DE102019208934A1

DE102019208934A1 - Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Info

Publication number: DE102019208934A1
Application number: DE102019208934.8A
Authority: DE
Inventors: Hans Michael Stiepan; Toralf Gruner
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2019-06-19
Filing date: 2019-06-19
Publication date: 2020-12-24
Also published as: US11809085B2; KR20220019704A; US20220113634A1; JP7496839B2; JP2022538015A; WO2020254147A1; TW202105076A; CN114008510A

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Gemäß einem Aspekt weist ein erfindungsgemäßer Spiegel eine optische Wirkfläche (11, 31), ein Spiegelsubstrat (12, 32), ein Reflexionsschichtsystem (21, 41) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung und wenigstens eine piezoelektrische Schicht (16, 36) auf, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist, wobei einer dieser Elektrodenanordnungen eine Vermittlerschicht (17, 37, 51, 52, 53, 71) zur Einstellung eines zumindest bereichsweise kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang der jeweiligen Elektrodenanordnung zugeordnet ist, und wobei diese Vermittlerschicht wenigstens zwei voneinander elektrisch isolierte Bereiche (17a, 17b, 17c, ...; 37a, 37b, 37c, ...) aufweist.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage.
Stand der Technik
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCDs, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (= Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. einen Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.
Dabei ist es auch bekannt, einen oder mehrere Spiegel in einem EUV-System als adaptiven Spiegel mit einer Aktuatorschicht aus einem piezoelektrischen Material auszugestalten, wobei über diese piezoelektrische Schicht hinweg ein elektrisches Feld mit lokal unterschiedlicher Stärke durch Anlegen einer elektrischen Spannung an beiderseitig zur piezoelektrischen Schicht angeordnete Elektroden erzeugt wird. Bei lokaler Verformung der piezoelektrischen Schicht verformt sich auch das Reflexionsschichtsystem des adaptiven Spiegels, so dass durch geeignete Ansteuerung der Elektroden beispielsweise Abbildungsfehler (ggf. auch zeitlich veränderliche Abbildungsfehler) wenigstens teilweise kompensiert werden können.
8a zeigt in lediglich schematischer Darstellung einen prinzipiell möglichen Aufbau eines herkömmlichen adaptiven Spiegels 80. Der Spiegel 80 umfasst insbesondere ein Spiegelsubstrat 82 sowie ein Reflexionsschichtsystem 91 und weist eine piezoelektrische Schicht 86 auf, welche im Beispiel aus Blei-Zirkonat-Titanat (Pb(Zr,Ti)O₃, PZT) hergestellt ist. Ober- bzw. unterhalb der piezoelektrischen Schicht 86 befinden sich Elektrodenanordnungen, über welche der Spiegel 80 mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Von diesen Elektrodenanordnungen ist die zweite, dem Substrat 82 zugewandte Elektrodenanordnung als durchgehende, flächige Elektrode 84 von konstanter Dicke ausgestaltet, wohingegen die erste Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden 90 aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung 89 mit einer elektrischen Spannung relativ zur Elektrode 84 beaufschlagbar sind. Die Elektroden 90 sind in eine gemeinsame Glättschicht 88 eingebettet, welche z.B. aus Quarz (SiO₂) hergestellt ist und zur Einebnung der aus den Elektroden 90 gebildeten Elektrodenanordnung dient. Des Weiteren weist der Spiegel 80 zwischen dem Spiegelsubstrat 82 und der dem Spiegelsubstrat 82 zugewandten unteren Elektrode 84 eine Haftschicht 83 (z.B. aus Titan, Ti) und eine zwischen der dem Substrat 82 zugewandten Elektrodenanordnung 84 und der piezoelektrischen Schicht 86 angeordnete Pufferschicht 85 (z.B. aus LaNiO₃) auf, welche das Aufwachsen von PZT in optimaler, kristalliner Struktur weiter unterstützt und gleichbleibende Polarisationseigenschaften der piezoelektrischen Schicht über die Lebensdauer sicherstellt.
Im Betrieb des Spiegels 80 bzw. eines diesen Spiegel 80 aufweisenden optischen Systems führt das Anlegen einer elektrischen Spannung an die Elektroden 84 und 90 über das sich ausbildende elektrische Feld zu einer Auslenkung der piezoelektrischen Schicht 86. Auf diese Weise kann - etwa zur Kompensation von optischen Aberrationen z.B. infolge thermischer Deformationen bei auf die optische Wirkfläche 81 auftreffender EUV-Strahlung - eine Aktuierung des Spiegels 80 erzielt werden.
Gemäß 8a-8b weist der Spiegel 80 ferner eine Vermittlerschicht 87 auf. Diese Vermittlerschicht 87 steht in direktem elektrischem Kontakt zu den Elektroden 90 (welche in 8a nur zur Veranschaulichung in Draufsicht dargestellt sind). Diese Vermittlerschicht 87 dient dazu, zwischen den Elektroden 90 im Potential zu „vermitteln“, wobei sie eine nur geringe elektrische Leitfähigkeit aufweist mit der Folge, dass ein zwischen benachbarten Elektroden 90 bestehender Spannungsunterschied im Wesentlichen über der Vermittlerschicht 87 abfällt.
Ein aufgrund des Vorhandenseins der Vermittlerschicht 87 erzielter Vorteil ist aus dem Diagramm von 9 ersichtlich, in welchem der Streulichtanteil in Abhängigkeit von der Anzahl der Elektroden 90 aufgetragen ist. Gemäß 9 ist zur Unterschreitung einer nach einer beispielhaften Spezifikation vorgegebenen oberen Schwelle für den Streulichtanteil ohne Vorhandensein der Vermittlerschicht 87 in dem gewählten Beispiel eine Anzahl von sechzig Elektroden in einer von zwei zueinander senkrechten Raumrichtungen erforderlich, insgesamt also eine Anzahl von 60*60=3.600 Elektroden, wohingegen diese Anzahl bei Vorhandensein der Vermittlerschicht 87 auf weniger als zehn Elektroden in einer der zwei zueinander senkrechten Raumrichtungen reduziert werden kann mit der Folge, dass die Realisierbarkeit der aus den Elektroden 90 gebildeten Elektrodenanordnung wesentlich vereinfacht wird.
Ein beim Betrieb des vorstehend beschriebenen adaptiven Spiegels in der Praxis auftretendes Problem ist jedoch, dass sich auch bei Verwendung der vorstehend beschriebenen Vermittlerschicht die jeweils gewünschten Deformationsprofile oftmals nur in unzureichendem Maße realisieren lassen mit der Folge, dass auch die durch Ansteuerung der Elektroden erzielte Korrektur von Abbildungsfehlern nicht mit hinreichender Genauigkeit erreichbar ist.
Ein weiteres in der Praxis auftretendes Problem ist, dass eine grundsätzlich zur Begrenzung unerwünschter Wärmeentwicklung aufgrund der durch Beaufschlagung der Elektrodenanordnungen mit elektrischem Strom in der Vermittlerschicht 87 generierten elektrischen Leistung grundsätzlich wünschenswerte Einstellung eines vergleichsweise hohen elektrischen Flächenwiderstandes der Vermittlerschicht (von z.B. 100kΩ) dazu führt, dass die Ausbreitung des elektrischen Potentials in der Vermittlerschicht in bestimmten Szenarien (z.B. der Berücksichtigung thermisch induzierter Maskendeformationen im Lithographieprozess) zu langsam erfolgen würde. Im Ergebnis werden herkömmlicherweise bei der Ausgestaltung der Vermittlerschicht i.d.R. Kompromisse insofern erforderlich, als die Vermeidung thermischer Probleme (unter Einstellung eines möglichst hohen elektrischen Widerstandes der Vermittlerschicht) mit einer schnellen Reaktionsfähigkeit (z.B. innerhalb von Millisekunden (ms)) bei Einstellung der gewünschten Oberflächenform des adaptiven Spiegels (unter Einstellung eines entsprechend geringen elektrischen Widerstandes der Vermittlerschicht) in Einklang zu bringen ist.
Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf DE 10 2013 219 583 A1 und DE 10 2015 213 273 A1 verwiesen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, bereitzustellen, welcher basierend auf dem Prinzip der lokal variierenden Deformation einer piezoelektrischen Schicht eine möglichst optimale Korrektur von Aberrationen in einem optischen System ermöglicht.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
Ein erfindungsgemäßer Spiegel weist auf:

- eine optische Wirkfläche;
- ein Spiegelsubstrat;
- ein Reflexionsschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung; und
- wenigstens eine piezoelektrische Schicht, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist;
- wobei einer dieser Elektrodenanordnungen eine Vermittlerschicht zur Einstellung eines kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang der jeweiligen Elektrodenanordnung zugeordnet ist; und
- wobei diese Vermittlerschicht wenigstens zwei voneinander elektrisch isolierte Bereiche aufweist.

Im Rahmen der vorliegenden Anmeldung sollen von dem Begriff „Reflexionsschichtsystem“ sowohl Vielfachschichtsysteme bzw. Reflexionsschichtstapel als auch Einfachschichten als umfasst gelten.
Der vorliegenden Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, bei einem adaptiven Spiegel mit einer über Elektrodenanordnungen mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbaren piezoelektrischen Schicht eine Vermittlerschicht mit vergleichsweise geringer elektrischer Leitfähigkeit zur Vermittlung im Potential zwischen den jeweiligen Elektroden einer Elektrodenanordnung nicht flächig durchgehend auszugestalten, sondern eine insofern „strukturierte Vermittlerschicht“ einzusetzen, als durch geeignete elektrische Isolation einzelner Bereiche der Vermittlerschicht voneinander jeweils nur eine Teilzahl von Elektroden der der betreffenden Vermittlerschicht zugeordneten Elektrodenanordnung elektrisch miteinander verbunden sind.
Mit anderen Worten wird erfindungsgemäß die zur Vermittlung im elektrischen Potential zwischen Elektroden der betreffenden Elektrodenanordnung eingesetzte Vermittlerschicht derart ausgestaltet, dass die besagte Vermittlung im Potential nur noch zwischen Untergruppen bzw. „Clustern“ von Elektroden (z.B. nur noch zwischen benachbarten oder in vergleichsweise geringem Abstand voneinander angeordneten Elektroden) erfolgt, also eine „Fern-Wechselwirkung“ zwischen voneinander vergleichsweise weit entfernten Elektroden über die Vermittlerschicht hinweg unterbrochen wird.
Die Erfindung geht hierbei von der Überlegung aus, dass eine solche „Fern-Wechselwirkung“ über die Vermittlerschicht hinweg im Sinne einer elektrischen Verbindung sämtlicher Elektroden der zugehörigen Elektrodenanordnung miteinander, wie sie bei dem herkömmlichen adaptiven Spiegel gemäß 8a-8b vorhanden und im schematischen Ersatzschaltbild von 4a angedeutet ist, in unerwünschter Weise zur Folge hat, dass die sich aufgrund der Wirkung der Vermittlerschicht zwischen jeweils benachbarten Elektroden einstellende elektrische Spannung auch durch weiter entfernte Elektroden beeinflusst wird. Dies führt zu einem im Allgemeinen logarithmischen Abfall der Spannung auf das mittlere Niveau aller Elektroden, was wiederum zu dem eingangs geschilderten Problem einer nur unzureichenden Approximation des adaptiven Spiegels an das jeweils gewünschte Deformationsprofil beiträgt.
Zur Überwindung dieses Problems erfolgt nun erfindungsgemäß eine Unterbrechung der Fern-Wechselwirkung zwischen den Elektroden über die Vermittlerschicht hinweg mit der Folge, dass durch die erfindungsgemäß strukturierte Vermittlerschicht - wie schematisch im Ersatzschaltbild von 4b dargestellt - eine Vermittlung im elektrischen Potential z.B. nur noch zwischen jeweils benachbarten Elektroden oder in vergleichsweise geringem Abstand voneinander angeordneten Elektroden der zugehörigen Elektrodenanordnung erfolgt. Dadurch wird im Falle benachbarter Elektroden ein polynomieller Verlauf der Spannung zwischen den Elektroden erzielt, im Gegensatz zum vorher beschriebenen logarithmischen Spannungsabfall. Im Ergebnis kann erfindungsgemäß eine wesentlich verbesserte Approximation an das gewünschte Deformationsprofil des adaptiven Spiegels realisiert werden.
Erfindungsgemäß wird dabei hinsichtlich der Strukturierung der Vermittlerschicht in fertigungstechnischer Hinsicht bewusst ein erhöhter Aufwand in Kauf genommen, um im Gegenzug im Wege der Unterdrückung einer Fern-Wechselwirkung bei der Vermittlung im elektrischen Potential zwischen den Elektroden die verbesserte Approximation des Deformationsprofils an das jeweils gewünschte Zielprofil zu erreichen.
Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Strukturierung der Vermittlerschicht besteht darin, dass die erfindungsgemäße Begrenzung der Vermittlung im elektrischen Potential auf vergleichsweise nah benachbarte (und sich typischerweise auf ähnlichem elektrischen Potential befindende) Elektroden eine Reduzierung der insgesamt in der Vermittlerschicht fließenden elektrischen Ströme (im Vergleich zur herkömmlichen Vermittlung in elektrischen Potential zwischen sämtlichen Elektroden der zugeordneten Elektrodenanordnung über eine durchgehend ausgestaltete Vermittlerschicht hinweg) zur Folge hat. Dies führt wiederum in vorteilhafter Weise dazu, dass die eingangs ebenfalls erwähnten thermischen Probleme und damit auch die Schwierigkeiten bei der Einstellung eines geeigneten Kompromisses zwischen „schneller Reaktionsfähigkeit“ des adaptiven Spiegels hinsichtlich des jeweiligen Deformationsprofils einerseits und Vermeidung unerwünschter thermischer Deformationen andererseits verringert werden kann.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Elektrodenanordnung, welcher die Vermittlerschicht zugeordnet ist, eine Mehrzahl von Elektroden auf, welche jeweils über eine Zuleitung mit einer elektrischen Spannung bezogen auf die jeweils andere Elektrodenanordnung beaufschlagbar sind.
Gemäß einer Ausführungsform ist die Vermittlerschicht zur Bereitstellung einer Mehrzahl elektrisch voneinander isolierter Bereiche strukturiert, wobei diese Bereiche unterschiedlichen Elektroden oder unterschiedlichen Clustern von Elektroden zugeordnet sind.
Gemäß einer Ausführungsform wird durch die Strukturierung ein elektrischer Stromfluss über die Vermittlerschicht hinweg nur zwischen unmittelbar benachbarten Elektroden ermöglicht.
Gemäß einer Ausführungsform wird durch die Strukturierung ein elektrischer Stromfluss über die Vermittlerschicht hinweg nur zwischen jeweils demselben Cluster zugehörigen Elektroden ermöglicht.
Gemäß einer Ausführungsform variiert die Anzahl von Elektroden in den jeweiligen Clustern über die Vermittlerschicht hinweg.
Gemäß einer Ausführungsform sind die voneinander elektrisch isolierten Bereiche der Vermittlerschicht durch ein zwischen diesen Bereichen befindliches elektrisch isolierendes Material, insbesondere Siliziumdioxid (SiO₂) oder Al₂O₃, voneinander separiert.
Gemäß einer Ausführungsform sind die voneinander elektrisch isolierten Bereiche der Vermittlerschicht durch ein Material mit einer elektrischen Permittivität ε_r von mehr als 1.000 voneinander separiert.
Gemäß einer Ausführungsform sind die voneinander elektrisch isolierten Bereiche der Vermittlerschicht dadurch voneinander separiert, dass sich die piezoelektrische Schicht zwischen diese Bereiche erstreckt.
Gemäß einer Ausführungsform weisen elektrisch isolierende Abschnitte zur Separierung der voneinander elektrisch isolierten Bereiche in einer zur piezoelektrischen Schicht parallelen Ebene eine maximale Abmessung von weniger als 10µm, insbesondere weniger als 2µm, auf.
Gemäß einer Ausführungsform ist zwischen unterschiedlichen Elektroden oder unterschiedlichen Clustern von Elektroden jeweils eine Abschirmelektrode zur wenigstens teilweisen Abschirmung der jeweiligen elektrischen Potentiale angeordnet.
Gemäß einer Ausführungsform kann diese Abschirmelektrode wahlweise mit einer definierten elektrischen Spannung beaufschlagt oder spannungslos betrieben werden.
Die Erfindung betrifft weiter einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche aufweist, mit

- einem Spiegelsubstrat;
- einem Reflexionsschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung; und
- wenigstens einer piezoelektrischen Schicht, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist;
- wobei einer dieser Elektrodenanordnungen eine Vermittlerschicht zur Einstellung eines zumindest bereichsweise kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang der jeweiligen Elektrodenanordnung zugeordnet ist;
- wobei die Elektrodenanordnung, welcher die Vermittlerschicht zugeordnet ist, eine Mehrzahl von Elektroden aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung mit einer elektrischen Spannung bezogen auf die jeweils andere Elektrodenanordnung beaufschlagbar sind; und
- wobei zwischen unterschiedlichen Elektroden oder unterschiedlichen Clustern von Elektroden jeweils eine Abschirmelektrode zur wenigstens teilweisen Abschirmung der jeweiligen elektrischen Potentiale angeordnet ist.

Gemäß einer Ausführungsform ist das Material der Vermittlerschicht aus der Gruppe ausgewählt, welche Titanoxide, Galliumnitride, Galliumoxide, Aluminiumnitride, Aluminiumoxide sowie Mischoxide mit Lanthan (La), Mangan (Mn), Kobalt (Co), Kalzium (Ca), Strontium (Sr), Eisen (Fe), Kupfer (Cu) oder Nickel (Ni) enthält. Dabei kann es sich bei dem Material der Vermittlerschicht um eine stöchiometrische oder auch um eine nichtstöchiometrische, eine dotierte oder auch eine nicht-dotierte Verbindung handeln. Beispielhafte geeignete Verbindungen bzw. Mischoxide sind insbesondere Titandioxid (TiO₂), LaCoO₃, LaMnO₃, LaCaMnO₃, LaNiO₃, La_0.7Sr_0.3FeO₃, LaCu_0.4 (Mn_0.5Co_0.5) _0.6O₃, La_0.7Sr_0.3MnO₃, GaN, Ga₂O₃, AlN, SrCoO₃ oder CaMnO₃.
Gemäß einer Ausführungsform ist der Spiegel für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30nm, insbesondere weniger als 15nm, ausgelegt.
Gemäß einer Ausführungsform ist eine lokal variable Deformation durch Beaufschlagung der piezoelektrischen Schicht mit einem elektrischen Feld derart erzeugbar, dass die maximale Abweichung von einem vorgegebenen Sollprofil weniger als 2% beträgt.
Gemäß einer Ausführungsform beträgt ein Abstand zwischen der optisch genutzten Fläche des Spiegels und dem Spiegelrand weniger als 10mm, insbesondere weniger als 3mm. In derartigen Ausgestaltungen des Spiegels mit sich bis nahe an den Spiegelrand erstreckender optisch genutzter Fläche kommt die erfindungsgemäß ermöglichte Einstellung „randscharfer“ Deformationsprofile im Vergleich zu einem Spiegel mit unstrukturierter Vermittlungsschicht besonders zur Geltung.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Vermittlerschicht einen mittleren elektrischen Flächenwiderstand von weniger als 10kO, insbesondere weniger als 5kΩ, auf. Hierdurch kann eine schnelle Reaktionsfähigkeit des adaptiven Spiegels hinsichtlich des jeweiligen Deformationsprofils erzielt werde, wobei der Umstand ausgenutzt wird, dass wie bereits erläutert aufgrund der Reduzierung der insgesamt in der erfindungsgemäß strukturierten Vermittlerschicht fließenden elektrischen Ströme (im Vergleich zur herkömmlichen Vermittlung im elektrischen Potential zwischen sämtlichen Elektroden der zugeordneten Elektrodenanordnung über eine durchgehend ausgestaltete Vermittlerschicht hinweg) weniger Rücksicht auf die Vermeidung unerwünschter thermischer Deformationen (etwa durch Einstellung eines hohen elektrischen Widerstandes in der Vermittlerschicht) genommen werden muss.
Gemäß einer Ausführungsform ist der Spiegel ein Spiegel für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage.
Die Erfindung betrifft weiter ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere eine Beleuchtungseinrichtung oder ein Projektionsobjektiv, mit wenigstens einem Spiegel mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen, sowie auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage.
Die Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zum Herstellen eines Spiegels, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:

- Bereitstellen eines Spiegelsubstrats;
- Aufbringen einer piezoelektrischen Schicht sowie einer ersten und einer zweiten Elektrodenanordnung auf dem Spiegelsubstrat, wobei die piezoelektrische Schicht über die erste, auf der dem Spiegelsubstrat abgewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und die zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist;
- Aufbringen einer Vermittlerschicht zur Einstellung eines zumindest bereichsweise kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang einer dieser Elektrodenanordnungen derart, dass diese Vermittlerschicht wenigstens zwei voneinander elektrisch isolierte Bereiche aufweist; und
- Aufbringen eines Reflexionsschichtstapels zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung einer Arbeitswellenlänge.

Gemäß einer Ausführungsform umfasst der Schritt des Aufbringens der Vermittlerschicht ein Strukturieren der Vermittlerschicht, wobei dieses Strukturieren lithographisch oder unter Anwendung von Laserablation erfolgt.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Figurenliste
Es zeigen:

1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus eines adaptiven Spiegels gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
2-5 schematische Darstellungen zur Erläuterung des Aufbaus eines adaptiven Spiegels gemäß weiterer Ausführungsformen der Erfindung;
6 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage;
7 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im VUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage;
8a-8b schematische Darstellungen zur Erläuterung des möglichen Aufbaus eines herkömmlichen adaptiven Spiegels; und
9 ein Diagramm zur Erläuterung des Einflusses einer Vermittlerschicht in einem herkömmlichen adaptiven Spiegel gemäß 8a-8b.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
1 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus eines erfindungsgemäßen Spiegels in einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. Der Spiegel 10 umfasst insbesondere ein Spiegelsubstrat 12, welches aus einem beliebigen geeigneten Spiegelsubstratmaterial hergestellt ist. Geeignete Spiegelsubstratmaterialien sind z.B. Titandioxid (TiO₂)-dotiertes Quarzglas, wobei lediglich beispielhaft (und ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) das unter der Markenbezeichnung ULE^® (der Firma Corning Inc.) vertriebene Material verwendbar ist. Weitere geeignete Materialien sind Lithiumaluminosilikat-Glaskeramiken, die z.B. unter den Bezeichnungen Zerodur^® (der Firma Schott AG) bzw. Clearceram^® (der Firma Ohara Inc.) vertrieben werden. Insbesondere in Anwendungen außerhalb der EUV-Mikrolithographie sind auch andere Materialien wie z.B. Silizium (Si) denkbar.
Des Weiteren weist der Spiegel 10 in grundsätzlich für sich bekannter Weise ein Reflexionsschichtsystem 21 auf, welches in der dargestellten Ausführungsform lediglich beispielhaft einen Molybdän-Silizium (Mo-Si)-Schichtstapel umfasst. Ohne dass die Erfindung auf konkrete Ausgestaltungen dieses Reflexionsschichtsystems beschränkt wäre, kann ein lediglich beispielhafter geeigneter Aufbau etwa 50 Lagen bzw. Schichtpakete eines Schichtsystems aus Molybdän (Mo)-Schichten mit einer Schichtdicke von jeweils 2.4nm und Silizium (Si)-Schichten mit einer Schichtdicke von jeweils 3.3nm umfassen. In weiteren Ausführungsformen kann es sich bei dem Reflexionsschichtsystem auch um eine Einfachschicht handeln.
Bei dem Spiegel 10 kann es sich insbesondere um einen EUV-Spiegel eines optischen Systems, insbesondere des Projektionsobjektivs oder der Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, handeln.
Der Spiegel 10 weist eine piezoelektrische Schicht 16 auf, welche im Beispiel aus Blei-Zirkonat-Titanat (Pb(Zr,Ti)O₃, PZT) hergestellt ist. Ober- bzw. unterhalb der piezoelektrischen Schicht 16 befinden sich Elektrodenanordnungen, über welche der Spiegel 10 mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Von diesen Elektrodenanordnungen ist die zweite, dem Substrat 12 zugewandte Elektrodenanordnung als durchgehende, flächige Elektrode 14 von konstanter Dicke ausgestaltet, wohingegen die erste Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden 20 aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung 19 mit einer elektrischen Spannung relativ zur Elektrode 14 beaufschlagbar sind. Die Elektroden 20 sind in eine gemeinsame Glättschicht 18 eingebettet, welche z.B. aus Quarz (SiO₂) hergestellt ist und zur Einebnung der aus den Elektroden 20 gebildeten Elektrodenanordnung dient. Des Weiteren weist der Spiegel 10 zwischen dem Spiegelsubstrat 12 und der dem Spiegelsubstrat 12 zugewandten unteren Elektrode 84 eine Haftschicht 33 (z.B. aus Titan, Ti) und eine zwischen der dem Substrat 12 zugewandten Elektrodenanordnung 14 und der piezoelektrischen Schicht 16 angeordnete Pufferschicht 15 (z.B. aus LaNiO₃) auf, welche das Aufwachsen von PZT in optimaler, kristalliner Struktur weiter unterstützt und gleichbleibende Polarisationseigenschaften der piezoelektrischen Schicht über die Lebensdauer sicherstellt.
Im Betrieb des Spiegels 10 bzw. eines diesen Spiegel 10 aufweisenden optischen Systems führt das Anlegen einer elektrischen Spannung an die Elektroden 14 und 20 über das sich ausbildende elektrische Feld zu einer Auslenkung der piezoelektrischen Schicht 16. Auf diese Weise kann - etwa zur Kompensation von optischen Aberrationen z.B. infolge thermischer Deformationen bei auf die optische Wirkfläche 11 auftreffender EUV-Strahlung - eine Aktuierung des Spiegels 10 erzielt werden.
Gemäß 1 weist der Spiegel 10 ferner eine Vermittlerschicht 17 auf. Diese Vermittlerschicht 17 steht in direktem elektrischem Kontakt zu den Elektroden 20 (welche in 1 nur zur Veranschaulichung in Draufsicht dargestellt sind) und dient dazu, zwischen den Elektroden 20 im Potential zu „vermitteln“, wobei sie eine nur geringe elektrische Leitfähigkeit (vorzugsweise weniger als 200 Siemens/Meter (S/m)) aufweist, so dass ein zwischen benachbarten Elektroden 20 bestehender Spannungsunterschied im Wesentlichen über der Vermittlerschicht 17 abfällt.
Erfindungsgemäß ist nun bei dem adaptiven Spiegel 10 in dem Ausführungsbeispiel von 1 die Vermittlerschicht 17 nicht als flächig durchgehend elektrisch leitende Schicht ausgebildet, sondern insofern strukturiert, als sie eine Mehrzahl von elektrisch voneinander isolierten Bereichen 17a, 17b, 17c, ... aufweist. Diese Strukturierung ist im Ausführungsbeispiel - jedoch ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre - dadurch verwirklicht, dass während der Herstellung des adaptiven Spiegels 10 die Vermittlerschicht 17 lithographisch entsprechend strukturiert wird, wobei elektrisch isolierendes Material wie z.B. SiO₂ oder Al₂O₃ zwischen die bei besagter Strukturierung voneinander separierten Bereiche 17a, 17b, 17c, ... eingebracht wird. Die elektrisch isolierenden Abschnitte zur Separierung der einzelnen Bereiche 17a, 17b, 17c, ... der Vermittlerschicht 17 voneinander sind in 1 mit „25“ bezeichnet. In weiteren Ausführungsformen kann besagte Strukturierung der Vermittlerschicht 17 auch z.B. unter Anwendung von Laserablation erfolgen.
Die vorstehend beschriebene Strukturierung der Vermittlerschicht 17 hat nun erfindungsgemäß insbesondere den Effekt, dass eine Vermittlung im elektrischen Potential zwischen Elektroden 20 der dieser Vermittlerschicht 17 zugeordneten Elektrodenanordnung im Wege eines elektrischen Stromflusses über die Vermittlerschicht 17 hinweg nicht mehr zwischen sämtlichen Elektroden 20 erfolgt, sondern nur noch „gruppenweise“ zwischen denjenigen Elektroden 20, welche ein- und demselben Bereich 17a, 17b, 17c, ... der Vermittlerschicht 17 zugeordnet sind. Dabei können die betreffenden Gruppen bzw. Cluster von Elektroden 20 je nach konkreter Ausgestaltung der Strukturierung der Vermittlerschicht 17 jeweils eine beliebig große Teilzahl von Elektroden 20 umfassen.

Insbesondere kann die Strukturierung in solcher Weise erfolgen, dass eine Vermittlung im elektrischen Potential lediglich zwischen unmittelbar benachbarten Elektroden 20 erfolgt. In weiteren Ausführungsformen kann besagte Vermittlung auch über eine größere Teilzahl von Elektroden 20 (unter Einbeziehung auch der jeweils übernächsten Nachbarn oder noch weiter entfernten Elektroden) erfolgen. Des Weiteren kann in Ausführungsformen die Anzahl der pro Gruppe bzw. Cluster umfassten (und im vorstehenden Sinne im elektrischen Potential vermittelten bzw. ein- und demselben Bereich 17a, 17b, 17c, ... der Vermittlerschicht 17 zugeordneten) Elektroden 20 über die gesamte Vermittlerschicht 17 hinweg variieren, um je nach konkreter Anwendung eine möglichst gute Approximation des mit dem adaptiven Spiegel 10 eingestellten Deformationsprofils an das jeweilige Zielprofil und insbesondere auch die Einstellung möglichst „randscharfer“ Deformationsprofile zu ermöglichen. Tabelle 1:

Zernike-Polynom Nr.	unstrukturierte Vermittlerschicht	strukturierte Vermittlerschicht
5	7.9%	0.74%
6	4.4%	0.44%
7	15.2%	0.57%
8	9.5%	0.67%
9	24.0%	0.57%
10	9.4%	0.50%
11	6.8%	0.51%
12	25.0%	1.46%
13	18.4%	0.42%
14	36.9%	0.33%
15	22.1%	0.46%
16	40.5%	0.25%

3a-3c zeigen in schematischer und vereinfachter Darstellung lediglich beispielhafte Realisierungen der erfindungsgemäßen Strukturierung, wobei die betreffende Vermittlerschicht jeweils mit „51“, „52“ bzw. „53“ bezeichnet ist und wobei die Elektroden der dieser Vermittlerschicht jeweils zugeordneten Elekrodenanordnung mit „41“, „42“ bzw. „43“ bezeichnet sind. Die durchgehenden schwarzen Linien in 3a-3c entsprechen jeweils den elektrisch isolierenden (z.B. wie vorstehend beschrieben aus SiO₂-gebildeten) Abschnitten. Die Anzahl der Elektroden, zwischen denen eine elektrische Kopplung über entsprechende Bereiche der Vermittlerschicht hinweg erfolgt, beträgt gemäß 3a und 3b jeweils vier, wohingegen diese Anzahl gemäß 3c fünf beträgt. Im Einklang mit den vorstehenden Ausführungen kann diese Anzahl in weiteren Ausführungsformen auch höher oder niedriger (z.B. drei bei dreieckigen Zellen) und grundsätzlich beliebig gewählt werden.
2 zeigt eine weitere Ausführungsform, wobei zu 1 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „20“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet sind. Im Unterschied zu 1 ist bei der Ausführungsform von 2 die Strukturierung der Vermittlerschicht 37 dadurch realisiert, dass sich die piezoelektrische Schicht 36 zwischen die elektrisch voneinander zu isolierenden Bereiche 37a, 37b, 37c, ... der Vermittlerschicht 37 erstreckt, mit anderen Worten also das Material der piezoelektrischen Schicht 36 selbst als elektrischer Isolator dient. Dies kann während der Herstellung des adaptiven Spiegels 30 z.B. dadurch realisiert werden, dass nach Aufbringung der piezoelektrischen Schicht 36 das Material dieser piezoelektrischen Schicht partiell z.B. anhand von Laserablation entfernt und in den entsprechenden Zwischenbereichen das Material der Vermittlerschicht 37 deponiert wird.
Sowohl in der Ausführungsform gemäß 2 also auch in der Ausführungsform gemäß 1 kann nach der vorstehend beschriebenen Strukturierung der Vermittlerschicht 17 bzw. 37 ein CMP-Schritt (CMP = chemisch mechanisches Polieren) angewendet werden, um eine möglichst glatte bzw. plane Geometrie vor Aufbringung der weiteren Schichtfolge sicherzustellen.
Erfindungsgemäß wird hinsichtlich der Strukturierung der Vermittlerschicht in fertigungstechnischer Hinsicht bewusst ein erhöhter Aufwand in Kauf genommen, um im Gegenzug im Wege der Unterdrückung einer Fern-Wechselwirkung bei der Vermittlung im elektrischen Potential zwischen den Elektroden eine verbesserte Approximation des Deformationsprofils an das jeweils gewünschte Zielprofil zu erreichen.
In weiteren Ausführungsformen kann (zusätzlich oder alternativ) eine Unterdrückung der besagten Fern-Wechselwirkung in der Vermittlung im elektrischen Potential zwischen den Elektroden der der Vermittlerschicht zugeordneten Elektrodenanordnung auch unter Verwendung einer oder mehrerer Abschirmelektroden erzielt werden, wie in lediglich schematischer und stark vereinfachter Weise in 5 dargestellt ist. Dabei sind die Elektroden der einer (hier flächig durchgehend ausgestalteten, d.h. nicht strukturierten) Vermittlerschicht 71 zugeordneten Elektrodenanordnung mit „70“ und eine entsprechende Abschirmelektrode mit „72“ bezeichnet. Die besagte Abschirmelektrode 72 kann wahlweise mit einer definierten elektrischen Spannung beaufschlagt oder auch spannungslos betrieben werden. Wie in 5 über den durchstrichenen horizontalen Pfeil angedeutet ist die Wirkung der Abschirmelektrode 72 insbesondere, einen elektrischen Stromfluss zwischen auf unterschiedlichen Seiten der Abschirmelektrode 72 angeordneten Elektroden 70 zu unterdrücken. Die Abschirmelektrode 72 befindet sich hierbei in derselben Ebene wie die Elektroden 70 (d.h. im Unterschied zu den anhand von 1 bzw. 2 beschriebenen elektrisch isolierenden Abschnitten 25 bzw. 45 nicht in der Ebene der Vermittlerschicht).
Insbesondere können die Abschirmelektroden auch als fast geschlossene Kurve ausgebildet werden („fast“, um noch die Kontaktierung der inneren Elektroden zu ermöglichen), um dadurch einen sehr hohen Widerstand zwischen den inneren und äußeren Elektroden zu erzielen.
6 zeigt eine schematische Darstellung einer beispielhaften für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die vorliegende Erfindung realisierbar ist.
Gemäß 6 weist eine Beleuchtungseinrichtung in einer für EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage 600 einen Feldfacettenspiegel 603 und einen Pupillenfacettenspiegel 604 auf. Auf den Feldfacettenspiegel 603 wird das Licht einer Lichtquelleneinheit, welche eine Plasmalichtquelle 601 und einen Kollektorspiegel 602 umfasst, gelenkt. Im Lichtweg nach dem Pupillenfacettenspiegel 604 sind ein erster Teleskopspiegel 605 und ein zweiter Teleskopspiegel 606 angeordnet. Im Lichtweg nachfolgend ist ein Umlenkspiegel 607 angeordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf ein Objektfeld in der Objektebene eines sechs Spiegel 651-656 umfassenden Projektionsobjektivs lenkt. Am Ort des Objektfeldes ist eine reflektive strukturtragende Maske 621 auf einem Maskentisch 620 angeordnet, die mit Hilfe des Projektionsobjektivs in eine Bildebene abgebildet wird, in welcher sich ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes Substrat 661 auf einem Wafertisch 660 befindet.
7 zeigt einen prinzipiell möglichen Aufbau einer für den Betrieb im VUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 700. Die Projektionsbelichtungsanlage 700 weist eine Beleuchtungseinrichtung 710 sowie ein Projektionsobjektiv 720 auf. Die Beleuchtungseinrichtung 710 dient zur Beleuchtung einer strukturtragenden Maske (Retikel) 730 mit Licht von einer Lichtquelleneinheit 701, welche beispielsweise einen ArF-Excimerlaser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm sowie eine ein paralleles Lichtbündel erzeugende Strahlformungsoptik umfasst. Die Beleuchtungseinrichtung 710 weist eine optische Einheit 711 auf, die u.a. im dargestellten Beispiel einen Umlenkspiegel 712 umfasst. Die optische Einheit 711 kann zur Erzeugung unterschiedlicher Beleuchtungssettings (d.h. Intensitätsverteilungen in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung 710) beispielsweise ein diffraktives optisches Element (DOE) sowie ein Zoom-Axikon-System aufweisen. In Lichtausbreitungsrichtung nach der optischen Einheit 711 befindet sich im Strahlengang eine Lichtmischeinrichtung (nicht dargestellt), welche z.B. in für sich bekannter Weise eine zur Erzielung einer Lichtmischung geeignete Anordnung aus mikrooptischen Elementen aufweisen kann, sowie eine Linsengruppe 713, hinter der sich eine Feldebene mit einem Retikel-Maskierungssystem (REMA) befindet, welches durch ein in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgendes REMA-Objektiv 714 auf die strukturtragende, in einer weiteren Feldebene angeordnete Maske (Retikel) 730 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf dem Retikel begrenzt.
Die strukturtragende Maske 730 wird mit dem Projektionsobjektiv 720 auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) versehenes Substrat bzw. einen Wafer 740 abgebildet. Das Projektionsobjektiv 720 kann insbesondere für den Immersionsbetrieb ausgelegt sein, in welchem Falle sich bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung vor dem Wafer bzw. dessen lichtempfindlicher Schicht ein Immersionsmedium befindet. Ferner kann es beispielsweise eine numerische Apertur NA größer als 0.85, insbesondere größer als 1.1, aufweisen.
Grundsätzlich kann ein beliebiger Spiegel der anhand von 6 bzw. 7 beschriebenen Projektionsbelichtungsanlage 600 bzw. 700 in der erfindungsgemäßen Weise als adaptiver Spiegel ausgestaltet sein.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102013219583 A1 [0011]
DE 102015213273 A1 [0011]

Claims

Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche (11, 31) aufweist, mit • einem Spiegelsubstrat (12, 32); • einem Reflexionsschichtsystem (21, 41) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11, 31) auftreffender elektromagnetischer Strahlung; und • wenigstens einer piezoelektrischen Schicht (16, 36), welche zwischen Spiegelsubstrat (12, 32) und Reflexionsschichtsystem (21, 41) angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem (21, 41) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (16, 36) befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat (12, 32) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (16, 36) befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist; • wobei einer dieser Elektrodenanordnungen eine Vermittlerschicht (17, 37, 51, 52, 53, 71) zur Einstellung eines zumindest bereichsweise kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang der jeweiligen Elektrodenanordnung zugeordnet ist; und • wobei diese Vermittlerschicht (17, 37, 51, 52, 53, 71) wenigstens zwei voneinander elektrisch isolierte Bereiche (17a, 17b, 17c, ...; 37a, 37b, 37c, ...) aufweist.
Spiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, die Elektrodenanordnung, welcher die Vermittlerschicht (17, 37, 51, 52, 53, 71) zugeordnet ist, eine Mehrzahl von Elektroden (20, 40, 41, 42, 43, 70) aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung (19, 39) mit einer elektrischen Spannung bezogen auf die jeweils andere Elektrodenanordnung (14, 34) beaufschlagbar sind.
Spiegel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Vermittlerschicht (17, 37, 51, 52, 53, 71) zur Bereitstellung einer Mehrzahl elektrisch voneinander isolierter Bereiche strukturiert ist, wobei diese Bereiche unterschiedlichen Elektroden (20, 40, 41, 42, 43, 70) oder unterschiedlichen Clustern von Elektroden (20, 40, 41, 42, 43, 70) zugeordnet sind.
Spiegel nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass durch diese Strukturierung ein elektrischer Stromfluss über die Vermittlerschicht (17, 37, 51, 52, 53, 71) hinweg nur zwischen unmittelbar benachbarten Elektroden (20, 40, 41, 42, 43, 70) ermöglicht wird.
Spiegel nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass durch diese Strukturierung ein elektrischer Stromfluss über die Vermittlerschicht (17, 37, 51, 52, 53, 71) hinweg nur zwischen jeweils demselben Cluster zugehörigen Elektroden (20, 40, 41, 42, 43, 70) ermöglicht wird.
Spiegel nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl von Elektroden in den jeweiligen Clustern über die Vermittlerschicht (17, 37, 51, 52, 53, 71) hinweg variiert.
Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die voneinander elektrisch isolierten Bereiche (17a, 17b, 17c, ...) der Vermittlerschicht (17) durch ein zwischen diesen Bereichen (17a, 17b, 17c, ...) befindliches elektrisch isolierendes Material, insbesondere Siliziumdioxid (SiO₂) oder Al₂O₃, voneinander separiert sind.
Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die voneinander elektrisch isolierten Bereiche (37a, 37b, 37c, ...) der Vermittlerschicht (37) durch ein Material mit einer elektrischen Permittivität ε_r von mehr als 1.000 voneinander separiert sind.
Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass sich die piezoelektrische Schicht (36) zwischen die voneinander elektrisch isolierten Bereiche (37a, 37b, 37c, ...) der Vermittlerschicht (37) erstreckt.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass elektrisch isolierende Abschnitte (25, 45) zur Separierung der voneinander elektrisch isolierten Bereiche (17a, 17b, 17c, ...; 37a, 37b, 37c, ...) in einer zur piezoelektrischen Schicht (16, 36) parallelen Ebene eine maximale Abmessung von weniger als 10µm, insbesondere weniger als 2µm, aufweisen.
Spiegel nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen unterschiedlichen Elektroden (70) oder unterschiedlichen Clustern von Elektroden (70) jeweils eine Abschirmelektrode (72) zur wenigstens teilweisen Abschirmung der jeweiligen elektrischen Potentiale angeordnet ist.
Spiegel nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass diese Abschirmelektrode (72) wahlweise mit einer definierten elektrischen Spannung beaufschlagt oder spannungslos betrieben werden kann.
Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche (11, 31) aufweist, mit • einem Spiegelsubstrat (12, 32); • einem Reflexionsschichtsystem (21, 41) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11, 31) auftreffender elektromagnetischer Strahlung; und • wenigstens einer piezoelektrischen Schicht (16, 36), welche zwischen Spiegelsubstrat (12, 32) und Reflexionsschichtsystem (21, 41) angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem (21) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (16) befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat (12, 32) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (16, 36) befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist; • wobei einer dieser Elektrodenanordnungen eine Vermittlerschicht (71) zur Einstellung eines zumindest bereichsweise kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang der jeweiligen Elektrodenanordnung zugeordnet ist; • wobei die Elektrodenanordnung, welcher die Vermittlerschicht (71) zugeordnet ist, eine Mehrzahl von Elektroden (70) aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung mit einer elektrischen Spannung bezogen auf die jeweils andere Elektrodenanordnung beaufschlagbar sind; und • wobei zwischen unterschiedlichen Elektroden (70) oder unterschiedlichen Clustern von Elektroden (70) jeweils eine Abschirmelektrode (72) zur wenigstens teilweisen Abschirmung der jeweiligen elektrischen Potentiale angeordnet ist.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Vermittlerschicht (17, 37, 51, 52, 53, 71) aus der Gruppe ausgewählt ist, welche Titanoxide, Galliumnitride, Galliumoxide, Aluminiumnitride, Aluminiumoxide sowie Mischoxide mit Lanthan (La), Mangan (Mn), Kobalt (Co), Kalzium (Ca), Strontium (Sr), Eisen (Fe), Kupfer (Cu) oder Nickel (Ni) enthält.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel (10, 30) für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30nm, insbesondere weniger als 15nm, ausgelegt ist.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine lokal variable Deformation durch Beaufschlagung der piezoelektrischen Schicht (16, 36) mit einem elektrischen Feld derart erzeugbar ist, dass die maximale Abweichung von einem vorgegebenen Sollprofil weniger als 2% beträgt.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Abstand zwischen der optisch genutzten Fläche des Spiegels und dem Spiegelrand weniger als 10mm, insbesondere weniger als 3mm beträgt.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vermittlerschicht (17, 37) einen mittleren elektrischen Flächenwiderstand von weniger als 10kΩ, insbesondere weniger als 5kΩ, aufweist.
Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieser ein Spiegel (10, 30) für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage (600, 700) ist.
Optisches System, insbesondere Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage (600, 700), dadurch gekennzeichnet, dass das optische System einen Spiegel (10, 30) nach einem der vorhergehenden Ansprüche aufweist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage (600, 700) ein optisches System nach Anspruch 20 aufweist.
Verfahren zum Herstellen eines Spiegels, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: • Bereitstellen eines Spiegelsubstrats (12, 32); • Aufbringen einer piezoelektrischen Schicht (16, 36) sowie einer ersten und einer zweiten Elektrodenanordnung auf dem Spiegelsubstrat (12, 32), wobei die piezoelektrische Schicht (16, 36) über die erste, auf der dem Spiegelsubstrat (12, 3272) abgewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (16, 36) befindliche Elektrodenanordnung und die zweite, auf der dem Spiegelsubstrat (12, 32) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (16, 36) befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist; • Aufbringen einer Vermittlerschicht (17, 37) zur Einstellung eines zumindest bereichsweise kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang einer dieser Elektrodenanordnungen derart, dass diese Vermittlerschicht (17, 37) wenigstens zwei voneinander elektrisch isolierte Bereiche (17a, 17b, 17c, ...; 37a, 37b, 37c, ...) aufweist; und • Aufbringen eines Reflexionsschichtstapels (21, 41) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11, 31) auftreffender elektromagnetischer Strahlung einer Arbeitswellenlänge.
Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Aufbringens der Vermittlerschicht (17, 37) ein Strukturieren der Vermittlerschicht umfasst, wobei dieses Strukturieren lithographisch oder unter Anwendung von Laserablation erfolgt.