JP2012502490A - 結像光学系 - Google Patents

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Abstract

a)物体平面(5)に対して垂直で空間的に物体視野(4)に最も近く隣接するミラー(M2)の幾何学的中心点を通じて延びる接続軸(32)上で、物体視野(4)に最も近く隣接するミラー(M2)が、結像光(3)のビーム経路内で物体視野(4)の上流にある結像光学系(31)の入射瞳平面(30)の物体視野(4)からの間隔(B)よりも大きい物体視野(4)からの間隔(A)の位置に配置され、b)物体平面(5)上で反射された結像光(3)のビーム経路内で物体視野(4)の上流に位置する入射瞳平面(30)と、物体平面(5)に対して垂直で入射瞳の幾何学的中心点を通じて延びる接続軸(32)とを有し、接続軸(32)と入射瞳平面(30)との交点(C)が、結像光(3)のビーム経路内で物体視野(4)の下流にある中心物体視野点の主ビーム(33)と接続軸(32)との第1の交点(D)よりも物体平面(5)に近く、ミラー(M5,M6)の少なくとも一方が、結像光(3)が通過するための貫通開口部(18,19)を有し、c)2つの視野(4,8)の一方に最も近く隣接し、隣接ミラーと呼ぶ第1のミラー(M5)から離間して、結像光学系(7;31)内で隣接ミラー(M5)の配列平面と光学的に共役な平面に配置された変形可能な更に別のミラー(M3)を有し、d)2つの視野(4,8)の一方に最も近く隣接する隣接ミラーであるミラー(M5)の支持体(21)が、他のミラー(M1からM4,M6)のうちの少なくとも1つの支持体(22)の材料の弾性率の少なくとも2倍大きい弾性率を有する材料で作られるという構成のうちのいずれか1つに従う物体平面(5)の物体視野(4)を像平面(9)の像視野(8)内に結像する複数のミラー(M1からM6)を有する結像光学系(31)。
【選択図】図3

Description

本発明は、物体平面の物体視野を像平面の像視野内に結像する複数のミラーを有する結像光学系に関する。
この種の結像光学系は、EP 1 093 021 A2及びWO 2006/069725 A1から公知である。更に別の結像光学系は、US 2007/0035814 A1、US 7,186,983 B2、US 2007/0233112 A1、及びWO 2006/037 651 A1から公知である。結像光学系は、US 6,172,825 B1から公知であり、この文献に示されている結像光学系の入射瞳平面の位置は、開口絞り又は遮光器ASにおける位置から生成される。
EP 1 093 021 A2 WO 2006/069725 A1 US 2007/0035814 A1 US 7,186,983 B2 US 2007/0233112 A1 WO 2006/037 651 A1 US 6,172,825 B1 US 7,443,619 B2 US 2007/0058269 A1 US 2008/0170310 A1 US 7,443,619
本発明の目的は、結像光学系を構成要素として有する照明系の伝達損失が可能な限り低く保たれるような方式で、冒頭で示した種類の結像光学系を開発することである。
本発明によると、この目的は、物体平面に対して垂直であり、かつ物体視野に最も近く隣接するミラーの幾何学的中心点を通じて延びる接続軸上で、物体視野に最も近く隣接するミラーが、結像光のビーム経路内で物体視野の上流にある結像光学系の入射瞳平面の物体視野からの間隔よりも大きい物体視野からの間隔の位置に配置される冒頭で示した種類の結像光学系によって達成される。
本発明によると、更にこの目的は、物体平面上で反射された結像光のビーム経路内で物体視野の上流に位置する入射瞳平面と、物体平面に対して垂直であり、入射瞳の幾何学的中心点を通じて延びる接続軸とを有し、接続軸と入射瞳平面との交点が、結像光のビーム経路内で物体視野の下流にある中心物体視野点の主ビームと接続軸との第1の交点よりも物体平面に近く、ミラーのうちの少なくとも1つが、結像光が通過するための貫通開口部を有する物体平面の物体視野を像平面の像視野内に結像する複数のミラーを有する結像光学系によって達成される。
この種の結像光学系では、結像される反射物体を用いる場合に、光学構成要素を物体視野の上流のビーム経路内で接続軸上に配置することができる。その結果、結像光学系の上流のビーム経路に配置された光学照明系の物体視野を照明するのに必要とされる構成要素の数を低減することができ、従って、照明光の合計損失が低減される。
本発明の更に別の目的は、視野に隣接するミラーの変形が、結像光学系の結像挙動に対して可能な限り小さい効果しか持たないような冒頭に示した種類の結像光学系を開発することである。
本発明によると、この目的は、2つの視野の一方に最も近く隣接し、隣接ミラーと呼ぶ第1のミラーから分離して結像光学系内で隣接ミラーの配列平面と光学的に共役な平面に配置された変形可能な更に別のミラーを有する冒頭に示した種類の結像光学系によって達成される。結像光学系の互いに対して光学的に共役な平面の例は、結像光学系の視野平面又は結像光学系の瞳平面である。結像ビームの光束形態及び角度分布に関して互いに対応する全ての平面は、互いに対して光学的に共役な平面である。
本発明によると、結像光学系の特性に望ましくない変化をもたらす変形を有する隣接ミラーに対して光学的に共役な平面にある変形可能ミラーは、この変形に起因してもたらされる結像特性変化の良好な補償をもたらすことが認識された。この場合、様々な原因を有する可能性がある隣接ミラーの変形を補償することができる。固有の重量に起因する隣接ミラーの変形、言い換えれば重力変形を補償することができる。隣接ミラーの振動によって生成される隣接ミラーの変形を光学的に共役な平面に配置された更に別のミラーによって補償することができる。この場合、変形可能ミラーには、隣接ミラーの振動と同期化された変形を可能にする作動要素を装備することができる。変形可能ミラーは、例えば、隣接ミラーの振動の帯域幅に対応する帯域幅において作動可能にすることができる。変形可能ミラーにおいて上述の目的に用いることができる作動要素の例は、US 7,443,619 B2に説明されている。ミラーの反射面の変形に対して用いられるこの文献に開示されている作動要素は、隣接ミラーにおける振動によって誘起される変形の補償が可能である程に高い帯域幅で作動させることができる。特に、ローレンツアクチュエータを用いることができる。光学的に共役な平面に配置された変形可能ミラーを用いて、隣接ミラーの熱変形を補償することができる。
本発明の更に別の目的は、隣接する視野からの視野隣接ミラーの反射面の可能な限り短い間隔が可能であるような冒頭に示した種類の結像光学系を開発することである。
本発明によると、この目的は、2つの視野の一方に最も近く隣接して隣接ミラーとも呼ぶミラーの支持体が、他のミラーのうちの少なくとも1つの支持体の材料の弾性率の少なくとも2倍大きい弾性率を有する材料で作られる冒頭で示した種類の結像光学系によって達成される。
本発明によると、隣接ミラーのための材料の選択において非常に高い弾性率を有する材料を用いることが確かに可能であることが認識された。それによって隣接ミラーに非常に薄い支持体を装備することが可能になり、相応に隣接ミラーを視野に近づけることができる。隣接ミラーの支持体の材料の高い弾性率に起因して、任意的に非常に薄い支持体にも関わらず、隣接ミラーは十分な安定性を有する。その一方、より肉厚とすることができ、言い換えれば、それ程肉薄ではない他のミラーの支持体は、より低い弾性率を有する材料で作ることができる。従って、これらの他のミラーのための材料の選択は、他の観点から行うことができる。これらの他のミラーは、全て同じ材料から製造することができるが、これは必須ではない。隣接ミラーの弾性率は、全ての他のミラーの支持体の材料の最大弾性率の少なくとも2倍とすることができる。この場合、隣接ミラーの材料が弾性率に関して比較される比較材料は、最大弾性率を有する他のミラーの材料である。結像光学系を物体視野に配置された構造を像視野内に伝達するための投影レンズ系として用いる場合には、隣接ミラーは、結像光学系の像視野に最も近く隣接する。結像光学系の別の用途は顕微鏡レンズ系である。この場合、隣接ミラーは、結像光学系の物体視野に最も近く隣接する。一般的に、隣接ミラーは、結像光学系の高開口率側で視野に最も近く隣接する。従って、結像光学系のいかなる他のミラーも、上述の視野からのより短い間隔を持たない。
以上の本発明による結像光学系の特徴は、組合せで実施することができる。
隣接ミラーは、少なくとも150GPaの弾性率を有する材料から製造することができる。この種の弾性率は、隣接ミラーの支持体の非常に薄い設計を可能にする。隣接ミラーの支持体は、好ましくは、少なくとも200GPa、より好ましくは、少なくとも250GPa、より好ましくは、300GPa、より好ましくは、350GPa、及び更に好ましくは、400GPaの弾性率を有する材料で作られる。
隣接ミラーの支持体は、炭化珪素から製造することができる。この材料は、例えば、グラファイト形成体による形成法を用いた非常に薄い支持体の製造を可能にする。この場合、支持体は、光学結像品質を得る上で必要になる場合には、公知の面処理法を用いて更に処理することができる。隣接ミラーの支持体のための別の材料は、SiSiC、CSiC、及びSiNである。
結像光学系は、隣接ミラーから離間した変形可能ミラーを有することができる。この種の変形可能ミラーを用いると、例えば、結像光の残留吸収による隣接ミラーの熱負荷からもたらされる可能性がある隣接ミラーの熱変形の補償が可能である。
変形可能ミラーは、結像光学系内で隣接ミラーの配列平面に対して共役な光学平面に配置することができる。測定される隣接ミラーの変形は、変形可能ミラーの補償変形へと容易に変換することができるので、上述の配列により、変形可能ミラーの補償変形による隣接ミラーの熱変形の補償が簡易化される。この場合、結像光学系の単一のミラーを隣接ミラーの熱変形を補償するように変形可能にすることで十分である。代替的に、当然ながら結像光学系の複数のミラーをターゲット方式で変形可能にすることも可能である。
結像光学系が隣接ミラーに加えて有するミラーは、最大で1×10-7m/m/Kの熱膨張係数を有する材料から構成することができる。この種の材料の例は、Zerodur(登録商標)及びULE(登録商標)である。これらの材料で作られたミラー上の熱負荷は、特に、これらのミラーの反射面のいかなる変形も又は極めて僅かな変形しかもたらさない。
結像光学系が厳密に6つのミラーを有する場合には、それによって小型で、同時に結像誤差に関して良好に補正された結像光学系が可能になる。
結像光学系の少なくとも1つのミラーの反射面は、回転対称非球面によって説明することができる面として設計することができる。その結果、良好な結像誤差補正が可能になる。
結像光学系の少なくとも1つのミラーの反射面は、回転対称関数によって説明することができない自由曲面として設計することができる。回転対称軸を有する反射面の代わりの自由曲面の使用は、新しい設計自由度を与え、それによって回転対称反射面を用いては達成することができない特徴の組合せを有する結像光学系がもたらされる。本発明による結像光学系における使用に適する自由曲面は、US 2007/0058269 A1及びUS 2008/0170310 A1から公知である。
結像光学系のミラーの少なくとも1つは、結像光が通過するための貫通開口部を有することができる。それによって非常に大きい開口数を有する結像光学系の設計が可能になる。それは、結像光学系を投影レンズ系として用いる場合に、結像光の所定の波長において非常に高い構造解像度を得ることを可能にする。
本発明による結像光学系、照明及び結像光のための光源、及び照明光を結像光学系の物体視野に誘導するための照明光学系を有する投影露光系の利点、並びに特に光学照明系の瞳ファセットミラーが結像光学系の入射瞳平面に配置された投影露光系の利点は、本発明による結像光学系に関して上述したものに対応する。結像光学系の入射瞳平面内への瞳ファセットミラーの配列では、瞳ファセットミラーは、照明及び結像光を物体視野に直接に誘導することができる。この場合、瞳ファセットミラーと物体視野の間に位置する光学構成要素は必要ではなく、それによって投影露光系の伝達率が増大する。この伝達率の増大は、損失を伴わずには照明及び結像光を誘導することができない場合、例えば、5nmと30nmの間の範囲のEUV波長における場合に特に有利である。結像される反射する物体を用いる場合に、本発明による結像光学系が、物体平面に対して垂直な接続軸であり、物体視野に最も近く隣接するミラーの幾何学的中心点を通じて延びる接続軸上で、物体視野に最も近く隣接するミラーが結像光のビーム経路内で物体視野の上流に位置した結像光学系の入射瞳平面の物体視野からの間隔よりも大きい間隔の位置に配置されるように設計される場合には、入射瞳平面に配置された瞳ファセットミラーを接続軸上に収めることができ、従って、結像光学系の他の構成要素の間にコンパクトに収めることができる。
本発明による結像光学系が、物体平面に対して垂直で入射平面の幾何学的中心点を通じて延びる接続軸と入射瞳平面との交点が、結像光のビーム経路内で物体視野の後部に位置する中心物体視野点の主ビームと接続軸との第1の交点よりも物体平面の近くに位置するように設計される場合は同じことが適用される。この場合、照明又は結像光のビーム経路が物体平面上で折り返されることにより、入射瞳平面は、ビーム経路内で物体平面の上流に位置しながらも、物体平面が像平面に向く側でほぼ物体平面と像平面の間に収まることに注意されたい。
投影露光系の光源は、広帯域のものとすることができ、例えば、1nmよりも大きく、10nmよりも大きく、又は100nmよりも大きい帯域幅を有することができる。更に、投影露光系は、異なる波長の光源によって作動させることができるように設計することができる。瞳ファセットミラーを有する光学照明系は、例えば、US 2007/0223112 A1から公知である。
上述のように、対応する利点は、レチクル及びウェーハを準備する段階と、レチクル上の構造を本発明による投影露光系を用いてウェーハの感光層上に投影する段階と、ウェーハ上に微細構造を生成する段階とを有する微細構造構成要素を生成する方法、並びに本方法によって製造される微細構造構成要素及びナノ構造構成要素に適用される。下記では、図面を用いて実施形態をより詳細に説明する。
マイクロリソグラフィのための投影露光系の概略図である。 互いに分離した視野点の結像ビーム経路を含む図1に説明の投影露光系の光学投影系の実施形態を通した子午断面図である。 光学投影系の更に別の実施形態と共に投影露光系内の投影露光系の照明系によって補足されるビーム経路を略示する図である。
マイクロリソグラフィのための投影露光装置1は、照明光のための光源2を有する。光源2は、5nmと30nmの間の波長範囲の光を生成するEUV光源である。他のEUV波長も可能である。一般的に、投影露光系1内で誘導される照明光では、いかなる波長であっても、例えば、可視波長でも可能である。図1には、照明光3のビーム経路を非常に概略的に示している。
光学照明系6は、照明光3を物体平面5内の物体視野4へと誘導するために用いられる。物体視野4は、像平面9内の像視野8内に光学投影系7によって所定の縮小スケールで結像される。光学投影系7は、8倍の縮小を行う。
他の結像スケール、例えば、4×、5×、6×、又はそうでなければ8×よりも大きい結像スケールも可能である。EUV波長を有する照明光では、8×の結像スケールが特に適し、これは、それによって反射マスク上での物体側の入射角を小さく保つことができるからである。NA=0.5の光学投影系7の像側開口では、8×の結像スケールによって6°よりも小さい物体側の照明角度を得ることができる。像平面9は、光学投影系7内で物体平面5に対して平行に配置される。レチクルとも呼ぶ反射マスク10のうちで物体視野4と一致する区画が、像平面9内に結像される。レチクル10の反射効果に起因して、照明光3は、物体平面5上で反射される。結像は、基板ホルダ12によって保持されたウェーハの形態にある基板11の面上で発生する。図1は、レチクル10と光学投影系7の間で光学投影系7に入射する照明光3のビーム束13を略示し、光学投影系7と基板11の間で光学投影系7から射出する照明光3のビーム束14を略示している。図2に記載の光学投影系7の像視野側開口数NAは、0.50である。
投影露光系1の説明を容易にするために、図面内に直交xyz座標系を提供しており、この座標系から図に示す構成要素のそれぞれの位置関係が明らかになる。図1では、x方向は作図面に対して垂直にそれに対して延び、y方向は右に、z方向は下方に延びている。
投影露光系1は、スキャナ型のものである。レチクル10と基板11の両方が、投影露光系1の作動中にy方向に走査される。
図2は、光学投影系7の光学設計を示している。図2で上下に重なって位置し、y方向に互いに分離する5つの物体視野点から発する各場合に3つの個別ビーム15のビーム経路を示しており、これらの5つの物体視野点のうちの1つに属する3つの個別ビーム15は、各場合に5つの物体視野点における3つの異なる照明方向に関連付けられる。これらの3つの照明方向を5つの物体視野点の各の上側コマビーム、下側コマビーム、及び主ビームによって示している。
物体平面5から発し、個別ビーム15は、最初に第1のミラーM1によって反射され、次に、以下にビーム経路の順序でミラーM2、M3、M4、M5、及びM6で表す更に別のミラーによって反射される。各場合に、ミラーM1からM6の反射面の形状を計算するのに必要な数学的母面を示している。実際の光学投影系7では、ミラーM1からM6の反射面は、個別ビーム15が入射する位置にしか存在しない。
上述のように、図2に説明の光学投影系7は、6つの反射ミラーを有する。これらのミラーは、例えば、EUVにおける波長に起因して必要に応じて照明光3の波長に対して高い反射性を有するコーティングを担持する。特に、ミラーM1からM6は、入射する照明光3に対する反射を最適化するために多反射コーティングを有する。反射は、特に、EUV照明光3が用いられる場合には、反射角が狭い程、言い換えれば、ミラーM1からM6の面上の個別ビーム15の入射角が垂直入射に近づく程良好になってゆく。光学投影系7は、全体として全ての個別ビーム15において小さい反射角を有する。
光学照明系6及び光学投影系7は、実質的に色消し特性を有するので、これらの光学系では、互いに大幅に異なる波長を有する放射線を誘導することができる。従って、例えば、これらの光学系内では、調節レーザを誘導すること又は自動焦点系が可能であり、これらの光学系の作動波長とは大幅に異なる波長が照明光に対して同時に作動される。この場合、調節レーザは、632.8nm、248nm、又は193nmで作動させることができ、それに対して5nmと30nmの間の範囲にある照明光が同時に作動される。
ミラーM3は、凸の基本形状を有し、言い換えれば、凸の最適面によって説明することができる。以下の説明では、この種のミラーを略式に凸で表し、凹の最適面によって説明することができるミラーを略式に凹で表している。凸ミラーM3は、光学投影系7において良好なペッツヴァル補正を保証する。
光学投影系7の全長、言い換えれば物体平面5と像平面9の間の間隔は、光学投影系7では1521mmである。
5つの物体視野点の特定の照明方向に属する個別ビーム15は、光学投影系7の瞳平面16内で組み合わされる。瞳平面16は、ミラーM3の後ろのビーム経路内でミラーM3に隣接して配置される。
ミラーM1からM4は、物体平面5を中間像平面17内に結像する。光学投影系7の中間像側の開口数は、約0.2である。ミラーM1からM4は、約3.2×の縮小結像スケールを有する光学投影系7の第1の部分結像光学系を形成する。その後のミラーM5及びM6は、約2.5×の縮小結像スケールを有する光学投影系7の更に別の部分結像光学系を形成する。ミラーM4とM5の間の照明光3のビーム経路内で、中間像平面7の上流に隣接してミラーM6内に貫通開口部18が形成され、そこを通じて照明又は結像光3が、第4のミラーM4からの反射後に第5のミラーM5へと進む。更に、第5のミラーM5は、中心貫通開口部19を有し、そこを通じてビーム束14が、第6のミラーM6と像平面9との間を進む。
第5のミラーM5と第6のミラーM6の間のビーム経路内には、第1の瞳平面16と光学的に共役な光学投影系7の更に別の瞳平面20が存在する。更に別の瞳平面20の位置には、外側から物理的に接近可能な絞り平面が存在する。この絞り平面には、開口絞りを配置することができる。
光学投影系7は、瞳平面16、20の一方に中心位置方式で配置された掩蔽絞り又は遮光器を有する。その結果、ミラーM6、M5内の中心貫通開口部18、19に関連する投影ビーム経路の部分ビームが掩蔽される。従って、光学投影系7の設計は、中心瞳掩蔽を有する設計とも呼ばれる。
中心物体視野点を光学投影系7の入射瞳内の中心照明点と接続する特定の個別ビーム15は、中心視野点の主ビームとも呼ばれる。中心視野点の主ビームは、第6のミラーM6における反射から像平面9とほぼ直角を構成し、言い換えれば、投影露光系1のz軸に対してほぼ平行に進む。この角度は、85°よりも大きい。
像視野8は、リング視野セグメントの形状を有し、言い換えれば、互いに対して平行に延びる2つの部分円、及び軸外に対して同じく平行に延びる2つの側縁部によって境界が定められる。これらの側縁部は、y方向に延びている。x方向に対して平行に、像視野8は、13mmの広がりを有する。y方向に対して平行に、像視野8は、1mmの広がりを有する。貫通開口部19の半径Rは、口径食のない誘導に必要な以下の関係を満たす。
Figure 2012502490
ここで、Dは、像視野8の対角距離である。dwは、像平面9からのミラーM5の自由作動間隔である。この自由作動間隔は、像平面9と、光学投影系7の最近接ミラー、言い換えれば図2に記載の実施形態ではミラーM5の使用反射面のうちの像平面9に最も近く位置する区画との間の間隔であり、NAは、像側開口数である。光学投影系7における自由作動間隔dwは、39mmである。
第5のミラーM5は、像平面9内の物体視野5に最も近く隣接するミラーである。従って、第5のミラーM5を下記では隣接ミラーとも呼ぶ。隣接ミラーM5は、図2に破線で示している支持体21を有し、その上に隣接ミラーM5の反射面が形成される。支持体21は炭化珪素で作られる。この材料は、400GPaの弾性率(ヤング率)を有する。光学投影系7の他のミラーM1からM4及びM6は、Zerodur(登録商標)で作られる。この材料は、90GPaの弾性率を有する。
従って、隣接ミラーM5の支持体21の弾性率は、他のミラーM1からM4及びM6の支持体22における材料の弾性率の2倍よりも大きい。
支持体21は、35mmの最大厚を有し、従って、4mmの自由作動間隔が、ミラーM5の反射面から離れたミラーM5の後面と像平面の間に残る。光学投影系7内のミラーM5の使用反射面の最大直径は285mmである。従って、ミラーM5の支持体21のこの最大直径と厚みの間の比は、285/35=8.14である。下記でアスペクト比とも呼ぶこの種の他の比は、6と20の間で可能である。
隣接ミラーM5の支持体21は、少なくとも150GPaの弾性率有する異なる材料から作ることができる。この種の材料の例は、395GPaの弾性率を有する反応結合性シリコン浸透炭化珪素(SiSiC)、235GPaの弾性率を有する炭素繊維強化炭化珪素(CSiC)、及び294GPaの弾性率を有する窒化珪素(SiN)である。Zerodur(登録商標)は、対象とする室温範囲で50×10-9m/m/Kよりも小さい熱膨張係数を有する。ミラーM1からM4及びM6の支持体22は、最大で1×10-7m/m/Kの熱膨張係数を有する異なる材料から構成することができる。この種の材料の更に別の例は、対象とする室温範囲で同じく50×10-9m/m/Kよりも小さい熱膨張係数、及び69GPaの弾性率を有するULE(登録商標)である。
隣接ミラーM5の支持体21の材料の熱膨張係数は、光学投影系7の他のミラーの支持体22の熱膨張係数よりも有意に大きい。SiCは、例えば、対象とする室温範囲で2.6×10-6m/m/Kの熱膨張係数を有する。隣接ミラーM5の支持体21のための他の材料変形の熱膨張係数は、1×10-6m/m/Kと2.6×10-6m/m/Kの間の範囲で変化する。
隣接ミラーM5は、結像ビーム経路内で、光学投影系7の第3のミラーM3が位置する配列平面に光学的に共役な配列平面にある。この場合、結像ビーム経路内でその中途に位置するミラーM4は、ミラーM3及びM5の2つの配列平面を互いに近似的に結像させるように作用する。
第3のミラーM3は、変形可能ミラーとして設計される。変形可能ミラーの一実施形態では、第3のミラーM3の反射面はその後面で、反射面に対して垂直に作用し、信号線又は信号バス24によって制御デバイス25に接続した複数のアクチュエータ23に接続される。制御デバイス25によるアクチュエータ23の個別の作動によってミラーM3の反射面の形状を入力することができる。
ミラーM3は、隣接ミラーM5の位置に光学的に共役な位置に配置されるので、例えば、隣接ミラーM5の支持体21の熱膨張に起因してもたらされる隣接ミラーM5の反射面の変形を制御機構25によって入力される第3のミラーM3の反射面の反対方向の変形によって補償することができる。隣接ミラーM5の反射面の変形は、例えば、光学的に検出することができる。対応する検出法は公知である。次に、この変形検出の結果を個別アクチュエータ23に対する制御値を判断するために、制御デバイス25に対する入力信号として用いることができる。
このようにして、特に、一方で支持体21、他方で支持体22の材料の異なる熱膨張係数によってもたらされる熱ドリフトを第3のミラーM3の反射面の変形によって補償することができる。当然ながら第3のミラーM3の反射面のターゲットを定めた変形は、更に別の結像誤差を補正又は補償するのに、例えば、ペッツヴァル補正に対して用いることができる。
第3のミラーM3の反射面は、閉じた反射面として設計することができ、各場合にこの閉じた反射面の区画は、個別アクチュエータ23に機械的に接続される。代替的に、例えば、多ミラーアレイ又はファセットミラーとして、第3のミラーM3に、互いに別々に移動させることができる複数のミラー区画から構成される反射面を装備することも可能である。この場合、これらのミラー区画の各々は、これらのミラー区画独自のアクチュエータ23を用いて個別に傾斜又は変位させることができ、従って、ミラー区画の全体体によって形成される第3のミラーM3の反射面の変形が、それに伴ってもたらされる。高反射コーティングを有するミラーのミラー面の変形は、例えば、ミラー基板と高反射コーティングの間に配置することができる電子的に作動可能な圧電層の使用によっても可能である。
例えば、US 7,443,619に説明されているアクチュエータを第3のミラーM3を変形するか又は第3のミラーM3のミラー区画のうちの1つを変形するためのアクチュエータとして用いることができる。特に、ローレンツアクチュエータを用いることができる。第3のミラーM3の作動要素は、高帯域幅で作動させることができる。それによって隣接ミラーM5の振動又は揺動によってもたらされる変形結像作用は、変形可能ミラーM3を用いて補償することができる。この場合、変形可能ミラーM3の変形は、隣接ミラーM5の振動変形と同期化される。この同期は、ミラーM5の振動の対応するセンサ走査又はサンプリング、及びこれらのことから導出される変形可能ミラーM3に対する作動要素の作動によって達成することができる。
ミラーM1からM6の反射面は、公知の非球面式を用いて説明することができる回転対称非球面基本形状を有する。代替的に、ミラーM1からM6のうちの少なくとも個別の1つは、回転対称関数によって説明することができない自由曲面として設計することができる。マイクロリソグラフィのための投影露光系の光学投影系のミラーの反射面のためのこの種の自由曲面は、US 2007/0058269 A1及びUS 2008/0170310 A1から公知である。
隣接ミラーM5の支持体21は、CVD(化学気相蒸着)法を用いて生成することができる。この場合、グラファイトで作られる形成体上に炭化珪素が気相から堆積される。この場合の形成体は、望ましい反射面に対応する形状を有する。形成体からの支持体21の分離の後に、支持体21の反射面の製作性及び反射率を改善するために、支持体21の別のコーティングを実施することができる。
他のミラーのうちの1つのものよりも少なくとも2倍大きい弾性率を有する材料で作られる構成の変形として、隣接ミラーM5は、Zerodur(登録商標)又はULE(超低膨張)ガラスで構成することができる。この場合、例えば、ケイ酸チタンガラスを用いることができる。隣接ミラーM5の変形及び結像光学系7の結像特性に対するその効果は、変形可能な第3のミラーM3を用いて補償することができる。
図3は、投影露光系1の更に別の実施形態を略示している。図1及び図2を参照して上述したものに対応する構成要素は同じ参照番号を有し、再度詳細には解説しない。
光源2の下流には、光源2の有利な発光を集光するためのコレクタ26が配置される。更に、コレクタ26の下流には、かすめ入射で作動されるスペクトルフィルタ27が配置される。スペクトルフィルタ27の下流には視野ファセットミラー28が配置される。視野ファセットミラー28の下流には瞳ファセットミラー29が配置される。光学照明系6の構成要素としてのこの種のファセットミラー28、29の概念は、基本的に例えばUS 7,186,983 B2から公知である。
投影露光系1における光学投影系7に対する変形として用いることができる光学投影系31の入射瞳平面30の領域内には、瞳ファセットミラー29が配置される。照明光3は、瞳ファセットミラー29によって反射レチクル10へと直接に誘導される。瞳ファセットミラー29とレチクル10の間には、照明光3に影響を与えるか、又は偏向するいかなる更に別の構成要素も、例えば、かすめ入射を有するミラーも存在しない。
下記では、光学投影系31に対して、図1及び図2に記載の光学投影系7とは定性的に異なる箇所のみ説明する。
光学投影系31では、物体平面5の後の第1の瞳平面16は、第2のミラーM2と第3のミラーM3の間に位置する。この点には、照明光ビーム束を制限するために、例えば、開口絞りを配置することができる。
瞳ファセットミラー29及び光学投影系31の第2のミラーM2は、接続軸32上に配置される。この接続軸は、物体平面5に最も近く隣接するミラーの幾何学的中心点を通過し、物体平面5に対して垂直な軸として定められる。図3に記載の実施形態では、ミラーM2が、物体平面5に最も近く隣接するミラーである。従って、第2のミラーM2は、光学投影系31の接続軸32に沿って物体視野4に最も近く隣接するミラーである。第2のミラーM2は、接続軸32に沿って、物体平面5からの入射瞳平面30の間隔Bよりも大きい物体平面5からの間隔Aの位置に配置される。間隔Aは704mmである。間隔Bは472mmである。瞳ファセットミラー29と光学投影系31の第2のミラーM2とは背中合わせに配置される。従って、光学投影系31は、瞳ファセットミラー29を接続ミラー32上に収めるための構成空間を与える。この場合、瞳ファセットミラー29は、瞳ファセットミラー29からの照明光3が、反射レチクル10へと直接反射されるように配置することができる。
接続軸32は、像平面9に対しても垂直である。また、接続軸32は、像平面8に最も近く隣接するミラーM5の幾何学的中心点も通過する。接続軸32と入射瞳平面30との交点Cは、照明及び結像光3のビーム経路内で、中心物体視野点の主ビーム33と接続軸32との第1の交点Dよりも物体平面5の近くに位置する。レチクル10の反射作用に起因して、入射瞳平面は、物体平面5の上流のビーム経路に配置されることにも関わらず、物体平面5と像平面9の間に位置する。物体平面5からの交点Cの間隔が、物体平面5からの交点Dの間隔よりも短いことに起因して、照明光3の照明ビーム経路が光学投影系31の構成要素によって遮蔽されることなく、かつ照明光3の結像ビーム経路が瞳ファセットミラー29によって遮蔽されることなく、瞳ファセットミラー29を光学投影系31の構成空間内に移動する可能性がもたらされる。
光学投影系7とは対照的に、光学投影系31では、物体平面5からのミラーM3の間隔は、物体平面5からのミラーM1の間隔よりも短い。
光学投影系31は、0.4という像側開口数NAを有する。物体視野4は、光学投影系31において、y方向に2mmの広がりを有し、x方向に26mmの広がりを有する。光学投影系31の縮小結像スケールは4×である。
光学投影系31の光学データを2つの表を用いて「Code V(登録商標)」フォーマットで以下に再現する。
最初の表は、「半径」列内に、各場合にミラーM1からM6の曲率半径を示している。第3の列(厚み)は、物体平面5から進めて、各場合にz方向に次の面からの間隔を説明している。
第2の表は、ミラーM1からM6の反射面の正確な面形状を説明しており、定数K及びAからGは、矢状高さzに関する下式の中に挿入される。
Figure 2012502490
ここで、hは、光学投影系31の光軸からの間隔である。従って、h2=x2=y2が適用される。cに対しては、「半径」の逆数値が用いられる。
(表)
Figure 2012502490
光学投影系31の全長、言い換えれば、物体平面5と像平面9の間の間隔は、光学投影系31では2423mmである。光学投影系31では、像平面9からのミラーM5の自由作動間隔dwは30mmである。支持体21は、ミラーM5の反射面から離れたミラー5の後面と像平面9の間に4mmの自由作動間隔が残るように26mmの最大厚を有する。光学投影系31では、ミラーM5の使用反射面の最大直径は300mmである。従って、この最大直径とミラーM5の支持体21の厚みの間の比は、300/26=11.5である。
微細構造構成要素又はナノ構造構成要素、特に、マイクロ電子回路のための半導体構成要素、例えば、マイクロチップを製造する手順は以下の通りである。最初にレチクル10及びウェーハ11が準備される。次に、レチクル10上に存在する構造が、投影露光系1を用いてウェーハ11の感光層上に投影される。その後、感光層を現像することにより、微細構造又はナノ構造がウェーハ11上に製造される。
図2に記載のもののような光学投影系7の対応する設計は、投影露光以外の用途において、例えば、顕微鏡レンズ系として用いることができる。この場合、物体視野4と像視野8は、その役割を入れ替える。ミラーM5、言い換えれば、隣接ミラーは、顕微鏡レンズ系としての光学投影系7の応用の場合には物体視野8に最も近く隣接する。
4 物体視野
5 物体平面
21 支持体
30 入射瞳平面
31 結像光学系
32 接続軸

Claims (17)

  1. 物体平面(5)の物体視野(4)を像平面(9)の像視野(8)内に結像する複数のミラー(M1からM6)を有する結像光学系(31)であって、
    物体平面(5)に対して垂直であり、かつ空間的に物体視野(4)に最も近く隣接するミラー(M2)の幾何学的中心点を通じて延びる接続軸(32)上で、該物体視野(4)に最も近く隣接する該ミラー(M2)が、結像光学系(31)の入射瞳平面(30)の間隔(B)よりも大きい該物体視野(4)からの間隔(A)で配置され、該瞳平面(30)は、該物体視野(4)から該物体視野(4)の上流の結像光(3)のビーム経路に位置する、
    ことを特徴とする結像光学系(31)。
  2. 物体平面(5)の物体視野(4)を像平面(9)の像視野(8)内に結像する複数のミラー(M1からM6)を有する結像光学系(31)であって、
    物体平面(5)上で反射された結像光(3)のビーム経路内で物体視野(4)の上流に位置する入射瞳平面(30)を有し、
    前記物体平面(5)に対して垂直であり、かつ入射瞳の幾何学的中心点を通じて延びる接続軸(32)を有し、
    前記接続軸(32)と前記入射瞳平面(30)の交点(C)が、前記物体視野(4)の下流の前記結像光(3)の前記ビーム経路における中心物体視野点の主ビーム(33)と該接続軸(32)との第1の交点(D)よりも前記物体平面(5)に近く、
    ミラー(M5,M6)の少なくとも一方が、結像光(3)が通過するための貫通開口部(18,19)を有する、
    ことを特徴とする結像光学系(31)。
  3. 物体平面(5)の物体視野(4)を像平面(9)の像視野(8)内に結像する複数のミラー(M1からM6)を有する結像光学系(7;31)であって、
    2つの視野(4,8)の一方に最も近く隣接して隣接ミラーと呼ばれる第1のミラー(M5)から離間し、結像光学系(7;31)内で該隣接ミラー(M5)の配列平面と光学的に共役な平面に配置された変形可能な更に別のミラー(M3)を有する、
    ことを特徴とする結像光学系(7;31)。
  4. 物体平面(5)の物体視野(4)を像平面(9)の像視野(8)内に結像する複数のミラー(M1からM6)を有する結像光学系(7;31)であって、
    2つの視野(4,8)の一方に最も近く隣接する隣接ミラーのミラー(M5)の支持体(21)が、他のミラー(M1からM4,M6)のうちの少なくとも1つの支持体(22)の材料の弾性率の少なくとも2倍大きい弾性率を有する材料で作られる、
    ことを特徴とする結像光学系(7;31)。
  5. 前記隣接ミラー(M5)は、少なくとも150GPaの弾性率を有する材料から作られることを特徴とする請求項4に記載の結像光学系。
  6. 前記隣接ミラー(M5)は、炭化珪素で作られることを特徴とする請求項5に記載の結像光学系。
  7. 前記隣接ミラー(M5)から離間し、かつ変形可能ミラー(M3)を有することを特徴とする請求項4から請求項6のいずれか1項に記載の結像光学系。
  8. 前記変形可能ミラー(M3)は、結像光学系(7)内で前記隣接ミラー(M5)の前記配列平面に光学的に共役な平面に配置されることを特徴とする請求項7に記載の結像光学系。
  9. 結像光学系(7;31)が前記隣接ミラー(M5)に加えて有する前記ミラー(M1からM4,M6)は、最大で1×10-7m/m/Kである熱膨張係数を有する材料から構成されることを特徴とする請求項4から請求項8のいずれか1項に記載の結像光学系。
  10. 厳密に6つのミラー(M1からM6)を特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の結像光学系。
  11. 前記ミラー(M1からM6)の反射面の少なくとも1つが、回転対称非球面によって説明することができる面として構成されることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の結像光学系。
  12. 前記ミラー(M1からM6)の反射面の少なくとも1つが、回転対称関数によって説明することができない自由曲面として構成されることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の結像光学系。
  13. 前記ミラー(M5,M6)の少なくとも1つが、結像光(3)が通過するための貫通開口部(18,19)を有することを特徴とする請求項1又は請求項3から請求項12のいずれか1項に記載の結像光学系。
  14. マイクロリソグラフィのための投影露光系であって、
    請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の結像光学系(7;31)を有し、
    照明及び結像光(3)のための光源(2)を有し、
    前記照明光(2)を前記結像光学系(7;31)の物体視野(4)へ誘導するための光学照明系(6)を有する、
    ことを特徴とする投影露光系。
  15. 前記光学照明系(6)の瞳ファセットミラー(29)が、前記結像光学系(31)の入射瞳平面(30)に配置されることを特徴とする請求項14に記載の投影露光系。
  16. 微細構造構成要素を生成する方法であって、
    レチクル(10)及びウェーハ(11)を準備する段階と、
    請求項14又は請求項15に記載の投影露光系を用いて、前記レチクル(10)上の構造を前記ウェーハ(11)の感光層上に投影する段階と、
    前記ウェーハ(11)上に微細構造を生成する段階と、
    を有することを特徴とする方法。
  17. 請求項16に記載の方法に従って生成された微細構造構成要素。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013540350A (ja) * 2010-09-29 2013-10-31 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影露光系のためのミラー、光学系、及び構成要素を生成する方法
JP2014225498A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク
JP2015532980A (ja) * 2012-09-21 2015-11-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ方法及び装置
KR20160064222A (ko) * 2013-10-02 2016-06-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피용 투영 노광 방법 및 투영 노광 장치
JP2017526010A (ja) * 2014-08-21 2017-09-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラーモジュール
CN108292099A (zh) * 2015-12-03 2018-07-17 卡尔蔡司Smt有限责任公司 具有主动可调整的度量支撑单元的光学成像布置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008046699B4 (de) 2008-09-10 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102009045163B4 (de) 2009-09-30 2017-04-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
WO2011131289A1 (en) * 2010-04-22 2011-10-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optics, and a projection exposure apparatus for microlithography having such an imaging optics
KR102002269B1 (ko) 2010-07-30 2019-07-19 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 Euv 노광 장치
DE102011080649A1 (de) * 2010-09-24 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102011006468B4 (de) 2011-03-31 2014-08-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Vermessung eines abbildenden optischen Systems durch Überlagerung von Mustern
KR102330570B1 (ko) 2012-02-06 2021-11-25 가부시키가이샤 니콘 반사 결상 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR20130092843A (ko) * 2012-02-13 2013-08-21 삼성전자주식회사 빛의 인텐시티를 컨트롤할 수 있는 컨트롤 모듈 미러를 갖는 반사형 포토리소그래피 설비
DE102012212757A1 (de) * 2012-07-20 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum betreiben einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
US9746654B2 (en) * 2013-05-08 2017-08-29 Ohio State Innovation Foundation Optical delay elements created from variations of the robert cell
US8755114B1 (en) 2013-06-14 2014-06-17 Computer Power Supply, Inc. Apparatus for aiding manual, mechanical alignment of optical equipment
DE102014221175A1 (de) * 2014-10-17 2016-04-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Projektionsbelichtungssystem
DE102014223452A1 (de) * 2014-11-18 2016-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Teilsystem für die Projektionslithographie sowie Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102014224822A1 (de) 2014-12-04 2016-06-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für eine lithographieanlage, projektionssystem für eine lithographieanlage und lithographieanlage
NL2016248A (en) * 2015-03-23 2016-09-30 Asml Netherlands Bv Radiation Beam Expander.
JP6722195B2 (ja) * 2015-03-27 2020-07-15 ディーアールエス ネットワーク アンド イメージング システムズ、リミテッド ライアビリティー カンパニー 広視野を有する反射望遠鏡
DE102015221983A1 (de) * 2015-11-09 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102016108226A1 (de) * 2016-05-03 2017-11-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Mikroskop
NL2020103A (en) * 2017-01-17 2018-07-23 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Method
JP2021504150A (ja) * 2017-11-22 2021-02-15 アルテック アンゲヴァンテ レーザーリヒト テヒノロギー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング レーザーマーキングシステム
JP7234498B2 (ja) * 2018-03-19 2023-03-08 株式会社リコー 投射光学系ユニット及び投射光学装置
CN110095858B (zh) * 2018-12-12 2021-06-08 中国科学院紫金山天文台 自适应光学变形镜弹性模态像差表征方法
DE102019203423A1 (de) * 2019-03-13 2020-01-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
US20230324663A1 (en) * 2020-08-31 2023-10-12 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona All-reflective microscopy
CN113938661B (zh) * 2021-09-29 2024-05-07 漳州万利达科技有限公司 一种投影仪侧投校正方法、终端设备及存储介质

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100694A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法
JP2000235144A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss マイクロリソグラフィー縮小用対物レンズおよび投影露光装置
JP2002116382A (ja) * 2000-10-05 2002-04-19 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2003045782A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Canon Inc 反射型縮小投影光学系及びそれを用いた露光装置
JP2003233005A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2005072513A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 Nikon Corp 露光装置および露光方法
JP2005321565A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Canon Inc 光学素子の製造方法
JP2006253486A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2008153396A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Nikon Corp 照度均一化装置、露光装置、露光方法および半導体デバイスの製造方法
WO2009022506A1 (ja) * 2007-08-10 2009-02-19 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2009177184A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Nikon Corp 露光装置とその製造方法及び支持方法
JP2010510666A (ja) * 2006-11-21 2010-04-02 インテル・コーポレーション フォトリソグラフィ・スキャナ・フィールド投影装置用の反射光学システム

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0855789A (ja) * 1994-06-09 1996-02-27 Nikon Corp 投影光学装置
US6021004A (en) * 1995-02-28 2000-02-01 Canon Kabushiki Kaisha Reflecting type of zoom lens
US7186983B2 (en) 1998-05-05 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
JP2001307366A (ja) * 1999-08-02 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ピックアップ装置
EP1093021A3 (en) 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
US6600608B1 (en) * 1999-11-05 2003-07-29 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective comprising two intermediate images
US6766026B2 (en) * 2000-12-15 2004-07-20 Thomson Licensing, S.A. Dynamic allocation of power supplied by a power supply and frequency agile spectral filtering of signals
TW594847B (en) * 2001-07-27 2004-06-21 Canon Kk Illumination system, projection exposure apparatus and method for manufacturing a device provided with a pattern to be exposed
DE10139177A1 (de) * 2001-08-16 2003-02-27 Zeiss Carl Objektiv mit Pupillenobskuration
JP4298336B2 (ja) * 2002-04-26 2009-07-15 キヤノン株式会社 露光装置、光源装置及びデバイス製造方法
US6803994B2 (en) * 2002-06-21 2004-10-12 Nikon Corporation Wavefront aberration correction system
JP4068496B2 (ja) * 2003-04-14 2008-03-26 Nec東芝スペースシステム株式会社 鏡面母材及びそれを用いた鏡体及び、鏡体を用いた光学装置
EP1664933A1 (de) 2003-09-27 2006-06-07 Carl Zeiss SMT AG Euv-projektionsobjektiv mit spiegeln aus materialien mit unterschiedlichem vorzeichen der steigung der temperaturabhängigkeit des wärmeausdehnungskoeffizienten nahe der nulldurchgangstemperatur
US20080151364A1 (en) * 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
US6970286B1 (en) * 2004-06-23 2005-11-29 Corning Incorporated Multiple field of view reflective telescope
WO2006037651A1 (en) * 2004-10-08 2006-04-13 Carl Zeiss Smt Ag Optical projection system
CN100582861C (zh) * 2004-12-23 2010-01-20 卡尔蔡司Smt股份公司 具有暗化光瞳的大孔径物镜
WO2006069725A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges objektiv mit obskurierter pupille
CN103076723A (zh) 2005-09-13 2013-05-01 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投影光学系统
US7397039B2 (en) * 2005-09-30 2008-07-08 Applied Materials, Inc. Real-time compensation of mechanical position error in pattern generation or imaging applications
JP2007103657A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Canon Inc 光学素子保持装置、露光装置およびデバイス製造方法
US7740634B2 (en) 2006-03-20 2010-06-22 Depuy Products, Inc. Method of bone plate shaping
DE102006014380A1 (de) 2006-03-27 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille
CN100573229C (zh) * 2006-07-17 2009-12-23 中国科学院光电技术研究所 基于共轭成像的组合式波前校正器
DE102006039760A1 (de) * 2006-08-24 2008-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem mit einem Detektor zur Aufnahme einer Lichtintensität
DE102006047387A1 (de) * 2006-10-06 2008-04-10 Carl Zeiss Smt Ag Kompaktes 3-Spiegel-Objektiv
EP1950594A1 (de) 2007-01-17 2008-07-30 Carl Zeiss SMT AG Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik
US20090040493A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Hideki Komatsuda Illumination optical system, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN100565275C (zh) * 2007-08-23 2009-12-02 蔡然 一种天基半导体列阵技术
DE102009034166A1 (de) * 2008-08-11 2010-02-18 Carl Zeiss Smt Ag Kontaminationsarme optische Anordnung
US20100033704A1 (en) * 2008-08-11 2010-02-11 Masayuki Shiraishi Deformable mirror, mirror apparatus, and exposure apparatus
DE102008046699B4 (de) 2008-09-10 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000100694A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法
JP2000235144A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss マイクロリソグラフィー縮小用対物レンズおよび投影露光装置
JP2002116382A (ja) * 2000-10-05 2002-04-19 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2003045782A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Canon Inc 反射型縮小投影光学系及びそれを用いた露光装置
JP2003233005A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2005072513A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 Nikon Corp 露光装置および露光方法
JP2005321565A (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Canon Inc 光学素子の製造方法
JP2006253486A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Nikon Corp 照明装置、投影露光方法、投影露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
JP2010510666A (ja) * 2006-11-21 2010-04-02 インテル・コーポレーション フォトリソグラフィ・スキャナ・フィールド投影装置用の反射光学システム
JP2008153396A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Nikon Corp 照度均一化装置、露光装置、露光方法および半導体デバイスの製造方法
WO2009022506A1 (ja) * 2007-08-10 2009-02-19 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2009177184A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Nikon Corp 露光装置とその製造方法及び支持方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013540350A (ja) * 2010-09-29 2013-10-31 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Euv投影露光系のためのミラー、光学系、及び構成要素を生成する方法
US10274649B2 (en) 2010-09-29 2019-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror and related EUV systems and methods
JP2015532980A (ja) * 2012-09-21 2015-11-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ方法及び装置
US9958787B2 (en) 2012-09-21 2018-05-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and apparatus
JP2014225498A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク
KR20160064222A (ko) * 2013-10-02 2016-06-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피용 투영 노광 방법 및 투영 노광 장치
JP2016534381A (ja) * 2013-10-02 2016-11-04 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置
KR102268034B1 (ko) * 2013-10-02 2021-06-23 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피용 투영 노광 방법 및 투영 노광 장치
JP2017526010A (ja) * 2014-08-21 2017-09-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラーモジュール
CN108292099A (zh) * 2015-12-03 2018-07-17 卡尔蔡司Smt有限责任公司 具有主动可调整的度量支撑单元的光学成像布置
JP2019505828A (ja) * 2015-12-03 2019-02-28 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 能動的に調整可能なメトロロジー支持ユニットを備える光学結像装置
US10890850B2 (en) 2015-12-03 2021-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging arrangement with actively adjustable metrology support units

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