KR101675158B1 - 이미징 광학 시스템, 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치, 미세구조 부품, 및 미세구조 부품을 제조하는 방법 - Google Patents

이미징 광학 시스템, 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치, 미세구조 부품, 및 미세구조 부품을 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101675158B1
KR101675158B1 KR1020080004071A KR20080004071A KR101675158B1 KR 101675158 B1 KR101675158 B1 KR 101675158B1 KR 1020080004071 A KR1020080004071 A KR 1020080004071A KR 20080004071 A KR20080004071 A KR 20080004071A KR 101675158 B1 KR101675158 B1 KR 101675158B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical system
mirror
imaging optical
imaging
mirrors
Prior art date
Application number
KR1020080004071A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080067968A (ko
Inventor
쥬르젠 만느 한스
Original Assignee
칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 filed Critical 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
Publication of KR20080067968A publication Critical patent/KR20080067968A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101675158B1 publication Critical patent/KR101675158B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J37/00—Baking; Roasting; Grilling; Frying
    • A47J37/06—Roasters; Grills; Sandwich grills
    • A47J37/067—Horizontally disposed broiling griddles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0663—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J36/00—Parts, details or accessories of cooking-vessels
    • A47J36/02—Selection of specific materials, e.g. heavy bottoms with copper inlay or with insulating inlay
    • A47J36/025—Vessels with non-stick features, e.g. coatings
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J36/00—Parts, details or accessories of cooking-vessels
    • A47J36/02—Selection of specific materials, e.g. heavy bottoms with copper inlay or with insulating inlay
    • A47J36/04—Selection of specific materials, e.g. heavy bottoms with copper inlay or with insulating inlay the materials being non-metallic
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J37/00—Baking; Roasting; Grilling; Frying
    • A47J37/06—Roasters; Grills; Sandwich grills
    • A47J37/07—Roasting devices for outdoor use; Barbecues
    • A47J37/0786—Accessories
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems

Abstract

마이크로리소그래피를 위한 프로젝션 노출 설비는 복수의 미러(M1 내지 M6)를 갖는 이미징 광학 시스템(6)을 갖는다. 미러는 이미지 평면(8)에서의 이미지 필드에서 물체 평면(4)에서의 물체 필드를 이미징한다. 미러 중 하나(M6)는 이미징 광(3)이 통과할 관통-구멍(23)을 갖는다. 적어도 하나의 미러(M1 내지 M6)의 반사 표면은 회전 대칭 함수로 설명될 수 없는 자유-형태 표면의 형태이다. 더욱이, 프로젝션 노출 설비는 조명 및 이미징 광(3)을 위한 광원과, 조명 광(3)을 이미징 광학 시스템(6)의 물체 필드로 나아가게 하는 렌즈 시스템을 갖는다. 레티클 및 웨이퍼를 제공함으로써, 그리고 레티클 상의 구조를 웨이퍼의 광-감지 층상으로 투사함으로써, 그리고 웨이퍼 상에 미세구조를 제작함으로써, 미세구조 성분은 프로젝션 노출 설비로 제작된다. 물체 및 이미지 평면이 서로 교환되는 대응하는 이미징 광학 시스템은 현미경 렌즈로서 사용될 수 있다. 이것은 개선된 이미징 특성 및/또는 미리 결정된 치수에서 미러의 더 간단한 생산 능력을 갖는 이미징 광학 시스템을 제작한다.

Description

이미징 광학 시스템, 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치, 미세구조 부품, 및 미세구조 부품을 제조하는 방법{IMAGING OPTICAL SYSTEM, PROJECTION EXPOSURE INSTALLATION FOR MICROLITHOGRAPHY, MICROSTRUCTURED COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE MICROSTRUCTURED COMPONENT}
본 발명은 복수의 미러를 포함하는 이미징 광학 시스템에 관한 것으로, 상기 미러는 물체 평면에 놓이는 물체 필드를 이미지 평면에 놓이는 이미징 필드에 이미징하고, 적어도 하나의 미러는 이미징 광이 통과하기 위한 관통-구멍(through-hole)을 갖는다. 더욱이, 본 발명은 이러한 유형의 이미징 광학 시스템을 포함하는 프로젝션 노출 설비, 이러한 유형의 프로젝션 노출 설비를 포함하는 미세구조 성분을 제작하는 방법, 이러한 방법으로 제작된 미세 구조 성분, 및 이미징 광학 시스템의 이용에 관한 것이다.
한 편으로, 처음에 언급된 유형의 이미징 광학 시스템은 마이크로리소그래피를 위한 프로젝션 노출 설비 성분으로서 프로젝션 광학 시스템으로 알려져 있다. EP 1 093 021 A2 및 DE 10 2005 042 005 A1은 그 예를 제공한다. 서로 실질적으로 수직인 주요 평면에서 상이한 곡률 반경을 갖는 미러를 포함하는 이미징 광학 시스 템은 US 2006 0284113 A1에 알려져 있다. 더욱이, 처음에 언급된 유형의 이미징 광학 시스템은 마스크 또는 웨이퍼를 검사하기 위한 현미경 렌즈와 연계하여 알려져 있다. 이러한 예는 US 6 894 834 B2에 제공된다.
프로젝션 노출 설비 내부의 이용 및 현미경 렌즈로서의 이용 모두에 관해, 처음에 언급된 유형의 이미징 광학 시스템이 개선된 이미징 특성, 예를 들어 더 큰 개구, 또는 개선된 이미징 에러의 보정을 가질 필요가 있다. 대안적으로, 또는 그 외에도, 미러가 더 높은 광 처리량은 특히 EUV 파장으로 시스템에서 달성되도록 의도되면서 미리 결정된 치수로 더 간단히 제작될 필요가 있다.
이러한 목적은, 적어도 하나의 미러의 반사 표면이 회전 대칭 함수에 의해 설명될 수 없는 자유-형태 표면의 형태인 이미징 광학 시스템에 의해 본 발명에 따라 달성된다.
본 발명에 따라, 회전 대칭 축을 갖는 반사 표면 대신에 자유-형태 표면을 이용하는 것은 새로운 레벨의 설계 자유도를 제공하여, 회전 대칭 반사 표면으로 가능하지 않은 특성의 조합을 가진 이미징 시스템의 결과를 가져온다는 것이 인식되었다. 자유-형태 표면은, 광학 표면의 표면부에 수직인 축을 표시하는 마킹된(marked) 축 주위에 회전 대칭적인 함수에 의해 설명될 수 없다. 이에 따라 본 발명에 따른 자유-형태 표면은 특히 원추부-비구면 수학식(conic section-aspheric equation)에 의해 한정될 수 없다. 이러한 원추형의 비구면은 구면 대칭으로부터 벗어나지만, 회전 대칭 함수, 즉 하나의 파라미터, 즉 광 축에 대한 거리에만 의존하는 함수에 의해 한정될 수 있는 반면에, 본 발명에 따른 자유-형태 표면은 표면 을 설명하기 위해 서로 독립적인 적어도 2개의 파라미터를 필요로 한다. 그러므로, 원추부-비구면 표면은 본 발명에 따라 자유-형태 표면이 아니다. 광학적으로 효과적인 표면의 경계 형상은 중요하지 않다. 물론, 회전 대칭 방식으로 경계되지 않는 광학적으로 효과적인 표면은 종래 기술에 알려지지 않다. 그럼에도 불구하고, 이러한 유형의 광학적으로 효과적인 표면은 회전 대칭 함수에 의해 설명될 수 있으며, 이러한 광학 표면의 비-회전-대칭 경계부가 사용된다. 자유-형태 표면은 정적인 자유-형태 표면일 수 있다. "정적인 자유-형태 표면"이라는 용어는, 그 형태가 프로젝션 광학 시스템에서 프로젝션을 사용하는 동안 활발히 변형되지 않는 자유-형태 표면을 지칭한다. 물론, 정적인 자유-형태 표면은 조정을 위해 변위될 수 있다. 특히 자유-형태 표면은 평면 기준 표면 또는 기본 형상, 오목한 기준 표면 또는 볼록한 기준 표면에 기초하여 구성될 수 있다. 특히, 굴곡된 기준 표면에 기초하여 구성되는 적어도 하나의 자유-형태 표면이 사용될 수 있다. 이 경우에, 전체 기준 표면에 걸쳐 일정한 꼭지점 곡률(vertex curvature)을 갖는 기준 표면이 사용되는 것이 바람직하다. 또한 원추부-비구면은 기준 표면으로 사용될 수 있다. 퓨필-차폐(pupil-obscured) 시스템으로 알려진 관통-구멍을 포함하는 종래의 이미징 광학 시스템에서, 이러한 유형의 자유-형태 표면의 이용은 낮은 레벨의 이미징 에러를 갖는 소형 이미징 광학 시스템이 달성되도록 하고, 특히 높은 광 처리량이 생성되도록 한다. 이미징 광학 시스템에서의 미러의 수에 따라, 단일 미러, 또는 복수의 미러, 또는 이미징 광학 시스템의 모든 미러는 자유-형태 표면의 형태일 수 있다. 본 발명에 따른 자유-형태 표면은 회전 대칭 표면으로부터 최대 편차를 갖는 것이 바람직하며, 이러한 회전 대칭 표면은 자유-형태 표면상에 가장 잘 설치되고, 이미징 광의 적어도 파장값의 설계된 표면에 반드시 매칭할 필요가 없다. 특히 이미징 광의 적어도 파장값의 상기 편차는, 사실상 마이크로리소그래피를 위한 광학 성분의 제작 동안 제조 공차보다 항상 더 큰데, 이러한 제조 공차는 종래에 엄격하게 0.1nm이고, 상대적으로 종래에 사용된 조명 광의 파장의 1/50 또는 1/100이다. EUV 파장을 갖는 조명의 경우에, 상기 편차는 적어도 수십 nm, 예를 들어 50nm이다. 더 큰 편차, 예를 들어 100nm, 500nm 또는 1,000nm 또는 심지어 더 큰 편차가 또한 가능하다. 더 높은 파장의 이미징 광을 갖는 시스템을 이용할 때, 더 큰 편차가 가능하다. 본 발명에 따른 자유-형태 표면은 쌍원뿔형 표면에 의해, 즉 2개의 상이한 기본 곡선 및 서로 수직인 2 방향으로 2개의 상이한 원추 상수를 갖는 광학 표면에 의해, 원환체 표면 또는 왜상, 및 동시에 특히 비구면 표면에 의해 제공될 수 있다. 그러므로, 원통형 표면은 또한 이러한 유형의 자유-형태 표면을 나타낸다. 본 발명에 따른 자유-형태 표면은 하나 이상의 대칭면에 대칭적인 미러일 수 있다. 본 발명에 따른 자유-형태 표면은 n-폴드(fold) 대칭인 표면일 수 있으며, 여기서 n은 1 이상의 정수이다. 본 발명에 따른 자유-형태 표면은 또한 대칭축 및 대칭면이 전혀 없을 수 있다.
광학 표면, 특히 왜상 표면을 설명하는 상이한 방식은 예를 들어 US 6,000,798에 기재되어 있다. 비-회전-대칭 표면, 특히 왜상 비구면 표면, 원환체 표면 또는 쌍원뿔 비구면 표면을 설명하는 해석 공식은 또한 WO 01 88597에 기재되어 있다. 광학 표면의 수치적 설명에 관한 이들 문헌에서의 개시에 관해, 이러한 설명은 상기 문헌에서의 설명을 보충하도록 의도된다. Oslo® 및 Code V®와 같은 몇몇 광학 설계 프로그램은 광학 시스템이 수치 함수를 통해 설명되고 설계되도록 하고, 이를 통해 비-회전-대칭 광학 표면을 설정하는 것이 또한 가능하다. 전술한 수치적 설명은 수치 표면에 관련된다. 실제 광학적으로 사용된 광학 표면, 즉 표면이 조명 빔에 의해 작용되고 이러한 유형의 수치적 설명으로 설명될 수 있는 광학 요소의 물리적 표면은 일반적으로 또한 모(parent) 표면으로 알려진, 실제 수치적 표면의 일부만을 포함한다. 이에 따라 수치적 표면은 광학적인 유효 물리적 표면을 지나는 영역을 포함한다. 광학 시스템이 기준축을 통해 설명되는 한, 광학적으로 사용된 표면부의 일부 또는 전부는, 기준축이 수치적 표면을 분할하지만, 이러한 수치적 표면의 실제 광학적으로 사용된 부분을 분할하지 않도록 이러한 기준축을 지나 배열될 수 있다.
서로 평행하게 배열된 필드 평면은 이미징 광학 시스템을 구조적 주변부(constructional surrounding)에 통합하는 것을 용이하게 한다. 이러한 장점은, 특히 이미징 광학 시스템이 스캐닝 프로젝션 노출 설비에 사용될 때 중요한데, 이는 이 때 스캔 방향이 서로 평행하게 유도될 수 있기 때문이다.
25°의 최대 반사각, 바람직하게 20°의 최대 반사각, 더 바람직하게 16°의 최대 반사각은 이미징 광학 시스템이 EUV 프로젝션 노출 설비를 위한 프로젝션 광학 시스템으로서 크게 효과적인 방식으로 사용되도록 하는데, 이는 전체 개구에 걸쳐, 즉 전체 사용가능한 반사 표면에 걸쳐 미러가 시종일관 높은 반사층으로 커버될 수 있기 때문이다. 이러한 장점은 특히 반사된 복사선의 p-편광 성분에 대해 중 요한데, 이는 p-편광 성분의 반사도가 상승된 반사각의 경우에 급격히 감소하기 때문이다.
이미징 광학 시스템 내의 이미징 광의 최대 반사각을 이미지 측 상의 개구수로 나눈 값이 최대 40°를 넘지 않는 이미징 광학 시스템은, EUV 프로젝션 노출 설비에서 높은 EUV 처리량과 최적화된 패턴 해상도 사이에 우수한 절충이 달성되도록 한다.
퓨필(pupil) 평면의 영역에서 이미징 광 경로의 마지막 미러 앞에 배열되고 볼록한 기본 형상을 갖는 미러는 이미징 광학 시스템의 우수한 페쯔발(petzval) 보정이 달성되도록 한다.
적어도 4개의 미러, 특히 6개의 미러를 갖는 이미징 광학 시스템은, 소형이고 이미징 에러에 관해 잘 보정되는 이미징 광학 시스템의 구성에 특히 적합해야 한다.
적어도 2개의 미러가 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖고, 주요 광선의 양의 각도 배율을 갖는 미러가 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖는 2개의 미러 사이에 배열되는, 주요 광선의 각도 배율을 갖는 미러를 구비한 이미징 광학 시스템은 낮은 최대 반사각을 갖는 시스템이 달성되도록 한다. 3개의 미러와, 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖는 이미징 광학 시스템이 또한 가능하다. 주요 광선의 각도 배율은 중앙 필드점에 속하는 주요 광선과 기준축 사이의 각도로 정의된다. 기준축은 프로젝션 노출 설비의 물체 평면에 수직이고, 물체 필드의 중앙점을 통해 연장한다.
이미지 평면에 관해 85°보다 큰 중앙 물체점의 중앙 이미징 빔(마지막 미러를 통해, 본질적으로 퓨필을 통해 나아감)의 빔 각도는 초점이 흐려질 때 이미지 평면에서 단지 낮은 측면 이미지 이동을 발생시킨다.
마지막 미러를 통해 나아간 이미징 광 경로가 상기 미러에서 관통-구멍의 영역에서의 중간 이미지 평면에 배열되는 중간 이미지를 가지며, 중간 이미지 평면과 물체 평면 사이의 광학 시스템의 부분을 갖는 적어도 2x의 감소하는 배율 레벨을 갖는 이미징 광학 시스템은, 이미지 필드 앞의 광 경로에서의 비교적 큰 끝에서 두 번째(penultimate) 미러가 사용되도록 한다. 한 편으로, 이것은 최대 반사각을 감소시키고, 다른 한 편으로 끝에서 두 번째 미러가 차폐되는 경우 퓨필 차폐 정도를 감소시킨다. 또한 2x보다 큰, 예를 들어 2.5x보다 큰, 또는 3.0x보다 큰, 특히 3.2x보다 큰 광학 시스템의 부분의 배율을 달성할 수 있다.
이미징 광 경로에서 끝에서 두 번째 미러가 되도록 배열되는 미러가 통과할 이미징 광을 위한 관통-구멍을 갖고, 이미지 평면이 특히 끝에서 두 번째 미러에 대해 상대적으로 중앙에 있을, 끝에서 두 번째 미러의 직경 1/5보다 적게 중심에서 벗어나도록, 끝에서 두 번째 미러 뒤에 배열되는 배열은 비교적 작은 관통-구멍을 갖는 끝에서 두 번째 미러가 사용되도록 한다. 이것은, 한 편으로 안정한 끝에서 두 번째 미러를 보장하고, 다른 한 편으로 낮은 퓨필 차폐를 보장한다.
500mm보다 더 큰, 바람직하게 1,000mm보다 더 큰, 심지어 더 바람직하게 1,500mm보다 더 큰 곡률 반경을 갖는 약간 굴곡된 끝에서 두 번째 미러는 미러의 직경에 대해 상대적으로 작은 관통-구멍이 주어진 이미지-측 개구수로 상기 끝에서 두 번째 미러에서 달성되도록 한다.
1mm2보다 큰 이미지 필드는, 이미징 광학 시스템이 프로젝션 노출 설비에 사용될 때 우수한 처리량을 초래한다.
적어도 0.4, 바람직하게 적어도 0.45, 심지어 더 바람직하게 적어도 0.5, 더 바람직하게 적어도 0.55, 더 바람직하게 적어도 0.6, 더 바람직하게 적어도 0.65, 더 바람직하게 적어도 0.7의 이미지 측 상의 이미지-측 개구수는 이미징 광학 시스템의 높은 해상도가 달성되도록 한다.
이미지-측 텔레센트릭 이미징 광학 시스템은, 예를 들어 이미징 배율을 변경시킬 필요 없이 이 시스템이 이미지 평면에서 다시 초점을 맞추도록 하여, 이미징 광학 시스템의 이용의 융통성을 증가시킨다. 물체-측 상에서, 이미징 광학 시스템은, 상이한 물체 필드점과 연관되지만 동일한 노출 방향과 연관되는 개별 광선이 수렴 방식으로 물체 필드로부터 이미징 광학 시스템에 들어가는 방식으로 형성될 수 있다. 대안적으로, 이러한 유형의 개별 광선이 발산 또는 평행 방식으로 이미징 광학 시스템에 들어가는 것이 가능하다. 후자의 경우는 물체-측 텔레센트릭 이미징 광학 시스템을 초래한다.
100mm보다 적은, 바람직하게 10mm보다 적은, 심지어 더 바람직하게 1mm보다 적은 낮은 물체-이미지 이동은 소형 이미징 광학 시스템을 초래하고, 더욱이 이미징 광학 시스템이 물체 또는 이미지 필드를 통해 연장하는 축 주위에 회전하고 대응하는 필드 평면에 수직으로 위치하는 광학 시스템 테스트 방법을 용이하게 하는 데, 이는 이 때 물체 또는 이미지 필드가 회전 동안 너무 멀리 이동되지 않기 때문이다.
미러가 서로 물체 평면 및/또는 이미지 평면에 수직으로 물체 필드와 이미지 필드 사이의 거리의 40%보다 큰 일정 거리에 있는 적어도 한 쌍의 인접한 미러는 작은 입사각이 이미징 광학 시스템을 통해 이미징 광의 광 경로에서 관찰되도록 한다. 작은 입사각으로 인해, EUV 파장 범위에서 높은 반사 미러를 달성하는 것이 또한 가능하다. 특히, 2, 3, 4 또는 그 이상의 쌍의 미러는 상기 거리 조건을 충족시킬 수 있다.
상기 미러 상에 작용하지 않는 가장 가까운 이미징 광 경로에 사용된 반사 표면으로부터 25mm 미만의 최소 거리를 갖는 적어도 하나의 미러를 이미징 광학 시스템이 구비하면, 미러 상의 입사각이 가능한 한 작게 유지되는 이미징 광학 시스템이 초래된다. 미러 상의 작은 입사각의 장점은 이전에 설명되었다. 특히, 이미징 광학 시스템의 2, 3 또는 4개의 미러는 상기 최소 거리에 있을 수 있다. 이러한 최소 거리는 바람직하게 25mm 미만이지만, 5mm보다 커서, 미러 상의 구조적 요구가 그리 크지 않다.
*이미징 광이 통과할 이미징 광을 위한 관통-구멍을 포함하는 미러에 의해 이미지 필드로 반사되고, 이미징 광 경로에서의 마지막 미러가 관통-구멍을 포함하는 이미징 광학 시스템은, 높은 개구수가 최소 이미징 에러를 갖는 소형 구조로 달성되도록 한다.
본 발명에 따른 이미지 광학 시스템을 포함하고, 조명 및 이미징 광을 위한 광원을 포함하고, 조명 광을 이미징 광학 시스템의 물체 필드로 향하게 하는 렌즈 시스템을 포함하고, 조명 광을 생성하는 광원이 10 내지 30nm의 파장으로 형성되는, 프로젝션 노출 설비의 장점은 본 발명에 따른 이미징 광학 시스템에 관해 이전에 설명된 것에 해당한다. 프로젝션 노출 설비의 광원은 광역 광원의 형태일 수 있고, 예를 들어 1nm보다 큰, 10nm보다 크거나 100nm보다 큰 대역을 가질 수 있다. 더욱이, 프로젝션 노출 설비는 상이한 파장의 광원으로 동작될 수 있도록 구성될 수 있다.
대응하는 장점은 또한, 레티클(reticle) 및 웨이퍼를 제공하는 단계, 본 발명에 따라 프로젝션 노출 설비를 이용함으로써 웨이퍼의 광-감지 층 상의 레티클 상에 구조를 투사하는 단계와, 웨이퍼 상에 미세구조를 제작하는 단계를 포함하는 제조 방법, 및 이를 통해 제작된 미세 구조 성분에 적용된다.
마이크로렌즈로서 이미징 광학 시스템을 이용하는 것은, 이러한 방식으로 사용될 때 광학 성분의 배열이 물체 평면과 이미지 평면이 교환되는 조건 하에 본 발명에 따른 배열에 대응하고, 리소그래픽 프로젝션 노출 설비를 갖는 프로젝션 노출에 대해 노출되거나 이미 노출된 기판을 검사할 때, 중간 이미지 영역에서, US 6 894 834 B2의 경우에서와 같이, 임의의 매우 작은 미러의 구멍이 뚫릴 필요가 없다는 장점을 초래한다.
본 발명의 실시예는 도면을 참조하여 더 구체적으로 다음에 설명될 것이다.
마이크로리소그래피를 위한 프로젝션 노출 설비(1)는 조명 광을 위한 광원(2)을 갖는다. 광원(2)은 10nm 내지 30nm의 파장 범위에서 광을 발생시키는 EUV 광원이다. 다른 EUV 파장도 또한 가능하다. 일반적으로, 예를 들어 가시 파장과 같은 임의의 바람직한 파장은 프로젝션 노출 설비(1)에서 유도된 조명 광에 대해 가능하다. 조명 광(3)의 광 경로는 도 1에 개략적으로 도시된다.
렌즈 시스템(5)은 조명 광(3)을 물체 평면(4)에서의 물체 필드로 유도하게 된다. 물체 필드는 미리 결정된 축소 규모로 이미지 평면(8)에서 이미지 필드(7)(도 3 참고)에서의 프로젝션 광학 시스템(6)에 의해 이미징된다. 프로젝션 광학 시스템(6)은 8의 인자만큼 그 크기를 축소시킨다. 다른 이미징 배율 레벨도 가능한데, 예를 들어 4x, 5x, 6x, 또는 심지어 8x보다 큰 이미징 배율 레벨도 가능하다. 8x의 이미징 배율 레벨은 특히 EUV 파장을 갖는 조명 광에 적합한데, 이는 반사 마스크 상의 물체 측 입사각이 작게 남아있을 수 있기 때문이다. NA=0.5의 프로젝션 광학 시스템의 이미지-측 개구는 물체-측 상의 6° 미만의 조명각을 생성한다. 8x의 이미지 배율 레벨은 불필요하게 커다란 마스크가 사용되는 것을 요구하지 않는다. 도 2에 따른 프로젝션 광학 시스템(6)에서, 이미지 평면(8)은 물체 평면(4)에 평행하게 배열된다. 또한 물체 필드와 일치하는, 레티클로 알려진 반사 마스크(9)의 부분은 이를 통해 이미징된다. 이미징은 기판 홀더(11)에 의해 지지되는 웨이퍼의 형태로 기판(10)의 표면 상에서 달성된다. 도 1에서, 프로젝션 광학 시스템(6)에 입사하는 조명 광(3)의 광 빔(12)은 레티클(9)과 프로젝션 광학 시스템 사이에 서 개략적으로 도시되고, 프로젝션 광학 시스템(6)으로부터 나오는 조명 광(3)의 광 빔(13)은 프로젝션 광학 시스템(6)과 기판(10) 사이에서 개략적으로 도시된다. 도 2에 따른 프로젝션 광학 시스템(6)의 이미지 필드-측 개구수는 0.50이다. 프로젝션 광학 시스템(6)은 이미지 측 상에서 텔레센트릭이다.
프로젝션 노출 설비(1)의 설명을 돕기 위해, xyz 데카르트 좌표 시스템이 도면에 제공되고, 도면에 나타난 성분의 각 위치를 도시한다. 도 1에서, x 방향은 도면에 수직으로 연장하고, y 방향은 우측으로 연장하고, z 방향은 아래쪽으로 연장한다.
프로젝션 노출 설비(1)는 스캐너-형 디바이스이다. 레티클(9) 및 기판(10) 모두는 프로젝션 노출 설비(1)의 동작 동안 y 방향으로 스캐닝된다.
도 2는 프로젝션 광학 시스템(6)의 광학 구조를 도시한다. 도 2에서, 서로 위에 있고 y 방향으로 서로 일정 거리에 있는 5개의 물체 필드점에서 나오는, 3개의 개별 광선(14) 각각의 광 경로가 도시되고, 각각 상기 5개의 물체 필드점 중 하나에 속하는 3개의 개별 광선(14)은 5개의 물체 필드점에 대한 3개의 상이한 조명 방향에 연관된다.
물체 필드(4)로부터, 개별 광선(14)은 다음에 미러(M1)로 표시되는 제 1 미러(15)에 의해 초기에 반사되고, 또한 다음에 광 경로의 시퀀스로 미러(M2, M3, M4, M5, M6)로 표시되는 추가 미러(16, 17, 18, 19, 20)에 의해 후속적으로 반사된다. 그러므로, 도 2에서의 프로젝션 광학 시스템(6)은 6개의 반사 미러를 갖는다. 상기 미러는, 예를 들어 EUV 파장을 갖는 파장으로 인해 필요한 경우 조명 광의 파 장에 대해 크기 반사되는 코팅을 갖는다. 크게 차이나는 파장을 갖는 복사선은 또한 렌즈 시스템(5) 및 프로젝션 광학 시스템(6)에서 유도될 수 있는데, 이는 이러한 광학 시스템이 실질적으로 무색 특성을 갖기 때문이다. 그러므로, 이러한 광학 시스템에서, 예를 들어 조정 레이저 또는 자동 초점 시스템의 동작 파장과 크게 다른 조명 광에 대한 파장을 이용함과 동시에, 조정 레이저를 향하게 하거나, 자동 초점 시스템을 동작시킬 수 있다. 따라서, 조정 레이저는 632.8nm, 248nm 또는 193nm로 동작할 수 있고, 이와 동시에 조명 광은 10 내지 30nm의 범위에서 동작된다.
미러(15, 17, 19)는 볼록한 기본 형상을 가져, 볼록한 최적합(convex best-fitted) 표면에 의해 설명될 수 있다. 특히 제 3 미러(17)는 볼록한 기본 형상을 갖는다. 미러(16, 18 및 20)는 오목한 기본 형상을 가져, 오목한 최적합 표면에 의해 설명될 수 있다. 다음 설명에서, 이러한 유형의 미러는 간단한 방식으로 단지 볼록 또는 오목으로서 언급된다. 오목 미러(17)는 프로젝션 광학 시스템(6)에서 우수한 페쯔발 보정을 제공한다.
이격된 물체 필드점에서 나오고 동일한 조명 방향과 연관되는 개별 광선(14)은 물체 평면(4)과 제 1 미러(M1) 사이에서 수렴 방식으로 프로젝션 광학 시스템(6)에 입사한다. 프로젝션 광학 시스템(6)의 설계는, 물체 필드점과 연관된 개별 광선(14)에 대한 동일한 조명 방향이 또한 이들 성분 사이에서 서로 평행하거나 발산 방식으로 연장하는 방식으로 조정될 수 있다. 후자의 변형은 물체 측 상에서 텔레센트릭 광 경로에 대응한다.
5개의 물체 필드 점(3)의 특정 조명 방향에 속하는 개별 광선(14)은, 미러(17)가 인접하여 배열되는 프로젝션 광학 시스템(6)의 퓨필 평면(21)에서 병합한다. 그러므로, 상기 미러(17)는 퓨필 미러로 또한 알려져 있다. 개구 조리개(aperture stop)는 조명 광선 빔을 제한하기 위해 퓨필 평면(21)에서 배열될 수 있다. 상기 개구 조리개는 기계적 및 착탈식 조리개에 의해, 또는 미러(M3)에 바로 도포된 적절한 코팅의 형태로 제공될 수 있다.
미러(15 내지 18)는 중간 이미지 평면(22)에서 물체 평면(4)을 이미징한다. 프로젝션 광학 시스템(6)의 중간 이미지-측 개구수는 0.2이다. 미러(15 내지 18)는 3.2x의 감소하는 배율 레벨로 프로젝션 광학 시스템(6)의 이미징 광학 시스템의 제 1 부분을 형성한다. 다음의 미러(19 및 20)는 2.5x의 감소하는 배율 레벨로 프로젝션 광학 시스템(6)의 이미징 광학 시스템의 추가 부분을 형성한다. 6번째 미러(20)에서, 중간 이미지 평면(22)의 영역에서, 관통-구멍(23)이 형성되고, 이를 통해 조명 또는 이미징 광(3)이 4번째 미러(18)에 의한 반사 이후에 5번째 미러(19)를 향해 통과한다. 차례로, 5번째 미러(19)는 중앙 관통-구멍(24)을 갖고, 이를 통해 광선 빔(13)은 6번째 미러(20)와 이미지 필드(8) 사이를 통과한다.
6번째 미러(20)와 함께, 이미지 평면(8)에서의 중간 이미지 평면(22)으로부터 조명 또는 이미징 광(3)을 이미징하는 5번째 미러(19)는, 프로젝션 광학 시스템(6)의, 제 1 퓨필 평면(21)에 결합된 추가 퓨필 평면(25) 근처에 배열된다. 추가 퓨필 평면(25)은 일반적으로 5번째 미러(19)와 6번째 미러(20) 사이의 이미징 광(3)의 광 경로에 위치하여, 추가 퓨필 평면(25)의 위치에 물리적으로 접근가능한 조리개 평면이 존재한다. 개구 조리개는 대안적으로 또는 추가적으로 이러한 다이어프램(diaphragm)에 배열될 수 있는데, 이는 퓨필 평면(21)의 영역에서 개구 조리개에 대해 이전에 설명된 바와 같다.
프로젝션 광학 시스템(6)은 퓨필 평면(20, 25) 중 하나에서 중심에 배열된 차폐 조리개(obscuration stop)를 갖는다. 이 수단에 의해, 미러(20, 19)에서 중앙 관통-구멍(23, 24)과 연관된 프로젝션 광 경로의 빔 부분은 차폐된다. 그러므로, 프로젝션 광학 시스템(6)의 구조는 또한 중앙 퓨필 차폐를 갖는 구조라 지칭될 수 있다.
출입 퓨필 평면(21)에서 프로젝션 광학 시스템(6)의 출입 퓨필에서 중앙에 조명된 지점에 중앙 물체 필드점을 연결시키는 마킹된 개별 광선(14)은 또한 다음에 중앙 필드점의 주요 광선(26)으로서 지칭될 것이다. 중앙 필드점의 주요 광선(26)은 6번째 미러(20) 상의 반사 이후에 이미지 평면(8)과 대략 직각을 이루어, 프로젝션 노출 설비(1)의 z-축에 대략 평행하게 연장한다. 상기 각은 임의의 경우에 85°보다 크다.
이미지 필드(7)는 직사각형이다. 이미지 필드(7)의 종횡비는 도 3에서 축적대로 도시되지 않는다. 이미지 필드(7)는 x 방향에 평행하게 13mm만큼 연장한다. 이미지 필드(7)는 y 방향에 평행하게 1mm만큼 연장한다. 이미지 필드(7)는 도 3에 도시된 바와 같이 5번째 미러(19) 뒤의 중심에 위치한다. 관통-구멍(24)의 반경(R)은 다음 수학식으로부터 계산될 수 있다:
Figure 112008003020108-pat00001
D는 이미지 필드(7)의 대각선이다. dw는 이미지 평면으로부터 미러(19)의 작용 거리이다. NA는 이미지 측 상의 개구수이다.
프로젝션 광학 시스템(6)의 모든 6개 미러(15 내지 20)는 회전 대칭 함수에 의해 설명될 수 없는 자유-형태 표면의 형태이다. 프로젝션 광학 시스템(6)의 다른 구성도 또한 가능한데, 여기서 미러(15 내지 20) 중 적어도 하나는 이러한 유형의 자유-형태 반사 표면을 포함한다.
회전 대칭 기준 표면(28)으로부터의 이러한 유형의 자유-형태 표면(27)의 제작은 도 4를 참조하여 다음에 설명될 것이다. 먼저, 이루어지고 있는 자유-형태 표면의 특성에 대한 정보가 얻어진다. 기준 표면(28)은 예를 들어 회전 대칭 비구면일 수 있다. 상기 설계 정보의 일부는 기준 표면(28)의 곡률 반경일 수 있고, 이 곡률 반경은 또한 1/c로 지칭되는데, c는 기준 표면(28)의 꼭지점 곡률을 나타낸다. 기준 표면(28)의 원추 상수(k) 및 기준 표면(28)을 설명하는 다항 계수는 또한 상기 정보의 일부이다.
대안적으로 또는 추가적으로, 기준 표면(28)을 특징짓는 정보는 또한 기준 미러 표면의 표면 측정, 예를 들어 간섭계로부터 얻어질 수 있다. 이러한 유형의 표면 측정은 기준 표면(28)을 설명하는 함수{z'(x', y')}를 생성하는데, z'는 도 4에 도시된 바와 같이, 상이한 (x', y') 좌표에 대한 z'-축을 따라 기준 표면(28)의 상승 높이를 나타낸다.
자유-형태 표면을 설계하는 이러한 제 1 단계는, 또한 표면 설명에 의해서만 한정되고 초기에 한정되지 않는 미러 표면의 부분을 결정하는 단계를 포함하는데, 이것은 이미지 필드(7)에서 물체 필드의 이미징 동안 조명 또는 이미징 광(3)을 반사하는데 실제로 사용될 것이다. 상기 영역은 또한 푸트프린트(footprint)로서 지칭된다. 미러의 푸트프린트는 프로젝션 광학 시스템(6)의 광선 트레이싱(ray tracing)에 의해 적어도 대략 결정될 수 있다. x 차원에서 가능한 푸트프린트에 대한 예는 도 4에 제공된다. xmin은 하한계를 나타내고, xmax는 예시적인 푸트프린트에 대한 상한계를 나타낸다. xmax보다 크고 xmin보다 작은 데이터는 유사하게 특정 한계 내에서 계산되어, 자유-형태 표면(27)을 결정할 때 어떠한 바람직하지 않은 에지 효과도 발생하지 않는다.
기준 표면(28)을 특징짓는 정보가 결정된 후에, 기준 표면(28)에 대한 국부 좌표계가 도입되는데, 여기서 기준 표면(28)의 중심 이탈(decentration) 및 경사(tilting) 모두가 0이다. 이에 따라 z'-축은 비구면 기준 표면(28)의 회전 대칭축이거나, 또는 기준 표면이 표면 측정에 얻어진 경우, 예를 들어 간섭계와 같은 측정 디바이스의 광축이다. z'-축은 일반적으로 프로젝션 노출 설비(1)의 xyz 좌표계의 z-축에 평행하게 변위되고, z-축에 대해 경사진다. 이것은 또한 다른 좌표축(x',y')에도 적용된다. 이러한 평행한 변위 또는 경사는 자유-형태 표면의 광학 설계에서의 초기 단계에서 결정된다.
비구면에 대한 대안으로서, 기준 표면(28)은 또한 구면 표면일 수 있다. 구 면 기준 표면(28)을 설명하기 위한 좌표 원점(xc, yc, zc)은 일반적으로 프로젝션 노출 설비(1)의 xyz 좌표계의 원점과 다르다.
기준 좌표(28)가 결정된 후에, 기준 표면(28) 상의 다수의 점들과 z'-축에 평행한 자유-형태 표면(27) 상의 점들 사이의 국부 거리(di)(i=1...N)가 결정된다. 이 때 상이한 국부 거리(di)는 제 2 조건들이 충족될 때까지 변한다. 상기 제 2 조건은 프로젝션 광학 시스템(6)의 특정한 이미징 에러 및/또는 조명 특성에 대한 미리 결정된 한계값이다.
자유 형태 표면은 다음 수학식에 의해 수치적으로 설명될 수 있다.
Figure 112008003020108-pat00002
여기서
Figure 112008003020108-pat00003
Z는 예를 들어 도 4에서 z'-축에 평행할 수 있는 Z-축에 평행한 자유-형태 표면의 상승 높이이다.
c는 대응하는 비구면의 꼭지점 곡률에 해당하는 상수이다. k는 대응하는 비구면의 원추 상수에 해당한다. Cj는 단항식(XmYn)의 계수이다. c, k 및 Cj의 값은 일반적으로 프로젝션 광학 시스템(6) 내부의 미러의 바람직한 광학 특성을 기초하여 결정된다. 단항식의 차수, 즉 m+n은 원하는 대로 변할 수 있다. 더 높은 차수의 단항식은 개선된 이미지 에러 보정을 갖는 프로젝션 광학 시스템의 설계를 초래할 수 있지만, 계산이 더 복잡해진다. m+n은 3의 값과 20보다 큰 값 사이의 값을 가질 수 있다.
자유-형태 표면은 또한 예를 들어 광학 설계 프로그램 CODE V®의 매뉴얼에 설명되는 Zernike 다항식에 의해 수치적으로 설명될 수 있다. 대안적으로, 자유-형태 표면은 2차원 스플라인(spline) 표면으로 설명될 수 있다. 그 예로는 Bezier 곡선 또는 비-균일 유리수 기초 스플라인(NURBS)이 있다. 2차원 스플라인 표면은 예를 들어 xy-평면에서의 점의 그리드 및 관련 z-값에 의해, 또는 상기 점 및 관련 그레디언트(gradient)에 의해 설명될 수 있다. 스플라인 표면의 각 유형에 따라, 완전한 표면은, 예를 들어 연속성 및 미분 가능성(differentiability)에 관해 특정한 특성을 갖는 다항식 또는 함수를 이용함으로써 그리드 점 사이에 보간함으로써 얻어질 것이다. 그 예는 해석 함수를 포함한다.
미러(15 내지 20)는 입사 EUV 조명 광(3)에 대한 반사를 최적화하기 위해 다중 반사 코팅을 갖는다. 미러 표면상의 개별 광선(14)의 입사각이 수직 입사에 더 가까워질수록 반사는 더 나아진다. 프로젝션 광학 시스템(6)은 모든 개별 광선(14)에 대해 매우 작은 반사각을 갖는다. 미러(15 내지 20) 중 하나 상의 점에 충돌하는 개별 광선(14)과 이러한 점으로부터 반사된 개별 광선(14) 사이의 각도 절반은 다음에 이러한 점의 반사각으로서 지칭될 것이다.
프로젝션 광학 시스템(6)에서의 최대 반사각은 5번째 미러(19)의 외부 에지에서 개별 광선(14)의 각도이다. 이러한 각도(α)는 프로젝션 광학 시스템(6)에서 대략 16°이다. 최대 반사각(α)을 개구수로 나눈 값은 이에 따라 도 2에 도시된 프로젝션 광학 시스템(6)에서 32°이다.
반사 미러 상의 입사 점의 위치 상의 반사각의 크기의 종속성은 다음에 도 5에 도시된 샘플 반사 미러(29)의 일례로 개략적으로 설명될 것이다. 도면에서, 개별 광선(14a, 14b, 14c)의 발산 빔은 샘플 반사 미러(29)의 반사 표면(30)에 충돌한다. 반사 표면(30)은 볼록하다. 반사 표면(30)의 집합 효과(collective effect)로 인해, 개별 광선(14a, 14b, 14c)으로 만들어진 하강 입사빔은 편향되어 반사된 수렴빔을 형성한다. 반사 표면(30) 상의 에지에 가장 가깝게 충돌하는 개별 광선(14a)은 가장 큰 반사각(α)으로 편향되고, 중앙 개별 광선(14b)은 그에 비해 더 작은 반사각(β)으로 편향되고, 샘플 반사 미러(29)의 에지로부터 가장 먼 개별 광선(14c)은 가장 작은 반사각(γ)에 의해 편향된다.
프로젝션 광학 시스템(6) 내의 광 경로는 추가적으로 주요 광선의 각도 배율의 시퀀스에 의해 특징지어질 수 있다. 이것은 개략도 6 및 7을 참조하여 다음에 설명될 것이다. 도 6에서, 주요 광선(26)은, 프로젝션 노출 설비(1)의 물체 평면(4)에 수직으로 연장하는 기준 축(32)과 각도(α)로 샘플 반사 미러(31) 상으로 방사된다. 미러(M4)에까지 미치며 이를 포함하는, 물체 필드 측 상에, 기준 축(32)은 물체 필드의 중심에 의해 추가적으로 한정된다. 기준 축(32)은 일반적으로 z-축과 일치하지 않지만, 상기 축에 평행하게 이어진다. 샘플 반사 미러(31)에 의해 반사된 후에, 주요 광선(26)은 기준 축(32)과 각도(β)로 다시 반사된다. 각도(α,β) 모두가 0과 90° 사이이기 때문에, 나눈 값 tanα/tanβ는 양의 값이다. 그러 므로, 샘플 반사 미러(31)는 주요 광선의 양의 각도 배율을 갖는다.
도 7은 주요 광선의 음의 각도 배율의 경우를 도시한다. 입사 주요 광선(26)은 0과 90° 사이인 각도(α)로 기준 축(32)을 교차한다. 샘플 반사 미러(33)에 의해 반사된 주요 광선(26)은 사실상 기준 축(32)에 대해 90와 180° 사이의 각도(β)를 수용한다. 이 경우에, 나눈 값 tanα/tanβ는 이에 따라 음의 값이다.
프로젝션 광학 시스템(6)에서, 제 1 미러(15)는 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖는다. 제 2 미러(16)는 주요 광선의 양의 각도 배율을 갖는다. 제 3 미러(17)는 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖는다. 제 4 미러(18)의 각도 배율은 무한값인데, 이는 각도(β)가 그 위치에서 180°이기 때문이다.
도 8은 다시 프로젝션 광학 시스템(6)의 추가 특징 값, 즉 물체-이미지 이동(dois)을 명백히 보여주기 위해 프로젝션 노출 설비(1)의 약간 변형된 도면을 도시한다. 이것은 이미지 평면(8) 상으로의 중앙 물체 점의 수직 프로젝션과 중앙 이미지 점 사이의 거리로서 정의된다. 도 2에 도시된 프로젝션 광학 시스템(6)에서, 물체-이미지 이동(dois)은 1mm 미만이다.
도 9는 프로젝션 광학 시스템(6)의 추가 특징, 즉 자유 작용 거리(dw)를 나타낸다. 이것은 이미지 평면(8)과, 프로젝션 광학 시스템(6)의 미러 중 하나, 즉 도 2에 도시된 실시예에서의 미러(19)의, 이 평면(8)에 가장 가까운 부분(34) 사이의 거리로서 정의된다.
프로젝션 광학 시스템(6)에서, 자유 작용 거리(dw)는 40mm이다. 그러므로, 이미지 평면(8)에 가장 가까운 5번째 미러(19)는 5번째 미러(19)의 충분한 안정성을 제공하는 두께를 갖게 구성될 수 있다. 이러한 유형의 미러에 대한 물질은 예를 들어 수정, 제로듀어(zerodur) 또는 실리콘 카바이드 혼합물을 포함한다. 초저 팽창 계수를 갖는 다른 물질도 사용될 수 있다. 이러한 유형의 물질의 예는 "ULE"라는 명칭으로 미국, Corning이 판매한 제품으로부터 알려져 있다.
프로젝션 광학 시스템(6)의 광학 데이터는 다음에 요약된다:
이미지-측 개구수(NA)는 0.5이다. 이미지 필드의 크기는 1x13mm2이다. 감소 배율 레벨은 8x이다. 이미지 필드(7)는 직사각형이다. 조명 광의 파장은 13.5nm이다. 미러(M1 내지 M6)(음의 N; 양의 P)의 광학적 효과의 시퀀스는 NPNPNP이다. 주요 광선은 물체 평면으로부터 수렴 방식으로 프로젝션 광학 시스템에 입사한다. 개구 조리개는 에지에서 조명 광을 한정하기 위해 미러(M3) 상에 배열된다. 물체 평면(4)과 이미지 평면(8) 사이의 z-거리는 1,500mm이다. 물체 이미지 이동은 0.42mm이다. 퓨필 평면에서의 조명 표면의 5.9%는 차폐된다. 프로젝션 광학 시스템은 조명 광(3)의 파장의 단위에서 0.02의 파면 에러(rms)를 갖는다. 왜곡은 12nm이다. 필드 곡률은 9nm이다. 중앙 물체 필드점에서의 주요 광선의 각도는 5.9°이다. 미러(M1)는 117x61mm2의 치수(xy)를 갖는다. 미러(M2)는 306x143mm2의 치수를 갖는다. 미러(M3)는 80x77mm2의 치수를 갖는다. 미러(M4)는 174x126mm2의 치수를 갖는다. 미러(M5)는 253x245mm2의 치수를 갖는다. 미러(M6)는 676x666mm2의 치수를 갖는다. 미 러(M1 내지 M6) 상에서 중앙 물체 필드점의 주요 광선(26)의 주요 광선 입사각의 시퀀스는 16.01°, 7.14°, 13.13°, 7.21°, 0.0° 및 0.0°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 최대 입사각의 시퀀스는 22.55°, 9.62°, 13.90°, 10.16°, 16.23°, 4.37°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 입사각의 대역의 시퀀스는 13.12°, 5.07°, 1.58°, 0.10°, 16.23° 미만 및 4.37° 미만이다. 물체 평면(4)에서의 작용 거리는 100mm이다. 이미지 평면(8)에서의 작용 거리는 40mm이다. 물체 평면(4)과 미러(M1) 사이의 거리에 대한 물체 평면(4)과 미러(M2) 사이의 거리의 비율은 4.25이다. 인접한 각 미러(M2-M3, M4-M5, M5-M6) 사이와, 또한 미러(M6)와 이미지 평면(8) 사이에서는, 물체 평면(4)과 이미지 평면(8) 사이의 z-거리의 40%보다 큰 거리를 갖는다. 미러(M1 및 M4)는 25mm 미만의 사용된 반사 표면으로부터, 상기 미러(자유 보드) 상에 작용하지 않는 가장 가까운 이미징 광 경로로 최소 거리를 갖는다.
프로젝션 광학 시스템(6)의 미러(M1 내지 M6)의 반사 표면의 광학 설계 데이터는 다음 표로부터 수집될 수 있다. 상기 표 중 첫 번째 표는, 광학 성분 및 개구 조리개에 대해 물체 평면에서 시작하여, 광 경로에서 인접한 요소의 z-거리에 대응하는 거리 값(두께) 및 꼭지점 곡률(반경)의 각 역수값을 도시한다. 두 번째 표는 미러(M1 내지 M6)에 대한 전술한 자유-형태 표면 수학식에서 단항식 XmYn의 계수(Cj)를 보여준다. 두 번째 표의 마지막에서, 각 미러가 미러 기준 설계로부터 중심 이탈(Y-중심 이탈) 및 회전(X-회전)되는 값은 mm로 주어진다. 이것은 전술한 자 유-형태 표면 설계 방법에서 평행 변위 및 경사에 대응한다. 이에 따라 변위는 y 방향에서 발생하고, 경사는 x 축 주위에서 발생한다. 회전각은 °로 주어진다.
Figure 112008003020108-pat00004
Figure 112008003020108-pat00005
도 10은 프로젝션 노출 설비(1)에서, 프로젝션 광학 시스템(6) 대신에 사용될 수 있는 프로젝션 광학 시스템(35)의 추가 실시예를 도시한다. 도 1 내지 9를 참조하여 이전에 설명된 것에 대응하는 성분 또는 기준량은 동일한 참조 번호를 가져서 다시 구체적으로 설명되지 않을 것이다.
프로젝션 광학 시스템(35)은 또한 총 6개의 반사 미러를 갖는데, 이러한 미러들은 광 경로 시퀀스의 물체 평면(4)에서 시작하여, 참조 번호(36 내지 41)를 갖고, 또한 다음에서 미러(M1 내지 M6)로 지칭될 것이다. 모든 미러(36 내지 41)는 회전 대칭 함수로 설명될 수 없는 반사 자유-형태 표면을 갖는다. 미러(36, 38 및 40)는 볼록한 기본 형상을 갖고, 미러(37, 39, 41)는 오목한 기본 형상을 갖는다.
프로젝션 광학 시스템(35)은 8의 감소 인자를 갖는다. 프로젝션 광학 시스템(36)은 0.5의 이미지-측 개구수를 갖는다. 프로젝션 광학 시스템(35)의 이미지 필드(7)의 치수는 프로젝션 광학 시스템(6)의 치수와 정확히 동일하다. 중간 이미지-측 개구수는 0.28이다.
제 1 미러(36)는 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖는다. 제 2 미러(37)는 주요 광선의 양의 각도 배율을 갖는다. 제 3 미러(38)는 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖는다. 제 4 미러(39)는 주요 광선의 무한한 각도 배율을 갖는데, 이는 주요 광선(26)이 이미지 평면(8)에 수직이 되도록 제 4 미러(39)로부터 연장하기 때문이다.
프로젝션 광학 시스템(35)에서, 물체-이미지 이동은 프로젝션 광학 시스템(6)에서보다 상당히 더 크고, 134mm이다.
프로젝션 광학 시스템(35)에서 5번째 미러(40)의 에지에서 광선에 의해 또한 달성되는 최대 반사각(α)은 17°이다. 최대 반사각(α)을 이미지-측 개구수로 나눈 값은 34°이다.
42mm에서, 프로젝션 광학 시스템(35)에서의 자유 작용 거리(dw)는 프로젝션 광학 시스템(6)의 자유 작용 거리와 유사하다.
프로젝션 광학 시스템(35)의 광학 데이터는 다음에서 다시 요약된다:
이미지-측 개구수(NA)는 0.5이다. 이미지 필드(7)의 치수는 1x13mm2이다. 감소 배율 레벨은 8x이다. 이미지 필드(7)는 직사각형이다. 조명 광(3)의 파장은 13.5nm이다. 미러(M1 내지 M6)(음의 N; 양의 P)의 광학적 효과의 시퀀스는 PPNPNP이다. 이미지-측에서, 프로젝션 광학 시스템(35)은 사실상 텔레센트릭이다. 에지에서의 조명 광을 한정하기 위한 개구 조리개는 미러(M3) 상에 배열된다. 물체 평면(4)과 이미지 평면(8) 사이의 z-거리는 1,823mm이다. 물체-이미지 시프트는 134mm이다. 퓨필 평면에서 조명된 표면의 9.2%는 차폐된다. 중앙 물체 필드점에서의 주요 광선의 각도는 6°이다. 미러(M1)는 241x138mm2의 치수(xy)를 갖는다. 미러(M2)는 377x269mm2의 치수를 갖는다. 미러(M3)는 80x75mm2의 치수를 갖는다. 미러(M4)는 246x197mm2의 치수를 갖는다. 미러(M5)는 352x304mm2의 치수를 갖는다. 미러(M6)는 776x678mm2의 치수를 갖는다. 미러(M1 내지 M6) 상에서 중앙 물체 필드점의 주요 광선의 입사각의 시퀀스는 7.10°, 5.19°, 13.66°, 4.60°, 0.0° 및 0.02°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 최대 입사각의 시퀀스는 12.23°, 5.53°, 15.43°, 7.33°, 16.98°, 5.51°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 입사각의 대역의 시퀀스는 9.93°, 0.78°, 2.98°, 5.27°, 16.98° 미만 및 5.51° 미만이다. 물체 평면(4)에서의 작용 거리는 336mm이다. 이미지 평면(8)에서의 작용 거리는 42mm이다. 물체 평면(4)과 미러(M1) 사이의 거리에 대한 물체 평면(4)과 미러(M2) 사이의 거리의 비율은 3.04이다. 미러(M1 및 M4)는 25mm 미만의 상기 미러(자유 보드) 상에 작용하지 않는 가장 가까운 이미징 광 경로와 사용된 반사 표면 사이에 최소 거리를 갖는다. 물체 평면(4)과 미러(M1) 사이의 거리와, 미러 쌍(M2-M3 및 M4-M5) 사이의 거리는 물체 평면과 이미지 평면 사이의 거리의 40%보다 크다.
프로젝션 광학 시스템(35)의 미러(M1 내지 M6)의 반사 표면의 광학 설계 데이터는 도 2에 따른 프로젝션 광학 시스템에 대한 표에 대응하는 다음의 표로부터 수집될 수 있다.
Figure 112008003020108-pat00006
Figure 112008003020108-pat00007
도 11은 프로젝션 노출 설비(1)에서 프로젝션 광학 시스템(6) 대신에 사용될 수 있는 프로젝션 광학 시스템(42)의 추가 구성을 도시한다. 도 1 내지 10을 참조하여 이전에 설명된 것에 대응하는 구성 또는 참조 번호는 동일한 참조 번호를 가져서, 구체적으로 다시 설명되지 않을 것이다.
프로젝션 광학 시스템(42)은 또한 총 6개의 반사 미러를 갖는데, 이러한 미러들은 광 경로 시퀀스에 따라 물체 평면(4)에서 시작하여, 참조 번호(43 내지 48) 를 갖는다. 상기 미러는 또한 다음에서 미러(M1 내지 M6)로 지칭될 것이다. 프로젝션 광학 시스템(42)에서, 모든 반사 표면은 회전 대칭 함수로 설명될 수 없는 자유-형태 표면으로 형성된다.
제 1 미러(43)는 오목하지만, 매우 약간 굴곡져서, 제로 베이스 곡선을 갖는 미러를 형성하거나 볼록하게 굴곡진 미러를 형성하도록 간단히 변형될 수 있다. 제 2 미러(44)는 오목하고, 제 3 미러(45)는 볼록하다. 제 4 미러(46)는 오목하다. 제 5 미러(47)는 볼록하다. 제 6 미러(48)는 오목하다.
제 1의 3개 미러(43 내지 45) 각각은 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖는다. 제 4 미러(46)의 주요 광선의 각도 배율은 무한한데, 이는 주요 광선(26)이 제 4 미러(46)에 의한 반사 이후에 이미지 평면(8)에 수직으로 연장하기 때문이다.
프로젝션 광학 시스템(42)은 0.5의 이미지-측 개구수를 갖는다. 프로젝션 광학 시스템(42)은 0.11의 중간 이미지-측 개구수를 갖는다.
프로젝션 광학 시스템(42)에서, 자유 작용 거리(dw)는 20mm이다.
프로젝션 광학 시스템(42)은 8의 감소 인자를 갖는다.
프로젝션 광학 시스템(42)에서의 이미지 필드의 치수는 프로젝션 광학 시스템(6 및 35)의 치수에 대응한다.
프로젝션 광학 시스템(42)에서, 5번째 미러(40) 상에 반사된 외부 에지 광선에서 최대 반사각이 달성되고, α= 16°이다. 프로젝션 광학 시스템(42) 내의 조명 광(3)의 최대 반사각을 이미지-측 개구수로 나눈 값은 32이다.
프로젝션 광학 시스템(42)의 광학 데이터는 다음에서 다시 요약된다:
이미지-측 개구수(NA)는 0.5이다. 이미지 필드의 치수는 1x13mm2이다. 감소 이미징 배율 레벨은 8x이다. 이미지 필드(7)는 직사각형이다. 조명 광(3)의 파장은 13.5nm이다. 미러(M1 내지 M6)(음의 N; 양의 P)의 광학적 효과의 시퀀스는 PPNPNP이다. 주요 광선은 물체 평면(4)으로부터 프로젝션 광학 시스템(42)으로 수렴하여 입사한다. 에지에서의 조명 광을 한정하기 위해 개구 조리개는 미러(M2) 상에 배열된다. 물체 평면(4)과 이미지 평면(8) 사이의 z-거리는 1,700mm이다. 물체-이미지 이동은 393mm이다. 퓨필 평면에서 조명된 표면의 17.0%는 차폐된다. 프로젝션 광학 시스템(42)은 조명 광(3)의 파장의 단위에서 0.100의 파면 에러(rms)를 갖는다. 왜곡은 16nm이다. 이미지 필드 곡률은 35nm이다. 중앙 물체 필드점에서의 주요 광선의 각도는 6°이다. 미러(M1)는 164x134mm2의 치수(x/y)를 갖는다. 미러(M2)는 312x170mm2의 치수를 갖는다. 미러(M3)는 147x155mm2의 치수를 갖는다. 미러(M4)는 354x196mm2의 치수를 갖는다. 미러(M5)는 103x96mm2의 치수를 갖는다. 미러(M6)는 457x444mm2의 치수를 갖는다. 미러(M1 내지 M6) 상에서 중앙 물체 필드점의 주요 광선(26)의 주요 광선 입사각의 시퀀스는 3.54°, 5.15°, 9.11°, 4.45°, 0.01° 및 0.01°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 최대 입사각의 시퀀스는 6.18°, 5.62°, 9.80°, 6.85°, 15.94°, 2.36°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 입사각의 대역의 시퀀스는 5.16°, 1.08°, 1.52°, 4.63°, 15.94° 미만 및 2.38° 미만이다. 물체 평면(4)에서의 작용 거리는 200mm이다. 이미지 평면(8)에서의 작용 거리는 20mm이다. 물체 평면(4)과 미러(M1) 사이의 거리에 대한 물체 평면(4)과 미러(M2) 사이의 거리의 비율은 5.07이다. 미러(M1 및 M2)는 25mm 미만의 상기 미러(자유 보드) 상에 작용하지 않는 가장 가까운 이미징 광 경로와 사용된 반사 표면 사이에 최소 거리를 갖는다. 물체 평면(4)과 미러(M1) 사이의 거리와, 미러 쌍(M1-M2, M2-M3, M3-M4, M4-M5) 사이의 거리는 물체 평면과 이미지 평면 사이의 거리의 40%보다 크다.
프로젝션 광학 시스템(42)의 미러(M1 내지 M6)의 반사 표면의 광학 설계 데이터는 도 2에 따른 프로젝션 광학 시스템(6)에 대해 이전에 제공된 표에 대응하는 다음의 표로부터 수집될 수 있다.
Figure 112008003020108-pat00008
Figure 112008003020108-pat00009
도 12는 프로젝션 광학 시스템(6) 대신에 UV 조명의 경우에, 프로젝션 노출 설비(1)에서 사용될 수 있는 프로젝션 광학 시스템(49)의 추가 실시예를 도시한다. 도 1 내지 11을 참조하여 이전에 설명된 것에 대응하는 구성 또는 참조 번호는 동일한 참조 번호를 가져서, 구체적으로 다시 설명되지 않을 것이다.
프로젝션 광학 시스템(49)은 또한 총 6개의 반사 미러를 갖는데, 이러한 미러들은 이미징 광 경로 시퀀스에 따라 물체 평면(4)에서 시작하여, 참조 번호(50 내지 55)를 갖는다. 상기 미러는 또한 다음에서 미러(M1 내지 M6)로 지칭될 것이다. 프로젝션 광학 시스템(49)에서, 모든 반사 표면은 회전 대칭 함수로 설명될 수 없는 자유-형태 표면으로 형성된다.
도 12에 도시된 구성에서, 미러의 기본 곡선의 시퀀스는 도 11의 구성에서와 동일하다. 다시, 제 1 미러는 매우 약간 굴곡져서, 제로 기본 곡선(평면 기본 곡선)을 갖는 미로로 간단히 변환될 수 있거나, 볼록 기본 곡선을 갖는 미러로 변환될 수 있다.
제 1의 3개 미러(50 내지 52) 각각은 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖는다. 제 4 미러(53)의 주요 광선의 각도 배율은 무한한데, 이는 주요 광선(26)이 제 4 미러(53) 상의 반사 이후에 이미지 평면(8)에 수직으로 연장하기 때문이다.
프로젝션 광학 시스템(49)은 0.7의 이미지-측 개구수를 갖는다. 프로젝션 광학 시스템(49)은 0.14의 중간 이미지-측 개구수를 갖는다.
프로젝션 광학 시스템(49)에서, 자유 작용 거리(dw)는 20mm이다.
프로젝션 광학 시스템(49)은 8의 감소 인자를 갖는다.
프로젝션 광학 시스템(49)에서, 이미지 필드 치수는 프로젝션 광학 시스템(6, 35 및 42)의 치수에 대응한다. 이미지 필드 치수는 13x1mm2이다.
프로젝션 광학 시스템(49)에서, 5번째 미러(54) 상에 반사된 외부 에지 광선에서 최대 반사각이 달성되고, α= 23.8°이다. 프로젝션 광학 시스템 내의 조명 광(3)의 최대 반사각을 이미지-측 개구수로 나눈 값은 34°이다.
프로젝션 광학 시스템(49)의 광학 데이터는 다음에서 다시 요약된다:
이미지-측 개구수(NA)는 0.7이다. 이미지 필드(7)의 치수는 1x13mm2이다. 감소 배율 레벨은 8x이다. 이미지 필드(7)는 직사각형이다. 조명 광(3)의 파장은 193.0nm이다. 미러(M1 내지 M6)(음의 N; 양의 P)의 광학적 효과의 시퀀스는 PPNPNP이다. 주요 광선은 물체 평면(4)으로부터 프로젝션 광학 시스템(49)으로 수렴 방식으로 입사한다. 에지에서의 조명 광을 한정하기 위해 개구 조리개는 미러(M2) 상에 배열된다. 물체 평면(4)과 이미지 평면(8) 사이의 z-거리는 1,700mm이다. 물체-이미지 이동은 549mm이다. 퓨필 평면에서 조명된 표면의 11.6%는 차폐된다. 프로젝션 광학 시스템(49)은 조명 광의 파장의 단위에서 0.053의 파면 에러(rms)를 갖는다. 왜곡은 400nm이다. 이미지 필드 곡률은 130nm이다. 중앙 물체 필드점에서의 주요 광선의 각도는 6°이다. 미러(M1)는 204x184mm2의 치수(x/y)를 갖는다. 미러(M2)는 652x271mm2의 치수를 갖는다. 미러(M3)는 192x260mm2의 치수를 갖는다. 미러(M4)는 515x347mm2의 치수를 갖는다. 미러(M5)는 162x153mm2의 치수를 갖는다. 미러(M6)는 643x619mm2의 치수를 갖는다. 미러(M1 내지 M6) 상에서 중앙 물체 필드점의 주요 광선(26)의 주요 광선 입사각의 시퀀스는 5.40°, 8.76°, 11.83°, 5.37°, 0.01° 및 0.02°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 최대 입사각의 시퀀스는 9.70°, 10.06°, 13.22°, 8.94°, 24.04°, 3.62°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 입사각의 대역의 시퀀스는 8.23°, 2.81°, 3.10°, 6.95°, 24.01° 미만 및 3.62° 미만이다.
물체 평면(4)에서의 작용 거리는 200mm이다. 이미지 평면(8)에서의 작용 거리는 20mm이다. 물체 평면(4)과 미러(M1) 사이의 거리에 대한 물체 평면(4)과 미러(M2) 사이의 거리의 비율은 5.11이다. 미러(M1 내지 M3)는 25mm 미만의 상기 미러(자유 보드) 상에 작용하지 않는 가장 가까운 이미징 광 경로와 사용된 반사 표면 사이에 최소 거리를 갖는다. 물체 평면(4)과 미러(M1) 사이의 거리와, 미러 쌍(M1-M2, M2-M3, M3-M4, M4-M5) 사이의 거리는 물체와 이미지 평면 사이의 거리의 40%보다 크다.
미러(M1 내지 M6)의 반사 표면의 광학 설계 데이터는 전술한 도 2의 프로젝션 광학 시스템(6)의 표에 대응하는 다음의 표로부터 수집될 수 있다.
Figure 112008003020108-pat00010
Figure 112008003020108-pat00011
도 13은, 프로젝션 노출 또는 리소그래피에 요구된 프로젝션 마스크의 검사 또는 노출된 웨이퍼(10)의 검사에 사용될 수 있는 현미경 렌즈(56)를 도시한다. 현미경 렌즈는 현미경 이미지 평면(58) 상에 프로젝션 노출 설비(1)의 투사 동안 이미지 평면(8)과 일치하는 현미경 물체 평면 또는 기판 평면(57)을 이미징한다. 현미경 렌즈(56)의 구성은 예를 들어 도 2에서의 프로젝션 물체(6)의 구성과 유사하지만, 현미경 렌즈(56)에서, 물체 및 이미지 평면이 프로젝션 광학 시스템(6)과 비 교하여 교환된다는 점에서 차이가 있다. 그러므로, 분석될 물체는 현미경 렌즈(56)의 높은 개구 부분에 위치하고, 예를 들어 CCD 카메라와 같은 이미지-리코딩 디바이스는 현미경 렌즈(56)의 낮은 개구 부분에 위치한다. 현미경 이미지 평면(58)과 기판 평면(57) 사이의 광 경로에서, 현미경 렌즈(56)는 총 4개의 미러(59 내지 62)를 갖는데, 이러한 4개의 미러는 이러한 순서로 번호가 정해지고, 또한 M1 내지 M4로 지칭된다. 현미경 렌즈(56)의 제 3 미러(61) 및 제 4 미러(62)는, 그 설계 위치 및 관통-구멍(23, 24)에 관해 전술한 프로젝션 광학 시스템의 미러(M5, M6)에 대응한다. 4개의 미러(59 내지 62)는 회전 대칭 함수로 설명될 수 없는 자유-형태 표면으로서 구성된다. 대안적으로, 미러(59 내지 62) 중 적어도 하나가 이러한 유형의 자유-형태 반사 표면을 갖는 것이 또한 가능하다.
제 1 미러(59)는 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖는다. 제 2 미러(60)는 주요 광선의 무한한 각도 배율을 갖는데, 이는 주요 광선(26)이 제 2 미러(60)로부터 기판 평면(57)에 수직으로 연장하기 때문이다. 제 3 미러(61) 및 제 4 미러(62)의 주요 광선의 각도 배율은 이에 대응하여 한정되지 않는다.
현미경 렌즈(56)는 0.7의 개구수를 갖는다. 현미경 렌즈(56)는 0.17의 중간 이미지-측 개구수를 갖는다.
현미경 렌즈(56)에서, 최대 반사각(α)은 관통-구멍(24)을 포함하는 미러(57)의 외부 에지 광선에 의해 다시 달성되고, 24°이다. 이에 따라, 이러한 반사각을 개구수로 나눈 값은 34°이다.
프로젝션 광학 시스템(6, 35, 42, 49) 및 현미경 렌즈(56)는 EUV 파장과 다 른 조명 또는 이미징 광(3)의 파장을 이용하여 동작될 수 있다. 예를 들어, 또한 가시 파장에 대해 상기 자유-형태 구조를 이용하는 것이 가능하다.
프로젝션 광학 시스템(6, 35, 42, 49), 현미경 렌즈(56) 및 도 14 내지 17에 관해 다음에 설명된 광학 시스템은, 관통-구멍(23, 24)의 영역에서의 광 경로를 제외하고, 항상 25mm 미만이지만, 1mm보다 큰, 바람직하게 5mm보다 큰 거리가, 바람직한 방식으로 조명 광(3)의 반사에 의해 작용하지 않을 때는 미러(M1 또는 M6), 또는 작용할 때는 미러(59 내지 62) 각각과 개별 광선(14) 사이에 유지되도록 구성될 수 있다. 이것은 각 광학 시스템의 구조적 요건을 간략화한다.
도 14는 프로젝션 광학 시스템(6) 대신에, 다시 EUV 조명으로 프로젝션 노출 설비(1)에서 사용될 수 있는 프로젝션 광학 시스템(63)의 추가 실시예를 도시한다. 도 1 내지 12의 프로젝션 광학 시스템(6, 35, 42, 49)에 관해 이전에 설명된 것에 대응하는 구성 또는 참조 번호는 동일한 참조 번호를 가져서, 구체적으로 다시 설명되지 않을 것이다. 다음에서, 프로젝션 광학 시스템(63)과 전술한 프로젝션 광학 시스템(6, 35, 42, 49) 사이의 실질적인 차이가 설명될 것이다.
프로젝션 광학 시스템(63)에 대한 광학 데이터는 다음과 같다:
이미지-측 개구수(NA)는 0.6이다. 이미지 필드(7)의 치수는 1x13mm2이다. 감소 배율 레벨은 8x이다. 이미지 필드(7)는 직사각형이다. 조명 광(3)의 파장은 13.5nm이다. 프로젝션 광학 시스템(63)은 6개의 미러(M1 내지 M6)를 갖는다. 미러(M1 내지 M6)(음의 N; 양의 P)의 광학적 효과의 시퀀스는 NPNPNP이다. 프로젝션 광학 시스템(63)의 단일 중간 이미지는 미러(M4 및 M5) 사이에 존재한다. 주요 광선은 물체 평면(4)으로부터 수렴 방식으로 프로젝션 광학 시스템(63)에 입사한다. 에지에서의 조명 광을 한정하기 위해 개구 조리개는 미러(M3) 상에 배열된다. 물체 평면(4)과 이미지 평면 사이의 z-거리는 1,500mm이다. 물체-이미지 이동은 7.07mm이다. 퓨필 평면에서 조명된 표면의 5.7%는 차폐된다. 프로젝션 광학 시스템(63)은 조명 광(3)의 파장의 단위에서 0.034의 파면 에러(rms)를 갖는다. 왜곡은 15nm이다. 이미지 필드 곡률은 10nm이다. 중앙 물체 필드점에서의 주요 광선의 각도는 5.9°이다. 미러(M1)는 126x73mm2의 치수(x/y)를 갖는다. 미러(M2)는 339x164mm2의 치수를 갖는다. 미러(M3)는 100x96mm2의 치수를 갖는다. 미러(M4)는 196x150mm2의 치수를 갖는다. 미러(M5)는 307x298mm2의 치수를 갖는다. 미러(M6)는 814x806mm2의 치수를 갖는다. 미러(M1 내지 M6) 상에서 중앙 물체 필드점의 주요 광선(26)의 주요 광선 입사각의 시퀀스는 18.61°, 8.76°, 15.44°, 8.53°, 0.00° 및 0.00°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 최대 입사각의 시퀀스는 26.60°, 11.80°, 15.98°, 12.32°, 20.14°, 5.11°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 입사각의 대역의 시퀀스는 16.06°, 6.30°, 1.03°, 7.87°, 20.14° 미만 및 5.11° 미만이다. 미러(M1 내지 M3)의 주요 광선의 각도 배율의 시퀀스(음의 N; 양의 P)는 NPN이다. 물체 평면(4)에서의 작용 거리는 102mm이다. 이미지 평면에서의 작용 거리는 40mm이다. 물체 평면(4)과 미러(M1) 사이의 거리에 대한 물체 평면(4)과 미러(M2) 사이의 거리의 비율은 4.13이다. 미러(M1 및 M4)는 25mm 미만의 상기 미러(자유 보드) 상에 작 용하지 않는 가장 가까운 이미징 광 경로와 사용된 반사 표면 사이에 최소 거리를 갖는다. 미러 쌍(M1-M2, M2-M3, M3-M4, M4-M5) 사이의 거리와, 미러(M6)와 이미지 평면(8) 사이의 거리는 물체 평면(4)과 이미지 평면(8) 사이의 거리의 40%보다 작다.
프로젝션 광학 시스템(63)의 미러(M1 내지 M6)의 반사 표면의 광학 설계 데이터는 도 2에 따른 프로젝션 광학 시스템(6)에 제공된 표에 대응하는 다음의 표로부터 수집될 수 있다.
Figure 112008003020108-pat00012
Figure 112008003020108-pat00013
도 15는 상기 프로젝션 광학 시스템(6) 대신에 다시 EUV 조명으로, 프로젝션 노출 설비(1)에서 사용될 수 있는 프로젝션 광학 시스템(64)의 추가 구성을 도시한다. 도 1 내지 12 또는 14를 참조하여 이전에 설명된 것에 대응하는 구성 또는 참조 번호는 동일한 참조 번호를 가져서, 구체적으로 다시 설명되지 않을 것이다.
프로젝션 광학 시스템(64)의 광학 데이터는 다음과 같이 요약된다:
이미지-측 개구수(NA)는 0.7이다. 이미지 필드(7)의 치수는 1x13mm2이다. 감소 배율 레벨은 8x이다. 이미지 필드(7)는 직사각형이다. 조명 광(7)의 파장은 13.5nm이다. 프로젝션 광학 시스템(64)은 6개의 미러(M1 내지 M6)를 갖는다. 미러(M1 내지 M6)(음의 N; 양의 P)의 광학적 효과의 시퀀스는 NPNPNP이다. 프로젝션 광학 시스템(64)의 단일 중간 이미지 평면은 미러(M4 및 M5) 사이에 존재한다. 주요 광선은 물체 평면(4)으로부터 프로젝션 광학 시스템(64)으로 수렴 방식으로 입사한다. 에지에서의 조명 광을 한정하기 위해 개구 조리개는 미러(M3) 상에 배열된다. 물체 평면(4)과 이미지 평면(8) 사이의 z-거리는 1,483mm이다. 물체-이미지 이동은 13.86mm이다. 퓨필 평면에서 조명된 표면의 6.4%는 차폐된다. 프로젝션 광학 시스템(64)은 조명 광(3)의 파장의 단위에서 0.062의 파면 에러(rms)를 갖는다. 왜곡은 18nm이다. 이미지 필드 곡률은 10nm이다. 중앙 물체 필드점에서의 주요 광선의 각도는 5.9°이다. 미러(M1)는 134x84mm2의 치수(x/y)를 갖는다. 미러(M2)는 365x174mm2의 치수를 갖는다. 미러(M3)는 121x114mm2의 치수를 갖는다. 미러(M4)는 220x176mm2의 치수를 갖는다. 미러(M5)는 363x354mm2의 치수를 갖는다. 미러(M6)는 956x952mm2의 치수를 갖는다. 미러(M1 내지 M6) 상에서 중앙 물체 필드점의 주요 광선(26)의 주요 광선 입사각의 시퀀스는 20.86°, 10.26°, 17.50°, 9.84°, 0.00° 및 0.00°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 최대 입사각의 시퀀스는 29.83°, 13.67°, 18.09°, 14.40°, 24.60°, 5.70°이다. 미러(M1 내지 M6) 상의 입사각의 대 역의 시퀀스는 18.23°, 7.18°, 1.06°, 9.50°, 16.98° 미만 및 5.51° 미만이다. 미러(M1 내지 M3)(음의 N; 양의 P)의 주요 광선의 각도 배율의 시퀀스는 NPN이다. 물체 평면(4)에서의 작용 거리는 100mm이다. 이미지 평면(8)에서의 작용 거리는 40mm이다. 물체 평면과 미러(M1) 사이의 거리에 대한 물체 평면(4)과 미러(M2) 사이의 거리의 비율은 4.13이다. 미러(M1 및 M4)는 25mm 미만의 상기 미러(자유 보드) 상에 작용하지 않는 가장 가까운 이미징 광 경로와 사용된 반사 표면 사이에 최소 거리를 갖는다. 미러 쌍(M2-M3, M4-M5, M5-M6) 사이의 거리와, 미러(M6)와 이미지 평면(8) 사이의 거리는 물체 평면(4)과 이미지 평면(8) 사이의 거리의 40%보다 크다.
프로젝션 광학 시스템(64)의 미러(M1 내지 M6)의 반사 표면에 대한 광학 설계 데이터는 도 2에 따른 프로젝션 광학 시스템(6)에 제공된 표에 대응하는 다음의 표로부터 추론될 수 있다.
Figure 112008003020108-pat00014
Figure 112008003020108-pat00015
다음에서, 2개의 추가 현미경 렌즈(65, 66)에 대한 더 많은 광학 데이터가 요약되며, 이것은 현미경 렌즈(56)와 같이, 프로젝션 노출 또는 리소그래피에 요구된 프로젝션 마스크의 검사 또는 노출된 웨이퍼의 검사에 사용될 수 있다. 이러한 추가 현미경 렌즈(65, 66) 모두는 도 16 및 17에 도시된다. 상기 2개의 추가 현미경 렌즈(65, 66)의 기본 4-미러 구조는 도 13의 구조에 대응한다.
현미경 렌즈(56)에 관해 이전에 설명된 것에 대응하는 이러한 추가 현미경 렌즈(65, 66)의 성분은 동일한 참조 번호 또는 표시를 갖는다.
2개의 추가 현미경 렌즈(65, 66) 중 첫 번째, 즉 도 16에 도시된 현미경 렌즈(65)는 0.8의 물체-측 개구수를 갖는다. 정사각형 물체 필드의 치수는 0.8x0.8mm2이다. 증가 배율 레벨은 10x이다. 조명 광(3)의 파장은 193.0nm이다. 다른 조명 광 파장, 예를 들어 가시 파장 또는 EUV 파장도 가능하다. 미러(M1 내지 M4)(음의 N; 양의 P)의 광학 효과의 시퀀스는 NPNP이다. 단일 중간 이미지는 미러(M2 및 M3) 사이에 미러(M4)에서의 관통-구멍(23)의 위치에 위치한다. 주요 광선은 현미경 이미지 평면(58)으로부터 발산 방식으로 현미경 렌즈(65) 밖으로 이동한다. 기판 평면(57)과 이미지 평면(58) 사이의 z-거리는 1,933mm이다. 물체-이미지 이동은 477mm이다. 퓨필 평면에서 조명된 표면의 21.5%는 차폐된다. 현미경 렌즈(65)는 조명 광(3)의 파장의 단위에서 0.004의 파면 에러(rms)를 갖는다. 중앙 물체 필드점에서의 주요 광선의 각도는 13.8°이다. 미러(M1)는 219x216mm2의 치수(x/y)를 갖는다. 미러(M2)는 520x502mm2의 치수를 갖는다. 미러(M3)는 202x189mm2의 치수를 갖는다. 미러(M4)는 742x699mm2의 치수를 갖는다. 미러(M1 내지 M4) 상에서 중앙 물체 필드점의 주요 광선(26)의 주요 광선 입사각의 시퀀스는 10.48°, 3.53°, 0.04°, 및 0.02°이다. 미러(M1 내지 M4) 상의 최대 입사각의 시퀀스는 15.70°, 5.58°, 27.79°, 3.19°이다. 미러(M1 내지 M4) 상의 입사각의 대역의 시퀀스는 11.93°, 4.46°, 27.79° 및 3.19°이다. 현미경 이미지 평면(58)에서의 작용 거리는 240mm 이다. 기판 평면(57)에서의 작용 거리는 40mm이다. 현미경 이미지 평면(58)과 미러(M1) 사이의 거리에 대한 현미경 이미지 평면(58)과 미러(M2) 사이의 거리의 비율은 5.63이다. 기판 평면(57)과 미러(M1) 사이의 거리, 및 미러 쌍(M1-M2, M2-M3) 사이의 거리는 기판 평면(57)과 이미지 평면(58) 사이의 거리의 40%보다 크다.
프로젝션 광학 시스템(65)의 미러(M1 내지 M4)의 반사 표면에 대한 광학 설계 데이터는 이전에 설명된 프로젝션 광학 시스템에 대한 표에 대응하는 다음의 표로부터 수집될 수 있다. 이 표에서, "물체"는 현미경 이미지 평면(58)을 나타낸다. "이미지"는 기판 평면(57)을 나타낸다.
Figure 112008003020108-pat00016
Figure 112008003020108-pat00017
도 17에 도시되고 또한 도 13에서 현미경 렌즈(56) 대신에 사용될 수 있는 제 2 현미경 렌즈(66)에 대한 광학 데이터는 다음에 요약된다.
물체-측 개구수(NA)는 0.8이다. 정사각형 물체 필드의 치수는 0.8x0.8mm2이다. 증가 배율 레벨은 40x이다. 조명 광(3)의 파장은 193.0nm이다. 다른 조명 광 파장, 예를 들어 가시 파장 또는 EUV 파장도 가능하다. 미러(M1 내지 M4)(음의 N; 양의 P)의 광학 효과의 시퀀스는 NPNP이다. 단일 중간 이미지는 미러(M2 및 M3) 사이에 미러(M4)에서의 관통-구멍(23)의 영역에 위치한다. 이미지-측 상에서, 주요 광선은 발산 방식으로 현미경 렌즈(66)밖으로 이동한다. 기판 평면(57)과 이미지 평면(58) 사이의 z-거리는 2,048mm이다. 물체-이미지 이동은 522mm이다. 퓨필 평면에서 조명된 표면의 24.6%는 차폐된다. 현미경 렌즈(66)는 조명 광(3)의 파장의 단위에서 0.016의 파면 에러(rms)를 갖는다. 중앙 물체 필드점에서의 주요 광선의 각도는 17.1°이다. 미러(M1)는 59x58mm2의 치수(x/y)를 갖는다. 미러(M2)는 222x197mm2의 치수를 갖는다. 미러(M3)는 180x163mm2의 치수를 갖는다. 미러(M4)는 736x674mm2의 치수를 갖는다. 미러(M1 내지 M4) 상에서 중앙 물체 필드점의 주요 광선(26)의 주요 광선 입사각의 시퀀스는 12.23°, 3.81°, 0.10°, 및 0.14°이다. 미러(M1 내지 M4) 상의 최대 입사각의 시퀀스는 18.94°, 5.66°, 24.95°, 2.75°이다. 미러(M1 내지 M4) 상의 입사각의 대역의 시퀀스는 10.17°, 1.81°, 24.95°, 및 2.75°이다. 현미경 이미지 평면(58)에서의 작용 거리는 996mm이다. 기판 평면(57)에서의 작용 거리는 40mm이다. 현미경 이미지 평면(58)과 미러(M1) 사이의 거리에 대한 현미경 이미지 평면(58)과 미러(M2) 사이의 거리의 비율은 1.46이다. 기판 평면(57)과 미러(M1) 사이의 거리, 및 미러 쌍(M2-M3) 사이의 거리는 기판 평면(57)과 이미지 평면(58) 사이의 거리의 40%보다 작다.
현미경 렌즈(66)의 미러(M1 내지 M4)의 반사 표면에 대한 광학 설계 데이터는 이전에 설명된 현미경 렌즈(65)에 대한 표에 대응하는 다음의 표로부터 수집될 수 있다.
Figure 112008003020108-pat00018
Figure 112008003020108-pat00019
상술한 바와 같이, 본 발명은 이러한 유형의 이미징 광학 시스템을 포함하는 프로젝션 노출 설비, 이러한 유형의 프로젝션 노출 설비를 포함하는 미세구조 성분을 제작하는 방법, 이러한 방법으로 제작된 미세 구조 성분, 및 이미징 광학 시스템의 이용 등에 이용된다.
도 1은 마이크로리소그래피를 위한 프로젝션 노출 설비를 도시한 개략도.
도 2는 이미징 광 경로를 따라 서로 이격된 필드점을 포함하는, 도 1에서의 프로젝션 노출 설비의 프로젝션 광학 시스템의 일실시예를 도시한 단면도.
도 3은 도 2에서 Ⅲ 방향으로 본 도 2에서의 프로젝션 광학 시스템의 이미지 필드를 도시한 평면도.
도 4는 비-회전-대칭 자유-형태 표면 및 회전 대칭 표면의 단면도.
도 5는 도 2에서의 프로젝션 광학 시스템의 미러의 부분을 도시한 단면도.
도 6은 주요 광선의 양의 각도 배율을 갖는 도 2에서의 프로젝션 광학 시스템의 미러 상으로의 광 경로를 도시한 개략도.
도 7은 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖는 도 2에서의 프로젝션 광학 시스템의 미러 상으로의 광 경로를 도시한 개략도.
도 8은 마이크로리소그래피를 위한 프로젝션 노출 설비에 대해 도 1과 유사한 도면.
도 9는 도 1 또는 도 8에서의 프로젝션 노출 설비로 노출된 웨이퍼, 및 이에 인접한 미러를 구체적으로 도시한 부분 확대도.
도 10은 프로젝션 광학 시스템의 추가 실시예에 대해 도 2와 유사한 도면.
도 11은 프로젝션 광학 시스템의 추가 실시예에 대해 도 2와 유사한 도면.
도 12는 프로젝션 광학 시스템의 추가 실시예에 대해 도 2와 유사한 도면.
도 13은 웨이퍼 검사용 현미경 렌즈에 대해 도 11과 유사한 도면.
도 14 및 도 15는 프로젝션 광학 시스템의 추가 실시예에 대해 도 2와 유사한 2개의 추가 도면.
도 16 및 도 17은 웨이퍼 검사용 현미경 렌즈의 추가 실시예에 대해 도 13과 유사한 도면.

Claims (39)

  1. EUV 투영 노광 장치에서 EUV 이미징 광(3)과 함께 사용하기 위한, 복수의 미러(M1 내지 M6; 59 내지 62)를 포함하는 이미징 광학 시스템(6;35;42;49;56;63;64;65;66)으로서, 상기 복수의 미러는 이미지 평면(8;57)에 놓인 이미지 필드(7)에 물체 평면(4;58)에 놓이는 물체 필드를 이미징하고, 상기 복수의 미러 중 적어도 하나(M6;62)는 이미징 광(3)이 통과할 관통 구멍(through-hole)(23)을 갖는, 이미징 광학 시스템으로서,
    상기 복수의 미러가 적어도 4개의 미러를 포함하며, 적어도 하나의 미러의 반사 표면은 회전 대칭 함수로 묘사될 수 없는 자유 곡면(free-form surface)(27)의 형태이고, 상기 자유 곡면은 회전 대칭 표면으로부터 최대 편차를 가지고, 상기 회전 대칭 표면은 상기 자유 곡면에 최적합하고, 상기 최대 편차는 적어도 상기 이미징 광의 파장값인, 이미징 광학 시스템.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 이미지 평면(8;57)은 물체 평면(4;58)에 평행하게 배열되는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 이미징 광(3)은 25°의 최대 반사각으로 미러(M1 내지 M6; 59 내지 62)에 의해 반사되는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 이미징 광(3)은 20°의 최대 반사각으로 미러(M1 내지 M6; 59 내지 62)에 의해 반사되는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 이미징 광(3)은 16°의 최대 반사각으로 미러(M1 내지 M6; 59 내지 62)에 의해 반사되는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  6. 제 3항에 있어서, 이미징 광학 시스템(6;35;42;49;56) 내의 이미징 광(3)의 최대 반사각(α)을 이미지 측 상의 개구수(numerical aperture)로 나눈 값(quotient)은 최대(at most) 40°인 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  7. 제 1항에 있어서, 퓨필(pupil) 평면(21)의 영역에서 이미징 광 경로에서 마지막 미러(M6;62) 앞에 배열되는 미러(M3;59)는 볼록한 기본 형상을 갖는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  8. 제 1항에 있어서, 6개의 미러(M1 내지 M6)를 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  9. 제 1항에 있어서, 미러(M1, M3; M1, M2, M3) 중 적어도 2개는 주요 광선(principal ray)의 음의 각도 배율(negative angular magnification)을 갖는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 주요 광선의 양의 각도 배율을 갖는 미러(M2)는 주요 광선의 음의 각도 배율을 갖는 2개의 미러(M1, M3) 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  11. 제 1항에 있어서, 마지막 미러(M6;62)를 통해 그리고 퓨필을 통해 중앙으로 지향되는, 중앙 물체점의 중앙 이미징 빔은 이미지 평면(8;57)에 대해 85°보다 큰 각도를 포함하는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  12. 제 1항에 있어서, 마지막 미러(M6;62)를 통해 지향되는 이미징 광 경로는 상기 마지막 미러에서 관통-구멍(23)의 영역에서 중간 이미지 평면(22)에서 중간 이미지를 갖고, 물체 평면(4;58)과 중간 이미지 평면(22) 사이의 광학 시스템(M1 내지 M4; 59,60)의 일부는 적어도 2x의 감소 배율 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  13. 제 1항에 있어서, 이미징 광 경로에서 끝에서 두 번째(penultimate) 미러가 되도록 배열되고 그로부터 이미징 광이 마지막 미러(M6; 62)에 반사되는 미러(M5;61)는 이미징 광이 통과할 관통-구멍(24)을 갖고, 이미징 평면(7)은 끝에서 두 번째 미러(M5)의 직경의 1/5보다 크지 않게 중심에서 벗어나도록(off-center) 끝에서 두 번째 미러(M5) 뒤에 배열되는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  14. 제 1항에 있어서, 이미징 광 경로에서 끝에서 두 번째 미러가 되도록 배열되고 그로부터 이미징 광이 마지막 미러(M6; 62)에 반사되는 미러(M5;61)는 이미징 광이 통과할 관통-구멍(24)을 갖고, 이미징 평면(7)은 끝에서 두 번째 미러(M5)에 대해 중심에 있도록 끝에서 두 번째 미러(M5) 뒤에 배열되는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 이미징 광 경로에서의 끝에서 두 번째 미러(M5;61)는 500mm보다 큰 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 이미징 광 경로에서의 끝에서 두 번째 미러(M5;61)는 1,000mm보다 큰 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  17. 제 13항에 있어서, 상기 이미징 광 경로에서의 끝에서 두 번째 미러(M5;61)는 1,500mm보다 큰 곡률 반경을 갖는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  18. 제 1항에 있어서, 1mm2보다 큰 이미지 필드(7)를 조명하는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  19. 제 1항에 있어서, 적어도 0.4의 이미지 측 상의 개구수를 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  20. 제 1항에 있어서, 적어도 0.45의 이미지 측 상의 개구수를 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  21. 제 1항에 있어서, 적어도 0.5의 이미지 측 상의 개구수를 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  22. 제 1항에 있어서, 적어도 0.55의 이미지 측 상의 개구수를 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  23. 제 1항에 있어서, 적어도 0.6의 이미지 측 상의 개구수를 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  24. 제 1항에 있어서, 적어도 0.65의 이미지 측 상의 개구수를 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  25. 제 1항에 있어서, 적어도 0.7의 이미지 측 상의 개구수를 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  26. 제 1항에 있어서, 이미지 측 상에 텔레센트릭(telecentric)인 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  27. 제 1항에 있어서, 100mm 미만의 물체-이미지 이동(dois)을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  28. 제 1항에 있어서, 10mm 미만의 물체-이미지 이동(dois)을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  29. 제 1항에 있어서, 1mm 미만의 물체-이미지 이동(dois)을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  30. 제 1항에 있어서, 서로 물체 필드와 이미지 필드 사이의 거리의 40%보다 큰 거리에 있고, 물체 평면(4;58) 및 이미지 평면(8;57) 중 적어도 하나에 수직인, 적어도 한 쌍의 인접한 미러(M2, M3;M3,M4;M4,M5;M5,M6)를 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  31. 제 1항에 있어서, 적어도 하나의 미러(M1 내지 M4; M1, M4)는 사용된 반사 표면으로부터 상기 미러 상에 작용하지 않는 가장 가까운 이미징 광 경로까지 25mm 미만의 최소 거리를 갖는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  32. 제 1항에 있어서, 상기 이미징 광(3)은, 이미징 광(3)이 통과할 관통-구멍(23)을 포함하고 이미징 광 경로에서의 마지막 미러인 미러(M6;62)에 의해 이미지 필드(7)로 반사되는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  33. 마이크로리소그래피(microlithography)를 위한 투영 노광 장치로서,
    - 제 1항에 따른 이미징 광학 시스템(6;35;42;49)을 포함하고,
    - 조명 및 이미징 광(3)을 위한 광원(2)을 포함하고,
    - 조명 광(3)을 이미징 광학 시스템(6;35;42;49)의 물체 필드로 지향시키는 렌즈 시스템(5)을 포함하는, 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치.
  34. 제 33항에 있어서, 상기 조명 광(3)을 생성하는 광원(2)은 10 내지 30nm의 파장으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치.
  35. 미세구조 부품을 제조하는 방법으로서,
    - 레티클(reticle)(9) 및 웨이퍼(10)를 제공하는 단계와;
    - 제 33항에 따른 투영 노광 장치를 이용함으로써 레티클(9) 상의 구조를 웨이퍼(10)의 광-감응 층 상으로 투영하는 단계와;
    - 웨이퍼(10) 상에 미세구조를 제조하는 단계를
    포함하는, 미세구조 부품을 제조하는 방법.
  36. 제 35항에 따른 방법에 따라 제조된 미세구조 부품.
  37. 현미경 렌즈(56)로서 사용되는 이미징 광학 시스템으로서,
    물체 평면 및 이미지 평면이 교환되는 조건 하에, 제 1항에 기재된 이미징 광학 시스템의 광학 성분의 배열에 대응하는 광학 성분의 배열을 포함하는, 이미징 광학 시스템.
  38. 제 37항에 있어서, 리소그래피 투영 노광 장치에 의한 투영 노광에 관하여 노광될 또는 이미 노광된 기판(10)을 검사하는 것을 특징으로 하는, 이미징 광학 시스템.
  39. 삭제
KR1020080004071A 2007-01-17 2008-01-14 이미징 광학 시스템, 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치, 미세구조 부품, 및 미세구조 부품을 제조하는 방법 KR101675158B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007003305 2007-01-17
DE102007003305.4 2007-01-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080067968A KR20080067968A (ko) 2008-07-22
KR101675158B1 true KR101675158B1 (ko) 2016-11-22

Family

ID=39203218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080004071A KR101675158B1 (ko) 2007-01-17 2008-01-14 이미징 광학 시스템, 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치, 미세구조 부품, 및 미세구조 부품을 제조하는 방법

Country Status (7)

Country Link
US (5) US8018650B2 (ko)
EP (1) EP1950594A1 (ko)
JP (3) JP5726396B2 (ko)
KR (1) KR101675158B1 (ko)
CN (1) CN101226272A (ko)
SG (1) SG144837A1 (ko)
TW (2) TWI576607B (ko)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1950594A1 (de) * 2007-01-17 2008-07-30 Carl Zeiss SMT AG Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik
KR101592136B1 (ko) 2007-10-26 2016-02-04 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 결상 광학 시스템 및 이러한 유형의 결상 광학 시스템을 갖는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치
DE102009000099A1 (de) * 2009-01-09 2010-07-22 Carl Zeiss Smt Ag Mikrospiegelarray mit Doppelbiegebalken Anordnung und elektronischer Aktorik
CN102819196B (zh) 2008-03-20 2016-03-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于微光刻的投射物镜
DE102008017645A1 (de) 2008-04-04 2009-10-08 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur mikrolithographischen Projektionsbelichtung sowie Vorrichtung zur Inspektion einer Oberfläche eines Substrats
DE102008021341B4 (de) * 2008-04-29 2015-05-07 Carl Zeiss Ag Anamorphotisches Abbildungsobjektiv
DE102008033340B3 (de) * 2008-07-16 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik
JP5489034B2 (ja) * 2008-08-28 2014-05-14 国立大学法人東北大学 反射型投影光学装置
DE102008046699B4 (de) 2008-09-10 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
JP5294804B2 (ja) * 2008-10-31 2013-09-18 三菱電機株式会社 光学調整装置
US8248693B2 (en) * 2008-11-04 2012-08-21 Raytheon Company Reflective triplet optical form with external rear aperture stop for cold shielding
DE102009008644A1 (de) 2009-02-12 2010-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
KR101904541B1 (ko) * 2009-03-30 2018-10-04 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 이미징 광학 기기 및 이 유형의 이미징 광학 기기를 갖는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치
DE102009030501A1 (de) 2009-06-24 2011-01-05 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes
CN105511065B (zh) 2009-12-14 2019-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 照明光学部件、照明系统、投射曝光设备及组件制造方法
DE102011005144A1 (de) * 2010-03-17 2011-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element, Projektionssystem und Projektionsbelichtungsanlage
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
JP5469778B2 (ja) 2010-04-22 2014-04-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系及びそのような結像光学系を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置
US8416407B2 (en) * 2010-05-03 2013-04-09 Raytheon Company Optical spectrometer with wide field of view fore-optics
DE102010029049B4 (de) * 2010-05-18 2014-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem für die Untersuchung eines Objekts mit EUV-Beleuchtungslicht sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
US8317344B2 (en) 2010-06-08 2012-11-27 Nikon Corporation High NA annular field catoptric projection optics using Zernike polynomial mirror surfaces
JP5830089B2 (ja) 2010-06-15 2015-12-09 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖリソグラフィ用のマスク、ｅｕｖリソグラフィシステム、及びマスクの結像を最適化する方法
EP2598931B1 (en) 2010-07-30 2020-12-02 Carl Zeiss SMT GmbH Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type
JP5704525B2 (ja) * 2010-08-19 2015-04-22 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置
DE102010040811A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
JP6116128B2 (ja) * 2011-04-11 2017-04-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置および方法
DE102011080408A1 (de) 2011-08-04 2013-02-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Semiaktive Kippkorrektur für feste Spiegel
DE102011083888A1 (de) * 2011-09-30 2013-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende katoptrische EUV-Projektionsoptik
DE102011086665A1 (de) 2011-11-18 2013-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektonsbelichtungsanlage
CN102402135B (zh) * 2011-12-07 2013-06-05 北京理工大学 一种极紫外光刻投影物镜设计方法
KR101849508B1 (ko) * 2011-12-20 2018-05-28 가부시키가이샤 니콘 기판 처리 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법
CN102540435A (zh) * 2012-02-07 2012-07-04 中国科学院光电技术研究所 一种反射型投影光学系统
DE102012202057B4 (de) 2012-02-10 2021-07-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv für EUV-Mikrolithographie, Folienelement und Verfahren zur Herstellung eines Projektionsobjektivs mit Folienelement
CN102629082B (zh) * 2012-04-28 2013-11-06 北京理工大学 一种极紫外光刻复眼照明系统的设计方法
WO2014019617A1 (en) 2012-08-01 2014-02-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit for a projection exposure apparatus
DE102013204427A1 (de) 2013-03-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur thermischen Aktuierung eines Spiegels, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US8755114B1 (en) 2013-06-14 2014-06-17 Computer Power Supply, Inc. Apparatus for aiding manual, mechanical alignment of optical equipment
KR102340171B1 (ko) 2014-02-24 2021-12-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
DE102014223811B4 (de) 2014-11-21 2016-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils
DE102015221983A1 (de) * 2015-11-09 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102016212578A1 (de) * 2016-07-11 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102018214437A1 (de) 2018-08-27 2018-10-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
CN111367067B (zh) * 2018-12-25 2020-12-11 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种全反射式无焦光学系统
CN109557648A (zh) * 2018-12-31 2019-04-02 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种长焦距低畸变紧凑型五反光学系统
DE102019203423A1 (de) 2019-03-13 2020-01-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
CN112286010B (zh) * 2020-10-23 2021-07-27 北京理工大学 超高数值孔径组合变倍率极紫外光刻物镜及优化方法
DE102022206112A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185480A (ja) 1999-10-15 2001-07-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JP2004311814A (ja) 2003-04-09 2004-11-04 Nikon Corp 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法
WO2006069725A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges objektiv mit obskurierter pupille
JP2009060139A (ja) 2008-11-20 2009-03-19 Nikon Corp 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62210415A (ja) * 1986-03-12 1987-09-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 精密複写用投影光学系
JPS62258414A (ja) * 1986-05-02 1987-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 精密複写用投影光学系
US6229595B1 (en) 1995-05-12 2001-05-08 The B. F. Goodrich Company Lithography system and method with mask image enlargement
US6512631B2 (en) * 1996-07-22 2003-01-28 Kla-Tencor Corporation Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system
US6631036B2 (en) * 1996-09-26 2003-10-07 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective
US5978085A (en) * 1997-03-07 1999-11-02 Litel Instruments Apparatus method of measurement and method of data analysis for correction of optical system
US6000798A (en) * 1997-10-06 1999-12-14 Innotech Inc. Ophthalmic optic devices
JP2000091209A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法
DE19908526A1 (de) * 1999-02-26 2000-08-31 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem mit Feldspiegeln zur Erzielung einer gleichförmigen Scanenergie
DE19923609A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Zeiss Carl Fa Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie
JP2000162502A (ja) * 1998-09-21 2000-06-16 Canon Inc 光学系及びそれを有する光学機器
US6213610B1 (en) 1998-09-21 2001-04-10 Nikon Corporation Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same
US6109756A (en) * 1998-09-21 2000-08-29 Nikon Corporation Catoptric reduction projection optical system
JP2000100694A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Nikon Corp 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法
US7151592B2 (en) * 1999-02-15 2006-12-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection system for EUV lithography
US6600552B2 (en) * 1999-02-15 2003-07-29 Carl-Zeiss Smt Ag Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus
EP1035445B1 (de) * 1999-02-15 2007-01-31 Carl Zeiss SMT AG Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage
US6464363B1 (en) * 1999-03-17 2002-10-15 Olympus Optical Co., Ltd. Variable mirror, optical apparatus and decentered optical system which include variable mirror, variable-optical characteristic optical element or combination thereof
EP1093021A3 (en) 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
WO2001088597A1 (en) 2000-05-12 2001-11-22 Virtual Vision, Inc. Virtual imaging system for small font text
JP2002015979A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Nikon Corp 投影光学系、露光装置及び露光方法
US6842298B1 (en) * 2000-09-12 2005-01-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system
US6611387B1 (en) * 2000-09-29 2003-08-26 Intel Corporation Adjustment of the partial coherence of the light energy in an imaging system
JP2004512552A (ja) 2000-10-20 2004-04-22 カール　ツァイス　シュティフトゥング　トレイディング　アズ　カール　ツァイス ８反射鏡型マイクロリソグラフィ用投影光学系
DE10052289A1 (de) 2000-10-20 2002-04-25 Zeiss Carl 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv
JP2004516500A (ja) 2000-12-12 2004-06-03 カール ツァイス エスエムテー アーゲー Ｅｕｖリソグラフィ用の投影系
KR100831706B1 (ko) 2001-01-09 2008-05-22 칼 짜이스 에스엠티 에이지 극자외선 리소그라피를 위한 투영시스템
US6387723B1 (en) * 2001-01-19 2002-05-14 Silicon Light Machines Reduced surface charging in silicon-based devices
JP4196676B2 (ja) * 2001-02-23 2008-12-17 株式会社ニコン 多面反射鏡及びその製造方法
JP4349550B2 (ja) 2001-03-29 2009-10-21 フジノン株式会社 反射型投映用光学系
TW594043B (en) * 2001-04-11 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflection type optical apparatus and photographing apparatus using the same, multi-wavelength photographing apparatus, monitoring apparatus for vehicle
DE10139177A1 (de) 2001-08-16 2003-02-27 Zeiss Carl Objektiv mit Pupillenobskuration
JP4509559B2 (ja) 2001-11-13 2010-07-21 パナソニック株式会社 広角撮像光学系とこれを備えた広角撮像装置、監視用撮像装置、車載用撮像装置、及び投写装置
EP1333260A3 (en) 2002-01-31 2004-02-25 Canon Kabushiki Kaisha Phase measuring method and apparatus
JP3581689B2 (ja) 2002-01-31 2004-10-27 キヤノン株式会社 位相測定装置
JP2003233002A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2004029625A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Nikon Corp 投影光学系、露光装置及び露光方法
JP3938040B2 (ja) 2002-12-27 2007-06-27 キヤノン株式会社 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP4223936B2 (ja) * 2003-02-06 2009-02-12 株式会社リコー 投射光学系、拡大投射光学系、拡大投射装置及び画像投射装置
JP2004252363A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系
JP2004252358A (ja) 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系及び露光装置
EP3226073A3 (en) 2003-04-09 2017-10-11 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device
TWI282487B (en) * 2003-05-23 2007-06-11 Canon Kk Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2005055553A (ja) 2003-08-08 2005-03-03 Nikon Corp ミラー、温度調整機構付きミラー及び露光装置
JP2005172988A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
DE10359576A1 (de) 2003-12-18 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung einer optischen Einheit
DE10360414A1 (de) * 2003-12-19 2005-07-21 Carl Zeiss Smt Ag EUV-Projektionsobjektiv sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US7712905B2 (en) * 2004-04-08 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7114818B2 (en) * 2004-05-06 2006-10-03 Olympus Corporation Optical system, and electronic equipment that incorporates the same
JP4893310B2 (ja) 2004-10-26 2012-03-07 株式会社ニコン 光学装置、鏡筒、露光装置、及びデバイスの製造方法
US20060098182A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Asml Netherlands B.V. Radially polarized light in lithographic apparatus
JP4844398B2 (ja) * 2004-11-17 2011-12-28 株式会社ニコン 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
DE102005042005A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
TWI308644B (en) * 2004-12-23 2009-04-11 Zeiss Carl Smt Ag Hochaperturiges objektiv mlt obskurierter pupille
KR100604942B1 (ko) 2005-06-18 2006-07-31 삼성전자주식회사 비축상(ｏｆｆ-ａｘｉｓ) 프로젝션 광학계 및 이를 적용한극자외선 리소그래피 장치
KR101127346B1 (ko) * 2005-09-13 2012-03-29 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
DE102006003375A1 (de) * 2006-01-24 2007-08-09 Carl Zeiss Smt Ag Gruppenweise korrigiertes Objektiv
US7724351B2 (en) * 2006-01-30 2010-05-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and exchangeable optical element
DE102006014380A1 (de) * 2006-03-27 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille
EP1950594A1 (de) * 2007-01-17 2008-07-30 Carl Zeiss SMT AG Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001185480A (ja) 1999-10-15 2001-07-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JP2004311814A (ja) 2003-04-09 2004-11-04 Nikon Corp 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法
WO2006069725A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges objektiv mit obskurierter pupille
JP2009060139A (ja) 2008-11-20 2009-03-19 Nikon Corp 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014006553A (ja) 2014-01-16
KR20080067968A (ko) 2008-07-22
JP2016006550A (ja) 2016-01-14
US8810903B2 (en) 2014-08-19
JP2008176326A (ja) 2008-07-31
US9298100B2 (en) 2016-03-29
US20110292367A1 (en) 2011-12-01
US8018650B2 (en) 2011-09-13
US8967817B2 (en) 2015-03-03
EP1950594A1 (de) 2008-07-30
TW201602632A (zh) 2016-01-16
CN101226272A (zh) 2008-07-23
TWI576607B (zh) 2017-04-01
US20130342821A1 (en) 2013-12-26
JP5726396B2 (ja) 2015-06-03
SG144837A1 (en) 2008-08-28
TW200839286A (en) 2008-10-01
US20140320838A1 (en) 2014-10-30
US20120236282A1 (en) 2012-09-20
US20080170310A1 (en) 2008-07-17
US8208200B2 (en) 2012-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101675158B1 (ko) 이미징 광학 시스템, 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치, 미세구조 부품, 및 미세구조 부품을 제조하는 방법
KR102648040B1 (ko) 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치
KR101444517B1 (ko) 이미징 광학 시스템 및 이러한 타입의 이미징 광학 시스템을 구비한 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치
JP5842302B2 (ja) マイクロリソグラフィのための投影光学系
KR101593243B1 (ko) 결상 광학 시스템 및 투영 노광 장치
KR101646285B1 (ko) 이미징 광학기기
KR20190086034A (ko) 이미징 광학 시스템
US11137688B2 (en) Optical system for transferring original structure portions of a lithography mask, projection optical unit for imaging an object field in which at least one original structure portion of the lithography mask is arrangeable, and lithography mask
WO2011073039A2 (en) Imaging optics
KR101542268B1 (ko) 결상 광학 시스템, 이러한 유형의 결상 광학 시스템을 구비하는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 및 이러한 유형의 투영 노광 장치로 미세구조 요소를 제조하는 방법
TWI498594B (zh) 成像光學構件與包含此類型成像光學構件之用於微影的投影曝光裝置
US9933710B2 (en) Projection exposure method and projection exposure apparatus
KR20180084073A (ko) 이미지 필드에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 갖는 투영 조명 시스템
WO2023247238A1 (en) Imaging euv optical unit for imaging an object field into an image field
KR101666690B1 (ko) 적어도 두 작동 상태를 가지는 마이크로리소그래피 투영 노광 장치
US20040212891A1 (en) Imaging system for an extreme ultraviolet (EUV) beam-based microscope
KR20240017167A (ko) 이미징 광학 유닛
CN117441116A (zh) 成像光学单元

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20150727

Effective date: 20160728

Free format text: TRIAL NUMBER: 2015101004295; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20150727

Effective date: 20160728

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant