JP5525550B2 - マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系 - Google Patents
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- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 340
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 255
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 title claims description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 109
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 35
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 31
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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Description
−照明チャンネルVI、VIII、III
−照明チャンネルIV、I、VII
−照明チャンネルV、II、IX
従って、照明事前設定ファセット25への伝達ファセット21の割り当ては、物体視野のテレセントリックな照明がもたらされるようなものである。
A=(Imax−Imin)/Imax
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
[1]光源(2)から進む照明光(3)を誘導するための第1の伝達光学系(4)を備え、
前記第1の伝達光学系(4)の下流にあって複数の照明事前設定ファセット(25)を有する照明事前設定ファセットミラー(7)であって、
前記照明事前設定ファセットミラー(7)の照明することができる縁部形状(24)と、
前記照明事前設定ファセット(25)の個別傾斜角と、
を用いて物体視野(12)の事前設定照明を生成する照明事前設定ファセットミラー(7)を備え、
物体視野(12)のテレセントリック照明がもたらされるような第1の伝達光学系(4)及び照明事前設定ファセットミラー(7)の配列を備えた、
物体視野(12)を照明するためのマイクロリソグラフィのための照明光学系(11;30;32)であって、
第1の伝達光学系(4)が、照明光(3)のビーム経路内で照明事前設定ファセットミラー(7)の上流に配置されて該照明事前設定ファセットミラーが物体視野(12)の形状に適応した事前設定縁部形状(24)と照明事前設定ファセット(25)への事前設定割り当て(IからIX)とを用いて照明されるような方法で配向された複数の伝達ファセット(21;38)を備えた伝達ファセットミラー(6)を有する、
ことを特徴とする照明光学系。
[2]光源配列(2,5)と前記物体視野(12)の間の最大で3つの反射構成要素(6,7;6,7,34)を特徴とする第1項に記載の照明光学系。
[3]正確に2つの反射構成要素(6,7)が、前記光源配列(2,5)と前記物体視野(12)の間に存在することを特徴とする第2項に記載の照明光学系。
[4]前記伝達ファセット(21;38)は、複数の伝達ファセット群(22;39)にグループ分けされ、該伝達ファセット群(22;39)のうちの1つは、各場合に、前記物体視野(12)の完全な照明に向けて照明光(3)を誘導することを特徴とする第1項から第3項のいずれか1項に記載の照明光学系。
[5]前記伝達ファセット群(22;39)は、前記物体視野(12)の縁部形状(12a)に幾何学的に類似する群縁部形状を有することを特徴とする第4項に記載の照明光学系。
[6]伝達ファセット群(22;39)を構成する前記伝達ファセット(21;38)は、複数の縦列に配置され、複数の伝達ファセット(21;38)が、該縦列の各々において縦列方向(y)に連続して配置されることを特徴とする第4項又は第5項に記載の照明光学系。
[7]隣接縦列(S1,S2)が、前記縦列方向(y)に沿って互いに対してオフセットして配置された伝達ファセット(21)を有することを特徴とする第6項に記載の照明光学系。
[8]前記伝達ファセット(38)は、前記縦列方向(y)に対してゼロとは異なる角度(T)で延びる切れ目(41)によって互いから分離されることを特徴とする第3項から第7項のいずれか1項に記載の照明光学系。
[9]前記照明事前設定ファセットミラー(7)は、貫通開口部(31)を有し、これを通して前記照明光(3)は、前記光源(2)と前記伝達ファセットミラー(6)の間を誘導されることを特徴とする第1項から第8項のいずれか1項に記載の照明光学系。
[10]第1項から第9項のいずれか1項に記載の照明光学系を備え、
物体視野(12)を像視野(17)に結像するための投影光学系(10;33;36)を備えた、
ことを特徴とする光学系。
[11]物体視野(12)を照明するためのマイクロリソグラフィのための照明光学系(35)を備え、
光源(2)から進む照明光(3)を誘導するための第1の伝達光学系(4)を備え、
前記第1の伝達光学系(4)の下流に配置されて複数の照明事前設定ファセット(25)を有する照明事前設定ファセットミラー(7)であって、
前記照明事前設定ファセットミラー(7)の照明することができる縁部形状(24)と、
前記照明事前設定ファセット(25)の傾斜角と、
を用いて前記物体視野(12)の事前設定照明を生成する照明事前設定ファセットミラー(7)を備え、
前記物体視野(12)を像視野(17)に結像するための投影光学系(36)を備えた、
光学系であって、
投影光学系(36)の入射瞳(37)が、照明事前設定ファセットミラー(7)と物体視野(12)の間、又は該物体視野(12)の後に配置され、
第1の伝達光学系(4)及び前記照明事前設定ファセットミラー(7)の配列が、前記投影光学系(36)の前記入射瞳に適応した前記物体視野(12)の照明がもたらされるような方法で存在する、
ことを特徴とする光学系。
[12]前記物体視野(12)からの前記入射瞳(37)の間隔と、
前記照明事前設定ファセットミラー(7)からの前記物体視野(12)の間隔と、
の間の0.9よりも小さい比を特徴とする第11項に記載の光学系。
[13]物体視野(12)を照明するためのマイクロリソグラフィのための照明光学系(11;30)を備え、
光源(2)から進む照明光(3)を誘導するための第1の伝達光学系(4)を備え、
前記第1の伝達光学系(4)の下流に配置されて複数の照明事前設定ファセット(25)を有する照明事前設定ファセットミラー(7)であって、
前記照明事前設定ファセットミラー(7)の照明することができる縁部形状(24)と、
前記照明事前設定ファセット(25)の傾斜角と、
を用いて前記物体視野(12)の事前設定照明を生成する照明事前設定ファセットミラー(7)を備え、
前記物体視野(12)を像視野(17)に結像するための投影光学系(36)を備えた、
光学系であって、
投影光学系(10)の設置長さ(B)と物体−像オフセット(d OIS )との比が、20よりも小さい、
ことを特徴とする光学系。
[14]物体視野(12)を照明するためのマイクロリソグラフィのための照明光学系(11;30)を備え、
光源(2)から進む照明光(3)を誘導するための第1の伝達光学系(4)を備え、
前記第1の伝達光学系(4)の下流に配置されて複数の照明事前設定ファセット(25)を有する照明事前設定ファセットミラー(7)であって、
前記照明事前設定ファセットミラー(7)の照明することができる縁部形状(24)と、
前記照明事前設定ファセット(25)の傾斜角と、
を用いて前記物体視野(12)の事前設定照明を生成する照明事前設定ファセットミラー(7)を備え、
前記物体視野(12)を像視野(17)に結像するための投影光学系(36)を備え、 前記光源(2)と前記物体視野(12)の間の前記照明光学系(11;30;32;35)が、中間焦点(5a)を有する、
光学系であって、
投影光学系(10;33;36)の設置長さ(B)と中間焦点−像オフセット(D)との比が、5よりも小さい、
ことを特徴とする光学系。
[15]物体視野(12)を照明するためのマイクロリソグラフィのための照明光学系(11;30)を備え、
光源(2)から進む照明光(3)を誘導するための第1の伝達光学系(4)を備え、
前記物体視野(12)を像視野(17)に結像するための投影光学系(36)を備えた、
光学系であって、
投影光学系(10;33;36)の設置長さ(B)と照明光ビーム−像オフセット(E)との比が、5よりも小さい、
ことを特徴とする光学系。
[16]第10項から第15項のいずれか1項に記載の光学系を備え、
光源(12)を備えた、
ことを特徴とする投影露光装置。
[17]微細構造化構成要素を生成する方法であって、
レチクル(8)を準備する段階と、
照明光(3)に感応するコーティングを備えたウェーハ(19)を準備する段階と、
第16項に記載の投影露光装置(1)を用いて、前記レチクル(8)の少なくとも一部分を前記ウェーハ(19)上に投影する段階と、
前記ウェーハ(19)上の前記照明光(3)によって露光された前記感光層を現像する段階と、
を有することを特徴とする方法。
[18]
第17項の方法によって生成された構成要素。
7 照明事前設定ファセットミラー
12 物体視野
25 照明事前設定ファセット
Claims (13)
- 光源(2)から進む照明光(3)を誘導するための第1の伝達光学系(4)を備え、
前記第1の伝達光学系(4)の下流にあって複数の照明事前設定ファセット(25)を有する照明事前設定ファセットミラー(7)であって、
前記照明事前設定ファセットミラー(7)の、照明することができる縁部形状(24)と、
前記照明事前設定ファセット(25)の個々の傾斜角と、
を用いて物体視野(12)の事前設定照明を生成する照明事前設定ファセットミラー(7)を備え、
物体視野(12)のテレセントリック照明がもたらされるような第1の伝達光学系(4)及び照明事前設定ファセットミラー(7)の配列を備えた、
物体視野(12)を照明するためのマイクロリソグラフィのための照明光学系(11;30;32)であって、
第1の伝達光学系(4)が、照明光(3)のビーム経路内で照明事前設定ファセットミラー(7)の上流に配置された伝達ファセットミラー(6)を有し、
該伝達ファセットミラー(6)は、前記照明事前設定ファセットミラー(7)が、前記事前設定照明による前記物体視野(12)の形状を形成するのに適応した事前設定縁部形状(24)で照明され、かつ複数の伝達ファセット(21;38)の前記照明事前設定ファセット(25)への事前設定割り当て(IからIX)にしたがって照明されるように向けられる複数の伝達ファセット(21;38)を備えた、
ことを特徴とする照明光学系。 - 光源配列(2,5)と前記物体視野(12)の間の最大で3つの反射構成要素(6,7;6,7,34)を特徴とする請求項1に記載の照明光学系。
- 前記光源配列(2,5)と前記物体視野(12)の間には、前記伝達ファセットミラー(6)及び前記照明事前設定ファセットミラー(7)以外に反射構成要素が存在しないことを特徴とする請求項2に記載の照明光学系。
- 前記伝達ファセット(21;38)は、複数の伝達ファセット群(22;39)にグループ分けされ、該伝達ファセット群(22;39)の各々は、前記物体視野(12)の完全な照明に向けて照明光(3)を誘導することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記伝達ファセット群(22;39)は、前記物体視野(12)の形状(12a)に幾何形状的に類似する群縁部形状を有することを特徴とする請求項4に記載の照明光学系。
- 伝達ファセット群(22;39)を構成する前記伝達ファセット(21;38)は、複数の列に配置され、複数の伝達ファセット(21;38)が、該列の各々において列方向(y)に連続して配置されることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の照明光学系。
- 隣接列(S1,S2)が、前記列方向(y)に沿って互いに対してオフセットして配置された伝達ファセット(21)を有することを特徴とする請求項6に記載の照明光学系。
- 前記伝達ファセット(38)は、前記列方向(y)に対してゼロとは異なる角度(T)で延びる切れ目(41)によって互いから分離されることを特徴とする請求項3から請求項7のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 前記照明事前設定ファセットミラー(7)は、貫通開口部(31)を有し、これを通して前記照明光(3)は、前記光源(2)と前記伝達ファセットミラー(6)の間を誘導されることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の照明光学系。
- 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の照明光学系を備え、
物体視野(12)を像視野(17)に結像するための投影光学系(10;33;36)を備えた、
ことを特徴とする光学系。 - 請求項10に記載の光学系を備え、
光源(12)を備えた、
ことを特徴とする投影露光装置。 - 微細構造化構成要素を生成する方法であって、
レチクル(8)を準備する段階と、
照明光(3)に感応するコーティングを備えたウェーハ(19)を準備する段階と、
請求項11に記載の投影露光装置(1)を用いて、前記レチクル(8)の少なくとも一部分を前記ウェーハ(19)上に投影する段階と、
前記ウェーハ(19)上の前記照明光(3)によって露光された前記感光層を現像する段階と、
を有することを特徴とする方法。 - 請求項12の方法によって生成された構成要素。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2009/001622 WO2010099807A1 (de) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | Beleuchtungsoptik sowie optische systeme für die mikrolithographie |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014082141A Division JP5854295B2 (ja) | 2014-04-11 | 2014-04-11 | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012519951A JP2012519951A (ja) | 2012-08-30 |
JP5525550B2 true JP5525550B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=41484252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011552323A Active JP5525550B2 (ja) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9164394B2 (ja) |
JP (1) | JP5525550B2 (ja) |
KR (1) | KR101478400B1 (ja) |
CN (1) | CN102422225B (ja) |
TW (1) | TWI497222B (ja) |
WO (1) | WO2010099807A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102819196B (zh) * | 2008-03-20 | 2016-03-09 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于微光刻的投射物镜 |
WO2010099807A1 (de) | 2009-03-06 | 2010-09-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik sowie optische systeme für die mikrolithographie |
JP5220136B2 (ja) * | 2011-01-01 | 2013-06-26 | キヤノン株式会社 | 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法 |
DE102011076145B4 (de) * | 2011-05-19 | 2013-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik |
WO2013131834A1 (de) | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die euv-projektionslithografie sowie optisches system mit einer derartigen beleuchtungsoptik |
DE102012220596A1 (de) * | 2012-11-13 | 2014-05-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik |
DE102013217269A1 (de) | 2013-08-29 | 2015-03-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikrospiegel-Array |
DE102014220203A1 (de) | 2013-11-21 | 2015-05-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
DE102014201622A1 (de) | 2014-01-30 | 2015-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Spiegelelements |
DE102014203187A1 (de) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
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DE102015208512A1 (de) | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
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-
2009
- 2009-03-06 WO PCT/EP2009/001622 patent/WO2010099807A1/de active Application Filing
- 2009-03-06 CN CN200980159125.6A patent/CN102422225B/zh active Active
- 2009-03-06 JP JP2011552323A patent/JP5525550B2/ja active Active
- 2009-03-06 KR KR1020117022784A patent/KR101478400B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-03-05 TW TW099106422A patent/TWI497222B/zh active
-
2011
- 2011-08-24 US US13/216,677 patent/US9164394B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102422225B (zh) | 2014-07-09 |
JP2012519951A (ja) | 2012-08-30 |
TW201040672A (en) | 2010-11-16 |
TWI497222B (zh) | 2015-08-21 |
KR101478400B1 (ko) | 2015-01-06 |
KR20110137787A (ko) | 2011-12-23 |
CN102422225A (zh) | 2012-04-18 |
WO2010099807A1 (de) | 2010-09-10 |
US20110318696A1 (en) | 2011-12-29 |
US9164394B2 (en) | 2015-10-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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