JP2011228699A - 反射光学要素、投影系及び投影露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】作動波長で屈折率の異なる実数部を有する少なくとも2つの交互材料の層(41,42)を有する多層系を備えた反射光学要素を提案し、作動波長である一定の入射角帯域幅分布を有する放射線は、反射光学要素上に入射することができ、反射面は、層(41,42)が第1の周期の厚み(P1)の交互材料を有する1つ又はそれよりも多くの第1の部分(A1)と、交互材料の層(41,42)が第1(P1)及び少なくとも1つの更に別の周期の厚み(P2)を有する1つ又はそれよりも多くの更に別の部分(A2)とを含み、反射面にわたる第1(A1)及び更に別の部分(A2)の配列は、入射角帯域幅分布に適応される。
【選択図】図4
Description
上述の分布に基づいて、様々な基準に鑑みて既に最適化された従来の層厚プロフィールDi(r)を1からNまでの全てのiに対して2波方位角方向周期関数Ψi(2θ)で乗算し、全和を取ることにより、層厚プロフィールDi(r)を有する多層系を有する従来の反射光学要素を本明細書に説明する反射光学系を作り出すように特に容易に修正することができる。これらの手段により、周期の厚みは個々のシーケンス内で変更される。各周期の厚みに基づいて、シーケンスは、幅狭又は幅広の入射角帯域幅において有意な反射率を有する。1つ又はそれよりも多くのシーケンスを有する部分の配列は、関数Ψi(2θ)を用いて入射角帯域幅の分布に適応される。
ここで、rは、座標原点からの反射面の点の距離であり、θは、反射面上のこの点の方位角であり、Nは、一部分内にある異なるシーケンスの数であり、Di(r)は、放射対称な層厚プロフィールであり、Ψi(2θ)は、方位角方向に周期的な関数である。これらの手段により、これらの部分の配列は、矩形の物体又は像視野に特に良好に適応され、そので、レチクルが連続的又は段階的な方式で走査される投影露光装置において多くの場合に使用される。
d(x,y) = d0*(C0+C2x *x2+C2y *y2)
ここで、係数C0=9.10*10-01、C2x=5.50*10-06、C2y=5.50*10-06である。
として定められ、この場合、強度Iは、各場合に射出瞳全体にわたって積分され、r及びφは瞳座標である(射出瞳及び極座標を略示している7dも参照されたい)。図7aでは、楕円度は0.0408%である。楕円度が0%に近づく程、結像欠陥の危険性は小さくなる。特に、楕円度は、水平構造と垂直構造の間の分離境界における差に関する尺度である。
d(r,θ) = d0*[c0+0.5*r2*((C2x+C2y)+(C2x-C2y)*cos(2θ))]
1 投影露光装置
2 光源
3 ビーム
3a 光ビーム
3b 光ビーム
4 照明系
5 物体平面
6 レチクル
7 投影系
8 像平面
8’ 中間像平面
9 物体
10 物体ホルダ
11a,c 周囲光ビーム
11b 中心光ビーム
12 レチクル
20 反射光学要素
21 反射面
22 基板
23 多層系
24 スタック
25 保護層
26 スペーサ
27 吸収体
28 中間層
41 吸収体
42 スペーサ
M1 ミラー
M2 ミラー
M3 ミラー
M4 ミラー
M5 ミラー
M6 ミラー
A1 第1の部分
A2 更に別の部分
P1 第1の周期の厚み
P2 更に別の周期の厚み
F1 シーケンス
F2 シーケンス
F3 シーケンス
A1 第1の部分
A2 更に別の部分
P1 第1の周期の厚み
P2 更に別の周期の厚み
Claims (16)
- 作動波長で屈折率の異なる実数部を有する少なくとも2つの交互材料の層を有する多層系を備えた反射面を基板上に含み、ある一定の入射角帯域幅分布を有する該作動波長の放射線が、反射光学要素上に入射することができ、該反射面が、該交互材料の層が第1の周期の厚みを有する1つ又はそれよりも多くの第1の部分と、該交互材料の層が第1の及び少なくとも1つの更に別の周期の厚みを有する1つ又はそれよりも多くの更に別の部分とを含む、紫外から極紫外までの波長範囲の作動波長のための反射光学要素であって、
反射面(21)にわたる第1の及び更に別の部分(A1,A2)の配列が、入射角帯域幅分布に適応される、
ことを特徴とする反射光学要素。 - 前記反射面(21)にわたる前記第1の及び更に別の部分(A1,A2)の前記配列は、平均入射角の変動に適応されることを特徴とする請求項1に記載の反射光学要素。
- 前記反射面(21)は、2つ又はそれよりも多くの第1の部分(A1)を含み、前記第1の周期の厚み(P1)は、全ての第1の部分(A1)で同じであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の反射光学要素。
- 前記反射面(21)は、2つ又はそれよりも多くの更に別の部分(A2)を含み、前記少なくとも1つの更に別の周期の厚み(P2)は、全ての更に別の部分(A2)で同じであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の反射光学要素。
- 前記少なくとも1つの第1の部分(A1)は、厳密に1つの周期の厚み(P1)を有する交互材料の層(41,42)のシーケンス(F1)を有し、前記少なくとも1つの更に別の部分(A2)は、各々が厳密に1つの周期の厚み(P1,P2)を有する交互材料の層(41,42)の少なくとも2つのシーケンス(F2,F3)を有し、該シーケンスのうちの1つ(F2)は、該少なくとも1つの第1の部分(A1)の該シーケンス(F1)と同じ周期の厚み(P1)を有することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の反射光学要素。
- 前記少なくとも1つの更に別の部分(A2)において、該少なくとも1つの更に別の部分(A1)の前記シーケンス(F1)と同じ周期の厚み(P1)を有する前記シーケンス(F2)は、前記基板(22)と前記少なくとも1つの更に別のシーケンス(F3)の間に配置されることを特徴とする請求項5に記載の反射光学要素。
- 前記第1の及び更に別の部分(A1,A2)の前記配列は、前記反射面にわたって方位角方向に周期的であることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の反射光学要素。
- 前記第1の及び更に別の部分(A1,A2)の前記配列は、前記反射面にわたって方位角方向に2つの周期を伴って周期的であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の反射光学要素。
- Ψi(2θ)は、ステップ関数であることを特徴とする請求項9に記載の反射光学要素。
- Ψi(2θ)は、正弦又は余弦関数であることを特徴とする請求項9に記載の反射光学要素。
- 投影露光装置のための紫外又は極紫外の波長範囲の波長で作動される投影系であって、
請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の反射光学要素、
を含むことを特徴とする投影系。 - 瞳掩蔽系(7)として構成されることを特徴とする請求項12に記載の投影系。
- 最大入射角帯域幅を有するミラー(M5)が、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の反射光学要素として構成されることを特徴とする請求項12又は請求項13に記載の投影系。
- 前記反射光学要素は、投影系の瞳平面に又はその近くに配置されることを特徴とする請求項12から請求項14のいずれか1項に記載の投影系。
- 紫外又は極紫外の波長範囲の波長で作動される投影露光装置であって、
請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の反射光学要素(M5)、
を含むことを特徴とする投影露光装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013175835A1 (ja) * | 2012-05-21 | 2013-11-28 | 株式会社ニコン | 反射鏡、投影光学系、露光装置、及びデバイス製造方法 |
WO2015001805A1 (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-08 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、投影光学系、露光装置、デバイスの製造方法 |
JP2015029092A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-02-12 | カール ツァイス レーザー オプティクス ゲーエムベーハー | Euv波長帯斜入射用反射光学素子 |
US9261773B2 (en) | 2013-02-20 | 2016-02-16 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for EUV lithography, and reflective layer-coated substrate for EUV lithography |
JP2016536653A (ja) * | 2013-11-04 | 2016-11-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィー投影露光装置用のミラー |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009029471A1 (de) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel zur Verwendung in einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
WO2011157643A1 (en) * | 2010-06-15 | 2011-12-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mask for euv lithography, euv lithography system and method for optimising the imaging of a mask |
DE102016201564A1 (de) | 2016-02-02 | 2017-08-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines reflektiven optischen Elements und reflektives optisches Element |
CN107635106B (zh) * | 2016-07-19 | 2020-06-16 | 华为技术有限公司 | 堆叠式显示装置 |
DE102016224113A1 (de) * | 2016-12-05 | 2018-06-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Intensitätsanpassungsfilter für die euv - mikrolithographie und verfahren zur herstellung desselben sowie beleuchtungssystem mit einem entsprechenden filter |
CN112783078B (zh) * | 2020-12-29 | 2024-10-08 | 西南技术物理研究所 | 一种间歇式光学监控信号同步采样方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005260072A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 反射素子、露光装置 |
JP2005340459A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Canon Inc | 投影光学系及び露光装置及びデバイス製造方法及びデバイス |
JP2006029915A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Nikon Corp | 反射素子、露光装置 |
JP2008096271A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Canon Inc | 多層膜ミラーおよびその製造方法 |
JP2008176326A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Carl Zeiss Smt Ag | 結像光学系 |
JP2008203820A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-09-04 | Carl Zeiss Smt Ag | 反射コーティングを備えたミラー要素を有する投影対物レンズ |
JP2008270808A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、露光装置、デバイス製造方法、多層膜反射鏡の製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5360659A (en) * | 1993-05-24 | 1994-11-01 | The Dow Chemical Company | Two component infrared reflecting film |
US6295164B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-09-25 | Nikon Corporation | Multi-layered mirror |
US20020171922A1 (en) * | 2000-10-20 | 2002-11-21 | Nikon Corporation | Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for same, and EUV optical systems comprising same |
US6861273B2 (en) * | 2001-04-30 | 2005-03-01 | Euv Llc | Method of fabricating reflection-mode EUV diffusers |
EP1260861A1 (en) | 2001-05-21 | 2002-11-27 | ASML Netherlands B.V. | Method of manufacturing a reflector, reflector manufactured thereby, phase shift mask and lithographic apparatus making use of them |
US7053988B2 (en) * | 2001-05-22 | 2006-05-30 | Carl Zeiss Smt Ag. | Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine |
DE50208750D1 (de) * | 2001-08-01 | 2007-01-04 | Zeiss Carl Smt Ag | Reflektives Projektionsobjektiv für EUV-Photolithographie |
US20030081722A1 (en) * | 2001-08-27 | 2003-05-01 | Nikon Corporation | Multilayer-film mirrors for use in extreme UV optical systems, and methods for manufacturing such mirrors exhibiting improved wave aberrations |
JP4144301B2 (ja) | 2002-09-03 | 2008-09-03 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡、反射型マスク、露光装置及び反射型マスクの製造方法 |
EP3389056A1 (en) * | 2003-06-02 | 2018-10-17 | Nikon Corporation | Multilayer film reflector and x-ray exposure system |
CN100449690C (zh) * | 2003-10-15 | 2009-01-07 | 株式会社尼康 | 多层膜反射镜、多层膜反射镜的制造方法及曝光系统 |
JP2006173446A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Nikon Corp | 極端紫外線用の光学素子及びこれを用いた投影露光装置 |
DE102005042005A1 (de) * | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
JP2007059743A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡および露光装置 |
JP5311757B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2013-10-09 | キヤノン株式会社 | 反射光学素子、露光装置およびデバイス製造方法 |
KR101393912B1 (ko) * | 2007-08-20 | 2014-05-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사 코팅을 갖는 미러 소자들을 구비하는 투영 대물렌즈 |
JP2009141177A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Canon Inc | Euv用ミラー及びそれを有するeuv露光装置 |
DE102008033340B3 (de) * | 2008-07-16 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik |
-
2011
- 2011-03-04 DE DE102011005144A patent/DE102011005144A1/de not_active Ceased
- 2011-03-11 US US13/046,137 patent/US8610876B2/en active Active
- 2011-03-17 KR KR1020110023821A patent/KR101808341B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-17 JP JP2011084032A patent/JP5759234B2/ja active Active
- 2011-03-17 CN CN201110065446.9A patent/CN102193121B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005260072A (ja) * | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 反射素子、露光装置 |
JP2005340459A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Canon Inc | 投影光学系及び露光装置及びデバイス製造方法及びデバイス |
JP2006029915A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Nikon Corp | 反射素子、露光装置 |
JP2008096271A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Canon Inc | 多層膜ミラーおよびその製造方法 |
JP2008203820A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-09-04 | Carl Zeiss Smt Ag | 反射コーティングを備えたミラー要素を有する投影対物レンズ |
JP2008176326A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Carl Zeiss Smt Ag | 結像光学系 |
JP2008270808A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、露光装置、デバイス製造方法、多層膜反射鏡の製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013175835A1 (ja) * | 2012-05-21 | 2013-11-28 | 株式会社ニコン | 反射鏡、投影光学系、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US9606447B2 (en) | 2012-05-21 | 2017-03-28 | Nikon Corporation | Reflective mirror, projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9864278B2 (en) | 2012-05-21 | 2018-01-09 | Nikon Corporation | Reflective mirror, projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US10191387B2 (en) | 2012-05-21 | 2019-01-29 | Nikon Corporation | Reflective mirror, projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9261773B2 (en) | 2013-02-20 | 2016-02-16 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for EUV lithography, and reflective layer-coated substrate for EUV lithography |
WO2015001805A1 (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-08 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、投影光学系、露光装置、デバイスの製造方法 |
JPWO2015001805A1 (ja) * | 2013-07-05 | 2017-02-23 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、投影光学系、露光装置、デバイスの製造方法 |
US10126660B2 (en) | 2013-07-05 | 2018-11-13 | Nikon Corporation | Multilayer film reflector, method of manufacturing multilayer film reflector, projection optical system, exposure apparatus, and method of manufacturing device |
JP2015029092A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-02-12 | カール ツァイス レーザー オプティクス ゲーエムベーハー | Euv波長帯斜入射用反射光学素子 |
JP2016536653A (ja) * | 2013-11-04 | 2016-11-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィー投影露光装置用のミラー |
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Publication number | Publication date |
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