JP5842302B2 - マイクロリソグラフィのための投影光学系 - Google Patents
マイクロリソグラフィのための投影光学系 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5842302B2 JP5842302B2 JP2014117441A JP2014117441A JP5842302B2 JP 5842302 B2 JP5842302 B2 JP 5842302B2 JP 2014117441 A JP2014117441 A JP 2014117441A JP 2014117441 A JP2014117441 A JP 2014117441A JP 5842302 B2 JP5842302 B2 JP 5842302B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- subunit
- projection optical
- refractive
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0836—Catadioptric systems using more than three curved mirrors
- G02B17/0848—Catadioptric systems using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
Claims (14)
- 第1の屈折サブユニット、反射サブユニット、第2の屈折サブユニットから構成される投影光学系であって、
物体平面の物体視野における物体点から放射される光が前記投影光学系を通過する経路が、前記物体視野から、前記第1の屈折サブユニット、前記反射サブユニット、前記第2の屈折サブユニット、前記像視野の順に通過するものであり、
前記反射サブユニットが、第1の曲面ミラーと第2の曲面ミラーの2つのミラーから構成され、
前記2つのミラーが、それぞれ回転対称関数によって記述不可能な静的反射自由曲面であり、
前記2つのミラーが、それぞれ凹面であり、
前記2つの屈折サブユニットの各光軸が平行であって、かつ、互いに離間し、
前記投影光学系は、前記物体平面と前記像平面の間に、1つ又は複数の中間像平面を有することを特徴とする、
投影光学系。 - 前記投影光学系は、前記第1の屈折サブユニットと前記反射サブユニットの間の前記光の経路において、中間像平面を有することを特徴とする、請求項1に記載の投影光学系。
- 前記投影光学系は、前記反射サブユニットと前記第2の屈折サブユニットの間の前記光の経路において、中間像平面を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の投影光学系。
- 前記反射サブユニットは、変形可能な面を含むミラーを含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の投影光学系。
- 補正ユニットを更に含み、
前記反射サブユニットは、前記補正ユニットと信号接続されている変形可能ミラーを含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の投影光学系。 - 前記2つの屈折サブユニットの各々は、該2つの屈折サブユニットの各々の光学構成要素に対して中央に位置する光軸を有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の投影光学系。
- 前記第1の曲面ミラーと前記第2の曲面ミラーは、結像光の前記経路に対して貫通口を有しないことを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の投影光学系。
- 前記第1の屈折サブユニットの光軸と前記物体平面との交点が前記物体視野内に位置していることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の投影光学系。
- 前記第1の屈折サブユニットの光軸と前記物体平面との交点が前記物体視野内の中心にあることを特徴とする、請求項8に記載の投影光学系。
- 前記第2の屈折サブユニットの光軸と前記像平面との交点が前記像視野内に位置していることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項に記載の投影光学系。
- 前記第2の屈折サブユニットの光軸と前記像平面との交点が前記像視野内の中心にあることを特徴とする、請求項10に記載の投影光学系。
- 光を物体平面内の物体視野へ案内するための照明光学系と、
請求項1〜11のいずれか一項に記載の投影光学系と、
を含むことを特徴とする、
マイクロリソグラフィ投影露光システム。 - 請求項12に記載のマイクロリソグラフィ投影露光システムを使用する方法であって、
前記照明光学系を使用して、物体平面の物体視野内の物体を照明することと、
前記投影光学系を使用して、前記物体を像平面内の像視野に投影することと、
を含むことを特徴とする、
方法。 - 前記方法中に、光が、前記物体視野から前記第1の屈折サブユニット、前記反射サブユニット、前記第2の屈折サブユニット、前記像視野の順に通過することを特徴とする、請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007003307.0 | 2007-01-17 | ||
DE102007003307 | 2007-01-17 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008007858A Division JP5559462B2 (ja) | 2007-01-17 | 2008-01-17 | マイクロリソグラフィのための投影光学系 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014209249A JP2014209249A (ja) | 2014-11-06 |
JP5842302B2 true JP5842302B2 (ja) | 2016-01-13 |
Family
ID=39617490
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008007858A Expired - Fee Related JP5559462B2 (ja) | 2007-01-17 | 2008-01-17 | マイクロリソグラフィのための投影光学系 |
JP2014117441A Expired - Fee Related JP5842302B2 (ja) | 2007-01-17 | 2014-06-06 | マイクロリソグラフィのための投影光学系 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008007858A Expired - Fee Related JP5559462B2 (ja) | 2007-01-17 | 2008-01-17 | マイクロリソグラフィのための投影光学系 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7929114B2 (ja) |
JP (2) | JP5559462B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7929114B2 (en) * | 2007-01-17 | 2011-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
DE102009008644A1 (de) | 2009-02-12 | 2010-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
JP5810467B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2015-11-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及び該結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
DE102009034028A1 (de) * | 2009-03-30 | 2010-10-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
US8317344B2 (en) | 2010-06-08 | 2012-11-27 | Nikon Corporation | High NA annular field catoptric projection optics using Zernike polynomial mirror surfaces |
DE102010040811A1 (de) * | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
JP5868063B2 (ja) | 2011-08-05 | 2016-02-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
TW201514541A (zh) * | 2013-09-19 | 2015-04-16 | 尼康股份有限公司 | 投影光學系統、投影光學系統的調整方法、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法 |
WO2016150612A2 (en) * | 2015-03-23 | 2016-09-29 | Asml Netherlands B.V. | Radiation beam expander |
WO2017213058A1 (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | キヤノン株式会社 | 結像光学系、それを備える撮像装置及び投射装置 |
DE102016224400A1 (de) | 2016-12-07 | 2018-06-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Katadioptrisches Projektionsobjektiv und Verfahren zu seiner Herstellung |
US11803051B1 (en) | 2019-05-14 | 2023-10-31 | Synopsys, Inc. | Freeform optical surface and method of forming a freeform optical surface |
Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4701035A (en) * | 1984-08-14 | 1987-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflection optical system |
US5636066A (en) * | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
US6229595B1 (en) | 1995-05-12 | 2001-05-08 | The B. F. Goodrich Company | Lithography system and method with mask image enlargement |
JPH1010430A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Nikon Corp | 2回結像光学系 |
US6000798A (en) * | 1997-10-06 | 1999-12-14 | Innotech Inc. | Ophthalmic optic devices |
JP2000091209A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6600552B2 (en) * | 1999-02-15 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss Smt Ag | Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus |
EP1772775B1 (de) * | 1999-02-15 | 2008-11-05 | Carl Zeiss SMT AG | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
JP2001185480A (ja) | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
EP1093021A3 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
US6600608B1 (en) | 1999-11-05 | 2003-07-29 | Carl-Zeiss-Stiftung | Catadioptric objective comprising two intermediate images |
EP1115019A3 (en) * | 1999-12-29 | 2004-07-28 | Carl Zeiss | Projection exposure lens with aspheric elements |
TW538256B (en) * | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
WO2002044786A2 (en) | 2000-11-28 | 2002-06-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection system for 157 nm lithography |
DE10005189A1 (de) * | 2000-02-05 | 2001-08-09 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage mit reflektivem Retikel |
JP2001228401A (ja) | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
US7301605B2 (en) | 2000-03-03 | 2007-11-27 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices |
DE10016176A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-04 | Zeiss Carl | Mikrolithographisches Beleuchtungssystem und Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage damit |
WO2001088597A1 (en) | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Virtual Vision, Inc. | Virtual imaging system for small font text |
JP2002015979A (ja) | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
KR20030045817A (ko) | 2000-10-20 | 2003-06-11 | 칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 | 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 |
DE10052289A1 (de) * | 2000-10-20 | 2002-04-25 | Zeiss Carl | 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv |
JP4245286B2 (ja) | 2000-10-23 | 2009-03-25 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
KR20020074232A (ko) * | 2000-12-06 | 2002-09-28 | 가부시키가이샤 니콘 | X선 투영 노광장치, x선 투영 노광방법 및 반도체디바이스 |
JP2004516500A (ja) | 2000-12-12 | 2004-06-03 | カール ツァイス エスエムテー アーゲー | Euvリソグラフィ用の投影系 |
KR100831706B1 (ko) | 2001-01-09 | 2008-05-22 | 칼 짜이스 에스엠티 에이지 | 극자외선 리소그라피를 위한 투영시스템 |
US6387723B1 (en) * | 2001-01-19 | 2002-05-14 | Silicon Light Machines | Reduced surface charging in silicon-based devices |
JP4349550B2 (ja) | 2001-03-29 | 2009-10-21 | フジノン株式会社 | 反射型投映用光学系 |
TW594043B (en) | 2001-04-11 | 2004-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Reflection type optical apparatus and photographing apparatus using the same, multi-wavelength photographing apparatus, monitoring apparatus for vehicle |
DE10120446C2 (de) * | 2001-04-26 | 2003-04-17 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern in einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikro-Lithographie |
KR100481106B1 (ko) * | 2001-05-21 | 2005-04-07 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 투사기 |
JP4780364B2 (ja) | 2001-06-14 | 2011-09-28 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
JP2003233002A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2003233005A (ja) | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004029625A (ja) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置及び露光方法 |
US7072102B2 (en) * | 2002-08-22 | 2006-07-04 | Asml Netherlands B.V. | Methods for reducing polarization aberration in optical systems |
CN100462844C (zh) * | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
JP3938040B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2007-06-27 | キヤノン株式会社 | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004252358A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系及び露光装置 |
JP2004252363A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系 |
JP2004258541A (ja) | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Canon Inc | 反射型光学系 |
JP2004317534A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Nikon Corp | 反射屈折型の結像光学系、露光装置、および露光方法 |
US7348575B2 (en) | 2003-05-06 | 2008-03-25 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
JP2005172988A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
DE10359576A1 (de) | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung einer optischen Einheit |
DE10360414A1 (de) * | 2003-12-19 | 2005-07-21 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV-Projektionsobjektiv sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
KR101309242B1 (ko) | 2004-01-14 | 2013-09-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
US7114818B2 (en) * | 2004-05-06 | 2006-10-03 | Olympus Corporation | Optical system, and electronic equipment that incorporates the same |
US8107162B2 (en) * | 2004-05-17 | 2012-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
WO2006037651A1 (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical projection system |
DE102005042005A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
JP5366405B2 (ja) | 2004-12-23 | 2013-12-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 遮光瞳を有する高開口率対物光学系 |
TWI308644B (en) | 2004-12-23 | 2009-04-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Hochaperturiges objektiv mlt obskurierter pupille |
US20060198018A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-09-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system |
KR100604942B1 (ko) * | 2005-06-18 | 2006-07-31 | 삼성전자주식회사 | 비축상(off-axis) 프로젝션 광학계 및 이를 적용한극자외선 리소그래피 장치 |
DE102006003375A1 (de) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Gruppenweise korrigiertes Objektiv |
EP1930771A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-11 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objectives having mirror elements with reflective coatings |
US7929114B2 (en) * | 2007-01-17 | 2011-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
-
2008
- 2008-01-04 US US11/969,476 patent/US7929114B2/en active Active
- 2008-01-17 JP JP2008007858A patent/JP5559462B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-11 US US13/045,723 patent/US8643824B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-01-07 US US14/149,212 patent/US9239521B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-06 JP JP2014117441A patent/JP5842302B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110157572A1 (en) | 2011-06-30 |
US9239521B2 (en) | 2016-01-19 |
US20140118714A1 (en) | 2014-05-01 |
JP2014209249A (ja) | 2014-11-06 |
US8643824B2 (en) | 2014-02-04 |
US7929114B2 (en) | 2011-04-19 |
US20080170216A1 (en) | 2008-07-17 |
JP5559462B2 (ja) | 2014-07-23 |
JP2008177575A (ja) | 2008-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5842302B2 (ja) | マイクロリソグラフィのための投影光学系 | |
JP5726396B2 (ja) | 結像光学系 | |
KR102648040B1 (ko) | 이미지 필드내에 오브젝트 필드를 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치 | |
KR101444517B1 (ko) | 이미징 광학 시스템 및 이러한 타입의 이미징 광학 시스템을 구비한 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 | |
JP6249449B2 (ja) | マイクロリソグラフィのための投影対物系 | |
JP5896313B2 (ja) | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 | |
US9535337B2 (en) | Imaging optics, microlithography projection exposure apparatus having same and related methods | |
TW201621474A (zh) | Euv投影微影的照明光學單元 | |
TW202401170A (zh) | 用於將物場成像到像場的成像euv光學單元 | |
CN117441116A (zh) | 成像光学单元 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150318 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150617 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150924 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20151026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151029 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5842302 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |