JP2000031041A - 縮小オブジェクティブ - Google Patents

縮小オブジェクティブ

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JP2000031041A JP11150260A JP15026099A JP2000031041A JP 2000031041 A JP2000031041 A JP 2000031041A JP 11150260 A JP11150260 A JP 11150260A JP 15026099 A JP15026099 A JP 15026099A JP 2000031041 A JP2000031041 A JP 2000031041A
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mirrors
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ディンガー ウド
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Carl Zeiss SMT GmbH
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 短波長≦１９３ｎｍ、有利には短波長＜１０
０ｎｍによるリソグラフィに適当な投影オブジェクティ
ブ装置を提供することであり、この投影オブジェクティ
ブ装置は前述の従来技術の欠点を有さず、できるだけ少
ない光学素子で間に合い、他方で十分に大きなアパーチ
ャを有し、テレセントリ要求ならびに波長≦１９３ｎｍ
のための投影システムへの他の全ての要求を満たす。 【解決手段】 上記課題は、４つのミラーを有し、凸面
１次ミラーと２次ミラーの正の主ビーム角倍率とを特徴
とする投影オブジェクティブによって解決される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学軸を基準にし
てセンタリングされて配置された４つのマルチレイヤミ
ラー、すなわち１次ミラー、２次ミラー、３次ミラー、
４次ミラーをこの順番にビーム路に有し、スキャニング
動作に適したリング状フィールドを有し、オブスキュレ
ーションのない光制御を有するとりわけＥＵＶマイクロ
リソグラフィの縮小オブジェクティブ(対物レンズ乃至
は対物ミラー)及び投影露光装置及びチップ製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】波長＜１９３ｎｍを有するリソグラフ
ィ、とりわけλ＝１１ｎｍ乃至はλ＝１３ｎｍを有する
ＥＵＶリソグラフィは、１３０ｎｍ＞構造、とりわけ有
利には１００ｎｍ＞構造を結像するための可能な技術と
して議論されている。リソグラフィックシステムの解像
力は次の式により記述される： ＲＥＳ＝ ｋ1・（λ/ ＮＡ） ここでｋ1はリソグラフィプロセスの固有のパラメー
タ、λは入射光の波長、ＮＡはこのシステムの像側の開
口数である。
【０００３】ＥＵＶ領域における結像システムに対して
は光学コンポーネントとして基本的にマルチレイヤ層を
有する反射システムが使用される。マルチレイヤ層シス
テムとしてλ＝１１ｎｍの場合には有利にはＭｏ/Ｂｅ
システムが使用され、λ＝１３ｎｍの場合にはＭｏ/Ｓ
ｉシステムが使用される。
【０００４】開口数０.１０を基礎におく場合、１３ｎ
ｍビームによる１００ｎｍ構造の結像はｋ1＝０.７７を
有するプロセスを必要とする。ｋ1＝０.６４によって１
１ｎｍビームの場合には７０ｎｍ構造の結像が可能であ
る。
【０００５】使用されるマルチレイヤ層の反射率はほぼ
７０％の領域にしか存在しないので、ＥＵＶマイクロリ
ソグラフィのための投影オブジェクティブにおいて十分
な光強度に到達するためにＥＵＶ投影オブジェクティブ
においてできるだけ少ない光学コンポーネントで間に合
わせることは、極めて決定的な重要性を持つ。
【０００６】ＮＡ＝０.１０における高い光強度及び結
像エラー補正のための十分な可能性に目を向けると、４
つのミラーを有するシステムがとりわけ有利であると判
明した。ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ投影オブジ
ェクティブへのさらに別の要求は、オブスキュレーショ
ン（Obskuration）、像フィールド、歪み、像側及び物
体側のテレセントリ、自由な作動距離ならびに絞りに関
する。
【０００７】オブスキュレーション、例えばシュバルツ
シルトシステムの場合のような中心シェーディングは許
されない。というのも、さもなければ結像品質の許容不
能な低下が発生するからである。
【０００８】オブスキュレーションのないビーム路を必
要とする場合、センタリングされたシステムにおいて軸
から外れた像フィールドが結果的に得られる。２６ｘ３
４ｍｍ2乃至は２６ｘ５２ｍｍ2の像寸法を形成するため
に、有利にはリング状フィールドスキャナとしてシステ
ムを構成する。この場合、スキャンスリットの利用可能
な割線長（Sekantenlaenge）は少なくとも２６ｍｍであ
る。リング幅は均一照明乃至は露光コントロール及び
「ドーズコントロール」を可能にするために０.５〜２
ｍｍの範囲に存在するべきである。
【０００９】歪みの場合には静的歪みと動的歪み又はス
キャン歪みとを区別する。スキャン歪みはスキャン路に
亘る静的歪みの積分によって得られる実際の歪みであ
る。スケール補正される静的歪みの限界は基本的にコン
トラスト及びＣＤヴァリエーション（CD-Variation）の
スペックから得られる。
【００１０】像側のテレセントリが必要である。投影シ
ステムが反射マスクを有するシステムである場合、テレ
セントリックなビーム路は物体側では不可能である。透
過マスク、例えばステンシルマスクが使用される場合、
テレセントリックなビーム路も実現できる。
【００１１】正確なビーム束限定を可能にするために
は、絞りが物理的に操作できると有利である。
【００１２】像側のテレセントリ要求は、最終ミラーの
入射瞳がその焦点に又はその焦点の近傍に位置するよう
になることを意味する。操作できる絞りにおけるコンパ
クトなデザインを得るためには、最後から２番目のミラ
ーをビーム束限定素子としてそこに配置することが提案
される。
【００１３】以下の刊行物から４ミラー投影オブジェク
ティブ乃至は４ミラー縮小オブジェクティブが公知であ
る： ＊米国特許５３１５６２９号明細書 ＊ヨーロッパ特許０４８０６１７号公報 ＊米国特許５０６３５８６号明細書 ＊ヨーロッパ特許０４２２８５３号公報 ＊Donald W.Sweeney, Russ Hudyma, Henry N.Chapman,
David Shafer, EUV optical Design for a 100 mm CD i
maging System, 23rd International Symposiumof micr
olithography, SPIE, Santa Clara, California, Febru
ary 22-27, 1998, SPIE Vol. 3331, p.2ff. 米国特許５３１５６２９号明細書ではＮＡ＝０.１、４
ｘ、３１.２５ｘ０.５ｍｍ2を有する４ミラー投影オブ
ジェクティブが請求される。ミラー列は凹面、凸面、凹
面、凸面である。
【００１４】ヨーロッパ特許０４８０６１７号公報から
は、２つのＮＡ＝０.１、５ｘ、２５ｘ２ｍｍ2システム
が公知である。ミラー列は凹面、凸面、任意には/凸
面、凹面である。
【００１５】米国特許５０６３５８６号明細書及びヨー
ロッパ特許０４２２８５３号公報のシステムは例えば少
なくとも５ｘ５ｍｍ2の矩形状の像フィールドを有す
る。一般に分散配置されたシステムは％領域の非常に高
い歪み値を有する。従って、このオブジェクティブはレ
チクルでの歪み前方照準（Verzeichnungsvorhalt）を有
するステッパ（ステップアンドリピートプロセッサ）で
のみ使用される。高いレベルの歪みのためにこのような
オブジェクティブは当然ここで議論されている構造幅
（≦１３０ｎｍ）の場合には実用不能になる。ミラー列
は凸面、凹面、凸面、凹面である。
【００１６】米国特許５１５３８９８号明細書からは合
計して任意の３つから５つのマルチレイヤミラーシステ
ムが公知である。ここで開示されている実現形態は勿論
すべて矩形状フィールド及び小さい開口数ＮＡ（ＮＡ＜
０.０４）を有する３ミラーシステムを記述している。
従って、これらのシステムは構造≧０.２５μｍの結像
に限定される。
【００１７】一般的な従来技術に関連して、さらに T.J
ewell:“Optical system design issues in developmen
t of projection cammera for EUV lithography”,Pro
c.SPIE 2437(1995)及びこの文献に記載されている引用
文を参照のこと。これらの引用文の開示内容は全体とし
てこの出願に取り入れられる。
【００１８】ヨーロッパ特許０４８０６１７号公報なら
びに米国特許５３１５６２９号明細書及び上記の Sween
ey により公知のシステムにおいては欠点が判明してい
る。すなわち、あまり大きくはない自由な機械的作動距
離＞１００ｍｍが実現される場合、１次ミラーの軸から
外れた利用部分が機械的に投影露光装置のウェハ側のセ
ンサ構造物と衝突する、という欠点である。これらの衝
突は「像フィールド近傍に」配置されているミラーセグ
メントにおいてははるかに小さい距離（≒１０ｍｍ）で
初めて発生する。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、短波長≦１９３ｎｍ、有利には短波長＜１００ｎｍ
によるリソグラフィに適した投影オブジェクティブ装置
を提供することであり、この投影オブジェクティブ装置
は前述の従来技術の欠点を有さず、できるだけ少ない光
学素子で間に合い、他方で十分に大きなアパーチャを有
し、テレセントリ要求ならびに波長≦１９３ｎｍのため
の投影システムへの他の全ての要求を満たす。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記課題は、４つのミラ
ーを有し、凸面１次ミラーと２次ミラーの正の主ビーム
角倍率とを特徴とする投影オブジェクティブによって解
決される。
【００２１】
【発明の実施の形態】このビームに対するマルチレイヤ
システムの反射率が７０％であることを基礎とすると、
４ミラーシステムとして構成することによってＥＵＶ領
域の波長において高い透過率が得られる。他方でＮＡ≒
０.１０領域のアパーチャが実現できる。この本発明の
４ミラーオブジェクティブは従って高い解像力、低い製
造コスト及び高いスループット（Durchsatz）によって
際立っている。
【００２２】有利な本発明の実施形態では、絞りはミラ
ーに又はミラー近傍に配置される。このミラーはとりわ
け３次ミラーである。そして、この絞りは物理的に操作
可能であり、デザインはコンパクトであり、シェーディ
ングがない。有利には４つのミラーに加えて１つ又は２
つのミラーがかすめ入射されるように配置され、この１
つの又は２つの付加的なミラーは有利には平面から導か
れる非球面を有する。
【００２３】有利には少なくとも１つのミラーがアクテ
ィブミラーである。４ミラーオブジェクティブの実施形
態では２次ミラー及び４次ミラーが凹面である。
【００２４】有利にはマルチレイヤミラーは順番に凸
面、凹面、凸面、凹面に構成される。
【００２５】本明細書で議論される非球面性は、有効領
域において最適な球面に対するこの非球面のピーク-ピ
ーク偏差乃至はピーク・トゥ・ヴァレー（peak to vall
ey）（ＰＶ）偏差Ａに関連する。
【００２６】これらは実施例では球面によって近似さ
れ、この球面の中心点はミラーのフィギュア軸（Figure
nachse）にあり、さらにこの球面はメリジオナル切断面
（Meridionalschnitt）において有効領域の上部端点及
び下部端点で非球面と交わる。
【００２７】入射角についての指示はそれぞれ各入射ビ
ームと入射箇所の面法線との間の角度に関する。いずれ
かのビームの最大角度、一般的にはミラーのうちのいず
れかに当たるビーム束制限ビームの最大角度が記載され
ている。
【００２８】とりわけ有利にはウェハ側の光学的な自由
作動距離は６０ｍｍである。レチクル側の自由作動距離
は少なくとも１００ｍｍである。
【００２９】前述のオブジェクティブは、ＥＵＶリソグ
ラフィに使用されるだけでなく、自明のことながら本発
明から逸脱することなく他の波長でも使用される。実際
にこれはエキシマレーザにおける１９３ｎｍ前後の領域
のＵＶ波長の場合にも使用が考慮される。
【００３０】回折が制限された結像を達成するために
は、有利にはシステムのｒｍｓ波面成分のデザイン成分
はせいぜい０.０７λ、有利には０.０３λである。
【００３１】有利には本発明の実施例ではオブジェクテ
ィブは常に像側にテレセントリックに構成される。
【００３２】反射マスクによって動作される投影システ
ムの場合には、例えばＪＰ-Ａ-９５/２８３１１６から
公知であるように、大幅に透過率を低減するビームスプ
リッタを介する照明なしのテレセントリックなビーム路
は物体側では不可能である。従って、レチクルにおける
主ビーム角度は、シェーディングのない照明が保障され
るように選択される。
【００３３】透過マスクを有するシステムの場合には、
投影オブジェクティブは物体側でテレセントリックに構
成される。
【００３４】全体としてテレセントリエラーはウェハに
おいて１０ｍｒａｄを越えるべきではない。有利にはこ
のテレセントリエラーは５ｍｒａｄ、とりわけ有利には
２ｍｒａｄである。これは、結像スケール乃至は歪みの
変化が焦点深度領域に亘って許容できる限界内に保持さ
れることを保障する。
【００３５】本発明の縮小乃至は投影オブジェクティブ
装置の他に、本発明は少なくとも１つのこのようなオブ
ジェクティブを含む投影露光装置を使用する。第１の実
施形態ではこの投影露出装置は反射マスクを有し、代替
的な実施形態では透過マスクを有する。
【００３６】この投影露出装置が軸から外れたリング状
フィールドを照明するための照明装置を含み、このシス
テムがリング状フィールドスキャナとして構成されてい
るととりわけ有利である。有利にはスキャンスリットの
割線長は少なくとも２６ｍｍであり、リング幅は０.５
ｍｍより大きく、この結果均一な照明が可能となる。
【００３７】さらに本発明のオブジェクティブによって
最適な球面からの非球面偏差は僅少に保持される。この
結果、 ＭＬミラーの「回折制限」及び高い反射率への
要求は、ここから出てくるこれらＭＬミラーの表面への
極度の精度要求によってミラーの自由な直径から原子の
寸法までの全ての空間周波数領域において保持できる。
【００３８】ＥＵＶ領域におけるミラーの反射率はマル
チレイヤとも呼ばれるいわゆるＤＢＲ（分布型ブラッグ
反射器）によってサブストレートを被覆することによっ
て達成されるので、これらはλ＝１３ｎｍ及びＭｏ/Ｓ
ｉシステムの場合にはほぼ４０個の層の対から成り、λ
＝１１ｎｍの場合にはほぼ７０個の層の対から成る。従
って、このシステムの許容角度（Winkelakzeptanz）は
小さい角度領域にあり、入射角度が増大するにつれて減
少する。さらに入射角度が増大するにつれて多重構造に
起因する妨害的な位相効果も増大する。空間点に関連す
る平均入射角度がシステム面に亘ってあまりにも大きく
変化する場合、層パケットは可変的な厚みで塗付され
る。
【００３９】本発明のオブジェクティブは比較的小さい
平均入射角度及びこの平均入射角度の平面固有の小さい
変化によって際立っているので、マルチレイヤシステム
の上記の問題は重大なものとはなりえない。
【００４０】
【実施例】本発明を以下において図面に基づいて例示的
に記述する。
【００４１】図１〜４に示された実施例は、第３のミラ
ーＭ３に絞りを有する、センタリングされ像側にテレセ
ントリックな縮小システムである。全てのシステムにお
いて同一の構成素子に対して同一の参照符号が使用さ
れ、以下では次の用語を使用する： 第１のミラー（Ｍ１）、第２のミラー（Ｍ２） 第３のミラー（Ｍ３）、第４のミラー（Ｍ４） これら様々な実施形態は１次ミラー倍率ｍ（Ｍ１）乃至
は収れん比（convergence ratio）ν（Ｍ１）＝−１/ｍ
（Ｍ１）及び２次ミラー主ビーム角倍率μ（Ｍ２）によ
って分類される。これらの用語は Dietrich Korsch, Re
flective optics,Academic Press 1991,p.41ffに従って
いる。この文献の開示内容は全体的に本発明の出願に取
り入れられた：
【００４２】
【表１】
【００４３】ここでは、εi＞０はシステムの開口数Ｎ
Ａにより増大する。すなわち、 εi＝０＝＝＞ ＮＡ＝０ が成り立つ。以下に使用されるようなシステム分類の概
略図は図１に図示されている。
【００４４】主ビーム角倍率乃至はangular magnificat
ionという概念は角度自体に関連するのではなく、角度
のタンジェントに関連する（ Korsch, Reflective opti
cs ,p.41ffを参照）。正の主ビーム角倍率は具体的には
次のことを意味する。すなわち、光学軸を基準にして入
射して反射された主ビームにより識別可能な直線の傾き
が同一の正負の符号を有すること乃至は当該ミラーの入
射瞳及び射出瞳がこのミラーの物理的に同じ側に存在す
ることを意味する。
【００４５】図１から分かるように、Typ＿a、Typ＿b、
Typ＿eはトポロジ的に関連する領域内部に存在する。す
なわち、これらのシステムはデザインパラメータ空間内
部にて連続的に互いに移行しうる。
【００４６】これとは対照的に、オブスキュレーション
が無いという条件が満たされなければならない場合に
は、このようなことはクラス（a,b,e）、クラス f 及び
クラスg のうちのそれぞれ２つのシステムに対してあり
得ない。図１のビーム（Die Balken）はシンボリックに
「禁止領域」を示し、この禁止領域では有限のＮＡの場
合にはミラーにより光束のシェーディングが必然的に現
れる。
【００４７】それぞれのトポロジ的な関連領域への所属
はμ（Ｍ２）によって決定される。米国特許５３１５６
２９号明細書乃至はヨーロッパ特許０４８０６１７号公
報から公知のリング状フィールドシステムはカテゴリTy
p＿aに所属する。 Typ＿b システムは、Typ＿e システ
ムへの連続的な移行を仲介する。これらのTyp＿e シス
テムは上記の Donald W.Sweeney et al., 23rd Interna
tional Symposium of microlithography から公知のシ
ステムも含む。
【００４８】Typ＿f 及び Typ＿gのシステムは前述の刊
行物のどれからも公知ではない。米国特許５３１５６２
９号明細書乃至はヨーロッパ特許０４８０６１７号公報
に対して、Typ＿f 及び Typ＿g のシステムは凸面１次
ミラーによって区別される。Donald W.Sweeney et al.,
23rd International Symposium of microlithography
から公知のシステムもなるほど凸面１次ミラーを有する
が、しかしもう１つの主ビーム角倍率をＭ２に有し、従
って別のビーム制御をシステムにおいて有する。
【００４９】ν（Ｍ１）＞約−１.５を有する Typ＿f
のシステムは、レチクルにおいて大きな主ビーム角度及
び大きなシステム直径をもたらす。これにより凹面Ｍ１
（ν（Ｍ１）＞−１）を有する有効なシステム構成は困
難になる。
【００５０】以下のテーブルでは例示的な実施形態の典
型的な機能データを様々なシステムカテゴリに対置させ
たものである。歪み値はリング状フィールドに亘るスケ
ール補正の後で得られる。個々のシステムクラスに所属
するシステムの例示的なレンズ断面図は図２〜５に示さ
れている。
【００５１】
【表２】
【００５２】
【表３】
【００５３】凸面のＭ１を有するシステムは、凹面のＭ
１を有する Typ＿a の実施形態よりもはるかに大きな非
球面性を有する。図２にはレチクル面２からウェハ面４
までの Typ＿e システムの断面を示す。ウェハの最も近
傍のミラーは第１ミラーＭ１である。
【００５４】Typ＿e システムはミラーＭ１、Ｍ２、Ｍ
３、Ｍ４において最小の角度負荷（Winkelbelastung）
を有し、このことはシステムの偏光光学特性を良くす
る。しかし、レチクル面２における大きい主ビーム角度
は非常に平坦なレチクルを必要とする。
【００５５】逆に、図４の断面に例示的に示されている
Typ＿g システムは、レチクルにおける代替可能な主ビ
ーム角度の場合、ミラーＭ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４におい
て比較的大きな角度負荷を示す。
【００５６】図３に例示的に示されているような Typ＿
f のシステムは最も甚だしい非球面を必要とするが、こ
の代わりにミラーＭ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４及びレチクル
２に対する有利な角度付与を有する。非常に小さい歪み
には比較的小さい像フィールドが対応する。構造長はな
るほど他のシステムの場合よりも大きく、他方で場合に
よってはオブジェクティブ内部の長いドリフト区間によ
って付加コンポーネント、例えばアライメントシステ
ム、偏向ミラー等々を使用することができる。
【００５７】Typ＿f 及び Typ＿g システムは図３及び
４に示されているように、レチクル２における正の主ビ
ーム角度によっても負の主ビーム角度によっても実現で
きる。よって、最適な幾何学的構成が、とりわけレチク
ル２への比較的小さい自由作動距離が反射マスクの使用
の際に光を反射（Einspiegelung）するために選択され
る。透過マスクを使用する場合にはテレセントリックビ
ーム路が実現される。
【００５８】Typ＿a 及び Typ＿f のシステムは比較的
長い「ドリフト区間」を本来のミラーシステムの前に乃
至は内部に有する。そこに大きな反射率のかすめ入射ミ
ラーを補正素子として例えばシュミット補正板又はアク
ティブ光学補正システムのやり方で挿入することが可能
である。今日の文献記載の数値に基づくと、１３.３ｎ
ｍ及び入射角度７５°の場合にモリブデン層を被覆され
たミラーにおいて非偏光光線に対する理論的に可能な反
射率は約８５％である。ビーム束のかすめ入射によっ
て、くまなく照明される断面積は、隣接するミラーでく
まなく照明される断面積に比べて、１つ方向において非
常に大きくなる。このことは補正素子の構成を容易にす
る。個々のミラーは有利には対毎にほぼ垂直に互いに向
かい合っている面法線によって配置され、この結果ビー
ム束は全ての空間方向において同一の解像力で操作でき
る。
【００５９】図５には挿入されたかすめ入射ミラーＧＩ
Ｍを有する Typ＿f のこのようなデザインが示されてい
る。
【００６０】次のテーブル１から図３のシステムのパラ
メータがコードＶフォーマットで読み取れる。
【００６１】
【表４】
【００６２】
【表５】
【００６３】図４に図示された Typ＿g システムの構成
データは次のテーブル２から見て取れる。
【００６４】
【表６】
【００６５】ミラーＭ１、Ｍ２とＭ３、Ｍ４との間に偏
向ミラー、いわゆるかすめ入射ミラーＧＩＭを挿入する
と、図５に図示された Typ＿f の構成が得られる。この
実施形態のデータはテーブル３から見て取れる。
【００６６】
【表７】
【００６７】
【表８】
【００６８】従って、本発明によってはじめてＥＵＶリ
ング状フィールド投影システムにおいて有利に使用する
ための有利には４ｘの結像スケールを有する４ミラー投
影オブジェクティブが提供される。これは、要求される
像フィールドでの必要な解像力も機能にふさわしい構造
構成を可能にする構成条件も有する。というのも、非球
面が十分にゆるやかであり、角度が層に対して十分に小
さく、ミラー担体のための構造空間が十分に大きいから
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で使用されるシステム分類の概略図であ
る。
【図２】従来技術の第１の４ミラーシステム（Typ＿e
System）のレンズ断面図である。
【図３】第２の４ミラーシステム（Typ＿f System）の
レンズ断面図である。
【図４】第３の４ミラーシステム（Typ＿g System）の
レンズ断面図である。
【図５】かすめ入射ミラーを挿入したTyp＿f の４ミラ
ーシステムのレンズ断面図である。
【符号の説明】
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４ ミラー ２ レチクル ４ ウェハ面

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 とりわけＥＵＶマイクロリソグラフィの
    縮小オブジェクティブ(対物レンズ乃至は対物ミラー)で
    あって、 光学軸を基準にしてセンタリングされて配置される４つ
    のマルチレイヤミラー（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４）、す
    なわち１次ミラー、２次ミラー、３次ミラー、４次ミラ
    ーをこの順番にビーム路に有し、 スキャニング動作に適したリング状フィールドを有し、 オブスキュレーションのない光制御を有する、とりわけ
    ＥＵＶマイクロリソグラフィの縮小オブジェクティブに
    おいて、 凸面１次ミラー（Ｍ１）と、 前記２次ミラー（Ｍ２）の正の主ビーム角倍率とを特徴
    とする、とりわけＥＵＶマイクロリソグラフィの縮小オ
    ブジェクティブ。
  2. 【請求項２】 絞り（Ｂ）はミラー、とりわけ３次ミラ
    ー（Ｍ３）に又は該３次ミラー（Ｍ３）の近傍に配置さ
    れることを特徴とする請求項１記載の縮小オブジェクテ
    ィブ。
  3. 【請求項３】 付加的に１つ又は２つのミラー（ＧＩ
    Ｍ）はかすめ入射されるように配置されていることを特
    徴とする請求項１又は２記載の縮小オブジェクティブ。
  4. 【請求項４】 付加的なミラー（ＧＩＭ）は平面から導
    かれる非球面を有することを特徴とする請求項３記載の
    縮小オブジェクティブ。
  5. 【請求項５】 少なくとも１つのミラー（ＧＩＭ）はア
    クティブミラーであることを特徴とする請求項３又は４
    記載の縮小オブジェクティブ。
  6. 【請求項６】 ２次ミラー（Ｍ２）及び４次ミラー（Ｍ
    ４）は凹面であることを特徴とする請求項１〜５までの
    うちの少なくとも１項記載の縮小オブジェクティブ。
  7. 【請求項７】 マルチレイヤミラー（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ
    ３，Ｍ４）は順番に凸面、凹面、凸面、凹面に構成され
    ていることを特徴とする請求項１〜６までのうちの少な
    くとも１項記載の縮小オブジェクティブ。
  8. 【請求項８】 物体側にテレセントリックであることを
    特徴とする請求項１〜７までのうちの少なくとも１項記
    載の縮小オブジェクティブ。
  9. 【請求項９】 主ビーム（ＣＲ）は物体（２）において
    光学軸（ＨＡ）から逸脱することを特徴とする請求項１
    〜７までのうちの少なくとも１項記載の縮小オブジェク
    ティブ。
  10. 【請求項１０】 像側にテレセントリックであることを
    特徴とする請求項１〜９までのうちの少なくとも１項記
    載の縮小オブジェクティブ。
  11. 【請求項１１】 反射マスクが設けられている請求項１
    から１０までのうちの少なくとも１項記載の縮小オブジ
    ェクティブを有する投影露光装置。
  12. 【請求項１２】 透過マスクが設けられている請求項１
    から１０までのうちの少なくとも１項記載の縮小オブジ
    ェクティブを有する投影露光装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１１又は１２記載の投影露光装
    置を有するチップ製造方法。
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