JP2008203820A - 反射コーティングを備えたミラー要素を有する投影対物レンズ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光学系は、放射線を結像する複数の要素を有し、該要素は放射線経路に位置決めしたミラー要素を含む。ミラー要素のうち少なくとも1つは、瞳面または瞳面付近に配置された瞳ミラーである。瞳ミラー以外のミラー要素のうち少なくとも1つは、残りのミラーの入射角範囲の最大値と、平均入射角の最大値のうち少なくとも1つが生じる位置に配置された高負荷のミラーである。瞳ミラー面は多層スタックを含む一次元的な漸変コーティングの反射コーティングによって形成され、該層は第1勾配関数に応じて第1方向に変動し、第1方向に垂直な第2方向では実質的に一定である幾何学的な層厚さを有する。高負荷のミラーのミラー面は、第2勾配関数に応じて漸変コーティングとして設計された反射ミラーコーティングで被覆される。
【選択図】図1
Description
波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
該要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
該ミラー要素のうち少なくとも1つは、該光学系の瞳面に、またはその付近に瞳ミラー面が配置された瞳ミラーであり、
該瞳ミラー以外の全てのミラーを含む残りのミラー要素のうち少なくとも1つは、残りのミラー全ての入射角範囲の最大値、および平均入射角の最大値のうち少なくとも1つが生じる位置にミラー面が配置された高負荷のミラーであり、
該瞳ミラー面が、種々の材料層の多層スタックを含む一次元的な漸変コーティングとして設計された反射コーティングによって形成され、該層が、第1勾配関数に応じて該コーティングの第1方向に変動するが該第1方向に垂直な第2方向では実質的に一定である幾何学的な層厚さを有し、
該高負荷のミラーの該ミラー面が、第2勾配関数に応じて漸変コーティングとして設計された反射ミラーコーティングで被覆されている
光学系である。
波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
該要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
該ミラー要素のうち少なくとも1つは、該光学系の瞳面に、またはその付近に瞳ミラー面が配置された瞳ミラーであり、
該瞳ミラー面が、種々の材料層の多層スタックを含む一次元的な漸変コーティングとして設計された反射コーティングによって形成され、該層が、第1勾配関数に応じて該コーティングの第1方向に変動するが該第1方向に垂直な第2方向では実質的に一定である幾何学的な層厚さを有する
光学系にも関する。
波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
該要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
該ミラー要素のうち少なくとも1つは、該光学系の瞳面に、またはその付近に瞳ミラー面が配置された瞳ミラーであり、
該瞳ミラー以外の全てのミラーを含む残りのミラー要素のうち少なくとも1つが高負荷のミラーであり、
該瞳ミラー面が、種々の材料層の多層スタックを含む一次元的な漸変コーティングとして設計された反射コーティングによって形成され、該層が、第1勾配関数に応じて該コーティングの第1方向に変動するが該第1方向に垂直な第2方向では実質的に一定である幾何学的な層厚さを有し、
該高負荷のミラーの該ミラー面が、第2勾配関数に応じて漸変コーティングとして設計された反射ミラーコーティングで被覆されている、
光学系にも関する。
波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
該要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
該要素のうち少なくとも1つは、該放射線の該経路中に回転非対称面が位置決めされた反射要素であり、
該回転非対称面が、単数または複数の場所にて最良適合の回転対称面から約λ以上だけ外れており、
少なくとも1つの反射面が、種々の材料層の多層スタックを含む漸変コーティングとして設計された反射コーティングによって形成され、該層が、勾配関数に応じて変動する幾何学的な層厚さを有する、
光学系が提供される。
Claims (35)
- 波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
前記要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
前記ミラー要素のうち少なくとも1つは、前記光学系の瞳面に、またはその付近に瞳ミラー面が配置された瞳ミラーであり、
前記瞳ミラー以外の全てのミラーを含む、残りのミラー要素のうち少なくとも1つは、残りのミラー全ての入射角範囲の最大値および平均入射角の最大値のうち少なくとも1つが生じる位置にミラー面が配置された高負荷のミラーであり、
前記瞳ミラー面が、種々の材料層の多層スタックを含む一次元的な漸変コーティングとして設計された反射コーティングによって形成され、前記層が、第1勾配関数に応じて前記コーティングの第1方向に変動するが前記第1方向に垂直な第2方向では実質的に一定である幾何学的な層厚さを有し、
前記高負荷のミラーの前記ミラー面が、第2勾配関数に応じて漸変コーティングとして設計された反射ミラーコーティングで被覆されている、
光学系。 - 前記一次元的な漸変瞳ミラーコーティングによって引き起こされる前記像フィールド内の放射線強度の不均一性が、前記高負荷の前記漸変コーティングによって少なくとも部分的に補償されるように、前記高負荷のミラーの前記ミラーコーティングの層の幾何学的膜厚の前記位置およびばらつきのうち少なくとも1つが、前記一次元的な漸変瞳ミラーコーティングに適合される、請求項1記載の光学系。
- 前記瞳ミラーに加えて提供される前記高負荷のミラーは、前記投影対物レンズの光学的に対をなす別の瞳面に、またはその近くに位置決めされた別の瞳ミラーであり、好ましくは、前記別の瞳ミラーの前記一次元的な漸変コーティングによって引き起こされる照射の不均等性が少なくとも部分的に補償されるように、前記高負荷のミラーの前記漸変コーティングが最適化される、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。
- 前記複数の要素が子午面を規定し、前記第1方向が前記子午面内にある、および/または、前記要素が前記子午面に対して対称である、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。
- 前記光学系を通る放射線経路が、反射面の各場所での光線の平均入射角θavgを特徴としており、
前記多層スタックの前記層の局所的な幾何学的層厚さが、前記平均入射角θavgに実質的に比例して前記第1方向に変動するように、前記第1勾配関数が前記瞳ミラー面での前記平均入射角Θavgに適合される、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。 - 前記光学系を通る放射線経路が、反射面の各場所での光線の入射角範囲Δθを特徴としており、
前記多層スタックの前記層の局所的な幾何学的層厚さが、前記入射角範囲Δθに実質的に比例して前記第1方向に変動するように、前記第1勾配関数が前記瞳ミラー面での前記入射角範囲Δθに適合される、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。 - 前記瞳ミラー面の、前記第1方向での局所的反射率の絶対値がわずか30%だけ変動するように、前記第1勾配関数が、前記瞳ミラー面の各場所での入射角範囲Δθ、および平均入射角Θavgのうち少なくとも1つに適合される、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。
- 前記第1勾配関数が一次関数である、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。
- 前記多層の前記層の局所的な幾何学的層厚さが、前記瞳ミラーの一方の側から前記瞳ミラーの反対側へ前記第1方向に沿って単調に増加するように前記第1勾配関数が規定される、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。
- 前記第1勾配関数が放物線関数である、請求項1〜8のいずれか1項記載の光学系。
- 前記高負荷のミラーの前記ミラーコーティングが、回転中心に対して対称な、回転対称の第2勾配関数に応じて設計されており、好ましくは、前記回転対称の第2勾配関数が放物線関数である、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。
- 少なくとも1つのミラーが、均一な厚さのコーティングを有し、好ましくは、前記高負荷のミラー以外の残りのミラー全てが、均一な厚さのコーティングを有する、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。
- 前記光学系が、EUV波長13nm<λ<14nm用に設計された純反射光学系であり、像側の開口数NAは約0.3以上であり、好ましくは0.3≦NA≦0.4である、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。
- 前記光学系が少なくとも3つミラーを有し、EUV波長13nm<λ<14nm用に設計されており、像側の開口数はNA>0.25であり、全体的透過Tが0.08以上であり、好ましくは0.3≦NA≦0.4である、請求項1〜14のいずれか1項記載の光学系。
- 前記光学系が偶数のミラーを有し、好ましくは前記光学系が6つのミラーを有する、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。
- 前記光学系が3つ以上のミラーを有し、前記反射ミラー面の、利用される全体的な区域にわたって積分された平均反射率Rmeanが、各ミラー上で少なくとも60%であり、好ましくは、前記光学系が偶数のミラーを有し、好ましくは前記光学系が6つのミラーを有する、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。
- 前記要素のうち少なくとも1つは、前記放射線の前記経路中に回転非対称面が位置決めされた反射要素であり、
前記回転非対称面が、単数または複数の場所にて最良適合の回転対称面から約λ以上だけ外れている、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。 - 前記回転非対称面が、前記単数または複数の場所にて前記最良適合の回転対称面から約10λ以上だけ外れている、請求項19または20記載の光学系。
- 回転非対称面を有する前記反射要素のうち少なくとも1つが、漸変コーティングで被覆された反射面を有する、請求項19〜21のいずれか1項記載の光学系。
- 分解能が1μm未満であるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズとして構成された、先行請求項のいずれか1項記載の光学系。
- 主光源からの放射線を受けるように構成された、投影対物レンズの物体面内でパターンを照射するための照射系と、先行請求項のいずれか1項記載の光学系を有する投影対物レンズとを有する、マイクロリソグラフィで使用するための投影露光系。
- 前記主光源が、波長13nm<λ<14nmのEUV放射線を放出する、請求項24記載の投影露光系。
- 半導体素子または別の種類のマイクロデバイスを加工するための方法であって、
所定のパターンを有するマスクを提供するステップと、
前記マスクを、所定の波長λの放射線で照射するステップと、
請求項1〜23のいずれか1項記載の光学系によって形成される投影対物レンズの前記像平面の近傍に配置された感光性基板上へ、前記パターンの像を投影するステップと
を有する方法。 - 波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
前記要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
前記ミラー要素のうち少なくとも1つは、前記光学系の瞳面に、またはその付近に瞳ミラー面が配置された瞳ミラーであり、
前記瞳ミラー面が、種々の材料層の多層スタックを含む一次元的な漸変コーティングとして設計された反射コーティングによって形成され、前記層が、第1勾配関数に応じて前記コーティングの第1方向に変動するが前記第1方向に垂直な第2方向では実質的に一定である幾何学的な層厚さを有する
光学系。 - 波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
前記要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
前記ミラー要素のうち少なくとも1つは、前記光学系の瞳面に、またはその付近に瞳ミラー面が配置された瞳ミラーであり、
前記瞳ミラー以外の全てのミラーを含む残りのミラー要素のうち少なくとも1つは高負荷のミラーであり、
前記瞳ミラー面が、種々の材料層の多層スタックを含む一次元的な漸変コーティングとして設計された反射コーティングによって形成され、前記層が、第1勾配関数に応じて前記コーティングの第1方向に変動するが前記第1方向に垂直な第2方向では実質的に一定である幾何学的な層厚さを有し、
前記高負荷のミラーの前記ミラー面が、第2勾配関数に応じて漸変コーティングとして設計された反射ミラーコーティングで被覆されている
光学系。 - 波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
前記要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
前記ミラー要素が、前記入射角の範囲の最大値ΔΘを第1方向に有するミラー要素を含み、
そのミラーが、種々の材料層の多層スタックを含む一次元的な漸変多層コーティングとして設計された反射コーティングで被覆されており、前記層が、第1勾配関数に応じて前記コーティングの第1方向に変動するが前記第1方向に垂直な第2方向では実質的に一定である幾何学的な層厚さを有する
光学系。 - 波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
前記要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
前記ミラー要素が、平均入射角のばらつきの最大値ΔΘavgを有するミラー要素を含み、
そのミラー要素は、種々の材料層の多層スタックを含む一次元的な漸変多層コーティングとして設計された反射コーティングで被覆されており、前記層が、第1勾配関数に応じて前記コーティングの第1方向に変動するが前記第1方向に垂直な第2方向では実質的に一定である幾何学的な層厚さを有する
光学系。 - 波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
前記要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
前記ミラー要素が、第1瞳面に、またはその近くに位置決めされた第1瞳ミラーと、前記第1瞳面と光学的に対をなす第2瞳面に、またはその近くに位置決めされた第2瞳ミラーとを含み、前記第1および第2瞳ミラーは各々、反射コーティングが漸変コーティングとして設計されており、該漸変コーティングは、勾配関数に応じて前記ミラーコーティングの少なくとも1つの方向に変動する幾何学的な層厚さを有する
光学系。 - 波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
前記要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
前記光学系が、少なくとも1つの反射自由面を含み、少なくとも1つの反射面が漸変コーティングで被覆されており、該漸変コーティングは、勾配関数に応じて前記ミラーコーティングの少なくとも1つの方向に変動する幾何学的な層厚さを有する
光学系。 - 少なくとも1つの反射自由面が、漸変コーティングで被覆されている、請求項32記載の光学系。
- 波長λの放射線を物体面から像面へ結像するように配置された複数の要素を有する光学系であって、
前記要素は、放射線経路に反射面が位置決めされたミラー要素を含み、
前記光学系が少なくとも3つのミラーを有し、2nm<λ<20nmのEUV波長用に設計されており、像側の開口数がNA>0.25であり、全体的透過Tが0.08以上である、
光学系。 - 前記光学系が、13nm<λ<14nmのEUV波長用に設計されている、および/または、0.3≦NA≦0.4である、請求項34記載の光学系。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011228699A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 反射光学要素、投影系及び投影露光装置 |
JP2012522273A (ja) * | 2009-03-30 | 2012-09-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
JP2013545267A (ja) * | 2010-09-30 | 2013-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための結像光学系 |
CN104254789A (zh) * | 2012-01-19 | 2014-12-31 | 苏普瑞亚·杰斯瓦尔 | 与光刻及其他应用中的超紫外辐射联用的材料、组件以及方法 |
KR20160062007A (ko) * | 2013-09-27 | 2016-06-01 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7929114B2 (en) * | 2007-01-17 | 2011-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
US7929115B2 (en) * | 2007-06-01 | 2011-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective and projection exposure apparatus for microlithography |
DE102007051671A1 (de) | 2007-10-26 | 2009-05-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
KR101592136B1 (ko) | 2007-10-26 | 2016-02-04 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 결상 광학 시스템 및 이러한 유형의 결상 광학 시스템을 갖는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 |
WO2009053023A2 (en) | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging optical system and projection exposure apparatus for microlithography comprising an imaging optical system of this type |
CN102819196B (zh) | 2008-03-20 | 2016-03-09 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于微光刻的投射物镜 |
US9285690B2 (en) | 2008-08-15 | 2016-03-15 | Asml Netherlands B.V. | Mirror, lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102009008644A1 (de) | 2009-02-12 | 2010-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
JP5525550B2 (ja) | 2009-03-06 | 2014-06-18 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系 |
DE102009047179B8 (de) | 2009-11-26 | 2016-08-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv |
US8274734B2 (en) * | 2010-10-08 | 2012-09-25 | Raytheon Company | Anamorphic relayed imager having multiple rotationally symmetric powered mirrors |
WO2011133400A2 (en) * | 2010-04-19 | 2011-10-27 | Drexel University | Two mirror system |
US8317344B2 (en) | 2010-06-08 | 2012-11-27 | Nikon Corporation | High NA annular field catoptric projection optics using Zernike polynomial mirror surfaces |
DE102010040811A1 (de) | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
DE102010043498A1 (de) | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv einer für EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum optischen Justieren eines Projektionsobjektives |
DE102010062597A1 (de) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Abbildungssystem |
DE102011075579A1 (de) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel |
CN102402135B (zh) * | 2011-12-07 | 2013-06-05 | 北京理工大学 | 一种极紫外光刻投影物镜设计方法 |
CN102540435A (zh) * | 2012-02-07 | 2012-07-04 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种反射型投影光学系统 |
DE102012205615A1 (de) | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beschichtungsverfahren, Beschichtungsanlage und optisches Element mit Beschichtung |
DE102012222466A1 (de) | 2012-12-06 | 2014-06-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie |
DE102012222451A1 (de) | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie |
US8963110B2 (en) * | 2013-06-22 | 2015-02-24 | Kla-Tencor Corporation | Continuous generation of extreme ultraviolet light |
JP6112201B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2017-04-12 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法、投影光学系、露光装置、デバイスの製造方法 |
DE102014215970A1 (de) | 2014-08-12 | 2016-02-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
JP6715241B2 (ja) | 2014-06-06 | 2020-07-01 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系 |
DE102014223811B4 (de) * | 2014-11-21 | 2016-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils |
DE102016201564A1 (de) * | 2016-02-02 | 2017-08-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines reflektiven optischen Elements und reflektives optisches Element |
US10468149B2 (en) * | 2017-02-03 | 2019-11-05 | Globalfoundries Inc. | Extreme ultraviolet mirrors and masks with improved reflectivity |
DE102017202802A1 (de) * | 2017-02-21 | 2018-08-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Objektiv und optisches System mit einem solchen Objektiv |
DE102019214979A1 (de) | 2019-09-30 | 2021-04-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messvorrichtung zur interferometrischen Bestimmung einer Oberflächenform |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003177319A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-06-27 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Euvフォトリソグラフィ用の反射投影レンズ |
JP2006059889A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Canon Inc | 薄膜、それを有する光学素子、及び成膜方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT412184B (de) | 2001-03-13 | 2004-11-25 | Blum Gmbh Julius | Fluiddämpfer |
EP0947882B1 (en) | 1986-07-11 | 2006-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
US5911858A (en) | 1997-02-18 | 1999-06-15 | Sandia Corporation | Method for high-precision multi-layered thin film deposition for deep and extreme ultraviolet mirrors |
US6000798A (en) | 1997-10-06 | 1999-12-14 | Innotech Inc. | Ophthalmic optic devices |
US5973826A (en) | 1998-02-20 | 1999-10-26 | Regents Of The University Of California | Reflective optical imaging system with balanced distortion |
US6226346B1 (en) | 1998-06-09 | 2001-05-01 | The Regents Of The University Of California | Reflective optical imaging systems with balanced distortion |
WO1999042902A2 (en) | 1998-02-20 | 1999-08-26 | The Regents Of The University Of California | Reflective optical imaging systems with balanced distortion |
US6014252A (en) | 1998-02-20 | 2000-01-11 | The Regents Of The University Of California | Reflective optical imaging system |
JP2000171717A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Olympus Optical Co Ltd | 結像光学系 |
JP2001110709A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡及び露光装置ならびに集積回路の製造方法。 |
WO2001088597A1 (en) | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Virtual Vision, Inc. | Virtual imaging system for small font text |
JP2002057963A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Canon Inc | 表示装置 |
JP2002162566A (ja) | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 光学系の設計方法,光学系および投影露光装置 |
GB0106016D0 (en) * | 2001-03-12 | 2001-05-02 | Esselte Nv | Printing Device |
JP2003233001A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
US7522335B2 (en) * | 2004-03-29 | 2009-04-21 | Intel Corporation | Broad-angle multilayer mirror design |
KR101199076B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2012-11-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소 |
CN101069267A (zh) * | 2005-02-03 | 2007-11-07 | 株式会社尼康 | 光学积分器、照明光学装置、曝光装置以及曝光方法 |
EP1924888B1 (en) | 2005-09-13 | 2013-07-24 | Carl Zeiss SMT GmbH | Microlithography projection optical system, method for manufacturing a device and method to design an optical surface |
-
2006
- 2006-12-04 EP EP06025020A patent/EP1930771A1/en not_active Withdrawn
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2007
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-
2013
- 2013-10-10 JP JP2013213101A patent/JP2014041379A/ja active Pending
-
2015
- 2015-04-07 KR KR1020150048853A patent/KR101630122B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003177319A (ja) * | 2001-08-01 | 2003-06-27 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Euvフォトリソグラフィ用の反射投影レンズ |
JP2006059889A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Canon Inc | 薄膜、それを有する光学素子、及び成膜方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9057964B2 (en) | 2009-03-30 | 2015-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optics and projection exposure installation for microlithography with an imaging optics |
JP2014222366A (ja) * | 2009-03-30 | 2014-11-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
KR101904541B1 (ko) | 2009-03-30 | 2018-10-04 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 이미징 광학 기기 및 이 유형의 이미징 광학 기기를 갖는 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치 |
JP2012522273A (ja) * | 2009-03-30 | 2012-09-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
JP2011228699A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 反射光学要素、投影系及び投影露光装置 |
JP2013545267A (ja) * | 2010-09-30 | 2013-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための結像光学系 |
US10754132B2 (en) | 2010-09-30 | 2020-08-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system for microlithography |
JP2019179246A (ja) * | 2012-01-19 | 2019-10-17 | スプリヤ ジャイスワル | リソグラフィ及び他の用途における極端紫外線放射で使用する材料、成分及び方法 |
JP2015510688A (ja) * | 2012-01-19 | 2015-04-09 | スプリヤ ジャイスワル | リソグラフィ及び他の用途における極端紫外線放射で使用する材料、成分及び方法 |
CN104254789A (zh) * | 2012-01-19 | 2014-12-31 | 苏普瑞亚·杰斯瓦尔 | 与光刻及其他应用中的超紫外辐射联用的材料、组件以及方法 |
JP2021170123A (ja) * | 2012-01-19 | 2021-10-28 | スプリヤ ジャイスワル | リソグラフィ及び他の用途における極端紫外線放射で使用する材料、成分及び方法 |
JP2023017775A (ja) * | 2012-01-19 | 2023-02-07 | スプリヤ ジャイスワル | リソグラフィ及び他の用途における極端紫外線放射で使用する材料、成分及び方法 |
JP2016533516A (ja) * | 2013-09-27 | 2016-10-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | ミラー、特にマイクロリソグラフィー投影露光装置用ミラー |
KR20160062007A (ko) * | 2013-09-27 | 2016-06-01 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울 |
KR102214738B1 (ko) * | 2013-09-27 | 2021-02-10 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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