EP1664933A1 - Euv-projektionsobjektiv mit spiegeln aus materialien mit unterschiedlichem vorzeichen der steigung der temperaturabhängigkeit des wärmeausdehnungskoeffizienten nahe der nulldurchgangstemperatur - Google Patents

Euv-projektionsobjektiv mit spiegeln aus materialien mit unterschiedlichem vorzeichen der steigung der temperaturabhängigkeit des wärmeausdehnungskoeffizienten nahe der nulldurchgangstemperatur

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EP1664933A1
EP1664933A1 EP03755564A EP03755564A EP1664933A1 EP 1664933 A1 EP1664933 A1 EP 1664933A1 EP 03755564 A EP03755564 A EP 03755564A EP 03755564 A EP03755564 A EP 03755564A EP 1664933 A1 EP1664933 A1 EP 1664933A1
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EP
European Patent Office
Prior art keywords
mirrors
thermal expansion
projection lens
materials
mirror
Prior art date
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Ceased
Application number
EP03755564A
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English (en)
French (fr)
Inventor
Udo Dinger
Frank Eisert
Stefan Koehler
Andreas Ochse
Johannes Zellner
Martin Lowisch
Timo Laufer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
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Ceased legal-status Critical Current

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    • G21K2201/065—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements provided with cooling means

Definitions

  • the invention relates to a projection objective for short wavelengths, in particular for wavelengths ⁇ ⁇ 157 nm, with a plurality of mirrors, which are arranged in an exact position with respect to an optical axis, and the mirrors have multilayer layers. Furthermore, the invention relates to a project exposure device for EUV lithography and an X-ray optical subsystem for X-rays of wavelength ⁇ R.
  • Projection lenses which are used in the extreme ultraviolet range, are irradiated with soft X-rays.
  • the wavelength range here is 10 to 30 nm.
  • the materials previously used for optics are opaque, whereby the imaging rays are no longer guided through lenses by refraction, but only mirrors can be used.
  • the mirrors used should have the highest possible reflectivity in the EUV area.
  • Such mirrors comprise a substrate which is provided with a multilayer system, a so-called multilayer. This allows the realization of mirrors with high reflectivity in the X-ray range in the case of non-grazing incidence, that is, normal incidence mirrors (vertical incidence).
  • a high reflectivity of the layer stack can be achieved by phase-appropriate superimposition and constructive interference of the partial wave fronts reflected on the individual layers.
  • the layer thicknesses should typically be controlled in the sub-angstrom range ( ⁇ 0.1 nm).
  • Multilayer-coated X-ray mirrors are operated near vertical incidence and are always preferred to mirrors with grazing incidence, which are covered with simpler layers, when high imaging quality due to low aberrations, preferably in imaging systems, is required.
  • the reflectivity of grazing incidence mirrors can still be increased by applying a multilayer.
  • mirrors in particular X-ray mirrors, of an EUVL projection objective or projection system
  • the properties described below should be fulfilled at the same time, which guarantee a mask-true transfer of the structures to the wafer and enable a high contrast of the image and a high reflectivity of the mirror layer.
  • the first property to be mentioned is a good fine pass (figure), i.e. errors in the low spatial frequency range.
  • This generally means structure sizes between 1/10 of the bundle cross sections assigned by the individual pixels up to a free diameter of the mirror. This means that the defects have lateral dimensions on the order of one millimeter to several decimeters. Such errors lead to aberrations and thus reduce the image fidelity and limit the resolution limit of the overall system.
  • the X-ray mirrors should have a low roughness in the MSFR (mid spatial frequency roughness) range (middle spatial frequency range).
  • MSFR mid spatial frequency roughness
  • Such local wavelengths typically occur in the range between approx. 1 ⁇ and approx. 1 mm and lead to stray light within the image field and thereby to contrast losses in the imaging optics.
  • the necessary prerequisites for achieving high reflectivities are sufficiently low layer and substrate roughness in the so-called HSFR (high spatial frequency roughness) range.
  • HSFR high spatial frequency roughness
  • the HSFR area leads to light losses due to scattering outside the field of view of the optics or due to disturbances in the microscopic superimposition of the partial wave trains.
  • the relevant local wavelength range is limited at the top by the criterion of scatter outside the image field and, depending on the application, is in the range of a few ⁇ m for EUV wavelengths. In general, no limit is defined for the high-frequency limit.
  • HSFR can be measured with the well-known Atomic Force microscopes (AFM), which have the necessary lateral and vertical resolution.
  • AFM Atomic Force microscopes
  • projection optics both figure as well as the MSFR and the HSFR can be controlled within a few angstroms rms (root ean square - square mean).
  • X-ray mirrors which have the lowest possible thermal expansion coefficient, such as ZERODUR ® or ULE ® .
  • the surface shape of the mirror can thus be kept stable even during operation under thermal loads.
  • Single-crystalline silicon could also be used as a carrier, since it allows very low roughness.
  • the higher coefficient of thermal expansion in silicon can be partially compensated for by the significantly higher thermal conductivity and suitable cooling.
  • silicon has mechanical anisotropy and can generally only be used for small mirror sizes due to the required single crystallinity.
  • Another major disadvantage is the comparatively high price of the single-crystal material. Silicon will therefore only be used at very high thermal loads, for example in lighting systems.
  • the titanium silicate glass also known as ULE ® , is specified specifically in WO 01/08163 AI for projection lenses in EUV lithography.
  • An illumination subsystem illuminates a mask or a reticle with X-rays.
  • a projection subsystem has reflective, multilayer-coated titanium silicate glasses which have a flawless surface.
  • the Titanium silicate glasses are heated to an operating temperature by means of the X-ray radiation, the titanium doping substance level preferably being regulated such that the glass has a thermal coefficient of thermal expansion which is centered around zero at the operating temperature.
  • the titanium silicate glass specified here thus has a variation in the thermal coefficient of thermal expansion of ⁇ 10 ppb.
  • the object is achieved in that at least two different mirror materials which differ in the slope of the thermal expansion coefficient as a function of the temperature in the region of the zero crossing of the thermal expansion coefficient, in particular in the sign of the slope, are provided, advantageously being used in an EUV Range with wavelengths ⁇ ⁇ 20 nm is provided.
  • the projection lens is constructed with mirrors that reflect the light radiation.
  • the construction of the projection lens with at least two different mirror materials, the mirror materials having a very small thermal coefficient of thermal expansion, is advantageous in that the image errors of the projection lens are assigned by a suitable assignment of the materials to the individual mirrors can be balanced or compensated for local and global temperature increases so that the resulting effects are minimized.
  • the projection lens can be operated with stronger light sources, which consequently guarantees a higher wafer throughput and thus increased productivity.
  • the requirements for the thermal coefficient of thermal expansion (CTE) of the materials can be reduced, which consequently enables a higher yield and therefore more economical use of the materials.
  • An advantageous embodiment of the invention can provide that at least one mirror made of a glass-ceramic material and at least one mirror made of an amorphous titanium silicate glass is provided.
  • the coefficients of thermal expansion of a glass-ceramic material and an amorphous titanium silicate glass are so small that they can be made to disappear at a certain temperature. Using such materials as mirror substrates with correct assignment of the materials to the mirrors, image errors can be significantly minimized and the overall system quality can be improved.
  • Figure 1 is a schematic representation of a 6-mirror projection lens, as known from DE 100 378 70 AI;
  • FIG. 2 shows the dependence of the CTE (T) on the temperature in the region of the zero crossing temperature (ZCT).
  • FIG. 3 shows a graphical representation of the sensitivities of the imaging errors without manipulator correction
  • FIG. 4 shows a graphical representation of the compensation of thermally induced image errors by means of manipulators.
  • Figure 5 is a graphical representation of a material mix optimization for distortion (NCE).
  • FIG. 1 shows an exemplary 6-mirror projection lens 1 known from the prior art, for example according to DE 100 37 870 A1, when used in the EUV range with wavelengths ⁇ ⁇ 157 nm, in particular ⁇ ⁇ 20 nm, with a Object 0 is located in object level 2.
  • the object 0 to be imaged represents a mask or a reticle in the lithography.
  • the object 0 is generated via a first mirror Ml, a second mirror M2, a third mirror M3, a fourth mirror M4, a fifth mirror M5 and a sixth mirror M6 mapped in an image plane 3.
  • a wafer is arranged in the image plane 3 in the lithography.
  • Ml, M2, M3, M4, M5 and M6 are aspherical mirrors, the first mirror M1 being designed as a convex mirror.
  • a diaphragm B limits the rays 4 passing through the system 1.
  • the diaphragm B is located directly on the second mirror M2 or in the immediate vicinity of the mirror M2.
  • the overall system is arranged centered on an optical axis 5 and has a telecentric beam path in the image plane 3.
  • an intermediate image Z is formed between the fourth mirror M4 and the fifth mirror M5. This intermediate image Z is in turn imaged into the image plane 3 via the mirrors M5 and M6.
  • the thermal expansion coefficients (CTE) of suitable glass-ceramic materials can be set at a certain temperature that can be set in certain ranges, namely the zero crossing temperature - zero crossing temperature (ZCT) - can be made to disappear, as shown schematically in FIG.
  • ZCT zero crossing temperature - zero crossing temperature
  • the two material classes differ, among other things, in the dependence of the coefficient of thermal expansion on the temperature in the area of zero crossing temperature.
  • the special functional profile of the thermal coefficient of thermal expansion with respect to the temperature and the distribution of inhomogeneities is also different.
  • the zero crossing temperature should be in the range between 0 and 100 ° C, advantageously between 10 and 50 ° C.
  • the Term - CTE (T) negative
  • ULE ® the Ter dT
  • - CTE (T) is positive.
  • ZCT zero crossing temperature
  • Materials should advantageously be used which have an increase in the coefficient of thermal expansion of less than 100 ppb / K 2 , in particular less than 10 ppb / K 2 .
  • materials which have a CTE slope of less than 2ppb / K 2 such as ZERODUR ® or ULE ® , are particularly preferred.
  • the glass-ceramic materials as well as the amorphous titanium-silicate glasses, can now be used to compensate for global and local temperature increases in such a way that the resulting effects or still existing imaging errors are minimized.
  • This is done by appropriately assigning the two different mirror materials, which differ in the slope of the coefficient of thermal expansion as a function of temperature, in particular in the sign of the size, to the individual mirrors M1, M2, M3, M4, M5 and M6.
  • the temperature distributions to be expected and, in turn, the resulting surface deformations are first determined using finite element analyzes. These are then superimposed on the ideal surfaces in an optical beam tracing program (eg code V) and the resulting imaging errors are determined.
  • an optical beam tracing program eg code V
  • the most prominent aberrations such as distortion (NCE), field curvature (FPD), astigmatism (AST), coma (Zernike coefficient 7/8), spherical aberration (Zernike coefficient Z9) and influences the root mean square of the wavefront errors (RMS) and the resulting effects are minimized.
  • the overall projection lens 1 can be operated with stronger light sources, which means that a higher wafer throughput and an increased productivity can be guaranteed.
  • a composition of the projection objective 1 can be achieved from mirrors Ml, M2, M3, M4, M5 and M6, which are arranged to minimize thermal errors due to their mirror materials.
  • ULE ® Due to the process, ULE ® is a layered material.
  • the use of ULE ® may cause a low-frequency MSFR due to the streaks that occur, at least on curved surfaces, which in turn leads to small-angle scattering.
  • Such scattering is particularly disruptive on mirrors close to the pupil, since it affects a field-dependent non-uniformity of the illuminance on the wafer or on the image plane 3.
  • the small-angle scatter essentially leads to nonuniformities in the illuminance in the pupil, that is to say the angular distribution of the light rays in a field point. This effect can be classified as much less critical than the non-uniformity of the illuminance on the wafer.
  • the crystallite structure of glass ceramic materials is prepared by certain manufacturing processes (see WO 03/16233 AI or DE 101 27 086 AI) and preferably contributes to high-frequency MSFR components and HSFR components, that is, wide-angle scattering is caused. It is therefore advantageous if the glass-ceramic material or ZERODUR ® is preferably used in mirrors in which these spatial frequencies scatter in angular ranges that do not reach the wafer through vignetting or masking.
  • the material should preferably be used in mirrors with large bundle cross sections, it also being possible for mirrors to be arranged in the front part, that is to say in the region remote from the wafer, of the lens 1 so that the scattered light is masked out by the aperture B or the other mirrors, so that it does not or minimized arrives in the wafer level 3.
  • An optimization of the scattered light distribution in the wafer plane can thus be achieved by a suitable composition of the mirror materials.
  • FIG. 3 shows the sensitivities of the above-mentioned imaging errors in connection with the assignment of the materials to the individual mirrors Ml, M2, M3, M4, M5 and M6 for an exemplary objective relative to a suitably defined tolerance range, the sensitivities of the absolute errors in nm, arranged according to combinations of the materials ZERODUR ® and ULE ® .
  • the combinations are symmetrical with regard to a common change of sign of the CTE (T) slope on all mirrors Ml, M2, M3, M4, M5 and M6.
  • the plus sign stands for the material ULE ® and the minus sign for the material ZERODUR ® in the relevant arranged mirror.
  • the analyzes were carried out with the following, exemplary, but realistic heat loads, which represent the absorbed power of the respective mirrors:
  • the material mix can be further optimized by arranging ULE ® mirrors in areas close to the field and not near the pupil.
  • ULE ® 1 may be preferably for the mirrors Ml be used M3 and M4.
  • FIG. 4 shows the compensation of the thermally induced image errors by using manipulators which allow whole-body movement of the individual mirrors M1, M2, M3, M4, M5 and M6 during operation.
  • FIG. 4 shows that for any material combinations, by changing the distances, the decentration and the tilting of the mirrors Ml, M2, M3, M4, M5 and M6, all image defects can be checked within their specified tolerance ranges.
  • NCE material mix optimization for distortion
  • FIG. 5 A material mix optimization for distortion (NCE) is shown graphically in FIG.
  • the sensitivities without manipulator correction from FIG. 4 are shown arranged according to NCE residual errors.
  • the material mix that produces the lowest NCE is shown in the left area of the graphic.
  • a mix of "+++ - + -" or "+ - +”, as can be seen provides the lowest NCE.
  • ULE ® -ZERODUR ® combination it can be seen particularly clearly that all image defects, NCE, FPD, AST, Z7 / 8, Z9 and RMS can be found within the tolerance range without costly manipulator correction, as can be seen in FIG. 5 , It is now clearly shown that a combination of materials with ULE ® / ZERODUR ® can influence distortion (NCE) in particular. Other image errors can also be influenced and minimized by such a combination of materials.
  • the specified material distribution was determined for an exemplary system with an exemplary temperature distribution, without being restricted to this.
  • different optimal material combinations can occur in the inventive sense.
  • the invention should not be limited to EUVL components. Depending on thermal and litter light specification, it can be advantageous to optimize reflective components, for example of a 157 nm lithography system, from these points of view.

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Abstract

Ein Projektionsobjektiv (1) für kurze Wellenlängen, insbesondere für Wellenlängen lambda < 157 nm ist mit mehreren Spiegeln (M1, M2, M3, M4, M5 und M6), welche zu einer optischen Achse (5) positionsgenau angeordnet sind, versehen. Die Spiegel (M1, M2, M3, M4, M5 und M6) weisen Multilayerschichten auf. Wenigstens zwei unterschiedliche Spiegelmaterialien, die sich in der Steigung des Wärmeausdehnungskoeffizienten als Funktion der Temperatur im Bereich des Nulldurchgangs der Wärmeausdehnungskoeffizienten, insbesondere im Vorzeichen der Grösse, unterscheiden, sind vorgesehen.

Description

EUV- PROJEKTIONSOBJEKTIV MIT SPIEGELN AUS MATERIALIEN MIT UNTERSCHIEDLICHEM VORZEICHEN DER STEIGUNG DER TEMPERATURABHÄNGIGKEIT DES WÄRMEAUSDEHNUNGSKOEFFI- I ENTEN NAHE DER NULLDURCHGANGSTEMPERATUR
Die Erfindung betrifft ein Projektionsobjektiv für kurze Wellenlängen, insbesondere für Wellenlängen λ < 157 nm, mit mehreren Spiegeln, welche zu einer optischen Achse positionsgenau angeordnet sind, und wobei die Spiegel Multilayerschich- ten aufweisen. Des weiteren betrifft die Erfindung eine Pro- j ektionsbelichtungsvorrichtung für die EUV-Lithographie sowie ein röntgenoptisches Subsystem für Röntgenstrahlen der Wellenlänge λR.
Projektionsobjektive, welche im extremen Ultraviolettbereich eingesetzt werden, werden mit weicher Röntgenstrahlung durchstrahlt. Der Wellenlängenbereich liegt hier bei 10 bis 30 nm. Für das dabei eingesetzte extreme UV-Licht sind die für die Optik bisher nutzbaren Werkstoffe undurchsichtig, wobei die abbildenden Strahlen nicht mehr per Brechung durch Linsen geführt werden, sondern nur noch Spiegel eingesetzt werden können. Die eingesetzten Spiegel sollten eine möglichst hohe Re- flektivität im EUV-Bereich aufweisen. Derartige Spiegel umfassen ein Substrat, welches mit einem Mehrfachschichtsystem, einem sogenannten Multilayer, versehen ist. Dieser erlaubt die Realisierung von Spiegeln mit hoher Reflektivität im Röntgenbereich bei nicht streifendem Einfall, also von normal incidence Spiegeln (senkrechter Einfall) . Für derartige Mehrfachschichtsysteme können Schichtsysteme, beispielsweise mit Mo/Si (Molybdän/Silizium) , Mo/Be (Molybdän/Beryllium) , Mo- Ru/Be-Schichtstapeln mit 40 bis 100 Schichtpaaren verwendet werden, wobei hierdurch im EUV-Bereich mit λ = 10 bis 20 nm Spitzenreflektivitäten von 70 bis 80 % erreicht werden kön- nen. Je nach Wellenlänge des zu reflektierenden Lichtes können unterschiedliche Schichtsysteme zum Einsatz kommen.
Durch phasengerechte Überlagerung und konstruktive Interferenz der an den einzelnen Schichten reflektierten Teilwellenfronten kann eine hohe Reflektivität der Schichtstapel erreicht werden. Die Schichtdicken sollten dabei allerdings typischerweise im Sub-Angström-Bereich (< 0,1 nm) kontrolliert werden.
Multilayerbeschichtete Röntgenspiegel werden nahe senkrechtem Einfall betrieben und werden den mit einfacheren Schichten belegten Spiegeln mit streifendem Einfall (grazing incidence) immer dann vorgezogen, wenn hohe Abbildungsgüte durch geringe Aberrationen, vorzugsweise in abbildenden Systemen, gefordert wird. Die Reflektivität von grazing incidence-Spiegeln lässt sich aber dennoch durch Aufbringen eines Multilayers weiter erhöhen.
Für Spiegel, insbesondere Röntgenspiegel, eines EUVL- Projektionsobjektives bzw. Projektionssystems sollten die nachfolgend beschriebenen Eigenschaften gleichzeitig erfüllt sein, welche eine maskengetreue Übertragung der Strukturen auf den Wafer garantieren sowie einen hohen Kontrast der Abbildung und eine hohe Reflektivität der Spiegelschicht ermöglichen.
Als erste Eigenschaft wäre eine gute Feinpasse (figure) , also Fehler im niedrigen Ortsfrequenzbereich, zu erwähnen. Hierunter werden im allgemeinen Strukturgrößen zwischen 1/10 der durch die einzelnen Bildpunkte zugeordneten Bündelquerschnitte bis zu einem freien Durchmesser des Spiegels verstanden. Dies bedeutet, dass die Fehler Lateralausdehnungen in einer Größenordnung von einem Millimeter bis mehrere Dezimeter haben. Derartige Fehler führen zu Aberrationen und reduzieren damit die Abbildungstreue und beschränken die Auflösungsgren- ze des Gesamtsystems.
Des weiteren sollten die Röntgenspiegel eine geringe Rauhigkeit im MSFR (mid spatial frequency roughness) -Bereich (mittlerer Ortsfrequenzbereich) aufweisen. Derartige Ortswellenlängen kommen typischerweise im Bereich zwischen ca. 1 μ und ca. 1 mm vor und führen zu Streulicht innerhalb des Bildfeldes und dadurch zu Kontrastverlusten in der abbildenden Optik.
Notwendige Voraussetzungen für das Erreichen hoher Reflekti- vitäten sind hinreichend geringe Schicht- und Substratrauheiten im sogenannten HSFR (high spatial frequency roughness) - Bereich. Der HSFR-Bereich führt je nach Sichtweise zu Lichtverlusten durch Streuung außerhalb des Bildfeldes der Optik bzw. durch Störungen der mikroskopisch phasenrichtigen Überlagerung der Teilwellenzüge. Der relevante Ortswellenlängenbereich ist nach oben hin durch das Kriterium Streuung außerhalb des Bildfeldes begrenzt und liegt anwendungsabhängig bei EUV-Wellenlängen im Bereich von einigen μm. Am hochfrequenten Limit wird im allgemeinen keine Grenze definiert. Hierbei kann ein sinnvoller Richtwert im Bereich der halben Wellenlänge des einfallenden Lichtes angegeben werden, da noch höhere Ortsfrequenzen von den einfallenden Photonen nach den bisher bekannten Erkenntnissen nicht mehr gesehen werden können. Die HSFR kann mit den bekannten Atomic-Force Mikroskopen (AFM) vermessen werden, welche die nötige laterale und vertikale Auflösung aufweisen. In Projektionsoptiken müssen sowohl figure als auch die MSFR und die HSFR innerhalb weniger Angström rms (root ean Square - quadratischer Mittelwert) kontrolliert werden.
Des weiteren sollten für die Röntgenspiegel Materialen eingesetzt werden, welche einen möglichst geringen thermischen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen, wie beispielsweise ZERODUR® oder ULE®. Somit kann die Oberflächenform des Spiegels auch im Betrieb unter thermischen Lasten stabil gehalten werden. Auch einkristallines Silizium wäre als Träger einsetzbar, da es sehr geringe Rauhigkeiten zulässt. Des weiteren lässt sich in Silizium der höhere Wärmeausdehnungskoeffizient durch die deutlich höhere Wärmeleitfähigkeit und eine geeignete Kühlung teilweise kompensieren. Jedoch weist Silizium eine mechanische Anisotropie auf und ist im allgemeinen aufgrund der geforderten Einkristallität nur für kleine Spiegelgrößen einsetzbar. Des weiteren ist ein wesentlicher Nachteil der vergleichsweise hohe Preis des einkristallinen Materials. Daher wird Silizium nur bei sehr hohen thermischen Lasten, beispielsweise in Beleuchtungssystemen, zum Einsatz kommen.
Es hat sich gezeigt, dass bisher nur geeignete glaskeramische Materialen, z.B. Schott: ZERODUR®, Ohara: CLEARCERAM-Z®, oder auch amorphe Titan-Silikatgläser, z.B. Corning: ULE , für derartige Spiegel in Frage kommen, da diese einen thermischen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) besitzen, welcher bei einer bestimmten Temperatur, welche auch als zero crossing tem- perature (ZCT) bezeichnet wird, zum Verschwinden gebracht werden kann. Bei finiten, lokalen und globalen Abweichungen der Betriebstemperatur von der zero crossing temperature verschwindet der thermische Wärmeausdehnungskoeffizient aller- dings nicht vollständig und es kommt somit zu einer Deformation der Oberfläche. Die Toleranzen für diese Deformationen liegen für globale, homogene Deformationen des Spiegels bei ca. 100 nm, für lokale örtlich variierende Deformationen im Bereich von 50pm - 200pm. Bei Durchführung von Simulationen hat sich gezeigt, dass insbesondere Verzeichnungsfehler des Projektionsobjektives, wobei die darin enthaltenen optischen Komponenten entweder nur aus ULE oder nur aus ZERODUR bestehen, so empfindlich auf Thermallasten reagieren, dass sie während des Betriebes durch kostspielige Manipulatoren unter Inkaufnahme von Totzeiten kompensiert werden müssen.
Bei Verwendung der derzeit eingesetzten Materialen wird die erreichbare Systemgüte im Hinblick auf Röntgenoptiken in unterschiedlicher Weise stark beeinträchtigt.
Bezüglich den Projektionsoptiken für die EUV-Lithographie und den eingesetzten röntgenoptischen Komponenten wird auf die DE 100 37 870 AI und auf die US 6,353,470 Bl verwiesen, deren Aussagen vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mit aufgenommen werden.
Das Titan-Silikatglas, auch bekannt als ULE®, wird speziell in der WO 01/08163 AI für Projektionsobjektive in der EUV- Lithographie angegeben. In diesem Dokument wird ein Projektionslithographieverfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen und erzeugten Mustern mit extrem kleinen Objektdimensionen beschrieben. Ein Beleuchtungsteilsystem beleuchtet mit Röntgenstrahlung eine Maske bzw. ein Reticle. Ein Projektionsteilsystem weist reflektive, multilayerbeschichtete Titan-Silikatgläser auf, welche eine fehlerfreie Oberfläche besitzen. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die Titan-Silikatgläser mittels der Röntgenstrahlung auf eine Betriebstemperatur erhitzt, wobei vorzugsweise das Titandotie- rungssubstanzniveau derart reguliert wird, dass das Glas einen thermischen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, welcher bei der Betriebstemperatur sich um Null zentriert. Das hier angegebene Titan-Silikatglas weist somit eine Variation des thermischen Wärmeausdehnungskoeffizienten von < 10 ppb auf.
Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Projektionsobjektiv der eingangs erwähnten Art unter Vermeidung der Nachteile des Standes der Technik zu schaffen, bei dem die gesamte Abbildungsgüte auch bei Temperaturerhöhungen verbessert und die Streulichtcharakteristik optimiert wird.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass wenigstens zwei unterschiedliche Spiegelmaterialien, die sich in der Steigung des Wärmeausdehnungskoeffizienten als Funktion der Temperatur im Bereich des Nulldurchgangs der Wärmeausdehnungskoeffizienten, insbesondere im Vorzeichen der Steigung, unterscheiden, vorgesehen sind, wobei vorteilhafterweise ein Einsatz in einem EUV-Bereich mit Wellenlängen λ < 20 nm vorgesehen ist.
Bei derartigen Wellenlängen von λ < 20 nm wird das Projektionsobjektiv mit Spiegeln aufgebaut, welche die Lichtstrahlung reflektieren. Der Aufbau des Projektionsobjektives mit wenigstens zwei unterschiedlichen Spiegelmaterialen, wobei die Spiegelmaterialen einen sehr kleinen thermischen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen, ist dahingehend von Vorteil, dass durch eine geeignete Zuordnung der Materialen zu den einzelnen Spiegeln die Bildfehler des Projektionsobjektives auf lokale und globale Temperaturerhöhungen so ausbalanciert bzw. kompensiert werden können, dass die resultierenden Effekte minimiert werden. Durch die geeignete Anordnung der Spiegelmaterialien in dem Projektionsobjektiv kann das Projektionsobjektiv mit stärkeren Lichtquellen betrieben werden, was demzufolge einen höheren Waferdurchsatz und damit eine gesteigerte Produktivität garantiert. Andererseits kann bei fester Thermallast die Anforderung an den thermischen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) der Materialen gesenkt werden, was demzufolge eine höhere Gutausbeute und damit ökonomischeren Einsatz der Materialien ermöglicht.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung kann vorsehen, dass wenigstens ein Spiegel aus einem glaskeramischen Material und wenigstens ein Spiegel aus einem amorphen Titan- Silikatglas vorgesehen ist.
Die Wärmeausdehnungskoeffizienten von einem glaskeramischen Material und einem amorphen Titan-Silikatglas sind so klein, dass diese bei einer bestimmten Temperatur zum Verschwinden gebracht werden können. Unter Einsatz derartiger Materialien als Spiegelsubstrate bei einer richtigen Zuweisung der Materialien zu den Spiegeln können Bildfehler wesentlich minimiert und die Gesamtsystemgüte verbessert werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgen anhand von prinzipmäßigen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt :
Figur 1 eine prinzipmäßige Darstellung eines 6-Spiegel- Proj ektionsobjektives, wie aus der DE 100 378 70 AI bekannt;
Figur 2 eine Darstellung der Abhängigkeit des CTE(T) von der Temperatur im Bereich der zero crossing tem- perature (ZCT)
Figur 3 eine graphische Darstellung der Sensitivitäten der Abbildungsfehler ohne Manipulatorkorrektur;
Figur 4 eine graphische Darstellung der Kompensation von thermisch induzierten Bildfehlern mittels Manipulatoren; und
Figur 5 eine graphische Darstellung einer Materialmixoptimierung für die Verzeichnung (NCE) .
Figur 1 zeigt ein aus dem Stand der Technik, z.B. gemäß DE 100 37 870 AI bekanntes, beispielhaftes 6-Spiegel- Projektions-objektiv 1 bei Einsatz im EUV-Bereich mit Wellenlängen λ < 157 nm, insbesondere λ < 20 nm, wobei sich ein Objekt 0 in einer Objektebene 2 befindet. Hierbei stellt das abzubildende Objekt 0 eine Maske bzw. ein Reticle in der Lithographie dar. Das Objekt 0 wird über einen ersten Spiegel Ml, einen zweiten Spiegel M2 , einen dritten Spiegel M3, einen vierten Spiegel M4, einen fünften Spiegel M5 und einen sechsten Spiegel M6 in eine Bildebene 3 abgebildet. In der Bildebene 3 ist in der Lithographie beispielsweise ein Wafer angeordnet. Bei den sechs Spiegeln Ml, M2, M3, M4 , M5 und M6 handelt es sich um asphärische Spiegel, wobei der erste Spiegel Ml als Konvexspiegel ausgebildet ist.
Eine Blende B begrenzt die das System 1 durchlaufende Strahlenbündel 4. Hierbei befindet sich die Blende B direkt auf dem zweiten Spiegel M2 bzw. in direkter Nähe des Spiegels M2. Das Gesamtsystem ist zu einer optischen Achse 5 zentriert angeordnet und weist in der Bildebene 3 einen telezentrischen Strahlengang auf. Des weiteren, wie in Figur 1 deutlich erkennbar, bildet sich zwischen dem vierten Spiegel M4 und dem fünften Spiegel M5 ein Zwischenbild Z aus. Dieses Zwischenbild Z wird wiederum über die Spiegel M5 und M6 in die Bildebene 3 abgebildet.
Die Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) von geeigneten glaskeramischen Materialien, wie beispielsweise ZERODUR® oder ClearCeram-Z®, wie auch von amorphen Titan-Silikatgläsern, wie beispielsweise ULE®, können bei einer bestimmten und in gewissen Bereichen einstellbaren Temperatur, nämlich der Nulldurchgangstemperatur - zero crossing temperature (ZCT) - zum Verschwinden gebracht werden, wie in Figur 2 schematisch aufgezeigt. Allerdings unterscheiden sich die beiden Materi- alklassen unter anderem in der Abhängigkeit des Wärmeausdehnungskoeffizienten von der Temperatur im Bereich der zero crossing temperature. Ebenso ist auch der spezielle funktionale Verlauf des thermischen Wärmeausdehnungskoeffizienten bezüglich der Temperatur und der Verteilung von Inhomogenitäten unterschiedlich. Die zero crossing temperature sollte im Bereich zwischen 0 und 100 °C, vorteilhafterweise zwischen 10 und 50 °C liegen. Nahe der ZCT ist im Falle von ZERODUR® der Term — CTE(T) negativ, während im Falle von ULE® der Ter dT
— CTE(T) positiv ist. Ein typischer Zielwert für den Abso- dT d , lutwert dieser Größe ist — CTE(T) = 1,6 ppb/K . Hierbei kön- dT nen jedoch die exakten Werte dieser Ter e von den hier erwähnten abweichen, wobei jedoch der besondere Augenvermerk auf das unterschiedliche Vorzeichen der beiden CTE-Steigungen im Bereich der zero crossing temperature (ZCT) gelegt wird. Es sollten vorteilhafterweise Materialien verwendet werden, welche eine Steigung des Wärmeausdehnungskoeffizienten betragsmäßig unter 100 ppb/K2, insbesondere unter 10 ppb/K2, aufweisen. Besonders bevorzugt werden jedoch Materialien, welche eine Steigung des CTE von betragsmäßig unter 2ppb/K2 aufweisen, wie beispielsweise ZERODUR® oder ULE®.
Diese Eigenschaften der glaskeramischen Materialien, wie auch der amorphen Titan-Silikatgläser, können nun dazu genutzt werden, globale und lokale Temperaturerhöhungen so zu kompensieren, dass resultierende Effekte bzw. noch bestehende Abbildungsfehler minimiert werden. Dies geschieht durch eine geeignete Zuweisung der zwei unterschiedlichen Spiegelmaterialien, die sich in der Steigung des Wärmeausdehnungskoeffizienten als Funktion der Temperatur, insbesondere im Vorzeichen der Größe, unterscheiden, zu den einzelnen Spiegeln Ml, M2, M3, M4, M5 und M6. Dazu werden zunächst mittels Finite- Elemente-Analysen die zu erwartenden Temperaturverteilungen und daraus wiederum die resultierenden Oberflächendeformationen ermittelt. Diese werden dann in einem optischen Strahlverfolgungsprogramm (z.B. Code V) den idealen Oberflächen ü- berlagert und die resultierenden Abbildungsfehler bestimmt. Durch eine Auswahl der Spiegel aus den richtigen Materialien können die am deutlichsten hervortretenden Abbildungsfehler, wie Verzeichnung (NCE) , Bildfeldwölbung (FPD) , Astigmatismus (AST), Koma (Zernike-Koeffizient 7/8), sphärische Aberration (Zernike-Koeffizient Z9) und der quadratische Mittelwert der Wellenfrontfehler (RMS) beeinflusst und die daraus entstehenden Effekte minimiert werden.
Durch ein Ausbalancieren der temperaturbedingten Abbildungsfehler durch den Einsatz von ZERODUR® und ULE® für die Spiegel kann das Gesamtprojektionsobjektiv 1 mit stärkeren Lichtquellen betrieben werden, was dazu führt, dass ein höherer Waferdurchsatz und eine gesteigerte Produktivität garantiert werden kann. Somit kann eine Zusammensetzung des Projektionsobjektivs 1 aus Spiegeln Ml, M2, M3, M4 , M5 und M6 erreicht werden, welche hinsichtlich ihrer Spiegelmaterialien thermal- bedingte Bildfehler minimierend angeordnet sind.
ULE® ist verfahrensbedingt ein geschichtetes Material. Der Einsatz von ULE® verursacht durch die dadurch auftretenden Schlieren zumindest auf gekrümmten Flächen unter Umständen eine niederfrequente MSFR, welche wiederum zu einer Kleinwinkelstreuung führt. Eine derartige Streuung stört besonders stark auf pupillennahen Spiegeln, da sie sich in eine feldabhängige Nichtuniformität der Beleuchtungsstärke auf dem Wafer bzw. auf der Bildebene 3 auswirkt. Auf feldnahen Spiegeln führt die Kleinwinkelstreuung im wesentlichen zu Nichtunifor- mitäten in der Beleuchtungsstärke in der Pupille, das heißt der Winkelverteilung der Lichtstrahlen in einem Feldpunkt. Dieser Effekt ist wesentlich unkritischer einzustufen als die Nichtuniformität der Beleuchtungsstärke auf dem Wafer. Die Kristallitstruktur von glaskeramischen Materialien, insbesondere ZERODUR®, wird von bestimmten Fertigungsverfahren (siehe hierzu WO 03/16233 AI oder DE 101 27 086 AI) herauspräpariert und trägt vorzugsweise zu hochfrequenten MSFR- Anteilen und HSFR-Anteilen bei, das heißt, dass eine Weitwinkelstreuung verursacht wird. Daher ist es vorteilhaft, wenn das glaskeramische Material bzw. ZERODUR® vorzugsweise in Spiegeln verwendet wird, bei denen diese Ortsfrequenzen in Winkelbereiche streuen, die durch Vignettierung bzw. Ausblendung den Wafer nicht erreichen. Hierbei sollte das Material vorzugsweise in Spiegeln mit großen Bündelquerschnitten eingesetzt werden, wobei auch Spiegel im vorderen Teil, also im waferfernen Bereich, des Objektives 1 angeordnet sein können, damit das Streulicht durch die Blende B oder die anderen Spiegel ausgeblendet wird, so dass es nicht bzw. minimiert in der Waferebene 3 ankommt. Somit kann durch eine geeignete Zusammensetzung der Spiegelmaterialien eine Optimierung der Streulichtverteilung in der Waferebene erreicht werden.
In Figur 3 sind die Sensitivitäten der oben genannten Abbildungsfehler in Verbindung mit der Zuweisung der Materialien zu den einzelnen Spiegeln Ml, M2 , M3, M4, M5 und M6 für ein beispielhaftes Objektiv relativ zu einem geeignet definierten Toleranzbereich dargestellt, wobei die Sensitivitäten der absoluten Fehler in nm, geordnet nach Kombinationen der Materialien ZERODUR® und ULE® angegeben sind. Die Kombinationen sind symmetrisch bezüglich eines gemeinsamen Vorzeichenwechsels der CTE (T) -Steigung auf allen Spiegeln Ml, M2, M3, M4 , M5 und M6. Das Pluszeichen steht für das Material ULE® und das Minuszeichen für das Material ZERODUR® im betreffenden angeordneten Spiegel. Die Analysen wurden mit folgenden, beispielhaften, aber realitätsnahen Wärmelasten, welche die absorbierte Leistung der jeweiligen Spiegel darstellt, durchgeführt:
In diesen Rechnungen wurden die CTE-Inhomogenitäten (Ortsvariationen) nicht mit berücksichtigt.
Bezüglich der Figur 3 bedeutet eine Kombination von „+++++-" d , einen — CTE(T) = +1,6 ppb/K2 auf den Spiegeln Ml, M2, M3, M4 dT
und M5 und einen — CTE(T) = -1,6 ppb/K2 auf dem Spiegel M6. dT
Wenn von ein und dem selben Material für alle Spiegel Ml bis M6 ausgegangen wird, dann stellt das vom Standpunkt der nicht korrigierbaren Verzeichnung (non correctable error) eine schlechte Ausgangsposition dar, um diesen Bildfehler möglichst bestens zu korrigieren. Die Kombinationen „++++++" und
„ " sind fast 2,5 mal außerhalb des Toleranzbereiches.
Bei einem geeigneten Materialmix kann jedoch eine fast 5 mal bessere Systemgüte erreicht werden.
Eine weitere Optimierung des Materialmixes kann durch die Anordnung von ULE®-Spiegeln in feldnahen und nicht in pupillennahen Bereichen vorgenommen werden. In einem derartigen 6- Spiegel-Projektionsobjektiv 1 kann ULE® vorzugsweise für die Spiegel Ml, M3 und M4 eingesetzt werden. In Figur 4 ist die Kompensation der thermisch induzierten Bildfehler durch Einsatz von Manipulatoren, die eine Ganzkörperbewegung der einzelnen Spiegel Ml, M2, M3, M4 , M5 und M6 während des Betriebes erlauben, dargestellt. Die Figur 4 zeigt, dass für beliebige Materialkombinationen durch Änderung der Abstände, der Dezentrierung und der Verkippung der Spiegel Ml, M2 , M3, M4 , M5 und M6 alle Bildfehler innerhalb ihrer spezifizierten Toleranzbereiche kontrolliert werden können.
Nachteilig an dieser Kompensationsmethode ist einerseits der hohe Preis der Manipulatoren, die im allgemeinen ferngesteuert im Vakuum betrieben werden müssen, als auch die Totzeit der Waferbelichtungsanlage, die während des Betriebes durch die Messung und Kompensation der Bildfehler hervorgerufen wird. Durch die Totzeit kommt es zu Produktionseinbußen und damit zu erheblichen ökonomischen Einbußen.
In der Figur 5 ist eine Materialmixoptimierung für die Verzeichnung (NCE) graphisch dargestellt. Hierbei sind die Sensitivitäten ohne Manipulatorkorrektur aus Figur 4 nach NCE- Restfehlern geordnet dargestellt. In der Figur 5 ist im linken Bereich der Graphik der Materialmix dargestellt, welcher den geringsten NCE hervorbringt. Hierbei liefert beispielsweise ein Mix aus „+++-+-" oder „ +-+", wie erkennbar, den geringsten NCE. Bei einer derartigen ULE®-ZERODUR®- Kombination ist besonders deutlich zu erkennen, dass alle Bildfehler, NCE, FPD, AST, Z7/8, Z9 und RMS bereits ohne kostspielige Manipulatorkorrektur, wie aus Figur 5 ersichtlich, innerhalb des Toleranzbereiches zu finden sind. Somit ist nun deutlich aufgezeigt, dass durch eine Materialkombination mit ULE®/ZERODUR® insbesondere die Verzeichnung (NCE) beeinflusst werden kann. Ebenso können auch andere Bildfehler durch eine derartige Materialkombination beeinflusst und minimiert werden.
Die angegebene Materialverteilung wurde für ein beispielhaftes System mit einer beispielhaften Temperaturverteilung bestimmt, ohne sich darauf zu beschränken. Für andere optische Systeme oder Temperaturverteilungen können sich im erfinderischen Sinne unterschiedliche optimale Materialkombinationen einstellen.
Es ist zu erwarten, dass räumliche Inhomogenitäten der CTE- Verteilung bei Temperaturänderungen zu Oberflächendeformationen führen werden. Diese werden das Frequenzverhalten der CTE-Variationen mehr oder weniger nachbilden. Bei Durchführung von Simulationen hat sich jedoch gezeigt, dass im wesentlichen nieder- und mittelfrequente Fehler relevant sind (> 1 mm, MSFR bzw. der Formfehler). Ursache derartiger relevanter Fehler kann beispielsweise die thermische Deformation, welche proportional zur Domänengröße ist, sein. Andererseits kann die Ursache in den elastomechanischen Eigenschaften des Festkörpers selbst liegen, was zu einer verstärkten Dämpfung bei höheren Ortsfrequenzen führt. Die Frequenzverteilung dieser Inhomogenitäten ist materialabhängig, so dass auch hier eine Optimierung durchgeführt werden kann.
Es ist von einer Selbstverständlichkeit auszugehen, dass auch andere Materialien zur Optimierung von derartigen Bildfehlern denkbar wären. Ebenso sollte die Erfindung sich nicht nur auf EUVL-Komponenten beschränken. Je nach Thermal- und Streu- lichtspezifikation kann es von Vorteil sein, bevorzugt re- flektive Komponenten, beispielsweise eines 157nm- Lithographie-Systems, nach diesen Gesichtspunkten zu optimieren.

Claims

Patentansprüche :
1. Projektionsobjektiv für kurze Wellenlängen, insbesondere für Wellenlängen λ < 157nm, mit mehreren Spiegeln, welche zu einer optischen Achse positionsgenau angeordnet sind, und wobei die Spiegel Multilayerschichten aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens zwei unterschiedliche Spiegelmaterialien, die sich in der Steigung des Wärmeausdehnungskoeffizienten als Funktion der Temperatur im Bereich des Nulldurchgangs der Wärmeausdehnungskoeffizienten, insbesondere im Vorzeichen der Steigung, unterscheiden, für die Spiegel vorgesehen sind.
2. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Steigung der Wärmeausdehnungskoeffizienten betragsmäßig unter 100 ppb/K2, insbesondere unter 10 ppb/K2, vorgesehen ist.
3. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Nulldurchgangstemperatur (zero crossing temperature) in einem Bereich zwischen 0 bis 100°C, insbesondere zwischen 10 bis 50°C, befindet.
4. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Einsatz im EUV-Bereich mit Wellenlängen λ < 20nm.
5. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens ein Spiegel (M1,M2, M3, 4 ,M5, M6) aus einem glaskeramischen Material und wenigstens ein Spiegel (M1,M2,M3,M4,M5,M6) aus einem amorphen Titan-Silikatglas vorgesehen ist.
6. Projektionsobjektiv nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das glaskeramische Material ZERODUR® ist.
7. Projektionsobjektiv nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das amorphe Titan-Silikatglas ULE® ist.
8. Projektionsobjektiv nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das glaskeramische Material für Spiegel mit großen Bündelquerschnitten vorgesehen ist.
9. Projektionsobjektiv nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das glaskeramische Material für Spiegel im wa- ferfernen Objektivbereich vorgesehen ist.
10. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Zusammensetzung aus Spiegeln (M1,M2,M3, M4,M5,M6) , welche hinsichtlich ihrer Spiegelmaterialien thermalbe- dingte Bildfehler minimierend angeordnet sind.
11. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Zusammensetzung aus Spiegeln (M1,M2 ,M3, M4 ,M5,M6) , welche hinsichtlich ihrer Spiegelmaterialien derart angeordnet sind, dass eine Optimierung einer Streulichtverteilung in einer Waferebene (3) vorgesehen ist.
12. Projektionsobjektiv nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Zusammensetzung aus Spiegeln (Ml, M2, M3, M4 , M5, M6) , welche hinsichtlich ihrer Spiegelmaterialien derart angeordnet sind, dass eine Minimierung von durch CTE- Inhomogenitäten verursachten Wellenfrontfehlern vorgesehen ist.
13. Projektionsbelichtungsvorrichtung für die EUV- Lithographie mit optischen Komponenten, insbesondere Spiegel, Reticle oder Strahlenteiler, dadurch gekennzeichnet, dass für die optischen Komponenten (M1,M2,M3,M4,M5,M6) wenigstens zwei unterschiedliche Substratmaterialien, die sich in der Steigung des Wärmeausdehnungskoeffizienten als Funktion der Temperatur im Bereich des Nulldurchgangs der Wärmeausdehnungskoeffizienten, insbesondere im Vorzeichen der Steigung, unterscheiden, vorgesehen sind.
14. Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass eine Steigung der Wärmeausdehnungskoeffizienten betragsmäßig unter 100 ppb/K2, insbesondere unter 10 ppb/K2, vorgesehen ist.
15. Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Nulldurchgangstemperatur (zero crossing temperature) einen Bereich zwischen 0 bis 100°C, insbesondere zwischen 10 bis 50°C, aufweist.
16. Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine optische Komponente (M1,M2,M3,M4,M5,M6) aus einem glaskeramischen Material und wenigstens eine optische Komponente (M1,M2,M3,M4,M5,M6) aus einem amorphen Titan-Silikatglas vorgesehen ist.
17. Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch eine Zusammensetzung aus optischen Komponenten (Ml, M2, M3,M4, M5, M6) , welche hinsichtlich ih- rer Substratmaterialien thermalbedingte Bildfehler mindernd angeordnet sind.
18. Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch eine Zusammensetzung aus optischen Komponenten (Ml, M2,M3,M4,M5, M6) , welche hinsichtlich ihrer Substratmaterialien derart angeordnet sind, dass eine Optimierung einer Streulichtverteilung in einer Waferebe- ne (3) vorgesehen ist.
19. Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch eine Zusammensetzung aus optischen Komponenten (Ml, M2,M3,M4 , M5,M6) , welcher hinsichtlich ihrer Substratmaterialien derart angeordnet sind, dass eine Minimierung von durch CTE-Inhomogenitäten verursachten Wellenfrontfehlern vorgesehen ist.
20. Röntgenoptisches Subsystem, insbesondere Spiegel, Reticle oder Strahlenteiler, für Röntgenstrahlung der Wellenlänge λR, gekennzeichnet durch wenigstens zwei unterschiedliche Substratmaterialien, die sich in der Steigung des Wärmeausdehnungskoeffizienten als Funktion der Temperatur im Bereich des Nulldurchgangs der Wärmeausdehnungskoeffizienten, insbesondere im Vorzeichen der Steigung, unterscheiden .
21. Röntgenoptisches Subsystem nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Wellenlänge λR < 200 nm, insbesondere λR < 157 nm ist.
22. Röntgenoptisches Subsystem nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Substratmaterial ein glaskeramisches Material ist.
23. Röntgenoptisches Subsystem nach Anspruch 20, dadurch ge¬ kennzeichnet, dass das Substratmaterial ein Titan- Silikatglas ist.
24. Röntgenoptisches Subsystem für ein Projektionsobjektiv gemäß einem der Ansprüche 8 bis 12.
25. Verwendung von röntgenoptischen Subsystemen nach einem der Ansprüche 20 bis 23 in der Röntgenmikroskopie, Rönt- genastronomie oder Röntgenspektroskopie .
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