DE102015219057A1

DE102015219057A1 - Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithografie

Info

Publication number: DE102015219057A1
Application number: DE102015219057.9A
Authority: DE
Inventors: Manfred Maul
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2014-12-15
Filing date: 2015-10-01
Publication date: 2016-06-16

Abstract

Ein Beleuchtungssystem (26) für die EUV-Projektionslithografie hat eine EU-Lichtquelle (3) und eine Beleuchtungsoptik (4) zur Führung von Nutzlicht (2) der Lichtquelle (3) hin zu einem Beleuchtungsfeld (5), in dem ein abzubildendes Objekt (7) anordenbar ist. Ein Objekthalter (8) dient zur Verlagerung des Objekts (7) während der Projektionsbelichtung längs einer Objektverlagerungsrichtung (y). Die Beleuchtungsoptik (4) ist so ausgeführt, dass ein Intensitätsprofil (I(y)) des Nutzlichts (2) in einer Objektebene (6) abhängig von der Objektverlagerungsrichtung (y) folgender Bedingung genügt: H ≤ 0,9. Hierbei gilt:Zusätzlich kann das Intensitätsprofil (I(y)) folgender Bedingung genügen: H2 ≤ 3. Hierbei gilt:Es resultiert ein Beleuchtungssystem, bei dem sich mögliche Vibrationen von Untereinheiten der Projektionsbelichtungsanlage, die mit dem Beleuchtungssystem ausgerüstet ist, möglichst wenig störend auf das Projektionsergebnis auswirken.

Description

Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithografie. Ferner betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils sowie ein mit dem Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil.
Beleuchtungssysteme für die EUV-Projektionslithografie sind bekannt aus der US 7,006,595 B2 , der US 2009/0 091 731 A1 , der US 2011/0 318 696 A1 , der US 6,198,793 B1 , der EP 1 026 547 A2 und der US 2006/0 132 747 A1 .
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Beleuchtungssystem der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass sich mögliche Vibrationen von Untereinheiten einer Projektionsbelichtungsanlage, die mit dem Beleuchtungssystem ausgerüstet ist, möglichst wenig störend auf das Projektionsergebnis auswirken.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Beleuchtungssystem mit den in den Ansprüchen 1, 2 und 5 angegebenen Merkmalen.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass sich bei Projektionsbelichtungsanlagen, bei denen das abzubildende Objekt, bei dem es sich in der Regel um eine Lithografiemaske handelt, während der Belichtung in eine Richtung, nämlich der Objektverlagerungsrichtung, verschoben wird, Vibrationen von Untereinheiten der Projektionsbelichtungsanlage wesentlich durch zwei Fehlerbeiträge auswirken. Zum Einen können sich Vibrationsfehler durch eine Vibration einer dem Beleuchtungssystem nachgelagerten Projektionsoptik relativ beispielsweise zum Objekthalter ergeben. Hierdurch kann sich eine entsprechend vibrierende Verschiebung einer Bildlage des abzubildenden Objekts und damit ein Positionsfehler der belichteten Objektstruktur ergeben. Während der Projektionsbelichtung kann es zu einer Mittelung über diesen Positionsfehler kommen. Zum Anderen kann sich aufgrund einer Vibration zwischen Untereinheiten der Projektionsbelichtungsanlage einer Dosisfehler-Sensititvität aufgrund einer Vibration eines vom Beleuchtungssystem erzeugten Beleuchtungs-Intensitätsprofil auf dem Beleuchtungsfeld relativ zum nachgelagerten Abbildungs- bzw. Projektionssystem ergeben.
Das Objektfeld ist dasjenige Feld, in dem das abzubildende Objekt angeordnet wird. Dieses Objektfeld ist unabhängig von einer nachfolgenden Projektionsoptik definiert. Die Objektebene ist diejenige Ebene, in der das abzubildende Objekt angeordnet ist. Diese Objektebene ist unabhängig von einer nachfolgenden Projektionsoptik definiert.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass die Vibrations-Fehlerbeiträge „Bildlage-Verschiebung“ einerseits und „Dosisfehler“ andererseits in ihren Auswirkungen durch entsprechende Beeinflussung eines Intensitätsprofils des Beleuchtungs- bzw. Nutzlichts in Richtung der Objektverlagerungsrichtung verringert und insbesondere unterhalb einer störenden Schwelle gehalten werden können. Als für den Vibrations-Fehlerbeitrag „Bildlage-Verschiebung“ entscheidender Qualifizierungsparameter für das Intensitätsprofil hat sich der Parameter H herausgestellt. Als für den Vibrations-Fehlerbeitrag „Dosisfehler“ hat sich entsprechend der Qualifizierungsparameter H2 als entscheidend herausgestellt.
Mit dem Beleuchtungssystem nach Anspruch 1 lassen sich somit Auswirkungen des Vibrations-Fehlerbeitrages „Bildlage-Verschiebung“ verringern. Der Parameter H hat höchstens den Wert 0,9. Alternativ kann der Parameter H kleiner sein als 0,9, kann höchstens 0,85 betragen oder kann auch kleiner sein als 0,85.
Mit dem Beleuchtungssystem nach Anspruch 2 lassen sich Auswirkungen des Vibrations-Fehlerbeitrages „Dosisfehler“ verringern. Der Parameter H2 hat höchstens den Wert 3. Der Parameter H2 kann kleiner sein als 3, kann höchstens den Wert 2,5 haben, kann kleiner sein als 2,5, kann höchstens den Wert 2 haben und kann auch kleiner sein als 2.
Beim Beleuchtungssystem nach Anspruch 3 sind die vorstehend genannten Grenzwerte für beide Parameter H und H2 eingehalten. Es ergibt sich vorteilhaft eine Reduktion der Auswirkungen beider Vibrations-Fehlerbeiträge „Bildlage-Verschiebung“ und „Dosisfehler“.
Eine Flankensteilheit des Intensitätsprofils nach Anspruch 4 erfüllt jedenfalls für den Parameter H2 das vorstehend in Zusammenhang mit dem Anspruch 2 genannte Kriterium. FWHM (I(y)) bezeichnet hierbei eine volle Halbwertsbreite (Full Width Half Max, FWHM) des Intensitätsprofils I(y). Soweit der Anstieg bzw. der Abfall über einen Weg von mindestens 0,6·FWHM in der Scanrichtung erfolgt, wird die Grenzbedingung für beide Parameter H und H2 erfüllt, die vorstehend im Zusammenhang mit den Ansprüchen 1 und 2 diskutiert wurden. Der Flankenanstieg bzw. Flankenabfall der Intensität abhängig von der Scanrichtung kann linear erfolgen. Alternativ kann das Intensitätsprofil die Form einer Gauss-Verteilung haben, kann die Form eines Kosinus-Verlaufes haben, kann die Form einer erf-Funktion oder kann einen parabolischen Verlauf haben.
Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 5 entsprechen denen, die vorstehend im Zusammenhang mit den Ansprüchen 1 und 2 bereits genannt sind. Mittels des Facettenspiegels lässt sich durch geeignete Zuordnung der Mikrofacetten zur Objektfeldbeleuchtung ein Intensitätsprofil des Nutzlichts in der Objektebene hinsichtlich der Parameter H und H2 fein vorgeben. Bei dem Facettenspiegel kann es sich um einen Pupillenfacettenspiegel und/oder um einen Feldfacettenspiegel einer nach Art eines Wabenkondensors aufgebauten Beleuchtungsoptik handeln, deren Aufbau grundsätzlich aus dem Stand der Technik bekannt ist. Die Facetten des Facettenspiegels können ihrerseits in eine Mehrzahl oder Vielzahl von Einzelspiegeln unterteilt sein, die auch als Mikrofacetten bezeichnet werden.
Bei einer Anordnung nach Anspruch 6 lässt sich eine y-Abhängigkeit des Intensitätsprofils durch gezielte y-Verschiebung der Ausleuchtungsbereiche erreichen. Durch gezielte Verkippung der Facetten des Facettenspiegels wird eine Überlagerung von jeweils über eine der Facetten geführten Teilbündel im Beleuchtungsfeld gezielt so beeinflusst, dass die durch die Überlagerung der Teilbündel im Beleuchtungsfeld sich ergebende gesamte Beleuchtungsintensität, die als Summe der Intensitäten der Ausleuchtungsbereiche entsteht, die gewünschte Profilabhängigkeit erreicht.
Das Beleuchtungssystem kann eine Regeleinrichtung aufweisen, die mit einer Kippsteuerung der Facetten des Facettenspiegels sowie mit einem ortsaufgelösten Intensitätssensor in Signalverbindung steht. Der Intensitätssensor kann während der Projektionsbelichtung oder in Belichtungspausen ein Ist-Intensitätsprofil I(y)_Ist erfassen. In der Regeleinrichtung wird dieses Ist-Intensitätsprofil I(y)_Ist mit einem die jeweilige Bedingung für das Intensitätsprofil erfüllenden Vorgabe-Intensitätsprofil (I(y)_Soll) verglichen. Abhängig vom Ergebnis des Vergleichs erfolgt über die Regeleinrichtung und die Kippsteuerung ein Nachstellen von Kippwinkeln der Facetten, wobei durch Überlagerung von über diese Kippwinkel einstellbaren Verschiebung Δy der einzelnen Teilbündel und entsprechend den von ihnen beaufschlagten Ausleuchtungsbereichen im Beleuchtungsfeld eine Differenz I(y)_Ist – I(y)_Soll so lange variiert wird, bis diese Differenz kleiner ist als ein vorgegebener Toleranzwert. Somit lässt sich geregelt das vorgegebene Intensitätsprofil I(y) einstellen.
Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, ein gewünschtes Intensitätsprofil I(y) zu erreichen, indem Facetten eines Facettenspiegels der Beleuchtungsoptik in das Beleuchtungsbzw. Objektfeld abgebildet werden, die längs der Objektverlagerungsrichtung y bzw. längs einer Scanrichtung eine variierende Breite aufweisen.
Derart nach Anspruch 7 in ihrer Breite variierenden Facetten ermöglichen ebenfalls eine entsprechende Beeinflussung einer Flankengeometrie des Intensitätsprofils in Scanrichtung und damit eine Beeinflussung der Parameter H bzw. H2. Bei den längs der Scanrichtung eine variierende Breite aufweisenden Facetten kann es sich um Einzelspiegel bzw. Mikrofacetten eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik handeln, der in einer zur Objektebene konjugierten Ebene angeordnet ist. Eine Gruppe derartiger Mikrofacetten kann über jeweils einen Ausleuchtungskanal, der vom Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegel bzw. vom Pupillenfacettenspiegel vorgegeben wird, in das Beleuchtungsfeld abgebildet werden. Eine solche Gruppe von Mikrofacetten kann entsprechend die Funktion einer monolitischen Feldfacette haben. Beispielsweise kann bei einem Rechteck-Array aus Mikrofacetten die Objektverlagerungsrichtung mit einem endlichen Winkel zu den Zeilen bzw. Spalten des Arrays orientiert werden, zum Beispiel durch Drehen des Arrays um 45°. Eine variierende Breite der Mikrofacetten längs der Scanrichtung kann auch durch eine andere, von der Rechteckform beispielsweise abweichende Randkontur der Mikrofacetten erreicht werden.
Die Vorteile einer Beleuchtungsbelichtungsanlage nach Anspruch 8, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 9 und eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 10 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das erfindungsgemäße Beleuchtungssystem bereits erläutert wurden. Bei dem hergestellten mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteil handelt es sich insbesondere um einen Halbleiterchip, beispielsweise um einen Speicherchip.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
1 schematisch Komponenten einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage;
2 eine Aufsicht auf eine Anordnung von Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1;
3 eine Aufsicht auf eine Anordnung von Pupillenfacetten eines Pupillenfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 1;
4 Ausführungsbeispiele für ein Scan-Intensitätsprofil eines Objekt- bzw. Beleuchtungsfeldes der Projektionsbelichtungsanlage nach 1, also einer Abhängigkeit einer Beleuchtungsintensität von einer Scan- bzw. Objektverlagerungskoordinate in Scan- bzw. Objektverlagerungsrichtung, wobei die in Intensitätsverteilung beispielhaft für unterschiedliche Flankensteigungen bzw. -breiten des Intensitätsprofils mit jeweils gleicher Halbwertsbreite angedeutet ist;
5 in einem Diagramm eine Dosisfehler-Sensitivitätsfunktion einer Beleuchtung des Objektfeldes mit Beleuchtungs-Nutzlicht, in Abhängigkeit von einer Vibrationsfrequenz für das in der 4 durchgezogene Intensitätsprofils relativ zu einer Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage längs der Objektverlagerungskoordinate;
6 bis 15 in zu den 4 und 5 ähnlicher Darstellung weitere Varianten von Intensitätsprofilen und zugehörigen Dosisfehler-Sensitivitäts-Frequenz-Abhängigkeiten;
16 ebenfalls schematisch eine weitere Ausführung einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungsoptik, ausgeführt nach Art eines spekularen Reflektors;
17 einen als Mikrofacettenspiegel ausgeführten und in einer Feldebene angeordneten Übertragungs-Facettenspiegel der Beleuchtungsoptik der Projektionsbelichtungsanlage nach 16;
18 beispielhaft eine Array-Anordnung einiger Mikrofacetten einer weiteren Ausführung eines in einer Feldebene der Beleuchtungsoptik angeordneten Übertragungs-Facettenspiegels bzw. Feldfacettenspiegels;
19 ein Intensitätsprofil über die Scan-Koordinate, welches mit der Array-Anordnung der Mikrospiegel nach 18 erreicht wird.
1 zeigt teilweise in einem Meridionalschnitt stark schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die EUV-Projektionslithografie. Eine hinsichtlich des grundsätzlichen Aufbaus entsprechende Projektionsbelichtungsanlage ist bekannt aus der US 2009/0 091 731 A1 . Ein EUV-Beleuchtungslicht-Bündel bzw. Nutzlicht-Bündel 2 wird von einer EUV-Lichtquelle 3 erzeugt. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasma-Lichtquelle oder auch um eine synchrotronbasierende Lichtquelle oder einen FEL (free electron laser), handeln. Das Beleuchtungslicht 2 hat eine EUV-(extremes Ultraviolett-)Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Eine Beleuchtungsoptik 4 dient zur Führung des Beleuchtungslichts 2 von der Lichtquelle 3 hin zu einem Beleuchtungsbzw. Objektfeld 5. Dort ist in einer Objektebene 6 ein Retikel 7, also eine bei der Projektionsbelichtung abzubildende Struktur, angeordnet. Das Retikel 7 wird von einem Retikelhalter 8 getragen.
Zur Erleichterung der Darstellung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Richtung verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung verläuft in der 1 nach rechts und die z-Richtung verläuft in der 1 nach unten. Bei der Beschreibung einzelner optischer Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird anstelle dieses globalen xyz-Koordinatensystems ein lokales kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Achsen der lokalen Koordinatensysteme verlaufen parallel zu der x-Achse des globalen Koordinatensystems nach 1. Die y- und z-Achsen der lokalen Koordinatensysteme sind um die jeweilige x-Achse so gedreht, dass die xy-Ebene des jeweiligen lokalen Koordinatensystems eine Anordnungsebene der jeweiligen optischen Komponente aufspannen.
Der Retikel- bzw. Objekthalter 8 steht mit einem Objektverlagerungsantrieb 9 in Wirkverbindung, über den das Retikel 7 während der Projektionsbelichtung längs einer Objektverlagerungsrichtung bzw. Scanrichtung y verlagerbar ist.
Die Beleuchtungsoptik 4 ist nach Art eines reflektierenden Wabenkondensors mit einem Feldfacettenspiegel 10 und einem Pupillenfacettenspiegel 11 ausgeführt, wie dies grundsätzlich z. B. aus der US 2009/0 091 731 A1 bekannt ist.
Der Lichtquelle 3 direkt nachgeordnet ist ein EUV-Kollektor 12. Zwischen diesem und dem Feldfacettenspiegel 10 liegt eine Zwischenfokusebene 13 für das Beleuchtungslicht 2. In der Zwischenfokusebene 13 liegt ein Zwischenfokus 13a des Beleuchtungslichts 2.
Dem Pupillenfacettenspiegel 11 im Strahlengang des Beleuchtungslichts 2 nachgeordnet ist eine Übertragungsoptik 14, die gemeinsam mit dem Pupillenfacettenspiegel 11 Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 10 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abbildet. Der Feldfacettenspiegel 10 ist also in einer zur Objektebene 6 konjungierten Feldebene angeordnet.
Die Übertragungsoptik 14 weist zwei EUV-Spiegel 15, 16 auf, die als Spiegel für im Wesentlichen normalen Einfall (Normal Incidence-, NI-Spiegel) ausgeführt sind, auf denen also EUV-Einfallswinkel kleiner als 45° vorliegen. Ein im Strahlengang des Beleuchtungslichts 2 letzter EUV-Spiegel 17 der Übertragungsoptik 14 ist als Spiegel für streifenden Einfall (Grazing Incidence-, GI-Spiegel) ausgeführt, auf dem also EUV-Einfallswinkel größer als 45° vorliegen.
Die Übertragungsoptik 14 sorgt für eine Abbildung von Pupillenfacetten des Pupillenfacettenspiegels 11 in eine Eintrittspupillenebene 18 einer Projektionsoptik 19 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Der Pupillenfacettenspiegel 11 ist also in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Eintrittspupillenebene 18 optisch konjungiert ist.
Die Projektionsoptik 19, die in der 1 stark schematisch dargestellt ist und eine Mehrzahl nicht dargestellter EUV-Spiegel aufweist, dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 20 in einer Bildebene 21 der Projektionsbelichtungsanlage 1. In der Bildebene 21 ist als Substrat, auf welches eine im Objektfeld 5 angeordnete Struktur des Retikels 7 abgebildet wird, ein Wafer 22 angeordnet. Der Wafer 22 wird von einem Waferhalter 23 getragen. Dieser steht mit einem Waferverlagerungsantrieb 24 in Wirkverbindung, über den der Wafer 22 parallel zur Scanrichtung y verlagerbar ist. Die beiden Verlagerungsantriebe 9 und 24 stehen mit einer zentralen Steuereinrichtung 25 in nicht dargestellter Weise in Signalverbindung und werden bei der Projektionsbelichtung synchronisiert zueinander betrieben.
Zusammen mit der Lichtquelle 3 bildet die Beleuchtungsoptik 4 ein Beleuchtungssystem 26 der Projektionsbelichtungsanlage 1. Hierzu gehört auch der Objekthalter 8 und der Objektverlagerungsantrieb 9.
2 zeigt in einer Aufsicht eine Anordnung der Feldfacetten 27 des Feldfacettenspiegels 10, die grundsätzlich aus der US 2009/0 091 731 A1 bekannt ist. Dargestellt ist eine Anordnung rechteckiger Feldfacetten 27. Alternativ kann der Feldfacettenspiegel 10 auch bogenförmig gekrümmte Feldfacetten aufweisen. Die Feldfacetten 27 können ihrerseits aus einer Mehrzahl oder Vielzahl von Mikrofacetten aufgebaut sein.
3 zeigt eine Anordnung der Pupillenfacetten 28 des Pupillenfacettenspiegels 11, die grundsätzlich ebenfalls aus der US 2009/0 091 731 A1 bekannt ist.
4 zeigt verschiedene Beispiele eines Intensitätsprofils I(y) des Nutz- bzw. Beleuchtungslichts 2 abhängig von der Objektverlagerungsrichtung y in der Objektebene 6.
Durchgezogen ist in der 4 ein Intensitätsprofil 29 des Beleuchtungslichts 2 dargestellt, welches ein Punkt auf dem Retikel 7 sieht, wenn dieser in der y-Richtung durch das Objektfeld 5 hindurchgescannt wird. Die y-Werte werden nachfolgend als reine Zahlenwerte angegeben. Diese Werte sind dann noch mit einer Längeneinheit zu multiplizieren, können also an eine reale Ausdehnung des Objektfeldes 5 noch angepasst werden. Bei dieser Einheit, mit der die y-Koordinate angegeben ist, kann es sich um die Einheit „mm“ handeln. Beginnend mit dem Wert I = 0 bis zu einer y-Koordinate y₀ = –0,833 steigt das Intensitätsprofil 29 zunächst bis zur y-Koordinate y₁ = –0,1667 linear an bis zu einem maximalen Intensitätswert I = I_max. Das Intensitätsprofil 29 bleibt dann bis zum y-Wert y₃ = 0,1667 auf dem Maximalwert I_max und fällt anschließend bis zum y-Wert y₄ = 0,833 wieder auf den Wert I = 0 ab. Entsprechend ergibt sich eine relative Flankenbreite des Intensitätsprofils 29 im Bereich der ansteigenden Flanke 29 ₁ und im Bereich der abfallenden Flanke 29 ₂ von +/–0,667. Die Flankenbreite ergibt sich also zu 0,667 mal der vollen Halbwertsbreite des Intensitätsprofils 29, also 0,667·FWHM (Full Width Half Max).
In der 4 sind gestrichelt beispielhaft weitere Flanken alternativer Intensitätsprofile dargestellt mit Flankenbreiten von 0,6 und von 0,8. Der Wert für die Flankenbreite wird umso größer, je flacher die jeweilige Flanke des I(y)-Profils verläuft. Alle Intensitätsprofile haben die gleiche Halbwertsbreite, die Fläche unter dem Profil – und damit die Belichtungsdosis – ist konstant.
5 zeigt die Frequenzabhängigkeit einer Dosisfehler-Sensitivität in Prozent von der Vibration des Intensitätsprofils 29, also entsprechender Komponenten des Beleuchtungssystems 26, relativ zum Retikel 7.
5 zeigt den Dosisfehler-Sensivitäts-Verlauf über die Vibrationsfrequenz für das in 4 durchgezogene Profil. Die y-Achse hat die Dimension Dosisfehler/Vibrationsamplitude in willkürlichen Einheiten. Der genaue Verhältniswert ist von der Breite des Intensitätsprofils und der Geometrie des Beleuchtungssystems abhängig, der Kurvenverlauf wird davon jedoch nicht beeinflusst.
Die Vibrationsfrequenz ist aufgetragen in Einheiten einer Frequenz f₀, die dem Kehrwert einer effektiven Verlagerungsdauer eines Objektpunktes durch das Objektfeld 5 in der Objektverlagerungsverdichtung y entspricht. Die effektive Verlagerungsdauer entspricht dem Zeitraum, den ein Punkt auf dem Retikel 7 benötigt, um ein Rechteckprofil der Breite FWHM zu durchqueren. Oberhalb einer Grenzfrequenz f ≈ f₀ ist die Dosisfehler-Sensitivität bis zur dargestellten Frequenz-Obergrenze von f ≈ 8f₀ kleiner als 0,04. Die maximale Dosisfehler-Sensitivität tritt auf bei einer Frequenz von etwa f₀/2 und beträgt etwa 0,17.
Alternativ oder zusätzlich zu der Dosisfehler-Sensitivität können sich weitere Vibrationsfehler aufgrund einer Vibration der Projektionsoptik 19 relativ zum Retikel 7 und/oder relativ zum Wafer 22 ergeben. Hierdurch ergibt sich eine Verschiebung einer Lage des Bildfeldes relativ zum Wafer 22 und damit ein vibrationsbedingter Positionsfehler von auf dem Wafer 22 belichteten Strukturen.
Es lässt sich zeigen, dass diese beide vorstehend beschriebenen Vibrations-Fehlerbeiträge „Bildlageverschiebung“ und „Dosisfehler“ über eine Form des Intensitätsprofils I(y) der Beleuchtungs- bzw. Objektfeldbeleuchtung beeinflusst werden können.
In Bezug auf eine Beeinflussung des Vibrations-Fehlerbeitrages „Bildlageverschiebung“ hat sich folgender Parameter H als relevant herausgestellt:
I_max bezeichnet dabei einen Maximalwert der Intensität I(y), führt also zu einer Normierung des Intensitätsprofils auf einen Maximalwert 1. Das Intensitätsprofil I(y) ist zur Verringerung des Bildlage-Verschiebungsfehlers so hinsichtlich seiner Flankengeometrie, insbesondere seiner Flankenbreite, geformt, dass gilt H < 0,9, insbesondere H <= 0,85, H < 0,85.
Für ein Intensitätsprofil mit Flankenbreite 0,6 gilt: H = 0,89. Für ein Intensitätsprofil I(y) mit Flankenbreite 0,8 gilt: H = 0,85. Der Wert für H für das Intensitätsprofil 29 mit Flankenbreite 0,667 liegt zwischen diesen beiden Werten 0,85 und 0,89 und beträgt etwa 0,86.
Als weiterer Parameter, der bei der Gestaltung der Flanken des I(y)-Intensitätsprofils in Bezug auf den weiteren Vibrations-Fehlerbeitrag „Dosisfehler“ zu berücksichtigen ist, wurde der Parameter H2 identifiziert. Es gilt:
Zur Verringerung des Vibrations-Fehlerbeitrags „Dosisfehler“ ist das I(y)-Intensitätsprofil so geformt, dass gilt H2 < 3, insbesondere H2 < = 2,5, H2 < 2,5, H2 <= 2, H2 > 2. Für ein Intensitätsprofil I(y) mit Flanken der Flankenbreite 0,6 ergibt sich ein Wert H2 von 1,85. Für die Flankenbreite 0,8 ergibt sich ein Wert H2 von 1,6. Der Wert von H2 für das Intensitätsprofil 29 liegt dazwischen beim Wert H2 = 1,7.
Anhand der 6 bis 15 werden nachfolgend weitere Varianten von Intensitätsprofilen I(y) mit ihren jeweiligen Dosisfehler-Sensitivitäts-Frequenzabhängigkeiten diskutiert. Die Einheiten, in denen die Dosisfehler-Sensitivität aufgetragen ist, sind für die Varianten nach den 6 bis 15 jeweils die gleichen. Komponenten und Funktionen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 5, besonders unter Bezugnahme auf die 4 und 5 bereits erläutert wurden, werden hierbei nicht nochmals im Einzelnen erläutert.
6 zeigt ein Intensitätsprofil 30, das als Dreiecksprofil ausgeführt ist.
Ausgehend von einem Wert y₁ = –1 steigt die Beleuchtungsintensität bis zu einem Wert y₂ = 0 linear von I = 0 auf I = I_max und fällt anschließend mit gleicher Steigung linear wieder bis zum Wert y₃ = 1 auf den Wert I = 0 ab. Eine Flankenbreite der beiden Flanken des Dreiecks-Intensitätsprofils 30 beträgt also jeweils 1·FWHM. Das Dreiecks-Intensitätsprofil 30 hat folgende Werte für H1 und H2: H1 = 0,82 und H2 = 1,45.
7 zeigt die Dosisfehler-Sensitivitäts-Vibrationsfrequenzabhängigkeit mit den entsprechenden Annahmen wie bei der 5. Oberhalb einer Frequenz f von etwa f ≈ f₀ ist die Dosisfehler-Sensitivität immer kleiner als 0,05. Die maximale Dosisfehler-Sensitivität, die bei einem Wert von etwa f₀/2 auftritt, beträgt weniger als 0,15 in willkürlichen Einheiten.
8 zeigt eine weitere Variante eines I(y)-Intensitätsprofils 31, welches als Kosinus-Profil ausgebildet ist. Das Profil folgt zwischen den Werten y₀ = –1 und y₁ = 1 genau einer Periode einer Kosinus-Funktion zwischen zwei Minima. Bei y = 0 erreicht das Kosinus-Intensitätsprofil 31 den Maximalwert I_max. Das Kosinus-Profil hat folgende Werte für die Parameter H und H2: H1 = 0,86 und H2 = 1,55.
9 zeigt den vibrationsfrequenzabhängigen Dosisfehler-Sensitivitäts-Verlauf für das Kosinus-Intensitätsprofil 31. Oberhalb einer Frequenz von etwa f ≈ f₀ ist die Dosisfehler-Sensitivität immer kleiner als 0,02. Oberhalb einer Frequenz von knapp 2f₀ ist die Dosisfehler-Sensitivität immer kleiner als 0,01. Eine maximale Dosisfehler-Sensitivität ist vergleichbar zu der des Intensitätsprofils 29 nach 4.
10 zeigt eine weitere Variante eines I(y)-Intensitätsprofils 32, welches als Gauss-Profil ausgebildet ist. Dieses Profil besitzt die gleiche effektive Breite wie die vorherigen Beispiele, nämlich die eines Rechtecks der Breite 1 in willkürlichen Einheiten. Bei y = +–1,5 ist das Intensitätsprofil 32 praktisch auf den Wert I = 0 abgefallen. Das Gauss-Intensitätsprofil 32 hat folgende Werte für die Parameter H und H2: H = 0,84 und H2 = 1,5.
11 zeigt den vibrationsfrequenzabhängigen Verlauf der Dosisfehler-Sensitivität beim Gauss-Intensitätsprofil 32. Es ergibt sich, ausgehend von einem Maximalwert der Dosisfehler-Sensitivität im Bereich von 0,155 bei einer Frequenz von etwa f = f₀/2 ein rascher Abfall der Dosisfehler-Sensitivität, so dass ein Wert von 0,04 bei knapp unter f₀ erreicht wird. Bei einem Wert der Vibrationsfrequenz von 1,2f₀ hat die Dosisfehler-Sensitivität einen Wert von knapp 0,01. Dieser Wert fällt dann schnell auf einen Dosisfehler-Sensitivitäts-Wert von praktisch 0 ab, der bei einer Frequenz von etwa 1,5f₀ erreicht ist und zu größeren Frequenzen bis zu dargestellten Maximalfrequenz von 8f₀ nicht ansteigt.
12 zeigt eine weitere Variante eines I(y)-Intensitätsprofils 33 nach Art einer um y = 0 zentrierten ERROR-Funktion. Es gilt:
Das Profil ist durch
gegeben, wobei gilt: B=FWHM des Profils, bzw. Breite eines Rechteck-Profils gleicher Fläche.
Bei Werten y = +–1 ist diese erf-Funktion, ausgehend von dem Wert I_max bei y = 0 auf einen Wert praktisch = 0 abgefallen. Das erf-Intensitätsprofil 33 hat folgende Werte für die Parameter H und H2: H = 0,89 und H2 = 1,8.
13 zeigt den vibrationsfrequenzabhängigen Verlauf der Dosisfehler-Sensitivität beim Einsatz des erf-Intensitätsprofils 33 nach 12. Es ergibt sich ein Dosisfehler-Sensitivitäts-Verlauf, der oberhalb einer Frequenz von f ≈ f₀ jeweils geringer ist als 0,06. Oberhalb einer Frequenz von etwa 2f₀ ist die Dosisfehler-Sensitivität immer kleiner als 0,01. Eine maximale Dosisfehler-Sensitivität wird wiederum bei etwa f₀/2 erreicht und ist kleiner als 0,8.
14 zeigt schließlich noch eine weitere Variante eines I(y)-Intensitätsprofils in Form einer nach unten offenen Parabelfunktion, wiederum normiert auf ein Rechteckprofil der Breite 1. Dieser parabelförmige Intensitätsverlauf folgt folgender Funktionsdarstellung: I(y) = I_max(1 – ( 4 / 3By)²
15 zeigt den vibrationsabhängigen Verlauf der Dosisfehler-Sensitivität beim Einsatz des Parabelprofils nach 14. Es ergibt sich ein Dosisfehler-Sensitivitätsverlauf, der oberhalb einer Frequenz von f ≈ f₀ kleiner ist als 0,07. Oberhalb einer Frequenz von f ≈ 2 f₀ ist die Dosisfehler-Sensitivität kleiner als 0,04. Eine maximale Dosisfehler-Sensitivität wird wiederum bei etwa f₀/2 erreicht und ist kleiner 0,18.

In der nachfolgenden Tabelle sind die Werte für die vorstehend erläuterten Parameter H und H2 nochmals zusammengestellt. Die Tabelle 1 zeigt H-Werte für Intensitätsprofile I(y) verschiedener Flankenbreiten. Das „Flat Top“-Profil hat dabei die minimale Flankenbreite (slope) = 0. Das Dreiecks-Profil (triangle) hat die Flankenbreite (slope) = 1.

Profilform	H	H2
Flat Top	1	28,04
slope 0.1	0,98	4,4
slope 0.2	0,96	3,1
slope 0.4	0,93	2,2
slope 0.6	0,89	1,75
slope 0.8	0,85	1,5
Triangle	0,81	1,4
Gauss	0,83	1,45
cos	0,86	1,5
erf slope	0,89	1,7
parabolic	0,89	1,85

Tabelle: Werte für H und H2 für verschiedene Intensitätsprofil-Formen

Die Tabelle zeigt zusätzlich H-Werte für weitere I(y)-Intensitätsformen, nämlich Gauss, Kosinus-Form, erf-Form sowie für einen parabolischen Verlauf. Diese weiteren Profilformen haben jeweils H-Werte, die kleiner sind als 0,9.
Die Tabelle zeigt zudem für die Intensitätsprofilformen entsprechend auch die H2-Werte. Die Intensitätsprofile mit Flankenbreiten (slope) größer als 0,2 haben jeweils H2-Werte, die kleiner sind als 3. Die Intensitätsprofile mit Flankenbreiten (slope) > 0,4 haben jeweils einen H2-Wert < 2.
Auch die zusätzlichen Profilformen Gauss, Kosinus-Profil, erf-Profil und Parabol-Profil haben jeweils einen Wert H2 < 2.
Nach Auswahl des vorzugebenden Intensitätsprofils I(y), was hinsichtlich der vorab bestimmbaren, hauptsächlichen Störfrequenzen und der zu erwartenden Fehlerauswirkungen dieser Störfrequenzen geschehen kann, wird die Beleuchtungsoptik 4 so ausgelegt, dass das vorgegebene Intensitätsprofil I(y) erreicht wird. Dies kann dadurch geschehen, dass gezielt die Pupillenfacetten 28 des Pupillenfacettenspiegels 11 um eine zur x-Achse parallele Achse gezielt verkippt wird, was zu einer Abweichung einer Überlagerung der Feldfacetten-Bilder im Objektfeld 5 längs der y-Richtung und damit zur Ausbildung von I(y)-Flanken mit vorgebbarer Breite führt. Es werden also die Ausleuchtungsbereiche gegeneinander versetzt, die sich durch Führung des Nutzlichts in das Beleuchtungs- bzw. Objektfeld 5 über die jeweilige Pupillenfacette 28 ergeben. Ein Dreiecksprofil ergibt sich beispielsweise, wenn durch Verkippung der Pupillenfacetten 28 N Ausleuchtungsbereich bzw. Bilder von Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 10 jeweils fortlaufend um das 1/Nfache einer Breite eines Feldfacettenbildes in der y-Richtung zueinander verschoben werden. Zur Flankenbreiten-Anpassung kann eine Untergruppe der Gesamtheit der Pupillenfacetten 28 herangezogen werden. Die Anpassung der Flankenbreite kann über einen die Intensitätsverteilung längs der y-Richtung ortsaufgelöst messenden Dosissensor überwacht werden und kann in einem geregelten Prozess erfolgen. Eine Regeleinrichtung kann hierbei zum einen mit Kippaktoren zur Verkippung der Pupillenfacetten 28 um eine zur x-Achse parallele Achse und zum anderen mit dem Dosissensor in Signalverbindung stehen. Der Dosissensor kann eine Ist-Intensitätsverteilung I(y)_Ist messen, die in der Regeleinrichtung verarbeitet und durch entsprechende Ansteuerung der Kippaktoren innerhalb einer vorgegeben Toleranz mit einer vorgegebenen Soll-Intensitätsverteilung I(y)_Soll in Übereinstimmung gebracht wird.
Anhand der 16 bis 19 werden nachfolgende weitere Ausführungen eines Beleuchtungssystems mit einer Beleuchtungsoptik erläutert, die anstelle der Beleuchtungsoptik 4 nach 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die vorstehend anhand der 1 bis 15 bereits diskutiert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen erläutert.
Eine Beleuchtungsoptik 34 nach 16, die anstelle der Beleuchtungsoptik 4 zum Einsatz kommen kann, hat einen Übertragungs-Facettenspiegel 35 und einen nachgeordneten Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegel 36, der nach Art eines spekularen Reflektors ausgeführt ist. In ihrer grundsätzlichen Anordnung ist die Beleuchtungsoptik 34 bekannt aus der US 2011/0 318 696 A1 bekannt. Der Übertragungs-Facettenspiegel 35 und auch der Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegel 36 ist als MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)-Spiegel ausgeführt.
In einem Insert in der 16 ist beispielhaft ein bogenförmiges Objektfeld 5 dargestellt, welches anstelle eines rechteckigen Objektfeldes bei den verschiedenen Varianten der Projektionsbelichtungsanlage 1 zum Einsatz kommen kann.
Der Übertragungs-Facettenspiegel 35 ist wiederum in einer zur Objektebene 6 konjugierten Feldebene angeordnet und stellt ebenfalls einen Feldfacettenspiegel dar. Der Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegel 36 ist beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 34 angeordnet.
In der 16 sind beispielhaft stark schematisch zwei Spiegel M1 und M2 der Projektionsoptik 19 angedeutet.
Bei 37 ist in der 16 ein für waferseitige Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 reservierter Bauraum 37 angedeutet.
17 zeigt in einer schematischen Aufsicht den Übertragungs-Facettenspiegel 35 mit einer schematischen Unterteilung einer Vielzahl von Mikrofacetten, aus denen dieser Übertragungs-Facettenspiegel 35 aufgebaut ist, in Übertragungs-Facettengruppen 38. Diese Übertragungs-Facettengruppen 38 stellen virtuelle Feldfacetten nach Art der Feldfacetten 27 der Beleuchtungsoptik 4 dar, die jeweils über zugeordnete Ausleuchtungskanäle in das bogenförmige Objektfeld 5 (vgl. 14) einander überlagernd abgebildet werden. Der Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegel 36 stellt eine Übertragungsoptik zur überlagernden Abbildung der Übertragungs-Facettengruppen 38 in das Objektfeld 5 dar. Über eine Verkippung von Mikrofacetten des Beleuchtungsvorgabe-Facettenspiegels 36 um jeweils zur x-Achse parallele Achsen lässt sich eine Überlagerung der verschiedenen Facettengruppen-Bilder im Objektfeld 5 jeweils vorgegeben um einer Verschiebung Δy verschieben.
Auch die Beleuchtungsoptik 34 der Projektionsbelichtungsanlage 1 nach 16 ist so ausgeführt, dass ein Intensitätsprofil I(y) des Beleuchtungs- bzw. Nutzlichts 2 abhängig von der Objektverlagerungsrichtung y vorgegebenen Bedingungen für die vorstehend erläuterten Parameter H und H2 genügt, nämlich H < 1 und H2 < 10.
18 zeigt eine weitere Ausführung einer Anordnung von Mikrofacetten 39 des Feldfacettenspiegels 10 oder des Übertragungs-Facettenspiegels 35, die längs der Scanrichtung y eine variierende Breite aufweisen. Eine solche Anordnung kann alternativ oder zusätzlich zu einer Pupillenfacetten-Verkippung zur Vorgabe eines Intensitätsprofils I(y) herangezogen werden.
Bei der Anordnung nach 18 sind die Mikrofacetten 39 quadratisch ausgeführt und so orientiert, dass ihre Diagonalen parallel bzw. senkrecht zur Scanrichtung y verlaufen. Diese Anordnung kann erreicht werden, indem ein Quadrat-Array aus Mikrofacetten 39 um 45° um eine Achse parallel zur z-Achse verdreht genutzt wird. 18 und 19 zeigen die Verhältnisse bei Verwendung zweier einander angrenzender x-Zeilen einer Anordnung von Mikrofacetten 39. Es resultiert ein I(y)-Intensitätsprofil 44 mit Flanken, deren Flankenbreite dem I(y)-Dreiecksprofil nach 6 entspricht. Zwischen diesen Flanken, also im Bereich um y = 0, hat das Intensitätsprofil 44 ein Intensitätsplateau I = I_max.
Je nach der Form der jeweiligen Mikrofacetten 39, also je nach funktionaler Abhängigkeit der längs der Scanrichtung y variierenden Breite der Mikrofacetten 39, lässt sich eine Flankenbreite des Intensitätsprofils I(y) zur Anpassung der Parameter H bzw. H2 beeinflussen. Durch Erzeugung eines Versatzes zwischen Bildern von jeweils einem Ausleuchtungskanal zugeordneten Mikrofacetten-Gruppen nach Art der Gruppe von Mikrofacetten 39, die in der 18 dargestellt ist und die einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels entsprechen kann, senkrecht zur Objektverlagerungsrichtung, also in x-Richtung, kann eine Homogenisierung einer Intensitätsbeaufschlagung des durch das Objektfeld verlagerten Objekts über die x-Richtung erreicht werden.
Zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils, insbesondere eines hoch integrierten Halbleiterbauelements, beispielsweise eines Speicherchips, mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 erfolgt zunächst nach Ermittlung der Vibrations-Fehlerbeiträgen die Vorgabe eines Beleuchtungs-Intensitätsprofils I(y), qualifiziert nach den Parametern H und H2, wie vorstehend erläutert. Anschließend werden das Retikel 7 und der Wafer 22 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 7 mit der Projektionsoptik der Projektionsbelichtungsanlage 1 auf eine lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 22 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- bzw. Nanostruktur auf dem Wafer 22 und hieraus das mikro- bzw. nanostrukurierte Bauteil erzeugt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

US 7006595 B2 [0002]
US 2009/0091731 A1 [0002, 0029, 0032, 0039, 0040]
US 2011/0318696 A1 [0002, 0074]
US 6198793 B1 [0002]
EP 1026547 A2 [0002]
US 2006/0132747 A1 [0002]

Claims

Beleuchtungssystem (26) für die EUV-Projektionslithografie – mit einer EUV-Lichtquelle (3), – mit einer Beleuchtungsoptik (4; 34) zur Führung von Nutzlicht (2) der Lichtquelle (3) hin zu einem Beleuchtungsfeld (5), in dem ein abzubildendes Objekt (7) anordenbar ist, – mit einem Objekthalter (8) zur Verlagerung des Objekts (7) während der Projektionsbelichtung längs einer Objektverlagerungsrichtung (y), – wobei die Beleuchtungsoptik (4; 34) so ausgeführt ist, dass ein Intensitätsprofil (I(y)) des Nutzlichts (2) in einer Objektebene (6) abhängig von der Objektverlagerungsrichtung (y) folgender Bedingung genügt: H <= 0,9, – wobei gilt:
Beleuchtungssystem (26) für die EUV-Projektionslithografie – mit einer EUV-Lichtquelle (3), – mit einer Beleuchtungsoptik (4; 34) zur Führung von Nutzlicht (2) der Lichtquelle (3) hin zu einem Beleuchtungsfeld (5), in dem ein abzubildendes Objekt (7) anordenbar ist, – mit einem Objekthalter (8) zur Verlagerung des Objekts (7) während der Projektionsbelichtung längs einer Objektverlagerungsrichtung (y), – wobei die Beleuchtungsoptik (4; 34) so ausgeführt ist, dass ein Intensitätsprofil (I(y)) des Nutzlichts (2) in einer Objektebene (6) abhängig von der Objektverlagerungsrichtung (y) folgender Bedingung genügt: H2 <= 3, – wobei gilt:
Beleuchtungssystem nach Anspruch 1 und 2.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Intensitätsprofil I(y) derart ausgeführt ist, dass ein Anstieg zwischen einer minimalen Intensität und einer maximalen Intensität (I_max) und ein Abfall zwischen der maximalen Intensität (I_max) und einer minimalen Intensität längs eines Weges in der Objektverlagerungsrichtung (y) erfolgt, der mindestens 0,4·FWHM I(y) beträgt.
Beleuchtungssystem (26) für die EUV-Projektionslithografie – mit einer EUV-Lichtquelle (3), – mit einer Beleuchtungsoptik (4; 34) zur Führung von Nutzlicht (2) der Lichtquelle (3) hin zu einem Beleuchtungsfeld (5), in dem ein abzubildendes Objekt (7) anordenbar ist, – wobei die Beleuchtungsoptik (4; 34) mindestens einen Facettenspiegel (10, 11; 35, 36) mit einer Mehrzahl von Facetten aufweist, wobei mittels einer Übertragungsoptik (14; 36) eine entsprechende Mehrzahl von Teilbündeln, die jeweils über eine der Facetten geführt werden, im Beleuchtungsfeld (5) überlagert werden, – mit einem Objekthalter (8) zur Verlagerung des Objekts (7) während der Projektionsbelichtung längs einer Objektverlagerungsrichtung (y), – wobei die Beleuchtungsoptik (4; 34) so ausgeführt ist, dass ein Intensitätsprofil (I(y)) des Nutzlichts (2) abhängig von der Objektverlagerungsrichtung (y) folgende Bedingungen genügen: H < 1 und H2 < 10, – wobei gilt:
Beleuchtungssystem nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch eine Anordnung der Facetten (28) des Facettenspiegels (11; 26) derart, dass über eine Verkippung der Facetten (28) des Facettenspiegels (11; 26) eine Überlagerung von über die Facetten (28) geführten Nutzlicht-Teilbündeln im Beleuchtungsfeld resultiert, welche in der Objektverlagerungsrichtung y jeweils um vorgegebene Verschiebungen (Δy) versetzte Ausleuchtungsbereiche erzeugen.
Beleuchtungssystem nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass Facetten (39) des mindestens einen Facettenspiegels (10; 35) längs der Scanrichtung (y) eine variierende Breite aufweisen.
Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 7 und einer Projektionsoptik (19) zur Abbildung eines Objektfeldes (5), das innerhalb des Beleuchtungsfeldes (5) anordenbar ist, in ein Bildfeld (20).
Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Retikels (7), – Bereitstellen eines Wafers (22) mit einer für das Beleuchtungslicht (2) empfindlichen Beschichtung, – Projizieren zumindest eines Abschnitts des Retikels (7) auf den Wafer (22) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 16, – Entwickeln der mit dem Beleuchtungslicht (2) belichteten lichtempfindlichen Schicht auf dem Wafer (22).
Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 9.