KR101444517B1 - 이미징 광학 시스템 및 이러한 타입의 이미징 광학 시스템을 구비한 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 - Google Patents

이미징 광학 시스템 및 이러한 타입의 이미징 광학 시스템을 구비한 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 Download PDF

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Abstract

이미징 광학 시스템(7)은, 오브젝트 평면(5)의 오브젝트 필드(4)를 이미지 평면(9)의 이미지 필드(8)에 이미징하는 다수의 미러(M1 내지 M6)를 갖는다. 이미징 광학 시스템(7)은 동공 엄폐(pupil obscuration)를 갖는다. 오브젝트 필드(4)와 이미지 필드(8) 사이의 이미징 광(3)의 빔 경로에서 마지막 미러(M6)는 이미징 광(3)을 통과시키는 관통-구멍(18)을 갖는다. 오브젝트 필드(4)와 이미지 필드(8) 사이의 이미징 광(3)의 빔 경로에서의 이미징 광학 시스템(7)의 페널티메이트(penultimate) 미러(M5)는 이미징 광(3)을 통과시키는 관통-구멍을 갖지 않는다. 결과적으로, 작은 이미징 에러의 조작 가능한 조합, 관리 가능한 제조 및 이미징 광의 우수한 처리율을 달성케 하는 이미징 광학 시스템을 얻는다.

Description

이미징 광학 시스템 및 이러한 타입의 이미징 광학 시스템을 구비한 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치{IMAGING OPTICAL SYSTEM AND PROJECTION EXPOSURE INSTALLATION FOR MICROLITHOGRAPHY WITH AN IMAGING OPTICAL SYSTEM OF THIS TYPE}
본 발명은, 오브젝트 평면의 오브젝트 필드를 이미지 평면의 이미지 필드에 이미징하는 다수의 미러를 구비한 이미징 광학 시스템에 관한 것이다. 더 나아가, 본 발명은, 이러한 타입의 이미징 광학 시스템을 구비한 투영 노광 장치, 이러한 타입의 투영 노광 시스템으로 마이크로 구조나 나노 구조의 소자를 제조하는 방법, 및 이러한 방법에 의해 제조한 마이크로 구조나 나노 구조의 소자에 관한 것이다.
기술분야에서 언급한 타입의 이미징 광학 시스템은 US2006/0232867A1 및 US2008/0170310A1으로부터 알려져 있다.
본 발명의 목적은 기술분야에서 언급한 타입의 이미징 광학 시스템을 개발하여, 작은 이미징 에러의 조작 가능한 조합, 관리 가능한 제조 및 우수한 이미징 광 처리율을 달성하는 것이다.
이러한 목적은, 청구항 1에 개시한 특성을 구비한 이미징 광학 시스템에 의한 제 1 구성에 따른 본 발명에 의해 달성된다.
본 발명에 따르면, 이미징 품질의 상대적으로 큰 손실이 없이도, 동공-엄폐 시스템에서, 즉 동공 엄폐(pupil obscuration)를 구비한 이미징 광학 시스템에서, 연속 반사면으로, 즉 페널티메이트 미러의 광 사용 영역 내에서 관통-개구가 없이 페널티메이트(penultimate) 미러를 구성할 수 있을 것이라는 점을 인지하게 된다. 이것은, 동공 엄폐의 크기를 최소화하는 동시에, 충분한 미러 두께의 이러한 페널티메이트 미러의 제조를 용이하게 하며, 또한 이미지 평면에 면하는 페널티메이트 미러 측과 이미지 평면 사이에 충분히 큰 간격을 허용한다. 이러한 페널티메이트 미러가, 다른 미러와 비교하여 얇은 미러 캐리어 및/또는 미러 바디 상에 배치되는 경우에, 이러한 제조의 용이성은 특히 중요하다.
앞서 언급한 목적은, 청구항 2에 개시한 특성을 구비한 이미징 광학 시스템에 의한 제 2 구성에 따른 본 발명에 의해 달성된다.
동공 엄폐의 수치는, 이미징 광학 시스템의 출사 동공의 전 면적에 대한 동공 엄폐로 인해 차단된 출사 동공 내의 면적의 비에 의해 구해진다. 5%미만인 동공 엄폐가 매우 높은 광 처리율을 갖는 동공 엄폐 이미징 광학 시스템을 가능케 한다. 더 나아가, 본 발명에 따른 작은 엄폐로 인해 이미징 광학 시스템의 이미징 품질, 특히 이미징 콘트래스트에 작은 또는 무시할 만한 영향을 미치게 될 것이다. 동공 엄폐는 10% 미만일 수 도 있다. 동공 엄폐는, 예컨대 4.4% 또는 4.0%일 수 있다. 동공 엄폐는 4%미만일 수 있고, 3%미만일 수 있고, 2%미만일 수 있으며, 심지어 1%미만일 수 있다. 이미징 광학 시스템의 동공 엄폐는 미러 중 하나에 의해, 예컨대 그 관통-개구에 의해서나, 그 외부 가장자리에 의해서나, 오브젝트 필드와 이미지 필드 사이의 이미징 광 빔 경로에 배치되는 엄폐 조리개, 즉 다이아프램(diaphragm)에 의해 미리 결정될 수 있다.
전술한 두 구성 중 하나에 따른 이미징 광학 시스템의 미러 중 적어도 하나는, 회전 대칭 함수에 의해 기술될 수 없는 프리-폼(free-form) 면으로 설계된 반사면을 가질 수 있다.
청구항 3에 따른 페널티메이트 미러의 작동 간격(working spacing)이 그 제조를 추가로 용이하게 한다. 이러한 작동 간격은 적어도 22mm, 적어도 40mm, 적어도 60mm, 적어도 80mm 그리고 심지어 86mm일 수 있다. 훨씬 더 큰 작동 간격 값도 가능하다. 작동 간격은, 이미지 평면과, 최근접 미러, 즉 투영 광학 시스템의 페널티메이트 미러의 사용된 반사면의 이미지 평면에 대한 최근접 부분 사이의 간격으로 정의한다. 이미지 평면은, 이미지 광학 시스템의, 페널티메이트 미러에 인접한 필드 평면이다.
청구항 4에 따른 최대 입사각이 이 미러 상의 고반사 코팅의 구성을 용이하게 한다. 이것은, 작은 파장, 예컨대 DUV(Deep Ultraviolet), VUV(Vacuum Ultraviolet), 또는 EUV(Extreme Ultraviolet) 파장의 이미징 광이 사용되는 경우에, 특히 유리하다. 그에 따라 입사각의 작은 허용 대역 폭 및 대응하여 높은 반사도(reflection)의 다층 코팅이 특히 사용될 수 있다. 빔 경로에서 페널티메이트 미러 상의 이미징 광의 최대 입사각은 이미징 광학 시스템의 자오단면(meridional section)에서 34.5°, 30°, 25°, 20°, 16.9°또는 15.9°일 수 있다.
청구항 5에 따른 페널티메이트 미러의 배치로 인해, 마지막에서 3번째 미러와 페널티메이트 미러 사이에서, 이미징 빔 경로 구역 전방의 이미징 빔 경로의 미러들 및 이러한 페널티메이트 미러를 유지하는 홀더가 상대적으로 콤팩트하게 설계될 수 있다는 가능성에 이르게 된다.
이에 대한 대안으로서, 청구항 6에 따른 페널티메이트 미러의 배치가 가능하다.
청구항 7에 따라 마지막에서 3번째 미러와 마지막에서 6번째 미러가 등을 지고(back to back) 배치되어, 장치 공간을 우수하게 활용한 콤팩트한 구조의 이미징 광학 시스템을 얻게 된다.
기본적으로, 등을 진 미러 배치 대신, 그 후 교체되는 이 미러 배치의 미러 면들에 대응하는, 모놀리식 베이스 바디(monolithic base body)의 양측 상에 반사면이 구비되는 배치도 가능하다.
청구항 8에 따른 적어도 하나의 중간 이미지로 인해 오브젝트 필드와 이미지 필드 사이의 이미징 광의 빔 경로의 이미징 빔 경로 구역을 이미징 광학 시스템의 추가 소자를 인접하여 거치도록 안내할 가능성을 야기한다. 중간 이미지는, 특히 마지막 미러의 관통-개구 영역에 배치될 수 있으며, 이로 인해 작은 동공 엄폐가 가능하게 된다. 이미징 광학 시스템은 또한 하나 이상의 중간 이미지를 가질 수 있고, 특히 오브젝트 필드와 이미지 필드 사이의 이미징 광의 빔 경로에서 두 개의 중간 이미지를 가질 수 있다. 다수의 중간 이미지가 이미징 에러를 정정하거나 관계된 미러 형태의 설계를 간략화하는데 또한 사용될 수 있다.
청구항 9에 따른 적어도 하나의 크로싱 또는 교차 영역으로 인해 콤팩트한 빔 안내를 허용한다. 이미징 광학 시스템은 또한 이미징 빔 경로 구역 사이에서 이러한 타입의 교차 영역을 하나 이상 가질 수 있고, 특히 둘, 셋 또는 네 개의 교차 영역을 가질 수 있다. 하나 또는 모든 교차 영역은 적어도 일부분에서 공간적으로 서로 겹칠 수 도 있다. 교차 영역은, 이미징 빔 경로 구역이 전적으로 교차하는 영역을 의미하는 것으로 이해된다. 미러에서의 반사 시에, 이미징 빔 경로 구역은 그러므로, 정의에 따라, 이러한 타입의 교차 영역에서 교차하지 않는다.
청구항 10에 따른 개구수는 이미징 광학 시스템의 고해상도를 허용한다. 개구수는 적어도 0.4일 수 있고, 또한 적어도 0.5일 수 있다.
청구항 11에 따른 직사각형 필드는 이미징 광학 시스템을 사용할 때 리소그래피 공정의 실행을 용이하게 한다. 이러한 타입의 직사각형 필드는 특히, 비-회전 대칭 프리-폼 면을 이미징 광학 시스템의 미러의 반사면으로서 사용함으로써, 달성될 수 도 있다. 미러 중 적어도 하나가 이러한 타입의 프리-폼 면으로 구성될 수 도 있다. 이미지 필드는 2mm x 26mm 또는 2.5mm x 26mm의 치수를 가질 수 있다.
청구항 12에 따라, 이미징 광학 시스템을 투영 광학 시스템으로 사용할 경우, 그 장점이 특히 두드러진다.
본 발명에 따른 이미징 광학 시스템은 정확히 여섯 개의 미러를 가질 수 있다.
본 발명에 따른 투영 노광 장치의 장점은, 본 발명에 따른 이미징 광학 시스템에 대해 앞서 언급했던 것에 대응한다. 투영 노광 장치의 광원은 설계시 광대역일 수 있고, 예컨대, 1nm보다 더 크고, 10nm보다 더 크거나 100nm보다 더 큰 대역폭을 가질 수 있다. 게다가, 투영 노광 장치는, 다른 파장의 광원으로 동작할 수 있도록 설계될 수 있다. 예컨대 파장, 365nm, 248nm, 193nm, 157nm, 126nm, 109nm 및 특히 예컨대 5nm와 30nm 사이와 같이 100nm 미만인 파장을 갖는 광원과 같이, 특히 마이크로리소그래피용으로 사용되는 다른 파장용 광원이 본 발명에 따른 이미징 광학 시스템과 함께 사용될 수 있다.
투영 노광 장치의 광원은 5nm와 30nm 사이의 파장을 갖는 조명 광을 생성하도록 구성될 수 있다. 이러한 타입의 광원은, 최소 반사도를 달성하기 위해, 작은 입사각 허용 대역폭만을 갖는, 미러 상의 반사 코팅을 필요로 한다. 본 발명에 따른 이미징 광학 시스템과 함께, 작은 입사각 허용 대역폭에 대한 이러한 요건을 달성할 수 있다.
대응하는 장점이 본 발명에 따른 제조 방법과 그에 따라 제조된 마이크로 구조나 나노 구조의 소자에 적용된다.
본 발명의 실시예는 도면을 이용하여 이후에 더 상세하게 기술될 것이다.
본 발명에 의하면, 기술분야에서 언급한 타입의 이미징 광학 시스템을 개발하여, 작은 이미징 에러, 관리 가능한 제조 및 우수한 이미징 광 처리율의 조작 가능한 조합을 달성할 수 있다.
도 1은 EUV 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는, 도 1에 따른 투영 노광 장치에서 투영 렌즈 시스템으로 사용할 수 있는 이미징 광학 시스템의 실시예를 자오단면으로 도시한 도면이며, 이미징 빔 경로가 주된 빔에 대해 (가상으로) 도시되어 있고, 다수의 선택된 필드 점의 상부 및 하부 코마 빔(coma beam)에 대해 도시되어 있다.
도 3 내지 도 21은 이미징 광학 시스템의 추가 실시예를 도 2와 유사한 도면으로 도시한 도면이다.
마이크로리소그래피용 투영 노광 장치(1)는 조명 광 또는 이미징 광(3)용 광원(2)을 갖는다. 광원(2)은, 예컨대 5nm와 30nm 사이, 특히 5nm와 15nm 사이의 파장 범위의 광을 생성하는 EUV 광원이다. 광원(2)은, 특히 13.5nm의 파장을 갖는 광원일 수 있거나, 6.9nm의 파장을 갖는 광원일 수 있다. 다른 EUV 파장도 가능하다. 일반적으로, 마이크로리소그래피에 사용될 수 있고 적절한 레이저 광원 및/또는 LED 광원에 이용 가능한 예컨대 가시 파장이나 기타 다른 파장(예컨대 365nm, 248nm, 193nm, 157nm, 129nm, 109nm)과 같은 임의의 파장도 투영 노광 장치(1)에서 안내된 조명 광(3)에 가능하다. 조명 광(3)의 빔 경로를 도 1에서 매우 개략적으로 도시한다.
조명 광학 시스템(6)은 조명 광(3)을 광원(2)으로부터 오브젝트 평면(5)의 오브젝트 필드(4)로 안내하는데 사용된다. 오브젝트 필드(4)는, 투영 광학 시스템이나 이미징 광학 시스템(7)을 사용하여 미리 결정된 축소 스케일로 이미지 평면(9)의 이미지 필드(8)에 이미징된다. 이미지 필드(8)는, x-방향에서, 26mm의 크기를 가지며, y-방향에서 2mm의 크기를 갖는다. 오브젝트 필드(4)와 이미지 필드(8)는 직사각형이다. 도 2 및 그 이후의 도면에 도시한 실시예 중 하나가 투영 광학 시스템(7)에 사용될 수 있다. 도 2에 따른 투영 광학 시스템(7)은 4의 인자만큼 축소한다. 예컨대 5x, 8x 또는 8x보다 더 큰 축소 스케일과 같이 다른 축소 스케일도 가능하다. 이미지 평면(9)은, 도 2 및 그 이후의 도면에 따른 실시예의 투영 광학 시스템(7)에서, 오브젝트 평면(5)에 평행하게 배치된다. 여기서 이미징되는 곳은, 레티클이라고도 불리는 반사 마스크(10)의, 오브젝트 필드(4)와 일치하는 부분이다.
이미징은 투영 광학 시스템(7)에 의해 웨이퍼 형태의 기판(11)의 표면상에서 일어나며, 기판(11)은 기판 홀더(12)에 의해 지지된다. 도 1은, 레티클(10)과 투영 광학 시스템(7) 사이에서, 거기를 지나가는 조명 광(3)의 빔 집중(13)을 개략적으로 도시하고, 투영 광학 시스템(7)과 기판(11) 사이에서, 투영 광학 시스템(7)을 떠난 조명 광(3)의 빔 집중(14)을 개략적으로 도시한다. 도 2에 따른 실시예에서 투영 광학 시스템(7)의 이미지 필드 측 상의 개구수(NA)는 0.50이다. 이것은 도 1의 축적으로 도시되어 있지 않다.
투영 광학 시스템(7)의 여러 실시예와 투영 노광 장치(1)의 설명을 용이하게 하기 위해, 데카르트 xyz-좌표계를 도면에 기재하고, 도면에는, 도면에 도시한 소자의 각 위치 참조번호가 나타나 있다. 도 1에서, x-방향은 도면의 평면에 수직으로 그리고 이 평면 내로 진행한다. y-방향은 오른쪽으로 연장하고, z-축은 아래쪽으로 연장한다.
투영 노광 장치(1)는 스캐너 타입을 갖는다. 레티클(10)과 기판(11)은 모두 y-방향에서 투영 노광 장치(1)의 동작 동안에 스캐닝된다. y-방향에서 기판(11)과 레티클(10)의 스텝와이즈(stepwise) 이동이 기판(11)의 개별 노광 사이에 일어나는 스테퍼 타입(stepper type)의 투영 노광 장치(1)가 가능하다.
도 2는 투영 광학 시스템(7)의 제 1 실시예의 광학 설계를 도시한다. 도 2는, 도 2의 y-방향으로 서로 이격되어 있는 다섯 개의 오브젝트 필드 점으로부터 출사되는 세 개의 각각의 개별 빔(15)의 빔 경로를 도시한다. 이들 다섯 개의 오브젝트 필드 점 중 하나에 속한 세 개의 개별 빔(15)은 각 경우에 두 개의 오브젝트 필드 점에 대해 세 개의 서로 다른 조명 방향과 관련된다. 투영 광학 시스템(7)의 동공 평면(17)에서 동공 중심을 통과하는 주된 빔(16)을 단지 시각적 이유로 도 2에 도시하며, 이는 이들이 실제적이기보다는, 투영 광학 시스템(7)의 중앙의 동공 엄폐로 인한 투영 광학 시스템(7)의 가상 이미징 빔 경로이기 때문이다. 이들 주된 빔(16)은 오브젝트 평면(5)으로부터 시작되어 먼저 발산하여 진행한다. 이것을 또한 이후의 투영 광학 시스템(7)의 입사 동공의 네거티브 백 초점거리라고 한다. 도 2에 따른 투영 광학 시스템(7)의 입사 동공은 투영 광학 시스템(7) 내에 위치하기보다는, 오브젝트 평면(5) 전방의 빔 경로에 있다. 이로 인해, 예컨대 이 동공 소자와 오브젝트 평면(5) 사이에 추가 이미징 광학 소자들을 제공해야할 필요가 없이도, 조명 광학 시스템(6)의 동공 소자를 투영 광학 시스템(7) 전방의 빔 경로에서 투영 광학 시스템(7)의 입사 동공에 배치할 수 있다.
도 2에 따른 투영 광학 시스템(7)은 총 여섯 개의 미러를 가지며, 이들 미러는 개별 빔(15)의 빔 경로에서 오브젝트 필드(4)로부터 시작하여 그 배치 순서에 따라 M1 내지 M6으로 연속해서 번호를 매긴다. 도 2는 미러(M1 내지 M6 또는 M5, M6)의 계산된 반사면을 도시한다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 이들 계산된 반사면의 작은 영역만이 사용된다. 반사면의 실제 사용된 이 영역만이 실제 미러(M1 내지 M6)에 실제로 나타낸다. 이들 유용한 반사면은 알려진 방식으로 미러 바디에 의해 지지된다.
투영 광학 시스템(7)의 여섯 개의 미러(M1 내지 M6) 모두는, 회전 대칭 함수 에 의해 기술할 수 없는 프리-폼 면으로 설계된다. 투영 광학 시스템(7)의 다른 실시예가 또한 가능하며, 여기서 미러(M1 내지 M6) 중 적어도 하나는 이러한 타입의 프리-폼 반사면을 갖는다.
이러한 타입의 프리-폼 면은 회전 대칭 기준면으로부터 또한 제조할 수 있다. 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치의 투영 광학 시스템의 미러의 반사면에 대한 이러한 타입의 프리-폼 면을 US2007-0058269A1으로부터 알 수 있다.
프리-폼 면은 다음의 수학식에 의해 개략적으로 기술할 수 있다:
Figure 112011066593263-pct00001
여기서 다음이 적용된다:
Figure 112011066593263-pct00002
Z는 점(x,y)에서 프리-폼 면의 상승 높이(rising height)(사지타(sagitta))이다(x2+y2=r2).
c는 상수이고, 대응하는 비구면의 정점 곡률(vertex curvature)에 대응한다. k는 대응하는 비구면의 원뿔 상수(conical constant)에 대응한다. Cj는 단항식(XmYn)의 계수이다. 통상, c, k 및 Cj의 값은 투영 광학 시스템(7) 내에서 미러의 원하는 광학 성질을 기초로 결정한다. 단항식의 차수(m+n)는 원하는 바에 따라 변할 수 있다. 더 높은 차수의 단항식으로 인해 투영 광학 시스템의 설계는 개선된 이미지 에러 정정이 이루어질 수 있지만, 계산하기는 더 복잡하다. m+n은 3과 20 이상의 값 사이의 값을 채택할 수 있다.
프리-폼 면은, 광학 설계 프로그램 CODE V®의 매뉴얼에 예컨대 기술되어 있는 제르니케(Zernike) 다항식에 의해 수학적으로 기술할 수 도 있다. 대안적으로, 프리-폼 면은 2-차원 스플라인 표면의 도움으로 기술할 수 있다. 이것의 예로 베지에(Bezier) 곡선이나 NURBS(Non-Uniform Rational Basis Splines)가 있다. 2-차원 스플라인 표면은 예컨대, xy-평면 및 관련 z-값에서 점들의 네트워크에 의해서나 이들 점 및 이들과 관련된 그레디언트에 의해 기술될 수 있다. 스플라인 표면의 각 타입에 따라, 완성된 표면은, 예컨대 그 연속성 및 차별성에 있어 특정한 속성을 갖는 다항식이나 함수를 사용하여 네트워크 점들 사이의 보간에 의해 얻는다. 이것의 예가 분석 함수이다.
미러(M1 내지 M6)는 충돌하는 EUV 조명 광(3)에 대한 그 반사도를 최적화하기 위해 복수의 반사 층을 갖는다. 미러 표면상의 개별 빔(15)의 충돌 각이 수직 입사에 더 가까울수록, 반사도는 더 최적화할 수 있다. 투영 광학 시스템(7)은 모든 개별 빔(15)에 대해 전체적으로 작은 반사각을 갖는다.
투영 광학 시스템(7)의 미러(M1 내지 M6)의 반사면의 광학 설계 데이터는 다음의 표로부터 추론할 수 있다. 이들 표 중 첫 번째 표는, 광학 소자의 광학 표면과 애퍼쳐 다이아프램의 경우에, 빔 경로에서 오브젝트 평면으로부터 시작하는 인접한 요소의 z-간격에 대응하는 간격 값(두께)과 정점 곡률(반경)의 각 역수 값을 기재한다. 두 번째 표는 미러(M1 내지 M6)에 대한 상술한 프리-폼 면 수학식에서 단항식(XmYn)의 계수(Cj)를 기재한다. Nradius는 이 경우 표준화 인자이다. 두 번째 표에 따르면, 그 양은 여전히 mm 단위로 기재되며, 그와 함께 미러 기준 설계로부터 시작해서 각 미러는 디센터되어지고(Y-디센터) 회전된다(X-회전). 이것은 프리-폼 면 설계 방법에서의 평행 이동 및 기울기에 대응한다. 이 이동은 여기서 y-방향에서 일어나고, 기울기는 x-축을 중심으로 한다. 회전 각은 여기서 각도 단위로 주어진다.
Figure 112011066593263-pct00003
Figure 112011066593263-pct00004
미러(M1, M2, M4 및 M6)는 오목 미러로 구성한다. 미러(M2)의 곡률반경은, 도 2에서 거의 평면 미러로 보일 정도로 크다. 미러(M3 및 M5)는 볼록 미러로 구성한다.
미러(M1 및 M6과 M3 및 M6)는 그 반사면 배향에 있어 등을 지고 배치된다.
미러(M1 내지 M5)의 광학적으로 사용된 영역은 이미징 광 통과를 위해 광학적으로 사용된 영역 내에서 관통-개구를 갖고 있지 않다, 즉 엄폐되어 있지 않다. 미러(M5), 다시 말해 오브젝트 필드(4)와 이미지 필드(8) 사이의 조명 광(3)의 빔 경로에서의 페널티메이트 미러는 이미징 광이나 조명 광(3)의 통과를 위해 관통-개구를 또한 갖고 있지 않다. 다시 말해, 미러(M5)는 중단없이 사용된 반사면을 갖고 있다.
미러(M4와 M5) 사이의 이미징 빔 경로에서, 개별 빔(15)은 미러(M6)에서 관통-개구(18)를 통과한다. 미러(M6)가 관통-개구(18) 주위에 사용된다. 미러(M6)는 그에 따라 엄폐된 미러이다.
동공 평면(17)은, 투영 광학 시스템(7)의 이미징 빔 경로에서, 미러(M2와 M3) 사이에 있다. 동공 평면(17)은 또한, 미러(M6)의 관통-개구(18)와 오브젝트 필드(4) 사이의 이미징 빔 경로에 있다. 투영 광학 시스템(7)의 동공의 중심부를 가리기 위한(central shading) 엄폐 조리개, 즉 다이아프램을 동공 평면(17)에 배치할 수 있다. 엄폐 다이아프램은 그에 따라, 관통-개구(18)로 인해 오브젝트 필드(4)의 이미징에 기여하지 못한, 동공 평면(17)에서의 이미징 광(3)의 중심 영역을 가린다.
투영 광학 시스템(7)의 중간 이미지 평면(19)은 미러(M4와 M5) 사이의 이미징 빔 경로에 위치한다. 관련 중간 이미지가 미러(M6)의 관통-개구(18) 인근에 위치한다. 그 결과로, 미러(M8)의 사용 반사면과 비교하여 이 관통-개구(18)를 작게 할 수 있다. 중심 동공 엄폐, 다시 말해 투영 광학 시스템(7)의 출사 동공 내의 동공 평면(17)의 엄폐 다이아프램이나 관통-개구(18)에 의해 차단된(blanked) 면적의 이 출사 동공의 전체 면에 대한 비는 투영 광학 시스템(7)에서 4.4%다.
미러(M5)의 사용 반사면의 이미지 평면에 최근접한 부분과 이미지 평면(9) 사이의 작동 간격(dW)은 22mm이다. 이 작동 간격(dw)의 투영 광학 시스템(7)의 전체 길이, 다시 말해 오브젝트 필드(4)와 이미지 필드(8) 사이의 간격에 대한 비는 1.3%다.
투영 광학 시스템(7)의 추가 동공 평면(20)이 미러(M5) 영역의 이미징 빔 경로에 위치한다. 다이아프램은 또한 여기에 배치될 수 있다.
도 2에 도시한 자오 평면에서 미러(M3) 상의 개별 빔(15)의 입사각은 최대 34.5°이다.
이미징 빔 경로 구역(21)은 이미징 빔 경로에서 마지막에서 세 번째 미러(M4)와 이미징 빔 경로에서 페널티메이트 미러(M5) 사이에 진행한다. 이 이미징 빔 경로 구역(21)은 미러(M4) 상의 반사로 시작하여 미러(M5) 상의 반사로 종료한다. 이미징 빔 경로 구역(21) 전방의 투영 광학 시스템(7)의 이미징 빔 경로, 다시 말해 한편으로는 오브젝트 필드(4)와 미러(M4) 사이의 이미징 빔 경로와, 다른 한편으로는 이미지 필드(8)의 영역의 이미징 광선속(22)이 이미징 빔 경로 구역(21)의 동일 측 상에서 안내된다. 그에 따라, 오브젝트 필드(4)와 페널티메이트 미러(M5)는, 이미지 필드(8)를 중심부에서 관통하여 연장하고 자오 평면, 다시 말해 도 2 내지 도 4의 평면에 수직인 주된 평면(23)의 서로 다른 측 상에 배치된다.
도 3은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2에 따른 투영 광학 시스템(7)의 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 갖기에 다시 상세하게 논의하지는 않는다.
도 3에 따른 투영 광학 시스템(7)의 광학 설계 데이터는, 그 구조가 도 2에 따른 투영 광학 시스템(7)에 대한 표에 대응하는 다음의 표로부터 추론할 수 있다.
Figure 112011066593263-pct00005
Figure 112011066593263-pct00006
도 3에 따른 투영 광학 시스템(7)에서, 미러(M5)는, 도 2에 따른 투영 광학 시스템(7)과 비교하여, 주된 평면(23)을 중심으로 마주보게 제공된다. 페널티메이트 미러(M5)와 오브젝트 필드(4)가 주된 평면(23)의 동일한 측 상에 배치된다. 한편으론 미러(M2)와 오브젝트 필드(4) 사이의 이미징 빔 경로와 다른 한편으론 도 3에 따른 투영 광학 시스템(7)의 이미지 필드(8) 영역의 이미지 광선속(22)이 이미징 빔 경로 구역(21)의 서로 다른 측 상에서 안내된다. 미러(M2와 M3) 사이의 추가 이미징 빔 경로 구역(24)과 이미징 빔 경로 구역(21)은 도 3에 따른 투영 광학 시스템(7)의 이미징 빔 경로에서 교차한다.
도 3에 따른 투영 광학 시스템(7)에서, 미러(M2)는 볼록 미러로 구성한다. 미러(M2)의 곡률반경이 매우 크기 때문에, 이 미러는 도 3에서 거의 평면 미러로 보인다.
중간 이미지 평면(19)은, 도 3에 따른 투영 광학 시스템(7)에서, 실제로 정확하게는 미러(M6)의 관통-개구(18)의 높이에 놓인다.
도 3에 따른 투영 광학 시스템(7)에서 중심 동공 엄폐는 4.0%다. 이미지 평면에 최근접한 미러(M5)의 사용 반사면 부분과 이미지 평면(9) 사이의 작동 간격(dw)은 85mm이다. 이 작동 간격(dw)의 도 3에 따른 투영 광학 시스템(7)의 전체 길이에 대한 비는 3.7%이다. 도 3에 도시한 자오 평면에서 미러(M5) 상의 개별 빔(15)의 입사각은 최대 16.9°이다.
도 4는 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 및 도 3으로부터의 투영 광학 시스템(7)에 관련하여 이미 상술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 논의하지 않는다.
도 4에 따른 투영 광학 시스템(7)의 광학 설계 데이터는, 그 구조가 도 2 및 도 3에 따른 투영 광학 시스템(7)에 대한 표에 대응하는 다음의 표로부터 추론할 수 있다.
Figure 112011066593263-pct00007
Figure 112011066593263-pct00008
도 4에 따른 투영 광학 시스템(7)에서, 이미지 필드(8)와 중간 이미지 평면(19) 사이의 이미징 빔 경로는 도 3에 따른 투영 광학 시스템(7)에서의 빔 경로에 대응한다.
오브젝트 필드(4)와 미러(M5)는 주된 평면(23)의 서로 다른 측 상에 배치된다.
도 4에 따른 투영 광학 시스템(7)에서, 한편으론 미러(M1 및 M4)와 다른 한편으론 미러(M3 및 M6)가 등을 지고 배치된다.
미러(M1, M3 및 M6)는 오목하다. 미러(M5)는 볼록하다. 미러(M2 및 M4)는, 도 4에서 거의 평면 미러로 보일 만큼 큰 곡률반경을 갖는다.
도 4에 따른 투영 광학 시스템(7)에서, 애퍼쳐 다이아프램은 미러(M2와 M3) 사이의 동공 평면(17) 영역에 배치될 수 있다.
도 4에 따른 투영 광학 시스템(7)에서 중심 동공 엄폐는 4.0%다. 이미지 평면에 최근접한 미러(M5)의 사용 반사면의 부분과 이미지 평면(9) 사이의 작동 간격(dw)은 도 4에 따른 투영 광학 시스템에서 85mm이다. 이 작동 간격(dw)의 도 4에 따른 투영 광학 시스템(7)의 전체 길이에 대한 비는 4.25%이다. 도 4에 도시한 자오 평면에서 미러(M5) 상의 개별 빔(15)의 입사각은 최대 15.9°이다.
다음의 표에서, 도 2, 도 3 및 도 4에 따른 투영 광학 시스템(PO)의 특징을 다시 요약한다:
Figure 112011066593263-pct00009
주된 빔은 오브젝트 필드(4)의 중심점의 주된 빔(16)이다. 이 중심점은, 자오단면에서 두 개의 가장자리 오브젝트 필드 점 사이에서 중심에 위치한다.
도 5는 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 4로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게는 설명하지 않는다.
도 5에 따른 투영 광학 시스템(7)에서 이미지 필드(8)와 오브젝트 필드(4) 사이의 이미징 빔 경로는 도 4에 따른 실시예의 이미징 빔 경로를 연상시킨다. 도 4에 따른 구성의 이미징 빔 경로와 비교하면, 오브젝트 필드(4)와 미러(M4) 사이의 이미징 빔의 안내에 있어 도 5에 따른 것은 xz-평면에 사실상 평행하게 놓인 평면을 중심으로 마주보게 되어 있다. 도 5에 따른 투영 광학 시스템(7)의 이미징 빔 경로에서, 미러(M3)에 인접한 이미징 빔 경로의 부분은 이미지 필드(8) 영역의 이미징 광선속(22)과 동일한 이미징 빔 경로 구역(21) 측에 놓인다. 도 5에 따른 실시예에서, 동공 평면(17)은 미러(M2와 M3) 사이의 이미징 빔 경로에 놓이고, 중간 이미지 평면(19)은 미러(M4와 M5) 사이에 놓인다.
도 5에 따른 투영 광학 시스템(7)은 이미지 측 상에서 0.33의 개구수(NA)를 갖는다. 이미지 필드(8)는 x-방향에서 26mm의 크기를 가지며, y-방향에서 2.5mm의 크기를 갖는다. 이미지 필드(8)는 직사각형이다. 도 5에 따른 투영 광학 시스템(7)의 파면 에러는 0.2와 0.5λ(rms, Root Mean Square: 제곱근평균) 사이의 영역에 있다. 이 파면 에러는 13.5nm의 파장(λ)에 대해 주어진다.
도 6은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 5로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지는 않을 것이다.
도 6에 따른 투영 광학 시스템(7)에서 오브젝트 필드(4)와 이미지 필드(8) 사이의 이미징 빔 경로는 도 5에 따른 실시예에서의 이미징 빔 경로에 필적한다. 이미지 측 상의 개구수, 이미지 필드 크기 및 이미지 필드 형태는, 도 5에 따른 실시예와 관련하여 전술한 것에 대응한다.
도 6에 따른 투영 광학 시스템(7)은 이미지 측 상에서 0.33의 개구수(NA)를 갖는다. 이미지 필드(8)는 x-방향에서 26mm의 크기를 갖고, y-방향에서 2.5mm의 크기를 갖는다. 이미지 필드(8)는 직사각형이다.
도 6에 따른 투영 광학 시스템(7)은 오브젝트 평면(5)과 이미지 평면(9) 사이에 1180mm의 전체 길이를 갖는다.
미러(M2와 M3) 사이의 이미징 빔 경로에서 동공 평면(17)은 도 6에 따른 실시예에서 모든 측에서 접근 가능하다.
미러(M4) 상의 최대 입사각은 도 6에 따른 실시예에서 21°일 것이다. 이 입사각은 도 6의 도면 평면에서 미러(M4)에 대한 여기서의 최대 입사각이다.
도 7은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 6으로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 7에 따른 투영 광학 시스템(7)에서, 오브젝트 필드(4)와 미러(M4) 사이의 이미징 빔 경로는 전적으로 미러(M4와 M5) 사이의 이미징 광선속(22)에 대향하는 이미징 빔 경로 구역(21)의 측 상에서 진행한다.
도 7에 따른 실시예의 이미징 빔 경로에서, 교차하는 이미징 빔 경로 구역 전체가 오브젝트 필드(4)와 미러(M4) 사이에 존재하지는 않는다. 이미징 빔 경로 구역의 개별 빔이 미러(M1 내지 M4) 상의 반사 동안 반사 경로에서 교차한다는 사실이 이미징 빔 경로의 이미징 빔 경로 구역 전체와 교차하는 것을 나타내지는 않는다.
미러(M3과 M4) 사이에서 연장하는 이미징 빔 경로 구역(25)은 도 7에 따른 실시예에서 미러(M6)를 지나쳐 안내된다. 이미징 빔 경로 구역(25)의 추가 중간 이미지 평면(26)은 이 지나쳐 안내된 구역에 놓인다. 도 7에 따른 투영 광학 시스템(7)은 그에 따라, 이미징 빔 경로에서 관통-개구(18)에 근접하여 놓인 중간 이미지 평면(19) 외에, 추가 중간 이미지 평면(26)을 갖는다. 따라서, 두 개의 중간 이미지가, 도 7에 따른 투영 광학 시스템(7)에서 오브젝트 필드(4)와 이미지 필드(8) 사이의 이미징 빔 경로에 존재한다.
도 8은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 7로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 8에 따른 투영 광학 시스템(7)에서, 미러(M3) 상의 반사와 관련된 이미징 빔 경로 부분이 이미징 광선속(22)에 대향하는 이미징 빔 경로 구역(21) 측 상에서 안내된다.
중간 이미지 평면(26)은 미러(M1과 M2) 사이의 이미징 빔 경로 구역(27)에 놓인다. 제 2 중간 이미지 평면(19)은, 전술한 실시예에서처럼, 관통-개구(18) 영역에 배치된다.
도 8에 따른 실시예의 이미징 빔 경로에서, 미러(M2와 M3) 사이의 이미징 빔 경로 구역(24)은, 제 1 교차 영역(29)에서 미러(M1)와 오브젝트 필드(4) 사이의 이미징 빔 경로 구역(28)과 교차한다. 이제 미러(M4와 M5) 사이의 이미징 빔 경로 구역(21)은 추가 교차 영역(30)에서 미러(M2와 M3) 사이의 이미징 빔 경로 구역(24)과 교차한다.
도 8 내지 도 17에 따른 투영 광학 시스템은 0.33의 개구수(NA)를 가질 수 있다. 이들 투영 광학 시스템의 이미지 필드 크기는 x-방향에서 2.5mm일 수 있고 y-방향에서 26mm일 수 있다.
도 9는 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 8로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 9에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예에서 이미징 빔 경로는 도 8에 따른 실시예의 이미징 빔 경로에 실질적으로 대응한다. 이미징 빔 경로 구역(28)의 안내에 차이점이 있다: 도 9에 따른 실시예에서 오브젝트 필드(4)와 미러(M1) 사이의 이 이미징 빔 경로 구역(28)은 미러(M2와 M3) 사이의 이미징 빔 경로 구역(24)과 교차할 뿐만 아니라 미러(M3와 M4) 사이의 이미징 빔 경로 구역(25)과 미러(M4와 M5) 사이의 이미징 빔 경로 구역(21)과 교차한다. 이미징 빔 경로 구역(28)과 이미징 빔 경로 구역(21) 사이에 마지막으로 언급한 교차의 교차 영역(31)은 교차 영역(29 및 30)과 부분적으로 겹친다. 도 9에 따른 실시예의 이미징 빔 경로에서, 교차 영역(29 및 30)은 서로 또한 겹친다.
이미징 빔 경로 구역(28과 25) 사이의 교차의 교차 영역(32)은 교차 영역(29 및 30)으로부터 분리되어 있고 교차, 즉 크로싱 영역(31)과 부분적으로 겹친다.
도 10은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 9로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 10에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예의 이미징 빔 경로는, xz-평면을 중심으로 마주본 배치를 제외하고, 도 2에 따른 실시예의 이미징 빔 경로와 유사하다. 도 2에 따른 이미징 빔 경로와 대조적으로, 도 10에 따른 실시예에서, 미러(M3)가 미러(M1)보다 미러(M6)에 더 근접하여 위치한다. 도 2에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예에서, 상황은 정확히 그 반대이다: 거기서는, 미러(M1)는 미러(M3)보다 미러(M6)에 더 근접하다. 게다가, 도 10에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예에서, 미러(M2)는 미러(M4)보다 오브젝트 평면(5)에 상당히 더 근접하여 위치한다.
도 10에 따른 실시예에서 미러(M2와 M3) 사이의 이미징 빔 경로 구역(24)에서, 다이아프램, 즉 조리개(33)는 도 10에 따른 투영 광학 시스템(7)의 동공 평면 영역에 배치될 수 있다. 이미징 빔 경로 구역(24)은 다이아프램(33)의 이러한 배치 영역에서 모든 측으로부터 자유롭게 접근 가능하다.
도 11은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 10으로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 11에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예에서의 이미징 빔 경로는 도 8에 따른 실시예의 이미징 빔 경로에 대응한다.
도 11 내지 도 14에 따른 투영 광학 시스템에서, 서로 직교하는 두 방향, 다시 말해, 한편으론 xz-평면 그리고 다른 한편으론 yz-평면에서 서로 다른 곡률반경을 갖는 미러(M1 내지 M6)가 사용될 수 있다.
도 11에 따른 투영 광학 시스템(7)은 오브젝트 측에서 텔레센트릭(telecentric)하다.
도 12는 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 11로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 12에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예에서의 이미징 빔 경로는, xz-평면을 중심으로 반전되어 마주보는(mirror-inverted) 뷰(view)를 제외하고, 도 2에 따른 실시예의 것과 유사하다. 도 2에 따른 실시예와 대조적으로, 도 12에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예에서, 미러(M1과 M2) 사이의 이미징 빔 경로 구역(27)에서, 관통-개구(18)에 인접하여 위치한 중간 이미지 평면(19)에서의 추가 중간 이미지 외에 중간 이미지 평면(26)에 중간 이미지가 있다. 도 12에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예에서, 미러(M3)가 미러(M1)보다는 미러(M6)에 더 근접하여 위치한다. 이것이 또한 도 12에 따른 투영 광학 시스템(7)의 이미징 빔 경로를 도 2에 따른 실시예의 것(여기서 M1은 미러(M3)보다 미러(M6)에 더 근접해 있다)과 구별되게 한다.
도 12에 따른 투영 광학 시스템(7)은 오브젝트 측에서 텔레센트릭하다.
도 13은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 12로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 12에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예에서, 이미징 빔 경로는 도 8에 따른 실시예의 이미징 빔 경로와 유사하다. 도 8에 따른 실시예와 대조적으로, 도 13에 따른 투영 광학 시스템(7)의 이미징 빔 경로에서, 미러(M3과 M4) 사이의 이미징 빔 경로 구역(25)에서, 관통-개구(18)의 영역에 위치한 중간 이미지 평면(19) 외에, 중간 이미지 평면(26)에 중간 이미지가 있다.
도 13에 따른 투영 광학 시스템(7)은 오브젝트 측에서 텔레센트릭하다.
도 14는 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 13으로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 14에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예에서의 이미징 빔 경로는 도 9에 따른 실시예의 이미징 빔 경로와 유사하다. 도 9에 따른 실시예와 대조적으로, 중간 이미지는, 도 14에 따른 투영 노광 시스템(7)의 이미징 빔 경로 중에서, 관통-개구(18) 영역에 위치한 중간 이미지 평면(19) 외에, 미러(M1과 M2) 사이가 아니라 미러(M3와 M4) 사이의 이미징 빔 경로 구역(25)의 중간 이미지 평면(26)에 존재한다.
도 15는 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 14로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 15에 따른 투영 광학 시스템(7)의, 미러(M2)와 이미지 필드(8) 사이의 이미징 빔 경로는 도 5에 따른 실시예의 이미징 빔 경로와 유사하다.
도 15에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예에서, 미러(M1과 M2) 사이의 이미징 빔 경로 구역(27)은 미러(M6)와 미러(M4) 모두를 거쳐서 안내된다. 이미징 빔 경로 구역(27)에서 미러(M4)에 인접해 배치되는 것은, 관통 개구(18) 인근에 위치하는 중간 이미지 평면(19)에서의 중간 이미지 외에, 중간 이미지 평면(26)의 중간 이미지이다.
도 16은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 15로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 16에 따른 투영 광학 시스템(7)의 이미징 빔 경로는 도 13에 따른 이미징 빔 경로와 유사하다. 도 13에 따른 실시예의 이미징 빔 경로와 대조적으로, 도 16에 따른 투영 광학 시스템(7)에서, 미러(M2와 M3) 사이의 이미징 빔 경로 구역(24)은 미러(M6)를 거쳐 안내된다. 도 13에 따른 실시예에서, 미러(M3과 M6)는 등을 지고 배치된다.
도 17은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 16으로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 17에 따른 투영 광학 시스템(7)의, 미러(M3)로부터의, 이미징 빔 경로는 도 13에 따른 실시예의 이미징 빔 경로와 유사하다. 이와 대조적으로, 오브젝트 필드(4)와 미러(M1) 사이의 이미징 빔 경로 구역(28)은 미러(M2와 M3) 사이의 이미징 빔 경로 구역(24)과 교차한다. 도 17과 도 3에 따른 실시예 사이의 추가적인 차이점은, 도 17에 따른 실시예에서, 미러(M3과 M4) 사이의 이미징 빔 경로 구역(25)에는, 중간 이미지가 중간 이미지 평면(26)에 배치된다는 점이다. 이 중간 이미지는 이제, 관통 개구(18) 인근의 중간 이미지 평면(19)의 중간 이미지 외에 존재한다.
도 18은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 17로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 18에 따른 실시예에서의 오브젝트 필드(4)와 미러(M4) 사이의 이미징 빔 경로는 전적으로, 미러(M4와 M5) 사이에서 이미징 광선속(22)에 대향하는 이미징 빔 경로 구역(21) 측 상에 안내된다. 도 18에 따른 실시예의 이미징 빔 경로는 이러한 점에서, 도 2의 실시예의 것과 다르다. 오브젝트 필드(4)와 미러(M4) 사이의 이미징 빔 경로 코스는 그 밖에는 도 2에 따른 투영 광학 시스템(7)의 이미징 빔 경로 코스를 연상시킨다. 추가적인 차이점은, 도 18에 따른 실시예에서, 동공 평면(17)이 미러(M1와 M2) 사이의 이미징 빔 경로 구역(27)에 배치된다는 점이다. 이들 두 미러 사이에는, 이미징 빔 경로 구역(27)이 모든 측으로부터 넓은 영역에서 접근 가능하다.
도 18에 따른 투영 광학 시스템(7)은 이미지 측에서 0.33의 개구수(NA)를 갖는다. 이미지 필드는 x-방향에서 26mm의 크기를 갖고 y-방향에서 2.5mm의 크기를 갖는다. 이미지 필드(8)는 직사각형이다.
도 18에 따른 투영 광학 시스템(7)은 이미지 필드(8) 위에서 0.03과 0.10λ(rms) 사이의 범위에서 파면 에러를 갖는다.
미러(M1 내지 M6)는 10차의 프리-폼 면으로 설계된다. 미러(M6)는 460mm의 직경을 갖는다. 도 18에 따른 투영 광학 시스템(7)은 오브젝트 평면(5)과 이미지 평면(9) 사이에서 1630mm의 전체 길이를 갖는다.
미러(M1 내지 M6) 중 하나 상의 최대 입사각은 17°일 수 있다. 여기서 이 입사각은 도 18의 도면 평면에서의 최대 입사각이다.
이미징 빔 경로 구역(27)은 미러(M6)를 거쳐 안내된다. 미러(M3와 M6)는 등을 지고 배치된다.
도 19는 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 18로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 19에 따른 투영 광학 시스템(7)의 실시예에서의 이미징 빔 경로는 도 18에 따른 실시예의 것과 유사하다.
도 19에 따른 투영 광학 시스템(7)은 이미지 측에서 0.50의 개구수(NA)를 갖는다. 이미지 필드는 x-방향에서 26mm의 크기를 갖고, y-방향에서 2.5mm의 크기를 갖는다. 이미지 필드(8)는 직사각형이다.
도 19에 따른 실시예에서 파면 에러의 최대치는 이미지 필드(8) 위에서 0.25λ(rms)이다.
미러(M1 내지 M6)는 10차의 프리-폼 면으로 설계된다. 도 19에 따른 실시예에서 미러(M6)는 700mm의 직경을 갖는다. 오브젝트 평면(5)과 이미지 평면(9) 사이의 도 19에 따른 투영 광학 시스템(7)의 전체 길이는 1800mm이다.
도 20은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 19로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 20에 따른 투영 광학 시스템(7)의 이미징 빔 경로는 도 18에 따른 실시예의 것에 대응하다.
도 21은 투영 광학 시스템(7)의 추가 실시예를 도시한다. 도 2 내지 도 20으로부터의 투영 광학 시스템(7)을 참조하여 이미 전술한 소자에 대응하는 소자는 동일한 참조번호를 가져 다시 상세하게 설명하지 않을 것이다.
도 21에 따른 투영 광학 시스템(7)의 이미징 빔 경로는 도 18에 따른 실시예의 것과 대응한다.
도 18 내지 도 21에 따른 실시예에서 오브젝트 필드(4)와 미러(M4) 사이의 이미징 빔 경로에는 등을 지는 배치가 존재하지 않는다. 특히 미러(M1 및 M4)는 서로 등을 지고 배치되지 않는다.
마이크로 구조나 나노 구조 소자를 제조하기 위해, 투영 노광 장치(1)는 다음과 같이하여 사용된다: 첫째, 반사 마스크(10) 즉 레티클과 기판 즉 웨이퍼(11)가 구비된다. 레티클(10) 상의 구조는 그 후 투영 노광 장치의 도움으로 웨이퍼(11)의 감광층 상으로 투영된다. 감광층을 현상함으로써, 마이크로 구조나 나노 구조가 웨이퍼(11) 상에서 제조되어 마이크로 구조 소자가 제조된다.

Claims (16)

  1. 오브젝트 평면(5)의 오브젝트 필드(4)를 이미지 평면(9)의 이미지 필드(8)에 이미징하는 다수의 미러(M1 내지 M6)를 구비하고, 상기 오브젝트 필드(4)와 상기 이미지 필드(8) 사이의 이미징 광(3)의 빔 경로에서 마지막 미러(M6)가 이미징 광(3)의 통과를 위한 관통-구멍(18)을 갖는, 이미징 광학 장치(7)로서,
    - 상기 오브젝트 필드(4)와 상기 이미지 필드(8) 사이의 이미징 광(3)의 빔 경로에서 상기 이미징 광학 장치(7)의 페널티메이트(penultimate) 미러(M5)가 상기 이미지 필드(8) 전방의 이미징 광선속(22) 외부에 배치되고,
    - 상기 페널티메이트 미러(M5)의 광학적 사용 영역 내의 상기 페널티메이트 미러(M5)의 반사면은 이미징 광(3)의 통과를 위한 관통-구멍을 갖고 있지 않은 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 장치.
  2. 오브젝트 평면(5)의 오브젝트 필드(4)를 이미지 평면(9)의 이미지 필드(8)에 이미징하는 다수의 미러(M1 내지 M6)를 구비한 이미징 광학 장치(7)로서,
    상기 오브젝트 필드(4)와 상기 이미지 필드(8) 사이의 이미징 광(3)의 빔 경로에서 마지막 미러(M6)가 이미징 광(3)의 통과를 위한 관통-구멍(18)을 갖고,
    5% 미만의 동공 엄폐(pupil obscuration)를 얻게 되도록 상기 이미징 광학 장치(7)의 광학 소자를 배치하는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 이미징 광(3)의 빔 경로에서 상기 이미징 광학 장치(7)의 페널티메이트 미러(M5)의 상기 이미지 필드(8)로부터의 작동 간격(dw)은 적어도 20mm인 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 장치.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 빔 경로에서 페널티메이트 미러(M5) 상의 이미징 광(3)의 입사각은 최대 35°인 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 오브젝트 필드(4)와 상기 이미지 필드(8) 사이의 이미징 광(3)의 빔 경로의 마지막에서 세 번째 미러(M4)와 상기 빔 경로의 페널티메이트 미러(M5) 사이에서 이미징 빔 경로 구역(21)을 구비하고,
    - 한편으론 상기 이미징 빔 경로 구역(21) 전방의 이미징 빔 경로의 적어도 일부분과 다른 한편으론 상기 이미지 필드(8) 영역의 이미징 광선속(22)이 상기 이미징 빔 경로 구역(21)의 대향하는 측 상에서 안내되는, 이미징 광학 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    - 상기 오브젝트 필드(4)와 상기 이미지 필드(8) 사이의 이미징 광(3)의 빔 경로의 마지막에서 세 번째 미러(M4)와 상기 빔 경로의 페널티메이트 미러(M5) 사이에서 이미징 빔 경로 구역(21)을 구비하고,
    - 한편으론 상기 이미징 빔 경로 구역(21) 전방의 이미징 빔 경로의 적어도 일부분과 다른 한편으론 상기 이미지 필드(8) 영역의 이미징 광선속(22)이 상기 이미징 빔 경로 구역(21)의 동일한 측 상에서 안내되는, 이미징 광학 장치.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 오브젝트 필드(4)와 상기 이미지 필드(8) 사이의 이미징 광(3)의 빔 경로의 마지막에서 세 번째 미러(M4)와 상기 빔 경로의 마지막에서 여섯 번째 미러(M1)는 등을 지고(back to back) 배치되는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 장치.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 적어도 하나의 중간 이미지(19, 26)가 상기 오브젝트 필드(4)와 상기 이미지 필드(8) 사이의 이미징 광(3)의 빔 경로에 존재하는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 장치.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 이미징 빔 경로 구역(24, 28; 24, 21; 28, 24; 28, 25) 사이의 적어도 하나의 교차 영역(29, 30, 31, 32)을 특징으로 하는, 이미징 광학 장치.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 적어도 0.3의 개구수를 특징으로 하는, 이미징 광학 장치.
  11. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 이미지 필드(8)는 직사각형 필드로 구성되는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 장치.
  12. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 이미징 광학 장치(7)는 마이크로리소그래피용 투영 광학 장치로 구성되는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 장치.
  13. - 청구항 12에 기재된 투영 광학 장치(7)와,
    - 조명 및 이미징 광(3)용 광원(2)과,
    - 조명 광(3)을 상기 이미징 광학 장치(7)의 오브젝트 필드(4)에 안내하는 조명 광학 장치(6)를 구비한, 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 광원(2)은 5nm와 30nm 사이의 파장을 갖는 조명 광(3)을 생성하도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 투영 노광 장치.
  15. 구조화된 소자를 다음의 방법 단계:
    - 레티클(10)과 웨이퍼(11)를 제공하는 단계와,
    - 상기 레티클(10) 상의 구조를, 청구항 13에 기재된 투영 노광 장치의 도움으로, 상기 웨이퍼(11)의 감광층 상에 투영하는 단계와,
    - 마이크로 구조나 나노 구조를 상기 웨이퍼(11) 상에 제조하는 단계로 제조하는 방법.
  16. 삭제
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
DE102009008644A1 (de) 2009-02-12 2010-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
KR101383479B1 (ko) 2010-04-22 2014-04-08 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 이미징 옵틱스 및 이러한 이미징 옵틱스를 가지는 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치
EP2598931B1 (en) 2010-07-30 2020-12-02 Carl Zeiss SMT GmbH Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type
DE102010039745A1 (de) * 2010-08-25 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102010040811A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102010041746A1 (de) * 2010-09-30 2012-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Belichtung
DE102011083888A1 (de) * 2011-09-30 2013-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende katoptrische EUV-Projektionsoptik
DE102011088980A1 (de) 2011-12-19 2012-10-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektlithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
JP5967946B2 (ja) * 2012-01-23 2016-08-10 株式会社アドテックエンジニアリング 露光描画装置、露光描画システム、プログラム及び露光描画方法
CN102540435A (zh) * 2012-02-07 2012-07-04 中国科学院光电技术研究所 一种反射型投影光学系统
DE102012202675A1 (de) 2012-02-22 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102012208793A1 (de) 2012-05-25 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102012217800A1 (de) * 2012-09-28 2014-04-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Diffraktives optisches Element sowie Messverfahren
DE102012218558A1 (de) 2012-10-11 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
US9291751B2 (en) 2013-06-17 2016-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure apparatus for projection lithography comprising such an imaging optical unit
US9606605B2 (en) 2014-03-07 2017-03-28 Apple Inc. Dynamic voltage margin recovery
CN107111242B (zh) * 2014-11-18 2020-04-24 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元
DE102014223811B4 (de) 2014-11-21 2016-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils
DE102015221983A1 (de) * 2015-11-09 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102017215664A1 (de) 2017-09-06 2019-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102017216893A1 (de) * 2017-09-25 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102018203283A1 (de) 2018-03-06 2018-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbestimmungsanlage für die Projektionslithographie
DE102019203423A1 (de) 2019-03-13 2020-01-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
CN112286010B (zh) * 2020-10-23 2021-07-27 北京理工大学 超高数值孔径组合变倍率极紫外光刻物镜及优化方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003233001A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2004252363A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系
JP2008176326A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Carl Zeiss Smt Ag 結像光学系

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3316036A1 (de) * 1983-05-03 1984-11-22 Th Steffens Fa Mikroskop
US4653880A (en) 1985-03-01 1987-03-31 Spectra-Tech Inc. Reflective beam splitting objective
US5003567A (en) * 1989-02-09 1991-03-26 Hawryluk Andrew M Soft x-ray reduction camera for submicron lithography
US5144496A (en) * 1989-07-19 1992-09-01 Olympus Optical Co., Ltd. Reflecting objective system including a negative optical power second mirror with increasing negative optical power off-axis
JPH0562877A (ja) * 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
US5815310A (en) * 1995-12-12 1998-09-29 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture ring field optical reduction system
US5956192A (en) * 1997-09-18 1999-09-21 Svg Lithography Systems, Inc. Four mirror EUV projection optics
JP4238390B2 (ja) * 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
AU2549899A (en) * 1998-03-02 1999-09-20 Nikon Corporation Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device
US6072852A (en) 1998-06-09 2000-06-06 The Regents Of The University Of California High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography
US6985210B2 (en) * 1999-02-15 2006-01-10 Carl Zeiss Smt Ag Projection system for EUV lithography
US6033079A (en) * 1999-03-15 2000-03-07 Hudyma; Russell High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
EP1093021A3 (en) 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
JP2001185480A (ja) * 1999-10-15 2001-07-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JP2001343589A (ja) * 2000-03-31 2001-12-14 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2004512552A (ja) 2000-10-20 2004-04-22 カール　ツァイス　シュティフトゥング　トレイディング　アズ　カール　ツァイス ８反射鏡型マイクロリソグラフィ用投影光学系
DE10052289A1 (de) * 2000-10-20 2002-04-25 Zeiss Carl 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv
DE10139177A1 (de) * 2001-08-16 2003-02-27 Zeiss Carl Objektiv mit Pupillenobskuration
US6975385B2 (en) 2002-11-08 2005-12-13 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and exposure apparatus
JP2004252359A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系及び当該反射型投影光学系を有する露光装置
US7154586B2 (en) * 2003-02-21 2006-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Catoptric projection optical system and exposure apparatus having the same
US20070058146A1 (en) * 2004-02-04 2007-03-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, position control method, and method for producing device
CN100582861C (zh) * 2004-12-23 2010-01-20 卡尔蔡司Smt股份公司 具有暗化光瞳的大孔径物镜
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
DE102006043251A1 (de) * 2005-09-13 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Objektiv, Herstellungsverfahren mikrostrukturierter Bauteile mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauteil
KR101127346B1 (ko) 2005-09-13 2012-03-29 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
US20080118849A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Manish Chandhok Reflective optical system for a photolithography scanner field projector
EP1930771A1 (en) 2006-12-04 2008-06-11 Carl Zeiss SMT AG Projection objectives having mirror elements with reflective coatings
US7929114B2 (en) * 2007-01-17 2011-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optics for microlithography
SG10201602750RA (en) 2007-10-16 2016-05-30 Nikon Corp Illumination Optical System, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method
DE102009008644A1 (de) 2009-02-12 2010-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102010062597A1 (de) * 2010-12-08 2012-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Abbildungssystem
CN104653880B (zh) * 2015-03-13 2017-02-01 国家电网公司 一种堵泥成型设备及成型封堵方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003233001A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2004252363A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系
JP2008176326A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Carl Zeiss Smt Ag 結像光学系

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