DE102022210518A1

DE102022210518A1 - Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum Bearbeiten eines Spiegels

Info

Publication number: DE102022210518A1
Application number: DE102022210518.4A
Authority: DE
Inventors: Eric Eva; Matthias KAES
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2022-10-05
Filing date: 2022-10-05
Publication date: 2024-04-11
Also published as: WO2024074306A1

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, sowie ein Verfahren zum Bearbeiten eines Spiegels. Gemäß einem Aspekt weist der Spiegel eine optische Wirkfläche (11, 21, 31), ein Spiegelsubstrat (12, 22, 32), ein Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung, wenigstens einer piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34), welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (15, 25, 35) und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (13, 23, 33) mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist, und eine bei Beaufschlagung mit niederenergetischer Elektronenstrahlung kompaktierungssensitive Schicht (16, 26b, 36b) aus amorphem Material auf, welche auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht angeordnet ist und eine Dicke von wenigstens 5 |im besitzt.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, sowie ein Verfahren zum Bearbeiten eines Spiegels.
Stand der Technik
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCDs, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (= Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. einen Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.
Dabei ist es auch bekannt, einen oder mehrere Spiegel in einem EUV-System als adaptiven Spiegel mit einer Aktuatorschicht aus einem piezoelektrischen Material auszugestalten, wobei über diese piezoelektrische Schicht hinweg ein elektrisches Feld mit lokal unterschiedlicher Stärke durch Anlegen einer elektrischen Spannung an beiderseitig zur piezoelektrischen Schicht angeordnete Elektroden erzeugt wird. Bei lokaler Verformung der piezoelektrischen Schicht verformt sich auch der Reflexionsschichtstapel des adaptiven Spiegels, so dass durch geeignete Ansteuerung der Elektroden beispielsweise Abbildungsfehler (ggf. auch zeitlich veränderliche Abbildungsfehler) wenigstens teilweise kompensiert werden können.
5 zeigt in lediglich schematischer Darstellung einen prinzipiell möglichen Aufbau eines herkömmlichen adaptiven Spiegels 50. Der Spiegel 50 umfasst insbesondere ein Spiegelsubstrat 52 sowie einen Reflexionsschichtstapel 51 und weist eine piezoelektrische Schicht 56 auf, welche im Beispiel aus Blei-Zirkonat-Titanat (Pb(Zr,Ti)O₃, PZT) hergestellt ist. Ober- bzw. unterhalb der piezoelektrischen Schicht 56 befinden sich Elektrodenanordnungen, über welche der Spiegel 50 mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Von diesen Elektrodenanordnungen ist die zweite, dem Substrat 52 zugewandte Elektrodenanordnung als durchgehende, flächige Elektrode 54 von konstanter Dicke ausgestaltet, wohingegen die erste Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden 60 aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung 59 mit einer elektrischen Spannung relativ zur Elektrode 54 beaufschlagbar sind. Die Elektroden 60 sind in eine gemeinsame Glättschicht 58 eingebettet, welche z.B. aus Quarz (SiO₂) hergestellt ist und zur Einebnung der aus den Elektroden 60 gebildeten Elektrodenanordnung dient. Des Weiteren weist der Spiegel 50 zwischen dem Spiegelsubstrat 52 und der dem Spiegelsubstrat 52 zugewandten unteren Elektrode 54 eine Haftschicht 53 (z.B. aus Titan, Ti) und eine zwischen der dem Substrat 52 zugewandten Elektrodenanordnung 54 und der piezoelektrischen Schicht 56 angeordnete Pufferschicht 55 (z.B. aus LaNiO₃) auf, welche das Aufwachsen von PZT in optimaler, kristalliner Struktur weiter unterstützt und gleichbleibende Polarisationseigenschaften der piezoelektrischen Schicht über die Lebensdauer sicherstellt. Gemäß 5 weist der Spiegel 50 ferner eine Vermittlerschicht 57 auf. Diese Vermittlerschicht 57 steht in direktem elektrischem Kontakt zu den Elektroden 60 (welche in 1 nur zur Veranschaulichung in Draufsicht dargestellt sind). Diese Vermittlerschicht 57 dient dazu, zwischen den Elektroden 60 im Potential zu „vermitteln“, wobei sie eine nur geringe elektrische Leitfähigkeit (vorzugsweise weniger als 200 Siemens/Meter (S/m) aufweist mit der Folge, dass ein zwischen benachbarten Elektroden 60 bestehender Spannungsunterschied im Wesentlichen über der Vermittlerschicht 57 abfällt.
Im Betrieb des Spiegels 50 bzw. eines diesen Spiegel 50 aufweisenden optischen Systems führt das Anlegen einer elektrischen Spannung an die Elektroden 54 und 60 über das sich ausbildende elektrische Feld zu einer Auslenkung der piezoelektrischen Schicht 56. Auf diese Weise kann - etwa zur Kompensation von optischen Aberrationen z.B. infolge thermischer Deformationen bei auf die optische Wirkfläche 51 auftreffender EUV-Strahlung - eine Aktuierung des Spiegels 50 erzielt werden.
Ein in der Praxis auftretendes Problem ist, dass die in dem vorstehend beschriebenen Aufbau vorhandene Glättschicht 58, welche typischerweise als Polierschicht während des Herstellungsprozesses des Spiegels eine glättende Oberflächenbearbeitung ermöglichen soll, eine vergleichsweise hohe Sensitivität gegenüber Kompaktierung besitzt, was insbesondere aus der präparationsbedingt relativ geringen Dichte dieser in der Regel aus amorphem Material mittels Aufdampfung hergestellten Schicht resultiert. Eine Erhöhung der Dichte der Glättschicht 58 durch Tempern bei einer Temperatur von mehreren 100°C scheidet jedoch aus, da hierdurch die piezoelektrische Schicht 56 zerstört würde.
Die genannte Kompaktierungssensitivität erweist sich in der Praxis zum einen als problematisch im Hinblick auf die Lebensdauer des Schichtstapels (aufgrund einer gegebenenfalls bereits durch das im Betrieb des Spiegels auf die optische Wirkfläche auftreffende und durch das Reflexionsschichtsystem zum Teil hindurch transmittierte EUV-Nutzlicht). Dabei kommt erschwerend der Umstand hinzu, dass die besagte amorphe Glättschicht selbst bereits räumlich inhomogen verteilt ist bzw. eine variable Dicke aufweist, wenn nämlich wie vorstehend beschrieben die angrenzende Elektrodenanordnung und/oder auch die piezoelektrische Schicht strukturiert ist.
Das vorstehend diskutierte Problem der Kompaktierungssensitivität der Glättschicht 58 hat weiter zur Folge, dass ein grundsätzlich für sich bekanntes weiteres Konzept, bei welchem durch niederenergetische Elektronenbestrahlung eines Spiegels und eine damit einhergehende Kompaktierung des Spiegelsubstrats gezielt eine bewusste Deformation bzw. Glättung des betreffenden Spiegels herbeigeführt werden soll, nicht ohne Weiteres auf einen adaptiven Spiegel mit dem vorstehend anhand von 5 beschriebenen Aufbau übertragbar ist: Die o.g., ausgeprägte Kompaktierungssensitivität der Glättschicht 58 in Verbindung mit deren räumlicher Inhomogenität hätte dann nämlich zur Folge, dass zusätzlich zur beabsichtigten Kompaktierung des Spiegelsubstrats 52 eine wesentlich stärker ausgeprägte und zudem räumlich inhomogene und damit nur schwierig kontrollierbare Kompaktierung der Glättschicht 58 eintritt mit der Folge, dass die letztendlich angestrebte Einstellung eines bestimmten Oberflächenprofils bzw. einer kontinuierlichen planen Oberfläche des Spiegels 50 nur schwierig realisierbar ist.
Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf DE 10 2013 219 583 A1 , DE 10 2015 213 273 A1 und DE 10 2016 203 591 A1 verwiesen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, sowie ein Verfahren zum Bearbeiten eines Spiegels bereitzustellen, welche basierend auf dem Prinzip der lokal variierenden Deformation einer piezoelektrischen Schicht eine möglichst optimale Korrektur von Aberrationen im optischen System unter zumindest teilweiser Vermeidung der vorstehend beschriebenen Probleme ermöglichen.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
Gemäß einem Aspekt weist ein erfindungsgemäßer Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, auf:

- eine optische Wirkfläche;
- ein Spiegelsubstrat;
- ein Reflexionsschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung;
- wenigstens eine piezoelektrische Schicht, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist; und
- eine bei Beaufschlagung mit niederenergetischer Elektronenstrahlung kompaktierungssensitive Schicht aus amorphem Material, welche auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht angeordnet ist und eine Dicke von wenigstens 5 µm besitzt.

Zunächst liegt der vorliegenden Erfindung das Konzept zugrunde, bei einem adaptiven Spiegel mit einer über Elektrodenanordnungen mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbaren piezoelektrischen Schicht eine Elektronenstrahl-Bearbeitung anstelle des Spiegelsubstrats an einer aus amorphem Material hergestellten, kompaktierungssensitiven Schicht vorzunehmen, welche oberflächennah auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht angeordnet ist. Auf diese Weise wird im Ergebnis eine Bearbeitung eines solchen adaptiven Spiegels auch im bereits „beschichteten“ Zustand ermöglicht. Eine solche Bearbeitung kann in der Praxis z.B. wünschenswert oder erforderlich werden, wenn sich die Wellenfrontwirkung des adaptiven Spiegels als nicht mehr ausreichend erweist, welche durch Beaufschlagung der piezoelektrischen Schicht mit einem elektrischen Feld erzielbar ist. Zugleich wird erfindungsgemäß ein Eindringen von kompaktierender Strahlung in den unterhalb besagter kompaktierungssensitiver Schicht befindlichen Schichtaufbau und damit ein Schutz insbesondere des räumlich inhomogenen Bereichs dieses Schichtaufbaus durch im Weiteren beschriebene Maßnahmen, welche eine geeignete Abstimmung der Energie der Elektronenstrahlung, eine geeignete Wahl der Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht sowie eine geeignete Auslegung einer gegebenenfalls zusätzlich eingesetzten Blockschicht umfassen können, vermieden.
Dabei besteht insofern eine Wechselbeziehung zwischen den vorstehend genannten (Schutz-)Maßnahmen, als etwa zum einen je nach Energie der Elektronenstrahlung (und damit je nach deren Eindringtiefe) und je nach Vorhandensein einer Blockschicht (bzw. deren konkreter Ausgestaltung hinsichtlich Material und Dicke) die Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht vergleichsweise geringer gewählt werden kann, zum anderen aber auch je nach Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht und abhängig von der Energie der Elektronenstrahlung gegebenenfalls auf eine Blockschicht ganz verzichtet werden kann.
Der Erfindung beinhaltet nun ausgehend von dem vorstehend beschriebenen Grundkonzept gemäß einem ersten Ansatz die Ausgestaltung, bei einem adaptiven Spiegel mit einer über Elektrodenanordnungen mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbaren piezoelektrischen Schicht die Dicke einer aus amorphem Material hergestellten, kompaktierungssensitiven Schicht ausreichend groß (d.h. mit einem Wert von wenigstens 5 µm) zu wählen, mit der Folge, dass die eingangs beschriebenen Probleme bei (gewünschtem oder auch unerwünschtem) Eindringen von kompaktierender Strahlung in den Schichtaufbau vermieden werden können.
Für den Fall, dass es sich bei der besagten, erfindungsgemäß eine Dicke von wenigstens 5 µm aufweisenden kompaktierungssensitiven Schicht um eine Polierschicht handelt, welche unter Einbettung eines räumlich inhomogenen Bereichs des Schichtaufbaus (insbesondere Elektrodenanordnung und/oder piezoelektrischer Schicht) eine glättende Oberflächenbearbeitung ermöglichen soll, kann durch die erfindungsgemäße Wahl einer ausreichenden Dicke erreicht werden, dass bei Beaufschlagung des adaptiven Spiegels mit einem niederenergetischen Elektronenstrahl dieser Elektronenstrahl nicht bis zu besagtem räumlich inhomogenen Bereich des Schichtaufbaus vordringt mit der Folge, dass auch die eingangs diskutierte Problematik der Kontrollierbarkeit der Kompaktierungswirkung des gezielt zur Strukturierung bzw. Glättung des Oberflächenprofils eingesetzten Elektronenbestrahlung entfällt.
Gemäß einer Ausführungsform besitzt die kompaktierungssensitive Schicht eine Dicke von wenigstens 20 µm, insbesondere von wenigstens 50 µm, weiter insbesondere von wenigstens 100 µm.
In Ausführungsformen der Erfindung kann wie schon erwähnt auch eine zusätzliche Blockschicht aus einem Material von hoher Dichte (z.B. Wolfram, W) und mit geeigneten Abschirmeigenschaften zum Schutz des besagten, räumlich inhomogenen Bereichs des Schichtaufbaus vor kompaktierender Strahlung (insbesondere einem gezielt zur Oberflächenglättung eingesetzten Elektronenstrahl) im erfindungsgemäßen Spiegel vorhanden sein. In einem solchen Einsatzszenario dient die (in diesem Falle auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der besagten Blockschicht befindliche) kompaktierungssensitive Schicht ausreichender Dicke dazu, eine durch Elektronenbestrahlung und damit einhergehende Kompaktierung gezielt strukturierbare bzw. glättbare Schicht bereitzustellen, wobei zugleich über die besagte Blockschicht der genannte räumlich inhomogene Bereich des Schichtaufbaus durch die Elektronenstrahlung bei geeigneter Wahl der Elektronenenergie nicht erreicht und somit die Problematik der schwierigen Steuerbarkeit der Auswirkung der Elektronenbestrahlung infolge der räumlichen Inhomogenität vermieden wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Spiegel somit eine erste Blockschicht auf, welche für niederenergetische Elektronenstrahlung eine Transmission von weniger als 10^-6 besitzt.
Gemäß einer Ausführungsform ist diese erste Blockschicht zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht und der ersten Elektrodenanordnung angeordnet.
Die vorstehende Ausgestaltung des Spiegels mit einer zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht und der ersten Elektrodenanordnung angeordneten Blockschicht ermöglicht je nach konkretem Einsatzszenario dabei einen Schutz der besagten ersten Elektrodenanordnung selbst bei einer geringeren Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht. Somit ist die Ausgestaltung des Spiegels mit einer zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht und der ersten Elektrodenanordnung angeordneten Blockschicht insbesondere auch ohne das Vorliegen einer Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht von wenigstens 5 µm vorteilhaft. In diesem Falle, d.h. in Kombination mit einer zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht und der ersten Elektrodenanordnung angeordneten Blockschicht, kann insbesondere auch eine Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht von wenigstens 1 µm gewählt werden.
Gemäß einem weiteren Aspekt betrifft die Erfindung somit auch einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, welcher aufweist:

- eine optische Wirkfläche;
- ein Spiegelsubstrat;
- ein Reflexionsschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung;
- wenigstens eine piezoelektrische Schicht, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist;
- eine bei Beaufschlagung mit niederenergetischer Elektronenstrahlung kompaktierungssensitive Schicht aus amorphem Material, welche auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht angeordnet ist; sowie
- eine erste Blockschicht, welche zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht und der ersten Elektrodenanordnung angeordnet ist und für niederenergetische Elektronenstrahlung eine Transmission von weniger als 10^-6 besitzt.

Gemäß einer Ausführungsform weist diese erste Blockschicht ein Material aus der Gruppe auf, welche Wolfram (W), Molybdän (Mo), Nickel (Ni) und Chrom (Cr) enthält. Auch weitere Metalle mit hoher Kernladungszahl sowie hoher Dichte sind verwendbar. Dabei wird wie im Weiteren noch detaillierter beschrieben die Dicke der ersten Blockschicht je nach Material und Dicke der erfindungsgemäß vorgesehenen kompaktierungssensitiven Schicht geeignet gewählt.
In einer weiteren Ausführungsform können auch zwei Blockschichten im Schichtaufbau des erfindungsgemäßen adaptiven Spiegels vorgesehen sein, von denen die eine wie vorstehend beschrieben zwischen der erfindungsgemäßen kompaktierungssensitiven Schicht und dem räumlich inhomogenen Bereich (d.h. strukturierte Elektrodenanordnung und/oder piezoelektrische Schicht) angeordnet ist und wie ebenfalls vorstehend erläutert einen Schutz dieses räumlich inhomogenen Bereichs vor kompaktierender Strahlung sicherstellt. Die zweite Blockschicht kann dann zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht und den Reflexionsschichtsystem angeordnet sein und dazu dienen, die kompaktierungssensitive Schicht vor der im Betrieb des Spiegels auftreffenden elektromagnetischen Nutzstrahlung (z.B. EUV-Strahlung) abzuschirmen, d.h. lediglich die gezielt zur Strukturierung bzw. Kompaktierung eingesetzte „Elektronenbestrahlung“ zur kompaktierungssensitiven Schicht „durchzulassen“.
Gemäß einer Ausführungsform weist der Spiegel somit ferner eine zweite Blockschicht auf, welche für elektromagnetische Strahlung mit einer Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere weniger als 15 nm, eine um wenigstens den Faktor fünf geringere Transmission besitzt als für niederenergetische Elektronenstrahlung.
Gemäß einer Ausführungsform ist diese zweite Blockschicht zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht und dem Reflexionsschichtsystem angeordnet.
Im Ergebnis wird durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung ein adaptiver Spiegel bereitgestellt, welcher zum einen durch Beaufschlagung mit elektrischer Spannung in seiner optischen Wellenfrontwirkung gezielt aktuierbar ist und bei dem zum anderen auch eine gezielte Strukturierung durch Einsatz kompaktierender Elektronenbestrahlung ermöglicht wird mit der Folge, dass die zuerst genannte, über Spannungsbeaufschlagung realisierte Aktuierung vollständig z.B. zur Korrektur dynamischer Bildfehler eingesetzt werden kann.
Gemäß einer Ausführungsform ist die kompaktierungssensitive Schicht als Polierschicht ausgestaltet, welche unter Einbettung der wenigstens eines räumlich inhomogenen Bereichs des Schichtaufbaus, insbesondere der ersten Elektrodenanordnung und/oder der piezoelektrischen Schicht, eine glättende Oberflächenbearbeitung ermöglicht.
Gemäß einer Ausführungsform weist das amorphe Material Quarzglas (SiO₂) oder amorphes Silizium (a-Si) auf.
Die Erfindung betrifft weiter auch ein Verfahren zum Bearbeiten eines Spiegels, wobei der Spiegel aufweist

- eine optische Wirkfläche;
- ein Spiegelsubstrat;
- ein Reflexionsschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung; und
- wenigstens eine piezoelektrische Schicht, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist;
- wobei eine kompaktierungssensitive Schicht aus amorphem Material, welche auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht angeordnet ist, zur Erzeugung einer Kompaktierung in dieser Schicht mit Elektronenstrahlung einer Energie von weniger als 100 keV beaufschlagt wird.

Dabei kann der Spiegel insbesondere die vorstehend beschriebenen Merkmale aufweisen. Insbesondere kann es sich um einen Spiegel mit oder ohne zusätzliche Blockschicht handeln, wobei außerdem die Dicke der mit Elektronenstrahlung beaufschlagten kompaktierungssensitiven Schicht geeignet gewählt werden kann (also je nach Vorhandensein einer Blockschicht und abhängig von der Energie der Elektronenstrahlung ggf. auch weniger als 5 µm betragen kann).
Gemäß einer Ausführungsform weist der Spiegel zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht und der ersten Elektrodenanordnung eine Blockschicht auf, welche für die Elektronenstrahlung eine Transmission von weniger als 10^-6 besitzt.
Gemäß einer Ausführungsform werden die Energie der Elektronenstrahlung und die Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht derart gewählt, dass die Elektronenstrahlung nicht bis zu der ersten, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindlichen Elektrodenanordnung in den Spiegel eindringt.
Gemäß einer Ausführungsform beträgt die Energie der Elektronenstrahlung weniger als 100 keV, insbesondere weniger als 60 keV, weiter insbesondere weniger als 30 keV, und weiter insbesondere weniger als 20 keV. Da bei Verringerung der Energie der Elektronenstrahlung auch deren Eindringtiefe in den Spiegel abnimmt, kann durch die besagte Verringerung der Energie der Elektronenstrahlung gegebenenfalls auch ein Verzicht auf eine Blockschicht und/oder eine Verringerung der Dicke der mit der Elektronenstrahlung beaufschlagten kompaktierungssensitiven Schicht ermöglicht werden.
Gemäß einer Ausführungsform wird die Energie der Elektronenstrahlung während der Bearbeitung variiert. Hierdurch kann z.B. einer fertigungsbedingten Variation der Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht bzw. einer Abweichung von der Nominaldicke Rechnung getragen werden, indem die jeweilige Bestrahlenergie bei der Bearbeitung mit Elektronenstrahlung individuell angepasst wird.
Die Erfindung betrifft weiter ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere eine Beleuchtungseinrichtung oder ein Projektionsobjektiv, mit wenigstens einem Spiegel mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen, sowie auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Es zeigen:

1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus eines adaptiven Spiegels gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
2-3 schematische Darstellungen zur Erläuterung des Aufbaus eines adaptiven Spiegels gemäß weiterer Ausführungsformen der Erfindung;
4 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage; und
5 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen Aufbaus eines herkömmlichen adaptiven Spiegels.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Den im Weiteren unter Bezugnahme auf 1-3 beschriebenen Ausführungsformen ist gemeinsam, dass in einem adaptiven, eine piezoelektrische Schicht sowie Elektrodenanordnungen aufweisenden Spiegel eine jeweils vorhandene kompkatierungssensitive Schicht aus amorphem Material eingesetzt wird. Dabei wird zum einen eine Strukturierung durch Elektronenbestrahlung und damit einhergehende Kompaktierung ermöglicht und zum anderen ein nachteiliger Einfluss eines räumlich inhomogenen Bereichs innerhalb des Schichtaufbaus (typischerweise aufgrund einer räumlichen Strukturierung einer Elektrodenanordnung und/oder der piezoelektrischen Schicht) auf die Steuerbarkeit der besagten Strukturierung bzw. des letztlich eingestellten Dickenprofils vermieden.
Dabei unterscheiden sich die im Weiteren beschriebenen Ausführungsformen insofern, als gemäß 1 eine Schutzwirkung hinsichtlich des räumlich inhomogenen Bereichs vor kompaktierender Strahlung durch die Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht selbst erzielt wird, wohingegen gemäß 2 und 3 jeweils eine zusätzliche Blockschicht zur Sicherstellung der besagten Schutzwirkung erreicht wird. Bei Vorhandensein der zusätzlichen Blockschicht kann somit die Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht auch geringer gewählt werden. Letztlich kann hierbei wie im Weiteren noch näher beschrieben die Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht abhängig vom Material und der Dicke der Blockschicht sowie auch von der Energie der Elektronenstrahlung geeignet gewählt werden. Des Weiteren kann eine Schutzwirkung hinsichtlich des räumlich inhomogenen Bereichs vor kompaktierender Strahlung auch dadurch erzielt werden, dass die Energie der Elektronenstrahlung gering (z.B. weniger als 30 keV) gewählt wird. In diesem Falle kann auch bei vergleichsweise geringer Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht gegebenenfalls auf die Blockschicht verzichtet werden.
1 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus eines erfindungsgemäßen Spiegels 10 in einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. Der Spiegel 10 umfasst insbesondere ein Spiegelsubstrat 12, welches aus einem beliebigen geeigneten Spiegelsubstratmaterial hergestellt ist. Geeignete Spiegelsubstratmaterialien sind z.B. Titandioxid (TiO₂)-dotiertes Quarzglas, wobei lediglich beispielhaft (und ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) die unter den Markenbezeichnungen ULE^® (der Firma Corning Inc.) oder Zerodur^® (der Firma Schott AG) vertriebenen Materialien verwendbar sind.
Des Weiteren weist der Spiegel 10 in grundsätzlich für sich bekannter Weise ein Reflexionsschichtsystem 17 auf, welches in der dargestellten Ausführungsform lediglich beispielhaft einen Molybdän-Silizium (Mo-Si)-Schichtstapel umfasst. Ohne dass die Erfindung auf konkrete Ausgestaltungen dieses Reflexionsschichtsystems beschränkt wäre, kann ein lediglich beispielhafter geeigneter Aufbau etwa 50 Lagen bzw. Schichtpakete eines Schichtsystems aus Molybdän (Mo)-Schichten mit einer Schichtdicke von jeweils 2.4 nm und Silizium (Si)-Schichten mit einer Schichtdicke von jeweils 3.3 nm umfassen.
Bei dem Spiegel 10 kann es sich insbesondere um einen EUV-Spiegel eines optischen Systems, insbesondere des Projektionsobjektivs oder der Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, handeln.
Es ist darauf hinzuweisen, dass der Spiegel 10 lediglich zur Erläuterung des Schichtaufbaus und zwecks einfacherer Darstellung sowohl gemäß 1 als auch in den weiteren Ausführungsformen plan dargestellt ist, aber auch beliebige andere (z.B. auch konvexe oder konkave) Geometrien aufweisen kann.
Die im Betrieb des optischen Systems erfolgende Beaufschlagung einer optischen Wirkfläche 11 des Spiegels 10 mit elektromagnetischer EUV-Strahlung kann eine inhomogene Volumenänderung des Spiegelsubstrats 12 aufgrund der Temperaturverteilung zur Folge haben, die aus der Absorption von inhomogen auf die optische Wirkfläche 11 auftreffender Strahlung resultiert. Zur Korrektur einer solchen unerwünschten Volumenänderung oder auch zur Korrektur anderweitiger, im Betrieb der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage auftretender Aberrationen ist der Spiegel 10 adaptiv ausgelegt und weist hierzu eine piezoelektrische Schicht 14 auf, welche im Ausführungsbeispiel aus Blei-Zirkonat-Titanat (Pb(Zr,Ti)O₃, PZT) hergestellt ist. In weiteren Ausführungsformen kann die piezoelektrische Schicht 14 auch aus einem anderen geeigneten Material (z.B. Aluminium-Nitrid (AlN), Aluminium-Scandium-Nitrid (AlScN), Blei-Magnesium-Niobat (PbMgNb) oder Vanadium-dotiertem Zinkoxid (ZnO)) hergestellt sein kann.
Des Weiteren kann der Spiegel 10 weitere Funktionsschichten aufweisen, welche in 1 der Einfachheit halber nicht dargestellt sind, z.B. Haftschicht, Pufferschicht oder Vermittlerschicht analog zu dem bereits anhand von 5 beschriebenen herkömmlichen Aufbau.
Die piezoelektrische Schicht 14 ist über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem 17 zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht 14 befindliche Elektrodenanordnung 15 mit einer Mehrzahl unabhängig voneinander ansteuerbarer Elektroden (welche an nicht dargestellte Zuleitungen angeschlossen sind) und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat 12 zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht 14 befindliche Elektrodenanordnung 13 (welche als durchgängige Elektrode ausgebildet ist) mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar. Die Erfindung ist generell nicht auf bestimmte Geometrien oder Abstände der Elektroden beschränkt (wobei der Abstand zwischen den Elektroden auch z.B. mehrere Millimeter (mm) oder mehrere Zentimeter (cm) betragen kann).
Im Betrieb des Spiegels 10 bzw. eines diesen Spiegel 10 aufweisenden optischen Systems führt in für sich bekannter Weise das Anlegen einer elektrischen Spannung an die Elektroden der Elektrodenanordnung 15 über das sich im Bereich der piezoelektrischen Schicht 14 ausbildende elektrische Feld zu einer Auslenkung dieser piezoelektrischen Schicht 14. Auf diese Weise kann zur Kompensation optischer Aberrationen eine Aktuierung des Spiegels 10 erzielt werden.
Die Elektroden der Elektrodenanordnung 15 sind jeweils in eine Glättschicht eingebettet, welche im Ausführungsbeispiel aus Quarz (SiO₂) hergestellt ist und zur Einebnung der aus den Elektroden gebildeten Elektrodenanordnung 15 dient. Eine gemäß 1 als Glättschicht dienende kompaktierungssensitive Schicht 16 weist eine Dicke von wenigstens 5 µm, insbesondere wenigstens 20 µm, weiter insbesondere wenigstens 50 µm und weiter insbesondere wenigstens 100 µm auf.
Wie aus 1 ersichtlich wird durch die Mehrzahl unabhängig voneinander ansteuerbarer Elektroden der Elektrodenanordnung 15 ein räumlich inhomogener Bereich geschaffen mit der Folge, dass die als Glättschicht dienende, kompaktierungssensitive Schicht 16 keine gleichbleibende Dicke besitzt, sondern sich vielmehr ihrerseits in räumlich inhomogener Weise in zwischen die besagten Elektroden verbleibende Zwischenräume bzw. „Fugen“ erstreckt.
Über eine (in 1 über einen Pfeil angedeutete) Elektronenbestrahlung des Schichtaufbaus kann nun eine gezielte Kompaktierungswirkung innerhalb der kompaktierungssensitiven Schicht 16 eingestellt werden. Dabei kann zugleich die Energie des Elektronenstrahls so gewählt werden, dass dieser Elektronenstrahl nicht bis zu der Elektrodenanordnung 15 und dem hierdurch gebildeten räumlich inhomogenen Bereich vordringt. Hierzu geeignete Energien des Elektronenstrahls können im Bereich von 5 keV bis 100 keV liegen. Im Ergebnis wird so die Problematik der schwierigen Steuerbarkeit der Auswirkung der Elektronenbestrahlung infolge der o.g. räumlichen Inhomogenität vermieden.
Es ist darauf hinzuweisen, dass die Erfindung nicht auf die konkrete Ausgestaltung des adaptiven Spiegels von 1 (oder 2-3) beschränkt ist. So kann in weiteren Ausführungsformen insbesondere auch eine räumliche Inhomogenität dadraus resultieren, dass die piezoelektrische Schicht 17 selbst strukturiert bzw. aufgrund der Unterteilung in mehrere, lateral (d.h. innerhalb der x-y-Ebene) benachbarte Segmente räumlich inhomogen ausgebildet ist.
2 zeigt eine weitere Ausführungsform, wobei im Vergleich zu 1 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „10“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind.
Gemäß 2 wird im Unterschied zur Ausführungsform von 1 eine zusätzliche Blockschicht 28 aus einem Material von hoher Dichte (z.B. Wolfram, W) und mit geeigneten Abschirmeigenschaften zum Schutz des besagten, räumlich inhomogenen Bereichs des Schichtaufbaus vor kompaktierender Strahlung (insbesondere einem gezielt zur Oberflächenglättung eingesetzten Elektronenstrahl) eingesetzt.
Dabei ist die kompaktierungssensitive Schicht 26b auf der dem Reflexionsschichtsystem 27 zugewandten Seite der Blockschicht 28 angeordnet und dient zur Bereitstellung einer gezielt durch die Elektronenstrahlung und damit einhergehende Kompaktierung strukturierbaren Schicht. Zugleich wird über die besagte Blockschicht 28 bewirkt, dass der genannte räumlich inhomogene Bereich des Schichtaufbaus durch die Elektronenstrahlung bei geeigneter Wahl der Elektronenenergie nicht erreicht wird, so dass das eingangs erläuterte Problem einer schwierigen Steuerbarkeit der Auswirkung der Elektronenbestrahlung infolge der räumlichen Inhomogenität des Schichtaufbaus vermieden wird.
Die Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht kann abhängig vom Material und der Dicke der Blockschicht sowie auch von der Energie der Elektronenstrahlung geeignet gewählt werden. Da in quantitativer Hinsicht die Strukturierbarkeit der kompaktierungssensitiven Schicht 26b durch Kompaktierung größenordnungsmäßig im Bereich von etwa 1% liegt, lässt sich beispielhaft mit einer Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht 26b von 100 µm eine Strukturierung in der Größenordnung von etwa 1 µm erzielen.
Die nachfolgenden Tabellen 1 bis 4 zeigen beispielhafte Ausführungsformen hinsichtlich geeigneter Dicken der kompaktierungssensitiven Schicht je nach Vorhandensein, Material und Dicke der gegebenenfalls vorhandenen Blockschicht sowie je nach Energie der Elektronenstrahlung, wobei die Werte anhand von Monte-Carlo-Simulationen berechnet wurden. Tabelle 1: Notwendige Dicke der Blockschicht bei Energie der Elektronenstrahlung von 60 keV abhängig von Material der Blockschicht und Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht:

5 µm 10 µm 15 µm 20 µm

Wolfram (W) 1500 nm 1200 nm 1000 nm 500 nm

Molybdän (Mo) 4500 nm 3000 nm 2000 nm 2000 nm

Nickel (Ni) 5000 nm 4000 nm 3000 nm 2500 nm

Tabelle 2: Notwendige Dicke der Blockschicht bei Energie der Elektronenstrahlung von 50 keV abhängig von Material der Blockschicht und Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht:

5 µm 10 µm 15 µm 20 µm

Wolfram (W) 1000 nm 750 nm 500 nm 300 nm

Molybdän (Mo) 2500 nm 1500 nm 1000 nm 750 nm

Nickel (Ni) 3500 nm 2000 nm 1500 nm 1000 nm

Tabelle 3: Notwendige Dicke der Blockschicht bei Energie der Elektronenstrahlung von 40 keV abhängig von Material der Blockschicht und Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht:

5 µm 10 µm 15 µm 20 µm

Wolfram (W) 750 nm 500 nm - -

Molybdän (Mo) 1500 nm 750 nm - -

Nickel (Ni) 2000 nm 1000 nm - -

Tabelle 4: Notwendige Dicke der Blockschicht bei Energie der Elektronenstrahlung von 30 keV abhängig von Material der Blockschicht und Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht:

5 µm 10 µm 15 µm 20 µm

Wolfram (W) 250 nm - - -

Molybdän (Mo) 500 nm - - -

Nickel (Ni) 400 nm - - -
Bei einer Energie der Elektronenstrahlung von 20 keV oder weniger wird bereits für eine Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht von 5 µm (oder mehr) zur Erzielung der gewünschten Schutzwirkung des unterhalb der kompaktierungssensitiven Schicht befindlichen Schichtaufbaus keine Blockschicht mehr benötigt.
3 zeigt eine weitere Ausführungsform, wobei wiederum im Vergleich zu 2 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „10“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind.
In der Ausführungsform von 3 sind im Schichtaufbau eines adaptiven Spiegels 30 zwei Blockschichten 38a, 38b vorgesehen, von denen die eine wie vorstehend beschrieben zwischen der erfindungsgemäßen kompaktierungssensitiven Schicht 38a und einem durch die strukturierte Elektrodenanordnung 35 gebildeten, räumlich inhomogenen Bereich angeordnet ist und wie ebenfalls erläutert einen Schutz dieses räumlich inhomogenen Bereichs vor kompaktierender Strahlung sicherstellt. Die zweite Blockschicht 38b ist zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht 36b und den Reflexionsschichtsystem 37 angeordnet und dient dazu, die kompaktierungssensitive Schicht 36b vor im Betrieb des Spiegels auftreffender elektromagnetischer Nutzstrahlung (z.B. EUV-Strahlung) abzuschirmen. Infolgedessen wird lediglich die gezielt zur Strukturierung bzw. Kompaktierung eingesetzte „Elektronenbestrahlung“ zur kompaktierungssensitiven Schicht 36b „durchgelassen“. Hierzu besitzt die zweite Blockschicht 38b für elektromagnetische Strahlung mit einer Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere weniger als 15 nm, eine um wenigstens den Faktor fünf geringere Transmission als für niederenergetische Elektronenstrahlung. Beispielhafte geeignete Dicken der Blockschichten 28, 38a bzw. 38b können je nach Material z.B. im Bereich von 100 nm bis 5000 nm liegen.
Die Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht 36b kann analog zu 2 abhängig vom Material und der Dicke der Blockschichten sowie auch von der Energie der Elektronenstrahlung geeignet gewählt werden.
4 zeigt eine schematische Darstellung einer beispielhaften für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die vorliegende Erfindung realisierbar ist.
Gemäß 4 weist eine Beleuchtungseinrichtung in einer für EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage 400 einen Feldfacettenspiegel 403 und einen Pupillenfacettenspiegel 404 auf. Auf den Feldfacettenspiegel 403 wird das Licht einer Lichtquelleneinheit, welche eine Plasmalichtquelle 401 und einen Kollektorspiegel 402 umfasst, gelenkt. Im Lichtweg nach dem Pupillenfacettenspiegel 404 sind ein erster Teleskopspiegel 405 und ein zweiter Teleskopspiegel 406 angeordnet. Im Lichtweg nachfolgend ist ein Umlenkspiegel 407 angeordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf ein Objektfeld in der Objektebene eines sechs Spiegel 451-456 umfassenden Projektionsobjektivs lenkt. Am Ort des Objektfeldes ist eine reflektive strukturtragende Maske 421 auf einem Maskentisch 420 angeordnet, die mit Hilfe des Projektionsobjektivs in eine Bildebene abgebildet wird, in welcher sich ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes Substrat 461 auf einem Wafertisch 460 befindet.
Lediglich beispielhaft kann ein beliebiger Spiegel 451-456 des Projektionsobjektivs in der erfindungsgemäßen Weise ausgestaltet sein.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102013219583 A1 [0010]
DE 102015213273 A1 [0010]
DE 102016203591 A1 [0010]

Claims

Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche (11, 21, 31) aufweist, mit • einem Spiegelsubstrat (12, 22, 32); • einem Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11, 21, 31) auftreffender elektromagnetischer Strahlung; • wenigstens einer piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34), welche zwischen Spiegelsubstrat (12, 22, 32) und Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34) befindliche Elektrodenanordnung (15, 25, 35) und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat (12, 22, 32) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34) befindliche Elektrodenanordnung (13, 23, 33) mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist; und • einer bei Beaufschlagung mit niederenergetischer Elektronenstrahlung kompaktierungssensitiven Schicht (16, 26b, 36b) aus amorphem Material, welche auf der dem Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34) angeordnet ist und eine Dicke von wenigstens 5 µm besitzt.
Spiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass diese kompaktierungssensitive Schicht (16, 26b, 36b) eine Dicke von wenigstens 20 µm, insbesondere von wenigstens 50 µm, weiter insbesondere von wenigstens 100 µm, besitzt.
Spiegel nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die kompaktierungssensitive Schicht (16) als Polierschicht ausgestaltet ist, welche unter Einbettung der wenigstens eines räumlich inhomogenen Bereichs des Schichtaufbaus, insbesondere der ersten Elektrodenanordnung (15) und/oder der piezoelektrischen Schicht (14), eine glättende Oberflächenbearbeitung ermöglicht.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieser ferner eine erste Blockschicht (28, 38a) aufweist, welche für niederenergetische Elektronenstrahlung eine Transmission von weniger als 10^-6 besitzt.
Spiegel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass diese erste Blockschicht (28, 38a) zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht (26b, 36b) und der ersten Elektrodenanordnung (25, 35) angeordnet ist.
Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche (11, 21, 31) aufweist, mit • einem Spiegelsubstrat (12, 22, 32); • einem Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11, 21, 31) auftreffender elektromagnetischer Strahlung; • wenigstens einer piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34), welche zwischen Spiegelsubstrat (12, 22, 32) und Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34) befindliche Elektrodenanordnung (15, 25, 35) und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat (12, 22, 32) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34) befindliche Elektrodenanordnung (13, 23, 33) mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist; und • einer ersten Blockschicht (28, 38a), welche zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht (26b, 36b) und der ersten Elektrodenanordnung (25, 35) angeordnet ist und für niederenergetische Elektronenstrahlung eine Transmission von weniger als 10^-6 besitzt.
Spiegel nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass diese erste Blockschicht (28, 38a) ein Material aus der Gruppe aufweist, welche Wolfram (W), Molybdän (Mo), Nickel (Ni) und Chrom (Cr) enthält.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieser ferner eine zweite Blockschicht (38b) aufweist, welche für elektromagnetische Strahlung mit einer Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere weniger als 15 nm, eine um wenigstens den Faktor fünf geringere Transmission besitzt als für niederenergetische Elektronenstrahlung.
Spiegel nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass diese zweite Blockschicht (38b) zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht (36b) und dem Reflexionsschichtsystem (37) angeordnet ist.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das amorphe Material Quarzglas (SiO₂) oder amorphes Silizium (a-Si) aufweist.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30 nm, insbesondere weniger als 15 nm, ausgelegt ist.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieser ein Spiegel für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage ist.
Verfahren zum Bearbeiten eines Spiegels, wobei der Spiegel aufweist; • eine optische Wirkfläche (11, 21, 31); • ein Spiegelsubstrat (12, 22, 32); • ein Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11, 21, 31) auftreffender elektromagnetischer Strahlung; • wenigstens eine piezoelektrische Schicht (14, 24, 34), welche zwischen Spiegelsubstrat (12, 22, 32) und Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34) befindliche Elektrodenanordnung (15, 25, 35) und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat (12, 22, 32) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34) befindliche Elektrodenanordnung (13, 23, 33) mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist; • wobei eine kompaktierungssensitive Schicht (16, 26b, 36b) aus amorphem Material, welche auf der dem Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34) angeordnet ist, zur Erzeugung einer Kompaktierung in dieser Schicht mit Elektronenstrahlung einer Energie von weniger als 100 keV beaufschlagt wird.
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel zwischen der kompaktierungssensitiven Schicht (26b, 36b) und der ersten Elektrodenanordnung (25, 35) eine Blockschicht (28, 38a) aufweist, welche für die Elektronenstrahlung eine Transmission von weniger als 10^-6 besitzt.
Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Energie der Elektronenstrahlung und die Dicke der kompaktierungssensitiven Schicht (16, 26b, 36b) derart gewählt werden, dass die Elektronenstrahlung nicht bis zu der ersten, auf der dem Reflexionsschichtsystem (17, 27, 37) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (14, 24, 34) befindlichen Elektrodenanordnung (15, 25, 35) in den Spiegel eindringt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Energie der Elektronenstrahlung weniger als 100 keV, insbesondere weniger als 60 keV, weiter insbesondere weniger als 30 keV, und weiter insbesondere weniger als 20 keV beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Energie der Elektronenstrahlung während der Bearbeitung variiert wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 12 ausgestaltet ist.
Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System einen Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 12 aufweist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage (400) mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage ein optisches System nach Anspruch 19 aufweist.