DE10157045A1 - Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit Zwischenbild für die EUV-Lithographie - Google Patents

Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit Zwischenbild für die EUV-Lithographie

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine abschaltungsfreie Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtung für kurze Wellenlängen, vorzugsweise < 100 nm, umfassend DOLLAR A eine Objektebene sowie eine Bildebene DOLLAR A einen ersten, einen zweiten Spiegel, einen dritten und einen vierten Spiegel in zentrierter Anordnung zwischen Objektebene und Bildebene, wobei ein Zwischenbild ausgebildet wird. DOLLAR A Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die bildseitige numerische Apertur > 0,10, insbesondere > 0,13, besonders bevorzugt >= 0,14, ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Mikrolithographie-Projektionseinrichtung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1, eine Belichtungsanlage gemäß Anspruch 15 sowie ein Chipherstellungsverfahren gemäß Anspruch 18.
Die Lithographie mit Wellenlängen < 193 nm, insbesondere die EUV-Lithographie mit λ = 11 nm bzw. λ = 13 nm werden als mögliche Techniken zur Abbildungen von Strukturen < 130 nm, besonders bevorzugt < 100 nm diskutiert. Die Auflösung eines lithographischen Systems wird durch nachfolgende Gleichung beschrieben:
wobei k1 ein spezifischer Parameter des Lithographieprozesses, λ die Wellenlänge des einfallenden Lichtes und NA die bildseitige, numerische Apertur des Systems bezeichnet.
Für abbildende Systeme im EUV Bereich stehen als optische Komponenten im wesentlichen reflektive Systeme mit Multilayer-Schichten zur Verfügung. Als Multilayer-Schichtsysteme finden bei λ = 11 nm bevorzugt Mo/Be-Systeme und bei λ = 13 nm Mo/Si-Systeme Verwendung.
Legt man eine numerische Apertur von 0,10 zugrunde, so erfordert die Abbildung von 100 nm-Strukturen mit 13 nm-Strahlung einen Prozeß mit k1 = 0,77. Mit k1 = 0,64 wird bei 11 nm-Strahlung die Abbildung von 70 nm-Strukturen möglich. Will man 50-nm Strukturen abbilden, so erfordert dies unter der Voraussetzung, daß die Nutzwellenlänge, d. h. 13 nm oder 11 nm-Strahlung, nicht geändert wird, eine Erhöhung der numerischen Apertur. Hohe numerische Aperturen von beispielsweise 0,2 werden mit 6-Spiegel-Systemen wie in der US-A-5686728, EP 0779528, US-A-5815310 sowie in der anhängigen, auf die Anmelderin zurückgehenden deutschen Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen 199 06 001.0, eingereicht am 15.02.1999, deren Offenbarungsgehalt vollumfänglich in den der vorliegenden Anmeldung mitaufgenommen wird, erreicht.
Da die Reflektivität der eingesetzten Multilayer-Schichten nur im Bereich von ungefähr 70% liegt, ist es bei den Projektionsobjektiven für die EUV- Mikrolithographie von ganz entscheidender Bedeutung, zum Erreichen einer ausreichenden Lichtstärke mit möglichst wenig optischen Komponenten im EUV-Projektionsobjektiv auszukommen.
Weitere Anforderungen an ein EUV-Projektionsobjektiv für die EUV-Lithographie betreffen Obskurationen, Bildfeld, Verzeichnung, bild- und objektseitige Telezentrie, den freien Arbeitsabstand sowie die Blende.
Obskurationen, z. B. Mittenabschattungen wie in Schwarzschildsystemen, sind nicht zulässig, da es sonst zu intolerablen Degradationen der Abbildungsgüte kommt.
Fordert man einen obskurationsfreien Strahlengang so resultiert bei zentrierten Systemen ein außeraxiales Bildfeld. Um Bildformate von 26 × 34 mm2 bzw. 26 × 52 mm2 bereitzustellen, ist es vorteilhaft die Systeme als Ringfeldscanner auszubilden. Die nutzbare Sekantenlänge des Scanschlitzes beträgt dann mindestens 26 mm. Die Ringbreite sollte um eine homogene Beleuchtung bzw. Belichtungs-Kontrolle und "Dose-Control" zu ermöglichen im Bereich 0,5-2 mm liegen.
Bei der Verzeichnung unterscheidet man zwischen statischer und dynamischer oder Scan-Verzeichnung. Die Scanverzeichnung ist die effektive, sich durch Integration der statischen Verzeichnung über den Scanweg ergebende Verzeichnung. Grenzen für die maßstabskorrigierte, statische Verzeichnung ergeben sich im wesentlichen aus den Spezifikationen für Kontrast und CD-Variation.
Es ist bildseitige Telezentrie erforderlich. Handelt es sich bei dem Projektionssystem um ein System mit einer Reflektionsmaske, so ist ein telezentrischer Strahlengang objektseitig nicht möglich. Werden Transmissionsmasken, z. B. Stencilmasken, eingesetzt ist auch ein telezentrischer Strahlengang realisierbar.
Um saubere Bündelbegrenzungen zu ermöglichen ist es vorteilhaft, wenn die Blende physikalisch zugänglich ist.
Die bildseitige Telezentrieforderung bedeutet, daß die Eintritsspupille des letzten Spiegels in oder nahe seines Brennpunktes, zu liegen kommt. Um ein kompaktes Design bei zugänglicher Blende zu erhalten, bietet es sich an, den vorletzten Spiegel als bündelbegrenzendes Element dort zu plazieren und die Abbildung von Retikel auf Wafer zwischenbildfrei zu gestalten.
Aus nachfolgenden Veröffentlichungen sind 4-Spiegel-Projektions- bzw. Reduktionsobjektive ohne Zwischenbild bekannt geworden:
  • - US 5315629
  • - EP 0480617
  • - US 5 063 586
  • - EP 0 422 853
  • - EP 0 271 737
  • - Donald W. Sweeney, Russ Hudyma, Henry N. Chapman, David Shafer, EUV optical Design for a 100 mm CD Imaging System, 23rd International Symposium of microlithography, SPIE, Santa Clara, California, February 22-27, 1998, SPIE Vol. 3331, p. 2 ff.
In der US 5 315 629 wird ein 4-Spiegel-Projektionsobjektiv mit NA = 0,1, 4×, 31.25 × 0,5 mm2 beansprucht. Die Spiegelfolge ist konkav, konvex, konkav, konkav.
Aus der EP 0 480 617 B1 sind zwei NA = 0.1, 5×, 25 × 2 mm2-Systeme bekanntgeworden. Die Spiegelfolge ist konkav, konvex, beliebig/konvex, konkav.
Die Systeme gemäß US 5 063 586 und EP 0 422 853 weisen ein rechteckiges Bildfeld, von beispielsweise mindestens 5 × 5 mm2, auf. Die im allgemeinen dezentrierten Systeme sind mit sehr hohen Verzeichnungswerten im %-Bereich behaftet. Die Objektive könnten daher nur in Steppern mit Verzeichnungsvorhalt auf dem Retikel eingesetzt werden. Das hohe Niveau der Verzeichnung macht derartige Objektive allerdings bei den hier diskutierten Strukturbreiten (≦ 130 nm) unpraktikabel. Die Spiegelfolge ist konvex, konkav, konvex, konkav.
Aus der US 5 153 898 sind pauschal beliebige 3 bis 5-Multilayer-Spiegel- Systeme bekanntgeworden. Die offengelegten Realisierungen beschreiben allerdings durchweg 3-Spiegelsysteme mit Rechteckfeld und kleiner numerischer Apertur NA (NA < 0.04). Die Systeme sind daher auf die Abbildung von Strukturen < = 0.25 µm beschränkt.
EP 0 271 737 zeigt ein 4-Spiegel-System mit einem Zwischenbild zwischen drittem und viertem Spiegel. Nachteilig an dem Objektiv gemäß der EP 0 271 737 ist, daß sowohl die Objektebene wie die Bildebene innerhalb des Spiegelssystems liegen. Des weiteren weisen die Spiegel des Objektivs keine zentrierte Anordnung auf.
Betreffend den allgemeinen Stand der Technik wird des weiteren auf T. Jewell: "Optical System design issues in development of projection camera for EUV lithography", Proc. SPIE 2437 (1995) und die darin angegebenen Zitate verwiesen, deren Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die Anmeldung mit aufgenommen wird.
Es hat sich bei den bekannten Systemen gemäß der EP 0 480 617 sowie US 5 315 629 und gemäß Sweeney a. a. O. als nachteilig erwiesen, daß der außeraxial genutzte Teil des Primärspiegels mechanisch mit den waferseitigen Sensoraufbauten einer Projektionsbelichtungsanlage in Konflikt gerät, wenn nicht sehr große freie mechanische Arbeitsabstände < 100 mm realisiert werden. Diese Konflikte treten bei Spiegelsegmenten, die "bildfeldnah" plaziert sind, erst bei wesentlich geringeren Abständen (≈ 10 mm) auf.
Höhere Aperturen als 0,10 sind bei derartigen 4-Spiegel-Systemen nur mit großen Problemen wegen der Forderung nach obskurationsfreiem Strahlengang bei gleichzeitig kleinen Einfallswinkeln zu erreichen.
Insbesondere im hinteren, hochaperturigen Objektivteil ist es schwierig, die Bündel abschaltungsfrei an den Spiegeln vorbeizuführen. Ein weiteres Problem ist der geringe am Wafer zur Verfügung stehende freie Arbeitsabstand.
4-Spiegel-Systeme mit Zwischenbild sind aus nachfolgenden Veröffentlichungen bekanntgeworden:
  • - SPIE 99, Paper 3676-74 "EUV Projection-Camera Alignment Methods" by Michael R. Descour, Mark R. Willer and Curtis E. Volin
  • - US-A-4798450.
Bei dem System gemäß der US-A-4798450 handelt es sich um ein nicht zentriertes - ein sogenanntes off-axis - optisches System, das sich aus zwei Teilsystemen zusammensetzt, derart, daß der Astigmatismus des ersten optischen Teilsystems durch das zweite optische Teilsystem kompensiert wird.
Bei dem aus SPIE 99 Paper 3676-74 a. a. O. bekanntem System beträgt die Apertur wie bei den Systemen ohne Zwischenbild nur NA = 0,1.
Aufgabe der Erfindung ist es, somit eine für die Lithographie mit kurzen Wellenlängen, ≦ 193 nm, vorzugweise < 100 nm, geeignete Projektionsobjektiveinrichtung anzugeben, die die zuvor erwähnten Nachteile des Standes der Technik nicht aufweist, mit möglichst wenigen optischen Elementen auskommt und andererseits eine ausreichend große Apertur aufweist und die Telezentrieanforderungen sowie sämtliche weitere Anforderung an ein Projektionssystem für Wellenlängen ≦ 193 nm erfüllen. Insbesondere sollen Aperturen < 0,13; besonders bevorzugt ≧ 0,14 erreicht werden.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch ein Projektionsobjektiv gelöst, das vier Spiegel umfaßt, wobei zwischen drittem und viertem Spiegel ein reelles Zwischenbild ausgebildet wird und die bildseitige numerische Apertur < 0,10, bevorzugt < 0,13, insbesondere bevorzugt ≧ 0,14 ist.
Besonders bevorzugt ist das 4-Spiegel-Projektionsobjektiv in ein erstes und ein zweites Subsystem untergliedert, wobei das erste Subsystem ein objekt- bzw. retikelnahes 2-Spiegel-System und das zweite Subsystem ein wafernahes 2-Spiegel-System ist. Besonders bevorzugt ist das System derart ausgelegt, daß das Zwischenbild im hinteren Objektivteil, d. h. im zweiten Subsystem erzeugt wird. Hierdurch wird eine obskurationsfreie Strahlführung in Folge des geringeren Bündelquerschnittes deutlich erleichtert. Dies wiederum ermöglicht die Realisierung großer freier Arbeitsabstände am Wafer bei gleichzeitig hoher numerischer Apertur.
In einer besonders kompakten Ausführungsform der Erfindung kann vorgesehen sein, daß das erste und das zweite Subsystem ineinander verschachtelt angeordnet sind.
Besonders bevorzugt wird das Projektionsobjektiv mit einer physikalischen und zugänglichen Blende im vorderen niederaperturigen Objektivteil ausgestattet, die entweder auf dem ersten oder dem zweiten bzw. zwischen erstem und zweitem Spiegel liegen kann.
Die Plazierung der Blende wird bevorzugt so gewählt, daß die konjugierte Ebene im Fokus des vierten Spiegels liegt.
Die zuvor beschriebenen Objektive können nicht nur für die EUV-Lithographie eingesetzt werden, sondern selbstverständlich auch bei anderen Wellenlängen, ohne daß von der Erfindung abgewichen wird. Praktisch wird das nur bei UV-Wellenlängen im Bereich um 193 nm bei Excimer-Lasern in Betracht kommen.
Um eine beugungsbegrenzte Abbildung zu erreichen, ist mit Vorteil vorgesehen, daß der Design-Anteil des rms-Wellenfrontanteils des Systems höchstens 0,10 λ, bevorzugt 0,08 λ beträgt.
Vorteilhafterweise sind in den Beispielen der Erfindung die Objektive stets bildseitig telezentrisch ausgebildet.
Bei Projektionssystemen, die mit einer Reflektionsmaske betrieben werden, ist ein telezentrischer Strahlengang ohne Beleuchtung über einen stark transmissionsmindernden Strahlteiler, wie beispielsweise aus der JP-A-95/283 116 bekannt, objektseitig nicht möglich. Daher sind die Hauptstrahlwinkel am Retikel so gewählt, daß eine abschattungsfreie Beleuchtung gewährleistet ist.
Bei Systemen mit Transmissionsmaske kann vorgesehen sein, daß das Projektionsobjektiv objektseitig telezentrisch ausgelegt ist.
Im gesamten sollte der Telezentriefehler am Wafer 10 mrad nicht überschreiten, vorzugsweise liegt er bei 5 mrad, besonders bevorzugt bei 2 mrad. Dies stellt sicher, daß sich die Änderung des Abbildungsmaßstabes bzw. der Verzeichnung über den Tiefenschärfenbereich in tolerierbaren Grenzen hält.
Neben der erfindungsgemäßen Reduktions- bzw. Projektionsobjektiveinrichtung stellt die Erfindung auch eine Projektionsbelichtungsanlage, umfassend mindestens ein derartiges Objektiv zur Verfügung. In einer ersten Ausführungsform weist die Projektionsbelichtungsanlage eine Reflektionsmaske auf, in einer alternativen Ausführungsform eine Transmissionsmaske.
Besonders bevorzugt ist es, wenn die Projektionsbelichtungsanlage eine Beleuchtungseinrichtung zur Beleuchtung eines außeraxialen Ringfeldes umfaßt und das System als Ringfeldsscanner ausgebildet ist. Mit Vorteil ist vorgesehen, daß die Sekantenlänge des Scan-Schlitzes mindestens 26 mm beträgt und die Ringbreite größer als 0,5 mm ist, so daß eine homogene Beleuchtung ermöglicht wird.
Mit dem erfindungsgemäßen Objektiv können des weiteren die asphärischen Abweichungen von der best-passenden Sphäre gering gehalten werden, so daß die Forderung nach "Beugungsbegrenztheit" und hoher Reflektivität der ML-Spiegel mit den hieraus folgenden extremen Genauigkeitsanforderungen an diese Oberflächen in allen Ortsfrequenbereichen vom freien Durchmesser der Spiegel bis zu atomaren Dimensionen eingehalten werden können.
Da die Reflektivität der Spiegel im EUV-Bereich durch die Belegung der Substrate mit sog. DBRs (verteilte Bragg Reflektoren), auch als Multilayer bezeichnet, erreicht wird, bestehen diese bei λ = 13 nm und für Mo/Si-System aus ca. 40 Schichtpaaren, bei λ = 11 nm aus ca. 70 Schichtpaaren. Die Winkelakzeptanz dieser Systeme liegt damit im Bereich weniger Grad und nimmt mit zunehmendem Einfallswinkel ab. Des weiteren nehmen mit zunehmendem Einfallswinkel auch störende, durch die Vielfachstruktur verursachte Phaseneffekte, zu. Variiert der auf punktbezogene mittlere Einfallswinkel zu stark über eine Systemfläche, so müssen Schichtpakete mit veränderlicher Dicke aufgebracht werden.
Da sich die erfindungsgemäßen Objektive durch einen geringeren mittleren Einfallswinkel und eine geringe flächenspezifische Variation um den mittleren Einfallswinkel auszeichnen, können die oben dargelegten Probleme von Multilayer-Systemen gering gehalten werden.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand der Zeichnungen beispielhaft beschrieben werden.
Es zeigen:
Fig. 1 Linsenschnitt eines ersten 4-Spiegel-Systems (Typ x_System),
Fig. 2 Linsenschnitt eines zweiten 4-Spiegel-Systems (Typ y_System),
Fig. 3 Linsenschnitt eines dritten 4-Spiegel-Systems (Typ z_System),
Fig. 4 den Gesamtaufbau eines Projektionsbelichtungssystems mit einem erfindungsgemäßen Projektionsobjektiv gemäß einer der Fig. 1 bis 3.
Bei den in den Fig. 1 bis 3 gezeigten Ausführungsbeispielen handelt es sich um zentrierte, bildseitig telezentrische Reduktionssysteme mit Zwischenbild Z zwischen drittem Spiegel M3 und viertem Spiegel M4. In sämtlichen Systemen werden für gleiche Bauelemente gleiche Bezugsziffern verwendet, wobei nachfolgende Nomenklatur verwendet wird:
  • - Objektebene (2) und Bildebene (4)
  • - erster Spiegel (M1), zweiter Spiegel (M2)
  • - dritter Spiegel (M3), vierter Spiegel (M4).
In der nachfolgenden Tabelle sind für die beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung, die im Linsenschnitt in den Fig. 1 bis 3 gezeigt werden, die numerische Apertur, der mittlere Wellenfrontfehler und die maßstabskorrigierte Verzeichnung angegeben:
In Fig. 1 ist der Schnitt eines Typ x-Systems von der Retikelebene 2 bis zur Waferebene 4 gezeigt, wafernächster Spiegel ist der erste Spiegel M3.
Ein Typ-y-System ist in Fig. 2 dargestellt, ein Typ-z-System in Fig. 3.
In allen Figuren bezeichnet 2 die Objektebene, in der beispielsweise eine Reflektionsmaske, ein sogenanntes Retikel, angeordnet sein kann und 4 die Bildebene, in die das Objekt abgebildet wird. In der Bildebene wird bei Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen ein lichtempfindliches Objekt, beispielsweise ein Halbleiterwafer angeordnet. z bezeichnet das Zwischenbild, HA die optische Achse und CR den Hauptstrahl.
Sämtliche Systeme der Fig. 1 bis 3 sind um die optische Hauptachse HA zentrierte Systeme.
Bei den in den Fig. 1 und 2 gezeigten Ausführungsformen der Erfindung besteht das Projektionsobjektiv aus zwei Subsystemen. Das erste Subsystem SU1 umfaßt den ersten M1 und den zweiten M2 Spiegel; das zweite Subsystem SU2, den dritten M3 und vierten M4 Spiegel. Das Zwischenbild Z kommt im zweiten Subsystem SU2 zum Liegen. Die Blende B liegt zwischen erstem M1 und zweiten Spiegel M2, im ersten Subsystem SU1.
Aus nachfolgender Tabelle 1 gehen die Parameter des Systems gemäß Fig. 1 im Code V-Format hervor:
Tabelle 1
Typ_x
Die Konstruktionsdaten des in Fig. 2 dargestellten Typ y-Systems gehen aus nachfolgender Tabelle 2 hervor:
Tabelle 2
Typ_y
In Fig. 3 ist ein System vom Typ Z gezeigt, bei dem die Subsysteme SU1, SU2 ineinander verschachtelt sind. Wafernächster Spiegel ist der Spiegel M3, der vorliegend mit der Fläche des Spiegels M1 zusammenfällt. Das Zwischenbild Z kommt im zweiten Subsystem SU2 zum Liegen. Die Daten dieser Ausführungsform sind in Tabelle 3 zusammengefaßt:
Tabelle 3
Typ_z
In Fig. 4 ist eine beispielhafte komplette Mikrolithographie-Belichtungsanlage mit einem Beleuchtungssystem 126 zur Ausleuchtung einer Austrittspupille 124 gezeigt, die mit der Eintrittspupille 10 eines erfindungsgemäßen Objektivs 12 zusammenfällt. Das System umfaßt eine Lichtquelle 100, einen Kollektorspiegel 103 zum Sammeln des Lichtes der Lichtquelle 100, ein erstes optisches Element 104 mit Rasterelementen, ein zweites optisches Element 108 mit Rasterelementen sowie drei feldformenden Spiegeln 112.1, 112.2, 112.3, die dem zweiten optischen Element 108 mit Rasterelementen nachgeordnet sind und im wesentlichen dazu dienen, das Feld in der Retikelebene 114, die mit der Objektebene 2 des erfindungsgemäßen 4- Spiegel-Projektionsobjektives, das vorliegend im Detail nicht dargestellt ist, zusammenfällt, zu formen. Das Retikel in der Retikelebene 114 ist vorliegend eine Reflektionsmaske. Anstelle einer Reflektionsmaske könnte bei geändertem Aufbau des Beleuchtungssystems, der vorliegend nicht dargestellt ist, auch eine Transmissionsmaske verwendet werden. Das Retikel ist in dem als Scanning-System ausgelegten EUV-System in Pfeilrichtung verfahrbar. Ein derartiges Beleuchtungssystem ist im prinzipiellen Aufbau beispielsweise in der DE 199 03 807 A1 offenbart, deren Inhalt in vorliegende Anmeldung mitaufgenommen wird.
Das nachfolgende Projektionsobjektiv ist ein 4-Spiegel-Projektionsobjektiv gemäß der Erfindung, das vorliegend nicht detailliert dargestellt ist. Das zu belichtende Objekt 108 befindet sich ebenfalls auf einem Trägersystem 110, das ebenfalls in Pfeilrichtung verfahren werden kann.
Das aus dem erfindungsgemäßen Objektiv 12 austretende Strahlbüschel 150 trifft bildseitig telezentrisch auf das zu belichtende Objekt 152.
Mit der Erfindung wird somit erstmals ein 4-Spiegel-Projektionsobjektiv mit Zwischenbild und einer numerischen Apertur NA < 0,10; bevorzugt < 0,13 für den Einsatz beispielsweise in einem EUV-Ringfeldprojektionssystem angegeben, das sowohl die notwendige Auflösung bei gefordertem Bildfeld wie auch Konstruktionsbedingungen aufweist, welche eine funktionsgerechte Bauausführung ermöglichen, da die Asphären hinreichend mild, die Winkel hinreichend klein für die Schichten und die Bauräume für die Spiegelträger hinreichend groß sind.

Claims (18)

1. Abschaltungsfreie Mikrolithographie-Projektionsobjektiveinrichtungen für kurze Wellenlängen vorzugsweise < 100 nm, umfassend
  • 1. 1.1 eine Objektebene sowie eine Bildebene
  • 2. 1.2 einen ersten (M1), einen zweiten Spiegel (M2), einen dritten (M3) und einen vierten Spiegel (M4) in zentrierter Anordnung zwischen Objektebene und Bildebene, wobei
  • 3. 1.3 ein Zwischenbild (Z) ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 4. 1.4 die bildseitige numerische Apertur < 0,10, insbesondere < 0,13, besonders bevorzugt < = 0,14 ist.
2. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Zwischenbild (Z) reell ist.
3. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Zwischenbild (Z) zwischen drittem (M3) und viertem Spiegel (M4) ausgebildet wird.
4. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Projektionsobjektiv ein erstes und ein zweites Subsystem (SU1, SU2) umfaßt.
5. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Subsystem ein objekt- bzw. retikelnahes Zwei-Spiegel-System und das zweite Subsystem ein wafernahes Zwei-Spiegel-System ist.
6. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Zwischenbild im wafernahen zweiten Subsystem zum Liegen kommt.
7. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß erstes und zweites Subsystem ineinander verschachtelt angeordnet sind.
8. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 4 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Subsystem dem ersten (M1) und dem zweiten Spiegel (M2) und das zweite Subsystem dem dritten (M3) und dem vierten Spiegel (S4) umfaßt.
9. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Mikrolithographie-Projektionsobjektiv eine Blendenebene (B) aufweist und die Blendenebene (B) zwischen erstem (M1) und zweitem Spiegel (M2) oder vor oder auf oder nahe dem ersten Spiegel (M1) liegt.
10. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Spiegel (M2) und der vierte Spiegel (M4) konkav sind.
11. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Spiegel (M1) konkav und der zweite Spiegel (M2) konvex ist.
12. Mikrolithographie-Projektionsobjektiv nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Spiegel (M1, M2, M3, M4) in der Reihenfolge konvex-konkav-konvex-konkav ausgebildet sind.
13. Mikrolithographie-Projektionssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Hauptstrahl am Objekt zu der optischen Achse hinläuft.
14. Mikrolithographie-Projektionssystem nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß es bildseitig telezentrisch ist.
15. Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit
einer Quelle zur Erzeugung von Strahlung mit einer Wellenlänge ≦ 193 nm
einem Beleuchtungssystem, welches die von der Quelle erzeugte Strahlung teilweise sammelt und zur Beleuchtung eines Ringfeldes weiterleitet
einer strukturtragenden Maske auf einem Trägersystem, wobei diese Maske in der Ebene des Ringfeldes liegt
ein Mikrolithographie-Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14 mit einer Eintrittspupille, die mit der Austrittspupille des Beleuchtungssystems zusammenfällt, wobei dieses Projektionsobjektiv den beleuchteten Teil der strukturtragenden Maske in ein Bildfeld abbildet
ein lichtsensitives Substrat auf einem Trägersystem, wobei dieses lichtsensitive Substrat in der Ebene des Bildfeldes der Projektionsbelichtung liegt.
16. Projektionsbelichtungsanlage gemäß Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß als strukturtragende Maske eine Reflexionsmaske vorgesehen ist.
17. Projektionsbelichtungsanlage mit einem Projektionsobjektiv gemäß Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß als strukturtragende Maske eine Transmissionsmaske vorgesehen ist.
18. Verfahren zur Chipherstellung mit einer Projektionsbelichtungsanlage gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17.
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