DE102012212898A1 - Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betreiben derselben, sowie EUV-Projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betreiben derselben, sowie EUV-Projektionsbelichtungsanlage Download PDF

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Abstract

Eine Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie weist eine Mehrzahl an Spiegeln auf, die jeweils eine im EUV-Spektralbereich reflektierende Schicht (32), die mit EUV-Strahlung beaufschlagbar ist, und einen Grundkörper aufweisen (34). Dabei weist zumindest ein Spiegel (32) der Mehrzahl an Spiegeln zumindest eine Schicht (36) auf, die ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. Außerdem wird ein Verfahren zum Betreiben der Spiegelanordnung und eine Projektionsbelichtungsanlage beschrieben.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, mit einer Mehrzahl an Spiegeln, die jeweils eine im EUV-Spektralbereich reflektierende Schicht, die mit EUV-Strahlung beaufschlagbar ist, und einen Grundkörper aufweisen.
  • Die Erfindung betrifft des Weiteren eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen Spiegelanordnung.
  • Die Erfindung betrifft schließlich ein Verfahren zum Betreiben einer Spiegelanordnung der eingangs genannten Art.
  • Allgemein wird eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie zur Herstellung von feinstrukturierten elektronischen Bauelementen verwendet. Mittels einer Projektionsbelichtungsanlage wird von einer Strahlungsquelle erzeugte elektromagnetische Strahlung auf ein Retikel gerichtet, das mit feinen Strukturen versehen ist. Das Retikel ist in der Objektebene eines Projektionsobjektivs der Projektionsbelichtungsanlage angeordnet, wobei die Strukturen des Retikels mittels des Projektionsobjektivs auf einen Wafer abgebildet werden, der üblicherweise ein Halbleitermaterial aufweist, und der in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnet ist. Der Wafer ist dabei mit einem strahlungssensitiven Fotolack beschichtet, der durch die Strahlung entsprechend den Strukturen des Retikels belichtet und anschließend entwickelt wird.
  • Wegen der zunehmenden Anforderung an die hohe Integration derart hergestellter elektronischer Bauelemente bestehen entsprechend hohe Anforderungen an die Miniaturierung der Strukturen des Retikels und das Auflösungsvermögen des in der Projektionsbelichtungsanlage verwendeten Projektionsobjektivs. Es ist bekannt, dass das Auflösungsvermögen eines Projektionsobjektivs mit abnehmender Wellenlänge der verwendeten Strahlung zunimmt. Derzeit im Einsatz befindliche Projektionsbelichtungsanlagen für Volumenproduktion arbeiten mit elektromagnetischer Strahlung im Wellenlängenbereich von 193 nm und darüber.
  • Um noch feinere Strukturen auf einen Wafer abbilden zu können, wird entsprechend eine Strahlung benötigt, die noch kurzwelliger ist.
  • Die vorliegende Erfindung geht entsprechend von einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie aus, die mit extrem kurzwelliger Strahlung arbeitet, und zwar mit Strahlung mit extremen Ultraviolett, abgekürzt als EUV-Strahlung, deren Wellenlänge beispielsweise im Bereich von etwa 5 nm bis etwa 20 nm, insbesondere bei etwa 6.7 nm oder bei etwa 13.5 nm, liegt.
  • Eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage ist beispielsweise in dem Dokument US 7,977,651 B2 in verschiedenen Ausführungsformen beschrieben.
  • Da die für die Herstellung von refraktiven optischen Bauelementen, wie Linsen, verfügbaren Materialien gegenüber EUV-Strahlung undurchlässig sind, sind EUV-Projektionsbelichtungsanlagen aus Spiegeln aufgebaut.
  • In EUV-Projektionsbelichtungsanlagen ergibt sich als technisches Problem, dass sich die Spiegel der Projektionsbelichtungsanlage aufgrund der EUV-Strahlung und des zwingenden Betriebs der Anlage im Vakuum stark aufheizen. Der Wärmeeintrag in die Spiegel führt dazu, dass sich die reflektierende Schicht, die üblicherweise als hochreflektierender Schichtstapel ausgebildet ist, und der darunter liegende Spiegelgrundkörper, der auf der der EUV-Strahlung abgewandten Seite der reflektierenden Schicht angeordnet ist, unter der Bestrahlung mit der EUV-Strahlung während des Betriebes reversibel verformt. Die Deformationen der Spiegeloberflächen haben unerwünschte Abbildungsfehler des Projektionsobjektivs zur Folge, die die Güte der Abbildung der Strukturen des Retikels auf den Wafer beeinträchtigen.
  • Es sind daher zur Lösung des vorstehend genannten technischen Problems zahlreiche Kühlkonzepte für Spiegel in EUV-Projektionsbelichtungsanlagen vorgeschlagen worden, beispielsweise das Einbringen von Kühlfingern sowie von fluiddurchströmten Kühlkanälen in die Spiegel. Diese Kühlkonzepte bringen jedoch Probleme mit sich. So führt das Einbringen von Kühlfingern in die Spiegel zu parasitären Deformationen. Das Einbringen von Kühlkanälen, die von einer Kühlflüssigkeit durchströmt werden, führt zu Vibrationen des Spiegels aufgrund der Strömungsdynamik der Kühlflüssigkeit, und zu einer Ankopplung der Spiegel an die Umgebung der Spiegel, die zu Störungen des Abbildungsverhaltens der Spiegel Anlass geben kann. Ein weiteres Problem des Einbringens von Kühlkanälen oder Kühlfingern in die Spiegel besteht darin, dass sich die Kühlkanäle oder Kühlfinger durch die reflektierende Schicht ”durchprägen”, weil sich zwischen den Kühlkanälen oder Kühlfingern Bereiche befinden, die nicht in dem Maße gekühlt werden wie die Bereiche in unmittelbarer Nähe der Kühlkanäle oder Kühlfinger.
  • Ein weiteres Problem besteht darin, dass es äußerst schwierig ist, einen Spiegel gezielt lokal begrenzt zu kühlen, um einen lokal begrenzten Einfluss auf den Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht zu erzielen, ohne dass benachbarte Bereiche des Oberflächenverlaufs der reflektierenden Schicht unerwünschterweise ebenfalls von der Kühlung betroffen werden. Eine lokal begrenzte Kühlung könnte zwar mit den oben genannten Kühlfingern bzw. Kühlkanälen erreicht werden, jedoch geht dies mit den oben beschriebenen Problemen, beispielsweise dem Einbringen parasitärer Deformationen in den Spiegel, einher.
  • Ein weiterer Aspekt beim Betreiben einer Projektionsbelichtungsanlage besteht darin, das Abbildungsverhalten des Projektionsobjektivs der Projektionsbelichtungsanlage im Betrieb gezielt beeinflussen zu können, beispielsweise um im Betrieb auftretende Abbildungsfehler zu beheben. Bei herkömmlichen Projektionsobjektiven, die zumindest teilweise refraktive optische Bauelemente aufweisen, werden sogenannte Manipulatoren vorgesehen, insbesondere solche, die eine gezielte aktive Verformung eines Linsenelements bewirken, um durch die aktive Verformung des Linsenelements Einfluss auf den Wellenfrontverlauf der Strahlung zu nehmen. Bei refraktiven optischen Elementen können derartige aktive Verformungen durch das Einbringen mechanischer Kräfte am Umfang des Linsenelements bewirkt werden. Bei einer Linse kompensieren sich zum großen Teil die optischen Wirkungen von Vorderseite und Rückseite der Linse. Spiegel hingegen sind sensitiver, da sie nur eine optisch wirksame Seite aufweisen. Deformierbare Spiegel erfahren dadurch zu große schlecht beherrschbare parasitäre Deformationen. Außerdem können die hochreflektierenden Schichten von Spiegeln bei einer mechanischen Verformung leicht beschädigt werden.
  • Es sind für EUV-Spiegel bisher sogenannte Thermalmanipulatoren vorgeschlagen worden, mit denen durch Beaufschlagen der reflektierenden Schicht mit einem Wärmeprofil Oberflächenverformungen des Spiegels bewusst herbeigeführt werden können. Hierdurch kann ein gewünschtes Oberflächenprofil (Passe-Profil) des Spiegels eingestellt werden, um beispielsweise einen Abbildungsfehler des Projektionsobjektivs zu kompensieren. Solche herkömmlichen Thermalmanipulatoren erweisen sich jedoch als nachteilig, wenn auf kurzer Zeitskala ein vorhandenes Oberflächenprofil des Spiegels verändert werden soll, um beispielsweise das Abbildungsverhalten des Projektionsobjektivs in kurzer Zeit an einen veränderten Betriebsmodus, beispielsweise ein anderes Beleuchtungssetting der Projektionsbelichtungsanlage, anzupassen. Da ohne starke Kühlung die thermische Relaxationszeit des jeweiligen Spiegels sehr lang ist, müsste, um eine Veränderung des Oberflächenprofils auf kurzer Zeitskala zu ermöglichen, das bisherige Oberflächenprofil durch starkes weitgehend flächiges Aufheizen des gesamten Spiegels ”überschrieben” werden, bis das bisherige Oberflächenprofil nivelliert ist. Anschließend kann dann das neue Oberflächenprofil durch weiteren Wärmeeintrag in den Spiegel erzeugt werden. Diese beiden gedanklich getrennten Schritte (”Überschreiben” und ”Profileinstellung”) können auch in einem Schritt ausgeführt werden. Für diese Vorgehensweise sind jedoch sehr hohe Heizleistungen notwendig, um das vorhandene Oberflächenprofil zu ”überschreiben”. Derartig hohe Wärmeeinträge können zu Schichtspannungen bis hin zur Beschädigung und/oder Zerstörung der reflektierenden Schicht über die Lebensdauer der Projektionsbelichtungsanlage und zu nicht kontrollierbaren mechanischen Deformationen führen. Das Problem wird umso gravierender, wenn sich der Spiegel in einer optischen Position befindet, in der er eine hohe Bestrahlstärke durch die EUV-Strahlung erfährt. Außerdem kann hierdurch der fassungsseitige Thermalhaushalt des Projektionsobjektivs nachhaltig gestört werden.
  • Diese Problematik könnte dadurch umgangen werden, einen Kühlmechanismus zu realisieren, der lokal wirkt, was jedoch aufgrund konstruktiver Randbedingungen nur in den seltensten Fällen in ausreichendem Maße möglich ist, wie oben bereits beschrieben wurde.
  • Es besteht daher weiter ein Bedürfnis, eine räumlich lokalisierte Oberflächendeformation (Passe-Deformation) auf kurzer Zeitskala beseitigen und/oder eine andere räumlich lokalisierte Passe-Deformation ohne übermäßiges Aufheizen einstellen zu können.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Spiegelanordnung der eingangs genannten Art dahingehend weiterzubilden, dass die Möglichkeit geschaffen wird, mit gegenüber den oben beschriebenen bisherigen Vorschlägen verringertem Wärmeeintrag den Oberflächenverlauf (Passe) zumindest eines der Spiegel der Spiegelanordnung mit möglichst geringer zeitlicher Verzögerung einstellen zu können.
  • Die Erfindung hat des Weiteren eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer solchen Spiegelanordnung zum Ziel.
  • Der Erfindung liegt des Weiteren die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Betreiben der Spiegelanordnung anzugeben.
  • Erfindungsgemäß wird die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe hinsichtlich der eingangs genannten Spiegelanordnung dadurch gelöst, dass zumindest ein Spiegel der Mehrzahl an Spiegeln zumindest eine Schicht aufweist, die ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist.
  • Die erfindungsgemäße Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie weist somit zumindest einen Spiegel auf, der zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. Ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten ist ein solches, das sich mit zunehmender Temperatur nicht ausdehnt, sondern zusammenzieht. Hierdurch wird es beispielsweise ermöglicht, eine Passe-Deformation der Oberfläche des Spiegels in Form eines Oberflächenberges durch gezieltes lokales Beaufschlagen der Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten mit Wärme rückgängig zu machen. Ein Oberflächenberg, der sich beispielsweise durch den Wärmeeintrag der EUV-Strahlung ergeben kann, kann damit neutralisiert werden.
  • Es besteht aber auch die Möglichkeit, durch gezieltes lokales Beaufschlagen der zumindest einen Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten mit Wärme ein vorhandenes Oberflächenprofil der reflektierenden Schicht des Spiegels in gewünschter Weise zu verändern, ohne dass hierzu zunächst durch starkes Aufheizen des gesamten Spiegels das bisherige Oberflächenprofil neutralisiert werden muss. Durch Beaufschlagen der zumindest einen Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten in gezielter lokaler Weise mit Wärme kann nämlich zunächst ein Oberflächenberg neutralisiert werden und durch anschließenden Wärmeeintrag auf einen anderen Bereich der reflektierenden Schicht kann das ”neue” Oberflächenprofil erzeugt werden. Da hier nicht die thermische Relaxation des Spiegels abgewartet werden muss, wird auf diese Weise ein Thermalmanipulator geschaffen, der zum einen mit geringerer Heizleistung arbeiten kann, und zum anderen auf einer kürzeren Zeitskala.
  • Bei der erfindungsgemäßen Spiegelanordnung ist es aufgrund des zumindest einen Spiegels mit zumindest einer Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten nicht erforderlich, eine technisch äußerst schwierig zu realisierende gezielte lokale Kühlung vorzusehen, da alle Thermalmanipulationen durch Wärmebeaufschlagung realisiert werden können.
  • Die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten ist auf der der EUV-Strahlung abgewandten Seite der reflektierenden Schicht angeordnet, und kann sich an letztere unmittelbar oder durch eine oder mehrere Schichten getrennt mittelbar anschließen. Die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten kann der Grundkörper selbst, eine Teilschicht des Grundkörpers oder vorzugsweise eine separate Schicht zwischen der reflektierenden Schicht und dem Grundkörper sein.
  • In einer bevorzugten Ausgestaltung weist der zumindest eine Spiegel zumindest eine weitere Schicht auf, die ein Material mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, die von der zumindest einen Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten durch zumindest eine Wärme isolierende Schicht getrennt ist.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass mit ein und demselben Spiegel ein Thermalmanipulator geschaffen werden kann, mit dem sowohl Oberflächenberge als auch Oberflächentäler in der Oberfläche der reflektierenden Schicht des Spiegels erzeugt werden können, indem die zumindest eine Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten und die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten unabhängig voneinander mit Wärme beaufschlagt werden. Durch die vorgesehene zumindest eine Wärme isolierende Schicht wird ein Wärmeübertrag zwischen den Schichten mit positivem und negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten vermieden, so dass der so geschaffene Thermalmanipulator in leicht kontrollierbarer Weise arbeitet. Als Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten kann beispielsweise die reflektierende Schicht selbst dienen oder eine zusätzliche Schicht zwischen der reflektierenden Schicht und dem Grundkörper.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist zumindest ein weiterer Spiegel der Mehrzahl an Spiegeln zumindest eine Schicht auf, die ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist.
  • In dieser Ausgestaltung weisen somit zumindest zwei der Mehrzahl an Spiegeln der Spiegelanordnung jeweils eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten auf, wodurch im Falle der Nutzung dieser beiden Spiegel als Thermalmanipulator der gezielte Wärmeeintrag auf zumindest zwei Spiegel verteilt wird, wodurch der Einzelwärmeeintrag in jeden einzelnen Spiegel verringert werden kann.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist zumindest ein weiterer Spiegel der Mehrzahl an Spiegeln zumindest eine Schicht auf, die ein Material mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist.
  • In dieser Ausgestaltung wird in Verbindung mit dem zumindest einen Spiegel mit der zumindest einen Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten ein Thermalmanipulator geschaffen, mit dem bei entsprechender gezielter lokaler Wärmebeaufschlagung der zumindest einen Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten und der zumindest einen Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten ein insgesamt resultierender Oberflächenverlauf der zumindest zwei Spiegel eingestellt werden kann, um einen gewünschten Einfluss auf die Wellenfront der EUV-Strahlung zu erhalten. Auch hierbei ist wiederum von zusätzlichem Vorteil, dass der Wärmeeintrag zum Betreiben des Thermalmanipulators auf zumindest zwei Spiegel verteilt ist, wodurch die Wärmebelastung der Einzelspiegel verringert ist.
  • Im Zusammenhang mit den beiden zuvor genannten Ausgestaltungen ist es bevorzugt, wenn der zumindest eine Spiegel und der zumindest eine weitere Spiegel an Positionen im Strahlengang der EUV-Strahlung angeordnet sind, die hinsichtlich ihrer optischen Wirkung konjugiert oder annähernd konjugiert sind.
  • Diese Maßnahme ist insbesondere von Vorteil, wenn der zumindest eine weitere Spiegel zumindest eine Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. In diesem Fall kann nämlich die optische Wirkung einer Passe-Deformation des einen Spiegels durch eine entsprechende inverse Passe-Deformation des anderen Spiegels neutralisiert werden. Hierdurch entfällt das eingangs beschriebene nachteilige Verfahren, zur Neutralisierung eines vorhandenen Passe-Profils den gesamten Spiegel stark aufzuheizen, vollständig. Es ist vielmehr nur erforderlich, die Schicht mit positivem oder negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten gezielt lokal mit Wärme zu beaufschlagen, um beispielsweise einen Oberflächenberg durch ein entsprechendes Oberflächental zu neutralisieren.
  • Zwei Positionen oder Ebenen heißen im vorstehend genannten Sinne zueinander konjugiert, wenn sie das gleiche paraxiale Subaperturverhältnis aufweisen.
  • Das paraxiale Subaperturverhältnis ist gegeben durch (r/(|h| + |r|)sgn h, wobei r die paraxiale Randstrahlhöhe, h die paraxiale Hauptstrahlhöhe und die Signumsfunktion sgn h das Vorzeichen von h bedeutet, wobei sgn 0 = 1 vereinbart sei. Eine Definition des paraxialen Randstrahls bzw. paraxialen Hauptstrahls ist in „Fundamental Optical Design” von Michael J. Kidger, SPIE PRESS, Bellingham, Washington, USA gegeben, welche durch Referenz hierin mit aufgenommen ist. Es wird hinsichtlich des paraxialen Subaperturverhältnisses des weiteren auf WO 2008/034636 A2 , Seiten 41 ff verwiesen, die ebenfalls durch Referenz hierin mit aufgenommen ist.
  • Annähernd konjugiert sind somit Positionen oder Ebenen im Strahlengang, wenn das paraxiale Subaperturverhältnis an diesen Positionen bzw. Ebenen betragsmäßig annähernd gleich ist, vorzugsweise um nicht mehr als 0,3, weiter vorzugsweise um nicht mehr als 0,2, weiter vorzugsweise um nicht mehr als 0,1 voneinander abweicht.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist die Spiegelanordnung zumindest eine Wärmequelle auf, um die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zumindest einen Spiegels gezielt lokal mit Wärme zu beaufschlagen.
  • Eine Kühlung zur Einstellung eines gewünschten Oberflächenverlaufs der reflektierenden Schicht des zumindest einen Spiegels ist vorteilhafterweise nicht erforderlich. Eine Kühlung, beispielsweise eine flächige nicht ortsaufgelöste Kühlung des Spiegels, beispielsweise auf der EUV-Strahlung abgewandten Seite des Spiegels, kann dennoch erwünscht sein, um den langfristigen Thermalhaushalt des Projektionsobjektivs zu stabilisieren.
  • Wenn die Spiegelanordnung zumindest zwei Spiegel mit jeweils zumindest einer Schicht mit negativem oder positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, ist vorzugsweise zumindest eine weitere Wärmequelle vorhanden, um die zumindest eine Schicht mit positivem oder negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zumindest einen weiteren Spiegels gezielt lokal mit Wärme zu beaufschlagen.
  • Das Gleiche gilt vorzugsweise, wenn der zumindest eine Spiegel sowohl zumindest eine Schicht mit positiven als auch zumindest eine Schicht mit negativen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. In diesem Fall ist vorzugsweise zumindest eine weitere Wärmequelle vorhanden, um die zumindest eine Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zumindest einen Spiegels gezielt lokal mit Wärme zu beaufschlagen.
  • Vorzugsweise ist die zumindest eine Wärmequelle und/oder die zumindest eine weitere Wärmequelle dazu ausgelegt, die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten und/oder die zumindest eine weitere Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten mit einer ortsvariablen Wärmeverteilung zu beaufschlagen.
  • Hierbei ist von Vorteil, dass ein gewünschter gesamter Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht des zumindest einen Spiegels und/oder des zumindest einen weiteren Spiegels durch ortsvariablen Wärmeeintrag in einem Zug auf kurzer Zeitskala eingestellt werden kann.
  • Vorzugsweise ist die zumindest eine Wärmequelle und/oder ist die zumindest eine weitere Wärmequelle eine IR-Strahlungsquelle.
  • Eine Infrarot(IR)-Strahlungsquelle hat den Vorteil eines berührungslosen Wärmeeintrags in den entsprechenden Spiegel, wodurch keine parasitären Kräfte durch mechanische Anbindung, wie beispielsweise bei Heizdrähten, auftreten können. Es sind derzeit IR-Pixeldioden verfügbar, die darüber hinaus eine gezielt lokale, nahezu punktförmige Einbringung der Wärme auf die Schichten mit positiven und/oder negativen Wärmeausdehnungskoeffizienten ermöglichen. Die Infrarot(IR-)-Strahlungsquelle(n) kann/können zusätzlich mit einer geeigneten Vorsatzoptik zum Zwecke der Strahlformung versehen sein. Die Wellenlänge der Wärmestrahlung kann im Bereich von etwa 500 nm bis etwa 1200 nm liegen.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung beaufschlagt die zumindest eine Wärmequelle und/oder die zumindest eine weitere Wärmequelle die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten und/oder die zumindest eine Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten durch die reflektierende Schicht hindurch mit Wärme.
  • Des Weiteren beaufschlagt die zumindest eine Wärmequelle und/oder die zumindest eine weitere Wärmequelle die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten und/oder die zumindest eine Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten vorzugsweise von der Seite des Grundkörpers bzw. von der Rückseite des Grundkörpers her mit Wärme.
  • Praktisch besonders bevorzugt ist es, wenn die zumindest eine Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten durch die reflektierende Schicht hindurch mit Wärme beaufschlagt wird, während die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten von der Seite des Grundkörpers bzw. von der Rückseite des Grundkörpers her mit Wärme beaufschlagt wird.
  • Eine Trennung der Wärmebeaufschlagung der zumindest einen Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten von der Wärmebeaufschlagung der zumindest einen Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten hat den Vorteil, dass der so geschaffene Thermalmanipulator in definierter Weise und kontrollierbar arbeitet, weil eine gegenseitige Beeinflussung der Wärmeeinträge nicht auftritt oder zumindest verringert ist.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist zwischen der zumindest einen Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten und dem Grundkörper zumindest eine Wärme isolierende Schicht vorhanden.
  • Eine solche Wärme isolierende Schicht kann beispielsweise aus Quarz bestehen. Das Material der isolierenden Schicht sollte so ausgewählt werden, dass es für IR-Strahlung durchlässig ist, insbesondere dann, wenn die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten durch den Grundkörper hindurch mit Wärme beaufschlagt werden soll.
  • Dabei ist es weiterhin bevorzugt, wenn zwischen der Wärme isolierenden Schicht und dem Grundkörper eine Schicht mit hoher Wärmeleitfähigkeit vorhanden ist.
  • Eine Schicht mit hoher Wärmeleitfähigkeit zwischen der Wärme isolierenden Schicht und dem Grundkörper, die beispielsweise aus Kupfer oder Nickel gebildet sein kann, hat die Aufgabe, die verbliebene Restwärme im Spiegel möglichst gleichmäßig in den Grundkörper einzubringen. Die Dicke dieser Schicht mit hoher Wärmeleitfähigkeit sollte an die Dicke der zumindest einen Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten angepasst sein.
  • Der Grundkörper des zumindest einen Spiegels oder des zumindest einen weiteren Spiegels ist vorzugsweise aus einem für IR-Strahlung transparenten Material mit sehr kleiner thermischer Ausdehnung, beispielsweise aus dem Material ULE® des Herstellers Corning gefertigt, sofern der Grundkörper nicht selbst die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten ist oder diese zumindest aufweist.
  • Das Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten ist vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe, die aus ZrMo2O8, ZrW2O8, HfMo2O8, Zr2(MoO4)3, Zr2(WO4)3, Hf2(MoO4)3, ScF3, ZnC2N2, ZnF2, Y2W3O12, BiNiO3 sowie aus Gemengen der vorstehend genannten Materialien besteht.
  • Die vorstehend genannten Materialien zeichnen sich durch einen hohen negativen Wärmeausdehnungskoeffizienten aus. Bei der Auswahl der Materialien mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten ist allgemein zu beachten, dass eine genaue Kenntnis des Wärmeausdehnungskoeffizienten im genutzten Temperaturbereich vorhanden ist, das Material isotrop ist, da ansonsten Spannungen und die Gefahr von Mikrorissen auftreten, eine möglichst einfache Herstellung möglich ist, ein möglichst großer negativer Wärmeausdehnungskoeffizient vorliegt, keine Phasenübergänge bei niedrigeren Drücken auftreten sowie die Kenntnis vorliegt, ob sich das verwendete Material isotrop oder anisotrop zusammenzieht.
  • Das in Zusammenhang mit einigen obigen Ausgestaltungen genannte Material mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten ist vorzugsweise ausgewählt aus der Gruppe, die aus Zr, Y, Nb, Mo, Si, Ge, Ru, RuO2, RuSi, Ni sowie aus Gemengen der vorstehend genannten Materialien besteht.
  • Es ist zwar zu berücksichtigen, dass auch die reflektierende Schicht des zumindest einen Spiegels einen positiven Wärmeausdehnungskoeffizienten hat, und daher für die gezielte Beaufschlagung mit Wärme im Sinne eines Thermalmanipulators prinzipiell geeignet ist, jedoch sind im Fall, dass eine zusätzliche Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten bei dem zumindest einen Spiegel oder dem zumindest einen weiteren Spiegel vorgesehen ist, die vorstehend genannten Materialien bevorzugt.
  • Die reflektierende Schicht der Spiegel der Spiegelanordnung ist vorzugsweise ein Schichtstapel aus Molybdän/Silizium.
  • Eine erfindungsgemäße EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie weist eine erfindungsgemäße Spiegelanordnung auf.
  • Hinsichtlich des eingangs genannten Verfahrens zum Betreiben einer Spiegelanordnung einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, wobei die Spiegelanordnung eine Mehrzahl an Spiegeln aufweist, die jeweils eine im EUV-Spektralbereich reflektierende Schicht, die mit EUV-Strahlen beaufschlagbar ist, und einen Grundkörper aufweisen, der auf der der EUV-Strahlung abgewandten Seite der reflektierenden Schicht angeordnet ist, wird die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe dadurch gelöst, dass zumindest ein Spiegel der Mehrzahl an Spiegeln mit zumindest einer Schicht bereitgestellt wird, die ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, und dass die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt wird, um einen Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht des zumindest einen Spiegels einzustellen, um einen Wellenfrontverlauf der an der Mehrzahl an Spiegeln reflektierten EUV-Strahlung einzustellen.
  • Erfindungsgemäß wird somit ein Thermalmanipulator bereitgestellt, der zumindest einen Spiegel mit zumindest einer Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. Die sich daraus ergebenden Vorteile wurden oben bereits genannt.
  • Vorzugsweise wird der Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht eingestellt, um einen Abbildungsfehler zu kompensieren, um einer durch die EUV-Strahlung verursachten Verformung der Oberfläche entgegenzuwirken, und/oder um die Wellenfront der Projektionsbelichtungsanlage zu verändern.
  • Vorzugsweise wird zumindest ein weiterer Spiegel der Mehrzahl an Spiegeln mit zumindest einer Schicht bereitgestellt, die ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, wobei die Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zumindest einen weiteren Spiegels gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt wird, um einen Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht des weiteren Spiegels einzustellen, um zusammen mit dem Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht des zumindest einen Spiegels den Wellenfrontverlauf der Projektionsbelichtungsanlage einzustellen.
  • Weiter vorzugsweise wird der zumindest eine Spiegel mit zumindest einer weiteren Schicht bereitgestellt, die ein Material mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, und die von der zumindest einen Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten durch zumindest eine Wärme isolierende Schicht getrennt ist, wobei die zumindest eine weitere Schicht ebenfalls gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt wird, um den Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht einzustellen.
  • Zusätzlich oder alternativ wird zumindest ein weiterer Spiegel der Mehrzahl an Spiegeln vorzugsweise mit zumindest einer Schicht bereitgestellt, die ein Material mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, wobei die Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zumindest einen weiteren Spiegels gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt wird, um einen Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht des weiteren Spiegels einzustellen, um zusammen mit dem Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht des zumindest einen Spiegels den Wellenfrontverlauf der an der Mehrzahl an Spiegeln reflektierten EUV-Strahlung einzustellen.
  • Im Zusammenhang mit den beiden zuvor genannten Ausgestaltungen wird vorzugsweise die zumindest eine Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt, um ein Oberflächental des Oberflächenverlaufs der reflektierenden Schicht zu kompensieren und/oder vorzugsweise wird die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt, um einen Oberflächenberg des Oberflächenverlaufs der reflektierenden Schicht zu kompensieren.
  • Weiter vorzugsweise wird die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten und/oder die zumindest eine Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten mit einer ortsvariablen Wärmeverteilung beaufschlagt.
  • Wie bereits oben erwähnt, kann die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten durch die reflektierende Schicht hindurch mit Wärme beaufschlagt werden, oder bevorzugter von der Seite des Grundkörpers her, insbesondere durch diesen hindurch.
  • Die zumindest eine Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten wird bevorzugt durch die reflektierende Schicht hindurch mit Wärme beaufschlagt, während die zumindest eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten von der Seite des Grundkörpers her oder durch diesen hindurch mit Wärme beaufschlagt wird.
  • Diese Aufteilung der Wärmebeaufschlagung ist insbesondere dann von Vorteil, wenn die reflektierende Schicht selbst als Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten im Sinne des Thermalmanipulators genutzt wird.
  • Weitere Vorteile und Merkmale ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung und der beigefügten Zeichnung.
  • Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angegebenen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden mit Bezug auf diese hiernach näher beschrieben. Es zeigen:
  • 1 schematisch einen Ausschnitt eines Spiegels gemäß Stand der Technik im Schnitt, der mit EUV-Strahlung beaufschlagt wird;
  • 2 schematisch einen Ausschnitt eines Spiegels im Schnitt, der mit EUV-Strahlung beaufschlagt wird, wobei der Spiegel eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist;
  • 3 schematisch einen Ausschnitt eines weiteren Spiegels im Schnitt;
  • 4a) bis c) eine Oberfläche des Spiegels in 3, wobei die Oberfläche in 4a) eine Oberflächendeformation aufweist, die in eine Oberflächendeformation gemäß 4b) verändert werden soll, und 4c) ein herkömmliche Verfahren zeigt, wie aus der Oberflächendeformation gemäß 4a) die Oberflächendeformation gemäß 4b) erzeugt wird;
  • 5 schematisch einen Ausschnitt eines Spiegels im Schnitt, der eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist;
  • 6a) und b) ein zu 4a) bis c) alternatives Verfahren, um mittels eines Thermalmanipulators, der zumindest einen Spiegel gemäß 5 aufweist, die gleiche optische Wirkung zu erzielen, um ausgehend von der optischen Wirkung der Oberflächendeformation in 4a) die optische Wirkung gemäß der Oberflächendeformation gemäß 4b) zu erzeugen, wobei 6a) zwei Oberflächenverläufe mit Oberflächendeformationen zeigt, deren resultierende optische Wirkung der Oberflächendeformation in 6b) gezeigt ist;
  • 7 schematisch einen resultierenden Oberflächenverlauf einer Spiegelanordnung zur Erzielung einer gewünschten optischen Wirkung auf die Wellenfront von EUV-Strahlung;
  • 8a) bis d) ein Prinzipschema, wie die optische Wirkung auf den Wellenfrontverlauf gemäß 7 durch eine Spiegelanordnung mit zwei Spiegeln erreicht werden kann, wobei 8a) schematisch einen Ausschnitt eines ersten Spiegels im Schnitt mit einer Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten zeigt, 8b) eine Oberfläche des Spiegels in 8a) nach gezieltem lokalen Beaufschlagen der Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten zeigt, 8c) schematisch einen Ausschnitt eines weiteren Spiegels im Schnitt mit einer Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten zeigt, 8d) eine Oberfläche des Spiegels in 8c) nach gezieltem lokalen Beaufschlagen der Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten zeigt;
  • 9 schematisch einen Oberflächenverlauf eines Spiegels zur Erzielung einer gewünschten optischen Wirkung auf die Wellenfront von EUV-Strahlung;
  • 10 schematisch einen Ausschnitt eines Spiegels im Schnitt, der sowohl eine Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten als auch eine Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, wobei durch gezieltes lokales Beaufschlagen der Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten und der Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Oberflächenverlauf gemäß 9 eingestellt wird;
  • 11 schematisch einen Ausschnitt eines Spiegels im Schnitt mit einem Schichtaufbau gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel;
  • 12 schematisch einen Ausschnitt eines Spiegels im Schnitt mit einem Schichtaufbau gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel;
  • 13 eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, in der eine Spiegelanordnung mit einem Spiegelpaar vorhanden ist, das einen Spiegel mit einer Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten und einen Spiegel mit einer Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist; und
  • 14 eine Prinzipdarstellung eines Steuerungssystems, mit dem Wärmequellen gezielt angesteuert werden, um Spiegel eines Projektionsobjektivs, die über zumindest eine NTE- und/oder PTE-Schicht verfügen, lokal mit Wärme zu Beaufschlagen, um einen Wellenfrontverlauf des Projektionsobjektivs einzustellen.
  • Mit Bezug auf 1 bis 13 werden nachfolgend die Prinzipien der vorliegenden Erfindung näher beschrieben. Soweit in den Figuren die Spiegel als Planspiegel gezeigt sind, versteht es sich, dass die Zeichnung nur schematisch ist und sich die Erfindung selbstverständlich auch auf Spiegel mit konkaver und mit konvexer Krümmung anwenden lässt. Des Weiteren sei angemerkt, dass in den Figuren gezeigte Schichtdicken weder für sich noch im Verhältnis untereinander maßstabsgetreu sind.
  • In 1 ist ein Spiegel 10 für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie nach dem Stand der Technik dargestellt. Der Spiegel 10 weist eine reflektierende Schicht (HR) 12 und einen Grundkörper (GK) 14 auf. Zwischen dem Grundkörper 14 und der reflektierenden Schicht 12 sind üblicherweise weitere Schichten vorhanden, die hier aus Gründen der Vereinfachung durch eine unterbrochene Linie 16 symbolisiert sind.
  • Die reflektierende (HR) Schicht 12 ist beispielsweise ein Molybdän-Silizium-Schichtsystem mit einer nicht dargestellten obersten Schutzschicht aus beispielsweise Ruthenium (Ru) oder Rhodium (Rh). Der Grundkörper 14 ist aus einem Material mit keiner oder extrem niedriger Wärmeausdehnung gefertigt, beispielsweise einer ULE (ultra low expansion, extrem geringe Ausdehnung) – Glaskeramik, wie sie vom Hersteller Corning angeboten wird.
  • Die reflektierende Schicht 12 weist eine Oberfläche 18 auf, die im Betrieb des Spiegels 10 mit EUV-Strahlung 20 beaufschlagt wird. Der Grundkörper befindet sich somit auf der der EUV-Strahlung abgewandten Seite der reflektierenden Schicht 12. Es kann die gesamte Oberfläche 18 mit der EUV-Strahlung 20 beaufschlagt sein, oder, wie in 1 gezeigt, nur ein Abschnitt 22 der Oberfläche 18.
  • Die EUV-Strahlung 20 wird an der Oberfläche 18 der reflektierenden Schicht 12 größtenteils reflektiert, jedoch wird ein Teil der EUV-Strahlung von der reflektierenden Schicht 12 absorbiert, wodurch sich die reflektierende Schicht 12 aufheizt. Die Erwärmung der reflektierenden Schicht 12 führt dazu, dass sich die reflektierende Schicht 12 im Bereich ihrer Beaufschlagung mit EUV-Strahlung ausdehnt, wodurch sich die Oberfläche 18 der reflektierenden Schicht 12 verformt, wie durch einen Oberflächenberg 24 in 1 veranschaulicht ist. Eine solche unerwünschte Oberflächendeformation der Oberfläche 18 der reflektierenden Schicht 12 ist Folge dessen, dass im Schichtaufbau des Spiegels 10 lediglich Materialen enthalten sind, die einen positiven Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen, wozu auch das Material der reflektierenden Schicht 12 zählt.
  • 2 zeigt dagegen einen Spiegel 30, der eine reflektierende (HR) Schicht 32, einen Grundkörper (GK) 34 und zwischen der reflektierenden Schicht 32 und dem Grundkörper 34 eine Schicht 36 aufweist, die ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten (NTE, negative thermal expansion, negative Wärmeausdehnung) aufweist. Ein solches Material ist beispielsweise ZrW2O8. Weitere Materialien mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten werden später noch genannt. Ein negativer Wärmeausdehnungskoeffizient bedeutet, dass sich das Material bei Temperaturerhöhung nicht ausdehnt, sondern im Gegenteil zusammenzieht. Umgekehrt dehnt sich ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aus, wenn dem Material Wärme entzogen bzw. wenn die Temperatur erniedrigt wird.
  • Die Schicht 36 könnte auch den Grundkörper 34 selbst oder einen Teil desselben bilden, während sie im gezeigten Ausführungsbeispiel als separate Schicht ausgebildet ist.
  • Wird der Spiegel 30 im Betrieb mit EUV-Strahlung 38 beaufschlagt, führt die Wärmeabsorption der reflektierenden Schicht 32 dazu, dass sich die Wärme, wie mit Pfeilen 40 angedeutet ist, zu der Schicht 36 mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten ausbreitet, die Schicht 36 entsprechend diese Wärme aufnimmt und sich zusammenzieht. Das Zusammenziehen der Schicht 36 kompensiert die Ausdehnung der reflektierenden Schicht 32 gerade so, dass eine Oberfläche 42 der reflektierenden Schicht 32 nicht deformiert wird. Um diesen Effekt zu erreichen, sind die Dicke der Schicht 36 und das Material der Schicht 36 an die Dicke und das Material der Schicht 32 sowie auf die Wärmeausdehnung des Grundkörpers 34 anzupassen.
  • Nachfolgend werden Schichten eines Spiegels, die ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen, kurz als NTE-Schichten bezeichnet. Eine NTE-Schicht kann in einem Spiegel nicht nur dazu verwendet werden, eine Deformation der Oberfläche der reflektierenden Schicht zu vermeiden, sondern eine NTE-Schicht kann insbesondere auch dazu verwendet werden, gezielt eine Oberflächendeformation in der Oberfläche der reflektierenden Schicht herbeizuführen, wie nachfolgend beschrieben wird, so dass ein Thermalmanipulator geschaffen wird.
  • 3 zeigt zunächst einen Spiegel 50, mit einer reflektierenden (HR) Schicht 52, einem Grundkörper 54 und einer Schicht 56, die ein Material mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten (PTE, positive temperature expansion, positive Wärmeausdehnung) aufweist.
  • Schichten mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten werden nachfolgend als PTE-Schichten bezeichnet.
  • In dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist die PTE-Schicht 56 eine sogenannte Oberflächenschutzschicht (SPL, surface protection layer), wie sie üblicherweise in EUV-Spiegeln verwendet wird, um beispielsweise den Grundkörper 54 vor Alterung durch EUV-Strahlung zu schützen. Auch die HR-Schicht ist im Allgemeinen eine PTE-Schicht.
  • In 4a) ist eine Oberfläche 58 der reflektierenden Schicht 52 des Spiegels 50 in Alleinstellung im Schnitt gezeichnet. Durch gezieltes lokales Beaufschlagen des Spiegels 50 mit Wärme weist die Oberfläche 58 eine Oberflächen- bzw. Passe-Deformation 60 auf, die räumlich lokalisiert ist. Im Fall, dass die Oberflächendeformation 60 gezielt durch Wärmebeaufschlagung des Spiegels 50 eingestellt wurde, kann dies beispielsweise den Grund haben, dass durch die Oberflächendeformation 60 eine bestimmte optische Wirkung auf die Wellenfront der EUV-Strahlung ausgeübt werden soll, um beispielsweise einen in der EUV-Projektionsbelichtungsanlage auftretenden Abbildungsfehler zu kompensieren. Die Oberflächendeformation 60 kann also durch gezieltes lokales Beaufschlagen des Spiegels 50 mit Wärme herbeigeführt werden. Da der Spiegel 50 lediglich Materialien mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, ist die Oberflächendeformation 60 entsprechend ein Oberflächenberg.
  • Nun kann es erwünscht sein, beispielsweise bei einer Änderung des Betriebsmodus der EUV-Projektionsbelichtungsanlage, die Oberflächendeformation 60 zu beseitigen und dafür eine andere Oberflächendeformation 62 an anderer Stelle an der Oberfläche 58 zu erzeugen. Die Oberflächendeformation 62 ist wiederum ein Oberflächenberg.
  • Bei einem Spiegel wie dem Spiegel 50, der lediglich PTE-Schichten aufweist, ist es bei herkömmlichen Verfahren erforderlich, wie in 4c) gezeigt ist, zunächst den gesamten Spiegel 50 mit Wärme zu beaufschlagen, bis die Oberfläche 58 durch Wärmeausdehnung auf ein Oberflächenniveau 58' gebracht wird, bei dem die Oberflächendeformation 60 ”überschrieben” ist. Das Anheben des Niveaus der Oberfläche 58 auf das Oberflächenniveau 58' ist mit Pfeilen 64 angedeutet.
  • Um die Oberflächendeformation 62 gemäß 4d) zu erhalten, wird der Spiegel 50 ausgehend von dem Oberflächenniveau 58' gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt, um die Oberflächendeformation 62 auf dem nunmehr eingestellten Oberflächenniveau 58' auszubilden, wie mit einem Pfeil 66 angedeutet ist. Diese Vorgehensweise hat jedoch den erheblichen Nachteil, dass der Spiegel 50 insgesamt mit einem sehr hohen Wärmeeintrag belastet wird, der zu Schichtspannungen bis hin zur Zerstörung der reflektierenden Schicht 52 führen kann. Zudem wird durch den zusätzlichen Wärmeeintrag der Thermalhaushalt der Projektionsbelichtungsanllage gestört, was in einer Veränderung bzw. Verschlechterung der Wellenfronten resultiert und somit zu einer Reduzierung des Yields (Gutausbeute) während der Produktion führen kann. Wenn darüber hinaus der Spiegel 50 in einer Position einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage angeordnet ist, in der er ohnehin bereits einer hohen Bestrahlungsstärke durch die EUV-Strahlung ausgesetzt ist, wird dieses Problem noch gravierender.
  • Andererseits könnte in Betracht gezogen werden, vor dem Einbringen der Oberflächendeformation 62 zunächst die Oberflächendeformation 60 zu beseitigen. Wegen der sehr langsamen Thermalrelaxation müsste jedoch der Spiegel 50 an der Position der Oberflächendeformation 60 gezielt lokal gekühlt werden, was jedoch in der Praxis nicht ohne zusätzliche Nachteile realisierbar ist, wie in der Beschreibungseinleitung erörtert wurde.
  • Nachfolgend wird nun beschrieben, wie sich der Oberflächenverlauf der Oberfläche 58 mit der Oberflächendeformation 62 ausgehend von dem Oberflächenverlauf der Oberfläche 58 mit der Oberflächendeformation 60 auf kurzer Zeitskala, ohne übermäßigen Wärmeeintrag und ohne aktive Kühlung eingestellt werden kann.
  • Hierzu ist in der Spiegelanordnung einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage erfindungsgemäß zumindest ein Spiegel mit zumindest einer NTE-Schicht vorgesehen. Ein solcher Spiegel ist schematisch in 5 in Form eines Spiegels 70 gezeigt.
  • Der Spiegel 70 weist eine reflektierende (HR) Schicht 72, einen Grundkörper 74 und eine NTE-Schicht 76 auf. Der Spiegel 70 kann weitere Schichten zwischen der reflektierenden Schicht 72 und der NTE-Schicht 76 und zwischen der NTE-Schicht 76 und dem Grundkörper 74 aufweisen. Wie später noch beschrieben wird, kann ein solcher Spiegel zusätzlich zur NTE-Schicht 76 auch noch mit einer zusätzlichen PTE-Schicht versehen sein. Außerdem kann die NTE-Schicht 76 auch den Grundkörper 74 selbst oder einen Teil desselben bilden.
  • Verfügt man über den Spiegel 70 in einer Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, so lässt sich der Oberflächenverlauf der Oberfläche 58 gemäß 4b) ausgehend von dem Oberflächenverlauf der Oberfläche 58 in 4a) ohne übermäßigen Wärmeeintrag und ohne gezieltes lokales Kühlen einstellen, wie in 6a) und b) gezeigt ist.
  • Im oberen Teil der 6a) ist gezeigt, dass durch gezieltes lokales Beaufschlagen des Spiegels 50 in 3 mit Wärme zusätzlich zu der Oberflächendeformation 60 gemäß 4a) die Oberflächendeformation 62 gemäß 4b) eingestellt wird. Es wird also nicht wie in 4c) dargestellt, die Oberflächendeformation 60 durch globales Aufheizen des Spiegels 50 überschrieben.
  • Im unteren Teil von 6a) ist dargestellt, dass in eine Oberfläche 78 der reflektierenden Schicht 72 des Spiegels 70 durch gezieltes lokales Beaufschlagen des Spiegels 70, genauer gesagt der NTE-Schicht 76, eine Wellendeformation 80 eingebracht wird, die hinsichtlich ihrer optischen Wirkung auf Höhe der Oberflächendeformation 60 positioniert und zu dieser invers ist, d. h. ein Oberflächental ist. Wenn die beiden Spiegel 70 und 50 im Strahlengang der EUV-Strahlung an Positionen angeordnet sind, an denen sie ähnliche oder sogar gleiche optische Wirkungen auf die Wellenfront der EUV-Strahlung haben, das heißt wenn die beiden Spiegel 50 und 70 an Positionen angeordnet sind, die so gut wie möglich zueinander optisch konjugiert sind, ergibt sich eine resultierende optische Wirkung auf die Wellenfront der EUV-Strahlung, die derjenigen des Oberflächenverlaufs der Oberfläche 58 in 4b) entspricht. Dieser Oberflächenverlauf, bei dem nur noch die Oberflächendeformation 62 eine resultierende optische Wirkung auf die Wellenfront der EUV-Strahlung hat, ist in 6b) gezeigt.
  • Bei diesem vorstehend beschriebenen Verfahren ist es somit nicht erforderlich, den Spiegel 50 insgesamt stark aufzuheizen, um die Oberflächendeformation 60 in ihrer optischen Wirkung zu beseitigen, sondern es kann mit rein gezielten lokalen und damit geringeren Wärmeeinträgen gearbeitet werden, weil die Oberflächendeformation 80 selbst mit gezielter lokaler Wärmebeaufschlagung eingestellt werden kann und die Oberflächendeformation 60 in ihrer optischen Wirkung aufhebt.
  • Während bei dem eben beschriebenen Ausführungsbeispiel eine Spiegelanordnung bereitgestellt wird, von der ein Spiegel mit zumindest einer NTE-Schicht und zumindest ein anderer mit zumindest einer PTE-Schicht versehen ist, lässt sich die Kombination aus NTE-Schicht und PTE-Schicht auch in einem einzigen Spiegel realisieren, wie später noch beschrieben wird.
  • 7 zeigt beispielhaft den gewünschten Verlauf der resultierenden optischen Wirkung einer Spiegelanordnung auf die Wellenfront der EUV-Strahlung in einer Projektionsbelichtungsanlage. Der Verlauf der optischen Wirkung weist im Querschnitt gesehen drei Oberflächenberge 82, 84, 86 und zwei Oberflächentäler 88 und 90 auf. Eine solche optische Wirkung kann mit einem herkömmlichen Spiegel, der nur PTE-Schichten aufweist, allenfalls dann realisiert werden, wenn der Spiegel gezielt lokal gekühlt werden könnte, was jedoch mit den eingangs genannten technischen Problemen verbunden ist.
  • Dagegen kann der gewünschte Oberflächenverlauf der optischen Wirkung durch eine Spiegelanordnung, die die Spiegel 50 gemäß 3 und 70 gemäß 5 aufweist, leicht realisiert werden, wie nachfolgend mit Bezug auf 8a) bis d) beschrieben wird.
  • 8a) zeigt den Spiegel 50 zusätzlich mit einer Wärmequelle 92, die als Infrarot(IR)-Strahlungsquelle ausgebildet ist. Eine derartige IR-Strahlungsquelle kann durch eine IR-Pixel-Diodenanordnung gebildet sein. Mittels der Wärmequelle 92 wird die PTE-Schicht 56 gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt, wie mit Pfeilen 93a, 93b und 93c angedeutet ist. Die IR-Strahlen treffen dabei auf die reflektierende Schicht 52 auf und erwärmen durch diese hindurch auf Positionen 95a, 95b und 95c die eigentliche PTE-Schicht 56, an denen eine Ausdehnung der PTE-Schicht zur Erzeugung der Oberflächenberge 82, 84 und 86 gewünscht ist. Um die Oberflächenberge 82, 84 und 86, wie in 7 gezeigt, mit unterschiedlichen Amplituden zu erzeugen, unterscheiden sich die an den Positionen 95, 95b und 95c eingetragenen Wärmebeträge entsprechend voneinander. Dies ist in 8a) durch unterschiedlich lange Wärmepfeile 97a, 97b und 97c angedeutet. Die Wärmequelle 92 kann hierzu insbesondere so ausgelegt sein, dass sie die PTE-Schicht mit ortsvariabler Wärmeverteilung beaufschlagen kann.
  • Durch die Beaufschlagung der PTE-Schicht 56 mit Wärme gemäß 8a) wird ein Oberflächenverlauf der Oberfläche 58 wie in 8b gezeigt eingestellt. Dieser Oberflächenverlauf weist entsprechend die Oberflächenberge 82, 84 und 86 auf.
  • Es ist auch möglich anstelle der separaten Schicht 56 oder zusätzlich die reflektierende Schicht 52 als PTE-Schicht zu nutzen.
  • 8c) zeigt den Spiegel 70, dem eine weitere Wärmequelle 96 in Form einer IR-Strahlungsquelle 98 zugeordnet ist, um die NTE-Schicht 76 gezielt lokal mit Wärme zu beaufschlagen. Die Wärmebeaufschlagung der NTE-Schicht 76 erfolgt hierbei von der Seite des Grundkörpers 74 bzw. seiner Rückseite her, insbesondere durch den Grundkörper 74 hindurch, der dazu aus einem Material gefertigt ist, der für IR-Strahlung durchlässig ist. Als Material für den Grundkörper 74 kann in diesem Sinne insbesondere ein ULE-Glaskeramikkörper verwendet werden. Außerdem kann dieser Grundkörper geeignet transparent poliert sein.
  • Die Wärmebeaufschlagung der NTE-Schicht 76 ist hier mit Pfeilen 99a und 99b veranschaulicht, wobei die Wärme gezielt lokal auf Positionen 101a und 101b eingestrahlt wird, die den gewünschten Positionen der zu erzeugenden Oberflächentäler 88, 90 in 7 entspricht. Um auch hier die Oberflächentäler 88, 90 mit unterschiedlichen Amplituden zu erzeugen, wird die Wärme von der Wärmequelle 96 an den Positionen 101a und 101b mit unterschiedlichen Wärmebeträgen eingestrahlt, wie mit unterschiedlich langen Wärmepfeilen 103a und 103b veranschaulicht ist. Auch hier ist die Wärmequelle 96 dazu ausgelegt, die NTE-Schicht mit ortsvariabler Wärmeverteilung zu beaufschlagen.
  • Durch die Wärmebeaufschlagung der NTE-Schicht 76 an den Positionen 101a und 101b zieht sich die NTE-Schicht entsprechend zusammen, wodurch die Oberflächentäler 88, 90 erzeugt werden, wie in 8d) dargestellt ist.
  • Mit einer Spiegelanordnung, die die Spiegel 50 und 70 gemäß 8a) bis d) aufweist, wird somit ein Thermalmanipulator geschaffen, mit dem es möglich ist, in Kombination der Oberflächenverläufe der Oberflächen 58 und 78 einen resultierenden Oberflächenverlauf einzustellen, der eine bestimmte gewünschte optische Wirkung auf die Wellenfront der EUV-Strahlung erzeugt, wie sie in 7 gezeigt ist.
  • An dieser Stelle sei darauf hingewiesen, dass anstelle nur eines Spiegels 50 und nur eines Spiegels 70 zwei oder drei Spiegel vom Typ des Spiegels 50 und/oder zwei Spiegel vom Typ des Spiegels 70 im Strahlengang der EUV-Strahlung angeordnet werden können, wobei dann die Erzeugung der Oberflächenberge 82, 84, 86 auf die zwei oder drei Spiegel vom Typ des Spiegels 50 verteilt werden, und/oder die Erzeugung der Oberflächentäler 88 und 90 auf die beiden Spiegel vom Typ des Spiegels 70. Hierdurch können die Wärmeeinträge auf mehrere Spiegel verteilt werden, was die Wärmebelastung der einzelnen Spiegel weiter verringert und die Anzahl an Manipulatorfreiheitsgraden erhöhen kann.
  • Insbesondere ist es vorteilhaft, wenn die Spiegelanordnung der EUV-Projektionsbelichtungsanlage zumindest zwei Spiegel mit jeweils zumindest einer NTE-Schicht aufweist.
  • Mit Bezug auf 9 und 10 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Spiegelanordnung beschrieben, bei der ein Spiegel verwendet wird, der sowohl zumindest eine PTE- als auch zumindest eine NTE-Schicht aufweist.
  • 9 zeigt zunächst einen gewünschten Verlauf 102 der optischen Wirkung auf die Wellenfront von EUV-Strahlung mit einem Oberflächenberg 104 und einem Oberflächental 106.
  • 10 zeigt einen Spiegel 110 für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, mit dem der Verlauf 102 der optischen Wirkung auf die Wellenfront der EUV-Strahlung allein eingestellt werden kann. Der Spiegel 110 weist eine reflektierende (HR) Schicht 112, einen Grundkörper 114, eine PTE-Schicht 116, eine NTE-Schicht 118 und eine Wärme isolierende (ISO) Schicht 120 zwischen der PTE-Schicht 116 und der NTE-Schicht 118 auf. Dabei kann die PTE-Schicht 116 auch Teil der HR-Schicht 112 sein.
  • Dem Spiegel 110 ist eine Wärmequelle 122, die als IR-Strahlungsquelle 124 ausgebildet ist, sowie eine weitere Wärmequelle 126, die ebenfalls als IR-Strahlungsquelle 128 ausgebildet ist, zugeordnet.
  • Über die Wärmequelle 124 wird die PTE-Schicht 116 gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt, und zwar an einer Position 130, die auf Höhe einer Position 132 einer Oberfläche 134 der reflektierenden Schicht 112 liegt. Durch Wärmebeaufschlagung der PTE-Schicht an der Position 130 mit Wärmeübertrag durch die reflektierende Schicht 112 hindurch, wie mit einem Wärmepfeil 136 angedeutet ist, dehnt sich die PTE-Schicht im Bereich der Position 130 aus, und auf der Oberfläche 134 der reflektierenden Schicht 112 bildet sich entsprechend eine Oberflächendeformation in Form des Oberflächenbergs 104 aus. Der Wärmeeintrag an der Position 130 ist unter Berücksichtigung einer ggf. möglichen zusätzlichen wärmebedingten Ausdehnung der reflektierenden Schicht 112 zu bemessen, da die Wärmebeaufschlagung der PTE-Schicht 112 hier nämlich durch die reflektierende Schicht 112 hindurch erfolgt.
  • Die NTE-Schicht 118 wird ebenfalls mit Wärme beaufschlagt, und zwar mittels der Wärmequelle 126 durch den Grundkörper 114 hindurch an einer Position 138, die auf Höhe einer Position 140 der Oberfläche 134 der reflektierenden Schicht 112 liegt, an der das Wellental 106 erzeugt werden soll. Der Wärmeeintrag in die NTE-Schicht 118 ist mit einem Wärmepfeil 142 angedeutet. Durch die Wärmebeaufschlagung der NTE-Schicht an der Position 138 zieht sich die NTE-Schicht im Bereich der Position 138 zusammen, wobei sich die dadurch verursachte Deformation der NTE-Schicht durch die Wärme isolierende Schicht 120, die PTE-Schicht 116 und die reflektierende Schicht 112 hindurch fortpflanzt, so dass das Oberflächental 106 an der Oberfläche 134 der reflektierenden Schicht 112 entsteht.
  • Die Wärme isolierende Schicht 120 verhindert bzw. reduziert einen Wärmeübertrag zwischen der PTE-Schicht 116 und der NTE-Schicht 118, so dass die Wärmebeaufschlagung der PTE-Schicht 116 an der Position 130 nicht auch zu einer Wärmebeaufschlagung der NTE-Schicht 118 führt, und umgekehrt.
  • Durch den Aufbau des Spiegels 110 sowohl mit einer PTE-Schicht als auch mit einer NTE-Schicht und durch gezielte lokale Wärmebeaufschlagung der NTE-Schicht unabhängig von der PTE-Schicht kann somit mit nur einem Spiegel ein Oberflächenverlauf der Oberfläche 134 mit Oberflächenbergen und Oberflächentälern eingestellt werden.
  • 11 zeigt ein Beispiel eines Schichtaufbaus eines Spiegels 150 gemäß den Prinzipien der vorliegenden Erfindung.
  • Der Spiegel 150 weist eine reflektierende (HR) Schicht 152, einen Grundkörper 154 und eine NTE-Schicht 156 zwischen der reflektierenden Schicht 152 und dem Grundkörper 154 auf. Zwischen der reflektierenden Schicht 152 und der NTE-Schicht 156 befindet sich optional eine Wärme isolierende(ISO)-Schicht 158, die vorzugsweise keinen oder einen nur sehr geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. Des Weiteren weist der Spiegel 150 auf der der reflektierenden Schicht 152 abgewandten Seite der NTE-Schicht 156 optional eine Wärme isolierende(ISO)-Schicht 160 auf, die vorzugsweise ein Material mit keinem oder nur sehr geringem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist. Das Material für die isolierende Schicht 160 kann beispielsweise Quarz gefertigt sein. Zwischen der NTE-Schicht 156 und dem Grundkörper 154 befindet sich optional eine Schicht 162 mit hoher Wärmeleitfähigkeit (HC), die dazu dient, die verbliebene Restwärme im Spiegel 150 möglichst gleichmäßig in den Grundkörper 154 einzubringen. Die Dicke und das Material der Schicht 162 ist dabei an die Dicke und das Material der NTE-Schicht 156 anzupassen. Die HC-Schicht 162 hat idealerweise einen geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten. Die isolierenden(ISO)-Schichten, insbesondere die ISO-Schicht 160 ist bevorzugt transparent ausgeführt, um das Vordringen der IR-Strahlen insbesondere in die NTE-Schicht 156 zu ermöglichen. Die HC-Schicht mit hoher Wärmeleitfähigkeit 162 ist ebenfalls bevorzugt transparent ausgeführt, um das Vordringen der IR-Strahlen in die ISO-Schicht 160 zu ermöglichen.
  • Der Grundkörper 154 besteht vorzugsweise aus einer ULE-Keramik. Die reflektierende Schicht 152 kann ein Molybdän-Silizium-Schichtstapel sein. Die Schicht 162 mit hoher Wärmeleitfähigkeit kann beispielsweise aus Kupfer oder Nickel oder im Falle einer oben aufgeführten bevorzugten Transparenz aus CaF2 gefertigt sein.
  • In der nachfolgenden Tabelle 1 sind verschiedene Materialien mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufgelistet, die als Material für die NTE-Schicht 156 verwendet werden können. In Tabelle 1 bezeichnet CTE den Wärmeausdehnungskoeffizienten, K die Einheit Kelvin, d eine beispielhafte Dicke der NTE-Schicht, delta t einen angenommenen Temperaturunterschied und delta d die Zusammenziehung der NTE-Schicht bei dem angenommenen Temperaturunterschied delta t. δ und β bezeichnen in der Formel n = (1 – δ) + i β den von 1 abweichenden Realteil δ und den Imaginärteil β des komplexen Brechungsindex n des jeweiligen Materials bei einer Wellenlänge von 13,5 nm. Diese Größen geben an, inwiefern das jeweilige Material innerhalb oder sogar oberhalb der HR-Schicht einsetzbar ist. Je kleiner der Wert β ist, desto weniger Transmission geht durch die NTE-Schicht innerhalb oder oberhalb der HR-Schicht verloren. Die jeweilige Eignung des Materials ist durch das Effizienzverhältnids CTE/β bestimmt. Je negativer dieses ist, desto effizienter ist der Einsatz des jeweiligen Materials.
    CTE [10e–6/K] δ β CTE/β d [nm] delta t [K] delta d [nm]
    PbTiO3 –3,300 0,097 0,054 –60,584 1000,000 10,000 –0,033
    Sc2W3O12 –2,200 0,022 0,010 –216,599 1000,000 10,000 –0,022
    Y2W3O12 –4,200 0,031 0,013 –325,677 1000,000 10,000 –0,042
    Lu2W3O12 –6,800 0,059 0,032 –213,688 1000,000 10,000 –0,068
    NbOPO4 –3,700 0,099 0,032 –114,294 1000,000 10,000 –0,037
    ZrV2O7 –7,100 0,076 0,030 –233,806 1000,000 10,000 –0,071
    ZrW2O8 –8,700 0,047 0,020 –443,595 1000,000 10,000 –0,087
    ZrMo2O8 –5,000 0,069 0,020 –250,279 1000,000 10,000 –0,050
    K5Zr(PO4)3 –0,500 0,010 0,003 –144,829 1000,000 10,000 –0,005
    KZr2(PO4)3 –1,700 0,009 0,003 –515,072 1000,000 10,000 –0,017
    Zn(CN)2 –18,1000 0,072 0,045 –402,059 1000,000 10,000 –0,181
    Tabelle 1
  • Bei der Auswahl der Materialien für die zumindest eine NTE-Schicht sind folgende Kriterien zu beachten:
    • – eine genaue Kenntnis des Ausdehnungskoeffizienten im genutzten Temperaturbereich
    • – die Isotropie des Materials (ansonsten entstehen Spannungen und die Gefahr von Mikrorissen
    • – möglichst einfache Herstellung einschließlich des Aufbringens bei der Herstellung des Spiegels
    • – möglichst großer negativer Wärmeausdehnungskoeffizient
    • – keine Phasenübergänge bei niedrigeren Drücken
    • – isotrope oder anisotrope Zusammenziehung des verwendeten Materials
  • Beispiel für eine Kompensation der HR-Schicht durch eine NTE-Schicht:
  • Für die NTE-Schicht wird das Material ZrW2O8 verwendet. Die reflektierende Schicht sei ein in der Literatur oft erwähnter Molybdän-Silizium-Schichtstapel aus 50 Lagen eines Schichtsystems aus 2,4 nm Molybdän und 3,3 nm Si. Für die reflektierende Schicht ergibt sich somit eine Gesamtdicke von 120 nm Molybdän und 165 nm Silizium. Der durchschnittliche Wärmeausdehnungskoeffizient der reflektierenden Schicht beträgt 3,61 × 10–6/K, ermittelt aus dem Wärmeausdehnungskoeffizienten von Molybdän von etwa 5 × 10–6/K und von Silizium von etwa 2,6 × 10–6 K. Mit einer etwa 118 nm dicken NTE-Schicht aus ZrW2O8 kann eine Wärmeausdehnung der reflektierenden Schicht kompensiert werden. Bei einer Schichtdicke der NTE-Schicht aus ZrW2O8 von über 118 nm Dicke kann somit selbst bei gleichem Wärmeeintrag in beide Schichten die Zusammenziehung der NTE-Schicht stärker sein als die Wärmeausdehnung der reflektierenden Schicht, um so beispielsweise in der Oberfläche der reflektierenden Schicht ein Oberflächental zu erzeugen, oder um weitere Ausdehnungseffekte des Materials ULE zu kompensieren.
  • In 12 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Spiegels 170 gemäß den Prinzipien der vorliegenden Erfindung gezeigt.
  • Der Spiegel 170 weist eine reflektierende (HR) Schicht 172, einen Grundkörper 174, eine PTE-Schicht 176, und eine NTE-Schicht 178 zwischen der reflektierenden Schicht 172 und dem Grundkörper 174 auf. Die PTE-Schicht 176 und die NTE-Schicht 178 können auch vertauscht sein. Der Aufbau der reflektierenden Schicht 172, der NTE-Schicht 178 und des Grundkörpers 174 kann wie bei dem Spiegel 150 in 11 sein.
  • Die PTE-Schicht 176 ist beispielsweise eine sogenannte Oberflächenschutzschicht (surface protection layer), wie sie bei EUV-Spiegeln üblicherweise verwendet wird.
  • Zwischen der PTE-Schicht 176 und der NTE-Schicht 178 befindet sich eine Wärme isolierende Schicht 180, deren Aufgabe es ist, einen Wärmeübertrag zwischen der PTE-Schicht 176 und der NTE-Schicht 178 so gering wie möglich zu halten, insbesondere wenn, wie bereits oben beschrieben wurde, die PTE-Schicht 176 und die NTE-Schicht 178 von entgegengesetzten Seiten des Spiegels 170 her mit Wärme beaufschlagt werden. Als Material für die Schicht 180 kann beispielsweise Quarz verwendet werden.
  • Zwischen der NTE-Schicht 178 und dem Grundkörper 174 befindet sich eine Wärme isolierende Schicht 182 und eine Schicht 184 mit hoher Wärmeleitfähigkeit, wie bereits mit Bezug auf den Spiegel 150 in 11 beschrieben wurde.
  • Schließlich ist auf der reflektierenden Schicht 172 noch eine Deckschicht (CAP) 186 aufgebracht, die die reflektierende Schicht 172 zur Umgebung hin schützt.
  • In 13 ist eine mit dem allgemeinen Bezugszeichen 200 versehene EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie gezeigt, bei der die Prinzipien der vorliegenden Erfindung angewandt werden können. Die EUV-Projektionsbelichtungsanlage weist ein Beleuchtungssystem 202 und ein Projektionsobjektiv 204 auf. Das Beleuchtungssystem 202 weist eine EUV-Strahlungsquelle 206, eine Spiegelanordnung mit einem Kollektorspiegel 208, sowie weiteren Spiegeln 210, 212, 214, 216 und 218 auf. Die von der EUV-Strahlungsquelle 206 erzeugte EUV-Strahlung wird über den Kollektorspiegel 208, die Spiegel 210, 212, 214, 216 und 218 in eine Objektebene 220 gerichtet, in der ein Retikel 222 angeordnet ist.
  • Die Objektebene 220 bildet die Objektebene des Projektionsobjektivs 204, das in Ausbreitungsrichtung der EUV-Strahlung eine Spiegelanordnung mit einem Spiegel 224, einem Spiegel 226, einem Spiegel 228, einem Spiegel 230, einem Spiegel 232 und einem Spiegel 234 aufweist. Die Spiegel 224 bis 234 bilden ein hier nicht dargestelltes Muster des Retikels 222 in eine Bildebene 236 ab, in der ein Wafer 238 angeordnet ist.
  • Die aus den Spiegeln 224 bis 234 gebildete Spiegelanordnung des Projektionsobjektivs 204 kann nun nach den Prinzipien der vorliegenden Erfindung zumindest einen Spiegel aufweisen, der zumindest eine NTE-Schicht aufweist, und/oder zumindest einen Spiegel, der zumindest eine NTE-Schicht und zumindest eine PTE-Schicht aufweist. Für eine derartige Ausgestaltung der Spiegel 224 bis 234 der Spiegelanordnung des Projektionsobjektivs 204 eignen sich hier insbesondere die beiden Spiegel 224 und 226. So kann der Spiegel 224 zumindest eine PTE-Schicht aufweisen, wie im Fall beispielsweise des Spiegels 50 in 3 oder des Spiegels 110 in 10 oder auch des Spiegels 170 in 12. Der Spiegel 226 kann zumindest eine NTE-Schicht aufweisen, wie beispielsweise der Spiegel 30 in 2, der Spiegel 70 in 5, der Spiegel 110 in 10, der Spiegel 140 in 11 oder der Spiegel 170 in 12.
  • Die beiden Spiegel 224 und 226 eignen sich hier insbesondere deswegen als PTE- und NTE-Spiegelpaar, weil die beiden Spiegel 224 und 226 in dem Projektionsobjektiv 204 an Positionen angeordnet sind, an denen sie eine ähnliche optische Wirkung auf die Wellenfront der EUV-Strahlung haben. Beide Spiegel 224 und 226 sind nämlich nahe einer Pupillenebene angeordnet, die sich zwischen den beiden Spiegeln 224 und 226 befindet.
  • Den Spiegeln 224 und 226 sind entsprechende Wärmequellen zur gezielten lokalen Beaufschlagung der zumindest einen PTE-Schicht des Spiegels 224 und die zumindest eine NTE-Schicht des Spiegels 226 mit Wärme zugeordnet, wobei die Wärmequellen in 13 nicht dargestellt sind, wobei diesbezüglich jedoch auf 8a) und c) sowie auf 10 verwiesen wird.
  • Mit dem Spiegelpaar aus den Spiegeln 224 und 226 wird somit ein Thermalmanipulator geschaffen, mit dem durch gezielte lokale Beaufschlagung der zumindest einen PTE-Schicht des Spiegels 224 und/oder der zumindest einen NTE-Schicht des Spiegels 226 der Oberflächenverlauf des jeweiligen Spiegels so eingestellt wird, dass sich in Kombination beider Oberflächenverläufe ein resultierender Oberflächenverlauf der Spiegelanordnung aus beiden Spiegeln 224 und 226 ergibt, um den Wellenfrontverlauf der an den Spiegeln 224 bis 234 reflektierten EUV-Strahlung in gewünschter Weise einzustellen. Diese Einstellung kann dazu vorgenommen werden, um einen Abbildungsfehler zu kompensieren, um einer durch die EUV-Strahlung verursachten Verformung der Oberfläche entgegenzuwirken, und/oder um die Wellenfront in Abhängigkeit eines Betriebsmodus der Projektionsbelichtungsanlage 200 zu verändern.
  • Ein weiteres Spiegelpaar, das sich für einen Thermalmanipulator in diesem Sinne eignet, sind die Spiegel 232 und 234.
  • Mit Bezug auf 13 wurde beschrieben, dass das Projektionsobjektiv 204 nach den Prinzipien der vorliegenden Erfindung zumindest einen Spiegel aufweisen kann, der zumindest eine NTE-Schicht aufweist, und/oder zumindest einen Spiegel, der zumindest eine NTE-Schicht und zumindest eine PTE-Schicht aufweist.
  • Es wurde oben des Weiteren beschrieben, dass es möglich ist, über gezielte lokale Wärmebeaufschlagung solcher Spiegel, bspw. der Spiegel 224 und 226 des Projektionsobjektivs 204 in 13, die Wellenfront der EUV-Strahlung zu beeinflussen.
  • 14 zeigt nun eine Prinzipdarstellung eines Steuerungssystems 300, das in der Lage ist, die Thermalmanipulatoren in geeigneter Weise anzusteuern, um ein gewünschtes Wellenfrontprofil der EUV-Strahlung zu erhalten.
  • 14 zeigt ein Projektionsobjektiv 302, das bspw. das Projektionsobjektiv 204 aus 13 sein kann. Das Projektionsobjektiv 302 bildet mittels EUV-Strahlung 304 ein (nicht dargestelltes) Retikel, das in einer Retikelebene 306 angeordnet ist, auf einen in einer Waferebene 308 angeordneten Wafer (nicht dargestellt) ab.
  • Das Projektionsobjektiv 302 weist hier beispielhaft zwei Wärmequellen 310 und 312 auf, die, wie oben beschrieben, insbesondere als Infrarot-Strahlungsquellen, insbesondere als IR-Pixel-Diodenanordnungen ausgebildet sein können. Die Wärmequellen 310 und 312 sind in der Lage, einzelne Spiegel, die in 14 nicht dargestellt sind, des Projektionsobjektivs 302 gezielt lokal mit Wärme zu beaufschlagen, insbesondere mit einem Wärmeintensitätsprofil, wie oben bereits beschrieben wurde. Bei den Spiegeln kann es sich bspw. um die Spiegel 224 und 226 des Projektionsobjektivs 294 in 13 handeln.
  • Eine Wellenfrontmessvorrichtung 314 dient dazu, die Wellenfronten des Projektionsobjektivs 302 in der Waferebene 308 zu messen. Die Messung der Wellenfronten kann vor und/oder während des Betriebs des Projektionsobjektivs 302 erfolgen.
  • Die Wellenfrontmessvorrichtung 314 ist mit einer Verrechnungs- und Wellenfrontmessungssteuereinheit 316 mit Impulsgeber verbunden, die die Messungen der Wellenfronten durch die Wellenfrontmessvorrichtung 314 veranlasst und sodann die Auswertung und Aufbereitung der Wellenfronten vornimmt. Anstatt eine Messung von Wellenfronten zu veranlassen, können auch auf Basis von Extrapolation bzw. Vorhersagemodellen Wellenfronten durch die Verrechnungs- und Wellenfrontmessungssteuereinheit 316 erzeugt werden.
  • Das Steuerungssystem 300 weist des Weiteren eine Recheneinheit 318 und einen Speicher 320 auf.
  • In dem Speicher 320 werden die optischen Sensitivitäten der durch gezielte lokale Wärmebeaufschlagung veränderlichen Spiegel (bspw. die Spiegel 224 und 226 des Projektionsobjektiv 204 in 13) bereitgehalten. Dabei wird davon ausgegangen, dass die Wärmequellen 310 bzw. 312 verschiedene Wärmebeaufschlagungskonfigurationen vorsehen, bspw. im Fall, dass die Wärmequellen 310, 312 als IR-Pixel-Diodenarrays ausgebildet sind. Dabei werden verschiedene Wärmeintensitätsprofile vorgesehen. Es wird ferner die optische Wirkung für so genannte Basiskonfigurationen ermittelt, die bestimmte Ansteuerungsbasismuster für die IR-Pixelarrays darstellen.
  • Die Recheneinheit 318 dient zur Berechnung einer Wellenfrontkorrektur, die für eine mittels der Verrechnungs- und Wellenfrontmessungssteuereinheit 316 bereitgestellte zu korrigierende Wellenfront mithilfe der im Speicher 320 abgelegten optischen Sensitivitäten eine Korrektur in Form von Aktuierungswegen für die vorstehend genannten Basiskonfigurationen ermittelt. Die Recheneinheit 318 ermittelt aus diesen Basiskonfigurationen durch Superposition Intensitätsprofile für die Wärmebeaufschlagung der Spiegel (bspw. der Spiegel 224 und 226 des Projektionsobjektivs 204 in 13), so dass die derart ortsabhängig wärmebeaufschlagten Spiegel die Wellenfronten des Projektionsobjektivs 302 in berechneter Weise verändern.
  • Die von der Recheneinheit 318 ermittelten Aktuierungswege für die Basiskonfigurationen werden von der Recheneinheit 318 an entsprechende Steuereinheiten 322, 324, die den Wärmequellen 310 bzw. 312 zugeordnet sind, übermittelt, wobei die Steuereinheiten 322 und 324 die zuvor genannten Aktuierungswege der Basiskonfigurationen in Stellbefehle für die Wärmequellen 310 bzw. 312 übersetzt, die dann die wärmezubeaufschlagenden Spiegel (nicht dargestellt) gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt, vorzugsweise mit einem entsprechenden Wärmeintensitätsprofil.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • US 7977651 B2 [0008]
    • WO 2008/034636 A2 [0034]

Claims (31)

  1. Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage (200) für die Mikrolithographie, mit einer Mehrzahl an Spiegeln (30; 50; 70; 110; 150; 170; 210–218, 224–234), die jeweils eine im EUV-Spektralbereich reflektierende Schicht (32; 52; 72; 112; 152; 172), die mit EUV-Strahlung beaufschlagbar ist, und einen Grundkörper (34; 54; 74; 114; 154; 174) aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Spiegel (30; 70; 110; 150; 170; 226) der Mehrzahl an Spiegeln zumindest eine Schicht (36; 76; 118; 156; 178) aufweist, die ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist.
  2. Spiegelanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zumindest eine Spiegel (110; 170) zumindest eine weitere Schicht (116; 176) aufweist, die ein Material mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, die von der zumindest einen Schicht (118; 178) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten durch zumindest eine Wärme isolierende Schicht (120; 180) getrennt ist.
  3. Spiegelanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein weiterer Spiegel der Mehrzahl an Spiegeln (30; 50; 70; 110; 150; 170; 210–218, 224–234) zumindest eine Schicht aufweist, die ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist.
  4. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein weiterer Spiegel (50; 224) der Mehrzahl an Spiegeln zumindest eine Schicht (56) aufweist, die ein Material mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist.
  5. Spiegelanordnung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass der zumindest eine Spiegel (70; 226) und der zumindest eine weitere Spiegel (50; 224) an Positionen im Strahlengang der EUV-Strahlung angeordnet sind, die hinsichtlich ihrer optischen Wirkung konjugiert oder annähernd konjugiert sind.
  6. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch zumindest eine Wärmequelle (96; 126), um die zumindest eine Schicht (76; 118) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zumindest einen Spiegels (70; 110) gezielt lokal mit Wärme zu beaufschlagen.
  7. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 5 und nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch zumindest eine weitere Wärmequelle (92; 122), um die zumindest eine Schicht (56) mit negativem oder positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zumindest einen weiteren Spiegels (50; 224) gezielt lokal mit Wärme zu beaufschlagen.
  8. Spiegelanordnung nach Anspruch 2 und Anspruch 6 oder 7, gekennzeichnet durch zumindest eine weitere Wärmequelle (122), um die zumindest eine Schicht (116) mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zumindest einen Spiegels gezielt lokal mit Wärme zu beaufschlagen.
  9. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Wärmequelle (96; 126) und/oder die zumindest eine weitere Wärmequelle (92; 122) dazu ausgelegt ist, die zumindest eine Schicht (76; 118) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten und/oder die zumindest eine Schicht (56; 116) mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten mit einer ortsvariablen Wärmeverteilung zu beaufschlagen.
  10. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Wärmequelle (96; 126) und/oder die zumindest eine weitere Wärmequelle (92; 122) eine IR-Strahlungsquelle (94, 98, 124, 128) ist.
  11. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Wärmequelle (96; 126) und/oder die zumindest eine weitere Wärmequelle (92; 122) die zumindest eine Schicht (76; 118) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten und/oder die zumindest eine Schicht (56) mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten durch die reflektierende Schicht (52; 72; 112) hindurch mit Wärme beaufschlagt.
  12. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Wärmequelle (96; 126) und/oder die zumindest eine weitere Wärmequelle (92; 122) die zumindest eine Schicht (76; 118) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten und/oder die zumindest eine Schicht (56) mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten von der Seite des Grundkörpers (54; 74; 114) her mit Wärme beaufschlagt.
  13. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der zumindest einen Schicht (156; 178) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten und dem Grundkörper (154; 174) zumindest eine Wärme isolierende Schicht (160; 182) vorhanden ist.
  14. Spiegelanordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Wärme isolierenden Schicht (160; 182) und dem Grundkörper (154; 174) eine Schicht mit hoher Wärmeleitfähigkeit vorhanden ist.
  15. Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das/die Material/Materialien für die Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten zumindest zu einem wesentlichen Teil ausgewählt ist/sind aus der Gruppe, die aus ZrMo2O8, ZrW2O8, HfMo2O8, Zr2(MoO4)3, Zr2(WO4)3, Hf2(MoO4)3, ScF3, ZnC2N2, ZnF2, Y2W3O12, BiNiO3 sowie aus Gemengen der vorstehend genannten Materialien besteht.
  16. Spiegelanordnung nach Anspruch 2 oder 4 oder einem der Ansprüche 3, 5 bis 15, soweit auf Anspruch 2 oder 4 rückbezogen, dadurch gekennzeichnet, dass das/die Material/Materialien für die Schicht mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten zumindest zu einem wesentlichen Teil ausgewählt ist/sind aus der Gruppe, die aus Zr, Y, Nb, Mo, Si, Ge, Ru, RuO2, RuSi, Ni sowie aus Gemengen der vorstehend genannten Materialien besteht.
  17. EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, gekennzeichnet durch eine Spiegelanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 16.
  18. Verfahren zum Betreiben einer Spiegelanordnung einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage (200) für die Mikrolithographie, wobei die Spiegelanordnung eine Mehrzahl an Spiegeln (30; 50; 70; 110; 150; 170; 210–218, 224–234) aufweist, die jeweils eine im EUV-Spektralbereich reflektierende Schicht (32; 52; 72; 112; 152; 172), die mit EUV-Strahlung beaufschlagbar ist, und einen Grundkörper (34; 54; 74; 114; 154; 174) aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Spiegel (30; 70; 110; 150; 170; 226) der Mehrzahl an Spiegeln mit zumindest einer Schicht bereitgestellt wird, die ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, und dass die zumindest eine Schicht (36; 76; 118; 156; 178) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt wird, um einen Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht (32; 52; 72; 112; 152; 172) des zumindest einen Spiegels (30; 70; 110; 150; 170; 226) einzustellen, um einen Wellenfrontverlauf der an der Mehrzahl an Spiegeln reflektierten EUV-Strahlung einzustellen.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht (32; 52; 72; 112; 152; 172) eingestellt wird, um einen Abbildungsfehler zu kompensieren.
  20. Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht (32; 52; 72; 112; 152; 172) eingestellt wird, um einer durch die EUV-Strahlung verursachten Verformung der Oberfläche der reflektierenden Schicht (32; 52; 72; 112; 152; 172) entgegenzuwirken.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Oberflächenverlauf eingestellt wird, um die Wellenfront der Projektionsbelichtungsanlage zu verändern.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein weiterer Spiegel der Mehrzahl an Spiegeln (30; 50; 70; 110; 150; 170; 210–218, 224–234) mit zumindest einer Schicht bereitgestellt wird, die ein Material mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, und dass die Schicht mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zumindest einen weiteren Spiegels gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt wird, um einen Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht des weiteren Spiegels einzustellen, um zusammen mit dem Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht des zumindest einen Spiegels den Wellenfrontverlauf der Projektionsbelichtungsanlage einzustellen.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass der zumindest eine Spiegel (110; 170) mit zumindest einer weiteren Schicht (116; 176) bereitgestellt wird, die ein Material mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, und die von der zumindest einen Schicht (118; 178) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten durch zumindest eine Wärme isolierende Schicht getrennt ist, und dass die zumindest eine weitere Schicht ebenfalls gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt wird, um den Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht einzustellen.
  24. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein weiterer Spiegel (50; 224) der Mehrzahl an Spiegeln mit zumindest einer Schicht (56) bereitgestellt wird, die ein Material mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, und dass die Schicht (56) mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten des zumindest einen weiteren Spiegels (50; 224) gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt wird, um einen Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht (52) des weiteren Spiegels (50; 224) einzustellen, um zusammen mit dem Oberflächenverlauf der reflektierenden Schicht (72) des zumindest einen Spiegels (70; 226) den Wellenfrontverlauf der an der Mehrzahl an Spiegeln (224–234) reflektierten EUV-Strahlung einzustellen.
  25. Verfahren nach Anspruch 23 oder 24, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Schicht (56; 116) mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt wird, um ein Oberflächental des Oberflächenverlaufs der reflektierenden Schicht (52; 112; 172) zu kompensieren, und/oder dass die zumindest eine Schicht (76; 118; 178) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten gezielt lokal mit Wärme beaufschlagt wird, um einen Oberflächenberg des Oberflächenverlaufs der reflektierenden Schicht (52; 112; 172) zu kompensieren.
  26. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Schicht (76; 118) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten mit einer ortsvariablen Wärmeverteilung beaufschlagt wird.
  27. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 25 oder nach Anspruch 26, soweit auf einen der Ansprüche 23 bis 25 rückbezogen, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Schicht (56; 116) mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten mit einer ortsvariablen Wärmeverteilung beaufschlagt wird.
  28. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Schicht (76; 118) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten durch die reflektierende Schicht (72; 112) hindurch mit Wärme beaufschlagt wird.
  29. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Schicht (76; 118) mit negativem Wärmeausdehnungskoeffizienten von der Seite des Grundkörpers (74; 114) her mit Wärme beaufschlagt wird.
  30. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 25 oder einem der Ansprüche 26 bis 29, soweit auf einen der Ansprüche 23 bis 25 rückbezogen, dadurch gekennzeichnet, dass die die zumindest eine Schicht (56; 116) mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten durch die reflektierende Schicht (52; 112) hindurch mit Wärme beaufschlagt wird.
  31. Verfahren nach einem der Ansprüche 23 bis 25 oder einem der Ansprüche 26 bis 30, soweit auf einen der Ansprüche 23 bis 25 rückbezogen, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Schicht (56; 116) mit positivem Wärmeausdehnungskoeffizienten von der Seite des Grundkörpers (114) her mit Wärme beaufschlagt wird.
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