WO2023134917A1 - Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage Download PDF

Info

Publication number
WO2023134917A1
WO2023134917A1 PCT/EP2022/083814 EP2022083814W WO2023134917A1 WO 2023134917 A1 WO2023134917 A1 WO 2023134917A1 EP 2022083814 W EP2022083814 W EP 2022083814W WO 2023134917 A1 WO2023134917 A1 WO 2023134917A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mirror
layer
piezoelectric layer
optical
projection exposure
Prior art date
Application number
PCT/EP2022/083814
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hans Michael STIEPAN
Original Assignee
Carl Zeiss Smt Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Smt Gmbh filed Critical Carl Zeiss Smt Gmbh
Publication of WO2023134917A1 publication Critical patent/WO2023134917A1/de

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0825—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a flexible sheet or membrane, e.g. for varying the focus
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements

Definitions

  • the invention relates to a mirror, in particular for a microlithographic projection exposure system.
  • Microlithography is used to manufacture microstructured components such as integrated circuits or LCDs.
  • the microlithography process is carried out in what is known as a projection exposure system, which has an illumination device and a projection lens.
  • a substrate e.g. a silicon wafer
  • mirrors are used as optical components for the imaging process due to the lack of availability of suitable light-transmitting refractive materials.
  • one or more mirrors in an EUV system as an adaptive mirror with an actuator layer made of a piezoelectric material to compensate for optical aberrations (e.g. as a result of thermal deformations when EUV radiation strikes the optical active surface), with An electric field with locally different strengths is generated across the piezoelectric layer by applying an electric voltage to electrode arrangements arranged on both sides of the piezoelectric layer.
  • the reflection layer system of the adaptive mirror also deforms, so that, for example, imaging errors (possibly changing over time) can be at least partially compensated for by suitable control of the electrodes.
  • a mediator layer with low electrical conductivity that is in direct electrical contact with the electrodes of one of the electrode arrangements can serve to “mediate” the potential between the electrodes in order to set an essentially continuous profile of the electrical potential along the respective electrode arrangement.
  • the piezoelectric material present in the adaptive mirror has an undesirable hysteresis curve, which Dependence of the local deformation of the piezoelectric layer or the effective optical surface of the mirror that occurs in each case relates to the applied electrical voltage.
  • This hysteresis in the deformation response of the adaptive mirror to the applied electrical voltage applies in particular to the dss coefficient characterizing the voltage-dependent expansion of the piezoelectric material, which corresponds to the component of the dielectric tensor responsible for the expansion in the direction perpendicular to the optical effective surface.
  • FIG. 10 shows a possible stress-strain curve merely as an example, with the hysteresis being able to be on the order of 1-40% of the stroke, depending on the piezoelectric material used.
  • an adaptive mirror designed for operation in the EUV can no longer be operated with the required accuracy (e.g. corresponding to deviations of less than 100 picometers) with typical stroke values of a few nanometers.
  • a mirror according to the invention in particular for a microlithographic projection exposure system, has:
  • At least one piezoelectric layer which is arranged between the mirror substrate and the reflection layer system and via a first electrode arrangement located on the side of the piezoelectric layer facing the reflection layer system and a second electrode arrangement located on the side of the piezoelectric layer facing the mirror substrate, with an electric field for generating a locally variable deformation can be applied;
  • At least one control component for controlling an electrical charge applied to the piezoelectric layer.
  • reflection layer system is intended to include both multilayer systems or reflection layer stacks and single layers.
  • the present invention is based on the concept of setting a desired deformation or To realize elongation by means of a charge control instead of a voltage control.
  • the invention is initially based on the consideration that the piezoelectric layer present within the adaptive mirror can be modeled by a capacitance Cp and a parasitic leakage resistance RL.
  • the charge control according to the invention now includes the concept of using an additional control component (e.g. in the form of a well-defined additional capacitance Cs) to ensure that a defined charge flows onto said capacitance Cp corresponding to the piezoelectric layer, with the result that a significantly better defined behavior of the piezoelectric layer or the adaptive mirror is achieved with regard to the expansion provided.
  • the undesirable hysteresis profile in the voltage-strain curve (cf. FIG Course (see. Fig. 2b) replaced.
  • the linearity according to FIG. 2b is based on the fact that a piezo actuator can be viewed as a capacitor whose capacitance varies due to hysteresis.
  • the charge control component includes a capacitor.
  • the charge control component has an operational amplifier circuit or a charge amplifier, in particular an array of electrically coupled charge amplifiers.
  • the fact is also taken into account that a mediator layer typically present in the adaptive mirror causes a fundamentally undesirable coupling in the lateral direction in connection with the charge control according to the invention in the sense of an electric current flow taking place between the electrodes of the electrode arrangement present in the adaptive mirror is present, this lateral coupling hinders the desired setting of a defined charge on the capacitance corresponding to the piezoelectric layer without suitable countermeasures.
  • FNIC "Floating Negative Impedance Converter”
  • the above principle for avoiding undesired lateral coupling via the mediator layer and an associated electric current flow between adjacent electrodes of the electrode arrangement present within the adaptive mirror is based to a certain extent on the effect of "effectively negative" electrical resistances (connected in parallel with the positive electrical resistances representing the mediator layer resistances) with the result that in the ideal case, electrical currents flowing in opposite directions in the overall system cancel each other out and an undesirable electrical current flow in the lateral direction is thus effectively prevented.
  • the mediator layer has at least two regions that are electrically insulated from one another, which also results in the above described undesired coupling can be counteracted in the lateral direction.
  • the regulation component has a plurality of negative impedance converters (FNIC).
  • FNIC negative impedance converters
  • each of these negative impedance converters is connected in parallel to an equivalent resistance (Rjj, Rjk, Rki, ...) which represents the electrical resistance of the mediator layer between two adjacent electrodes of the electrode arrangement.
  • each of the negative impedance converters effectively introduces an electrical resistance (-Rjj, -Rjk, -Rki,...) of the same magnitude and opposite sign as the equivalent resistance (Rjj, Rjk, Rki,...) concerned. ) realized.
  • the electrical resistances described above and additionally realized according to the invention can be configured variably in order in this way to be able to take into account a temperature dependency of the electrical resistances of the mediator layer during operation by appropriate resistance adjustment.
  • the invention further relates to a method for operating a mirror in an optical system, in particular a microlithographic projection exposure system, the mirror having an optical active surface, a mirror substrate, a reflective layer system for reflecting electromagnetic radiation impinging on the optical active surface, and at least one arranged between the mirror substrate and the reflective layer system having a piezoelectric layer, with a deformation of the effective optical surface being adjusted by controlling an electrical charge applied to the piezoelectric layer.
  • the invention also relates to an optical system which has a mirror with the features described above. This can in particular be an illumination device or a projection lens of a microlithographic projection exposure system, or also an inspection lens, in particular an inspection lens of a wafer inspection system or a mask inspection system. Furthermore, the invention also relates to a microlithographic projection exposure system whose illumination device or projection objective has a mirror with the features described above.
  • FIG. 1a-1b show schematic representations for explaining a concept on which the present invention is based;
  • FIG. 2a-2b diagrams to illustrate the mode of operation of the concept according to the invention
  • FIG. 3-6 equivalent circuit diagrams for explaining exemplary embodiments of the invention.
  • FIG 7 is a schematic representation to explain what is possible
  • Figure 9 is a schematic representation to explain what is possible
  • FIG. 10 is a diagram for explaining a problem which occurs in practice when a conventional adaptive mirror according to FIG. 9 is operated.
  • the layer stack of the adaptive mirror itself (including the piezoelectric layer) and the electronic unit used to implement the charge control according to the invention are each represented by the corresponding equivalent circuit diagram, with the area corresponding to the layer stack of the adaptive mirror in Fig. 3- 5 is labeled “310”, “410” or “510” and the area corresponding to the electronics unit is labeled “320”, “420” or “520”.
  • the adaptive mirror according to the invention can, for example, have the structure described below with reference to FIG and the other is arranged on the side of the piezoelectric layer facing the mirror substrate, can be acted upon by an electric field for generating a locally variable deformation.
  • said stack of layers of the adaptive mirror comprises, in a manner known per se, a mediator layer, which is represented in the equivalent circuit diagrams of FIGS.
  • the piezoelectric layer is represented in said equivalent circuit diagrams by capacitances Cp, Cp.j and Cp.k, respectively, and parasitic leakage resistances RLJ, RLJ and Ri_,k.
  • each of the negative impedance converters effectively implements an electrical resistance -Rij, -Rjk or Rki, which has the same absolute value and the opposite sign as the relevant equivalent resistance Rij, Rjk or Rki, each representing a section of the mediator layer owns.
  • FIG. 4 shows an embodiment in which the charge control according to the invention, in contrast to FIG. According to FIG. 4, a charge amplifier analogous to FIG. 1b is introduced for each electrode of the electrode arrangement via which the mirror can be subjected to an electrical field by supplying an electrical voltage Vj or Vk to generate a locally variable deformation.
  • This charge amplifier ensures that due to the well-defined capacitance Cs, a defined charge flows onto the capacitance Cp corresponding to the piezoelectric layer.
  • the resistances can be neglected and the gain factor is only determined via the Ver proportion - definitely.
  • the low-frequency range on the other hand, are the resistances
  • R s and R L are not negligible and need the relationship
  • the invention can make use of the fact that the electrical resistance between two electrodes increases with their distance, so that the electrical currents flowing between the electrodes arranged at greater distances from one another tend to be small or negligible.
  • the electrical resistances implemented in the electronic unit according to the invention can be designed to be variable, as a result of which a temperature dependency of the electrical resistances present in the mediator layer can be taken into account.
  • FIG. 5 shows a further possible embodiment, which is based on the embodiment of FIG. 4, but which additionally enables switching from the charge control according to the invention to a conventional operating mode with voltage control.
  • the concept of charge control according to the invention is limited in the case of operation with comparatively low frequencies (and in particular in the quasi-static case) due to the undesirable occurrence of leakage currents, so that in a low-frequency or quasi-static scenario, it may be useful to switch to the conventional voltage regulation mode.
  • an active “procedure” in the sense of a deliberate manipulation of the deformation profile of the piezoelectric layer
  • the charge control according to the invention can be carried out in practice by means of the charge control according to the invention, whereupon the deformation state actively set as desired can be maintained in the Ways of voltage regulation can be done.
  • a (one-off or repeated) measurement of the impedances present within the layer stack of the adaptive mirror is preferably carried out, with the impedances used being suitably matched within the electronic unit according to the invention depending on this measurement.
  • the charge control concept according to the invention can be combined with additional modeling of the (remaining) hysteresis in the expansion or deformation behavior of the piezoelectric layer, with the correspondingly generated models again being able to be taken into account in the control according to the invention.
  • FIG. 7 shows a schematic illustration to explain the structure of a mirror according to the invention in an exemplary embodiment of the invention.
  • This mirror can in particular be an EUV mirror of an optical system, in particular of the projection objective or the illumination device of a microlithographic projection exposure system.
  • the mirror 710 includes a mirror substrate 712 made of any suitable mirror substrate material.
  • Suitable mirror substrate materials are, for example, titanium dioxide (TiC j-doped quartz glass, the material sold under the brand name ULE® (from Corning Inc.) being usable merely by way of example (and without the invention being restricted thereto).
  • Other suitable materials are lithium aluminosilicate -Glass ceramics, which are sold, for example, under the names Zerodur® (from Schott AG) or Clearceram® (from Ohara Inc.)
  • Other materials such as silicon (Si) are also conceivable, particularly in applications outside of EUV microlithography.
  • the mirror 710 has, in a manner known per se, a reflection layer system 721 which, in the embodiment shown, comprises a molybdenum-silicon (Mo—Si) layer stack, merely by way of example.
  • a suitable structure that is merely exemplary can have about 50 layers or layer packages of a layer system made of molybdenum (Mo) layers with a layer thickness of 2.4 nm each and silicon (Si) layers with a layer thickness of 3.3nm each.
  • the reflective layer system can also be a single layer.
  • the mirror 710 has a piezoelectric layer 716, which is made of lead zirconate titanate (Pb(Zr,Ti)O3, PZT) in the example. Electrode arrangements are located above and below the piezoelectric layer 716, via which the mirror 710 can be subjected to an electric field to generate a locally variable deformation. Of these electrode arrangements, the second electrode arrangement, which faces the substrate 712, is designed as a continuous, flat electrode 714 of constant thickness, whereas the first electrode arrangement has a plurality of electrodes 720, which can each be supplied with an electrical voltage relative to the electrode 714 via a feed line 719 .
  • Pb(Zr,Ti)O3, PZT lead zirconate titanate
  • the electrodes 720 are embedded in a common smoothing layer 718, which is made of quartz (SiO2), for example, and is used to level the electrode arrangement formed from the electrodes 720. Furthermore, the mirror 710 has an adhesion layer 733 (e.g. made of titanium, Ti) between the mirror substrate 712 and the lower electrode 784 facing the mirror substrate 712 and a buffer layer 715 (e.g. from LaNiOs), which further supports the growth of PZT in an optimal, crystalline structure and ensures consistent polarization properties of the piezoelectric layer over the service life.
  • an adhesion layer 733 e.g. made of titanium, Ti
  • a buffer layer 715 e.g. from LaNiOs
  • the mirror 710 also has a mediator layer 717.
  • This mediator layer 717 is in direct electrical contact with the electrodes 720 (which are shown in Fig. 7 in plan view only for illustration purposes) and serves to "mediate" the potential between the electrodes 720, while only having a low electrical conductivity (preferably less than 200 siemens/meter (S/m)) such that a voltage difference existing between adjacent electrodes 720 is substantially dropped across the mediator layer 717.
  • the mediator layer 717 is not in the form of a sheet-like, continuously electrically conductive layer, but is structured to the extent that it insulates a plurality of electrically from one another regions 717a, 717b, 717c, ... has.
  • this structuring is realized—but without the invention being restricted thereto—by the fact that the mediator layer 717 is correspondingly structured lithographically during the production of the adaptive mirror 710, with electrically insulating material such as SiO2 or Al2O3 being separated from one another during said structuring Areas 717a, 717b, 717c, ... is introduced.
  • the electrically insulating sections for separating the individual regions 717a, 717b, 717c, . . . of the mediator layer 717 from one another are labeled “725” in FIG.
  • said structuring of the mediator layer 717 can also take place, for example, using laser ablation.
  • the above-described structuring of the mediator layer 717 has the effect, in particular, that the electric potential between electrodes 720 of the electrode arrangement assigned to this mediator layer 717 is no longer transmitted by way of an electric current flow across the mediator layer 717 between all the electrodes 720, but only “in groups ' between those electrodes 20 which are assigned to one and the same area 717a, 717b, 717c, . . . of the mediator layer 717.
  • the relevant groups or clusters of electrodes 20 can each include any number of electrodes 720 depending on the specific design of the structuring of the mediator layer 717 .
  • the structuring can take place in such a way that the electrical potential is only mediated between immediately adjacent electrodes 720 .
  • said switching can also take place via a larger number of electrodes 720 (also including the next-but-one neighbors or even more distant electrodes).
  • the invention is not limited to the presence of a structured mediator layer. Rather, embodiments should also be considered to be covered by the invention in which the adaptive mirror has a flat, continuously electrically conductive mediator layer.
  • any mirror e.g. a mirror of a projection exposure system 800 or 900 described with reference to FIG. 8 or 9, can be designed as an adaptive mirror in the manner according to the invention.
  • an illumination device in a projection exposure system 800 designed for EUV has a field facet mirror 803 and a pupil facet mirror 804 .
  • a first telescope mirror 805 and a second telescope mirror 806 are arranged in the light path after the pupil facet mirror 804 .
  • a deflection mirror 807 is arranged downstream in the light path, which deflects the radiation striking it onto an object field in the object plane of a projection objective comprising six mirrors 851-856.
  • a reflective structure-bearing mask 821 is arranged on a mask table 820, which is imaged with the aid of the projection lens in an image plane in which a substrate 861 coated with a light-sensitive layer (photoresist) is located on a wafer table 860.
  • a light-sensitive layer photoresist
  • the projection exposure system 900 has an illumination device 910 and a projection lens 920.
  • the illumination device 910 is used to illuminate a structure-bearing mask (reticle) 930 with light from a light source unit 901, which includes, for example, an ArF excimer laser for a working wavelength of 193 nm and beam shaping optics that generate a parallel light beam.
  • the lighting device 910 has an optical unit 911, which includes, among other things, a deflection mirror 912 in the example shown.
  • the optical unit 911 can have, for example, a diffractive optical element (DOE) and a zoom axicon system to generate different illumination settings (ie intensity distributions in a pupil plane of the illumination device 910).
  • DOE diffractive optical element
  • zoom axicon system to generate different illumination settings (ie intensity distributions in a pupil plane of the illumination device 910).
  • a light mixing device (not shown) in the beam path, which, for example, can have an arrangement of micro-optical elements suitable for achieving light mixing in a manner known per se, as well as a lens group 913, behind which there is a field plane with a Reticle masking system (REMA) is located, which is imaged by a REMA lens 914 following in the direction of light propagation onto the structure-bearing mask (reticle) 930 arranged in a further field plane and thereby limits the illuminated area on the reticle.
  • REMA Reticle masking system
  • the structure-bearing mask 930 is imaged with the projection lens 920 onto a substrate or wafer 940 provided with a light-sensitive layer (photoresist).
  • the projection lens 920 can be designed in particular for immersion operation, in which case an immersion medium is located in front of the wafer or its light-sensitive layer in relation to the direction of light propagation. Furthermore, it can, for example, have a numerical aperture NA greater than 0.85, in particular greater than 1.1.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit einer optischen Wirkfläche (711), einem Spiegelsubstrat (712), einem Reflexionsschichtsystem (721) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung, wenigstens einer piezoelektrischen Schicht (716), welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist, und wenigstens einer Regelungskomponente zur Regelung einer auf die piezoelektrische Schicht aufgebrachten elektrischen Ladung.

Description

Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische
Projektionsbelichtungsanlage
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der Deutschen Patentanmeldung DE 10 2022 200 206.7, angemeldet am 11 . Januar 2022. Der Inhalt dieser DE-Anmeldung wird durch Bezugnahme („incorporation by reference“) mit in den vorliegenden Anmeldungstext aufgenommen.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage.
Stand der Technik
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCDs, angewendet. Der Mikrolithogra- phieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (= Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. einen Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen. In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.
Dabei ist es auch bekannt, zur Kompensation von optischen Aberrationen (z.B. infolge thermischer Deformationen bei auf die optische Wirkfläche auftreffender EUV-Strahlung) einen oder mehrere Spiegel in einem EUV-System als adaptiven Spiegel mit einer Aktuatorschicht aus einem piezoelektrischen Material auszugestalten, wobei über diese piezoelektrische Schicht hinweg ein elektrisches Feld mit lokal unterschiedlicher Stärke durch Anlegen einer elektrischen Spannung an beiderseitig zur piezoelektrischen Schicht angeordnete Elektrodenanordnungen erzeugt wird. Bei lokaler Verformung der piezoelektrischen Schicht verformt sich auch das Reflexionsschichtsystem des adaptiven Spiegels, so dass durch geeignete Ansteuerung der Elektroden beispielsweise (ggf. zeitlich veränderliche) Abbildungsfehler wenigstens teilweise kompensiert werden können. Eine zu den Elektroden einer der Elektrodenanordnungen in direktem elektrischem Kontakt stehende Vermittlerschicht mit geringer elektrischer Leitfähigkeit kann hierbei dazu dienen, zwischen den Elektroden im Potential zu „vermitteln“, um einen im Wesentlichen kontinuierlichen Verlauf des elektrischen Potentials entlang der jeweiligen Elektrodenanordnung einzustellen.
Ein beim Betrieb des vorstehend beschriebenen adaptiven Spiegels in der Praxis auftretendes Problem ist jedoch, dass sich die jeweils gewünschten Deformationsprofile oftmals durch Ansteuerung der Elektroden nur in unzureichendem Maße realisieren lassen mit der Folge, dass auch die erzielte Korrektur von Abbildungsfehlern nicht mit hinreichender Genauigkeit erreichbar ist.
Dabei erweist es sich für die Erzielung der erforderlichen Genauigkeiten insbesondere als hinderlich, dass das im adaptiven Spiegel vorhandene piezoelektrische Material einen unerwünschten Hystereseverlauf aufweist, was die Abhängigkeit der sich jeweils einstellenden lokalen Verformung der piezoelektrischen Schicht bzw. der optischen Wirkfläche des Spiegels von der angelegten elektrischen Spannung betrifft. Diese in der Deformationsantwort des adaptiven Spiegels auf die angelegte elektrische Spannung vorhandene Hysterese gilt insbesondere für den die spannungsabhängig erzielte Ausdehnung des piezoelektrischen Materials charakterisierenden dss-Koeffizienten, welcher der für die Ausdehnung in zur optischen Wirkfläche senkrechter Richtung verantwortlichen Komponente des Dielektrizitätstensors entspricht.
Fig. 10 zeigt lediglich exemplarisch eine mögliche Spannungs-Dehnungskurve, wobei je nach verwendetem piezoelektrischem Material die Hysterese in der Größenordnung von 1 -40% des Hubs liegen kann. Dies hat zur Folge, dass etwa ein für den Betrieb im EUV ausgelegter adaptiver Spiegel bei typischen Werten des Hubs von einigen Nanometern nicht mehr in der erforderlichen Genauigkeit (die z.B. Abweichungen von weniger als 100 Pikometer entspricht) betrieben werden kann.
Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf DE 10 2019 208 934 A1 sowie die Publikationen J. Minase et al.: „A review, supported by experimental results, of voltage, charge and capacitor insertion method for driving piezoelectric actuators" , Precis Eng (2010), doi: 10.1016/j.precisioneng.2010.03.006 und A. Anton iou: „Floating Negative-Impedance Converters“, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUIT THEORY (1972), S. 209-212, verwiesen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, sowie ein Verfahren zum Betreiben eines Spiegels in einem optischen System bereitzustellen, welche basierend auf dem Prinzip der lokal variierenden Deformation einer piezoelektrischen Schicht eine möglichst optimale Korrektur von Aberrationen in einem optischen System unter zumindest teilweiser Vermeidung der vorstehend beschriebenen Probleme ermöglichen.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
Ein erfindungsgemäßer Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, weist auf:
- eine optische Wirkfläche;
- ein Spiegelsubstrat;
- ein Reflexionsschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung;
- wenigstens eine piezoelektrische Schicht, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist; und
- wenigstens eine Regelungskomponente zur Regelung einer auf die piezoelektrische Schicht aufgebrachten elektrischen Ladung.
Im Rahmen der vorliegenden Anmeldung sollen von dem Begriff „Reflexionsschichtsystem“ sowohl Vielfachschichtsysteme bzw. Reflexionsschichtstapel als auch Einfachschichten als umfasst gelten.
Der vorliegenden Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, bei einem adaptiven Spiegel mit einer über Elektrodenanordnungen mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbaren piezoelektrischen Schicht die Einstellung einer gewünschten Deformation bzw. Dehnung im Wege einer Ladungsregelung anstelle einer Spannungsregelung zu realisieren.
Dabei geht die Erfindung zunächst von der Überlegung aus, dass die innerhalb des adaptiven Spiegels vorhandene piezoelektrische Schicht durch eine Kapazität Cp sowie einen parasitären Leckwiderstand RL modelliert werden kann. Die erfindungsgemäße Ladungsregelung beinhaltet nun das Konzept, über eine zusätzliche Regelungskomponente (z.B. in Form einer wohldefinierten zusätzlichen Kapazität Cs) dafür zu sorgen, dass eine definierte Ladung auf besagte, der piezoelektrischen Schicht entsprechende Kapazität Cp fließt mit der Folge, dass im Ergebnis ein signifikant besser definiertes Verhalten der piezoelektrischen Schicht bzw. des adaptiven Spiegels hinsichtlich der bereitgestellten Dehnung erzielt wird. Erfindungsgemäß wird dabei, wie in den Diagrammen von Fig. 2a-2b dargestellt, der sich bei Realisierung einer Spannungsansteuerung wie eingangs beschrieben ergebende unerwünschte Hystereseverlauf in der Spannungs-Dehnungskurve (vgl. Fig. 2a) bei der erfindungsgemäßen Ladungsregelung durch einen in guter Näherung linearen Verlauf (vgl. Fig. 2b) ersetzt. Die Linearität gemäß Fig. 2b beruht darauf, dass ein Piezoaktuator als Kondensator angesehen werden kann, dessen Kapazität aufgrund von Hysterese variiert. Die Beziehung zwischen Ladung Q und Dehnung d lautet dann d =
Figure imgf000007_0001
(1 ) wobei der Quotient
Figure imgf000007_0002
— annähernd konstant ist. c
Gemäß einer Ausführungsform weist die Ladungssteuerungskomponente einen Kondensator auf.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Ladungssteuerungskomponente eine Operationsverstärkerschaltung bzw. einen Ladungsverstärker, insbesondere ein Array von elektrisch gekoppelten Ladungsverstärkern, auf. Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird außerdem dem Umstand Rechnung getragen, dass durch eine im adaptiven Spiegel typischerweise vorhandene Vermittlerschicht eine im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Ladungsregelung grundsätzlich unerwünschte Kopplung in lateraler Richtung im Sinne eines zwischen den Elektroden der im adaptiven Spiegel vorhandenen Elektrodenanordnung stattfindenden elektrischen Stromflusses vorhanden ist, wobei diese laterale Kopplung ohne geeignete Gegenmaßnahmen die angestrebte Einstellung einer definierten Ladung auf der der piezoelektrischen Schicht entsprechenden Kapazität behindert.
Zur Berücksichtigung dieses unerwünschten Effekts einer unerwünschten Kopplung in lateraler Richtung beinhaltet die erfindungsgemäße Schaltung zusätzlich den Einbezug wenigstens eines negativen Impedanzwandlers (FNIC = „Floating Negative Impedance Converter“), wodurch im Ergebnis wie im Weiteren beschrieben eine unerwünschte Kopplung zwischen den in lateraler Richtung benachbarten Elektroden vermieden und die gewünschte Aufbringung einer definierten Ladung auf die der piezoelektrischen Schicht entsprechende Kapazität ermöglicht wird.
Das vorstehende Prinzip zur Vermeidung einer unerwünschten lateralen Kopplung über die Vermittlerschicht und eines damit einhergehenden elektrischen Stromflusses zwischen benachbarten Elektroden der innerhalb des adaptiven Spiegels vorhandenen Elektrodenanordnung beruht hierbei gewissermaßen auf der Wirkung „effektiv negativer“ elektrischer Widerstände (in Parallelschaltung zu den die Vermittlerschicht repräsentierenden positiven elektrischen Widerständen) mit der Folge, dass sich im Idealfall im Gesamtsystem in einander entgegengesetzten Richtungen fließende elektrische Ströme gegenseitig aufheben und ein unerwünschter elektrischer Stromfluss in lateraler Richtung damit effektiv verhindert wird.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Vermittlerschicht wenigstens zwei voneinander elektrisch isolierte Bereiche auf, wodurch ebenfalls der vorstehend beschriebenen unerwünschten Kopplung in lateraler Richtung entgegengewirkt werden kann.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Regelungskomponente eine Mehrzahl von negativen Impedanzwandlern (FNIC) auf.
Gemäß einer Ausführungsform ist jeder dieser negativen Impedanzwandler (FNIC) parallel zu einem Ersatzwiderstand (Rjj, Rjk, Rki, ... ) geschaltet, welcher den elektrischen Widerstand der Vermittlerschicht zwischen zwei benachbarten Elektroden der Elektrodenanordnung repräsentiert.
Gemäß einer Ausführungsform wird durch jeden der negativen Impedanzwandler (FNIC) effektiv ein elektrischer Widerstand (-Rjj, -Rjk, -Rki, ... ) von gleichem Betrag und entgegengesetztem Vorzeichen wie der betreffende Ersatzwiderstand (Rjj, Rjk, Rki, ... ) realisiert.
In Ausführungsformen der Erfindung können die vorstehend beschriebenen, erfindungsgemäß zusätzlich realisierten elektrischen Widerstände variabel ausgestaltet sein, um auf diese Weise eine Temperaturabhängigkeit der elektrischen Widerstände der Vermittlerschicht im Betrieb durch entsprechende Widerstandsanpassung berücksichtigen zu können.
Die Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zum Betreiben eines Spiegels in einem optischen System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche, ein Spiegelsubstrat, ein Reflexionsschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung und wenigstens eine zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnete piezoelektrische Schicht aufweist, wobei eine Deformation der optischen Wirkfläche durch Regelung einer auf die piezoelektrische Schicht aufgebrachten elektrischen Ladung eingestellt wird. Die Erfindung betrifft weiter auch ein optisches System, welches einen Spiegel mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist. Dabei kann es sich insbesondere um eine Beleuchtungseinrichtung oder ein Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, oder auch um Inspektionsobjektiv, insbesondere ein Inspektionsobjektiv einer Waferinspektionsanlage oder einer Maskeninspektionsanlage, handeln. Des Weiteren betrifft die Erfindung auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, deren Beleuchtungseinrichtung oder Projektionsobjektiv einen Spiegel mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Es zeigen:
Figur 1 a-1 b schematische Darstellungen zur Erläuterung eines der vorliegenden Erfindung zugrundeliegenden Konzepts;
Figur 2a-2b Diagramme zur Veranschaulichung der Wirkungsweise des erfindungsgemäßen Konzepts;
Figur 3-6 Ersatzschaltbilder zur Erläuterung beispielhafter Ausführungsformen der Erfindung;
Figur 7 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen
Schichtaufbaus eines adaptiven Spiegels gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; Figur 8 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen
Aufbaus einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage;
Figur 9 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen
Aufbaus einer für den Betrieb im VUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage; und
Figur 10 ein Diagramm zur Erläuterung eines im Betrieb eines herkömmlichen adaptiven Spiegel gemäß Figur 9 in der Praxis auftretenden Problems.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Den im Weiteren anhand von Fig. 3-7 beschriebenen Ausführungsformen ist gemeinsam, dass in einem wenigstens eine piezoelektrische Schicht aufweisenden adaptiven Spiegel die Einstellung einer gewünschten Deformation durch stabilisierte Aufbringung einer definierten Ladung auf die der piezoelektrischen Schicht entsprechenden Kapazität realisiert wird. Die Implementierung dieser Ladungsregelung bzw. der hierzu geeigneten elektronischen Schaltung erfolgt dabei jeweils außerhalb des Schichtstapels des betreffenden adaptiven Spiegels in einer externen Elektronikeinheit, für welche im Weiteren unterschiedliche Ausführungsformen beschrieben werden.
In den Darstellungen von Fig. 3-5 ist der (u.a. die piezoelektrische Schicht aufweisende) Schichtstapel des adaptiven Spiegels selbst jeweils ebenso wie die zur Realisierung der erfindungsgemäßen Ladungsregelung dienende Elektronikeinheit jeweils durch das entsprechende Ersatzschaltbild repräsentiert, wobei der dem Schichtstapel des adaptiven Spiegels entsprechende Bereich in Fig. 3- 5 jeweils mit „310“, „410“ bzw. „510“ und der der Elektronikeinheit entsprechende Bereich mit „320“, „420“ bzw. „520“ bezeichnet ist.
Der erfindungsgemäße adaptive Spiegel kann z.B. den im Weiteren unter Bezugnahme auf Fig. 7 beschriebenen Aufbau besitzen und umfasst insbesondere eine zwischen einem Spiegelsubstrat und einem Reflexionsschichtsystem angeordnete piezoelektrische Schicht, welche über entsprechende Elektrodenanordnungen, von denen die eine auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht und die andere auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht angeordnet ist, mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist.
Des Weiteren umfasst der besagte Schichtstapel des adaptiven Spiegels in für sich bekannter Weise eine Vermittlerschicht, welche in den Ersatzschaltbildern von Fig. 3 bis Fig. 5 jeweils durch eine Reihenschaltung von jeweils zwischen benachbarten Spannungszuleitungen angeordneten elektrischen Widerständen Rij, Rjk und Rki repräsentiert ist. Die piezoelektrische Schicht ist in besagten Ersatzschaltbildern jeweils durch Kapazitäten Cp , Cp.j bzw. Cp.k sowie parasitäre Leckwiderstände RLJ, RLJ sowie Ri_,k repräsentiert.
Was nun die Implementierung der erfindungsgemäßen Ladungsregelung betrifft, so erfolgt diese im Ausführungsbeispiel von Fig. 3 im Bereich der jeweiligen Spannungszuleitung über eine zusätzliche wohldefinierte Kapazität Csj, Cs bzw. Cs,k. Des Weiteren wird der durch die Vermittlerschicht bedingten, wie bereits zuvor erläutert im Rahmen der Erfindung grundsätzlich unerwünschten (da mit einem die Ladungsstabilisierung behindernden lateralen Stromfluss einhergehende) Kopplung in lateraler Richtung dadurch Rechnung getragen, dass effektiv „negative elektrische Widerstände“ -Rij, -Rjk, -Rki realisiert werden mit dem Ergebnis, dass sich lateral in zueinander entgegengesetzten Richtungen fließende elektrische Ströme gegenseitig aufheben. Die Realisierung dieser effektiv negativen elektrischen Widerstände -Rij, -Rjk, - Rki wiederum kann in für sich bekannter Weise durch negative Impedanzwandler (FNIC = „Floating Negative Impedance Converter“) erfolgen. In diesem Zusammenhang wird auf die Publikation A. Antoniou: „Floating Negative-Impedance Converters“, IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUIT THEORY (1972), S. 209-212, verwiesen. Diese negativen Impedanzwandler (FNIC) sind gemäß Fig. 3, 4 und 5 parallel zu den jeweiligen, die Vermittlerschicht repräsentierenden elektrischen „Ersatzwiderständen“ Rij, Rjk und Rki geschaltet. Des Weiteren wird durch jeden der negativen Impedanzwandler (FNIC) effektiv ein elektrischer Widerstand -Rij, -Rjk bzw. Rki realisiert, welcher den gleichen Betrag und das entgegengesetzte Vorzeichen wie der betreffenden, jeweils einen Abschnitt der Vermittlerschicht repräsentierende Ersatzwiderstand Rij, Rjk bzw. Rki besitzt.
Fig. 4 zeigt eine Ausführungsform, in welcher die erfindungsgemäße Ladungsregelung im Unterschied zu Fig. 3 nicht über einzelne zusätzliche Kondensatoren 321 , 322 bzw. 323, sondern über Operationsverstärkerschaltungen 421 , 422 bzw. 423 realisiert ist. Gemäß Fig. 4 wird hierbei für jede Elektrode der Elektrodenanordnung, über welche der Spiegel durch Zuführung einer elektrischen Spannung , Vj bzw. Vk mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist, ein Ladungsverstärker analog zu Fig. 1 b eingeführt. Dieser Ladungsverstärker sorgt dafür, dass aufgrund der wohldefinierten Kapazität Cs eine definierte Ladung auf die der piezoelektrischen Schicht entsprechende Kapazität CP fließt. Im hochfrequenten Fall können die Widerstände vernachlässigt werden und der Gain-Faktor wird nur über das Ver
Figure imgf000013_0001
hältnis - bestimmt. Im niederfrequenten Bereich sind hingegen die Widerstände
CS
Rs und RL nicht vernachlässigbar und müssen die Beziehung
Cp _ Rs
Cs Rp
(2) erfüllen, um einen frequenzunabhängigen Gainfaktor zu gewährleisten. Damit sind jedoch nicht die zusätzlich über die Widerstände RLJ fließenden elektrischen Ströme berücksichtigt. Deshalb werden hier weitere interne Leitungen in der Elektronik über R'tj eingeführt, die der Beziehung
Figure imgf000014_0001
genügen müssen.
In einer vereinfachten Ausführungsform besteht auch die Möglichkeit, in der zur Realisierung der erfindungsgemäßen Regelung dienenden Elektronikeinheit nur die elektrischen Widerstände zu jeweils unmittelbar benachbarten Elektroden abzubilden mit der Folge, dass die Anzahl der erforderlichen zusätzlichen Widerstände pro Elektrode auf z.B. vier beschränkt werden kann (anstelle einer Anzahl von (n-1 )/2, wobei „n“ die Gesamtzahl an Elektroden bezeichnet). Hierbei kann sich die Erfindung den Umstand zunutze machen, dass der elektrische Widerstand zwischen zwei Elektroden mit ihrem Abstand ansteigt, so dass die zwischen den in größeren Abständen voneinander angeordneten Elektroden fließenden elektrischen Ströme eher klein bzw. vernachlässigbar sind.
In weiteren Ausführungsformen können die in der erfindungsgemäßen Elektronikeinheit realisierten elektrischen Widerstände variabel ausgestaltet sein, wodurch eine Temperaturabhängigkeit der in der Vermittlerschicht vorliegenden elektrischen Widerstände berücksichtigt werden kann.
Fig. 5 zeigt eine weitere mögliche Ausführungsform, welche auf dem Ausführungsbeispiel von Fig. 4 basiert, jedoch zusätzlich die Umschaltung von der erfindungsgemäßen Ladungsregelung in einen herkömmlichen Betriebsmodus mit Spannungsregelung ermöglicht. Hierdurch kann dem Umstand Rechnung getragen werden, dass dem erfindungsgemäßen Konzept der Ladungsregelung im Falle eines Betriebs mit vergleichsweise geringen Frequenzen (und insbesondere im quasistatischen Fall) Grenzen durch das unerwünschte Auftreten von Kriechströmen gesetzt sind, so dass in einem niederfrequenten bzw. quasistatischen Szenario gegebenenfalls eine Umschaltung in den herkömmlichen Spannungsregelungs-Modus sinnvoll sein kann. Insbesondere kann in der Praxis je nach Betrieb des den adaptiven Spiegel aufweisenden optischen Systems ein aktives „Verfahren“ (im Sinne einer bewussten Manipulation des Deformationsprofils der piezoelektrischen Schicht) im Wege der erfindungsgemäßen Ladungsregelung erfolgen, woraufhin dann die Aufrechterhaltung des wie gewünscht aktiv eingestellten Deformationszustandes im Wege der Spannungsregelung erfolgen kann.
Vorzugsweise erfolgt in der Praxis weiter eine (einmalige oder wiederholte) Vermessung der innerhalb des Schichtstapels des adaptiven Spiegels vorhandenen Impedanzen (einschließlich der elektrischen Widerstände sowie Kapazitäten), wobei in Abhängigkeit von dieser Messung eine geeignete Abstimmung der verwendeten Impedanzen innerhalb der erfindungsgemäßen Elektronikeinheit vorgenommen wird.
In weiteren Ausführungsformen kann das erfindungsgemäße Konzept der Ladungsregelung mit einer zusätzlichen Modellierung der (verbleibenden) Hysterese im Dehnungs- bzw. Deformationsverhalten der piezoelektrischen Schicht kombiniert werden, wobei die entsprechend erzeugten Modelle wiederum bei der erfindungsgemäßen Regelung berücksichtigt werden können.
In den Schaltungen von Fig. 4 und Fig. 5 kommen insbesondere sogenannte negative Impedanzwandler (FNIC, engl.: „floating negative impedance converter“) zum Einsatz, wie in Fig. 6 erläutert. Dieses (in Fig. 6 mit „600“ bezeichnete) Element wird durch zwei gegenüberliegende (mit „601 ) bzw. „602“ bezeichnete) Spannungseingänge Ui und Uj angeschlossen. Die beiden Verstärkerelemente 603, 604 seien als ideal angesehen mit unendlich hohen Eingangswiderständen. In diesem Fall gilt Ui = Ui , U2 = Uj und I3 = Io. Aufgrund des mit „605“ bezeichneten Widerstands Rij fließt nun der Strom Io =
Figure imgf000015_0001
über den widerstand 605. Im
Rij
Falle eines idealen Verstärkers gilt dann /0 = ^— ^ = -l1. Aus Symmetrie- Rij gründen gilt gleiches für den Strom h. Somit entspricht der Strom über die durch den Widerstand 615 gebildete resistive Kopplung dem negativen Strom über den FNIC. Damit verschwindet der Gesamtstromfluss über die beiden gekoppelten Elemente.
Fig. 7 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus eines erfindungsgemäßen Spiegels in einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. Bei diesem Spiegel kann es sich insbesondere um einen EUV-Spiegel eines optischen Systems, insbesondere des Projektionsobjektivs oder der Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, handeln.
Der Spiegel 710 umfasst insbesondere ein Spiegelsubstrat 712, welches aus einem beliebigen geeigneten Spiegelsubstratmaterial hergestellt ist. Geeignete Spiegelsubstratmaterialien sind z.B. Titandioxid (TiC j-dotiertes Quarzglas, wobei lediglich beispielhaft (und ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) das unter der Markenbezeichnung ULE® (der Firma Corning Inc.) vertriebene Material verwendbar ist. Weitere geeignete Materialien sind Lithiumalumi- nosilikat-Glaskeramiken, die z.B. unter den Bezeichnungen Zerodur® (der Firma Schott AG) bzw. Clearceram® (der Firma Ohara Inc.) vertrieben werden. Insbesondere in Anwendungen außerhalb der EUV-Mikrolithographie sind auch andere Materialien wie z.B. Silizium (Si) denkbar.
Des Weiteren weist der Spiegel 710 in für sich bekannter Weise ein Reflexionsschichtsystem 721 auf, welches in der dargestellten Ausführungsform lediglich beispielhaft einen Molybdän-Silizium (Mo-Si)-Schichtstapel umfasst. Ohne dass die Erfindung auf konkrete Ausgestaltungen dieses Reflexionsschichtsystems beschränkt wäre, kann ein lediglich beispielhafter geeigneter Aufbau etwa 50 Lagen bzw. Schichtpakete eines Schichtsystems aus Molybdän (Mo)-Schichten mit einer Schichtdicke von jeweils 2.4nm und Silizium (Si)-Schichten mit einer Schichtdicke von jeweils 3.3nm umfassen. In weiteren Ausführungsformen kann es sich bei dem Reflexionsschichtsystem auch um eine Einfachschicht handeln. Der Spiegel 710 weist eine piezoelektrische Schicht 716 auf, welche im Beispiel aus Blei-Zirkonat-Titanat (Pb(Zr,Ti)O3, PZT) hergestellt ist. Ober- bzw. unterhalb der piezoelektrischen Schicht 716 befinden sich Elektrodenanordnungen, über welche der Spiegel 710 mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Von diesen Elektrodenanordnungen ist die zweite, dem Substrat 712 zugewandte Elektrodenanordnung als durchgehende, flächige Elektrode 714 von konstanter Dicke ausgestaltet, wohingegen die erste Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden 720 aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung 719 mit einer elektrischen Spannung relativ zur Elektrode 714 beaufschlagbar sind. Die Elektroden 720 sind in eine gemeinsame Glättschicht 718 eingebettet, welche z.B. aus Quarz (SiÜ2) hergestellt ist und zur Einebnung der aus den Elektroden 720 gebildeten Elektrodenanordnung dient. Des Weiteren weist der Spiegel 710 zwischen dem Spiegelsubstrat 712 und der dem Spiegelsubstrat 712 zugewandten unteren Elektrode 784 eine Haftschicht 733 (z.B. aus Titan, Ti) und eine zwischen der dem Substrat 712 zugewandten Elektrodenanordnung 714 und der piezoelektrischen Schicht 716 angeordnete Pufferschicht 715 (z.B. aus LaNiOs) auf, welche das Aufwachsen von PZT in optimaler, kristalliner Struktur weiter unterstützt und gleichbleibende Polarisationseigenschaften der piezoelektrischen Schicht über die Lebensdauer sicherstellt.
Gemäß Fig. 7 weist der Spiegel 710 ferner eine Vermittlerschicht 717 auf. Diese Vermittlerschicht 717 steht in direktem elektrischem Kontakt zu den Elektroden 720 (welche in Fig. 7 nur zur Veranschaulichung in Draufsicht dargestellt sind) und dient dazu, zwischen den Elektroden 720 im Potential zu „vermitteln“, wobei sie eine nur geringe elektrische Leitfähigkeit (vorzugsweise weniger als 200 Siemens/Meter (S/m)) aufweist, so dass ein zwischen benachbarten Elektroden 720 bestehender Spannungsunterschied im Wesentlichen über der Vermittlerschicht 717 abfällt.
In dem Ausführungsbeispiel von Fig. 7 ist die Vermittlerschicht 717 nicht als flächig durchgehend elektrisch leitende Schicht ausgebildet, sondern insofern strukturiert, als sie eine Mehrzahl von elektrisch voneinander isolierten Bereichen 717a, 717b, 717c, ... aufweist. Diese Strukturierung ist im Ausführungsbeispiel - jedoch ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre - dadurch verwirklicht, dass während der Herstellung des adaptiven Spiegels 710 die Vermittlerschicht 717 lithographisch entsprechend strukturiert wird, wobei elektrisch isolierendes Material wie z.B. SiÜ2 oder AI2O3 zwischen die bei besagter Strukturierung voneinander separierten Bereiche 717a, 717b, 717c, ... eingebracht wird. Die elektrisch isolierenden Abschnitte zur Separierung der einzelnen Bereiche 717a, 717b, 717c, ... der Vermittlerschicht 717 voneinander sind in Fig. 7 mit „725“ bezeichnet. In weiteren Ausführungsformen kann besagte Strukturierung der Vermittlerschicht 717 auch z.B. unter Anwendung von Laserablation erfolgen.
Die vorstehend beschriebene Strukturierung der Vermittlerschicht 717 hat insbesondere den Effekt, dass eine Vermittlung im elektrischen Potential zwischen Elektroden 720 der dieser Vermittlerschicht 717 zugeordneten Elektrodenanordnung im Wege eines elektrischen Stromflusses über die Vermittlerschicht 717 hinweg nicht mehr zwischen sämtlichen Elektroden 720 erfolgt, sondern nur noch „gruppenweise“ zwischen denjenigen Elektroden 20, welche ein- und demselben Bereich 717a, 717b, 717c, ... der Vermittlerschicht 717 zugeordnet sind. Dabei können die betreffenden Gruppen bzw. Cluster von Elektroden 20 je nach konkreter Ausgestaltung der Strukturierung der Vermittlerschicht 717 jeweils eine beliebig große Teilzahl von Elektroden 720 umfassen.
Insbesondere kann die Strukturierung in solcher Weise erfolgen, dass eine Vermittlung im elektrischen Potential lediglich zwischen unmittelbar benachbarten Elektroden 720 erfolgt. In weiteren Ausführungsformen kann besagte Vermittlung auch über eine größere Teilzahl von Elektroden 720 (unter Einbeziehung auch der jeweils übernächsten Nachbarn oder noch weiter entfernten Elektroden) erfolgen.
Wenngleich die vorstehend beschriebene „strukturierte“ Ausbildung der Vermittlerschicht mit einer Mehrzahl von elektrisch voneinander isolierten Bereichen im Hinblick darauf vorteilhaft ist, als so einer unerwünschten Kopplung in lateraler Richtung (im Sinne eines zwischen den Elektroden 720 stattfindenden elektrischen Stromflusses) entgegengewirkt wird, ist die Erfindung nicht auf das Vorhandensein einer strukturierten Vermittlerschicht beschränkt. Vielmehr sollen auch Ausführungsformen als von der Erfindung umfasst gelten, in denen der adaptive Spiegel eine flächig durchgehend elektrisch leitende Vermittlerschicht aufweist.
Grundsätzlich kann ein beliebiger Spiegel, z.B. ein Spiegel einer anhand von Fig. 8 bzw. Fig. 9 beschriebenen Projektionsbelichtungsanlage 800 bzw. 900, in der erfindungsgemäßen Weise als adaptiver Spiegel ausgestaltet sein.
Gemäß Fig. 8 weist eine Beleuchtungseinrichtung in einer für EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage 800 einen Feldfacettenspiegel 803 und einen Pupillenfacettenspiegel 804 auf. Auf den Feldfacettenspiegel 803 wird das Licht einer Lichtquelleneinheit, welche eine Plasmalichtquelle 801 und einen Kollektorspiegel 802 umfasst, gelenkt. Im Lichtweg nach dem Pupillenfacettenspiegel 804 sind ein erster Teleskopspiegel 805 und ein zweiter Teleskopspiegel 806 angeordnet. Im Lichtweg nachfolgend ist ein Umlenkspiegel 807 angeordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf ein Objektfeld in der Objektebene eines sechs Spiegel 851 -856 umfassenden Projektionsobjektivs lenkt. Am Ort des Objektfeldes ist eine reflektive strukturtragende Maske 821 auf einem Maskentisch 820 angeordnet, die mit Hilfe des Projektionsobjektivs in eine Bildebene abgebildet wird, in welcher sich ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes Substrat 861 auf einem Wafertisch 860 befindet.
Fig. 9 zeigt einen prinzipiell möglichen Aufbau einer für den Betrieb im VUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 900. Die Projektionsbelichtungsanlage 900 weist eine Beleuchtungseinrichtung 910 sowie ein Projektionsobjektiv 920 auf. Die Beleuchtungseinrichtung 910 dient zur Beleuchtung einer strukturtragenden Maske (Retikel) 930 mit Licht von einer Lichtquelleneinheit 901 , welche beispielsweise einen ArF-Excimerlaser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm sowie eine ein paralleles Lichtbündel erzeugende Strahlformungsoptik umfasst. Die Beleuchtungseinrichtung 910 weist eine optische Einheit 911 auf, die u.a. im dargestellten Beispiel einen Umlenkspiegel 912 umfasst. Die optische Einheit 911 kann zur Erzeugung unterschiedlicher Beleuchtungssettings (d.h. Intensitätsverteilungen in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung 910) beispielsweise ein diffraktives optisches Element (DOE) sowie ein Zoom-Axikon-System aufweisen. In Lichtausbreitungsrichtung nach der optischen Einheit 911 befindet sich im Strahlengang eine Lichtmischeinrichtung (nicht dargestellt), welche z.B. in für sich bekannter Weise eine zur Erzielung einer Lichtmischung geeignete Anordnung aus mikrooptischen Elementen aufweisen kann, sowie eine Linsengruppe 913, hinter der sich eine Feldebene mit einem Retikel-Maskierungssystem (REMA) befindet, welches durch ein in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgendes REMA-Objektiv 914 auf die strukturtragende, in einer weiteren Feldebene angeordnete Maske (Retikel) 930 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf dem Retikel begrenzt. Die strukturtragende Maske 930 wird mit dem Projektionsobjektiv 920 auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) versehenes Substrat bzw. einen Wafer 940 abgebildet. Das Projektionsobjektiv 920 kann insbesondere für den Immersionsbetrieb ausgelegt sein, in welchem Falle sich bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung vor dem Wafer bzw. dessen lichtempfindlicher Schicht ein Immersionsmedium befindet. Ferner kann es beispielsweise eine numerische Apertur NA größer als 0.85, insbesondere größer als 1 .1 , aufweisen.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.

Claims

Patentansprüche
1. Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche aufweist, mit
• einem Spiegelsubstrat (712);
• einem Reflexionsschichtsystem (721 ) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (711 ) auftreffender elektromagnetischer Strahlung;
• wenigstens einer piezoelektrischen Schicht (716), welche zwischen Spiegelsubstrat (712) und Reflexionsschichtsystem (721 ) angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem (721 ) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (716) befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat (712) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (716) befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist; und
• wenigstens einer Regelungskomponente zur Regelung einer auf die piezoelektrische Schicht (716) aufgebrachten elektrischen Ladung.
2. Spiegel nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Regelungskomponente wenigstens einen Kondensator (321 , 322, 323) aufweist.
3. Spiegel nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Regelungskomponente wenigstens eine Operationsverstärkerschaltung (421 , 422, 423) aufweist.
4. Spiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Regelungskomponente ein Array von elektrisch gekoppelten Ladungsverstärkern aufweist.
5. Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Elektrodenanordnungen eine Vermittlerschicht (717) zur Einstellung eines zumindest bereichsweise kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang der jeweiligen Elektrodenanordnung zugeordnet ist. Spiegel nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass diese Vermittlerschicht (717) wenigstens zwei voneinander elektrisch isolierte Bereiche (717a, 717b, 717c, ... ) aufweist. Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Regelungskomponente wenigstens einen negativen Impedanzwandler (FNIC) aufweist. Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Regelungskomponente eine Mehrzahl von negativen Impedanzwandlern (FNIC) aufweist. Spiegel nach Anspruch 8 sowie Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass jeder dieser negativen Impedanzwandler (FNIC) parallel zu einem Ersatzwiderstand (Rij, Rjk, Rki, ... ) geschaltet ist, welcher den elektrischen Widerstand der Vermittlerschicht (717) zwischen zwei benachbarten Elektroden der Elektrodenanordnung repräsentiert. Spiegel nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass jeder der negativen Impedanzwandler (FNIC) effektiv einen elektrischen Widerstand (-Rij, -Rjk, -Rki, ... ) von gleichem Betrag und entgegengesetztem Vorzeichen wie der betreffende Ersatzwiderstand (Rij, Rjk, Rki, ... ) realisiert. Spiegel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Regelungskomponente variabel ausgestaltete elektrische Widerstände aufweist. Verfahren zum Betreiben eines Spiegels in einem optischen System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei der Spiegel eine optische Wirkfläche, ein Spiegelsubstrat, ein Reflexionsschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung und wenigstens eine zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnete piezoelektrische Schicht aufweist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, d a s s eine Deformation der optischen Wirkfläche wenigstens zeitweise durch Regelung einer auf die piezoelektrische Schicht aufgebrachten elektrischen Ladung eingestellt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass zeitweise in einen Betriebsmodus umgeschaltet wird, in welchem die Deformation der optischen Wirkfläche durch Regelung einer an die piezoelektrische Schicht angelegten elektrischen Spannung eingestellt wird.
14. Optisches System, dadurch gekennzeichnet, dass das optische System einen Spiegel (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 11 aufweist.
15. Optisches System nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass dieses eine Beleuchtungseinrichtung oder ein Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage (800, 900) ist.
16. Optisches System nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass dieses ein Inspektionsobjektiv, insbesondere ein Inspektionsobjektiv einer Waferinspektionsanlage oder einer Maskeninspektionsanlage, ist.
17. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage (800, 900) ein optisches System nach Anspruch 15 aufweist.
PCT/EP2022/083814 2022-01-11 2022-11-30 Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage WO2023134917A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102022200206.7A DE102022200206A1 (de) 2022-01-11 2022-01-11 Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102022200206.7 2022-01-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023134917A1 true WO2023134917A1 (de) 2023-07-20

Family

ID=84488230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2022/083814 WO2023134917A1 (de) 2022-01-11 2022-11-30 Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102022200206A1 (de)
WO (1) WO2023134917A1 (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4263527A (en) * 1979-05-17 1981-04-21 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Charge control of piezoelectric actuators to reduce hysteresis effects
CN108983413A (zh) * 2018-07-25 2018-12-11 宁波大学 基于电荷驱动的多通道压电变形镜驱动电源
DE102019208934A1 (de) 2019-06-19 2020-12-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020205752A1 (de) 2020-05-07 2021-11-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben eines deformierbaren Spiegels, sowie optisches System mit einem deformierbaren Spiegel

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4263527A (en) * 1979-05-17 1981-04-21 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Charge control of piezoelectric actuators to reduce hysteresis effects
CN108983413A (zh) * 2018-07-25 2018-12-11 宁波大学 基于电荷驱动的多通道压电变形镜驱动电源
DE102019208934A1 (de) 2019-06-19 2020-12-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. ANTONIOU: "Floating Negative-Impedance Converters", IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUIT THEORY, 1972, pages 209 - 212
J. MINASE ET AL.: "A review, supported by experimental results, of voltage, charge and capacitor insertion method for driving piezoelectric actuators", PRECIS ENG, 2010
JIN TAO ET AL: "A Charge Controller for Synchronous Linear Operation of Multiple Piezoelectric Actuators", IEEE ACCESS, vol. 7, 19 July 2019 (2019-07-19), pages 90741 - 90749, XP011735981, DOI: 10.1109/ACCESS.2019.2927411 *
MA JIANQIANG: "Eliminating hysteresis of piezoelectric deformable mirror by charge control - ScienceDirect", OPTICS COMMUNICATIONS, 19 March 2015 (2015-03-19), pages 1 - 10, XP093029508, Retrieved from the Internet <URL:https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S003040181500231X> [retrieved on 20230307], DOI: https://doi.org/10.1016/j.optcom.2015.03.037 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE102022200206A1 (de) 2023-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015043832A1 (de) Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
EP3323020B1 (de) Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
DE102017217695A1 (de) Verfahren zum Modifizieren des Deformationsverhaltens eines deformierbaren Spiegels
WO2018177649A1 (de) Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
DE102016201445A1 (de) Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
EP3827444A1 (de) Spiegel für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage, sowie verfahren zum betreiben eines deformierbaren spiegels
DE102015213275A1 (de) Spiegelanordnung für eine Lithographiebelichtungsanlage und Spiegelanordnung umfassendes optisches System
WO2019029990A1 (de) Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
DE102020210773B4 (de) Optische Baugruppe, Verfahren zur Ansteuerung einer optischen Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
WO2021224036A1 (de) Verfahren zum betreiben eines deformierbaren spiegels, sowie optisches system mit einem deformierbaren spiegel
DE102018203925A1 (de) Strahlformungs- und Beleuchtungssystem für eine Lithographieanlage und Verfahren
DE102019208934A1 (de) Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
EP3791219B1 (de) Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
WO2022074023A1 (de) Adaptives optisches element für die mikrolithographie
DE102017203647A1 (de) Spiegel mit einer piezoelektrisch aktiven Schicht
WO2024068686A1 (de) Messvorrichtung und messverfahren zum messen einer in einem optischen system abfallenden spannung, optisches system, und lithographieanlage
WO2023134917A1 (de) Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
WO2021239355A1 (de) Spiegel, insbesondere für die mikrolithographie
DE102022210518A1 (de) Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, sowie Verfahren zum Bearbeiten eines Spiegels
DE102022210205A1 (de) Adaptiver Spiegel mit temperierten Aktuatoren
DE102022204014B3 (de) Temperaturinsensitiver Aktuator und Deformationsspiegel
DE102022211639A1 (de) Adaptiver Spiegel mit mechanischer Vermittlerschicht und mikrolithographische Projektionsbelichtunganlage
DE102020207699A1 (de) Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102023208848A1 (de) Beleuchtungssystem für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines beleuchtungssystems einer lithographieanlage
EP2829917B1 (de) Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22822561

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1