DE102020205752A1

DE102020205752A1 - Verfahren zum Betreiben eines deformierbaren Spiegels, sowie optisches System mit einem deformierbaren Spiegel

Info

Publication number: DE102020205752A1
Application number: DE102020205752.4A
Authority: DE
Inventors: Hans Michael Stiepan; Toralf Gruner; Kerstin Hild; Evgeny Savelyev
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2020-05-07
Filing date: 2020-05-07
Publication date: 2021-11-11
Also published as: WO2021224036A1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines deformierbaren Spiegels sowie ein optisches System mit einem deformierbaren Spiegel, wobei der Spiegel (10, 30) ein Spiegelsubstrat (12, 32), ein Reflexionsschichtsystem (21, 41) zur Reflexion von auf eine optische Wirkfläche (11, 31) des Spiegels auftreffender elektromagnetischer Strahlung, und wenigstens eine piezoelektrische Schicht (16, 36) aufweist, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung durch eine Spannungsansteuerung der ersten und/oder der zweiten Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Ein erfindungsgemäßes Verfahren weist folgende Schritte auf: Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung; und Anpassen der Spannungsansteuerung der ersten und/oder der zweiten Elektrodenanordnung in Abhängigkeit von der im Schritt a) ermittelten Temperaturverteilung.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines deformierbaren Spiegels, sowie ein optisches System mit einem deformierbaren Spiegel.
Stand der Technik
Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCDs, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (= Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. einen Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
In für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsobjektiven, d.h. bei Wellenlängen von z.B. etwa 13 nm oder etwa 7 nm, werden mangels Verfügbarkeit geeigneter lichtdurchlässiger refraktiver Materialien Spiegel als optische Komponenten für den Abbildungsprozess verwendet.
Dabei ist es auch bekannt, einen oder mehrere Spiegel in einem EUV-System als adaptiven Spiegel mit einer Aktuatorschicht aus einem piezoelektrischen Material auszugestalten, wobei über diese piezoelektrische Schicht hinweg ein elektrisches Feld mit lokal unterschiedlicher Stärke durch Anlegen einer elektrischen Spannung an beiderseitig zur piezoelektrischen Schicht angeordnete Elektroden erzeugt wird. Bei lokaler Verformung der piezoelektrischen Schicht verformt sich auch das Reflexionsschichtsystem des adaptiven Spiegels, so dass durch geeignete Ansteuerung der Elektroden beispielsweise Abbildungsfehler (ggf. auch zeitlich veränderliche Abbildungsfehler) wenigstens teilweise kompensiert werden können.
8 zeigt in lediglich schematischer Darstellung einen prinzipiell möglichen Aufbau eines herkömmlichen adaptiven Spiegels 80. Der Spiegel 80 umfasst insbesondere ein Spiegelsubstrat 82 sowie ein Reflexionsschichtsystem 91 und weist eine piezoelektrische Schicht 86 auf, welche im Beispiel aus Blei-Zirkonat-Titanat (Pb(Zr,Ti)O₃, PZT) hergestellt ist. Ober- bzw. unterhalb der piezoelektrischen Schicht 86 befinden sich Elektrodenanordnungen, über welche der Spiegel 80 mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Von diesen Elektrodenanordnungen ist die zweite, dem Substrat 82 zugewandte Elektrodenanordnung als durchgehende, flächige Elektrode 84 von konstanter Dicke ausgestaltet, wohingegen die erste Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden 90 aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung 89 mit einer elektrischen Spannung relativ zur Elektrode 84 beaufschlagbar sind. Die Elektroden 90 sind in eine gemeinsame Glättschicht 88 eingebettet, welche z.B. aus Quarz (SiO₂) hergestellt ist und zur Einebnung der aus den Elektroden 90 gebildeten Elektrodenanordnung dient. Des Weiteren weist der Spiegel 80 zwischen dem Spiegelsubstrat 82 und der dem Spiegelsubstrat 82 zugewandten unteren Elektrode 84 eine Haftschicht 83 (z.B. aus Titan, Ti) und eine zwischen der dem Substrat 82 zugewandten Elektrodenanordnung und der piezoelektrischen Schicht 86 angeordnete Pufferschicht 85 (z.B. aus LaNiO₃) auf, welche das Aufwachsen von PZT in optimaler, kristalliner Struktur weiter unterstützt und gleichbleibende Polarisationseigenschaften der piezoelektrischen Schicht 86 über die Lebensdauer sicherstellt.
Im Betrieb des Spiegels 80 bzw. eines diesen Spiegel 80 aufweisenden optischen Systems führt das Anlegen einer elektrischen Spannung an die Elektroden 90 bzw. 84 und über das sich ausbildende elektrische Feld zu einer Auslenkung der piezoelektrischen Schicht 86. Auf diese Weise kann - etwa zur Kompensation von optischen Aberrationen z.B. infolge thermischer Deformationen bei auf die optische Wirkfläche 81 auftreffender EUV-Strahlung - eine Aktuierung des Spiegels 80 erzielt werden.
Gemäß 8 weist der Spiegel 80 ferner eine Vermittlerschicht 87 auf. Diese Vermittlerschicht 87 steht in direktem elektrischem Kontakt zu den Elektroden 90 (welche in 8a nur zur Veranschaulichung in Draufsicht dargestellt sind). Diese Vermittlerschicht 87 dient dazu, zwischen diesen Elektroden 90 im Potential zu „vermitteln“, wobei sie eine nur geringe elektrische Leitfähigkeit aufweist mit der Folge, dass ein zwischen benachbarten Elektroden 90 bestehender Spannungsunterschied im Wesentlichen über der Vermittlerschicht 87 abfällt.
Ein beim Betrieb des vorstehend beschriebenen adaptiven Spiegels in der Praxis auftretendes Problem ist jedoch, dass infolge der Absorption der von der EUV-Lichtquelle emittierten Strahlung die damit einhergehende Erwärmung der EUV-Spiegel auch eine entsprechende Erwärmung der im adaptiven bzw. deformierbaren Spiegel vorhandenen piezoelektrischen Schicht bewirkt. Diese Erwärmung hat infolge einer bestehenden Temperaturabhängigkeit des piezoelektrischen Effekts (d.h. insbesondere der Größe der für eine bestimmte angelegte elektrischen Spannung erzielten räumlichen Ausdehnung der piezoelektrischen Schicht bzw. der hierdurch bewirkten Spiegeldeformation) zur Folge, dass eine ohne Berücksichtigung der o.g. Erwärmung berechnete Spannungsansteuerung der Elektrodenanordnungen im adaptiven Spiegel nicht mehr exakt zur gewünschten Spiegeldeformation führt. Dieser Umstand hat wiederum im Betrieb einer den betreffenden deformierbaren bzw. adaptiven Spiegel aufweisenden mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage eine nicht optimale bzw. fehlerhafte Waferbelichtung zur Folge.
Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf DE 10 2013 219 583 A1 und DE 10 2015 213 273 A1 verwiesen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Betreiben eines deformierbaren Spiegels sowie ein optisches System mit einem deformierbaren Spiegel bereitzustellen, welche basierend auf dem Prinzip der lokal variierenden Deformation einer piezoelektrischen Schicht eine möglichst optimale Korrektur von Aberrationen in einem optischen System unter Vermeidung der vorstehend beschriebenen Probleme ermöglichen.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
Gemäß einem Aspekt betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Betreiben eines deformierbaren Spiegels, wobei der Spiegel aufweist:

- ein Spiegelsubstrat,
- ein Reflexionsschichtsystem zur Reflexion von auf eine optische Wirkfläche des Spiegels auftreffender elektromagnetischer Strahlung, und
- wenigstens eine piezoelektrische Schicht, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung durch eine Spannungsansteuerung der ersten und/oder der zweiten Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren weist folgende Schritte auf:

a) Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung; und
b) Anpassen der Spannungsansteuerung der ersten und/oder der zweiten Elektrodenanordnung in Abhängigkeit von der im Schritt a) ermittelten Temperaturverteilung.

Im Rahmen der vorliegenden Anmeldung sollen von dem Begriff „Reflexionsschichtsystem“ sowohl Vielfachschichtsysteme bzw. Reflexionsschichtstapel als auch Einfachschichten als umfasst gelten.
Der vorliegenden Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, bei einem deformieren Spiegel mit einer über Elektrodenanordnungen mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbaren piezoelektrischen Schicht die Spannungsansteuerung der Elektrodenanordnungen abhängig von einer zuvor ermittelten, im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung anzupassen, wobei insbesondere die bei der betreffenden Temperaturverteilung spannungsabhängig erzielte lineare Ausdehnung des Materials der piezoelektrischen Schicht - welche wiederum vorab im Wege einer Kalibrierung ermittelt werden kann - berücksichtigt wird. Der die spannungsabhängig erzielte lineare Ausdehnung des Materials der piezoelektrischen Schicht charakterisierende Koeffizient wird auch als d₃₃-Koeffizient bezeichnet und entspricht der betreffenden, für die lineare Ausdehnung in zur optischen Wirkfläche senkrechter Richtung verantwortlichen Komponente des Dielektrizitätstensors.
Mit anderen Worten beinhaltet die Erfindung u.a. das Prinzip, bei einem über eine piezoelektrische Schicht deformieren Spiegel zunächst eine aktuell im Bereich dieser piezoelektrischen Schicht vorliegende Temperaturverteilung zu bestimmen und dann in Kenntnis der bei der betreffenden Temperaturverteilung jeweils geltenden Werte des d₃₃-Koeffizienten der piezoelektrischen Schicht von vorneherein die unter Berücksichtigung der erfolgten Erwärmung korrekte elektrische Spannung anzulegen, um eine gewünschte Deformation des Spiegels zu erzielen.
Das Ermitteln der Temperaturverteilung im Bereich der piezoelektrischen Schicht kann in unterschiedlicher Weise erfolgen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform (jedoch ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) erfolgt das Ermitteln der Temperaturverteilung im Wege der Messung eines zwischen den Elektrodenanordnungen über die piezoelektrische Schicht jeweils fließenden Leckstroms.
Die Erfindung geht gemäß diesem Aspekt von der Überlegung aus, dass die piezoelektrische Schicht zwar einen typischerweise relativ hohen, aber endlichen elektrischen Widerstand (i.d.R. im Megaohm- bis Gigaohm-Bereich) besitzt, so dass ein elektrischer Leckstrom zwischen den Elektrodenanordnungen über die piezoelektrische Schicht auftritt, der zwar von vergleichsweise geringer, jedoch messbarer Größenordnung ist (wobei typische Werte dieses Leckstroms im Mikroampere-Bereich liegen).
Die Erfindung macht sich nun die weitere Erkenntnis zu Nutze, dass besagter Leckstrom eine signifikante Temperaturabhängigkeit besitzt und demzufolge als indikativ für die aktuell vorhandene Temperatur im Bereich der piezoelektrischen Schicht herangezogen werden kann.
Somit beinhaltet die Erfindung auch das Konzept, den (eigentlich parasitären) Leckstrom über die piezoelektrische Schicht zur Temperaturbestimmung und für eine - im Hinblick auf diese Temperatur bzw. die entsprechenden Piezoeigenschaften der piezoelektrischen Schicht - korrekte Spannungsansteuerung der Elektroden zu nutzen.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) ortsaufgelöst.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) zeitaufgelöst.
Gemäß einer Ausführungsform weist die erste oder die zweite Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden auf, welche jeweils über eine Zuleitung mit einer elektrischen Spannung bezogen auf die erste andere Elektrodenanordnung beaufschlagbar sind.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das Anpassen der Spannungsansteuerung im Schritt b) derart, dass diese Elektroden in Abhängigkeit von einer im Schritt a) ermittelten lokal variierenden Temperaturverteilung unabhängig voneinander mit einer elektrischen Spannung beaufschlagt werden.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das Anpassen der Spannungsansteuerung im Schritt b) unter Berücksichtigung einer vorab durchgeführten Kalibrierung, wobei bei dieser Kalibrierung eine Deformation der piezoelektrischen Schicht für unterschiedliche Temperaturen bestimmt wird.
Gemäß einer Ausführungsform wird diese Kalibrierung in einem Kalibrierstand durchgeführt, welcher eine Heizvorrichtung zur Einstellung unterschiedlicher Temperaturen auf dem Spiegel, eine Einheit zur Spannungsansteuerung sowie Leckstrommessung an dem Spiegel und eine interferometrische Messanordnung zur Messung einer Oberflächendeformation des Spiegels aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) die Messung eines zwischen den Elektrodenanordnungen über die piezoelektrische Schicht fliessenden Leckstroms.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt die Messung des Leckstroms ortsaufgelöst.
Gemäß einer Ausführungsform umfasst das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) eine Impedanzmessung zur Bestimmung einer temperaturabhängigen Kapazität der piezoelektrischen Schicht.
Gemäß einer Ausführungsform weist die erste oder die zweite Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden auf, wobei vor der Messung des Leckstroms diese Elektroden auf das gleiche elektrische Potential gebracht werden.
Gemäß einer Ausführungsform ist einer der Elektrodenanordnungen eine Vermittlerschicht zur Einstellung eines zumindest bereichsweise kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang der jeweiligen Elektrodenanordnung zugeordnet.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) unter Verwendung wenigstens einer Infrarotkamera, wobei aus einem von dieser Infrarotkamera aufgenommenen Kamerabild jeweils auf die Temperaturverteilung geschlossen wird.
Gemäß einer Ausführungsform erfolgt das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) unter Verwendung einer im Spiegelsubstrat befindlichen Anordnung von Temperatursensoren.
Die Erfindung betrifft weiter ein optisches System, mit

- einem deformierbaren Spiegel mit einer optischen Wirkfläche, einem Spiegelsubstrat, einem Reflexionsschichtsystem zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche auftreffender elektromagnetischer Strahlung, und wenigstens einer piezoelektrischen Schicht, welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtsystem angeordnet ist;
- wobei die piezoelektrische Schicht über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist;
- wobei das optische System eine Vorrichtung zum Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung aufweist.

Gemäß einer Ausführungsform ist die Vorrichtung zum Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung basierend auf der Messung eines zwischen den Elektrodenanordnungen über die piezoelektrische Schicht fliessenden Leckstroms ausgelegt.
Gemäß einer Ausführungsform ist die Vorrichtung zum Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung basierend auf einer Impedanzmessung zur Bestimmung der temperaturabhängigen Kapazität der piezoelektrischen Schicht ausgelegt.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Vorrichtung zum Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung eine Infrarotkamera zur Aufnahme eines Kamerabildes der optischen Wirkfläche auf.
Gemäß einer Ausführungsform weist die Vorrichtung zum Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung eine im Spiegelsubstrat befindliche Anordnung von Temperatursensoren auf.
Gemäß einer Ausführungsform ist der Spiegel für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30nm, insbesondere weniger als 15nm, ausgelegt.
Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System eine Beleuchtungseinrichtung oder ein Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
Die Erfindung betrifft weiter eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Projektionsbelichtungsanlage ein optisches System mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Figurenliste
Es zeigen:

1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer bei einem adaptiven Spiegel erfolgenden Bestimmung der Temperaturverteilung im Bereich der piezoelektrischen Schicht gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
2 ein Ersatzschaltbild für den adaptiven Spiegel gemäß 1;
3 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer bei einem adaptiven Spiegel erfolgenden Bestimmung der Temperaturverteilung im Bereich der piezoelektrischen Schicht gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung;
4 eine schematische Darstellung eines bei dem erfindungsgemäßen Verfahren einsetzbaren Kalibrierstandes;
5 ein Schema zur Erläuterung eines möglichen Ablaufs eines erfindungsgemäßen Verfahrens;
6 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im EUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage;
7 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im VUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage; und
8 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des möglichen Aufbaus eines herkömmlichen adaptiven Spiegels.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
1 zeigt eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Aufbaus eines erfindungsgemäßen Spiegels in einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung. Der Spiegel 10 umfasst insbesondere ein Spiegelsubstrat 12, welches aus einem beliebigen geeigneten Spiegelsubstratmaterial hergestellt ist. Geeignete Spiegelsubstratmaterialien sind z.B. Titandioxid (TiO₂)-dotiertes Quarzglas, wobei lediglich beispielhaft (und ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) das unter der Markenbezeichnung ULE^® (der Firma Corning Inc.) vertriebene Material verwendbar ist. Weitere geeignete Materialien sind Lithiumaluminosilikat-Glaskeramiken, die z.B. unter den Bezeichnungen Zerodur^® (der Firma Schott AG) bzw. Clearceram^® (der Firma Ohara Inc.) vertrieben werden. Insbesondere in Anwendungen außerhalb der EUV-Mikrolithographie sind auch andere Materialien wie z.B. Silizium (Si) denkbar.
Des Weiteren weist der Spiegel 10 in grundsätzlich für sich bekannter Weise ein Reflexionsschichtsystem 21 auf, welches in der dargestellten Ausführungsform lediglich beispielhaft einen Molybdän-Silizium (Mo-Si)-Schichtstapel umfasst. Ohne dass die Erfindung auf konkrete Ausgestaltungen dieses Reflexionsschichtsystems beschränkt wäre, kann ein lediglich beispielhafter geeigneter Aufbau etwa 50 Lagen bzw. Schichtpakete eines Schichtsystems aus Molybdän (Mo)-Schichten mit einer Schichtdicke von jeweils 2.4nm und Silizium (Si)-Schichten mit einer Schichtdicke von jeweils 3.3nm umfassen. In weiteren Ausführungsformen kann es sich bei dem Reflexionsschichtsystem auch um eine Einfachschicht handeln.
Bei dem Spiegel 10 kann es sich insbesondere um einen EUV-Spiegel eines optischen Systems, insbesondere des Projektionsobjektivs oder der Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, handeln.
Der Spiegel 10 weist eine piezoelektrische Schicht 16 auf, welche im Beispiel aus Blei-Zirkonat-Titanat (Pb(Zr,Ti)O₃,
PZT) hergestellt ist. Ober- bzw. unterhalb der piezoelektrischen Schicht 16 befinden sich Elektrodenanordnungen, über welche der Spiegel 10 mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Von diesen Elektrodenanordnungen ist die zweite, dem Substrat 12 zugewandte Elektrodenanordnung als durchgehende, flächige Elektrode 14 von konstanter Dicke ausgestaltet, wohingegen die erste Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden 20 aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung 19 mit einer elektrischen Spannung relativ zur Elektrode 14 beaufschlagbar sind. Die Elektroden 20 sind in eine gemeinsame Glättschicht 18 eingebettet, welche z.B. aus Quarz (SiO₂) hergestellt ist und zur Einebnung der aus den Elektroden 20 gebildeten Elektrodenanordnung dient. Des Weiteren weist der Spiegel 10 zwischen dem Spiegelsubstrat 12 und der dem Spiegelsubstrat 12 zugewandten unteren Elektrode eine Haftschicht 33 (z.B. aus Titan, Ti) und eine zwischen der dem Substrat 12 zugewandten Elektrodenanordnung und der piezoelektrischen Schicht 16 angeordnete Pufferschicht 15 (z.B. aus LaNiO₃) auf, welche das Aufwachsen von PZT in optimaler, kristalliner Struktur weiter unterstützt und gleichbleibende Polarisationseigenschaften der piezoelektrischen Schicht über die Lebensdauer sicherstellt.
Im Betrieb des Spiegels 10 bzw. eines diesen Spiegel 10 aufweisenden optischen Systems führt das Anlegen einer elektrischen Spannung an die Elektroden 20 über das sich ausbildende elektrische Feld zu einer Auslenkung der piezoelektrischen Schicht 16. Auf diese Weise kann - etwa zur Kompensation von optischen Aberrationen z.B. infolge thermischer Deformationen bei auf die optische Wirkfläche 11 auftreffender EUV-Strahlung - eine Aktuierung des Spiegels 10 erzielt werden.
Gemäß der Ausführungsform von 1 - jedoch ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre - weist der Spiegel 10 ferner eine Vermittlerschicht 17 auf. Diese Vermittlerschicht 17 steht in direktem elektrischem Kontakt zu den Elektroden 20 (welche in 1 nur zur Veranschaulichung in Draufsicht dargestellt sind) und dient dazu, zwischen den Elektroden 20 im Potential zu „vermitteln“, wobei sie eine nur geringe elektrische Leitfähigkeit (vorzugsweise weniger als 200 Siemens/Meter (S/m)) aufweist, so dass ein zwischen benachbarten Elektroden 20 bestehender Spannungsunterschied im Wesentlichen über der Vermittlerschicht 17 abfällt.
Den im Weiteren beschriebenen Ausführungsformen ist gemeinsam, dass erfindungsgemäß zur Berücksichtigung einer im Betrieb des deformierbaren Spiegels bzw. des jeweiligen optischen Systems auftretenden Erwärmung und zur Sicherstellung einer dennoch (d.h. unter Berücksichtigung der mit dieser Erwärmung einhergehenden Änderung der piezoelektrischen Eigenschaften) korrekten Spannungsansteuerung eine - vorzugsweise lokal sowie zeitlich aufgelöste - Bestimmung der Temperaturverteilung im Bereich der piezoelektrischen Schicht des deformierbaren Spiegels erfolgt.
In einer ersten bevorzugten Ausführungsform erfolgt diese Temperaturbestimmung im Wege einer Messung des jeweils zwischen den Elektrodenanordnungen über die piezoelektrischen Schicht hinweg fließenden Leckstroms, wobei sich die Erfindung eine signifikante Temperaturabhängigkeit dieses Leckstroms bzw. die Temperaturabhängigkeit des für die Größe des Leckstroms ausschlaggebenden Ohm'schen Widerstandes der piezoelektrischen Schicht zunutze macht.
2 zeigt zur Erläuterung dieses Konzepts ein Ersatzschaltbild für den anhand von 1 beschriebenen Aufbau des deformierbaren Spiegels 10. Hierbei werden an die einzelnen Elektroden 20 der dem Reflexionsschichtsystem 21 zugewandten Elektrodenanordnung jeweils Spannungen U₁, U₂, ..., U_n angelegt. Die im Spiegel 10 wie beschrieben vorhandene (jedoch im Rahmen der vorliegenden Erfindung nicht obligatorische) Vermittlerschicht 17 kann gemäß 2 als kontinuierlicher Spannungsteiler aus einer Mehrzahl von Ohm'schen Widerständen RML angesehen werden. Die dem Substrat 12 zugewandte Elektrodenanordnung ist gemäß 2 geerdet, und die Spannungsbeaufschlagung der Elektroden 20 zur Erzielung einer Ausdehnung der piezoelektrischen Schicht 16 bzw. einer damit einhergehenden Spiegeldeformation entspricht dem Aufladen der durch die Elektroden 20 der ersten Elektrodenanordnung, die Elektrode 14 der zweiten Elektrodenanordnung sowie die dazwischen befindliche piezoelektrische Schicht 16 gebildeten Kondensatoren C. Die piezoelektrische Schicht 16 wird gemäß 2 ebenfalls als Spannungsteiler aus Ohm'schen Widerständen R_PZT angesehen.
Beispielhafte Werte dieses Ohm'schen Widerstandes der piezoelektrischen Schicht liegen größenordnungsmäßig im MegaohmBereich und weisen eine signifikante Temperaturabhängigkeit auf. In einem Berechnungsbeispiel nimmt etwa der Ohm'sche Widerstand der piezoelektrischen Schicht von einem Wert R₁ = 1.27 M2 bei einer Temperatur T₁ = 20°C auf einen Wert R₂ = 0.23 MΩ bei einer Temperatur T₂ = 40°C ab. Aus dem Ohm'schen Gesetz ergibt sich für eine beispielhafte elektrische Spannung von U= 20V eine mit dieser Temperaturänderung einhergehende Zunahme des Leckstroms von einem Wert I₁ = 16µA bei T₁ = 20°C auf einen Wert I₂ = 87µA bei T₂ = 40°C.
Aus den vorstehenden Betrachtungen ergibt sich, dass die (in 2 ebenfalls angedeutete) Messung der auftretenden Leckströme an den einzelnen Elektroden 20 wiederum eine ortsaufgelöste Bestimmung der aktuell vorhandenen Temperaturverteilung ermöglicht. Eine entsprechende Messeinrichtung zur Messung des Leckstroms ist in 1 lediglich angedeutet und mir „25“ bezeichnet. Eine solche Messeinrichtung 25 kann insbesondere pro Elektrode 20 bzw. Zuleitung 19 ein Amperemeter aufweisen, wobei die entsprechenden Amperemeter auch entfernt vom Spiegel 10, z.B. in einem typischerweise zur bereits vorhandenen Elektronikmodul zur Ansteuerung der Elektroden 20 untergebracht sein können.
In der Praxis kann es bei (anhand von 1 beschriebenem) Vorhandensein einer Vermittlerschicht im deformierbaren Spiegel sinnvoll sein, während der o.g. Leckstrommessung sämtliche Elektroden 20 der betreffenden Elektrodenanordnung mit derselben elektrischen Spannung zu beaufschlagen, so dass während der Leckstrommessung kein elektrischer Strom über die Vermittlerschicht 17 fließt. Hierdurch kann vermieden werden, dass die Messung des Leckstroms durch das Auftreten von (typischerweise dann um zwei bis drei Größenordnungen höheren) Strömen über die Vermittlerschicht gestört wird bzw. ein zu großes „Messrauschen“ hinsichtlich des zu bestimmenden Leckstroms auftritt. Insbesondere können hierbei für besagte Ansteuerung der Elektroden während der Leckstrommessung Nichtbetriebsphasen des optischen Systems bzw. Belichtungspausen der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage gewählt werden.
In weiteren Ausführungsformen können zur Messung des Leckstroms auch eigens vorgesehene, nicht in elektrischem Kontakt zur Vermittlerschicht 17 bzw. von dieser Vermittlerschicht 17 elektrisch isolierte Messelektroden vorgesehen sein. Da im Bereich solcher Messelektroden keine optisch wirksame Spiegeldeformation erzielt wird, wird vorzugsweise der relative Flächenanteil der besagten Messelektroden gering (insbesondere kleiner als 1%, weiter insbesondere kleiner als 0.1%) gewählt.
In weiteren Ausführungsformen kann eine leckstrombasierte Bestimmung der Temperaturverteilung im Bereich der piezoelektrischen Schicht 16 auch unter Ausnutzung des Umstandes erfolgen, dass die Kapazität der piezoelektrischen Schicht 16 ebenfalls eine signifikante Temperaturabhängigkeit aufweist. Hierzu kann über die Elektrodenanordnungen vorübergehend und zum Zwecke der erfindungsgemäßen Temperaturbestimmung ein elektrisches Wechselfeld angelegt und eine Impedanzmessung durchgeführt werden. Dieses elektrische Wechselfeld kann insbesondere eine Frequenz im Bereich von 10Hz bis 100kHz, weiter insbesondere im Bereich von 100Hz bis 10kHz aufweisen.
In einem Berechnungsbeispiel nimmt etwa die Dielektrizitätskonstante ε von einem Wert ε₁(T)= 1286 bei einer Temperatur T₁ = 20°C auf einen Wert ε₂(T)= 1399 bei einer Temperatur T₂ = 40°C zu. Hiermit einher geht ein Anstieg der Kapazität C_PZT der piezoelektrischen Schicht von einem Wert C_PZT,1 = 4.47nF auf einen Wert C_PZT,2 = 4.86nF.
Das erfindungsgemäße Konzept ist hinsichtlich der Bestimmung der im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung nicht auf die vorstehend beschriebene Messung von Leckströmen beschränkt.
Insbesondere kann in Ausführungsformen der Erfindung die Bestimmung der Temperaturverteilung im Bereich der piezoelektrischen Schicht auch unter Verwendung von Temperatursensoren erfolgen, welche - wie lediglich schematisch in 3 angedeutet - beispielsweise innerhalb des Spiegelsubstrats und in möglichst geringem Abstand zur piezoelektrischen Schicht angeordnet sein können. In 3 sind im Vergleich zu 1 analoge bzw. im Wesentlichen funktionsgleiche Komponenten mit um „20“ erhöhten Bezugsziffern bezeichnet.
Zur Erzielung einer guten Ortsauflösung bei der Temperaturbestimmung ist der Einsatz einer möglichst großen Anzahl von Temperatursensoren 45 vorteilhaft, wobei insbesondere pro Elektrode 40 der ersten (aus den einzelnen Elektroden 40 zusammengesetzten) Elektrodenanordnung ein Temperatursensor vorgesehen sein kann.
Die Temperatursensoren 45 können insbesondere in Form von an das Temperaturfeld der piezoelektrischen Schicht 36 koppelnden temperaturabhängigen Widerständen oder Impedanzen ausgestattet sein, wobei zur hochgenauen Widerstandsmessung im Stand der Technik bekannte Brückenschaltungen verwendet werden können.
In weiteren Ausführungsformen kann die erfindungsgemäße Ermittlung der im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung auch unter Verwendung einer Infrarotkamera erfolgen, wobei aus einem von dieser Infrarotkamera aufgenommenen Kamerabild jeweils auf die Temperaturverteilung geschlossen werden kann.
Nach der vorstehend anhand unterschiedlicher Ausführungsformen beschriebenen Bestimmung der Temperaturverteilung im Bereich der piezoelektrischen Schicht wird erfindungsgemäß die Spannungsansteuerung der ersten und/oder zweiten Elektrodenanordnung in Abhängigkeit von dieser Temperaturverteilung angepasst, so dass die über diese Spannungsansteuerung erzielte Spiegeldeformation bzw. die im optischen System letztlich bewirkte Aberrationskorrektur auch die entsprechende aktuelle Temperaturverteilung und die sich hieraus ergebenden piezoelektrischen Eigenschaften (insbesondere den Wert des d₃₃-Koeffizienten) berücksichtigt.
Zur Festlegung der geeigneten Anpassung der Spannungsansteuerung wird vorzugsweise in einer Vorab-Kalibrierung die Deformation der piezoelektrischen Schicht für unterschiedliche Temperaturen bestimmt. Ein hierzu verwendbarer Kalibrierstand kann beispielsweise einen interferometrischen Aufbau aufweisen, in welchem die Verformung der piezoelektrischen Schicht bei vorgegebener elektrischer Spannung sowie unterschiedlichen (z.B. über eine InfrarotHeizquelle eingestellten) Temperaturen ermittelt wird.
4 zeigt in schematischer Darstellung den möglichen Aufbau eines solchen Kalibrierstandes. Dabei wird der Ausdehnungskoeffizient d₃₃ über die interferometrische Messung der Oberflächendeformation des (in 4 mit „54“ bezeichneten) deformierbaren Spiegels bestimmt. Eine Heizvorrichtung 55 (z.B. ein IR-Strahler) dient zur Einstellung unterschiedlicher Temperaturen auf dem Spiegel 54. Der Kalibrierstand weist weiter eine zur Temperaturmessung dienende Infrarotkamera 57 und mit „56“ bezeichnete Elektronikeinheit zur Spannungsansteuerung sowie Leckstrommessung auf. In dem interferometrischen Messaufbau von 4 trifft von einer (nicht dargestellten) Lichtquelle erzeugtes Messlicht über eine optische Faser 51 und einen Strahlteiler 52 auf ein Computergeneriertes Hologramm (CGH) 53. Durch Reflexion der von diesem CGH 53 ausgehenden elektromagnetischen Strahlung an einem Referenzspiegel 60 wird eine Referenzwelle erzeugt, wohingegen durch Reflexion der vom CGH 53 ausgehenden elektromagnetischen Strahlung am Spiegel 54 eine Prüfwelle erzeugt wird. Die Referenzwelle und die Prüfwelle gelangen über den Strahlteiler 52 sowie eine Okularlinse 58 auf einen Detektor 59 (z.B. in Form einer CCD-Kamera) und interferieren dort miteinander, so dass mit dem Detektor 59 bzw. der CCD-Kamera ein Interferogramm für die Spiegeloberfläche des Spiegels 54 aufgezeichnet wird.
5 zeigt ein Diagramm zur Erläuterung des möglichen Ablaufs eines erfindungsgemäßen Verfahrens. Dabei erfolgt gemäß 5 zunächst in einem optionalen Schritt S51 unter Verwendung eines Kalibrierstandes (z.B. mit dem vorstehend anhand von 4 beschriebenen Aufbau) für unterschiedliche Temperaturen sowie unterschiedliche an die Elektrodenanordnungen des deformierbaren Spiegels angelegten elektrische Spannungen die elektrodenaufgelöste (bzw. ortsaufgelöste) Bestimmung des d₃₃-Koeffizienten bzw. der Verformung der piezoelektrischen Schicht des deformierbaren Spiegels in Abhängigkeit vom Leckstrom.
In einem anschließenden Schritt S52 werden die für die jeweiligen Elektroden des deformierbaren Spiegels erhaltenen Werte des d₃₃-Koeffizienten in Abhängigkeit vom Leckstrom in jeweils einer (für den individuellen Spiegel erstellten) Datenbank abgelegt. Sodann erfolgt im Schritt S53 die Vorgabe eines Sollprofils des betreffenden deformierbaren Spiegels im Betrieb der mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. In einem Schritt S54 wird die Messung der jeweiligen Leckströme durchgeführt, woraufhin im Schritt S55 eine ortsabhängige Bestimmung des d₃₃-Koeffizienten auf Basis der gemessenen Leckströme und der vorstehend genannten Datenbank erfolgt. Im anschließenden Schritt S56 wird eine zur Einstellung des gewünschten Sollprofils erforderliche elektrische Spannung bestimmt. Diese elektrische Spannung wird im Schritt S57 an die Elektrodenanordnungen des deformierbaren Spiegels angelegt. Optional erfolgt gemäß Schritt S58 eine periodische Kontrollmessung der Leckströme.
6 zeigt eine schematische Darstellung einer beispielhaften für den Betrieb im EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die vorliegende Erfindung realisierbar ist.
Gemäß 6 weist eine Beleuchtungseinrichtung in einer für EUV ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage 600 einen Feldfacettenspiegel 603 und einen Pupillenfacettenspiegel 604 auf. Auf den Feldfacettenspiegel 603 wird das Licht einer Lichtquelleneinheit, welche eine Plasmalichtquelle 601 und einen Kollektorspiegel 602 umfasst, gelenkt. Im Lichtweg nach dem Pupillenfacettenspiegel 604 sind ein erster Teleskopspiegel 605 und ein zweiter Teleskopspiegel 606 angeordnet. Im Lichtweg nachfolgend ist ein Umlenkspiegel 607 angeordnet, der die auf ihn treffende Strahlung auf ein Objektfeld in der Objektebene eines sechs Spiegel 651-656 umfassenden Projektionsobjektivs lenkt. Am Ort des Objektfeldes ist eine reflektive strukturtragende Maske 621 auf einem Maskentisch 620 angeordnet, die mit Hilfe des Projektionsobjektivs in eine Bildebene abgebildet wird, in welcher sich ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes Substrat 661 auf einem Wafertisch 660 befindet.
7 zeigt einen prinzipiell möglichen Aufbau einer für den Betrieb im VUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 700. Die Projektionsbelichtungsanlage 700 weist eine Beleuchtungseinrichtung 710 sowie ein Projektionsobjektiv 720 auf. Die Beleuchtungseinrichtung 710 dient zur Beleuchtung einer strukturtragenden Maske (Retikel) 730 mit Licht von einer Lichtquelleneinheit 701, welche beispielsweise einen ArF-Excimerlaser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm sowie eine ein paralleles Lichtbündel erzeugende Strahlformungsoptik umfasst. Die Beleuchtungseinrichtung 710 weist eine optische Einheit 711 auf, die u.a. im dargestellten Beispiel einen Umlenkspiegel 712 umfasst. Die optische Einheit 711 kann zur Erzeugung unterschiedlicher Beleuchtungssettings (d.h. Intensitätsverteilungen in einer Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung 710) beispielsweise ein diffraktives optisches Element (DOE) sowie ein Zoom-Axikon-System aufweisen. In Lichtausbreitungsrichtung nach der optischen Einheit 711 befindet sich im Strahlengang eine Lichtmischeinrichtung (nicht dargestellt), welche z.B. in für sich bekannter Weise eine zur Erzielung einer Lichtmischung geeignete Anordnung aus mikrooptischen Elementen aufweisen kann, sowie eine Linsengruppe 713, hinter der sich eine Feldebene mit einem Retikel-Maskierungssystem (REMA) befindet, welches durch ein in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgendes REMA-Objektiv 714 auf die strukturtragende, in einer weiteren Feldebene angeordnete Maske (Retikel) 730 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf dem Retikel begrenzt.
Die strukturtragende Maske 730 wird mit dem Projektionsobjektiv 720 auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) versehenes Substrat bzw. einen Wafer 740 abgebildet. Das Projektionsobjektiv 720 kann insbesondere für den Immersionsbetrieb ausgelegt sein, in welchem Falle sich bezogen auf die Lichtausbreitungsrichtung vor dem Wafer bzw. dessen lichtempfindlicher Schicht ein Immersionsmedium befindet. Ferner kann es beispielsweise eine numerische Apertur NA größer als 0.85, insbesondere größer als 1.1, aufweisen.
Grundsätzlich kann ein beliebiger Spiegel der anhand von 6 bzw. 7 beschriebenen Projektionsbelichtungsanlage 600 bzw. 700 in der erfindungsgemäßen Weise als deformierbarer bzw. adaptiver Spiegel ausgestaltet sein.
Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102013219583 A1 [0009]
DE 102015213273 A1 [0009]

Claims

Verfahren zum Betreiben eines deformierbaren Spiegels (10, 30), wobei der Spiegel aufweist: • ein Spiegelsubstrat (12, 32); • ein Reflexionsschichtsystem (21, 41) zur Reflexion von auf eine optische Wirkfläche (11, 31) des Spiegels auftreffender elektromagnetischer Strahlung; und • wenigstens eine piezoelektrische Schicht (16, 36), welche zwischen Spiegelsubstrat (12, 32) und Reflexionsschichtsystem (21, 41) angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem (21, 41) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (16, 36) befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat (12, 32) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (16, 36) befindliche Elektrodenanordnung durch eine Spannungsansteuerung der ersten und/oder der zweiten Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist; dadurch gekennzeichnet, das s das Verfahren folgende Schritte aufweist: a) Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht (16, 36) vorliegenden Temperaturverteilung; und b) Anpassen der Spannungsansteuerung der ersten und/oder der zweiten Elektrodenanordnung in Abhängigkeit von der im Schritt a) ermittelten Temperaturverteilung.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) ortsaufgelöst erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) zeitaufgelöst erfolgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die erste oder die zweite Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden (20, 40) aufweist, welche jeweils über eine Zuleitung (19, 39) mit einer elektrischen Spannung bezogen auf die jeweils andere Elektrodenanordnung beaufschlagbar sind.
Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Anpassen der Spannungsansteuerung im Schritt b) derart erfolgt, dass diese Elektroden (20, 40) in Abhängigkeit von einer im Schritt a) ermittelten lokal variierenden Temperaturverteilung unabhängig voneinander mit einer elektrischen Spannung beaufschlagt werden.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Anpassen der Spannungsansteuerung im Schritt b) unter Berücksichtigung einer vorab durchgeführten Kalibrierung erfolgt, wobei bei dieser Kalibrierung jeweils eine Deformation der piezoelektrischen Schicht (16, 36) für unterschiedliche Temperaturen bestimmt wird.
Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass diese Kalibrierung in einem Kalibrierstand durchgeführt wird, welcher eine Heizvorrichtung (55) zur Einstellung unterschiedlicher Temperaturen auf dem Spiegel, eine Einheit (56) zur Spannungsansteuerung sowie Leckstrommessung an dem Spiegel und eine interferometrische Messanordnung zur Messung einer Oberflächendeformation des Spiegels aufweist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) die Messung eines zwischen den Elektrodenanordnungen über die piezoelektrische Schicht (16) fliessenden Leckstroms umfasst.
Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Messung des Leckstroms ortsaufgelöst erfolgt.
Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die erste oder die zweite Elektrodenanordnung eine Mehrzahl von Elektroden (20, 40) aufweist, wobei vor der Messung des Leckstroms diese Elektroden (20, 40) auf das gleiche elektrische Potential gebracht werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) eine Impedanzmessung zur Bestimmung einer temperaturabhängigen Kapazität der piezoelektrischen Schicht (16) umfasst.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Elektrodenanordnungen eine Vermittlerschicht (17, 37) zur Einstellung eines zumindest bereichsweise kontinuierlichen Verlaufs des elektrischen Potentials entlang der jeweiligen Elektrodenanordnung zugeordnet ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) unter Verwendung wenigstens einer Infrarotkamera erfolgt, wobei aus einem von dieser Infrarotkamera aufgenommenen Kamerabild jeweils auf die Temperaturverteilung geschlossen wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Ermitteln der Temperaturverteilung im Schritt a) unter Verwendung einer im Spiegelsubstrat (32) befindlichen Anordnung von Temperatursensoren (45) erfolgt.
Optisches System, mit • einem deformierbaren Spiegel (10, 30) mit einer optischen Wirkfläche (11, 31), einem Spiegelsubstrat (12, 32), einem Reflexionsschichtsystem (21, 41) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11, 31) auftreffender elektromagnetischer Strahlung, und wenigstens einer piezoelektrischen Schicht (16, 36), welche zwischen Spiegelsubstrat (12, 32) und Reflexionsschichtsystem (21, 41) angeordnet ist; • wobei die piezoelektrische Schicht (16, 36) über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtsystem (21, 41) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (16, 36) befindliche Elektrodenanordnung und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat (12, 32) zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht (16, 36) befindliche Elektrodenanordnung mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist; dadurch gekennzeichnet, das s das optische System eine Vorrichtung zum Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht (16, 36) vorliegenden Temperaturverteilung aufweist.
Optisches System nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zum Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht (16) vorliegenden Temperaturverteilung basierend auf der Messung eines zwischen den Elektrodenanordnungen über die piezoelektrische Schicht (16) fliessenden Leckstroms ausgelegt ist.
Optisches System nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zum Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht (16) vorliegenden Temperaturverteilung basierend auf einer Impedanzmessung zur Bestimmung der temperaturabhängigen Kapazität der piezoelektrischen Schicht (16) ausgelegt ist.
Optisches System nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zum Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung eine Infrarotkamera zur Aufnahme eines Kamerabildes der optischen Wirkfläche aufweist.
Optisches System nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zum Ermitteln einer im Bereich der piezoelektrischen Schicht vorliegenden Temperaturverteilung eine im Spiegelsubstrat (32) befindliche Anordnung von Temperatursensoren (45) aufweist.
Optisches System nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 30nm, insbesondere weniger als 15nm, ausgelegt ist.
Optisches System nach einem der Ansprüche 15 bis 20 dadurch gekennzeichnet, dadurch gekennzeichnet, dass dieses eine Beleuchtungseinrichtung oder ein Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage ist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage ein optisches System nach Anspruch 21 aufweist.