリクル用フレームをクリーンルームに搬入し、中性洗剤と純水により、十分に洗浄・乾燥させた。
次に、前記ペリクル用フレームの下端面にマスク粘着剤として、粘着剤X−40−3122[信越化学工業株式会社製:製品名]を塗布し、該粘着剤が流動しなくなるまで風乾させた後、該ペリクル用フレームを130℃まで加熱し、該粘着剤を完全に硬化させた。
また、前記ペリクル用フレームの上端面に単結晶シリコンからなるペリクル膜を接着するための接着剤として、低アウトガス性接着剤であるシリコーン系のKE−101A/B[信越化学工業株式会社製:製品名]を塗布した。そして、単結晶シリコンからなるペリクル膜をペリクル用フレームの前記接着剤塗布端面側に貼り付け、カッターにて外側の不要膜を切除し、ペリクルを完成させた。
前記インバー製のペリクル用フレームの代わりに、鉄とニッケルとコバルトの合金であるスーパーインバー(Fe−Ni32−Co5、線膨張係数:0.1×10−6(1/K))製のペリクル用フレームを使用した以外は、実施例1と同様の方法でペリクルを作製した。
前記インバー製のペリクル用フレームの代わりに、石英ガラス(SiO2、線膨張係数:0.5×10−6(1/K))製のペリクル用フレームを使用した以外は、実施例1と同様の方法でペリクルを作製した。
前記インバー製のペリクル用フレームの代わりに、酸化アルミニウム(Al2O3、線膨張係数:6×10−6(1/K))製のペリクル用フレームを使用した以外は、実施例1と同様の方法でペリクルを作製した。
前記インバー製のペリクル用フレームの代わりに、Al−Zn−Mg−Cu系のアルミニウム合金(JIS A7075、線膨張係数:23.4×10−6(1/K))製のペリクル用フレームを使用した以外は、実施例1と同様の方法でペリクルを作製した。
前記インバー製のペリクル用フレームの代わりに、ステンレス鋼材(SUS304、線膨張係数:17×10−6(1/K))製のペリクル用フレームを使用した以外は、実施例1と同様の方法でペリクルを作製した。
[ヒートサイクル試験]
前記実施例1〜4及び比較例1、2で作製したペリクルを石英基板に貼り付け、200℃雰囲気のオーブン中に24時間静置した後、室温で24時間静置、というサイクルを5回行い(ヒートサイクル試験)、その後、前記ペリクル(及びペリクル膜)の状態を目視にて確認した。また、該ヒートサイクル試験後の前記石英基板に対する前記ペリクルの平坦度をFLatMaster(エスオーエル株式会社製)にて測定し、以下に示す評価基準にて評価した。結果を表1に示す。
[評価基準]
(ヒートサイクル試験後のペリクルの平坦度)
○:ヒートサイクル試験後のペリクルの平坦度が15μm以下
×:ヒートサイクル試験後のペリクルの平坦度が15μm以上
(総合評価)
○:ヒートサイクル試験後のペリクルの状態が良好で、ペリクルの平坦度が15μm以下
×:ヒートサイクル試験後のペリクルの状態が不良で、ペリクルの平坦度が15μm以上
一方、比較例1、2のペリクル用フレームでは、ヒートサイクル試験後にペリクル膜に割れが観察され、また、ペリクルの平坦度も低下していた。比較例1、2のペリクル用フレームでは、ヒートサイクル試験によるペリクル用フレームの伸縮が大きく、ペリクル膜(割れ)や、ペリクルの平坦度へ悪影響を与えていることが確認された。
したがって、実施例1〜4のペリクル用フレームは、耐ヒートサイクル性に優れており、高温と低温の温度変化が繰り返し負荷されても、ペリクル膜やマスク基板に悪影響を与えないことから、特にEUV露光技術を使用する際のペリクル用フレームとして、総合的に見て最も適していることが確認された。
2 膜接着剤
3 ペリクル用フレーム
4 マスク粘着剤
5 フォトマスク
6 気圧調整用穴
7 防塵用フィルター
10 ペリクル
Claims (11)
- 線膨張係数が10×10−6(1/K)以下の材質からなることを特徴とするペリクル用フレーム。
- 線膨張係数が10×10−6(1/K)以下の金属からなることを特徴とするペリクル用フレーム。
- 前記金属が、Fe−Ni合金、Fe−Ni−Co合金、Fe−Ni−Co−Cr合金、及びFe−Co−Cr合金から選択されるものである請求項2に記載のペリクル用フレーム。
- 前記金属が、インバー、スーパーインバー、ステンレスインバー、及びコバールから選択されるものである請求項2に記載のペリクル用フレーム。
- 線膨張係数が10×10−6(1/K)以下のガラスからなることを特徴とするペリクル用フレーム。
- 前記ガラスが、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、及び結晶化ガラスから選択されるものである請求項5に記載のペリクル用フレーム。
- 線膨張係数が10×10−6(1/K)以下のセラミックスからなることを特徴とするペリクル用フレーム。
- 前記セラミックスが、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、及び窒化ホウ素から選択されるものである請求項7に記載のペリクル用フレーム。
- ペリクル用フレームとして、請求項1〜8のいずれか1項に記載のペリクル用フレームを用いたことを特徴とするペリクル。
- EUVリソグラフィー用である請求項1〜8のいずれか1項に記載のペリクル用フレーム。
- EUVリソグラフィー用である請求項9に記載のペリクル。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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EP16162738.5A EP3079014A3 (en) | 2015-04-07 | 2016-03-30 | An euv pellicle frame and an euv pellicle using it |
TW109118643A TWI745990B (zh) | 2015-04-07 | 2016-04-01 | 防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件的光阻、曝光方法、圖案的製造方法、半導體裝置的製造方法以及液晶面板的製造方法 |
TW105110435A TWI697731B (zh) | 2015-04-07 | 2016-04-01 | Euv的防護薄膜框架以及使用其的euv防護薄膜 |
TW111142318A TWI830485B (zh) | 2015-04-07 | 2016-04-01 | 防塵薄膜組件框架、防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件的光阻、曝光方法、圖案的製造方法以及半導體裝置的製造方法 |
KR1020160040203A KR20160120225A (ko) | 2015-04-07 | 2016-04-01 | Euv 펠리클 프레임 및 그것을 사용한 euv 펠리클 |
TW111142319A TWI836704B (zh) | 2015-04-07 | 2016-04-01 | 防塵薄膜組件框架、防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件的光阻、曝光方法、圖案的製造方法以及半導體裝置的製造方法 |
TW110136810A TWI785826B (zh) | 2015-04-07 | 2016-04-01 | 防塵薄膜組件框架及其應用方法 |
US15/089,917 US20160299421A1 (en) | 2015-04-07 | 2016-04-04 | Euv pellicle frame and an euv pellicle using it |
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---|---|---|---|
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3470921A1 (en) | 2017-10-10 | 2019-04-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle frame and pellicle |
JP2020091314A (ja) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル及びその製造方法 |
EP3690546A1 (en) | 2019-02-01 | 2020-08-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle frame and pellicle |
WO2021157539A1 (ja) * | 2020-02-04 | 2021-08-12 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法 |
CN113253566A (zh) * | 2020-02-10 | 2021-08-13 | 永恒光实业股份有限公司 | 复合精细遮罩 |
WO2022176833A1 (ja) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | エア・ウォーター株式会社 | ペリクルおよびペリクルの製造方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9759997B2 (en) * | 2015-12-17 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle assembly and method for advanced lithography |
JP6478283B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2019-03-06 | 信越化学工業株式会社 | Euv露光用ペリクル |
NL2021084B1 (en) | 2017-06-15 | 2019-03-27 | Asml Netherlands Bv | Pellicle and Pellicle Assembly |
JP6844443B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2021-03-17 | 信越化学工業株式会社 | フォトリソグラフィ用ペリクル膜、ペリクル及びフォトマスク、露光方法並びに半導体デバイス又は液晶ディスプレイの製造方法 |
US11143952B2 (en) | 2017-09-28 | 2021-10-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle removal method |
KR20240017642A (ko) | 2022-08-01 | 2024-02-08 | 주식회사 참그래핀 | 극자외선 노광공정의 포토마스크 보호용 펠리클 및 그 제조방법 |
KR20240017447A (ko) | 2022-08-01 | 2024-02-08 | 주식회사 참그래핀 | 극자외선 노광공정의 포토마스크 보호용 펠리클 및 그 제조방법 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163091A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Canon Inc | X線露光用マスク構造体およびx線露光装置 |
JP2002040629A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル板とペリクルフレームとの接着方法 |
JP2002040628A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクルおよびペリクル板とペリクルフレームとの接着方法 |
US6623893B1 (en) * | 2001-01-26 | 2003-09-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Pellicle for use in EUV lithography and a method of making such a pellicle |
JP2004012597A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
US20060246234A1 (en) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Yazaki Corporation | Photomask assembly incorporating a metal/scavenger pellicle frame |
JP2007264636A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | 入射瞳のバック・フォーカスが負である投影対物レンズおよび投影露光装置 |
JP2009146912A (ja) * | 2009-03-27 | 2009-07-02 | Jsr Corp | 異方導電性シートならびにそれを用いた電気的検査方法および電気的接続方法 |
JP2014021217A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル枠体及びペリクル |
JP2015018228A (ja) * | 2013-06-10 | 2015-01-29 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル膜及びペリクル |
WO2015046327A1 (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 高感度積層レジスト膜及びレジスト膜の感光度向上方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58219023A (ja) | 1982-06-15 | 1983-12-20 | Daicel Chem Ind Ltd | 樹脂薄膜の製造方法 |
US4861402A (en) | 1984-10-16 | 1989-08-29 | Du Pont Tau Laboratories, Inc. | Method of making a cellulose acetate butyrate pellicle |
JPS6327707A (ja) | 1986-07-21 | 1988-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 双曲面鏡検査装置 |
US6847434B2 (en) * | 2000-02-10 | 2005-01-25 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for a pellicle frame with porous filtering inserts |
US6544693B2 (en) * | 2001-01-26 | 2003-04-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Pellicle for use in small wavelength lithography and a method for making such a pellicle |
US6593035B1 (en) * | 2001-01-26 | 2003-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Pellicle for use in small wavelength lithography and a method for making such a pellicle using polymer films |
JP2002323751A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
US7014961B2 (en) * | 2002-10-02 | 2006-03-21 | Yazaki Corporation | Photomask assembly incorporating a porous frame |
US6822731B1 (en) * | 2003-06-18 | 2004-11-23 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for a pellicle frame with heightened bonding surfaces |
JP2005108938A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Sony Corp | ステンシルマスクおよびその製造方法、露光装置および露光方法、並びに電子装置の製造方法 |
JP2008105999A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Idemitsu Kosan Co Ltd | アダマンタン誘導体、その製造方法、樹脂組成物およびその硬化物 |
JP5489966B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2014-05-14 | 富士フイルム株式会社 | 遮光性硬化性組成物、ウエハレベルレンズ、及び遮光性カラーフィルタ |
EP2555052A4 (en) * | 2010-04-02 | 2017-12-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask unit and method of manufacturing same |
JP5813325B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2015-11-17 | 富士フイルム株式会社 | 黒色重合性組成物、及び、黒色層の作製方法 |
JP2012151158A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Euv用ペリクル膜及びペリクル、並びに該膜の製造方法 |
KR20130088565A (ko) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 주식회사 에프에스티 | 그래핀을 이용한 초극자외선용 펠리클 및 그 제조방법 |
US9599889B2 (en) * | 2012-07-17 | 2017-03-21 | Nippon Light Metal Company, Ltd. | Method for manufacturing support frame for pellicle, support frame for pellicle, and pellicle |
JP5711703B2 (ja) * | 2012-09-03 | 2015-05-07 | 信越化学工業株式会社 | Euv用ペリクル |
JP5984187B2 (ja) * | 2013-04-22 | 2016-09-06 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルとフォトマスクのアセンブリ |
WO2014188710A1 (ja) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | 三井化学株式会社 | ペリクル、及びこれらを含むeuv露光装置 |
-
2015
- 2015-04-07 JP JP2015078209A patent/JP6370255B2/ja active Active
-
2016
- 2016-03-30 EP EP16162738.5A patent/EP3079014A3/en not_active Withdrawn
- 2016-04-01 TW TW109118643A patent/TWI745990B/zh active
- 2016-04-01 TW TW111142319A patent/TWI836704B/zh active
- 2016-04-01 TW TW105110435A patent/TWI697731B/zh active
- 2016-04-01 TW TW111142318A patent/TWI830485B/zh active
- 2016-04-01 TW TW110136810A patent/TWI785826B/zh active
- 2016-04-01 KR KR1020160040203A patent/KR20160120225A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-04-04 US US15/089,917 patent/US20160299421A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10163091A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Canon Inc | X線露光用マスク構造体およびx線露光装置 |
JP2002040629A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル板とペリクルフレームとの接着方法 |
JP2002040628A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-06 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクルおよびペリクル板とペリクルフレームとの接着方法 |
US6623893B1 (en) * | 2001-01-26 | 2003-09-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Pellicle for use in EUV lithography and a method of making such a pellicle |
JP2004012597A (ja) * | 2002-06-04 | 2004-01-15 | Asahi Glass Co Ltd | ペリクル |
US20060246234A1 (en) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Yazaki Corporation | Photomask assembly incorporating a metal/scavenger pellicle frame |
JP2007264636A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | 入射瞳のバック・フォーカスが負である投影対物レンズおよび投影露光装置 |
JP2009146912A (ja) * | 2009-03-27 | 2009-07-02 | Jsr Corp | 異方導電性シートならびにそれを用いた電気的検査方法および電気的接続方法 |
JP2014021217A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ペリクル枠体及びペリクル |
JP2015018228A (ja) * | 2013-06-10 | 2015-01-29 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ペリクル膜及びペリクル |
WO2015046327A1 (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 高感度積層レジスト膜及びレジスト膜の感光度向上方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11199768B2 (en) | 2017-10-10 | 2021-12-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle frame and pellicle |
KR20190040445A (ko) | 2017-10-10 | 2019-04-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 펠리클 프레임 및 펠리클 |
JP2019070745A (ja) * | 2017-10-10 | 2019-05-09 | 信越化学工業株式会社 | ペリクルフレーム及びペリクル |
US11782340B2 (en) | 2017-10-10 | 2023-10-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle frame and pellicle |
US10859909B2 (en) | 2017-10-10 | 2020-12-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle frame and pellicle |
EP4365678A2 (en) | 2017-10-10 | 2024-05-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle frame and pellicle |
US11397379B2 (en) | 2017-10-10 | 2022-07-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle frame and pellicle |
JP2021144249A (ja) * | 2017-10-10 | 2021-09-24 | 信越化学工業株式会社 | 半導体デバイスまたは液晶ディスプレイの製造方法 |
EP3470921A1 (en) | 2017-10-10 | 2019-04-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pellicle frame and pellicle |
JP2020091314A (ja) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル及びその製造方法 |
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CN113253566A (zh) * | 2020-02-10 | 2021-08-13 | 永恒光实业股份有限公司 | 复合精细遮罩 |
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