JP2007264636A - 入射瞳のバック・フォーカスが負である投影対物レンズおよび投影露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】物体視野が形成される物体平面(20、100、300、2103)と、入射瞳(VE)と、前記物体平面において前記入射瞳(VE)を鏡像化することによって得られる、鏡像化入射瞳平面(103)内の鏡像化入射瞳(RE)と、像平面(21、102、302、2102)と、光軸(HA)と、少なくとも第1の鏡(S1)と第2の鏡(S2)とを備える。この投影対物レンズの入射瞳のバック・フォーカスが負であり、物体視野の中心点から発生して、物体平面から像平面にかけて対物レンズを横断する主光線(CR、CRP)が、少なくとも1つの交差点(CROSS)において光軸(HA)と交差し、すべての交差点(CROSS、CROSS1、CROSS2)の幾何学的位置が、像平面(21、102、302、2102)と鏡像化入射瞳平面(103)との間にある。
【選択図】図2a
Description
R=k・(λ/NA)
ただし、Rは、投影対物レンズの最小分解能であり、kは、プロセス係数と呼ばれる無次元係数である。プロセス係数kは、様々な因子(たとえば、像投影の偏光特性や、選択された照明モード)の関数として変動する。プロセス係数kは、一般に、0.4〜0.8の範囲にあるが、用途によっては、0.4を下回ることも0.8を上回ることもありうる。
第2の鏡S2−第4の鏡S4−第1の鏡S1−第3の鏡S3
第4の鏡S4−第2の鏡S2−第1の鏡S1−第3の鏡S3
図6aの実施形態と比較して、鏡S2と鏡S4の、光軸方向の位置が入れ替わっている。
Claims (104)
- 物体視野が形成される物体平面(20、100、300、2103)と、
入射瞳(VE)と、
前記物体平面(20、100、300、2103)において前記入射瞳(VE)を鏡像化することによって得られる、鏡像化入射瞳平面(103)内の鏡像化入射瞳(RE)と、
像平面(21、102、302、2102)と、
光軸(HA)と
少なくとも第1の鏡(S1)と第2の鏡(S2)とを備える投影対物レンズであって、
前記入射瞳のバック・フォーカスが負であり、前記物体視野の中心点から発生して、前記物体平面から前記像平面にかけて前記対物レンズを横断する主光線(CR、CRP)が、少なくとも1つの交差点(CROSS)において前記光軸(HA)と交差し、すべての交差点(CROSS、CROSS1、CROSS2)の幾何学的位置が、前記像平面(21、102、302、2102)と前記鏡像化入射瞳平面(103)との間である、投影対物レンズ。 - 物体視野が形成される物体平面(20、100、300、2103)と、
入射瞳(VE)と、
前記物体平面(20、100、300、2103)において前記入射瞳(VE)を鏡像化することによって得られる、鏡像化入射瞳平面(103)内の鏡像化入射瞳(RE)と、
像平面(21、102、302、2102)と、
光軸(HA)と
少なくとも第1の鏡(S1)と第2の鏡(S2)とを備える投影対物レンズであって、
前記投影対物レンズの前記入射瞳のバック・フォーカスが負であり、前記物体視野の中心点から発生した主光線(CR、CRP)が、前記物体平面から前記像平面にかけて前記対物レンズを横断して、少なくとも1つの交差点(CROSS、CROSS1、CROSS2)において前記光軸(HA)と交差し、
個々の交差点のそれぞれ(CROSS、CROSS1、CROSS2)が、前記光軸(HA)の方向に、前記物体平面(20、100、300、2103)からのそれぞれの第1の距離A1を有し、前記鏡像化入射瞳平面(103)が、前記物体平面からの第2の距離A2を有し、それぞれの場合においてA2およびA1が、条件A2<A1、好ましくはA2<0.9・A1、さらに、より好ましくなる方向には、A2<0.8・A1、A2<0.7・A1、A2<0.6・A1、最も好ましくはA2<0.5・A1に適合する、投影対物レンズ。 - 少なくとも4枚の鏡(S1、S2、S3、S4)を備える請求項1または2に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも6枚の鏡(S1、S2、S3、S4、S5、S6)を備える請求項1から3のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 開口絞り(B)が配置される開口絞り平面(104)が形成される請求項3または4のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 前記物体平面から前記像平面までの前記光線経路において前記開口絞り平面の前にある第1の数の鏡が、第1の副対物レンズ(SUB01)を形成し、第2の数の鏡が第2の副対物レンズ(SUB02)を形成し、前記第2の副対物レンズが前記開口絞り平面(104)を含む請求項5に記載の投影対物レンズ。
- 前記第2の副対物レンズ(SUB02)が2枚の鏡を有する請求項6に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも6枚の鏡、すなわち、第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)と、第5の鏡(S5)と、第6の鏡(S6)とを備え、前記第1の副対物レンズ(SUB01)が、少なくとも、前記第1の鏡(S1)と、前記第2の鏡(S2)と、前記第3の鏡(S3)と、前記第4の鏡(S4)とを備える請求項6または7に記載の投影対物レンズ。
- 前記第2の副対物レンズ(SUB02)が、前記第5の鏡(S5)と、前記第6の鏡(S6)とを備える請求項8に記載の投影対物レンズ。
- 前記像側開口数が0.2以上であり、好ましくは0.25以上であり、特に好ましくは0.3以上である請求項1から9のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも6枚の鏡、すなわち、第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)と、第5の鏡(S5)と、第6の鏡(S6)とを備え、前記第1の鏡(S1)が凸形であり、前記第2の鏡(S2)が凹形であり、前記第3の鏡(S3)が凹形であり、前記第4の鏡(S4)が凸形であり、前記第5の鏡(S5)が凸形であり、前記第6の鏡(S6)が凹形である請求項1から10のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 前記物体平面(300)から前記像平面(302)までの前記光線経路において中間像(ZW)が形成される請求項1から11のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも6枚の鏡、すなわち、第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)と、第5の鏡(S5)と、第6の鏡(S6)とを備え、前記中間像(ZW)が前記第4の鏡(S4)と前記第5の鏡(S5)との間に形成される請求項12に記載の投影対物レンズ。
- 前記第1の鏡(S1)が凹形であり、前記第2の鏡(S2)が凹形であり、前記第3の鏡(S3)が凸形であり、前記第4の鏡(S4)が凹形であり、前記第5の鏡(S5)が凸形であり、前記第6の鏡(S6)が凹形である請求項13に記載の投影対物レンズ。
- 前記第2の鏡(S2)と前記第3の鏡(S3)との間、または前記第3の鏡(S3)に接して開口絞り(B)が配置される請求項13または14に記載の投影対物レンズ。
- 前記像側開口数NAが0.2以上であり、好ましくは0.25以上であり、特に好ましくは0.3以上である請求項12から15のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも5枚の鏡と、
入射瞳(VE)と、
物体視野が形成される物体平面(100、300)と、
像平面(102、302)と、
隠されていない射出瞳とを備える投影対物レンズであって、
前記少なくとも5枚の鏡が第1の鏡(S1)を含み、前記入射瞳(VE)のバック・フォーカスが負であり、前記物体視野の中心点から発生して前記第1の鏡(S1)に入射する主光線(CRE)が、前記第1の鏡(S1)に反射した後の、前記物体視野の前記中心点の前記主光線(CRR)によって一方の側がふちどられ、他方の側が前記光軸(HA)にふちどられた領域内を伝搬する、投影対物レンズ。 - 前記物体平面から前記像平面までの前記光線経路において中間像が形成されないように構成されることを特徴とする請求項17に記載の投影対物レンズ。
- 瞳平面(104、321、314)の中または近くに開口絞り(B)が配置される請求項17または18に記載の投影対物レンズ。
- 前記物体平面(100、300)から前記像平面(102、302)までの前記光線経路において前記開口絞り(B)の前に位置する、第1の数の鏡が第1の副対物レンズ(SUB01)を形成し、第2の数の鏡が第2の副対物レンズ(SUB02)を形成し、前記第2の副対物レンズが前記開口絞り(B)を備える請求項19に記載の投影対物レンズ。
- 前記第2の副対物レンズ(SUB02)が2枚の鏡を有する請求項20に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも6枚の鏡、すなわち、第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)と、第5の鏡(S5)と、第6の鏡(S6)とを備え、前記第1の副対物レンズ(SUB01)が、少なくとも、前記第1の鏡(S1)と、前記第2の鏡(S2)と、前記第3の鏡(S3)と、前記第4の鏡(S4)とを備える請求項20または21に記載の投影対物レンズ。
- 前記第2の副対物レンズ(SUB02)が、前記第5の鏡(S5)と、前記第6の鏡(S6)とを備える請求項22に記載の投影対物レンズ。
- 前記像側開口数NAが0.2以上であり、好ましくは0.25以上であり、特に好ましくは0.3以上である請求項17から23のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも6枚の鏡、すなわち、第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)と、第5の鏡(S5)と、第6の鏡(S6)とを備え、前記第1の鏡(S1)が凸形であり、前記第2の鏡(S2)が凹形であり、前記第3の鏡(S3)が凹形であり、前記第4の鏡(S4)が凸形であり、前記第5の鏡(S5)が凸形であり、前記第6の鏡(S6)が凹形である請求項20から24のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも6枚の鏡、すなわち、第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)と、第5の鏡(S5)と、第6の鏡(S6)とを備え、前記第1の鏡(S1)と前記第2の鏡(S2)とが第1の部分系(PART1)を形成し、前記第3の鏡(S3)と、前記第4の鏡(S4)と、前記第5の鏡(S5)と、前記第6の鏡(S6)とが第2の部分系(PART2)を形成する請求項19から25のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 前記第1の部分系(PART1)から前記第2の部分系(PART2)までの、光軸方向の幾何学的距離(DIS)が、前記対物レンズの全体長の30%より長く、好ましくは40%より長く、さらに好ましくは50%より長く、特に好ましくは60%より長い請求項26に記載の投影対物レンズ。
- 入射瞳(VE)と、
物体視野が形成される物体平面(100、300)と、
像平面(102、302)と、
前記物体平面(100、300)から前記像平面(102、302)までの光線経路と、
少なくとも5枚の鏡とを備える投影対物レンズであって、
前記入射瞳のバック・フォーカスが負であり、前記物体平面(100、300)から前記像平面(102、302)までの前記光線経路において中間像が形成されないように構成される、投影対物レンズ。 - 瞳平面(104、321、314)の中または近くに開口絞り(B)が配置される請求項28に記載の投影対物レンズ。
- 前記物体平面から前記像平面までの前記光線経路において前記開口絞り(B)の前に位置する、第1の数の鏡が第1の副対物レンズ(SUB01)を形成し、第2の数の鏡が第2の副対物レンズ(SUB02)を形成し、前記第2の副対物レンズが前記開口絞り(B)を備える請求項29に記載の投影対物レンズ。
- 前記第2の副対物レンズ(SUB02)が2枚の鏡を有する請求項30に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも6枚の鏡、すなわち、第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)と、第5の鏡(S5)と、第6の鏡(S6)とを備え、前記第1の副対物レンズ(SUB01)が、少なくとも、前記第1の鏡(S1)と、前記第2の鏡(S2)と、前記第3の鏡(S3)と、前記第4の鏡(S4)とを備える請求項30または31に記載の投影対物レンズ。
- 前記第2の副対物レンズ(SUB02)が、前記第5の鏡(S5)と、前記第6の鏡(S6)とを備える請求項32に記載の投影対物レンズ。
- 前記像側開口数NAが0.2以上であり、好ましくは0.25以上であり、特に好ましくは0.3以上である請求項28から33のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも6枚の鏡、すなわち、第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)と、第5の鏡(S5)と、第6の鏡(S6)とを備え、前記第1の鏡(S1)が凸形であり、前記第2の鏡(S2)が凹形であり、前記第3の鏡(S3)が凹形であり、前記第4の鏡(S4)が凸形であり、前記第5の鏡(S5)が凸形であり、前記第6の鏡(S6)が凹形である請求項28から34のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも6枚の鏡、すなわち、第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)と、第5の鏡(S5)と、第6の鏡(S6)とを備え、前記第1の鏡(S1)と前記第2の鏡(S2)とが第1の部分系(PART1)を形成し、前記第3の鏡(S3)と、前記第4の鏡(S4)と、前記第5の鏡(S5)と、前記第6の鏡(S6)とが第2の部分系(PART2)を形成する請求項28から35のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 前記第1の部分系(PART1)から前記第2の部分系(PART2)までの、前記光軸HAの方向の幾何学的距離(DIS)が、前記対物レンズの全体長の30%より長く、好ましくは40%より長く、さらに好ましくは50%より長く、特に好ましくは60%より長い請求項36に記載の投影対物レンズ。
- 入射瞳(VE)と、
物体視野が形成される物体平面(100、300)と、
像平面(102、302)、ならびに前記物体平面から前記像平面までの光線経路と、
射出瞳と、
少なくとも第1の鏡(S1)と第2の鏡(S2)とを備える投影対物レンズであって、
前記射出瞳が隠されていない射出瞳であり、前記入射瞳のバック・フォーカスが負であり、前記投影対物レンズのメリジオナル平面において、前記物体平面から前記第1の鏡(S1)までの前記光線経路が、前記第2の鏡(S2)から前記像平面(102、302)までの前記光線経路と交差し、前記物体平面(100、300)と前記第1の鏡(S1)との間にさらなる鏡が配置されないように構成される、投影対物レンズ。 - 少なくとも4枚の鏡、すなわち、第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)とを備える請求項38に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも6枚の鏡、すなわち、第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)と、第5の鏡(S5)と、第6の鏡(S6)とを備える請求項38または39に記載の投影対物レンズ。
- 前記メリジオナル平面において、前記物体平面(100、300)から前記第1の鏡(S1)までの前記光線経路が、前記第2の鏡(S2)から前記第3の鏡(S3)までの前記光線経路と交差する請求項39または40に記載の投影対物レンズ。
- 前記物体平面(100、300)から前記像平面(102、302)までの前記光線経路において中間像(ZW)が形成される請求項38から40のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 前記中間像(ZW)が前記第4の鏡(S4)と前記第5の鏡(S5)との間に形成される請求項40から42のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 前記第1の鏡(S1)が凹形であり、前記第2の鏡(S2)が凹形であり、前記第3の鏡(S3)が凸形であり、前記第4の鏡(S4)が凹形であり、前記第5の鏡(S5)が凸形であり、前記第6の鏡(S6)が凹形である請求項40から43のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 前記第2の鏡(S2)と前記第3の鏡(S3)との間に開口絞り(B)が配置される請求項40から44のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 開口絞り(B)が、前記第3の鏡に接して配置される請求項40から45のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 前記像側開口数NAが0.2以上であり、好ましくは0.25以上であり、特に好ましくは0.3以上である請求項38から46のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 前記投影対物レンズの前記鏡が、光軸(HA)に対して回転対称であるように配置される請求項1から47のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 物体平面(100、300)の像を像平面(102、302)に、波長λの放射で投影するように設計され、多数の鏡を備える投影対物レンズであって、入射瞳のバック・フォーカスが負であり、前記像側のRMS波面収差WRMSが0.01λ未満であり、さらに最大入射角度を有する、反射式投影対物レンズであって、メリジオナル平面内の鏡に入射するすべての光線のうちの全体で最大の入射角度Θmax(max)が20°以下である、投影対物レンズ。
- 前記像側の波面収差WRMSが0.007λ(特に0.006λ)である請求項49に記載の投影対物レンズ。
- 前記メリジオナル平面における前記最大入射角度Θmax(max)が19.5°である請求項49または50に記載の投影対物レンズ。
- 前記像側の開口数NAが0.25以上(特に0.30以上)である請求項49から51のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 少なくとも4枚の鏡を備え、前記物体平面から前記像平面までの光線経路において前記第1の鏡(S1)と前記第4の鏡(S4)とが凸面鏡である請求項49から52のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 前記鏡が、前記メリジオナル平面内に寸法(My)を有し、すべての鏡についての、前記メリジオナル平面内の最大寸法(My)が190mmより短く、好ましくは180mmより短い請求項49から53のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 反射式投影対物レンズである請求項1から54のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 反射屈折式投影対物レンズである請求項1から54のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 放射を物体平面(100、300)から像平面(102、302)に向けるように設計され、少なくとも4枚の鏡を備える投影対物レンズであって、反射式投影対物レンズであり、前記入射瞳のバック・フォーカスが負であり、前記物体平面(100、300)から前記像平面(102、302)までの光線経路における前記第1の鏡(S1)と前記第4の鏡(S4)とが凸面鏡である、投影対物レンズ。
- 前記物体平面(100、300)から前記像平面(102、302)までの前記光線経路において中間像が形成されない請求項57に記載の投影対物レンズ。
- 前記像側の開口数NAが0.25以上(特に0.30以上)である請求項57または58に記載の投影対物レンズ。
- 放射を物体平面(100、300)から像平面(102、302)に向けるように設計され、多数の鏡を備える投影対物レンズであって、前記鏡のそれぞれがメリジオナル平面内に寸法(My)を有し、すべての鏡についての、前記メリジオナル平面内の最大寸法(My)が190mmより短く、好ましくは180mmより短い、投影対物レンズ。
- 鏡に入射するすべての光線のうちの最大入射角度Θmax(max)が、すべての鏡に対して25°未満であり、特に21°であり、好ましくは20°である請求項58に記載の投影対物レンズ。
- 第1の鏡(S1)と、第2の鏡(S2)と、第3の鏡(S3)と、第4の鏡(S4)と、第5の鏡(S5)と、第6の鏡(S6)とを備える請求項49から61のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 波長λの放射を物体平面から像平面に向けるように設計され、λ=193nmであり、好ましくはλ=100nmであり、特に好ましくは1nm<λ=30nmである請求項1から62のいずれか一項に記載の投影対物レンズ。
- 照明光線束(211)によって横断される照明系と、
照明される物体視野がある物体平面(212)と、
投影対物レンズ(210)とを備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
前記投影対物レンズ(210)が、前記物体平面(212)から像平面(214)までの像投影光線経路(213)によって横断され、前記投影対物レンズの入射瞳のバック・フォーカスが負であり、前記照明系の光線経路における最後から2番目の光学要素から前記物体平面(212)へ伝搬する照明光線束(211)が、前記物体平面(212)に対する反射が発生する領域を除き、前記像投影光線経路(213)と交差しないように構成される、マイクロリソグラフィ投影露光装置。 - 前記照明系の前記照明光線束(211)と、前記投影対物レンズの前記像投影光線経路(213)とが、前記物体平面から前記像平面までの光線経路にあるメリジオナル平面において互いに交差しない請求項64に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 照明系と、
投影対物レンズとを備え、前記投影対物レンズの入射瞳のバック・フォーカスが負であり請求項1から65のいずれか一項に記載の投影対物レンズを有する、マイクロリソグラフィ投影露光装置。 - 前記物体平面(212)において前記入射瞳(VE)を鏡像化することによって、前記物体平面(212)の像側に前記投影対物レンズ(210)の鏡像化入射瞳(RE)が形成され、前記照明系が、前記鏡像化入射瞳(RE)が形成される平面またはその近くに形成される光学積分器を含む請求項64から66のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器がファセットされた鏡である請求項67に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器がディフューザである請求項68に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記ディフューザが500個より多い鏡ファセットを備える請求項69に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記ディフューザがホログラフィック格子網である請求項69または70に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記ディフューザの前の前記光線経路内に開口絞りが配置される請求項64から71のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記照明系が、多数の第1のラスタ要素を有する第1のファセットされた光学要素と、多数の第2のラスタ要素を有する第2のファセットされた光学要素とを含み、前記第2のファセットされた光学要素が、前記鏡像化入射瞳(RE)の平面またはその近くに配置される請求項64から66のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 第1のラスタ要素が、前記物体平面に形成される視野の形状をほぼ有する請求項73に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 第1のラスタ要素がアーチ形に構成される請求項74に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器の後、かつ前記物体平面の前の前記光線経路に、少なくとも1枚の鏡が配置される請求項64から75のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記物体平面において前記入射瞳(VE)を鏡像化することによって、前記物体平面の前記像側の鏡像化入射瞳平面(103)に鏡像化入射瞳が形成され、前記照明系において、前記鏡像化入射瞳平面(103)またはその近くに光学積分器(具体的には、ディフューザ)が配置されない請求項64から66のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器が前記物体平面の共役平面に配置されない請求項77に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器が1000個より多い個別ファセットを有する請求項77または78に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器が前記物体平面内の視野を照明し、前記視野が視野形状を有する請求項77から79のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器が形状を有し、前記形状が、前記視野形状とほぼ同じである請求項80に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器が腎臓形である請求項77から81のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器が多数のファセットを有し、前記各ファセットが、前記物体平面内の多数の離散した視野点と、瞳平面内の多数の瞳位置とを照明する請求項77から82のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 光源から前記光学積分器までの前記光線経路内に垂直入射鏡が配置される請求項77から83のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記垂直入射鏡が、軸外円錐面を含む鏡面を有する請求項84に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記垂直入射鏡が、自由曲面として構成された鏡面を有する請求項84に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記自由曲面が、軸外円錐成分を有する種類の自由曲面である請求項86に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光源から前記ディフューザまでの前記光線経路において、前記ディフューザの前にかすめ入射鏡が配置される請求項77から83のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記かすめ入射鏡が、軸外円錐面を含む鏡面を有する請求項88に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記かすめ入射鏡または前記垂直入射鏡が、球状、環状、または非球面の部分を含む請求項84から89のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光源から前記物体平面までの前記光線経路において、前記光学積分器の後に垂直入射鏡が配置される請求項77から90のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 放射を光源から像平面に向けるように設計され、前記光源からの前記放射が前記像平面に向けられるように配置された多数の光学要素を含むマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、前記多数の光学要素が鏡であり、垂直入射条件下で前記放射を反射する鏡の(前記物体平面に配置される反射性物体を含まない)最大枚数が10であり、像側開口数NAが0.25より大きく、特に0.26より大きく、好ましくは0.3以上であり、前記像側の視野の最大寸法(Dx、Dy)が、1mmより大きく、好ましくは4mmより大きく、さらに、より好ましくなる方向には、8mmより大きく、12mmより大きく、16mmより大きく、20mmより大きく、特に好ましくは25mmより大きい、投影露光装置。
- 垂直入射条件下で前記放射を反射する鏡の(前記物体平面に配置される反射性物体を含まない)最大枚数が9である請求項92に記載の投影露光装置。
- 前記放射が波長λを有し、λ=100nmであり、好ましくはλ=30nmであり、特にλ=15nmである請求項92または93に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学要素の第1の部分が、照明系の一部分を構成し、前記光学要素の第2の部分が、投影対物レンズを形成する請求項92から94のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記マイクロリソグラフィ投影露光装置のメリジオナル平面において、垂直入射条件下で前記放射が入射する各光学要素の表面に対する、前記放射の最大入射角度Θmax(max)が20°未満であり、好ましくは17°未満である請求項92から95のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記多数の光学要素が光学積分器を含む請求項92から96のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器が、ファセットされた鏡である請求項97に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器がディフューザである請求項97に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記ディフューザが、500個より多い鏡ファセットを有する請求項99に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記多数の光学要素が、第1のラスタ要素を有する第1のファセットされた光学要素と、第2のラスタ要素を有する第2のファセットされた光学要素とを備える請求項92から96のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記光学積分器が、1000個より多い個別ファセットを備える請求項97に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 前記多数の光学要素がかすめ入射コレクタを含む請求項92から102のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
- 設定を可変調節するデバイスを備える請求項92から103のいずれか一項に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011109096A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Nikon Corp | 反射結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2011517786A (ja) * | 2008-03-20 | 2011-06-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための投影対物系 |
JP2013540350A (ja) * | 2010-09-29 | 2013-10-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv投影露光系のためのミラー、光学系、及び構成要素を生成する方法 |
JP2014517349A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-07-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学ユニット |
JP2014168080A (ja) * | 2014-04-11 | 2014-09-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系 |
US9164394B2 (en) | 2009-03-06 | 2015-10-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination optical system and optical systems for microlithography |
JP2016200616A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル用フレーム及びそれを用いたペリクル |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101127346B1 (ko) | 2005-09-13 | 2012-03-29 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법 |
DE102006014380A1 (de) | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille |
DE102006056035A1 (de) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Mikrolithographie, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil |
EP1950594A1 (de) * | 2007-01-17 | 2008-07-30 | Carl Zeiss SMT AG | Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik |
DE102008002377A1 (de) * | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einem derartigen Beleuchtungssystem |
DE102008033342A1 (de) | 2008-07-16 | 2010-01-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie |
DE102008000800A1 (de) | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie |
DE102008000967B4 (de) * | 2008-04-03 | 2015-04-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie |
DE102008033340B3 (de) * | 2008-07-16 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik |
DE102008046699B4 (de) | 2008-09-10 | 2014-03-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
WO2010032753A1 (ja) * | 2008-09-18 | 2010-03-25 | 株式会社ニコン | 開口絞り、光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法 |
DE102008049589A1 (de) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung und Abbildungsverfahren für die Mikroskopie |
DE102008049588B4 (de) * | 2008-09-30 | 2018-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Abbildungseinrichtung, Mikroskop und Abbildungsverfahren für die Mikroskopie |
KR20100044625A (ko) * | 2008-10-22 | 2010-04-30 | 삼성전자주식회사 | 주기적으로 활성화되는 복제 경로를 구비하는 지연 동기 루프를 구비하는 반도체 장치 |
JPWO2011065374A1 (ja) * | 2009-11-24 | 2013-04-18 | 株式会社ニコン | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
US8317344B2 (en) | 2010-06-08 | 2012-11-27 | Nikon Corporation | High NA annular field catoptric projection optics using Zernike polynomial mirror surfaces |
US20120170014A1 (en) * | 2011-01-04 | 2012-07-05 | Northwestern University | Photolithography system using a solid state light source |
DE102011086345A1 (de) * | 2011-11-15 | 2013-05-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel |
CN102402135B (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-05 | 北京理工大学 | 一种极紫外光刻投影物镜设计方法 |
KR102330570B1 (ko) | 2012-02-06 | 2021-11-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 반사 결상 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
DE102012204273B4 (de) | 2012-03-19 | 2015-08-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
WO2014019617A1 (en) | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical unit for a projection exposure apparatus |
DE102013218128A1 (de) | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem |
DE102013218132A1 (de) | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kollektor |
DE102013218130A1 (de) * | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
JP6215009B2 (ja) * | 2013-11-15 | 2017-10-18 | 株式会社東芝 | 撮像装置及び撮像方法 |
DE102014216801A1 (de) | 2014-08-25 | 2016-02-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
CN105511231B (zh) * | 2014-10-16 | 2019-03-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Euv光源和曝光装置 |
DE102014223811B4 (de) | 2014-11-21 | 2016-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils |
DE102017217251A1 (de) * | 2017-09-27 | 2019-03-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Analyse der Wellenfrontwirkung eines optischen Systems |
RU2760443C1 (ru) * | 2020-12-07 | 2021-11-25 | Общество с Ограниченной Ответственностью Научно Исследовательский Центр «Астрофизика» | Устройство фокусировки для лазерной обработки |
DE102022206110A1 (de) * | 2022-06-20 | 2023-12-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld |
DE102022209908A1 (de) * | 2022-09-21 | 2024-03-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel, Beleuchtungsoptik, Anordnung eines Facettenspiegels, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines nanostrukturierten Bauelements |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000031041A (ja) * | 1998-05-30 | 2000-01-28 | Carl Zeiss:Fa | 縮小オブジェクティブ |
JP2003107354A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-09 | Nikon Corp | 結像光学系および露光装置 |
JP2004170869A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-06-17 | Nikon Corp | 結像光学系、露光装置および露光方法 |
US20050088760A1 (en) * | 1998-05-05 | 2005-04-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
WO2005083759A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Nikon Corporation | 露光装置、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法 |
JP2005258457A (ja) * | 2000-11-07 | 2005-09-22 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス |
Family Cites Families (94)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US666560A (en) * | 1899-07-25 | 1901-01-22 | William S Rowland | Wire fence. |
DE3343868A1 (de) | 1983-12-03 | 1985-06-13 | Zeiss Carl Fa | Objektiv mit kegelschnittflaechen fuer die mikrozonenabbildung |
US4650292A (en) | 1983-12-28 | 1987-03-17 | Polaroid Corporation | Analytic function optical component |
US5003567A (en) * | 1989-02-09 | 1991-03-26 | Hawryluk Andrew M | Soft x-ray reduction camera for submicron lithography |
JP2691226B2 (ja) | 1989-07-10 | 1997-12-17 | 株式会社ニコン | 赤外線撮像光学装置 |
US5071240A (en) | 1989-09-14 | 1991-12-10 | Nikon Corporation | Reflecting optical imaging apparatus using spherical reflectors and producing an intermediate image |
US5063586A (en) | 1989-10-13 | 1991-11-05 | At&T Bell Laboratories | Apparatus for semiconductor lithography |
US5212588A (en) * | 1991-04-09 | 1993-05-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reflective optical imaging system for extreme ultraviolet wavelengths |
US5309276A (en) | 1991-08-29 | 1994-05-03 | Optical Research Associates | Catoptric optical system including concave and convex reflectors |
JPH0736959A (ja) | 1993-07-15 | 1995-02-07 | Hitachi Ltd | 自由曲面光学系の設計方法 |
DE4327656A1 (de) * | 1993-08-17 | 1995-02-23 | Steinheil Optronik Gmbh | Infrarot-Objektiv |
DE69416855T2 (de) | 1993-11-23 | 1999-08-12 | Plasmoteg Engineering Center | Schleifmittel zur feinen oberflächenbehandlung und verfahren zur herstellung desselben |
JP3358097B2 (ja) | 1994-04-12 | 2002-12-16 | 株式会社ニコン | X線投影露光装置 |
EP0730180B1 (en) | 1995-02-28 | 2002-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting type of zoom lens |
US6166866A (en) | 1995-02-28 | 2000-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting type optical system |
US6021004A (en) | 1995-02-28 | 2000-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflecting type of zoom lens |
US5815310A (en) * | 1995-12-12 | 1998-09-29 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture ring field optical reduction system |
JP3041328B2 (ja) | 1996-03-21 | 2000-05-15 | 株式会社那須板金工業 | 平板葺き屋根構造 |
US5686728A (en) * | 1996-05-01 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc | Projection lithography system and method using all-reflective optical elements |
JPH11110791A (ja) | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Pioneer Electron Corp | 光情報記録媒体の再生ピックアップ装置 |
US6081578A (en) * | 1997-11-07 | 2000-06-27 | U.S. Philips Corporation | Three-mirror system for lithographic projection, and projection apparatus comprising such a mirror system |
WO1999026278A1 (fr) * | 1997-11-14 | 1999-05-27 | Nikon Corporation | Dispositif d'exposition, procede de fabrication associe, et procede d'exposition |
US6240158B1 (en) * | 1998-02-17 | 2001-05-29 | Nikon Corporation | X-ray projection exposure apparatus with a position detection optical system |
US6226346B1 (en) | 1998-06-09 | 2001-05-01 | The Regents Of The University Of California | Reflective optical imaging systems with balanced distortion |
JP2000091209A (ja) | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4238390B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
EP0955641B1 (de) * | 1998-05-05 | 2004-04-28 | Carl Zeiss | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
US6859328B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl Zeiss Semiconductor | Illumination system particularly for microlithography |
DE10138313A1 (de) | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Zeiss Carl | Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm |
US6396067B1 (en) | 1998-05-06 | 2002-05-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
US6577443B2 (en) | 1998-05-30 | 2003-06-10 | Carl-Zeiss Stiftung | Reduction objective for extreme ultraviolet lithography |
EP1293831A1 (en) * | 1998-06-08 | 2003-03-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
US6072852A (en) | 1998-06-09 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography |
US6213610B1 (en) | 1998-09-21 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
JP2000100694A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
US6195201B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-02-27 | Svg Lithography Systems, Inc. | Reflective fly's eye condenser for EUV lithography |
US7151592B2 (en) | 1999-02-15 | 2006-12-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
US6600552B2 (en) | 1999-02-15 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss Smt Ag | Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus |
EP1772775B1 (de) | 1999-02-15 | 2008-11-05 | Carl Zeiss SMT AG | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
KR100417676B1 (ko) | 1999-03-15 | 2004-02-11 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 집속소자, 광헤드, 광정보 기록재생장치 및 광정보기록재생방법 |
US6033079A (en) * | 1999-03-15 | 2000-03-07 | Hudyma; Russell | High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography |
JP2000286189A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法 |
US6426506B1 (en) | 1999-05-27 | 2002-07-30 | The Regents Of The University Of California | Compact multi-bounce projection system for extreme ultraviolet projection lithography |
JP4212721B2 (ja) | 1999-06-10 | 2009-01-21 | 三菱電機株式会社 | 広角反射光学系 |
JP4717974B2 (ja) | 1999-07-13 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
US6557443B1 (en) | 1999-09-09 | 2003-05-06 | Larue Mark C. | Bar feeder for machining center |
EP1093021A3 (en) * | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
US6621557B2 (en) * | 2000-01-13 | 2003-09-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and exposure methods |
TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
US6867913B2 (en) * | 2000-02-14 | 2005-03-15 | Carl Zeiss Smt Ag | 6-mirror microlithography projection objective |
JP2002015979A (ja) | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
DE10052289A1 (de) | 2000-10-20 | 2002-04-25 | Zeiss Carl | 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv |
KR20030045817A (ko) | 2000-10-20 | 2003-06-11 | 칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 | 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 |
JP2004516500A (ja) | 2000-12-12 | 2004-06-03 | カール ツァイス エスエムテー アーゲー | Euvリソグラフィ用の投影系 |
KR100831706B1 (ko) | 2001-01-09 | 2008-05-22 | 칼 짜이스 에스엠티 에이지 | 극자외선 리소그라피를 위한 투영시스템 |
US6387723B1 (en) | 2001-01-19 | 2002-05-14 | Silicon Light Machines | Reduced surface charging in silicon-based devices |
US20020171047A1 (en) * | 2001-03-28 | 2002-11-21 | Chan Kin Foeng | Integrated laser diode array and applications |
JP4349550B2 (ja) | 2001-03-29 | 2009-10-21 | フジノン株式会社 | 反射型投映用光学系 |
TW594043B (en) | 2001-04-11 | 2004-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reflection type optical apparatus and photographing apparatus using the same, multi-wavelength photographing apparatus, monitoring apparatus for vehicle |
JP2002329655A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Canon Inc | 反射型縮小投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
DE10139177A1 (de) * | 2001-08-16 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Objektiv mit Pupillenobskuration |
JP2003114387A (ja) | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置 |
JP3581689B2 (ja) | 2002-01-31 | 2004-10-27 | キヤノン株式会社 | 位相測定装置 |
EP1333260A3 (en) | 2002-01-31 | 2004-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Phase measuring method and apparatus |
JP2003233005A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003233001A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003233002A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
US6989922B2 (en) | 2002-06-21 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Deformable mirror actuation system |
JP2004029625A (ja) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP3938040B2 (ja) | 2002-12-27 | 2007-06-27 | キヤノン株式会社 | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
US7268891B2 (en) * | 2003-01-15 | 2007-09-11 | Asml Holding N.V. | Transmission shear grating in checkerboard configuration for EUV wavefront sensor |
JP2004252358A (ja) | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系及び露光装置 |
JP2004252363A (ja) | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系 |
JP2004258541A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Canon Inc | 反射型光学系 |
JP2005003943A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
JP4428947B2 (ja) | 2003-06-30 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 結像光学系 |
JP2005055553A (ja) | 2003-08-08 | 2005-03-03 | Nikon Corp | ミラー、温度調整機構付きミラー及び露光装置 |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
JP2005166778A (ja) | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Canon Inc | 露光装置、デバイスの製造方法 |
DE10359576A1 (de) | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung einer optischen Einheit |
DE10360414A1 (de) | 2003-12-19 | 2005-07-21 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Projektionsobjektiv sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2005294608A (ja) | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Nikon Corp | 放電光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2005294087A (ja) | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Nikon Corp | 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP4338577B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2009-10-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
US7114818B2 (en) | 2004-05-06 | 2006-10-03 | Olympus Corporation | Optical system, and electronic equipment that incorporates the same |
JP5366405B2 (ja) * | 2004-12-23 | 2013-12-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 遮光瞳を有する高開口率対物光学系 |
DE102005042005A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
JP2006245147A (ja) | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Canon Inc | 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2006253487A (ja) | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Nikon Corp | 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP2006351586A (ja) | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Nikon Corp | 照明装置、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法 |
KR100604942B1 (ko) | 2005-06-18 | 2006-07-31 | 삼성전자주식회사 | 비축상(off-axis) 프로젝션 광학계 및 이를 적용한극자외선 리소그래피 장치 |
KR101127346B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2012-03-29 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법 |
DE102006003375A1 (de) | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Gruppenweise korrigiertes Objektiv |
DE102006014380A1 (de) | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille |
-
2006
- 2006-03-27 DE DE102006014380A patent/DE102006014380A1/de not_active Ceased
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2007
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- 2007-03-27 KR KR1020070029682A patent/KR101121817B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-03-27 JP JP2007081783A patent/JP5714201B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-11-19 US US12/949,985 patent/US8094380B2/en active Active
-
2011
- 2011-07-19 KR KR1020110071470A patent/KR101166658B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-06 US US13/312,196 patent/US8810927B2/en not_active Expired - Fee Related
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2012
- 2012-01-09 KR KR1020120002600A patent/KR101144492B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2012-12-27 JP JP2012285891A patent/JP5883778B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050088760A1 (en) * | 1998-05-05 | 2005-04-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
JP2000031041A (ja) * | 1998-05-30 | 2000-01-28 | Carl Zeiss:Fa | 縮小オブジェクティブ |
JP2005258457A (ja) * | 2000-11-07 | 2005-09-22 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス |
JP2003107354A (ja) * | 2001-10-01 | 2003-04-09 | Nikon Corp | 結像光学系および露光装置 |
JP2004170869A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-06-17 | Nikon Corp | 結像光学系、露光装置および露光方法 |
WO2005083759A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Nikon Corporation | 露光装置、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011517786A (ja) * | 2008-03-20 | 2011-06-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための投影対物系 |
US8629972B2 (en) | 2008-03-20 | 2014-01-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective for microlithography |
JP2015132853A (ja) * | 2008-03-20 | 2015-07-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための投影対物系 |
US9304408B2 (en) | 2008-03-20 | 2016-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective for microlithography |
US9164394B2 (en) | 2009-03-06 | 2015-10-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination optical system and optical systems for microlithography |
JP2011109096A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Nikon Corp | 反射結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2013540350A (ja) * | 2010-09-29 | 2013-10-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv投影露光系のためのミラー、光学系、及び構成要素を生成する方法 |
US10274649B2 (en) | 2010-09-29 | 2019-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mirror and related EUV systems and methods |
JP2014517349A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-07-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学ユニット |
JP2014168080A (ja) * | 2014-04-11 | 2014-09-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系 |
JP2016200616A (ja) * | 2015-04-07 | 2016-12-01 | 信越化学工業株式会社 | ペリクル用フレーム及びそれを用いたペリクル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8094380B2 (en) | 2012-01-10 |
JP5883778B2 (ja) | 2016-03-15 |
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TW200741244A (en) | 2007-11-01 |
US20120075608A1 (en) | 2012-03-29 |
US20110063596A1 (en) | 2011-03-17 |
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