JP2008176326A - 結像光学系 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】これらの鏡のうちの1つ(M6)は、結像光(3)が通過するスルーホール(23)を備える。少なくとも1つの鏡(M1からM6)の反射面は、回転対称関数では記述できない自由曲面の形態である。投影露光装置は、照明光と結像光(3)用の光源、及び照明光(3)を結像光学系(6)の物体視野に照明光(3)を当てるためのレンズ系を備える。レチクル及びウェハを備えることにより、またレチクル上の構造をウェハの感光層上に投影することにより、又はウェハ上に微細構造を形成することで、投影露光装置により微細構造構成要素を形成する。物体平面及び像平面が入れ替わる対応する結像光学系を顕微鏡レンズとして使用することができる。
【選択図】図2
Description
Claims (25)
- 像平面(8、57)内にある像視野(7)に、物体平面(4、58)内にある物体視野を結像させる複数の鏡(M1からM6、59から62)を備え、前記鏡(M6、62)のうちの少なくとも1つは結像光(3)が通過するためのスルーホール(23)を備え、少なくとも1つの鏡(M1からM6、59から62)の反射面が回転対称関数では記述できない自由曲面(27)の形態であることを特徴とする結像光学系(6、35、42、49、56、63、64、65、66)。
- 前記像平面(8、57)は、物体平面(4、58)に平行に配列されることを特徴とする請求項1に記載の結像光学系。
- 前記結像光(3)は、最大反射角25°、好ましくは最大反射角20°、より好ましくは最大反射角16°で、鏡(M1からM6、59から62)により反射されることを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の結像光学系。
- 前記結像光学系(6、35、42、49、56)内の前記結像光(3)の最大反射角(α)と前記像側の開口数の商は、40°であることを特徴とする請求項3に記載の結像光学系。
- 瞳平面(21)の領域内の前記結像光路内の最後の鏡(M6、62)の前に配列されている鏡(M3、59)は、凸基本形状を有することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 少なくとも4つの鏡(M1からM6、59から62)、特に6つの鏡(M1からM6)を特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 複数の鏡のうちの少なくとも2つ(M1とM3、M1とM2とM3)は前記主光線の負の角倍率を有することを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 前記主光線の正の角倍率を有する鏡(M2)は、前記主光線の負の角倍率を有する2つの鏡(M1、M3)の間に配列されることを特徴とする請求項7に記載の結像光学系。
- 最後の鏡(M6、62)を通り、中心物体点の瞳の中心を通るように向けられた、中心結像光線は、前記像平面(8、57)に対して85°よりも大きい角度であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 前記最後の鏡(M6、62)に向けられた前記結像光路は、前記鏡内の前記スルーホール(23)の領域内の中間像平面(22)内に中間像を有し、前記物体平面(4、58)と前記中間像平面(22)との間の光学系(M1からM4、59、60)の一部は少なくとも2×の縮小倍率レベルを有することを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 結像光路内の最後から2番目の鏡となるように配列され、前記結像光を反射して前記最後の鏡(M6、62)に送る鏡(M5、61)は、結像光を通すためのスルーホール(24)を備え、前記像平面(7)は中心からのずれが前記最後から2番目の鏡(M5)の直径の1/5以下となるように、特に前記最後から2番目の鏡(M5)に関して中心に来るように前記最後から2番目の鏡(M5)の背後に配列されることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 前記結像光路内の前記最後からの2番目の鏡(M5、61)は、500mmを超える、好ましくは1,000mmを超える、なおいっそう好ましくは1,500mmを超える曲率半径を有することを特徴とする請求項11に記載の結像光学系。
- 1mm2を超える像視野(7)を照らすことを特徴とする請求項1から12のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 少なくとも0.4、好ましくは少なくとも0.45、なおいっそう好ましくは少なくとも0.5、なおいっそう好ましくは少なくとも0.55、なおいっそう好ましくは少なくとも0.6、なおいっそう好ましくは少なくとも0.65、なおいっそう好ましくは少なくとも0.7の像側の開口数を特徴とする請求項1から13のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 像側でテレセントリックであることを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 100mm未満、好ましくは10mm未満、より好ましくは1mm未満の物体−像シフト(dois)を特徴とする請求項1から15のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 前記物体視野と前記像視野との間の距離の40%を超える、前記物体平面(4、58)及び/又は前記像平面(8、57)に垂直な、互いから一定の距離にある隣接する鏡の少なくとも1つの対(M2とM3、M3とM4、M4とM5、M5とM6)を特徴とする請求項1から16のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 少なくとも1つの鏡(M1からM4、M1、M4)は、使用される前記反射面から前記鏡に作用しない最も近い結像光路まで25mm未満の最小距離を有することを特徴とする請求項1から17のいずれか一項に記載の結像光学系。
- 前記結像光(3)を通過させる前記スルーホール(23)を備え、前記結像光路内の最後の鏡である、前記鏡(M6、62)により、前記結像光(3)が像視野(7)に反射されることを特徴とする請求項1から18のいずれか一項に記載の結像光学系。
- マイクロリソグラフィ用の投影露光装置であって、
請求項1から19のいずれか一項に記載の結像光学系(6、35、42、49)を備え、
前記照明光及び結像光(3)用の光源(2)を備え、
前記照明光(3)を前記結像光学系(6、35、42、49)の前記物体視野に当てるためのレンズ系(5)を備える投影露光装置。 - 10から30mmまでの範囲の波長を持つ前記照明光(3)を発生するための前記光源(2)が形成されることを特徴とする請求項20に記載の投影露光装置。
- 微細構造構成要素を生産するための方法であって、
レチクル(9)とウェハ(10)を用意するステップと、
請求項20又は21に記載の投影露光装置を使用することにより前記レチクル(9)上の構造を前記ウェハ(10)の感光層上に投影するステップと、
微細構造を前記ウェハ(10)上に形成するステップとを含む方法。 - 請求項22に記載の方法により生産される微細構造構成要素。
- この方法で使用した場合に光学部材の配列は、物体平面と像平面が交換されることを条件として請求項1から19のいずれか一項に記載の配列に対応する、顕微鏡レンズ(56)としての結像光学系の使用。
- リソグラフィ投影露光装置による投影露光に関して露光されるべきであるか、又はすでに露光されている基板(10)を検査するときの請求項24に記載の使用。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010079257A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-04-08 | Tohoku Univ | 反射型投影光学装置 |
JP2010107880A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光学調整装置 |
JP2011502347A (ja) * | 2007-10-26 | 2011-01-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこれを有する投影露光装置 |
JP2011228699A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 反射光学要素、投影系及び投影露光装置 |
JP2012517707A (ja) * | 2009-02-12 | 2012-08-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
JP2012522273A (ja) * | 2009-03-30 | 2012-09-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
JP2012531055A (ja) * | 2009-06-24 | 2012-12-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体視野を像視野に結像するための結像光学系及び物体視野を照明するための照明光学系 |
JP2013541729A (ja) * | 2010-09-15 | 2013-11-14 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
JP2014081658A (ja) * | 2010-04-22 | 2014-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 結像光学系及びそのような結像光学系を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置 |
JP2014529106A (ja) * | 2011-09-30 | 2014-10-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像反射euv投影光学ユニット |
JP2016006550A (ja) * | 2007-01-17 | 2016-01-14 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
JP2017506358A (ja) * | 2014-02-24 | 2017-03-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および方法 |
JP2019527380A (ja) * | 2016-07-11 | 2019-09-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv投影リソグラフィのための投影光学ユニット |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009000099A1 (de) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrospiegelarray mit Doppelbiegebalken Anordnung und elektronischer Aktorik |
EP2541324B1 (en) | 2008-03-20 | 2016-04-13 | Carl Zeiss SMT GmbH | Optical system |
DE102008017645A1 (de) | 2008-04-04 | 2009-10-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur mikrolithographischen Projektionsbelichtung sowie Vorrichtung zur Inspektion einer Oberfläche eines Substrats |
DE102008021341B4 (de) * | 2008-04-29 | 2015-05-07 | Carl Zeiss Ag | Anamorphotisches Abbildungsobjektiv |
DE102008033340B3 (de) * | 2008-07-16 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik |
DE102008046699B4 (de) * | 2008-09-10 | 2014-03-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
US8248693B2 (en) * | 2008-11-04 | 2012-08-21 | Raytheon Company | Reflective triplet optical form with external rear aperture stop for cold shielding |
JP5756121B2 (ja) | 2009-12-14 | 2015-07-29 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
DE102010029651A1 (de) | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern |
US8416407B2 (en) * | 2010-05-03 | 2013-04-09 | Raytheon Company | Optical spectrometer with wide field of view fore-optics |
DE102010029049B4 (de) * | 2010-05-18 | 2014-03-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem für die Untersuchung eines Objekts mit EUV-Beleuchtungslicht sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
US8317344B2 (en) | 2010-06-08 | 2012-11-27 | Nikon Corporation | High NA annular field catoptric projection optics using Zernike polynomial mirror surfaces |
WO2011157643A1 (en) | 2010-06-15 | 2011-12-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mask for euv lithography, euv lithography system and method for optimising the imaging of a mask |
WO2012013241A1 (en) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type |
JP5704525B2 (ja) * | 2010-08-19 | 2015-04-22 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 |
JP6116128B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2017-04-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および方法 |
DE102011080408A1 (de) | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Semiaktive Kippkorrektur für feste Spiegel |
DE102011086665A1 (de) | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektonsbelichtungsanlage |
CN102402135B (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-05 | 北京理工大学 | 一种极紫外光刻投影物镜设计方法 |
WO2013094286A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | 株式会社ニコン | 基板処理装置、デバイス製造システム、及びデバイス製造方法 |
CN102540435A (zh) * | 2012-02-07 | 2012-07-04 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种反射型投影光学系统 |
DE102012202057B4 (de) | 2012-02-10 | 2021-07-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv für EUV-Mikrolithographie, Folienelement und Verfahren zur Herstellung eines Projektionsobjektivs mit Folienelement |
CN102629082B (zh) * | 2012-04-28 | 2013-11-06 | 北京理工大学 | 一种极紫外光刻复眼照明系统的设计方法 |
WO2014019617A1 (en) | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical unit for a projection exposure apparatus |
DE102013204427A1 (de) | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Anordnung zur thermischen Aktuierung eines Spiegels, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
US8755114B1 (en) | 2013-06-14 | 2014-06-17 | Computer Power Supply, Inc. | Apparatus for aiding manual, mechanical alignment of optical equipment |
DE102014223811B4 (de) | 2014-11-21 | 2016-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils |
DE102015221983A1 (de) * | 2015-11-09 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102018214437A1 (de) | 2018-08-27 | 2018-10-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
CN111367067B (zh) * | 2018-12-25 | 2020-12-11 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种全反射式无焦光学系统 |
CN109557648A (zh) * | 2018-12-31 | 2019-04-02 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种长焦距低畸变紧凑型五反光学系统 |
DE102019203423A1 (de) | 2019-03-13 | 2020-01-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
CN112286010B (zh) * | 2020-10-23 | 2021-07-27 | 北京理工大学 | 超高数值孔径组合变倍率极紫外光刻物镜及优化方法 |
DE102022206112A1 (de) | 2022-06-20 | 2023-12-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185480A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
WO2006069725A1 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges objektiv mit obskurierter pupille |
Family Cites Families (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62210415A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 精密複写用投影光学系 |
JPS62258414A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 精密複写用投影光学系 |
US6229595B1 (en) | 1995-05-12 | 2001-05-08 | The B. F. Goodrich Company | Lithography system and method with mask image enlargement |
US6512631B2 (en) * | 1996-07-22 | 2003-01-28 | Kla-Tencor Corporation | Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system |
US6631036B2 (en) * | 1996-09-26 | 2003-10-07 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective |
US5978085A (en) * | 1997-03-07 | 1999-11-02 | Litel Instruments | Apparatus method of measurement and method of data analysis for correction of optical system |
US6000798A (en) | 1997-10-06 | 1999-12-14 | Innotech Inc. | Ophthalmic optic devices |
JP2000091209A (ja) | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
DE19908526A1 (de) * | 1999-02-26 | 2000-08-31 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem mit Feldspiegeln zur Erzielung einer gleichförmigen Scanenergie |
DE19923609A1 (de) * | 1998-05-30 | 1999-12-02 | Zeiss Carl Fa | Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie |
JP2000162502A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-06-16 | Canon Inc | 光学系及びそれを有する光学機器 |
US6213610B1 (en) | 1998-09-21 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
US6109756A (en) * | 1998-09-21 | 2000-08-29 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system |
JP2000100694A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
WO2002048796A2 (en) | 2000-12-12 | 2002-06-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for euv lithography |
EP1035445B1 (de) | 1999-02-15 | 2007-01-31 | Carl Zeiss SMT AG | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
US6600552B2 (en) * | 1999-02-15 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss Smt Ag | Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus |
US7151592B2 (en) * | 1999-02-15 | 2006-12-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
US6464363B1 (en) * | 1999-03-17 | 2002-10-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Variable mirror, optical apparatus and decentered optical system which include variable mirror, variable-optical characteristic optical element or combination thereof |
EP1093021A3 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
WO2001088597A1 (en) | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Virtual Vision, Inc. | Virtual imaging system for small font text |
JP2002015979A (ja) | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
US6842298B1 (en) * | 2000-09-12 | 2005-01-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Broad band DUV, VUV long-working distance catadioptric imaging system |
US6611387B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-08-26 | Intel Corporation | Adjustment of the partial coherence of the light energy in an imaging system |
KR20030045817A (ko) | 2000-10-20 | 2003-06-11 | 칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 | 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 |
DE10052289A1 (de) | 2000-10-20 | 2002-04-25 | Zeiss Carl | 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv |
KR100831706B1 (ko) | 2001-01-09 | 2008-05-22 | 칼 짜이스 에스엠티 에이지 | 극자외선 리소그라피를 위한 투영시스템 |
US6387723B1 (en) | 2001-01-19 | 2002-05-14 | Silicon Light Machines | Reduced surface charging in silicon-based devices |
EP1296162A4 (en) * | 2001-02-23 | 2007-02-28 | Nikon Corp | POLYGON REFLECTOR, AND OPTICAL LIGHTING SYSTEM AND SEMICONDUCTOR EXPOSURE DEVICE USING THE POLYGON REFLECTOR |
JP4349550B2 (ja) | 2001-03-29 | 2009-10-21 | フジノン株式会社 | 反射型投映用光学系 |
TW594043B (en) * | 2001-04-11 | 2004-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reflection type optical apparatus and photographing apparatus using the same, multi-wavelength photographing apparatus, monitoring apparatus for vehicle |
DE10139177A1 (de) | 2001-08-16 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Objektiv mit Pupillenobskuration |
US7408703B2 (en) | 2001-11-13 | 2008-08-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wide-angle imaging optical system and wide-angle imaging apparatus surveillance imaging apparatus vehicle-mounted imaging apparatus and projection apparatus using the wide-angle imaging optical system |
JP3581689B2 (ja) | 2002-01-31 | 2004-10-27 | キヤノン株式会社 | 位相測定装置 |
EP1333260A3 (en) | 2002-01-31 | 2004-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Phase measuring method and apparatus |
JP2003233002A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
US7333178B2 (en) * | 2002-03-18 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7170587B2 (en) * | 2002-03-18 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2004029625A (ja) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP3938040B2 (ja) | 2002-12-27 | 2007-06-27 | キヤノン株式会社 | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4223936B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2009-02-12 | 株式会社リコー | 投射光学系、拡大投射光学系、拡大投射装置及び画像投射装置 |
JP2004252363A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系 |
JP2004252358A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系及び露光装置 |
JP4735258B2 (ja) | 2003-04-09 | 2011-07-27 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP4340851B2 (ja) | 2003-04-09 | 2009-10-07 | 株式会社ニコン | 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
EP1480065A3 (en) * | 2003-05-23 | 2006-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2005055553A (ja) | 2003-08-08 | 2005-03-03 | Nikon Corp | ミラー、温度調整機構付きミラー及び露光装置 |
JP2005172988A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
DE10359576A1 (de) * | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung einer optischen Einheit |
DE10360414A1 (de) | 2003-12-19 | 2005-07-21 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Projektionsobjektiv sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
WO2005098504A1 (en) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7114818B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-10-03 | Olympus Corporation | Optical system, and electronic equipment that incorporates the same |
JP4893310B2 (ja) | 2004-10-26 | 2012-03-07 | 株式会社ニコン | 光学装置、鏡筒、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
US20060098182A1 (en) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Asml Netherlands B.V. | Radially polarized light in lithographic apparatus |
EP1814147A4 (en) * | 2004-11-17 | 2010-06-02 | Nikon Corp | LIGHTING APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING MICRO DEVICE |
TWI308644B (en) * | 2004-12-23 | 2009-04-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Hochaperturiges objektiv mlt obskurierter pupille |
DE102005042005A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
KR100604942B1 (ko) | 2005-06-18 | 2006-07-31 | 삼성전자주식회사 | 비축상(off-axis) 프로젝션 광학계 및 이를 적용한극자외선 리소그래피 장치 |
KR101149267B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2012-05-25 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법 |
DE102006003375A1 (de) | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Gruppenweise korrigiertes Objektiv |
US7724351B2 (en) * | 2006-01-30 | 2010-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and exchangeable optical element |
DE102006014380A1 (de) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille |
EP1950594A1 (de) | 2007-01-17 | 2008-07-30 | Carl Zeiss SMT AG | Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik |
JP4725814B2 (ja) | 2008-11-20 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
-
2008
- 2008-01-08 EP EP08000196A patent/EP1950594A1/de not_active Ceased
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- 2008-01-16 JP JP2008006616A patent/JP5726396B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-01-16 TW TW104129651A patent/TW201602632A/zh unknown
- 2008-01-16 TW TW097101634A patent/TWI576607B/zh active
- 2008-01-17 CN CNA2008100036544A patent/CN101226272A/zh active Pending
-
2011
- 2011-08-08 US US13/205,278 patent/US8208200B2/en active Active
-
2012
- 2012-05-25 US US13/481,431 patent/US8810903B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-08-29 US US14/013,066 patent/US8967817B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-09-27 JP JP2013202509A patent/JP2014006553A/ja active Pending
-
2014
- 2014-07-11 US US14/329,076 patent/US9298100B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-10-01 JP JP2015195924A patent/JP2016006550A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185480A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
WO2006069725A1 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges objektiv mit obskurierter pupille |
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016006550A (ja) * | 2007-01-17 | 2016-01-14 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
US8576376B2 (en) | 2007-10-26 | 2013-11-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and projection exposure system for microlithography |
JP2011502347A (ja) * | 2007-10-26 | 2011-01-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこれを有する投影露光装置 |
US9152056B2 (en) | 2007-10-26 | 2015-10-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and projection exposure system for microlithography |
JP2010079257A (ja) * | 2008-08-28 | 2010-04-08 | Tohoku Univ | 反射型投影光学装置 |
JP2010107880A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | 光学調整装置 |
US8610877B2 (en) | 2009-02-12 | 2013-12-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type |
KR101398343B1 (ko) * | 2009-02-12 | 2014-07-08 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 이미징 광학계 및 이러한 타입의 이미징 광학계를 가진 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 |
TWI468838B (zh) * | 2009-02-12 | 2015-01-11 | Zeiss Carl Smt Gmbh | 成像光學系統與包含此類型成像光學系統之用於微影的投影曝光裝置 |
JP2012517708A (ja) * | 2009-02-12 | 2012-08-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
JP2012517707A (ja) * | 2009-02-12 | 2012-08-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
US10481500B2 (en) | 2009-02-12 | 2019-11-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type |
US9500958B2 (en) | 2009-02-12 | 2016-11-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type |
KR101444517B1 (ko) * | 2009-02-12 | 2014-10-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 이미징 광학 시스템 및 이러한 타입의 이미징 광학 시스템을 구비한 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 |
JP2014222366A (ja) * | 2009-03-30 | 2014-11-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
JP2012522273A (ja) * | 2009-03-30 | 2012-09-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
US9057964B2 (en) | 2009-03-30 | 2015-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optics and projection exposure installation for microlithography with an imaging optics |
JP2012531055A (ja) * | 2009-06-24 | 2012-12-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体視野を像視野に結像するための結像光学系及び物体視野を照明するための照明光学系 |
US9182578B2 (en) | 2009-06-24 | 2015-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and illumination optical system |
JP2011228699A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 反射光学要素、投影系及び投影露光装置 |
JP2014081658A (ja) * | 2010-04-22 | 2014-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 結像光学系及びそのような結像光学系を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置 |
JP2013541729A (ja) * | 2010-09-15 | 2013-11-14 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系 |
KR20130141462A (ko) * | 2010-09-15 | 2013-12-26 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 이미징 광학 시스템 |
KR102154770B1 (ko) | 2010-09-15 | 2020-09-11 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 이미징 광학 시스템 |
US9568832B2 (en) | 2010-09-15 | 2017-02-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Anamorphically imaging projection lens system and related optical systems, projection exposure systems and methods |
US9366968B2 (en) | 2010-09-15 | 2016-06-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Anamorphically imaging projection lens system and related optical systems, projection exposure systems and methods |
KR102003073B1 (ko) * | 2010-09-15 | 2019-10-04 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 이미징 광학 시스템 |
US10007187B2 (en) | 2010-09-15 | 2018-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system |
KR20190086034A (ko) * | 2010-09-15 | 2019-07-19 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 이미징 광학 시스템 |
US9639005B2 (en) | 2011-09-30 | 2017-05-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging catoptric EUV projection optical unit |
JP2014529106A (ja) * | 2011-09-30 | 2014-10-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像反射euv投影光学ユニット |
JP2017506358A (ja) * | 2014-02-24 | 2017-03-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および方法 |
US10558126B2 (en) | 2014-02-24 | 2020-02-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP2020046680A (ja) * | 2014-02-24 | 2020-03-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および方法 |
JP2019527380A (ja) * | 2016-07-11 | 2019-09-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv投影リソグラフィのための投影光学ユニット |
JP7071327B2 (ja) | 2016-07-11 | 2022-05-18 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euv投影リソグラフィのための投影光学ユニット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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