JP5842302B2 - マイクロリソグラフィのための投影光学系 - Google Patents

マイクロリソグラフィのための投影光学系 Download PDF

Info

Publication number
JP5842302B2
JP5842302B2 JP2014117441A JP2014117441A JP5842302B2 JP 5842302 B2 JP5842302 B2 JP 5842302B2 JP 2014117441 A JP2014117441 A JP 2014117441A JP 2014117441 A JP2014117441 A JP 2014117441A JP 5842302 B2 JP5842302 B2 JP 5842302B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
subunit
projection optical
refractive
projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2014117441A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014209249A (ja
Inventor
ハンス−ユルゲン・マン
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2014209249A publication Critical patent/JP2014209249A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5842302B2 publication Critical patent/JP5842302B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • G02B17/0836Catadioptric systems using more than three curved mirrors
    • G02B17/0848Catadioptric systems using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • G02B17/0892Catadioptric systems specially adapted for the UV
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、請求項1の序文による投影光学系に関する。本発明はさらに、このタイプの投影光学系を含む投影露光システム、このタイプの投影露光システムを使用して微細構造の構造部品を製造するための方法、この製造方法によって形成される微細構造の構造要素に関する。
このタイプの投影露光システムのための投影光学系は、米国特許出願公開第2006/0198018A1号や米国特許出願公開第2005/0190435A1号で知られている。米国特許出願公開第2006/0198018A1号による投影光学系は、それを備えた投影露光システムの複雑な設計をもたらしている。米国特許出願公開第2005/0190435A1号による投影光学系の場合には、その中に含まれる屈折サブユニットの構成要素が、非対称的に及びただ不完全に利用される。また、結像ビーム・パスがビーム分割キューブを介してその中に案内される投影露光システムのための投影光学系も知られている。ビーム分割キューブによってもたらされる損失により、この設計手法の成功が妨げられている。この設計手法の例は、米国特許第6,590,718B2号に説明されている。互いに垂直な主軸においてミラーが異なる曲率半径をその中に有する結像ミラー光学系は、米国特許出願公開第2006/0284113A1号で知られている。
米国特許出願公開第2006/0198018A1号 米国特許出願公開第2005/0190435A1号 米国特許第6,590,718B2号 米国特許出願公開第2006/0284113A1号 米国特許第6,000,798号 国際公開第01/88597A号 ドイツ特許第101 20 446 C1号
本発明の目的は、投影露光システムの単純な設計により、投影光学系の少なくとも1つの屈折サブユニットの構成要素を、それらの構成要素の断面にわたって、効率的に利用することが可能になるような方法で、冒頭に述べたタイプの投影露光システムのための投影光学系を改良することである。
本発明によれば、この目的は、請求項1に明記した特徴を有する投影露光システムによって達成される。
本発明によれば、投影光学系における少なくとも1つの静的自由曲面を使用することにより、投影光学系を通って結像光を案内中、自由度が顕著に増加することが理解できるであろう。少なくとも1つの自由曲面を使用することにより、従来技術に比べてより効率的に、その中に含まれる構成要素を利用する投影光学系の少なくとも1つの屈折サブユニットの中の結像ビーム・パスが可能になる。したがって、より少数の屈折構成要素を使用することにより、本発明による投影光学系の中で所定の像側の開口数が可能になる。その逆に、所定の数の屈折構成要素により、従来技術に比べてより大きな像側の開口数が生成されることが可能になる。これにより、より高い構造分解を有する投影光学系の可能性がもたらされる。自由曲面は、光学面の面部分に垂直な表示軸に対して回転対称である関数によって記述不可能である。本発明による自由曲面は、したがって、具体的には、円錐の断面非球面の方程式によって記述不可能である。この円錐タイプの非球面は球対称とは異なるが、それらは、回転対称関数によって、すなわち、1つのパラメータ、すなわち、光軸からの距離だけに依存している関数によって記述可能であり、一方、本発明による自由曲面は、その面を記述するために少なくとも2つの相互に独立したパラメータを必要とする。円錐の断面非球面は、したがって、本発明による自由曲面ではない。光学的活性面の境界の形状は、この点においては重要ではない。非回転対称に境界づけされる光学的活性面は、当技術分野において知られていることは明らかである。いずれにしても、このタイプの光学的活性面は、回転対称関数によって記述可能あり、この光学面の非回転対称的に境界付けられる細部が使用される。用語「静的自由曲面」は、その形状が投影のための投影光学系の使用中に能動的に変化しない自由曲面を示す。静的自由曲面はまた、調整のために全体的に移動可能でもあることは明らかである。自由曲面は、具体的には、平面的基準面もしくは基本形状から、凹状の基準面又は凸状の基準面からスタートして設計可能である。具体的には、湾曲した基準面からスタートして設計される少なくとも1つの自由曲面での使用が可能である。この場合、基準面全体で一定である頂点曲率を有する基準面で使用されることが好ましい。円錐の断面非球面がまた、基準面としても使用可能である。本発明による少なくとも1つの自由曲面は、自由曲面に最適に適合し、設計基準面に対応する必要のない回転対称平面とは、具体的に少なくとも結像光の波長量に対応する量に関しては、ほとんど異なる。この具体的に少なくとも結像光の波長量との差異は、実際には、マイクロリソグラフィのための光学構成要素の製造の際の製造ばらつきに比べて常により大きく、それは、絶対的には通常0.1nm、及び相対的には使用される照明光の波長の通常1/50又は1/100である。DUV(深紫外線)結像光が使用された場合には、この差異は、したがって、通常100nmに比べてより大きく、具体的には、500nmに比べてもより大きく、又は1μmに比べてもより大きい。本発明による自由曲面と、最適に適合する回転対称平面との間にさらにより大きな差異が起こり得る。本発明による自由曲面は、双円錐面、すなわち、2つの異なる基本曲率及び互いに垂直な2つの方向における2つの異なる円錐定数を有する光学面によって、円環状面によって、又はアナモフィック及び同時に具体的には非球面によって、提供可能である。円筒形面もまた、したがって、このタイプの自由曲面である。本発明による自由曲面は、1つ又は複数の対称平面と鏡面対称であることが可能である。本発明による自由曲面は、n重対称を有する面であってよく、ただし、nは整数であり、1以上である。本発明による自由曲面は、対称軸もまったく、対称平面もまったく持たなくてよい。投影光学系は、物体視野を像視野の中にマップする少なくとも2つの曲面ミラーを有することが好ましい。
光学面、具体的にはアナモフィック面を記述するための様々な可能性が、米国特許第6,000,798号に例として説明されている。非回転対称平面、具体的には、アナモフィック非球面、円環状面又は双円錐非球面を記述するための解析公式が国際公開第01/88597A号に説明されている。これらの文書の開示が光学面の数学的記述に関する場合には、この記述は、本文書の記述を補完することを意図している。Oslo(登録商標)やCode V(登録商標)などの特定の光学設計プログラムは、非回転対称の光学面を定義することも可能であることによって、数学的関数を介して、光学システムの記述と設計を可能にする。上述の数学的記述は数学面に関する。実際に光学的に利用される光学面、すなわち照明ビームによってそれに働き、このタイプの数学的記述を使用して記述可能ある光学要素の物理面は、母面とも称される実際の数学面の細部だけを通常含む。数学面は、したがって、物理的、光学的活性面を越えても延びる。光学システムが基準軸を用いて記述可能ある場合には、いくつかの又はすべての光学的に使用される面部分は、基準軸が数学面と交わるが、実際には、光学的に利用されるこの数学面の細部とは交わらないような方法で、この基準軸の外側に配置可能である。
請求項2によって互いに平行に配置される視野平面により、投影光学系を投影露光システムの設計環境の中に一体化することが容易になる。これは、投影光学系が走査型投影露光システムに使用される場合に、走査方向が互いに平行に案内可能であると、特に有利である。
請求項3〜5による小さな物体/像オフセットを有する配置により、小型の投影光学系がもたらされ、また、この場合に、物体と像の視野は投影光学系の回転中に離れて移動しないので、投影光学系が物体又は像の視野を通って中心に延び、それに対応する視野平面に垂直に配置される軸の周りで回転する光学テストが容易になる。
請求項4〜7により、物体又は像視野に対して光軸の配置は、投影光学系の少なくとも1つの屈折サブユニットの光軸に沿って照明又は結像光の対称的なビーム案内を最適に可能にする。これは、屈折サブユニットの光学構成要素の実質的に回転対称な、又はさらに完全に回転対称な照明のために利用可能である。これらの光学構成要素における照明光の残存吸収のイベントの際には、吸収光学構成要素の対応加熱が投影光学系の結像に起こり得る影響も、同様に実質的にもしくは完全に回転対称であり、又はn重対称を有し、したがって、比較的容易に補正又は補正可能である。用語「n重対称」は、この文脈では、光軸の周りで角度360°/nによる回転が、存在する任意の結像影響を、具体的には像エラーを融合させるという意味である。
請求項8による投影光学系は、像視野を介して、有効な波面補正と歪補正を可能にする。代替としては、投影光学系は、種々の数のミラー、例えば、2つ又は4つのミラーを備えることも可能である。これらのミラーには、2つ以上の自由曲面があってよいが、そのうち少なくとも1つの自由曲面は、湾曲した自由曲面として構成可能な自由曲面が含まれてもよい。同じことが請求項9による屈折サブユニットに適用する。屈折サブユニットのレンズが少ないほど、屈折サブユニットの伝送損失は低くなる。屈折サブユニットのレンズが多いほど、波面補正と歪み補正に関しての可能性が上がる。屈折サブユニットは、少なくとも6つのレンズを有することが可能である。この点で、8つのレンズを有する屈折サブユニットは、レンズの数に関しては良い妥協案である。投影光学系に置かれた結像要求に応じて、6つ以下のレンズが、結像品質と、伝送損失や、材料費、製造費の低減との間の有利な妥協案である。
請求項10による投影光学系は対称的に構成可能であり、これにより、投影光学系の場合における製造について利点がもたらされる。完全な対称性は、投影光学系の結像縮尺比が1:1である特定の場合においてのみ達成可能である。2つ又は4つのミラーを備えた反射サブユニットは、例えば、屈折サブユニット間に配置可能である。
請求項11、12によるビーム案内は、像側と物体側の両方の屈折サブユニットについて、請求項4から7に関して、以上論じた利点を有する。
請求項13によるビーム案内により、2つの屈折サブユニット間の投影光学系の少なくとも2つのミラーを含む反射サブユニットの対称的構成が可能になり、これはまた、投影光学系の光学構成要素の製造の際に製造についての利点を有する。請求項14によるビーム案内により、例えば、投影光学系の光学構成要素の点対称構成が可能になり、これはまた、製造について利点を有する。
請求項15による変形可能なミラーは、投影光学系の動作中に生じる、例として、熱的影響の結果としてのドリフト効果について補正する。変形可能なミラーの反射面は、非静的自由曲面と見ることが可能である。
請求項16による像視野により、投影光学系の高生産性がもたらされる。
請求項17による像側の開口数により、投影光学系の高解像度が可能になる。液浸系が使用された場合には、像側の開口数はさらにより大きく、例えば1.0より大きいことが可能である。
請求項18によるテレセントリック投影光学系は、その使用の柔軟性を高める。像側のテレセントリを有する投影光学系は、焦点範囲全体にわたって一定である結像縮尺を有する。
請求項19による光源により、投影露光システムの優れた構造分解が可能になる。使用可能な典型的なUV光源は、波長が126、157、193、248nmである。
請求項20による中間像平面により、屈折サブユニットの結像効果を投影光学系の少なくとも1つの曲面ミラーの結像効果から分離させることが可能になる。これは、投影光学系の設計を単純化する。
請求項21による投影光学系の利点は、本発明による投影露光システムに関して、以上、先に挙げたものに対応する。
同じことが請求項22による製造方法に、及び請求項23によるそれによって製造される微細構造の構造部品に適用する。
マイクロリソグラフィのための投影露光システムの概略図である。 図1による投影露光システムの投影光学系の実施形態による、互いから離間された視野点の結像ビーム・パスを含む断面図である。 図2による投影光学系の波面エラー(rms値)の視野特性を示す図である。 図2による投影光学系の歪の視野特性を示す図である。 非回転対称の自由曲面による、及び回転対称の基準面による断面図である。 マイクロリソグラフィのための投影露光システムの図1に類似の図である。 図1による投影露光システムのための投影光学系のさらなる実施形態の概略図である。 図1による投影露光システムのための投影光学系のさらなる実施形態の概略図である。
本発明の例示的実施形態を、図面を参照してより詳細に以下に説明することにする。
マイクロリソグラフィのための投影露光システム1は照明光のための光源2を有する。光源2は、波長約193nmを有する光を生成するUV光源である。このタイプの波長を生成する光源2、すなわちレーザは知られている。屈折媒体に対して適切な別の波長、例えば157nm又は248nmもまた可能である。図1は、照明光3のビーム・パスの極めて概略的な図である。
照明光学系5を使用して、照明光3を物体平面4内の物体視野の方に案内する。物体視野は、投影光学系6を使用して、所定の縮小縮尺を有する像平面8内の像視野の中にマップされる。図2に詳細に示される投影光学系6は、4の因子によって縮小される。像平面8は、物体平面4に平行な投影光学系6内に配置される。光線によって貫通され、レチクルとも称されるマスク9の細部が、物体視野と一致して結像される。結像は、基板ホルダ11によって担持されるウェハの形態の基板10の表面に実行される。図1は、レチクル9と投影光学系6との間に照明光3からの投影光学系6に入るビーム群12、及び投影光学系6と基板10との間に照明光3からの投影光学系6から出るビーム群13を概略的に示している。図2による投影光学系6の像視野側の開口数は、0.80である。図2による投影光学系6は、物体と像の側の両方でテレセントリックである。
投影露光システム1の説明を容易にするために、図面には、図に示した構成要素のそれぞれの位置関係を形成するデカルトxyz座標系を示す。図1では、図面平面内に、x方向がそれと垂直に、y方向が右向きに、及びz方向が下向きに延びている。
投影露光システム1は、スキャナ・タイプである。レチクル9と基板10の両方が投影露光システム1の動作中、y方向にスキャンされる。
図2に投影光学系6の光学設計を示す。図2において、1つが別の上に位置し、y方向に互いから離間された、5つの物体視野点から放射される3つのそれぞれの個別ビーム14のビーム・パスを示し、これらの5つの物体視野点のうち1つに付随する3つの個別ビーム14は、それぞれが照明の3つの異なる方向と関連している。
物体平面4からスタートし、個別ビーム14はまず、ビーム・パスの順番に番号を付けられ、その後また、同様にビーム・パスの順番に、ミラーM1、M2、M3、M4、M5及びM6と称されることになる合計6つのミラー16〜21を有する反射サブユニット15によって反射される。ミラー16、18、19、21は凹面基本形であり、すなわち、凹状の最適に適合した面によって記述されることができる。ミラー17と20は凸面基本形であり、すなわち、凸状の最適に適合した面によって記述されることができる。残りの説明では、このタイプのミラーを凹面又は凸面として簡単に説明することにする。
投影光学系6の6つのミラー16〜21はすべて、回転対称関数によって記述不可能である自由曲面として構成されている。また、ミラー16〜21のうち少なくとも1つがこのタイプの自由反射曲面を有する投影光学系6の別の実施形態も可能である。少なくとも1つの反射面は、この場合、静的自由曲面、すなわち、面として構成されており、その形状は、投影露光システム1の動作中、又は休止時間中、意図的に変更不可能であり、その面は、回転対称関数によって記述不可能である。
図2に示す例示的実施形態において、平面的瞳形状部又は中間像平面は、投影光学系6に配分されない場合がある。瞳及び中間の像の両方は、複雑なトポグラフィを有する個別ビーム14のビーム・パスを横断するように延びる瞳面又は中間像面上の反射サブユニット15内で生成される。直線又は曲線によって図2に示されるこのタイプの面は、以下、瞳平面又は中間像平面と単純に称することにする。
第1の瞳平面22は、投影光学系6の第1のミラー16と第2のミラー17との間に位置する。投影光学系6の第1の中間像平面23は、第4のミラー19と第5のミラー20との間に位置する。中間像平面23内の開口数は約0.17である。投影光学系6の第2の瞳平面24は、第5のミラー20と第6のミラー21との間に位置する。
中心物体視野点を瞳平面22、24内で投影光学系6の瞳内の中心照明点に結合する表示された個別ビーム14も、中心視野点の主光線25と、以下、称することにする。第6のミラー21で反射した、中心視野点の主光線25は、ほぼ直角の像平面8で囲まれ、すなわち、投影露光システム1のz軸に実質的に平行に延びる。この角度は、いずれの場合でも、85°に比べてより大きい。第6のミラー21上での反射から、主光線25は、投影光学系6の反射サブユニット15に結合される屈折サブユニット27の光軸26に沿って延びる。屈折サブユニット27の光軸26と像平面8との交点が像視野内の中心に位置する。
屈折サブユニット27は、物体平面4と像平面8との間のビーム・パスの順番に番号を付けられた合計6つのレンズ28〜33を有する。
投影光学系6の第2の中間像平面34は、反射サブユニット15の第6のミラー21と、屈折サブユニット27の第1のレンズ28との間に位置する。中間像平面34での投影光学系6の開口数は、0.37である。
第1のレンズ28と第2のレンズ29との間に投影光学系6の第3の瞳平面35が位置し、例として開口絞りがその中に配置可能である。
像平面8内の投影光学系6の像視野は長方形である。x方向に平行に、像視野は拡張26mmを有する。y方向に平行に、像視野は拡張6mmを有する。光軸26は、像視野を中心的に、すなわち、その対角線の交点において通る。
投影光学系6は、ビーム分割キューブ及び平面的折りたたみミラーを除外し、したがって、特に少数の光学構成要素を有する。
図3に、像視野における図2による投影光学系6の波面の視野特性を示す。y軸の縮尺は、この場合、x軸の縮尺に比べると引き伸ばして示している。図3は、最大で80mλの値の波面補正を示す。最も小さな波面エラーは、中心的に、x軸に基づいて、比較的高い正のy値で、及び偏心的に、比較的高い負のy値で生じる。
図4に、図2による投影光学系6の像視野を介した歪の特性を示す。x軸とy軸の縮尺は、図3の縮尺に対応している。歪は、約25nmの最大値に補正される。この最大値はxを基準にして像視野の縁部に位置する高いy値で生じる。見ることができるように、像エラー特性は、中心物体視野と像視野を有する従来の回転対称システムでそうであるように、もはや視野の中心の周りで回転対称に広がっていない。
回転対称の基準面37からの自由曲面36の生成を、以下、図5を基準にして説明することにする。
第1に、示された自由曲面を特徴付けるための情報が、光学デザインのプログラムにより得られる。基準面37は、例えば、回転対称の非球面であってよい。設計情報は、1/cとも示される基準面28の曲率半径を含んでよく、ただし、cは基準面37の最大曲率を示している。情報は、加えて、基準面37の円錐定数k、及び基準面37を記述する多項式係数を含む。
代替としては、又は加えて、基準面37を特徴付ける情報は、例として干渉計を使用して、基準ミラー面の面測定から得ることが可能である。このタイプの面測定は、基準面37を記述する関数z'(x'、y')を作成し、ただし、z'は、図5に示すように、様々な(x'、y')座標に対してz'軸に沿って基準面37のピッチを示している。
自由曲面36の設計におけるこの第1の段階は、加えて、面の記述によってだけ定義される、初期非限定のミラー面のその部分を決定することを含み、それは実際には、物体視野の像視野へのマップ中、照明又は結像光3の反射に利用される。この範囲は、フットプリントとも称される。ミラーのフットプリントは、少なくとも近似的には、投影光学系6のレイ・トレーシングによって決定可能である。x次元における可能なフットプリントの例を図5に示す。Xminは、例示的フットプリントに関しての下端を、Xmaxは、それに関しての上端を示している。Xmaxの上のデータ及びXminの下のデータはまた、自由曲面36を決定する場合に、望ましくないエッジ効果を回避するために、特定の極限内で算出される。
基準面37を特徴付ける情報が決定されると、基準面37の偏心及び傾斜の両方がその中でそれぞれ0である、基準面37のための局所座標系が導入される。z'軸は、したがって、基準面が面測定、測定装置の光軸、例として干渉計によって得られた場合には、非球面の基準面37又はその他の対称の回転軸である。z'軸は、概して、投影露光システム1のxyz座標系のz軸に対して平行に変位し、傾斜する。これは、したがって、別の座標軸x'、y'に適用する。この平行な変位又は傾斜は、自由曲面の光学設計の第1段階において定義される。
非球面の代替として、基準面37はまた、球面であってもよい。球面基準面37を説明するための座標原点xc、yc、zcは、通常、投影露光システム1のxyz座標系の原点とは異なる。
基準面37が決定されると、基準面37上の点と自由曲面36上の点の数との間の局所距離di(i=1...N)が、z'軸に平行に決定される。様々な局所距離diは、その場合、一連の2次的条件が満たされるまで変化する。これらの2次的条件は、投影光学系6の特定の像エラー及び/又は照明特性に関して所定の限界値である。
自由曲面を、下記の式によって数学的に記述することができる。
Figure 0005842302
ただし、
Figure 0005842302
Zは、例えば、図5によるz'軸に平行であることが可能なZ軸に平行な自由曲面のピッチである。
cは、対応する非球面の最大曲率に対応する定数である。k又はKは、対応する非球面の円錐定数に対応する。Cjは、単項式Xmnの係数である。典型的には、値c、k、Cjは、投影光学系6内部でミラーの所望の光学特性に基づいて決定される。単項式の次数m+nは、所望のように様々であることが可能である。比較的高い次数の単項式により、より優れた像エラー補正を有する投影光学系6の設計がもたらされるが、算出がより複雑である。m+nは、3と20より大きい値との間を仮定してよい。
例えば、光学設計プログラムCODE V(登録商標)のマニュアルに提供されている計算、ゼルニケ多項式によっても自由曲面を数学的に記述することができる。代替としては、自由曲面は、2次元のスプライン曲面により記述ができる。これらの例は、ベジエ曲線、又は非一様有理Bスプライン(NURBS)を含む。2次元スプライン曲面は、例えば、xy平面内の1つのネットワークの点及び関連のz値によって、又はこれらの点及びそれと関連する勾配によって記述される。スプライン曲面のそれぞれのタイプに応じて、曲面全体は、例えば、それらの持続性や微分可能性に関して特定の特性を有する多項式又は関数を使用して、ネットワーク点の間の補間によって得られる。これらの例は、解析関数を含む。
図6は、さらに、投影光学系6のさらなる特性値、すなわち物体/像オフセットdoisを示すために、投影露光システム1についてわずかに変形した図である。物体/像オフセットは、像平面8上に中心物体点から垂直な投影部と中心結像点との間の距離として定義される。この定義に対する均等物は、中心物体点及び物体平面との屈折サブユニットの光軸26の交点の間の距離としての物体/像オフセットの定義である。この均等は、中心結像点が屈折サブユニットの光軸上に位置するという事実による。図2による投影光学系6では、物体/像オフセットdoisは0である。具体的には、物体視野は、屈折サブユニット27の光軸26と物体平面4との交点から距離50mm未満で投影光学系6の中にある。この交点は、物体視野内の中心に位置する。
投影光学系の特性パラメータを以下に要約する。照明光3の波長は帯域幅0.3pmで193.3nmである。投影光学系の像側開口数は0.8である。像視野の大きさは6x26mm2である。投影光学系は入力側と出力側でテレセントリックである。
下記の第1の表に、半径R、すなわち、最大曲率cの逆数値、及びz方向(厚さ)での投影光学系6の光学構成要素間の距離を示す。ミラー1〜ミラー6は、この場合、投影光学系6のM1からM6を示す。レンズ1aとレンズ1bは、レンズ28の物体側及び像側の面を示す。したがって、レンズ2aからの行は、レンズ33の像側面までの順次レンズ面を示す。
次の第2の2行の表には、照明光の帯域幅の中で、レンズ28〜33のために選択された材料SILUVの屈折指数を示す。
Figure 0005842302
Figure 0005842302
下記の表に、ミラーM1からM6に関して先に示した自由曲面の方程式における単項式Xmnの係数Cjを示す。
Figure 0005842302
下記2行の表に、初期設計からスタートして、各ミラーがそれにより偏心(Y偏心)され、回転(X回転)されるM1からM6に関して、mmの量を示す。これは、前述の自由曲面の設計工程中に平行な変位及び傾斜に対応する。変位は、この場合、y方向に行われ、傾斜はx軸について行われる。
Figure 0005842302
下記の表に、レンズ28〜33の曲面のための非球面の定数を示す。
Figure 0005842302
K及びA〜Eは、この場合、下記の非球面の式における係数である。
Figure 0005842302
この場合、Zは非球面のピッチであり、cは最大曲率であり、Kは円錐度であり、hはピッチが算出される(h2=x2+y2)レンズ面上のそれぞれの位置を示す。係数A〜Eは、hについてそれぞれ偶数の順番に与えられる。
図7に、投影露光システム1における投影光学系6の代わりに使用可能である投影光学系38のさらなる実施形態を示す。図1〜6を基準にして、以上、先に述べたそれらに対応する構成要素又は参照変数は、同一の参照数字を有し、詳細を重ねて論じないことにする。投影光学系38による結像ビーム・パスを、中心視野点の主光線25に単に基づいて図7に示す。
物体平面4からスタートして、投影光学系38はまず、屈折サブユニット39を有する。屈折サブユニットは、主光線25が屈折サブユニット39の光軸40に沿って屈折サブユニット39を通って延びるような方法で配置される。屈折サブユニット39は、1つ又は複数のレンズを含むことが可能である。
屈折サブユニット39の後、照明光3は、投影光学系38の反射サブユニット41によって反射される。反射サブユニット41は、2つのミラー42、43を有し、その両方が回転対称関数によって記述不可能な静的反射自由曲面を有する。ミラー42、43は、投影光学系38内の結像ビーム・パスにおけるその順番により番号を付けられている。ミラー42、43は、凹面である。
ミラー43の後は、照明光3が投影光学系38の第2の屈折サブユニット44を通って延びる。主光線25は、言い換えると、第2の屈折サブユニット44の光軸45に沿って延びる。第2の屈折サブユニット44は、1つのレンズ又は複数のレンズを有することが可能である。
投影光学系38は、物体平面4と像平面8の間に、1つ又は複数の中間像平面を有する。中間像平面は、例えば、第1の屈折サブユニット39と反射サブユニット41との間、又は反射サブユニット41と第2の屈折サブユニット44との間に配置可能である。
図8は、投影露光システム1における投影光学系6の代わりに使用可能である投影光学系46のさらなる実施形態の図7に類似の図である。図1〜7を基準にして、以上、先に述べたものに対応する構成要素又は参照変数は、同一の参照数字を有し、詳細を重ねて論じないことにする。
投影光学系46における照明光3を、物体点から放射される3つの個別ビーム14に基づいて図8に示す。中心個別ビーム14は、この場合、主光線25である。
物体平面4からスタートして、照明光3はまず、図7による屈折サブユニット39に対応するように構成可能である屈折サブユニット47を通過する。主光線25は、屈折サブユニット47を、その光軸48上で通過する。
屈折サブユニット47の後は、照明光3は投影光学系46の反射サブユニット49を通過する。反射サブユニット49は、結像ビーム・パス内でそれらが作用される順番に番号を付けられた合計4つの反射ミラー50、51、52、53を有する。ミラー50〜53は凹面である。しかし、凸面のミラーもまた、このサブユニットに使用可能である。投影光学系46の瞳平面が、第2のミラー51の範囲内に配置される。投影光学系46の中間像平面54が、ミラー51と52の間に配置される。光軸48は、例えば、中間像平面54に垂直である。ミラー51と52の間に、主光線25は光軸48に実質的に平行に延びる。主光線25はまた、ミラー51と52の間に、光軸48に対してある角度をなして延びることが可能である。
反射サブユニット49の最後のミラー53の後、照明光3は、投影光学系46の第2の屈折サブユニット55を通過する。
中間像平面54との関連で、投影光学系46の3つのサブユニット47、49、55の光学構成要素は、互いに実質的に対称に配置される。第2の屈折サブユニット55の光軸は、第1の屈折サブユニット47の光軸48と一致する。投影光学系46のさらなる瞳平面は、第3のミラー52の範囲内に配置される。
反射サブユニット49の4つのミラー50〜53はすべて、回転対称関数によって記述不可能な反射自由曲面を有する。ミラー50、52、53の自由曲面は、この場合、静的である。第2のミラー51の反射面はその構成において、変形可能であり、すなわち非静的である。代替としては、又は加えて、第3のミラー52の反射面もまた、その構成において、変形可能である。これにより、例えば、投影露光システム1により投影露光中に起こり得るドリフト効果が補正されることが可能になる。補正センサを含む補正手段が、ドイツ特許第101 20 446 C1号に記載のように、そのために使用可能である。変形可能な自由形式のミラー51は、それと関連するアクチュエータを介して、個別に傾斜可能な多数のマイクロミラー・セグメントから形成可能である。このタイプのマイクロミラー配置は、当業者に知られている。傾斜は、補正センサによって決定される値から算出される規定値により、補正手段によってアクティブ化する。ビーム・パスがこの場所に延びないときには、ミラー51の後のマイクロミラー配置のアクチュエータのための十分なスペースがある。代替としては、変形可能な自由形式のミラーが一体型ミラーとして構成可能であり、膜のようにミラーを変形することが可能な変形可能自由形式のミラー・アクチュエータの背部に取り付けられる。
変形可能な自由形式のミラー51の代わりに静的自由形式のミラーも使用可能である。
投影光学系46は、物体/像オフセット0を有する。
投影露光システム1により微細構造の構造部品を製造するために、レチクル9とウェハ10がまず、用意される。次に、レチクル9上の構造物が、ウェハ10の感光性層上に投影される。この結果として、及び次の機械加工により、微細構造がウェハ10上に形成される。
1 投影露光システム、2 光源、3 照明光、4 物体平面、5 照明光学系、6 投影光学系、8 像平面、9 マスク、レチクル、10 基板、ウェハ、11 基板ホルダ、12 ビーム群、13 ビーム群、14 個別ビーム、15 反射サブユニット、16〜21 ミラー、22 瞳平面、23 中間像平面、24 瞳平面、25 主光線、26 光軸、27 屈折サブユニット、28〜33 レンズ、34 中間像平面、35 瞳平面

Claims (14)

  1. 第1の屈折サブユニット、反射サブユニット、第2の屈折サブユニットから構成される投影光学系であって、
    物体平面の物体視野における物体点から放射される光が前記投影光学系を通過する経路が、前記物体視野から、前記第1の屈折サブユニット、前記反射サブユニット、前記第2の屈折サブユニット、前記像視野の順に通過するものであり、
    前記反射サブユニットが、第1の曲面ミラーと第2の曲面ミラーの2つのミラーから構成され、
    前記2つのミラーが、それぞれ回転対称関数によって記述不可能な静的反射自由曲面であり、
    前記2つのミラーが、それぞれ凹面であり、
    前記2つの屈折サブユニットの各光軸が平行であって、かつ、互いに離間し、
    前記投影光学系は、前記物体平面と前記像平面の間に、1つ又は複数の中間像平面を有することを特徴とする、
    投影光学系。
  2. 前記投影光学系は、前記第1の屈折サブユニットと前記反射サブユニットの間の前記光の経路において、中間像平面を有することを特徴とする、請求項1に記載の投影光学系。
  3. 前記投影光学系は、前記反射サブユニットと前記第2の屈折サブユニットの間の前記光の経路において、中間像平面を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の投影光学系。
  4. 前記反射サブユニットは、変形可能な面を含むミラーを含むことを特徴とする、請求項1〜のいずれか一項に記載の投影光学系。
  5. 補正ユニットを更に含み、
    前記反射サブユニットは、前記補正ユニットと信号接続されている変形可能ミラーを含むことを特徴とする、請求項1〜のいずれか一項に記載の投影光学系。
  6. 前記2つの屈折サブユニットの各々は、該2つの屈折サブユニットの各々の光学構成要素に対して中央に位置する光軸を有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の投影光学系。
  7. 前記第1の曲面ミラーと前記第2の曲面ミラーは、結像光の前記経路に対して貫通口を有しないことを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の投影光学系。
  8. 前記第1の屈折サブユニットの光軸と前記物体平面との交点が前記物体視野内に位置していることを特徴とする、請求項1〜のいずれか一項に記載の投影光学系。
  9. 前記第1の屈折サブユニットの光軸と前記物体平面との交点が前記物体視野内の中心にあることを特徴とする、請求項に記載の投影光学系。
  10. 前記第2の屈折サブユニットの光軸と前記像平面との交点が前記像視野内に位置していることを特徴とする、請求項1〜のいずれか一項に記載の投影光学系。
  11. 前記第2の屈折サブユニットの光軸と前記像平面との交点が前記像視野内の中心にあることを特徴とする、請求項10に記載の投影光学系。
  12. 光を物体平面内の物体視野へ案内するための照明光学系と、
    請求項1〜11のいずれか一項に記載の投影光学系と、
    を含むことを特徴とする、
    マイクロリソグラフィ投影露光システム。
  13. 請求項12に記載のマイクロリソグラフィ投影露光システムを使用する方法であって、
    前記照明光学系を使用して、物体平面の物体視野内の物体を照明することと、
    前記投影光学系を使用して、前記物体を像平面内の像視野に投影することと、
    を含むことを特徴とする、
    方法。
  14. 前記方法中に、光が、前記物体視野から前記第1の屈折サブユニット、前記反射サブユニット、前記第2の屈折サブユニット、前記像視野の順に通過することを特徴とする、請求項13に記載の方法。
JP2014117441A 2007-01-17 2014-06-06 マイクロリソグラフィのための投影光学系 Expired - Fee Related JP5842302B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007003307.0 2007-01-17
DE102007003307 2007-01-17

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008007858A Division JP5559462B2 (ja) 2007-01-17 2008-01-17 マイクロリソグラフィのための投影光学系

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014209249A JP2014209249A (ja) 2014-11-06
JP5842302B2 true JP5842302B2 (ja) 2016-01-13

Family

ID=39617490

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008007858A Expired - Fee Related JP5559462B2 (ja) 2007-01-17 2008-01-17 マイクロリソグラフィのための投影光学系
JP2014117441A Expired - Fee Related JP5842302B2 (ja) 2007-01-17 2014-06-06 マイクロリソグラフィのための投影光学系

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008007858A Expired - Fee Related JP5559462B2 (ja) 2007-01-17 2008-01-17 マイクロリソグラフィのための投影光学系

Country Status (2)

Country Link
US (3) US7929114B2 (ja)
JP (2) JP5559462B2 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7929114B2 (en) * 2007-01-17 2011-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optics for microlithography
DE102009008644A1 (de) 2009-02-12 2010-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
JP5810467B2 (ja) * 2009-03-06 2015-11-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系及び該結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置
DE102009034028A1 (de) * 2009-03-30 2010-10-07 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
US8317344B2 (en) 2010-06-08 2012-11-27 Nikon Corporation High NA annular field catoptric projection optics using Zernike polynomial mirror surfaces
DE102010040811A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
JP5868063B2 (ja) 2011-08-05 2016-02-24 キヤノン株式会社 撮像装置
TW201514541A (zh) * 2013-09-19 2015-04-16 尼康股份有限公司 投影光學系統、投影光學系統的調整方法、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
WO2016150612A2 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Asml Netherlands B.V. Radiation beam expander
WO2017213058A1 (ja) * 2016-06-08 2017-12-14 キヤノン株式会社 結像光学系、それを備える撮像装置及び投射装置
DE102016224400A1 (de) 2016-12-07 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Katadioptrisches Projektionsobjektiv und Verfahren zu seiner Herstellung
US11803051B1 (en) 2019-05-14 2023-10-31 Synopsys, Inc. Freeform optical surface and method of forming a freeform optical surface

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4701035A (en) * 1984-08-14 1987-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Reflection optical system
US5636066A (en) * 1993-03-12 1997-06-03 Nikon Corporation Optical apparatus
US6229595B1 (en) 1995-05-12 2001-05-08 The B. F. Goodrich Company Lithography system and method with mask image enlargement
JPH1010430A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Nikon Corp 2回結像光学系
US6000798A (en) * 1997-10-06 1999-12-14 Innotech Inc. Ophthalmic optic devices
JP2000091209A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US6600552B2 (en) * 1999-02-15 2003-07-29 Carl-Zeiss Smt Ag Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus
EP1772775B1 (de) * 1999-02-15 2008-11-05 Carl Zeiss SMT AG Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage
JP2001185480A (ja) 1999-10-15 2001-07-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置
EP1093021A3 (en) 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
US6600608B1 (en) 1999-11-05 2003-07-29 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective comprising two intermediate images
EP1115019A3 (en) * 1999-12-29 2004-07-28 Carl Zeiss Projection exposure lens with aspheric elements
TW538256B (en) * 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
WO2002044786A2 (en) 2000-11-28 2002-06-06 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection system for 157 nm lithography
DE10005189A1 (de) * 2000-02-05 2001-08-09 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage mit reflektivem Retikel
JP2001228401A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
DE10016176A1 (de) * 2000-03-31 2001-10-04 Zeiss Carl Mikrolithographisches Beleuchtungssystem und Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage damit
WO2001088597A1 (en) 2000-05-12 2001-11-22 Virtual Vision, Inc. Virtual imaging system for small font text
JP2002015979A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Nikon Corp 投影光学系、露光装置及び露光方法
KR20030045817A (ko) 2000-10-20 2003-06-11 칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈
DE10052289A1 (de) * 2000-10-20 2002-04-25 Zeiss Carl 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv
JP4245286B2 (ja) 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
KR20020074232A (ko) * 2000-12-06 2002-09-28 가부시키가이샤 니콘 X선 투영 노광장치, x선 투영 노광방법 및 반도체디바이스
JP2004516500A (ja) 2000-12-12 2004-06-03 カール ツァイス エスエムテー アーゲー Euvリソグラフィ用の投影系
KR100831706B1 (ko) 2001-01-09 2008-05-22 칼 짜이스 에스엠티 에이지 극자외선 리소그라피를 위한 투영시스템
US6387723B1 (en) * 2001-01-19 2002-05-14 Silicon Light Machines Reduced surface charging in silicon-based devices
JP4349550B2 (ja) 2001-03-29 2009-10-21 フジノン株式会社 反射型投映用光学系
TW594043B (en) 2001-04-11 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Reflection type optical apparatus and photographing apparatus using the same, multi-wavelength photographing apparatus, monitoring apparatus for vehicle
DE10120446C2 (de) * 2001-04-26 2003-04-17 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern in einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikro-Lithographie
KR100481106B1 (ko) * 2001-05-21 2005-04-07 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 투사기
JP4780364B2 (ja) 2001-06-14 2011-09-28 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2003233002A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003233005A (ja) 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2004029625A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Nikon Corp 投影光学系、露光装置及び露光方法
US7072102B2 (en) * 2002-08-22 2006-07-04 Asml Netherlands B.V. Methods for reducing polarization aberration in optical systems
CN100462844C (zh) * 2002-08-23 2009-02-18 株式会社尼康 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法
JP3938040B2 (ja) * 2002-12-27 2007-06-27 キヤノン株式会社 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2004252358A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系及び露光装置
JP2004252363A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系
JP2004258541A (ja) 2003-02-27 2004-09-16 Canon Inc 反射型光学系
JP2004317534A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Nikon Corp 反射屈折型の結像光学系、露光装置、および露光方法
US7348575B2 (en) 2003-05-06 2008-03-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP2005172988A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Nikon Corp 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
DE10359576A1 (de) 2003-12-18 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung einer optischen Einheit
DE10360414A1 (de) * 2003-12-19 2005-07-21 Carl Zeiss Smt Ag EUV-Projektionsobjektiv sowie Verfahren zu dessen Herstellung
KR101309242B1 (ko) 2004-01-14 2013-09-16 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 반사굴절식 투영 대물렌즈
US7114818B2 (en) * 2004-05-06 2006-10-03 Olympus Corporation Optical system, and electronic equipment that incorporates the same
US8107162B2 (en) * 2004-05-17 2012-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective with intermediate images
WO2006037651A1 (en) * 2004-10-08 2006-04-13 Carl Zeiss Smt Ag Optical projection system
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
JP5366405B2 (ja) 2004-12-23 2013-12-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 遮光瞳を有する高開口率対物光学系
TWI308644B (en) 2004-12-23 2009-04-11 Zeiss Carl Smt Ag Hochaperturiges objektiv mlt obskurierter pupille
US20060198018A1 (en) * 2005-02-04 2006-09-07 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system
KR100604942B1 (ko) * 2005-06-18 2006-07-31 삼성전자주식회사 비축상(off-axis) 프로젝션 광학계 및 이를 적용한극자외선 리소그래피 장치
DE102006003375A1 (de) * 2006-01-24 2007-08-09 Carl Zeiss Smt Ag Gruppenweise korrigiertes Objektiv
EP1930771A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-11 Carl Zeiss SMT AG Projection objectives having mirror elements with reflective coatings
US7929114B2 (en) * 2007-01-17 2011-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optics for microlithography

Also Published As

Publication number Publication date
US20110157572A1 (en) 2011-06-30
US9239521B2 (en) 2016-01-19
US20140118714A1 (en) 2014-05-01
JP2014209249A (ja) 2014-11-06
US8643824B2 (en) 2014-02-04
US7929114B2 (en) 2011-04-19
US20080170216A1 (en) 2008-07-17
JP5559462B2 (ja) 2014-07-23
JP2008177575A (ja) 2008-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5842302B2 (ja) マイクロリソグラフィのための投影光学系
JP5726396B2 (ja) 結像光学系
KR102648040B1 (ko) 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치
KR101444517B1 (ko) 이미징 광학 시스템 및 이러한 타입의 이미징 광학 시스템을 구비한 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치
JP6249449B2 (ja) マイクロリソグラフィのための投影対物系
JP5896313B2 (ja) 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置
US9535337B2 (en) Imaging optics, microlithography projection exposure apparatus having same and related methods
TW201621474A (zh) Euv投影微影的照明光學單元
TW202401170A (zh) 用於將物場成像到像場的成像euv光學單元
CN117441116A (zh) 成像光学单元

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150318

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150617

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150827

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150924

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20151026

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151029

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5842302

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees