KR102214738B1 - 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울 - Google Patents
특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102214738B1 KR102214738B1 KR1020167007654A KR20167007654A KR102214738B1 KR 102214738 B1 KR102214738 B1 KR 102214738B1 KR 1020167007654 A KR1020167007654 A KR 1020167007654A KR 20167007654 A KR20167007654 A KR 20167007654A KR 102214738 B1 KR102214738 B1 KR 102214738B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mirror
- reflective layer
- piezoelectric layers
- exposure apparatus
- layer stack
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 114
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 7
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 4
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 241000877463 Lanio Species 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N molybdenum;silicon Chemical compound [Mo]#[Si] GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/062—Devices having a multilayer structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
-
- H01L41/183—
-
- H01L41/1876—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/852—Composite materials, e.g. having 1-3 or 2-2 type connectivity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead based oxides
- H10N30/8554—Lead zirconium titanate based
-
- H10N30/704—
Abstract
본 발명은 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울에 관한 것이다. 본 발명에 따른 거울(10)은 광학적 활성 표면(11)과, 거울 기판(12)과, 광학적 활성 표면(11) 상에 충돌하는 전자기 방사선을 반사하기 위한 반사 층 스택(21)과, 반사 층 스택(21)의 적층 방향으로 거울 기판(12)과 반사 층 스택(21) 사이에 연속적으로 배열되고 국부적으로 변화 가능한 변형을 생성하는 전기장이 가해질 수 있는 적어도 2개의 압전 층(16a, 16b, 16c)을 포함하고, 결정질 재료로 구성되는 적어도 1개의 중간 층(22a, 22b)이 상기 압전 층(16a, 16b, 16c) 사이에 배열되고, 중간 층(22a, 22b)은 이것이 반사 층 스택(21)의 적층 방향으로 중간 층(22a, 22b)에 인접한 압전 층(16a, 16b, 16c)의 영역 내에 존재하는 전기장을 실질적으로 영향을 받지 않는 상태로 남기는 방식으로 설계된다.
Description
본 출원은 2013년 9월 27일자로 출원된 독일 특허 출원 DE 10 2013 219 583.4에 대한 우선권을 주장한다. 상기 독일 출원의 내용은 본 출원 내용에 참조로 통합되어 있다.
기술 분야
본 발명은 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울에 관한 것이다.
마이크로리소그래피는 예로서 집적 회로 또는 LCD 같은 마이크로구조 구성요소의 생성을 위해 사용된다. 마이크로리소그래피 공정은 조명 기기와 투영 렌즈를 갖는 소위 투영 노광 장치에서 수행된다. 조명 기기에 의해 조명되는 마스크(래티클)의 이미지는 마스크 구조를 기판의 감광성 코팅으로 전사하기 위해 이 경우에 감광층(포토레지스트)으로 코팅되고 투영 렌즈의 이미지 평면에 배열되어 있는 기판(예로서, 실리콘 웨이퍼) 상으로 투영 렌즈에 의해 투영된다.
EUV 범위, 즉, 예를 들어, 약 13 nm 또는 약 7 nm의 파장을 위해 설계된 투영 렌즈에서, 적절한 광투과성 굴절 재료의 가용성의 결여에 기인하여, 이미징 공정을 위한 광학 구성요소로서 거울이 사용된다.
실제로 일어나는 하나의 문제점은 특히 EUV 광원에 의해 방출되는 방사선의 흡수의 결과로서, EUV 거울이 가열되고 그에 따라 관련된 열 팽창 또는 변형을 겪고, 이는 결국 광학 시스템의 이미징 성질에 악영향을 미칠 수 있다는 것이다. 이는 특히 거울 워밍 또는 변형이 거울의 광학적 유효 표면에 걸쳐 강력하게 변화되는, 비교적 작은 조명 폴을 갖는 조명 세팅(예로서 다이폴 또는 쿼드러폴 조명 세팅)이 사용될 경우에 그러하다.
예로서, 시스템의 배치 지점 또는 지리 위치에 따른 중력의 변화가 투영 노광 장치의 수차 중에 일어나는 수차의 또 다른 원인이다.
위에서-설명된 문제점을 적어도 부분적으로 보상하고 또한 일반적으로 (광학 축을 따라, 또는 광 전파 방향으로, 또한 측면 방향으로, 또는 광학 축 또는 광 전파 방향에 직각으로 양쪽 모두를 따라) 이미지 위치 정확도 및 이미지 품질을 증가시키기 위해, 국부적으로 변화되는 강도의 전기장이 압전 층의 양쪽 측면 상에 배열되는 전극으로 전압을 가함으로써 상기 압전 층을 횡단하여 발생되는, 압전 재료로 제조된 작동 층을 갖는 적응 거울로서 EUV 시스템 내의 1개 이상의 거울을 설계하는 것이 특히 알려져 있다. 압전 층의 국부 변형의 경우에, 적응 거울의 반사 층 스택이 또한 변형되고, 그 결과로 (아마도 또한 일시적으로 변화 가능한) 이미징 수차가 전극을 적절하게 제어함으로써 적어도 부분적으로 보상될 수 있다.
도 4는 단지 개략적 예시도로 아마도 원칙적으로 있을 수 있는 종래의 적응 거울(30)의 구성을 도시한다. 광학적 유효 표면(31)을 갖는 거울(30)은 거울 기판(32)과 (예로서 몰리브데늄 및 실리콘 층으로 제조되는 다층 시스템으로서의) 반사 층 스택(41) 사이에 예로서 납 지르코네이트 티타네이트(Pb(Zr,Ti)O3) 같은 압전 재료로부터 제조되는 압전 층(36)을 갖는다. 거울 기판 재료는, 예로서, 티타늄 이산화물(TiO2)로 도핑된 석영 유리일 수 있고, 이 때에 사용 가능한 재료의 예는 상표명 ULE®(Corning Inc.) 또는 Zerodur®(Schott AG) 하에서 판매되는 것들이다. 압전 층(36)은 도 4에 따르면 거울 기판(32) 상에 제공되는 (예에서 TiO2로 제조되는) 접착 층(33)에 가해지는, 제1 전극(34)과, (예에서 LaNiO3로 제조되는) 또 다른 접착 층(35, 37)이 전극(34, 38)과 압전 층(36) 사이에 배치되는, 제2 구조 전극(38) 사이에 배열된다. 접착 층(35, 37)은 최대한 최적인 압전 층을 위한 결정 성장 조건을 이용 가능케 하도록 기능한다.
도 4에 따르면, [예에서 전극(34, 38)과 똑같이 백금(PT)으로부터 제조되고 원칙적으로 선택 사항인] 스크리닝 층(40)이 또한 구조 전극(38)과 대면하는, 반사 층 스택(41)의 저부 측면 상에 배치된다. 도 4에 따르면, SiO2 층(39)이 또한 압전 층(36)과 스크리닝 층(40) 사이에 배치된다. 국부적으로 변화되는 전압을 가함으로써, 압전 층(36)의 국부적으로 변화되는 편향이 생성될 수 있고, 이는 결국 반사 층 스택(41)의 변형으로 그에 따라 광학적 유효 표면(31) 상에 입사되고 수차 보정에 사용될 수 있는 광에 대한 파면 변화로 변환된다.
적응 거울의 위에서-설명된 원리가 어느 정도까지 있을 수 있는 거울(30)의 변형 또는 작동과 연계하여 수차 보정을 효율적으로 만들지만, 더 큰 작동 또는 변형의 요건은 압전 층의 편향에 의해 실현 가능한 변위 거리가 원칙적으로 제한된다는 문제점을 유발한다.
실현 가능한 변위 거리의 이러한 제한에 대한 하나의 이유는 압전 층이 (예로서 압전 재료로서의 납 지르코네이트 티타네이트의 경우에 약 2 ㎛일 수 있는) 특정한 두께가 초과되면 더 이상 충분히 완벽하지 않은 결정 구조 상에서 성장하고, 이는 궁극적으로 압전재료(piezomaterial)의 전압-유도 팽창의 특성인 소위 "d33 계수"의 감소 그에 따라 또한 거울의 변형에 대한 작동 효과의 감소를 초래한다는 사실의 결과인, 압전 층의 원칙적인 두께 제한을 기초로 한다. d33 계수는 여기에서
ΔD=d33*U (1)
에 의해 정의되고, ΔD가 (절대) 두께 변화를 나타내고 U가 전압을 나타낸다.
또한, 증가가 마찬가지로 더 큰 변위 거리를 실현하는 것으로 인식 가능한, 압전 층의 영역 내의 전극으로 가해지는 전압의 증가가 마찬가지로 더 강력한 전기장이 가해지거나 20 V 초과의 전압이 가해질 때에 압전재료 내에서 일어나는 이력 효과와, 전압이 과도하게 크게 증가되는 경우의 압전 층에 대한 손상 그에 따른 서비스 수명의 감소의 양쪽 모두에 기인하는, 제한에 종속된다.
종래 기술에 대해, 참조가 단지 예로서 DE 10 2011 081 603 A1에 대해 수행된다.
본 발명의 목적은 예로서 수차 보정에 요구되는 변위 거리를 통해 변형 또는 작동을 가능케 하면서 위에서-언급된 문제점을 피하는 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울을 제공하는 것이다.
이 목적은 독립 청구항 1의 특징에 따른 거울에 의해 달성된다.
본 발명에 따른 거울이며, 광학적 유효 표면을 갖는, 거울은:
- 거울 기판과,
- 광학적 유효 표면 상에 입사되는 전자기 방사선을 반사하기 위한 반사 층 스택과,
- 반사 층 스택의 적층 방향으로 거울 기판과 반사 층 스택 사이에 연속적으로 배열되고 전기장이 국부적으로 변화 가능한 변형을 생성하도록 가해질 수 있는, 적어도 2개의 압전 층을 갖고;
- 결정질 재료로 제조되는 적어도 1개의 중간 층이 상기 압전 층들 사이에 배열되고;
- 중간 층은 이것이 반사 층 스택의 적층 방향으로 중간 층에 인접한 압전 층의 영역 내에 존재하는, 전기장을 실질적으로 영향을 받지 않는 상태로 남기도록 설계된다.
거울은 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울일 수 있다. 그러나, 본 발명은 그에 제한되지 않는다. 다른 적용 분야에서, 본 발명에 따른 거울이 또한 예로서 마스크 계측을 위한 시스템에서 채용 또는 이용될 수 있다.
본 발명은 특히 적응 거울의 작동 및 변형 중에 더 큰 변위 거리를 실현하는 1개 그리고 또한 복수개의(즉 적어도 2개의) 압전 층을 제공하고 각 경우에 결정질 재료로 제조되는 적절한 중간 층(또는 "버퍼 층")에 의해 상기 층들을 분리하는 개념을 기초로 한다.
이러한 방식으로 거울이 작동될 때에 상기 압전 층의 각각의 변형 또는 변위 거리로부터 이익을 얻고, 그 결과로, 얻어진 총 변위 거리에 대해, 대응하여 배가된 효과가 모든 압전 층의 기여를 기초로 하여 유발되는 것이 가능하다. 여기에서 각 경우에 2개의 압전 층 사이에 본 발명에 따라 존재하는 중간 층에 의해 성취되는 것은 각 경우에 층 적층 순서의 관점에서, 후속되거나 중간 층에 인접한 압전 층이 (적절한 결정 방위를 갖는 결정질 중간 층의 제공으로) 정확하게 또는 최적의 성장 조건 하에서 재차 성장하고, 결과로서, 더 큰 두께의 경우에 압전 층의 분산 성장의 이전에 설명된 문제점이 피해진다는 것이다.
본 발명의 실시예에서, 중간 층은 또한 이것이 반사 층 스택의 적층 방향으로 중간 층에 인접한 압전 층의 영역 내에 존재하는, 전기장을 각 경우에 실질적으로 영향을 받지 않는 상태로 남기도록 설계된다. 바꿔 말하면, 전압이 일련의 압전 층 위 및 아래에 존재하는 전극에 가해지면, 동일한 전기장 강도가 실질적으로 국부적으로 압전 층을 투과하고, 이 압전층은 각 경우에 상기 전기장 강도에 비례하는 편향을 겪고 그 결과로, 요컨대, 위에서 설명된 배가 효과가 얻어진다(즉, 단지 1개의 편향 대신에, 압전 층의 개수에 대응하는, 복수개의 편향이 가해진 전기장의 결과로서 일어난다). 각각의 중간 층 또는 "버퍼 층"은 여기에서 각 경우에 본 발명의 전기장이 감쇠되지 않는 형태로 그리고 편향 없이 관련된 중간 층을 투과하여 각각 인접한 압전 층에 도달되도록 설계된다.
본 발명은 또한 거울이며, 광학적 유효 표면을 갖는, 거울에 관한 것이고, 거울은:
- 거울 기판과,
- 광학적 유효 표면 상에 입사되는 전자기 방사선을 반사하기 위한 반사 층 스택과,
- 반사 층 스택의 적층 방향으로 거울 기판과 반사 층 스택 사이에 연속적으로 배열되고 전기장이 국부적으로 변화 가능한 변형을 생성하도록 가해질 수 있는, 적어도 2개의 압전 층을 갖고;
- 결정질 재료로 제조되는 적어도 1개의 중간 층이 상기 압전 층들 사이에 배열된다.
일 실시예에 따르면, 중간 층은 전기 절연성 재료로부터 제조된다.
압전 층은 특히 각 경우에 3.0 ㎛ 미만의 두께, 또한 특히 1 ㎛ 내지 2 ㎛의 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 거울은 30 ㎚ 미만, 특히 15 ㎚ 미만의 동작 파장에 대해 설계된다. 그러나, 본 발명은 그에 제한되지 않고, 본 발명은 그에 따라 또한 유리하게는 추가의 적용 분야에서 VUV 범위 내의(예로서 200 ㎚ 미만의) 동작 파장을 갖는 광학 시스템에서 실현될 수 있다.
본 발명은 또한 위에서-설명된 특징을 갖는 적어도 1개의 거울을 갖는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 광학 시스템, 특히 조명 기기 또는 투영 렌즈와, 또한 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치에 관한 것이다.
본 발명의 다른 구성은 상세한 설명 및 종속 청구항으로부터 얻어질 수 있다.
본 발명은 첨부 도면에 예시된 예시적 실시예에 기초하여 더 상세히 후술된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 적응 거울의 구성을 설명하기 위한 개략적 예시도를 도시한다.
도 2-3은 EUV에서의 동작을 위해 설계되는 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 있을 수 있는 구성을 설명하기 위한 개략적 예시도를 도시한다.
도 4는 종래의 적응 거울을 설명하기 위한 개략적 예시도를 도시한다.
도 2-3은 EUV에서의 동작을 위해 설계되는 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 있을 수 있는 구성을 설명하기 위한 개략적 예시도를 도시한다.
도 4는 종래의 적응 거울을 설명하기 위한 개략적 예시도를 도시한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에서 본 발명에 따른 거울의 구성을 설명하기 위한 개략적 예시도를 도시한다. 거울(10)은 특히 거울 기판(12)을 포함하며, 이는 임의의 요구된 적절한 거울 기판 재료로부터 제조된다. 적절한 거울 기판 재료는 예로서 티타늄 이산화물(TiO2)로 도핑된 석영 유리이고, 이 때에 사용 가능한 재료는, 단지 예로서(그리고 본 발명을 그에 제한하지 않고), 상표명 ULE®(Corning Inc.) 또는 Zerodur®(Schott AG) 하에서 판매되는 것들이다.
또한, 거울(10)은 원론적으로 그 자체가 공지된 방식으로, 예시된 실시예에서, 단지 예로서, 몰리브데늄-실리콘(Mo-Si) 층 스택을 포함하는, 반사 층 스택(21)을 갖는다. 본 발명을 이러한 층 스택의 특정 구성에 제한하지 않고, 단지 예일 수 있는 하나의 적절한 구성은 각 경우에 2.4 nm의 층 두께를 갖는 몰리브데늄(Mo) 층 및 각 경우에 3.4 nm의 층 두께를 갖는 실리콘(Si) 층을 포함하는 층 시스템의 약 50 플라이 또는 층 패킷을 포함할 수 있다.
거울(10)은 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 기기 또는 투영 렌즈의 광학 시스템의 특히 EUV 거울일 수 있다.
광학 시스템의 동작 중에 거울(10)의 광학적 유효 표면(11) 상으로의 (도 1에서 화살표에 의해 표시된) 전자기 EUV 방사선의 충돌은 광학적 유효 표면(11) 상에 불균질하게 충돌되는 방사선의 흡수로부터 기인하는 온도 분포로 인해 거울 기판(12)의 불균질한 체적 변화로 이어진다.
도 1의 예시적 실시예에서, 본 발명에 따른 거울(10)은 반사 층 스택(21)의 적층 방향으로(즉 작도된 좌표계에 대해 z-방향으로) 3개의 압전 층(16a, 16b, 16c)을 갖고, 이들 사이에는 각 경우에 결정질 재료(예로서 결정질 석영)로 제조되는 중간 층(22a, 22b)이 배열된다. 압전 층(16a, 16b, 16c)은 예시적 실시예에서 납 지르코네이트 티타네이트(Pb(Zr,Ti)O3, PZT)로부터 제조되고 예로서 1㎛ 내지 2㎛의 범위 내의 예시적 두께를 가질 수 있다.
본 발명은 이전에 언급된 재료 및 두께에 제한되지 않고, 압전 층(16a, 16b, 16c) 및 중간 층(22a, 22b)은 그에 따라 또한 서로에 적절하게 맞는 상이한 재료로부터 제조될 수 있다. 결정질 중간 층(들)(22a, 22b)의 결정 방위는 여기에서 각 경우에 적층 방향 또는 z-방향으로 후속되는 압전 층(16b, 16c)에 대해 각 경우에 최적화되는 성장 조건이 제공되도록 선택되어야 한다.
중간 층에 사용될 수 있는 재료는, 예로서, 칼슘 니오베이트(CaNbO3)이다. 페로브스카이트형 구조를 포함하는 이러한 재료는 수 개의 나노층에서 [001] 결정 방향으로 성장할 수 있다. 우선, 기판이 침지되는, 재료의 화학 서스펜션이 여기에서 생성된다. 약 100℃에서의 어닐링이 층을 그 결정 최종 상태로 가져온다. CaNbO3 층(격자 파라미터 a=0.3853㎚, b=0.3868㎚ 및 c=2.947㎚)과 후속의 납 지르코네이트 티타네이트 층(Pb(Zr,Ti)O3, PZT)(격자 파라미터 a=b=0.403㎚ 및 c=0.410㎚) 사이의 약 4.4%의 비교적 낮은 격자 미스매치의 결과로서, 요구된 [001] 방향으로의 PZT 층의 성장이 보증된다. 단지 수 나노미터(㎚)의 CaNbO3 층의 두께의 결과로서, 층은 전기 전도성을 갖지 않는다. 전기장이 방해받지 않는 상태로 투과되고 그에 따라 중간 층에 의해 서로로부터 분리되는 압전 층 상에 작용할 수 있다.
중간 층에 대한 대체예로서 사용될 수 있는 재료는 예로서 펄스형 레이저 피착(PLD: pulsed laser deposition)으로 가해질 수 있는, 스트론튬 티타네이트(SrTiO3, STO)이다. 이러한 재료는 마찬가지로 페로브스카이트형 구조로 결정화되고, 그 중에서도, 요구된 결정 방향 [001]로 성장한다. 격자 파라미터는 a=0.3905nm이다. PZT 층에 비해, 격자 미스매치는 여기에서 단지 약 2%이고, 이는 스트론튬 티타네이트 상에서의 압전 층의 거의 완벽한 결정 성장을 가능케 한다. 스트론튬 티타네이트는 또한 약 300의 유전 상수를 갖는 전기 절연체이다.
다른 실시예에서, 거울(10)은 또한 중간 층에 의해 서로로부터 분리되는 단지 2개의 압전 층, 또는 각 경우에 중간 층에 의해 분리되는 4개 이상의 압전 층을 가질 수 있다.
도 1에 따르면, 각 경우에 (예시 실시예에서 백금으로부터 제조되는) 1개의 전극(14, 18)이 이전에 설명된 일련의 압전 층(16a, 16b, 16c) 위 및 아래에 위치되고, 전압이, 적절하다면, 압전 층(16a, 16b, 16c)에 국부적으로 변화되는 전기장을 가하기 위해 이들 전극(14, 18)에 가해질 수 있다. 반사 층 스택(21)과 대면하는 상부 전극(18)은 이러한 국부적으로(특히 적층 방향 또는 z-방향에 대해 측면 방향으로 즉 x-y 평면 내에서) 변화되는 전기장을 발생시키도록 적절하게 구성된다.
"15" 및 "17"은 각 경우에 각각 인접한 압전 층(16a, 16c)에 대한 개선된 접착을 위한 관련된 전극(14, 18)을 위한 접착 층을 나타내고, 이들 접착 층은, 예로서, 란탄 니켈 산화물(LaNiO3)로 구성될 수 있다. 도 1에 따른 거울(10)은 또한 거울 기판(12)과 거울 기판(12)과 대면하는 하부 전극(14) 사이에 (예에서 티타늄 이산화물, TiO2로 제조되는) 접착 층(13)을 갖는다.
도 1 내의 "20"은 전극(14, 18)과 대면하는 반사 층 스택(21)의 저부 측면 상에 배열되고 접지될 수 있는, (예에서 백금으로 제조되는) 스크리닝 층을 나타낸다. 그러나, 이러한 스크리닝 층(20)은 원칙적으로 선택 사항이고, 다른 실시예에서, 반사 층 스택(21) 그 자체가 그에 따라 접지되거나 접지부에 연결될 수 있다.
거울(10) 또는 이러한 거울(10)을 포함하는 광학 시스템의 동작 중에, 전극(14, 18)으로의 전압의 인가는 상기 압전 층(16a, 16b, 16c)의 영역 내에 유발되는 전기장을 통해 압전 층(16a, 16b, 16c)의 편향을 초래하고, 전체적으로 얻어지는 변위 거리는 각각의 개별의 압전 층(16a, 16b, 16c)의 개별의 변위 거리의 합계의 결과이다. 이러한 방식으로[예로서 EUV 방사선이 광학적 유효 표면(11) 상에 충돌하는 경우의 열 변형의 결과로서 예로서 광학 수차를 보상하기 위해] (단지 예로서, 10 ㎚ 내지 20 ㎚의 범위 내에 있을 수 있는) 대응하여 더 큰 변위 거리를 갖는 거울의 작동을 성취하는 것이 가능하다.
압전 층(16a, 16b, 16c)의 각각이 이러한 총 편향에 기여한다는 사실로 인해, 얻어진 비교적 큰 변위 거리가 전극(14, 18)에 존재하는 비교적 적절한 전압으로 얻어질 수 있고, 그 결과로, 예로서, 압전 층(16a, 16b, 16c) 내의 이력 효과가 피해질 수 있다.
도 2는 본 발명이 실현될 수 있는, EUV에서 동작하도록 설계된 일 예시적 투영 노광 장치의 개략적 예시도를 도시한다. 도 2에 따라서, EUV를 위해 설계된 투영 노광 장치(200)의 조명 기기는 필드 패싯 거울(203) 및 동공 패싯 거울(204)을 포함한다. 플라즈마 광원(201)과 집광기 거울(202)을 포함하는 광원 유닛으로부터의 광이 필드 패싯 거울(203) 상으로 지향된다. 제1 텔레스코프 거울(205) 및 제2 텔레스코프 거울(206)은 공동 패싯 거울(204)의 하류의 광 경로에 배열된다. 편향 거울(207)이 광 경로의 하류에 배열되고, 상기 편향 거울은 그 상에 충돌하는 방사선을 6개 거울(251-256)을 포함하는 투영 렌즈의 대물 평면의 대물 필드 상으로 지향시킨다. 마스크 스테이지(220) 상의 반사성 구조 보유 마스크(221)는 대물 필드의 위치에 배열되며, 상기 마스크는 투영 렌즈의 도움으로 이미지 평면 내로 이미징되며, 이미지 평면은 웨이퍼 스테이지(260) 상의 감광성 층(포토레지스트)으로 코팅된 기판(261)에 배치된다.
투영 렌즈의 거울(251-256) 중에서, 본 발명에 따른 방식으로 설계될 수 있는 것은 특히-광 빔 경로에 대한 투영 렌즈의 출발 영역에 배열되는-거울(251, 252)인데, 열 변형을 보상하는 얻어진 효과가, 상기 거울(251, 252)에서 합산된 여전히 비교적 낮은 반사 손실 및 그에 따른 비교적 높은 광 강도의 결과로서 특히 현저하기 때문이다.
그러나, 본 발명은 상기 거울(251, 252)에 대한 용례에 한정되지 않으며, 그래서, 원론적으로 다른 거울 특히 동공 또는 필드 근접성의 거울이 또한 본 발명에 따른 방식으로 설계될 수 있다. 도 3에 따르면(예로서, US 2008/0165415 A1에 기재된 것과 같이), 동공 또는 필드 근접성은 파라미터 P(M)에 의해 정량적으로 설명될 수 있고, 파라미터 P(M)은
로서 정의되고, 이 때에 D(SA)가 서브애퍼처 직경을 나타내고 D(CR)이 관련된 평면 내의 광학 표면 M 상의 (광학적으로 사용되는 필드의 모든 필드 지점으로부터 또는 모든 필드 지점에 걸쳐 한정되는) 최대 주 광선 거리를 나타낸다. 결과적으로, (0의 서브애퍼처 직경을 갖는) 필드 거울에 대해, P(M)=0이고, (0의 주 광선 거리를 갖는) 동공 거울에 대해 P(M)=1이다. 위에서-언급된 거울(10)은, 예로서, 파라미터 P(M)이 적어도 0.8, 특히 적어도 0.9인 투영 렌즈의 평면 내에 동공-근접 거울로서 위치될 수 있다. 거울(10)은 또한, 예컨대, 파라미터 P(M)이 최대 0.2, 특히 최대 0.1인 투영 렌즈의 평면 내에 필드-근접 거울로서 위치될 수 있다.
본 발명을 특정 실시예에 기초하여 설명하였지만, 예를 들어, 개별 실시예의 특징의 교환 및/또는 조합을 통해 본 기술 분야의 숙련자는 다양한 변경 및 변형 실시예를 명백히 알 수 있다. 따라서, 두말할 필요 없이, 본 기술 분야의 숙련자는, 이런 변형 및 대안 실시예가 본 발명에 함께 포함되며, 본 발명의 범주는 첨부된 특허 청구범위의 의미와 그 균등물에 의해서만 제한된다.
Claims (11)
- 거울이며, 광학적 유효 표면을 가지고,
- 거울 기판(12)과,
- 광학적 유효 표면(11) 상에 입사되는 전자기 방사선을 반사하기 위한 반사 층 스택(21)과,
- 반사 층 스택(21)의 적층 방향으로 거울 기판(12)과 반사 층 스택(21) 사이에 연속적으로 배열되고 전기장이 국부적으로 변화 가능한 변형을 생성하도록 가해질 수 있는, 적어도 2개의 압전 층(16a, 16b, 16c)을 포함하고;
- 결정질 재료로 제조되는 적어도 1개의 중간 층(22a, 22b)이 상기 압전 층(16a, 16b, 16c) 사이에 배열되고,
- 중간 층(22a, 22b)은, 반사 층 스택(21)의 적층 방향으로 중간 층(22a, 22b)에 인접한 압전 층(16a, 16b, 16c)의 영역 내에 존재하는 전기장을 영향을 받지 않는 상태로 남기도록 설계되고,
- 압전 층(16a, 16b, 16c) 및 중간 층(22a, 22b)은 제1 전극(14)과 제2 전극(18)의 사이에 배열되고, 상기 제1 전극(14)과 상기 제2 전극(18)은 상기 압전 층(16a, 16b, 16c) 및 상기 중간 층(22a, 22b)을 투과하는 전기장을 인가하도록 구성되는, 거울. - 제1항에 있어서, 상기 거울은 반사 층 스택(21)의 적층 방향으로 거울 기판(12)과 반사 층 스택(21) 사이에 연속적으로 배열되는, 적어도 3개의 압전 층(16a, 16b, 16c)을 갖는 것을 특징으로 하는, 거울
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 결정질 재료는 결정질 석영(SiO2), 칼슘 니오베이트(CaNbO3) 및 스트론튬 티타네이트(SrTiO3)를 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 거울.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 1개의 중간 층(22a, 22b)은 전기 절연성 재료로부터 제조되는 것을 특징으로 하는, 거울.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 압전 층(16a, 16b, 16c) 각각은 3.0 ㎛ 미만의 두께, 또는 1 ㎛ 내지 2 ㎛의 범위 내의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는, 거울.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 거울은 30 ㎚ 미만, 또는 15 ㎚ 미만의 동작 파장에 대해 설계되는 것을 특징으로 하는, 거울.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 거울은 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울인 것을 특징으로 하는, 거울.
- 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 광학 시스템에 있어서, 광학 시스템은 제1항 또는 제2항에서 청구된 것과 같은 거울을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
- 제8항에 있어서, 상기 거울은
로서 정의되는, 파라미터 P(M)이 적어도 0.8, 또는 적어도 0.9이고, 이 때에 D(SA)가 서브애퍼처 직경을 나타내고 D(CR)이 관련된 평면 내의 광학 표면 M 상의 광학적으로 사용되는 필드의 모든 필드 지점에 걸쳐 최대 주 광선 거리를 나타내는, 평면 내에 배열되는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템. - 제8항에 있어서, 상기 거울은
로서 정의되는, 파라미터 P(M)이 최대 0.2, 또는 최대 0.1이고, 이 때에 D(SA)가 서브애퍼처 직경을 나타내고 D(CR)이 관련된 평면 내의 광학 표면 M 상의 광학적으로 사용되는 필드의 모든 필드 지점에 걸쳐 최대 주 광선 거리를 나타내는, 평면 내에 배열되는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템. - 조명 기기 및 투영 렌즈를 갖는 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(200)에 있어서,
투영 노광 장치는 제8항에서 청구된 것과 같은 광학 시스템을 갖는 것을 특징으로 하는, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102013219583.4 | 2013-09-27 | ||
| DE201310219583 DE102013219583A1 (de) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| PCT/EP2014/067538 WO2015043832A1 (de) | 2013-09-27 | 2014-08-18 | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160062007A KR20160062007A (ko) | 2016-06-01 |
| KR102214738B1 true KR102214738B1 (ko) | 2021-02-10 |
Family
ID=51494264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167007654A KR102214738B1 (ko) | 2013-09-27 | 2014-08-18 | 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9785054B2 (ko) |
| JP (1) | JP6442492B2 (ko) |
| KR (1) | KR102214738B1 (ko) |
| DE (1) | DE102013219583A1 (ko) |
| WO (1) | WO2015043832A1 (ko) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102015213275A1 (de) | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegelanordnung für eine Lithographiebelichtungsanlage und Spiegelanordnung umfassendes optisches System |
| DE102015213273A1 (de) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102016201445A1 (de) * | 2016-02-01 | 2017-02-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102017203647A1 (de) | 2017-03-07 | 2018-09-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel mit einer piezoelektrisch aktiven Schicht |
| DE102017205405A1 (de) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102017213900A1 (de) * | 2017-08-09 | 2019-02-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102018207146A1 (de) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102018212508A1 (de) | 2018-07-26 | 2020-01-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum Betreiben eines deformierbaren Spiegels |
| DE102019203423A1 (de) | 2019-03-13 | 2020-01-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
| DE102019208934A1 (de) | 2019-06-19 | 2020-12-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102020205752A1 (de) | 2020-05-07 | 2021-11-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines deformierbaren Spiegels, sowie optisches System mit einem deformierbaren Spiegel |
| DE102020206708A1 (de) | 2020-05-28 | 2021-12-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für die Mikrolithographie |
| DE102020207699A1 (de) | 2020-06-22 | 2021-12-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102022210518A1 (de) | 2022-10-05 | 2024-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum Bearbeiten eines Spiegels |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008205A1 (fr) | 1999-07-23 | 2001-02-01 | Nikon Corporation | Procede d'exposition, systeme d'exposition, source lumineuse, procede et dispositif de fabrication |
| JP2002221751A (ja) | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Olympus Optical Co Ltd | 可変形状鏡を用いたカメラ |
| WO2003065103A1 (fr) | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Miroir a forme variable et dispositif de regulation de lumiere possedant ledit miroir |
| JP2004012895A (ja) | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Olympus Corp | 収差補正装置 |
| JP2008203820A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-09-04 | Carl Zeiss Smt Ag | 反射コーティングを備えたミラー要素を有する投影対物レンズ |
| WO2012126954A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Euv mirror arrangement, optical system comprising euv mirror arrangement and method for operating an optical system comprising an euv mirror arrangement |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55101903A (en) * | 1979-01-31 | 1980-08-04 | Kureha Chem Ind Co Ltd | Variable curvature mirror |
| US5504772A (en) * | 1994-09-09 | 1996-04-02 | Deacon Research | Laser with electrically-controlled grating reflector |
| JP2005308629A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | ミラーユニット及びそれの製造方法 |
| JP2005321564A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Canon Inc | 多層膜が形成された光学素子の製造方法 |
| US7567374B2 (en) * | 2004-06-22 | 2009-07-28 | Bae Systems Plc | Deformable mirrors |
| JP4931148B2 (ja) * | 2007-10-02 | 2012-05-16 | 富士フイルム株式会社 | ペロブスカイト型酸化物積層体及び圧電素子、液体吐出装置 |
| JP5391600B2 (ja) * | 2008-07-16 | 2014-01-15 | 船井電機株式会社 | 振動ミラー素子 |
| DE102011005940A1 (de) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Spiegelanordnung, optisches System mit EUV-Spiegelanordnung und Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems mit EUV-Spiegelanordnung |
| DE102011081603A1 (de) | 2011-08-26 | 2012-10-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Adaptiver Spiegel und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE102011084649A1 (de) * | 2011-10-17 | 2013-04-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel mit piezoelektrischem Substrat sowie optische Anordnung damit |
| DE102011086345A1 (de) | 2011-11-15 | 2013-05-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel |
-
2013
- 2013-09-27 DE DE201310219583 patent/DE102013219583A1/de not_active Ceased
-
2014
- 2014-08-18 JP JP2016517561A patent/JP6442492B2/ja active Active
- 2014-08-18 WO PCT/EP2014/067538 patent/WO2015043832A1/de active Application Filing
- 2014-08-18 KR KR1020167007654A patent/KR102214738B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-03-28 US US15/082,555 patent/US9785054B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008205A1 (fr) | 1999-07-23 | 2001-02-01 | Nikon Corporation | Procede d'exposition, systeme d'exposition, source lumineuse, procede et dispositif de fabrication |
| JP2002221751A (ja) | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Olympus Optical Co Ltd | 可変形状鏡を用いたカメラ |
| WO2003065103A1 (fr) | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Miroir a forme variable et dispositif de regulation de lumiere possedant ledit miroir |
| JP2004012895A (ja) | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Olympus Corp | 収差補正装置 |
| JP2008203820A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-09-04 | Carl Zeiss Smt Ag | 反射コーティングを備えたミラー要素を有する投影対物レンズ |
| WO2012126954A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Euv mirror arrangement, optical system comprising euv mirror arrangement and method for operating an optical system comprising an euv mirror arrangement |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Journal of Physics. D: Appl. Phys. 45, 494001(2012.11.16. 공개)* |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102013219583A1 (de) | 2015-04-02 |
| US9785054B2 (en) | 2017-10-10 |
| US20160209751A1 (en) | 2016-07-21 |
| KR20160062007A (ko) | 2016-06-01 |
| JP2016533516A (ja) | 2016-10-27 |
| JP6442492B2 (ja) | 2018-12-19 |
| WO2015043832A1 (de) | 2015-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102214738B1 (ko) | 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울 | |
| US10908509B2 (en) | Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus | |
| JP7438185B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー、及びデフォーマブルミラーの作動方法 | |
| US10684466B2 (en) | Mirror arrangement for lithography exposure apparatus and optical system comprising mirror arrangement | |
| US11360393B2 (en) | Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure system | |
| US11809085B2 (en) | Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus | |
| US11366395B2 (en) | Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure system | |
| TW202210953A (zh) | 反射鏡、特別是用於微影投射曝光裝置的反射鏡 | |
| CN115698860A (zh) | 特别用于微光刻的反射镜 | |
| US20230122333A1 (en) | Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus | |
| KR20230145202A (ko) | 광학 조립체, 광학 요소를 변형하기 위한 방법 및, 투영 노광 시스템 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |