JP2003233005A - 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法Info
- Publication number
- JP2003233005A JP2003233005A JP2002030623A JP2002030623A JP2003233005A JP 2003233005 A JP2003233005 A JP 2003233005A JP 2002030623 A JP2002030623 A JP 2002030623A JP 2002030623 A JP2002030623 A JP 2002030623A JP 2003233005 A JP2003233005 A JP 2003233005A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- projection optical
- mirrors
- mirror
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
- G02B17/0657—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な構成、且つ、優れた結像性能を有する
反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法を提
供する。 【解決手段】 物体面上のパターンを像面上に投影する
反射型投影光学系であって、途中に中間像を形成する結
像系であり、物体側から像面にかけて順次光を反射する
とともに基本的に共軸系をなすように配置された４枚以
上の鏡を有し、前記４枚以上の鏡の反射面において、反
射角の形成方向が同一である反射型投影光学系を提供す
る。
反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法を提
供する。 【解決手段】 物体面上のパターンを像面上に投影する
反射型投影光学系であって、途中に中間像を形成する結
像系であり、物体側から像面にかけて順次光を反射する
とともに基本的に共軸系をなすように配置された４枚以
上の鏡を有し、前記４枚以上の鏡の反射面において、反
射角の形成方向が同一である反射型投影光学系を提供す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般には、露光装
置に係り、特に、紫外線や極紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒ
ｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を利用して半導体
ウェハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用
のガラス基板などの被処理体を投影露光する反射型投影
光学系、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
置に係り、特に、紫外線や極紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒ
ｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を利用して半導体
ウェハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用
のガラス基板などの被処理体を投影露光する反射型投影
光学系、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化及び薄型化の要
請から、電子機器に搭載される半導体素子の微細化への
要求はますます高くなっている。例えば、マスクパター
ンに対するデザインルールはライン・アンド・スペース
（Ｌ＆Ｓ）０．１μｍ以下の寸法像を広範囲に形成する
ことが要求され、今後は更に８０ｎｍ以下の回路パター
ン形成に移行することが予想される。Ｌ＆Ｓは、露光に
おいてラインとスペースの幅が等しい状態でウェハ上に
投影された像であり、露光の解像度を示す尺度である。
請から、電子機器に搭載される半導体素子の微細化への
要求はますます高くなっている。例えば、マスクパター
ンに対するデザインルールはライン・アンド・スペース
（Ｌ＆Ｓ）０．１μｍ以下の寸法像を広範囲に形成する
ことが要求され、今後は更に８０ｎｍ以下の回路パター
ン形成に移行することが予想される。Ｌ＆Ｓは、露光に
おいてラインとスペースの幅が等しい状態でウェハ上に
投影された像であり、露光の解像度を示す尺度である。
【０００３】半導体製造用の代表的な露光装置である投
影露光装置は、マスク又はレチクル（本出願では交換可
能に使用する。）上に描画されたパターンをウェハに投
影露光する投影光学系を備えている。投影露光装置の解
像度（正確に転写できる最小寸法）Ｒは、光源の波長λ
と投影光学系の開口数（ＮＡ）を用いて次式で与えられ
る。
影露光装置は、マスク又はレチクル（本出願では交換可
能に使用する。）上に描画されたパターンをウェハに投
影露光する投影光学系を備えている。投影露光装置の解
像度（正確に転写できる最小寸法）Ｒは、光源の波長λ
と投影光学系の開口数（ＮＡ）を用いて次式で与えられ
る。
【０００４】
【数１】
【０００５】従って、波長を短くすればするほど、及
び、ＮＡを上げれば上げるほど、解像度は良くなる。近
年では、解像度はより小さい値を要求されＮＡを上げる
だけではこの要求を満足するには限界となっており、短
波長化により解像度の向上を見込んでいる。現在では、
露光光源は、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎ
ｍ）及びＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）
からＦ２レーザー（波長約１５７ｎｍ）に移行してお
り、更には、ＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉ
ｏｌｅｔ）光の実用化も進んでいる。
び、ＮＡを上げれば上げるほど、解像度は良くなる。近
年では、解像度はより小さい値を要求されＮＡを上げる
だけではこの要求を満足するには限界となっており、短
波長化により解像度の向上を見込んでいる。現在では、
露光光源は、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎ
ｍ）及びＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）
からＦ２レーザー（波長約１５７ｎｍ）に移行してお
り、更には、ＥＵＶ（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉ
ｏｌｅｔ）光の実用化も進んでいる。
【０００６】しかし、光の短波長化が進むと光が透過す
る硝材が限られてしまうために屈折素子、即ち、レンズ
を多用することは難しく、投影光学系に反射素子、即
ち、ミラーを含めることが有利になる。更に、露光光が
ＥＵＶ光になると使用できる硝材は存在しなくなり、投
影光学系にレンズを含めることは不可能となる。そこ
で、投影光学系をミラーのみで構成する反射型縮小投影
光学系が提案されている。
る硝材が限られてしまうために屈折素子、即ち、レンズ
を多用することは難しく、投影光学系に反射素子、即
ち、ミラーを含めることが有利になる。更に、露光光が
ＥＵＶ光になると使用できる硝材は存在しなくなり、投
影光学系にレンズを含めることは不可能となる。そこ
で、投影光学系をミラーのみで構成する反射型縮小投影
光学系が提案されている。
【０００７】反射型縮小投影光学系においては、ミラー
における反射率を高めるために反射した光が強め合うよ
うミラーには多層膜が形成されているが、光学系全体で
の反射率を高めるためにできるだけ少ない枚数で構成す
ることが望ましい。また、マスクとウェハの機械的な干
渉を防止するため、マスクとウェハが瞳を介して反対側
に位置するよう投影光学系を構成するミラーの枚数は偶
数枚であることが望ましい。これらのことから、２枚ミ
ラー系が最小枚数と言えるが、２枚のミラーだけでは設
計自由度の不足により、高ＮＡ化と良好な結像性能を確
保することが困難である。そこで、例えば、公開特許２
０００−９８２２８号公報には４枚のミラーより構成さ
れた投影光学系が提案されている。
における反射率を高めるために反射した光が強め合うよ
うミラーには多層膜が形成されているが、光学系全体で
の反射率を高めるためにできるだけ少ない枚数で構成す
ることが望ましい。また、マスクとウェハの機械的な干
渉を防止するため、マスクとウェハが瞳を介して反対側
に位置するよう投影光学系を構成するミラーの枚数は偶
数枚であることが望ましい。これらのことから、２枚ミ
ラー系が最小枚数と言えるが、２枚のミラーだけでは設
計自由度の不足により、高ＮＡ化と良好な結像性能を確
保することが困難である。そこで、例えば、公開特許２
０００−９８２２８号公報には４枚のミラーより構成さ
れた投影光学系が提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、公開特許２０
００−９８２２８号公報において提案されている４枚ミ
ラー系（Ｍ１乃至Ｍ４）の反射型投影光学系１０００に
よれば、図７に示すように、ミラーＭ１への入射光と反
射光とが絞りＡＳ位置付近で近接する場合には、開口絞
りを配置することが困難となり、２つの非円形絞りが必
要になってしまい構成が複雑になってしまう問題を生じ
る。ここで、図７は、従来の反射型投影光学系１０００
の概略断面図である。
００−９８２２８号公報において提案されている４枚ミ
ラー系（Ｍ１乃至Ｍ４）の反射型投影光学系１０００に
よれば、図７に示すように、ミラーＭ１への入射光と反
射光とが絞りＡＳ位置付近で近接する場合には、開口絞
りを配置することが困難となり、２つの非円形絞りが必
要になってしまい構成が複雑になってしまう問題を生じ
る。ここで、図７は、従来の反射型投影光学系１０００
の概略断面図である。
【０００９】また、反射型投影光学系１０００を組み込
んだ露光装置２０００においては、ミラーＭ２が絞りＡ
Ｓよりも物体側に配置されるために、図８に示すよう
に、ミラーＭ２の保持機構や絞り機構と、投影光学系１
０００の側面方向から入射してくる照明光とが干渉（ケ
ラレ）して結像性能を低下させてしまう場合がある。こ
こで、図８は、反射型投影光学系１０００を組み込んだ
露光装置２０００を示す概略構成図である。
んだ露光装置２０００においては、ミラーＭ２が絞りＡ
Ｓよりも物体側に配置されるために、図８に示すよう
に、ミラーＭ２の保持機構や絞り機構と、投影光学系１
０００の側面方向から入射してくる照明光とが干渉（ケ
ラレ）して結像性能を低下させてしまう場合がある。こ
こで、図８は、反射型投影光学系１０００を組み込んだ
露光装置２０００を示す概略構成図である。
【００１０】そこで、本発明は、簡易な構成、且つ、優
れた結像性能を有する反射型投影光学系、露光装置及び
デバイス製造方法を提供することを例示的目的とする。
れた結像性能を有する反射型投影光学系、露光装置及び
デバイス製造方法を提供することを例示的目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の一側面としての反射型投影光学系は、物体
面上のパターンを像面上に投影する反射型投影光学系で
あって、途中に中間像を形成する結像系であり、物体側
から像面にかけて順次光を反射するとともに基本的に共
軸系をなすように配置された４枚以上の鏡を有し、前記
４枚以上の鏡の反射面において、反射角の形成方向が同
一である。かかる反射型投影光学系によれば、４枚以上
の鏡の反射面において反射角の形成方向を同一であるた
め、対称型のパワー配置を採用し収差補正に有利であ
る。また、共軸系をなすように最少４枚のミラーで構成
することが可能であるため、光学系全体の反射率を高め
ると共に光軸を中心としたリング状の像面内で収差を補
正することができる。更に、中間像を形成する光学系で
あり中間像を形成しない光学系に比べて所定のＮＡを確
保した場合の光線の分離が容易であるため、よりバラン
スのとれた良好な収差補正を行なうことができる。２回
結像系であり、前記４枚以上の鏡のうち、前記中間像か
ら前記像面にかけて光路順に、物体側に凸面を向けた凸
面鏡、像側に凹面を向けた凹面鏡を有する。これによ
り、所定のＮＡ及びバックフォーカスを保って結像する
ことができる。最も物体側には開口絞りを有し、当該開
口絞りと像面との間に前記４枚以上の鏡が配置されてい
る。これにより、１枚の開口絞りを配置するだけでよく
有効光束と開口絞りの干渉や、照明光との干渉を回避す
ることができる。前記物体面から前記中間像の間に前記
４枚以上の鏡のうち、２枚の鏡が配置されている。前記
２枚の鏡は、前記物体面から前記中間像にかけて光路順
に、物体側に凹面を向けた凹面鏡、像側に凸面を向けた
凸面鏡である。これにより、凹面鏡が物体面から出た主
光線を反射させて光軸に近づけ、更に、凸面鏡により凹
面鏡で反射した光から中間像を形成すると共に所望の角
度で後段の鏡に入射させることができる。
に、本発明の一側面としての反射型投影光学系は、物体
面上のパターンを像面上に投影する反射型投影光学系で
あって、途中に中間像を形成する結像系であり、物体側
から像面にかけて順次光を反射するとともに基本的に共
軸系をなすように配置された４枚以上の鏡を有し、前記
４枚以上の鏡の反射面において、反射角の形成方向が同
一である。かかる反射型投影光学系によれば、４枚以上
の鏡の反射面において反射角の形成方向を同一であるた
め、対称型のパワー配置を採用し収差補正に有利であ
る。また、共軸系をなすように最少４枚のミラーで構成
することが可能であるため、光学系全体の反射率を高め
ると共に光軸を中心としたリング状の像面内で収差を補
正することができる。更に、中間像を形成する光学系で
あり中間像を形成しない光学系に比べて所定のＮＡを確
保した場合の光線の分離が容易であるため、よりバラン
スのとれた良好な収差補正を行なうことができる。２回
結像系であり、前記４枚以上の鏡のうち、前記中間像か
ら前記像面にかけて光路順に、物体側に凸面を向けた凸
面鏡、像側に凹面を向けた凹面鏡を有する。これによ
り、所定のＮＡ及びバックフォーカスを保って結像する
ことができる。最も物体側には開口絞りを有し、当該開
口絞りと像面との間に前記４枚以上の鏡が配置されてい
る。これにより、１枚の開口絞りを配置するだけでよく
有効光束と開口絞りの干渉や、照明光との干渉を回避す
ることができる。前記物体面から前記中間像の間に前記
４枚以上の鏡のうち、２枚の鏡が配置されている。前記
２枚の鏡は、前記物体面から前記中間像にかけて光路順
に、物体側に凹面を向けた凹面鏡、像側に凸面を向けた
凸面鏡である。これにより、凹面鏡が物体面から出た主
光線を反射させて光軸に近づけ、更に、凸面鏡により凹
面鏡で反射した光から中間像を形成すると共に所望の角
度で後段の鏡に入射させることができる。
【００１２】本発明の別の側面としての反射型投影光学
系は、物体面上のパターンを像面上に縮小投影する反射
型投影光学系であって、物体側から像側にかけて凹面
鏡、凸面鏡、凸面鏡、凹面鏡の順に光を反射するような
４枚の鏡が基本的に共軸系をなすように配置され、途中
に中間像を形成する２回結像系である。かかる反射型投
影光学系も上述の反射型投影光学系の作用と同様の作用
を奏する。
系は、物体面上のパターンを像面上に縮小投影する反射
型投影光学系であって、物体側から像側にかけて凹面
鏡、凸面鏡、凸面鏡、凹面鏡の順に光を反射するような
４枚の鏡が基本的に共軸系をなすように配置され、途中
に中間像を形成する２回結像系である。かかる反射型投
影光学系も上述の反射型投影光学系の作用と同様の作用
を奏する。
【００１３】上述の反射型投影光学系において、前記鏡
のうち少なくとも一枚は多層膜を有する非球面ミラーで
ある。または前記鏡は全て多層膜を有する非球面ミラー
である。鏡を非球面ミラーで構成することは、収差を補
正する上で好ましく、できるだけ多くの鏡を非球面ミラ
ーで構成することがよい。また、多層膜は反射する光を
強めあう作用を奏する。前記光は、波長２００ｎｍ以下
である。前記光は、波長２０ｎｍ以下の極紫外線であっ
てもよい。前記像面側はテレセントリックであり、これ
により、像面が光軸方向に移動しても倍率の変化を少な
くすることができる。
のうち少なくとも一枚は多層膜を有する非球面ミラーで
ある。または前記鏡は全て多層膜を有する非球面ミラー
である。鏡を非球面ミラーで構成することは、収差を補
正する上で好ましく、できるだけ多くの鏡を非球面ミラ
ーで構成することがよい。また、多層膜は反射する光を
強めあう作用を奏する。前記光は、波長２００ｎｍ以下
である。前記光は、波長２０ｎｍ以下の極紫外線であっ
てもよい。前記像面側はテレセントリックであり、これ
により、像面が光軸方向に移動しても倍率の変化を少な
くすることができる。
【００１４】本発明の更に別の側面としての露光装置
は、紫外光、遠紫外光、真空紫外光及び極紫外光を露光
光として利用し、当該露光光を、上述の反射型投影光学
系を介して被処理体に照射して当該被処理体を露光す
る。かかる露光装置によれば、上述した反射型投影光学
系を構成要素の一部に有し、鏡の保持機構や絞り機構と
照明光とが干渉することを防止することができるため、
解像度などの露光性能がよい。
は、紫外光、遠紫外光、真空紫外光及び極紫外光を露光
光として利用し、当該露光光を、上述の反射型投影光学
系を介して被処理体に照射して当該被処理体を露光す
る。かかる露光装置によれば、上述した反射型投影光学
系を構成要素の一部に有し、鏡の保持機構や絞り機構と
照明光とが干渉することを防止することができるため、
解像度などの露光性能がよい。
【００１５】本発明の更に別の側面としてのデバイス製
造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を投影露光
するステップと、前記投影露光された前記被処理体に所
定のプロセスを行なうステップとを有する。上述の露光
装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の請
求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にもそ
の効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶＬ
ＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサ
ー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を投影露光
するステップと、前記投影露光された前記被処理体に所
定のプロセスを行なうステップとを有する。上述の露光
装置の作用と同様の作用を奏するデバイス製造方法の請
求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にもそ
の効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶＬ
ＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサ
ー、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
【００１６】本発明の更なる目的又はその他の特徴は、
以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によ
って明らかにされるであろう。
以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によ
って明らかにされるであろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の一側面としての反射型投影光学系１００及び露光装
置２００について説明する。但し、本発明はこれらの実
施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成され
る範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよ
い。なお、各図において同一の部材については同一の参
照符号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１
は、本発明の一側面としての反射型投影光学系１００の
例示的一形態及びその光路を示す概略断面図である。ま
た、図２は、図１に示す反射型投影光学系１００の別の
形態を示した反射型投影光学系１００ａ及びその光路を
示す概略断面図である。なお、以下の説明において特に
断らない限り、反射型投影光学系１００は、反射型投影
光学系１００ａを総括するものとする。また、図３は、
図１に示す反射型投影光学系１００の主光線の光路を示
す概略断面図である。
明の一側面としての反射型投影光学系１００及び露光装
置２００について説明する。但し、本発明はこれらの実
施例に限定するものではなく、本発明の目的が達成され
る範囲において、各構成要素が代替的に置換されてもよ
い。なお、各図において同一の部材については同一の参
照符号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１
は、本発明の一側面としての反射型投影光学系１００の
例示的一形態及びその光路を示す概略断面図である。ま
た、図２は、図１に示す反射型投影光学系１００の別の
形態を示した反射型投影光学系１００ａ及びその光路を
示す概略断面図である。なお、以下の説明において特に
断らない限り、反射型投影光学系１００は、反射型投影
光学系１００ａを総括するものとする。また、図３は、
図１に示す反射型投影光学系１００の主光線の光路を示
す概略断面図である。
【００１８】図１を参照するに、本発明の反射型投影光
学系１００（以下、単に投影光学系１００とする。）
は、物体面（ＭＳ）（例えば、マスク面）上のパターン
を像面（Ｗ）（例えば、基板などの被処理体面）上に縮
小投影する反射型投影光学系であって、特に、ＥＵＶ光
（例えば、波長１３．４ｎｍ）に好適な光学系である。
投影光学系１００は、４枚のミラーを有し、基本的に、
物体面（ＭＳ）側から光を反射する順番に、第１のミラ
ー１１０（凹面鏡）と、第２のミラー１２０（凸面鏡）
と、第３のミラー１３０（凸面鏡）と、第４のミラー１
４０（凹面鏡）とを有し、第１乃至第４のミラー１１０
乃至１４０よりも最も物体面（ＭＳ）側に開口絞りＳＴ
が位置することを特徴としている。
学系１００（以下、単に投影光学系１００とする。）
は、物体面（ＭＳ）（例えば、マスク面）上のパターン
を像面（Ｗ）（例えば、基板などの被処理体面）上に縮
小投影する反射型投影光学系であって、特に、ＥＵＶ光
（例えば、波長１３．４ｎｍ）に好適な光学系である。
投影光学系１００は、４枚のミラーを有し、基本的に、
物体面（ＭＳ）側から光を反射する順番に、第１のミラ
ー１１０（凹面鏡）と、第２のミラー１２０（凸面鏡）
と、第３のミラー１３０（凸面鏡）と、第４のミラー１
４０（凹面鏡）とを有し、第１乃至第４のミラー１１０
乃至１４０よりも最も物体面（ＭＳ）側に開口絞りＳＴ
が位置することを特徴としている。
【００１９】本発明の投影光学系１００は、基本的に
は、共軸系をなすように配置されており、１本の光軸の
回りに軸対称な共軸光学系となっている。但し、収差補
正上又は調整上、投影光学系１００の各ミラー１１０乃
至１４０が完全に共軸系となるように配置される必要は
無く、若干の偏心をさせて収差を改善してもよい。
は、共軸系をなすように配置されており、１本の光軸の
回りに軸対称な共軸光学系となっている。但し、収差補
正上又は調整上、投影光学系１００の各ミラー１１０乃
至１４０が完全に共軸系となるように配置される必要は
無く、若干の偏心をさせて収差を改善してもよい。
【００２０】投影光学系１００は、第１のミラー１１０
及び第２のミラー１２０までの２枚のミラーで中間像を
結像し、かかる中間像を第３のミラー１３０及び第４の
ミラー１４０で像面（Ｗ）上に再結像するように第１乃
至第４のミラー１１０乃至１４０が構成されている。即
ち、「物体面〜正〜負〜中間像面〜負〜正〜像面」とい
うように対称型のパワー配置を採用し、収差補正に有利
な構成としている。（例えば、一般的に対称型では、歪
曲収差やコマ収差等の補正に有利である。）従って、図
３中の矢印に示すように、すべてのミラー１１０乃至１
４０の反射面において、反射角の形成方向が同一で、同
紙面上方向に向いている。なお、同様な主旨において、
物体面（ＭＳ）から中間像までの第１のミラー１１０及
び第２のミラー１２０の部分を４枚のミラーで構成して
もよい。この場合のミラーの順序は、「凹面、凹面、凸
面、凸面」、若しくは、「凹面、凸面、凹面、凸面」で
ある。
及び第２のミラー１２０までの２枚のミラーで中間像を
結像し、かかる中間像を第３のミラー１３０及び第４の
ミラー１４０で像面（Ｗ）上に再結像するように第１乃
至第４のミラー１１０乃至１４０が構成されている。即
ち、「物体面〜正〜負〜中間像面〜負〜正〜像面」とい
うように対称型のパワー配置を採用し、収差補正に有利
な構成としている。（例えば、一般的に対称型では、歪
曲収差やコマ収差等の補正に有利である。）従って、図
３中の矢印に示すように、すべてのミラー１１０乃至１
４０の反射面において、反射角の形成方向が同一で、同
紙面上方向に向いている。なお、同様な主旨において、
物体面（ＭＳ）から中間像までの第１のミラー１１０及
び第２のミラー１２０の部分を４枚のミラーで構成して
もよい。この場合のミラーの順序は、「凹面、凹面、凸
面、凸面」、若しくは、「凹面、凸面、凹面、凸面」で
ある。
【００２１】このような構成において、本発明の投影光
学系１００は、最小４枚のミラーで構成しているため光
学系全体の反射率を高める上で好ましいという長所を有
する。また、投影光学系１００では、開口絞りＳＴが最
も物体面（ＭＳ）側に位置し、その近傍に他の反射光束
やミラーを有していない。従って、開口絞りＳＴを円形
状とすることが可能で、上述したように、従来例におい
て問題であった光線と開口絞りとの干渉や、照明光との
干渉も回避しやすく（また、干渉が起こりにくい配置を
可能としているため）、従来例の問題を解決している。
更に、本発明の投影光学系１００は、像面（Ｗ）側の射
出光束がテレセントリックになっており、像面（Ｗ）が
光軸方向に移動しても倍率の変化が少ない。
学系１００は、最小４枚のミラーで構成しているため光
学系全体の反射率を高める上で好ましいという長所を有
する。また、投影光学系１００では、開口絞りＳＴが最
も物体面（ＭＳ）側に位置し、その近傍に他の反射光束
やミラーを有していない。従って、開口絞りＳＴを円形
状とすることが可能で、上述したように、従来例におい
て問題であった光線と開口絞りとの干渉や、照明光との
干渉も回避しやすく（また、干渉が起こりにくい配置を
可能としているため）、従来例の問題を解決している。
更に、本発明の投影光学系１００は、像面（Ｗ）側の射
出光束がテレセントリックになっており、像面（Ｗ）が
光軸方向に移動しても倍率の変化が少ない。
【００２２】更に、投影光学系１００は、共軸系をなす
ように配置されているため、光軸を中心としたリング状
の像面内で収差が補正されるため好ましいという長所を
有している。また、投影光学系１００は、中間像を結像
する光学系であり、よりバランスのとれた良好な収差補
正を可能にしている。
ように配置されているため、光軸を中心としたリング状
の像面内で収差が補正されるため好ましいという長所を
有している。また、投影光学系１００は、中間像を結像
する光学系であり、よりバランスのとれた良好な収差補
正を可能にしている。
【００２３】第１乃至第４のミラー１１０乃至１４０
は、上述したような凹面鏡又は凸面鏡より構成される。
なお、本発明において、第１乃至第４のミラー１１０乃
至１４０は、上述した凹面鏡と凸面鏡の組み合わせに限
定されるものではない。但し、本発明のように、第１の
ミラー１１０及び第２のミラー１２０で中間結像し、第
３のミラー１３０及び第４のミラー１４０で再結像する
ためには、いくつかのミラーにおいてその形状が定まる
ものである。
は、上述したような凹面鏡又は凸面鏡より構成される。
なお、本発明において、第１乃至第４のミラー１１０乃
至１４０は、上述した凹面鏡と凸面鏡の組み合わせに限
定されるものではない。但し、本発明のように、第１の
ミラー１１０及び第２のミラー１２０で中間結像し、第
３のミラー１３０及び第４のミラー１４０で再結像する
ためには、いくつかのミラーにおいてその形状が定まる
ものである。
【００２４】まず、第３のミラー１３０及び第４のミラ
ー１４０は、所定のＮＡ及びバックフォーカスを保って
結像するために、それぞれ凸面鏡と凹面鏡であることが
好ましい。また、第１のミラー１１０は、物体面（Ｍ
Ｓ）から出た主光線を反射させ光軸方向に近づけるため
に凹面鏡でなければならない。更に、第２のミラー１２
０は、第１のミラー１１０で反射したＥＵＶ光を反射さ
せて中間像を形成させ、所望の角度で第３のミラー１３
０に入射させるために凸面鏡でなければならない。更
に、後述するように、ペッツバール項の和がゼロ又はゼ
ロ近傍となるようにそのミラー形状を決定する必要があ
る。
ー１４０は、所定のＮＡ及びバックフォーカスを保って
結像するために、それぞれ凸面鏡と凹面鏡であることが
好ましい。また、第１のミラー１１０は、物体面（Ｍ
Ｓ）から出た主光線を反射させ光軸方向に近づけるため
に凹面鏡でなければならない。更に、第２のミラー１２
０は、第１のミラー１１０で反射したＥＵＶ光を反射さ
せて中間像を形成させ、所望の角度で第３のミラー１３
０に入射させるために凸面鏡でなければならない。更
に、後述するように、ペッツバール項の和がゼロ又はゼ
ロ近傍となるようにそのミラー形状を決定する必要があ
る。
【００２５】本発明において、第１乃至第４のミラー１
１０乃至１４０は、上述したように、それぞれ凹面鏡又
は凸面鏡より構成され、その反射面が非球面形状を有し
ている。但し、本発明において、第１乃至第４のミラー
１１０乃至１４０は、少なくとも一枚以上が非球面であ
ればよい。しかし、ミラーを非球面で構成することは、
収差を補正する上で好ましいという長所を有しており、
できるだけ多くのミラー（好ましくは、４枚以上）を非
球面で構成することがよい。かかる第１乃至第４のミラ
ー１１０乃至１４０において、非球面の形状は、数式２
に示す一般的な非球面の式で表される。
１０乃至１４０は、上述したように、それぞれ凹面鏡又
は凸面鏡より構成され、その反射面が非球面形状を有し
ている。但し、本発明において、第１乃至第４のミラー
１１０乃至１４０は、少なくとも一枚以上が非球面であ
ればよい。しかし、ミラーを非球面で構成することは、
収差を補正する上で好ましいという長所を有しており、
できるだけ多くのミラー（好ましくは、４枚以上）を非
球面で構成することがよい。かかる第１乃至第４のミラ
ー１１０乃至１４０において、非球面の形状は、数式２
に示す一般的な非球面の式で表される。
【００２６】
【数２】
【００２７】数式２において、Ｚは光軸方向の座標、ｃ
は曲率（曲率半径ｒの逆数）、ｈは光軸からの高さ、ｋ
は円錐係数、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｊ、・
・・は各々、４次、６次、８次、１０次、１２次、１４
次、１６次、１８次、２０次、・・・の非球面係数であ
る。
は曲率（曲率半径ｒの逆数）、ｈは光軸からの高さ、ｋ
は円錐係数、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｊ、・
・・は各々、４次、６次、８次、１０次、１２次、１４
次、１６次、１８次、２０次、・・・の非球面係数であ
る。
【００２８】また、４枚の第１乃至第４のミラー１１０
乃至１４０は、光学系の像面（Ｗ）を平坦にするために
ペッツバール項の和がゼロ近傍、好ましくはゼロになっ
ている。即ち、ミラー各面の屈折力の和をゼロ近傍にし
ている。換言すれば、各ミラーの曲率半径をｒ１１０乃
至ｒ１４０（添字はミラーの参照番号に対応してい
る。）とすると、本発明の第１乃至第４のミラー１１０
乃至１４０は、数式３又は数式４を満たす。
乃至１４０は、光学系の像面（Ｗ）を平坦にするために
ペッツバール項の和がゼロ近傍、好ましくはゼロになっ
ている。即ち、ミラー各面の屈折力の和をゼロ近傍にし
ている。換言すれば、各ミラーの曲率半径をｒ１１０乃
至ｒ１４０（添字はミラーの参照番号に対応してい
る。）とすると、本発明の第１乃至第４のミラー１１０
乃至１４０は、数式３又は数式４を満たす。
【００２９】
【数３】
【００３０】
【数４】
【００３１】更に、第１乃至第４のミラー１１０乃至１
４０の表面にはＥＵＶ光を反射させる多層膜が施されて
おり、かかる多層膜により光を強めあう作用を奏する。
本発明の第１乃至第４のミラー１１０乃至１４０に適用
可能な多層膜は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）層とシリ
コン（Ｓｉ）層をミラーの反射面に交互に積層したＭｏ
／Ｓｉ多層膜、又は、Ｍｏ層とベリリウム（Ｂｅ）層を
ミラーの反射面に交互に積層したＭｏ／Ｂｅ多層膜など
が考えられる。波長１３．４ｎｍ付近の波長域を用いた
場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなるミラーは６７．５％の
反射率を得ることができ、また、波長１１．３ｎｍ付近
の波長域を用いた場合、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜からなるミラ
ーでは７０．２％の反射率を得ることができる。但し、
本発明の多層膜は、上記した材料に限定されず、これと
同様の作用及び効果を有する多層膜の使用を妨げるもの
ではない。
４０の表面にはＥＵＶ光を反射させる多層膜が施されて
おり、かかる多層膜により光を強めあう作用を奏する。
本発明の第１乃至第４のミラー１１０乃至１４０に適用
可能な多層膜は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）層とシリ
コン（Ｓｉ）層をミラーの反射面に交互に積層したＭｏ
／Ｓｉ多層膜、又は、Ｍｏ層とベリリウム（Ｂｅ）層を
ミラーの反射面に交互に積層したＭｏ／Ｂｅ多層膜など
が考えられる。波長１３．４ｎｍ付近の波長域を用いた
場合、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなるミラーは６７．５％の
反射率を得ることができ、また、波長１１．３ｎｍ付近
の波長域を用いた場合、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜からなるミラ
ーでは７０．２％の反射率を得ることができる。但し、
本発明の多層膜は、上記した材料に限定されず、これと
同様の作用及び効果を有する多層膜の使用を妨げるもの
ではない。
【００３２】なお、開口絞りＳＴは、可変開口絞りと
し、ＮＡを制限又は可変にしてもよい。開口絞りＳＴを
可変とすることで深い焦点深度を得られるなどの長所が
得られ、これにより更に像を安定させることができる。
し、ＮＡを制限又は可変にしてもよい。開口絞りＳＴを
可変とすることで深い焦点深度を得られるなどの長所が
得られ、これにより更に像を安定させることができる。
【００３３】ここで、本発明の反射型投影光学系１００
及び１００ａを用いて照明実験した結果について説明す
る。図１及び図２において、ＭＳは物体面位置に置かれ
た反射型マスク、Ｗは像面位置に置かれたウェハを示し
ている。反射型投影光学系１００及び１００ａにおい
て、波長１３．４ｎｍ付近のＥＵＶ光を放射する図示し
ない照明系によりマスクＭＳが照射され、マスクＭＳか
らの反射ＥＵＶ光が、開口絞りＳＴを通り、第１のミラ
ー１１０（凹面鏡）、第２のミラー１２０（凸面鏡）、
第３のミラー１３０（凸面鏡）、第４のミラー１４０
（凹面鏡）の順に反射し、像面位置に置かれたウェハＷ
上に、マスクパターンの縮小像を形成している。なお、
図１に示す反射型投影光学系において、ＮＡ＝０．１
０、縮小倍率は１／４倍、物高＝６０乃至７０ｍｍ、像
高１５乃至１７．５ｍｍの２．５ｍｍ幅の円弧状像面で
ある。ここで、図１の反射型投影光学系１００の数値
（曲率半径、面間隔、非球面係数など）を表１に示す。
及び１００ａを用いて照明実験した結果について説明す
る。図１及び図２において、ＭＳは物体面位置に置かれ
た反射型マスク、Ｗは像面位置に置かれたウェハを示し
ている。反射型投影光学系１００及び１００ａにおい
て、波長１３．４ｎｍ付近のＥＵＶ光を放射する図示し
ない照明系によりマスクＭＳが照射され、マスクＭＳか
らの反射ＥＵＶ光が、開口絞りＳＴを通り、第１のミラ
ー１１０（凹面鏡）、第２のミラー１２０（凸面鏡）、
第３のミラー１３０（凸面鏡）、第４のミラー１４０
（凹面鏡）の順に反射し、像面位置に置かれたウェハＷ
上に、マスクパターンの縮小像を形成している。なお、
図１に示す反射型投影光学系において、ＮＡ＝０．１
０、縮小倍率は１／４倍、物高＝６０乃至７０ｍｍ、像
高１５乃至１７．５ｍｍの２．５ｍｍ幅の円弧状像面で
ある。ここで、図１の反射型投影光学系１００の数値
（曲率半径、面間隔、非球面係数など）を表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】図１に示す反射型投影光学系１００の製造
誤差を含まない収差（像高の数点で計算）は、波面収差
＝０．００６λｒｍｓ、歪曲最大値＝２．２ｎｍであ
り、これは、波長１３．４ｎｍでのｄｉｆｆｒａｃｔｉ
ｏｎ ｌｉｍｉｔｅｄ（回折限界）な光学系である。
誤差を含まない収差（像高の数点で計算）は、波面収差
＝０．００６λｒｍｓ、歪曲最大値＝２．２ｎｍであ
り、これは、波長１３．４ｎｍでのｄｉｆｆｒａｃｔｉ
ｏｎ ｌｉｍｉｔｅｄ（回折限界）な光学系である。
【００３６】一方、図２に示す反射型投影光学系１００
ａにおいて、ＮＡ＝０．１５、縮小倍率は１／４倍、物
高＝９６乃至１００ｍｍ、像高２４乃至２５ｍｍの１．
０ｍｍ幅の円弧状像面である。ここで、図２の反射型投
影光学系１００ａの数値（曲率半径、面間隔、非球面係
数など）を表２に示す。
ａにおいて、ＮＡ＝０．１５、縮小倍率は１／４倍、物
高＝９６乃至１００ｍｍ、像高２４乃至２５ｍｍの１．
０ｍｍ幅の円弧状像面である。ここで、図２の反射型投
影光学系１００ａの数値（曲率半径、面間隔、非球面係
数など）を表２に示す。
【００３７】
【表２】
【００３８】図２に示す反射型投影光学系１００ａの製
造誤差を含まない収差（像高の数点で計算）は、波面収
差＝０．０３０λｒｍｓ、歪曲最大値＝−４．１ｎｍで
あり、波長１３．４ｎｍでのｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ
ｌｉｍｉｔｅｄ（回折限界）な光学系となっている。
造誤差を含まない収差（像高の数点で計算）は、波面収
差＝０．０３０λｒｍｓ、歪曲最大値＝−４．１ｎｍで
あり、波長１３．４ｎｍでのｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ
ｌｉｍｉｔｅｄ（回折限界）な光学系となっている。
【００３９】以上のように、本発明の反射型投影光学系
１００は、ＥＵＶの波長で回折限界の性能を達成し、且
つ、開口絞りと他の反射光線の干渉がなく、開口絞り付
近に反射面がない反射光学系である。また、物体側から
の主光線の傾き及び反射角が小さいので収差を抑えるこ
とが可能となり、良好な結像性能を得ることができる。
１００は、ＥＵＶの波長で回折限界の性能を達成し、且
つ、開口絞りと他の反射光線の干渉がなく、開口絞り付
近に反射面がない反射光学系である。また、物体側から
の主光線の傾き及び反射角が小さいので収差を抑えるこ
とが可能となり、良好な結像性能を得ることができる。
【００４０】以下、図４を参照して、本発明の反射型投
影光学系１００を適用した露光装置２００を説明する。
ここで、図４は、図１に示す反射型投影光学系１００を
有する露光装置２００を示す概略構成図である。露光装
置２００は、図４に示すように、照明装置２１０と、レ
チクル２２０と、反射型投影光学系１００と、プレート
２３０と、プレートステージ２４０とを有する。
影光学系１００を適用した露光装置２００を説明する。
ここで、図４は、図１に示す反射型投影光学系１００を
有する露光装置２００を示す概略構成図である。露光装
置２００は、図４に示すように、照明装置２１０と、レ
チクル２２０と、反射型投影光学系１００と、プレート
２３０と、プレートステージ２４０とを有する。
【００４１】露光装置２００は、露光用の照明光として
ＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、例え
ば、ステップアンドスキャン方式やステップアンドリピ
ート方式でマスクに形成された回路パターンをプレート
２３０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置
は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラ
フィー工程に好適であり、以下、本実施例ではステップ
アンドスキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼
ばれる）を例に説明する。ここで、「ステップアンドス
キャン方式」は、マスクに対してウェハを連続的にスキ
ャン（走査）してマスクパターンをウェハに露光すると
共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動し
て、次のショットの露光領域に移動する露光方法であ
る。「ステップアンドリピート方式」は、ウェハのショ
ットの一括露光ごとにウェハをステップ移動して、次の
ショットの露光領域に移動する露光方法である。なお、
図４において図示しないが、ＥＵＶ光は大気に対する透
過率が低いため、少なくともＥＵＶ光が通る光路は真空
雰囲気であることが好ましい。
ＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、例え
ば、ステップアンドスキャン方式やステップアンドリピ
ート方式でマスクに形成された回路パターンをプレート
２３０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置
は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラ
フィー工程に好適であり、以下、本実施例ではステップ
アンドスキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼
ばれる）を例に説明する。ここで、「ステップアンドス
キャン方式」は、マスクに対してウェハを連続的にスキ
ャン（走査）してマスクパターンをウェハに露光すると
共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動し
て、次のショットの露光領域に移動する露光方法であ
る。「ステップアンドリピート方式」は、ウェハのショ
ットの一括露光ごとにウェハをステップ移動して、次の
ショットの露光領域に移動する露光方法である。なお、
図４において図示しないが、ＥＵＶ光は大気に対する透
過率が低いため、少なくともＥＵＶ光が通る光路は真空
雰囲気であることが好ましい。
【００４２】照明装置２１０は、ＥＵＶ光（例えば、波
長１３．４ｎｍ）により転写用の回路パターンが形成さ
れたレチクル２２０を照明し、ＥＵＶ光源２１２と、照
明光学系２１４とを有する。
長１３．４ｎｍ）により転写用の回路パターンが形成さ
れたレチクル２２０を照明し、ＥＵＶ光源２１２と、照
明光学系２１４とを有する。
【００４３】ＥＵＶ光源２１２は、例えば、レーザープ
ラズマ光源を使用する。レーザープラズマ光源は、真空
中に置かれたターゲット材に高強度のパルスレーザー光
を照射し、高温のプラズマを発生させる。そして、これ
から放射される波長１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用
するものである。ターゲット材は、金属薄膜、不活性ガ
ス、液滴などが用いられる。放射されるＥＵＶ光の平均
強度を高くするためには、パルスレーザーの繰り返し周
波数は高い方がよく、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で
運転される。あるいは、ＥＵＶ光源２１２は、放電プラ
ズマ光源を用いる。放電プラズマ光源は、真空中に置か
れた電極周辺にガスを放出し、電極にパルス電圧を印加
して放電を起こし高温のプラズマを発生させる。そし
て、これから放射される波長１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ
光を利用するものである。但し、ＥＵＶ光源２１２は、
これらに限定するものではなく、当業界で周知のいかな
る技術も適用可能である。
ラズマ光源を使用する。レーザープラズマ光源は、真空
中に置かれたターゲット材に高強度のパルスレーザー光
を照射し、高温のプラズマを発生させる。そして、これ
から放射される波長１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用
するものである。ターゲット材は、金属薄膜、不活性ガ
ス、液滴などが用いられる。放射されるＥＵＶ光の平均
強度を高くするためには、パルスレーザーの繰り返し周
波数は高い方がよく、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で
運転される。あるいは、ＥＵＶ光源２１２は、放電プラ
ズマ光源を用いる。放電プラズマ光源は、真空中に置か
れた電極周辺にガスを放出し、電極にパルス電圧を印加
して放電を起こし高温のプラズマを発生させる。そし
て、これから放射される波長１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ
光を利用するものである。但し、ＥＵＶ光源２１２は、
これらに限定するものではなく、当業界で周知のいかな
る技術も適用可能である。
【００４４】照明光学系２１４は、ＥＵＶ光を伝播して
レチクル２２０を照明する光学系であり、集光光学系、
オプティカルインテグレーター、開口絞り、ブレード等
を含む。例えば、集光光学系はミラーから構成され、Ｅ
ＵＶ光源２１２からほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を
集め、オプティカルインテグレーターは、レチクル２２
０を均一に所定の開口数で照明する。
レチクル２２０を照明する光学系であり、集光光学系、
オプティカルインテグレーター、開口絞り、ブレード等
を含む。例えば、集光光学系はミラーから構成され、Ｅ
ＵＶ光源２１２からほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を
集め、オプティカルインテグレーターは、レチクル２２
０を均一に所定の開口数で照明する。
【００４５】なお、ＥＵＶ光源２１２と照明光学系２１
４の間には図示しないデブリ除去装置を配置してもよ
く、ＥＵＶ光が発生する際に同時に生じるデブリは、デ
ブリ除去装置によって除去される。
４の間には図示しないデブリ除去装置を配置してもよ
く、ＥＵＶ光が発生する際に同時に生じるデブリは、デ
ブリ除去装置によって除去される。
【００４６】レチクル２２０は、反射型レチクルで、そ
の上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成
され、図示しないレチクルステージに支持及び駆動され
る。レチクル２２０から発せられた回折光は、投影光学
系１００で反射されプレート２３０上に投影される。レ
チクル２２０とプレート２３０とは、光学的に共役の関
係に配置されている。本実施形態の露光装置２００はス
キャナーであるため、レチクル２２０とプレート２３０
を縮小倍率比の速度比でスキャンすることによりレチク
ル２２０のパターンをプレート２３０上に転写する。な
お、本実施形態では、レチクル２２０は反射型レチクル
として実現されているが、投影光学系１００はレチクル
２２０からの主光線の傾きを小さくすることができ、反
射型レチクル又は透過型レチクルのどちらでも適用可能
である。
の上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成
され、図示しないレチクルステージに支持及び駆動され
る。レチクル２２０から発せられた回折光は、投影光学
系１００で反射されプレート２３０上に投影される。レ
チクル２２０とプレート２３０とは、光学的に共役の関
係に配置されている。本実施形態の露光装置２００はス
キャナーであるため、レチクル２２０とプレート２３０
を縮小倍率比の速度比でスキャンすることによりレチク
ル２２０のパターンをプレート２３０上に転写する。な
お、本実施形態では、レチクル２２０は反射型レチクル
として実現されているが、投影光学系１００はレチクル
２２０からの主光線の傾きを小さくすることができ、反
射型レチクル又は透過型レチクルのどちらでも適用可能
である。
【００４７】投影光学系１００は、レチクル２２０側か
ら光を反射する順番に、第１のミラー１１０（凹面鏡）
と、第２のミラー１２０（凸面鏡）と、第３のミラー１
３０（凸面鏡）と、第４のミラー１４０（凹面鏡）とを
有し、第１乃至第４のミラー１１０乃至１４０よりも最
もレチクル２２０側に開口絞りＳＴが位置することを特
徴としている。なお、投影光学系１００は、上述した通
りのいかなる形態をも適用可能であり、ここでの詳細な
説明は省略する。また、図４では、図１に示す反射型投
影光学系１００を使用するが、かかる形態は例示的であ
り本発明はこれに限定されない。
ら光を反射する順番に、第１のミラー１１０（凹面鏡）
と、第２のミラー１２０（凸面鏡）と、第３のミラー１
３０（凸面鏡）と、第４のミラー１４０（凹面鏡）とを
有し、第１乃至第４のミラー１１０乃至１４０よりも最
もレチクル２２０側に開口絞りＳＴが位置することを特
徴としている。なお、投影光学系１００は、上述した通
りのいかなる形態をも適用可能であり、ここでの詳細な
説明は省略する。また、図４では、図１に示す反射型投
影光学系１００を使用するが、かかる形態は例示的であ
り本発明はこれに限定されない。
【００４８】プレート２３０は、ウェハや液晶基板など
の被処理体でありフォトレジストが塗布されている。フ
ォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布
処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理と
を含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上
剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高め
るための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性
化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄ
ｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処
理する。プリベークは、ベーキング（焼成）工程である
が現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
の被処理体でありフォトレジストが塗布されている。フ
ォトレジスト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布
処理と、フォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理と
を含む。前処理は、洗浄、乾燥などを含む。密着性向上
剤塗布処理は、フォトレジストと下地との密着性を高め
るための表面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性
化）処理であり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄ
ｉｓｉｌａｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処
理する。プリベークは、ベーキング（焼成）工程である
が現像後のそれよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００４９】プレートステージ２４０は、プレート２３
０を支持する。プレートステージ２４０は、当業界で周
知のいかなる構造をも適用することができるので、ここ
では詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、プ
レートステージ２４０は、リニアモータを利用してＸＹ
方向にプレート２３０を移動することができる。レチク
ル２２０とプレート２３０は、例えば、同期走査され、
プレートステージ２４０と図示しないレチクルステージ
の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視さ
れ、両者は一定の速度比率で駆動される。プレートステ
ージ２４０は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持
されるステージ定盤上に設けられ、レチクルステージ及
び投影光学系１００は、例えば、床等に載置されたベー
スフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない
鏡筒定盤上に設けられる。
０を支持する。プレートステージ２４０は、当業界で周
知のいかなる構造をも適用することができるので、ここ
では詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、プ
レートステージ２４０は、リニアモータを利用してＸＹ
方向にプレート２３０を移動することができる。レチク
ル２２０とプレート２３０は、例えば、同期走査され、
プレートステージ２４０と図示しないレチクルステージ
の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視さ
れ、両者は一定の速度比率で駆動される。プレートステ
ージ２４０は、例えば、ダンパを介して床等の上に支持
されるステージ定盤上に設けられ、レチクルステージ及
び投影光学系１００は、例えば、床等に載置されたベー
スフレーム上にダンパ等を介して支持される図示しない
鏡筒定盤上に設けられる。
【００５０】露光において、ＥＵＶ光源２１２から射出
されたＥＵＶ光は、照明光学系２１４によりレチクル２
２０を照明する。レチクル２２０で反射され回路パター
ンを反映するＥＵＶ光は投影光学系１００によりプレー
ト２３０に結像される。
されたＥＵＶ光は、照明光学系２１４によりレチクル２
２０を照明する。レチクル２２０で反射され回路パター
ンを反映するＥＵＶ光は投影光学系１００によりプレー
ト２３０に結像される。
【００５１】次に、図５及び図６を参照して、上述の露
光装置２００を利用したデバイス製造方法の実施例を説
明する。図５は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体
チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフ
ローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を
例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイス
の設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では、設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステッ
プ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いて
ウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は前
工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー
技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステッ
プ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によっ
て作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程で
あり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの
検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完
成し、これが出荷（ステップ７）される。
光装置２００を利用したデバイス製造方法の実施例を説
明する。図５は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体
チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフ
ローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を
例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイス
の設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では、設計
した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステッ
プ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いて
ウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は前
工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー
技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステッ
プ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によっ
て作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程で
あり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含
む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの
検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完
成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００５２】図６は、図５に示すステップ４のウェハプ
ロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１
（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１
２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着
などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込
み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では、露光装置２００によってマス
クの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７
（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１
８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによってウェハ上に
多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイ
ス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製
造することができる。このように、かかる露光装置２０
０を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としての
デバイスも本発明の一側面として機能するものである。
ロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１
（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１
２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着
などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込
み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では、露光装置２００によってマス
クの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７
（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１
８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによってウェハ上に
多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイ
ス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製
造することができる。このように、かかる露光装置２０
０を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としての
デバイスも本発明の一側面として機能するものである。
【００５３】以上、本発明の好ましい実施例について説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないこと
はいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び
変更が可能である。例えば、本実施例の反射型投影光学
系は、共軸系の回転対称非球面としているが、必ずしも
これに限定する必要はなく、回転非対称非球面としても
よい。また、本発明は、ＡｒＦエキシマレーザーやＦ２
レーザーなどのＥＵＶ光以外の波長２００ｎｍ以下の紫
外線用の反射型縮小光学系として用いることもでき、大
画面をスキャン露光する露光装置にもスキャンしない露
光をする露光装置にも適用可能である。
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないこと
はいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び
変更が可能である。例えば、本実施例の反射型投影光学
系は、共軸系の回転対称非球面としているが、必ずしも
これに限定する必要はなく、回転非対称非球面としても
よい。また、本発明は、ＡｒＦエキシマレーザーやＦ２
レーザーなどのＥＵＶ光以外の波長２００ｎｍ以下の紫
外線用の反射型縮小光学系として用いることもでき、大
画面をスキャン露光する露光装置にもスキャンしない露
光をする露光装置にも適用可能である。
【００５４】
【発明の効果】本発明の反射型投影光学系によれば、最
も少なくて４枚のミラー系とすることで光学系の反射率
を高めることができ、開口絞りの位置近傍を他の反射光
線が通らないので、１枚だけの円形開口絞りを配置すれ
ばよい。また、開口絞り位置にミラーの反射面を有しな
い配置であるので投影光や照明光の光線とミラーとの干
渉を防止して結像性能に優れた光学系を達成することが
できる。従って、かかる反射型投影光学系を適用した露
光装置は、高品位なデバイスをスループットなどの露光
性能よく提供することができる。
も少なくて４枚のミラー系とすることで光学系の反射率
を高めることができ、開口絞りの位置近傍を他の反射光
線が通らないので、１枚だけの円形開口絞りを配置すれ
ばよい。また、開口絞り位置にミラーの反射面を有しな
い配置であるので投影光や照明光の光線とミラーとの干
渉を防止して結像性能に優れた光学系を達成することが
できる。従って、かかる反射型投影光学系を適用した露
光装置は、高品位なデバイスをスループットなどの露光
性能よく提供することができる。
【図１】 本発明の一側面としての反射型投影光学系の
例示的一形態及びその光路を示す概略断面図である。
例示的一形態及びその光路を示す概略断面図である。
【図２】 図１に示す反射型投影光学系の別の形態を示
した反射型投影光学系及びその光路を示す概略断面図で
ある。
した反射型投影光学系及びその光路を示す概略断面図で
ある。
【図３】 図１に示す反射型投影光学系の主光線の光路
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図４】 図１に示す反射型投影光学系を有する露光装
置を示す概略構成図である。
置を示す概略構成図である。
【図５】 本発明の露光装置を有するデバイス製造方法
を説明するためのフローチャートである。
を説明するためのフローチャートである。
【図６】 図５に示すステップ４の詳細なフローチャー
トである。
トである。
【図７】 従来の反射型投影光学系の概略断面図であ
る。
る。
【図８】 従来の反射型投影光学系を組み込んだ露光装
置を示す概略構成図である。
置を示す概略構成図である。
１００、１００ａ 反射型投影光学系
１１０ 第１のミラー
１２０ 第２のミラー
１３０ 第３のミラー
１４０ 第４のミラー
２００ 露光装置
２１０ 照明装置
２１２ ＥＵＶ光源
２１４ 照明光学系
２２０ レチクル（マスク）
２３０ プレート
２４０ プレートステージ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１７
５１５Ｄ
５３１Ａ
Claims (13)
- 【請求項１】 物体面上のパターンを像面上に投影する
反射型投影光学系であって、途中に中間像を形成する結
像系であり、 物体側から像面にかけて順次光を反射するとともに基本
的に共軸系をなすように配置された４枚以上の鏡を有
し、 前記４枚以上の鏡の反射面において、反射角の形成方向
が同一である反射型投影光学系。 - 【請求項２】 ２回結像系であり、前記４枚以上の鏡の
うち、前記中間像から前記像面にかけて光路順に、物体
側に凸面を向けた凸面鏡、像側に凹面を向けた凹面鏡を
有する請求項１記載の反射型投影光学系。 - 【請求項３】 最も物体側に開口絞りを有し、当該開口
絞りと像面との間に前記４枚以上の鏡が配置された請求
項１乃至２記載の反射型投影光学系。 - 【請求項４】 前記物体面から前記中間像の間に前記４
枚以上の鏡のうち、２枚の鏡が配置された請求項１乃至
３記載の反射型投影光学系。 - 【請求項５】 前記２枚の鏡は、前記物体面から前記中
間像にかけて光路順に、物体側に凹面を向けた凹面鏡、
像側に凸面を向けた凸面鏡である請求項４記載の反射型
投影光学系。 - 【請求項６】 物体面上のパターンを像面上に縮小投影
する反射型投影光学系であって、 物体側から像側にかけて凹面鏡、凸面鏡、凸面鏡、凹面
鏡の順に光を反射するような４枚の鏡が基本的に共軸系
をなすように配置され、途中に中間像を形成する２回結
像系である反射型投影光学系。 - 【請求項７】 前記鏡のうち少なくとも一枚は多層膜を
有する非球面ミラーである請求項１又は６記載の反射型
投影光学系。 - 【請求項８】 前記鏡は全て多層膜を有する非球面ミラ
ーである請求項１又は６記載の反射型投影光学系。 - 【請求項９】 前記光は、波長２００ｎｍ以下である請
求項１又は６記載の反射型投影光学系。 - 【請求項１０】 前記光は、波長２０ｎｍ以下の極紫外
線である請求項１又は６記載の反射型投影光学系。 - 【請求項１１】 前記像面側がテレセントリックである
請求項１又は６記載の反射型投影光学系。 - 【請求項１２】 紫外光、遠紫外光、真空紫外光或いは
極紫外光を露光光として利用し、当該露光光を、請求項
１乃至１１のうちいずれか一項記載の反射型投影光学系
を介して被処理体に照射して当該被処理体を露光する露
光装置。 - 【請求項１３】 請求項１２記載の露光装置を用いて被
処理体を投影露光するステップと、 前記投影露光された前記被処理体に所定のプロセスを行
なうステップとを有するデバイス製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002030623A JP2003233005A (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP03250723A EP1335229A1 (en) | 2002-02-07 | 2003-02-05 | Reflection type projection optical system, exposure apparatus and device fabrication method using the same |
| US10/359,937 US6860610B2 (en) | 2002-02-07 | 2003-02-06 | Reflection type projection optical system, exposure apparatus and device fabrication method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002030623A JP2003233005A (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003233005A true JP2003233005A (ja) | 2003-08-22 |
Family
ID=27606512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002030623A Pending JP2003233005A (ja) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6860610B2 (ja) |
| EP (1) | EP1335229A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003233005A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011528128A (ja) * | 2008-07-16 | 2011-11-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
| JP2012502490A (ja) * | 2008-09-10 | 2012-01-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
| US9239521B2 (en) | 2007-01-17 | 2016-01-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9053610B2 (en) * | 2002-09-13 | 2015-06-09 | Bally Gaming, Inc. | Networked gaming system communication protocols and methods |
| JP4241281B2 (ja) * | 2003-09-17 | 2009-03-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US7712905B2 (en) * | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
| KR100674959B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | 비축상 프로젝션 광학계 및 이를 적용한 극자외선 리소그래피 장치 |
| EP2192446B1 (en) | 2005-03-08 | 2011-10-19 | Carl Zeiss SMT GmbH | Microlithography projection system with an accessible aperture stop |
| WO2006117122A1 (en) * | 2005-05-03 | 2006-11-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography exposure apparatus using polarized light and microlithography projection system having concave primary and secondary mirrors |
| WO2007031271A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection optical system, method for manufacturing a device and method to design an optical surface |
| DE102006014380A1 (de) | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille |
| EP2005249A1 (en) * | 2006-04-07 | 2008-12-24 | Carl Zeiss SMT AG | Microlithography projection optical system and method for manufacturing a device |
| KR101327581B1 (ko) * | 2006-05-24 | 2013-11-12 | 엘지전자 주식회사 | 터치스크린 장치 및 이의 작동방법 |
| DE102011003302A1 (de) * | 2011-01-28 | 2012-08-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vergrößerte abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5805365A (en) * | 1995-10-12 | 1998-09-08 | Sandia Corporation | Ringfield lithographic camera |
| US6199991B1 (en) * | 1997-11-13 | 2001-03-13 | U.S. Philips Corporation | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
| US5973826A (en) * | 1998-02-20 | 1999-10-26 | Regents Of The University Of California | Reflective optical imaging system with balanced distortion |
| US6213610B1 (en) | 1998-09-21 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
| US6109756A (en) * | 1998-09-21 | 2000-08-29 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system |
| DE19910724A1 (de) * | 1999-03-11 | 2000-09-14 | Zeiss Carl Fa | Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
| DE10157045A1 (de) * | 2000-12-29 | 2002-09-12 | Zeiss Carl | Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit Zwischenbild für die EUV-Lithographie |
-
2002
- 2002-02-07 JP JP2002030623A patent/JP2003233005A/ja active Pending
-
2003
- 2003-02-05 EP EP03250723A patent/EP1335229A1/en not_active Withdrawn
- 2003-02-06 US US10/359,937 patent/US6860610B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9239521B2 (en) | 2007-01-17 | 2016-01-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
| JP2011528128A (ja) * | 2008-07-16 | 2011-11-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
| US9442386B2 (en) | 2008-07-16 | 2016-09-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optics |
| JP2012502490A (ja) * | 2008-09-10 | 2012-01-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030147149A1 (en) | 2003-08-07 |
| US6860610B2 (en) | 2005-03-01 |
| EP1335229A1 (en) | 2003-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003233001A (ja) | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3938040B2 (ja) | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2003303751A (ja) | 投影光学系、該投影光学系を有する露光装置及び方法 | |
| US7232233B2 (en) | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus using the same | |
| JP2004252363A (ja) | 反射型投影光学系 | |
| KR20040075764A (ko) | 카톱트릭형 투영광학계와 노광장치 | |
| JP2003233002A (ja) | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2003233005A (ja) | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2002329655A (ja) | 反射型縮小投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| KR100514063B1 (ko) | 투영광학계와 노광장치 | |
| JP2010107596A (ja) | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2008158211A (ja) | 投影光学系及びそれを用いた露光装置 | |
| JP3958261B2 (ja) | 光学系の調整方法 | |
| JP3870118B2 (ja) | 結像光学系、該光学系を有する露光装置、収差低減方法 | |
| TWI245324B (en) | Projection optical system | |
| JP4393227B2 (ja) | 露光装置、デバイスの製造方法、露光装置の製造方法 | |
| JP2004022945A (ja) | 露光装置及び方法 | |
| JP2005122132A (ja) | 反射型投影光学系、当該投影光学系を有する露光装置、並びに、デバイス製造方法 | |
| JP4537087B2 (ja) | 露光装置、デバイスの製造方法 | |
| JP4819419B2 (ja) | 結像光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| KR20080091014A (ko) | 반사형 투영광학계, 노광장치, 및 디바이스의 제조방법 | |
| JP4438060B2 (ja) | 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| JP2003303749A (ja) | 投影光学系、該投影光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2004252359A (ja) | 反射型投影光学系及び当該反射型投影光学系を有する露光装置 | |
| JP2004158787A (ja) | 投影光学系及び露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040924 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060328 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070403 |