CN110879511B - 薄膜的定点去除装置、显示基板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种薄膜的定点去除装置、显示基板及其制造方法，其中薄膜的定点去除装置包括定点铺锡设备、成膜设备和降温相变设备；定点铺锡设备用于在第一表面形成至少一个含锡相变图案，每个含锡相变图案位于对应的标记区域内并覆盖对位标记，含锡相变液包括白锡；成膜设备用于形成薄膜，薄膜包括覆盖含锡相变图案的牺牲膜层和覆盖第一表面的功能膜层；降温相变设备用于容置形成薄膜后的衬底基板，并用于降低衬底基板周围的温度，以使含锡相变图案内的白锡发生相变且体积膨胀，暴露出对位标记，使得曝光机能够准确对位；含锡相变液的粘度和涂布量易于控制，因此定点去除薄膜时不会损伤有效区内的薄膜，也不会产生对位标记暴露不完全的问题。

Description

薄膜的定点去除装置、显示基板及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及薄膜的定点去除装置、显示基板及其制作方法。

背景技术

在On-Cell Touch显示面板的制程中，需要在玻璃基板的上表面形成用于实现触控功能的触控电极。图1为现有技术中一种显示基板的制作方法的步骤示意图，图2为现有技术中一种显示基板的制作方法的流程示意图，请参图1和图2，玻璃基板11包括多个对位标记(Mark)111，在玻璃基板11上进行金属层12成膜后，金属层12会覆盖对位标记111，为了使得曝光机的图像传感器13能够抓取对位标记111，需要对金属层12进行腐蚀形成缺口121，常用的方法是滴注酸液以暴露出对位标记111，再进行光阻涂布，曝光机在图像传感器13抓取对位标记111后进行曝光。

然而，酸液易扩散，酸液对金属层12的腐蚀区域大小和腐蚀程度不易控制，可能导致有效区域内的金属层12被腐蚀，造成触控电极的断线不良，使得产品被报废，也可能造成对位标记111未完全暴露，造成曝光机无法对位。

前面的叙述在于提供一般的背景信息，并不一定构成现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供了一种薄膜的定点去除装置、显示基板及其制作方法，解决定点去除薄膜以暴露出对位标记，使得曝光机能够准确对位的问题。

本发明提供一种薄膜的定点去除装置，适用于一衬底基板，所述衬底基板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述衬底基板还设有至少一个标记区域，所述第一表面和/或所述第二表面在所述标记区域内形成有对位标记；所述定点去除装置包括定点铺锡设备、成膜设备和降温相变设备；

所述定点铺锡设备用于在所述第一表面涂布含锡相变液以形成至少一个含锡相变图案，每个所述含锡相变图案位于对应的所述标记区域内并覆盖所述对位标记，所述含锡相变液包括白锡；

所述成膜设备用于形成所述薄膜，所述薄膜包括覆盖所述含锡相变图案的牺牲膜层和覆盖所述第一表面的功能膜层；

所述降温相变设备用于容置形成所述薄膜后的所述衬底基板，并用于降低所述衬底基板周围的温度，以使所述含锡相变图案内的白锡发生相变且体积膨胀，以顶破所述牺牲膜层。

进一步地，所述定点铺锡设备包括第一导轨、两条第二导轨和铺锡单元，两条所述第二导轨分别设置在所述第一导轨两侧，所述第一导轨和所述第二导轨正交，所述第一导轨上载有所述铺锡单元；所述第一导轨和所述第二导轨控制所述铺锡单元在所述衬底基板的上方移动；

所述铺锡单元包括储锡壳体和管路壳体；所述储锡壳体内设有用于储存所述含锡相变液的储锡腔室，所述储锡壳体的内、外壁间设置夹层并布设恒温加热线圈，所述恒温加热线圈用于控制所述储锡腔室内的所述含锡相变液保持液态；所述管路壳体连接在所述储锡壳体下方，所述管路壳体内设有铺锡管路，所述管路壳体的底部还设有涂布嘴，所述涂布嘴、所述铺锡管路和所述储锡腔室连通；所述管路壳体的内、外壁间设置夹层并布设变温线圈，所述变温线圈用于控制所述含锡相变液的涂布面积和涂布厚度。

进一步地，所述变温线圈包括第一变温线圈和第二变温线圈，所述第二变温线圈相较所述第一变温线圈更靠近所述涂布嘴。

进一步地，所述含锡相变液还包括质量分数为0.01％～2％的铝，和/或所述含锡相变液包括质量分数为0.01％～2％的镁。

进一步地，所述含锡相变液和所述第一表面的浸润角小于120°。

进一步地，所述降温相变设备包括密封壳体、密封门、多层手臂、冷媒管路以及冷媒压缩机；

所述密封壳体和所述密封门构成密封腔室，所述多层手臂位于所述密封腔室内，所述多层手臂用于承载形成所述薄膜后的所述衬底基板；所述密封壳体的内、外壁间设置夹层并布设所述冷媒管路，所述冷媒管路连接位于所述密封壳体外的所述冷媒压缩机，所述冷媒管路和所述冷媒压缩机用于给所述密封腔室降温。

进一步地，所述降温相变设备还包括升降气缸和两级滑轨，所述升降气缸位于所述多层手臂的下方，所述两级滑轨连接在所述升降气缸和所述密封壳体之间；所述两级滑轨用于在所述衬底基板装载或取出时，控制所述多层手臂伸出所述密封腔室；所述升降气缸用于在降低至衬底基板装载或取出时，调整所述多层手臂的高度。

进一步地，所述冷媒管路和所述冷媒压缩机用于将所述密封腔室内的温度降低至-30℃～-13.8℃。

本发明还提供一种显示基板的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：

提供一衬底基板，所述衬底基板包括相对设置的第一表面和第二表面，所述衬底基板还设有至少一个标记区域，所述第一表面和/或所述第二表面在所述标记区域内形成有对位标记；

在所述第一表面上涂布含锡相变液以形成至少一个含锡相变图案，每个所述含锡相变图案位于对应的所述标记区域内并覆盖所述对位标记，所述含锡相变液包括白锡；

形成薄膜，所述薄膜包括覆盖所述含锡相变图案的牺牲膜层和覆盖所述第一表面的功能膜层；

降温以使所述含锡相变图案内的白锡发生相变且体积膨胀，所述含锡相变图案顶破所述牺牲膜层，所述含锡相变图案和所述牺牲膜层脱落，暴露出所述对位标记；

清洗去除脱落的所述含锡相变图案和所述牺牲膜层；

形成覆盖所述薄膜的光阻；

捕捉所述对位标记的位置，根据所述对位标记的位置将曝光机与所述衬底基板进行对位；

使用曝光机进行曝光。

本发明还提供一种显示基板，所述显示基板采用上述显示基板的制作方法制作形成。

本发明提供了一种薄膜的定点去除装置、显示基板及其制作方法，其中薄膜的定点去除装置首先通过定点铺锡设备在标记区域内定点形成含锡相变图案，再由成膜设备形成薄膜，然后采用降温相变设备进行降温，使含锡相变图案内的白锡发生相变且体积膨胀，顶破覆盖含锡相变图案的牺牲膜层并暴露出对位标记，使得曝光机能够准确对位；含锡相变液的粘度和涂布量易于控制，因此定点去除薄膜时不会损伤有效区内的薄膜，也不会产生对位标记暴露不完全的问题。

附图说明

图1为现有技术中一种显示基板的制作方法的步骤示意图；

图2为现有技术中一种显示基板的制作方法的流程示意图；

图3(a)为本发明一实施例中衬底基板的俯视图；

图3(b)为沿图3(a)中B-B剖面线的截面示意图；

图4为本发明一实施例的薄膜的定点去除装置中定点铺锡设备的使用步骤示意图；

图5(a)为图4所示定点铺锡设备的结构示意图；

图5(b)为图5(a)所示定点铺锡设备中铺锡单元的结构示意图；

图6为本发明一实施例的薄膜的定点去除装置中成膜设备的使用步骤示意图；

图7为本发明一实施例的薄膜的定点去除装置中降温相变设备的使用步骤示意图；

图8(a)为图7所示降温相变设备在使用状态下的结构示意图；

图8(b)为图7所示降温相变设备在装载或取出状态下的结构示意图；

图9为本发明一实施例的显示基板的制作方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

本发明一实施例的薄膜的定点去除装置适用于一衬底基板20，图3(a)示出了该衬底基板20的俯视图，图3(b)示出了沿图3(a)中B-B剖面线的截面示意图，请参图3(a)和图3(b)，衬底基板20包括相对的第一表面20a和第二表面20b，衬底基板20还设有至少一个标记区域MA，第一表面20a和/或第二表面20b在标记区域MA内形成有对位标记201。本实施例中薄膜的定点去除装置用于在衬底基板20的第一表面20a形成一薄膜22，该薄膜22在标记区域MA内被定点去除以形成缺口23，缺口23暴露出形成在第二表面20b上的对位标记201，使得曝光机能够准确对位。其中，衬底基板20为透明材料，例如为玻璃基板，薄膜22为非透明材料，例如为Cu、Ag等金属，或Mo-Al-Mo等金属夹层。

进一步地，衬底基板20包括显示区AA和位于显示区AA外围的非显示区NA，标记区域MA位于非显示区NA内，第一表面20a例如为衬底基板20的上表面，第二表面20b例如为衬底基板20的下表面。衬底基板20用于形成On-Cell Touch显示面板中的彩膜基板，衬底基板20的第一表面20a形成用于实现触控功能的触控电极，衬底基板20的第二表面20b形成彩色滤光层，曝光机在对位后对金属薄膜22进行刻蚀形成自容式On-Cell触控电极的第一触控金属层，自容式On-Cell触控电极还包括第二触控电极层和绝缘层，绝缘层位于第一触控金属层和第二触控金属层之间。

本实施例的薄膜的定点去除装置包括定点铺锡设备30、成膜设备40和降温相变设备50。

图4为本发明一实施例的薄膜的定点去除装置中定点铺锡设备的使用步骤示意图，请参图4，定点铺锡设备30用于在衬底基板20的第一表面20a涂布含锡相变液210以形成至少一个含锡相变图案21，每个含锡相变图案21位于对应的标记区域MA内并覆盖对位标记201，含锡相变液210包括白锡。白锡在-13.8℃以下会发生相变转变为灰锡，因组织晶粒粗化，密度变小且颗粒化，体积膨胀增大21％，该相变现象被为锡疫。

进一步地，工业焊锡中通常通过加入铋、铅、锑、银等材料，避免锡疫发生，合金内含0.5％的锑金属便可有效避免锡疫的产生，合金内含铝、铜、镁、锰、锌时会加快锡疫速度，本实施例中的含锡相变液210主体为白锡，白锡的质量分数至少为80％，以确保相变时含锡相变图案21的体积膨胀比例足以顶破金属材质的薄膜22，含锡相变液210不含锑，并包括铝、铜、镁、锰、锌的至少其中一种。纯净锡液对玻璃的浸润角为175°，几乎不浸润，无法在玻璃材质的衬底基板20表面涂布纯净锡液，实验证明，少量掺杂铝、镁、氧、硫可增加锡液与玻璃的粘附性，因此本实施例中的含锡相变液210包括铝、镁、氧、硫的至少其中一种，以降低浸润角。优选地，含锡相变液210包括质量分数为0.01％～2％的铝，和/或含锡相变液210包括质量分数为0.01％～2％的镁。含锡相变液210和第一表面20a的浸润角小于120°，例如为90°。

图5(a)为图4所示定点铺锡设备的结构示意图，请参图5(a)，定点铺锡设备30包括第一导轨31、两条第二导轨32和铺锡单元33，两条第二导轨32分别设置在第一导轨31两侧，第一导轨31和第二导轨32正交，第一导轨31上载有铺锡单元33，第一导轨31和第二导轨32控制铺锡单元33在衬底基板20的上方移动。具体地，在定点铺锡设备30使用时，衬底基板20位于两条第二导轨32之间，第一导轨31沿X方向延伸，两条第二导轨32沿Y方向延伸，X方向和Y方向正交，第一导轨31的两端分别连接在两条第二导轨32上，第一导轨31可沿第二导轨32在Y方向上移动，铺锡单元33可沿第一导轨31在X方向上移动，使得铺锡单元33可以移动至衬底基板20任意位置的上方。

图5(b)为图5(a)所示定点铺锡设备中铺锡单元的结构示意图，请参图5(b)，铺锡单元33包括储锡壳体331和管路壳体332；储锡壳体331内设有用于储存含锡相变液210的储锡腔室341，储锡壳体331的内、外壁间设置夹层并布设恒温加热线圈35，恒温加热线圈35用于控制储锡腔室341内的含锡相变液210保持液态；管路壳体332连接在储锡壳体331下方，管路壳体332内设有铺锡管路342，管路壳体332的底部还设有涂布嘴343，涂布嘴343、铺锡管路342和储锡腔室341连通；管路壳体332的内、外壁间设置夹层并布设变温线圈36，变温线圈36用于控制含锡相变液210的涂布面积和涂布厚度。

进一步，恒温加热线圈35控制储锡腔室341内的温度处于200～250℃之间，优选地为220℃。变温线圈包括第一变温线圈361和第二变温线圈362，第二变温线圈362相较第一变温线圈361更靠近涂布嘴343，即铺锡管路342包括靠近储锡腔室341的第一管路区域342a和靠近涂布嘴343的第二管路区域342b，第一变温线圈361位于第一管路区域342a的外围，第二变温线圈362位于第二管路区域342b的外围。含锡相变液210在常温下为固态，以下简称处于固态的含锡相变液210为固态锡。铺锡单元33移动到标记区域MA上方后，第二变温线圈362升温控制第二管路区域342b内固态锡熔化为液态，同时通过第一变温线圈361调控第一管路区域342a内固态锡的温度，进而第一变温线圈361的温度可以间接调控第二管路区域342b内固态锡的熔化量。涂布过程中，第二管路区域342b内固态锡的熔化量决定含锡相变液210的涂布量，第二变温线圈362的温度越高，含锡相变液210的粘度越低，涂布厚度越小，含锡相变液210的涂布量和涂布厚度决定涂布面积。涂布完成后，第二变温线圈362先降温，第一变温线圈361升温控制第一管路区域342a内固态锡熔化为液态，以对第二管路区域342b内的含锡相变液210进行补充，最后第二管路区域342b内的含锡相变液210凝固。铺锡单元33中，第一变温线圈361的温度主要用于控制涂布量，第二变温线圈362的温度主要用于控制涂布厚度，涂布量和涂布厚度由两个独立的温度变量控制，提高了涂布的精确性，提高薄膜22定点去除的准确性，使得对位标记201可以完整露出。

图6为本发明一实施例的薄膜的定点去除装置中成膜设备的使用步骤示意图，请参图6，成膜设备40用于形成薄膜22，薄膜22包括覆盖含锡相变图案21的牺牲膜层221和覆盖第一表面20a的功能膜层222，牺牲膜层221位于非显示区NA内，衬底基板20设有有效区，有效区包括显示区AA和显示区周边一圈，位于有效区内的功能膜层222用于刻蚀形成触控电极。薄膜22为非透明材料，例如为金属薄膜22，成膜设备40例如为物理气相沉积设备。

图7为本发明一实施例的薄膜的定点去除装置中降温相变设备的使用步骤示意图，请参图7，降温相变设备50用于容置形成薄膜22后的衬底基板20，并用于降低衬底基板20周围的温度，以使含锡相变图案21内的白锡发生相变且体积膨胀，从而顶破牺牲膜层221。含锡相变图案21内掺杂的铝和/或镁加快锡疫速度，白锡在相变后组织晶粒粗化，含锡相变图案21和衬底基板20之间粘附力下降，含锡相变图案21和牺牲膜层221脱落，即薄膜22在标记区域MA内被定点去除形成缺口23，缺口23暴露出对位标记201。

图8(a)为图7所示降温相变设备在使用状态下的结构示意图，请参图8(a)，降温相变设备50包括密封壳体51、密封门52、多层手臂53、冷媒管路54以及冷媒压缩机55；密封壳体51和密封门52构成密封腔室510，多层手臂53位于密封腔室510内，多层手臂53用于承载形成薄膜22后的衬底基板20；密封壳体51的内、外壁间设置夹层并布设冷媒管路54，冷媒管路54连接位于密封壳体51外的冷媒压缩机55，冷媒管路54和冷媒压缩机55用于给密封腔室510降温。锡疫在-13.8℃以下发生，冷媒管路54和冷媒压缩机55用于将密封腔室510内的温度降低至-30℃～-13.8℃，例如为-20℃。

进一步地，多层手臂53包括多层载板平台，每层载板平台用于承载一块形成薄膜22后的衬底基板20，降温相变设备50还包括升降气缸56和两级滑轨57，升降气缸56位于多层手臂53的下方，两级滑轨57连接在升降气缸56和密封壳体51之间。图8(b)为图7所示降温相变设备在装载或取出状态下的结构示意图，请参图8(b)，两级滑轨57用于在衬底基板20装载或取出时，控制多层手臂53伸出密封腔室510；升降气缸56用于在衬底基板20装载或取出时，调整多层手臂53的高度。升降气缸56和两级滑轨57为衬底基板20的装载或取出提供便利，避免在装载或取出过程中发生碰撞。

图9为本发明一实施例的显示基板的制作方法的流程示意图，请参图9，该制作方法包括以下步骤：

提供一衬底基板20，衬底基板20包括相对的第一表面20a和第二表面20b，衬底基板20还设有至少一个标记区域MA，第一表面20a和/或第二表面20b在标记区域MA内形成有对位标记201；

在第一表面20a上涂布含锡相变液210以形成至少一个含锡相变图案21，每个含锡相变图案21位于对应的标记区域MA内并覆盖对位标记201，含锡相变液210包括白锡；含锡相变液210中白锡的质量分数至少为80％，优选地包括质量分数为0.01％～2％的铝，和/或含锡相变液210包括质量分数为0.01％～2％的镁；该步骤中，若含锡相变液210的涂布发生异常，将衬底基板20至于-13.8℃以下的低温环境下，使白锡发生锡疫以去除涂布异常的含锡相变图案21；

形成薄膜22，薄膜22包括覆盖含锡相变图案21的牺牲膜层221和覆盖第一表面20a的功能膜层222；

降温至-13.8℃以下，以使含锡相变图案21内的白锡发生相变且体积膨胀，含锡相变图案21顶破牺牲膜层221，含锡相变图案21和牺牲膜层221脱落，暴露出对位标记201。

进一步地，还包括后续步骤：

清洗去除脱落的含锡相变图案21和牺牲膜层221，避免残渣影响后续步骤；

形成覆盖薄膜22的光阻；

捕捉对位标记201的位置，根据对位标记201的位置将曝光机与衬底基板20进行对位；

使用曝光机进行曝光，对薄膜22进行图案化形成第一触控金属层；

在第一触控金属层上形成绝缘层；

在绝缘层上形成第二触控金属层，第一触控金属层、绝缘层和第二触控金属层共同构成自容式On-Cell触控电极。

本发明还提供一种显示基板，采用上述任一种显示基板的制作方法制作形成，进一步地，显示基板还包括彩色滤光层，自容式On-Cell触控电极位于显示基板的第一表面20a，彩色滤光层位于显示基板的第二表面20b。

本发明提供的薄膜的定点去除装置首先通过定点铺锡设备30在标记区域MA内定点形成含锡相变图案21，再由成膜设备40形成薄膜22，然后采用降温相变设备50进行降温，使含锡相变图案21内的白锡发生相变且体积膨胀，顶破覆盖含锡相变图案21的牺牲膜层221并暴露出对位标记201，使得曝光机能够准确对位。含锡相变液210的粘度和涂布量易于控制，因此定点去除薄膜22时不会损伤有效区内的薄膜22，也不会产生对位标记201暴露不完全的问题。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种薄膜的定点去除装置，适用于一衬底基板(20)，所述衬底基板(20)包括相对设置的第一表面(20a)和第二表面(20b)，所述衬底基板(20)还设有至少一个标记区域(MA)，所述第一表面(20a)和/或所述第二表面(20b)在所述标记区域(MA)内形成有对位标记(201)；其特征在于，所述定点去除装置包括定点铺锡设备(30)、成膜设备(40)和降温相变设备(50)；

所述定点铺锡设备(30)用于在所述第一表面(20a)涂布含锡相变液(210)以形成至少一个含锡相变图案(21)，每个所述含锡相变图案(21)位于对应的所述标记区域(MA)内并覆盖所述对位标记(201)，所述含锡相变液(210)包括白锡；

所述成膜设备(40)用于形成薄膜(22)，所述薄膜(22)包括覆盖所述含锡相变图案(21)的牺牲膜层(221)和覆盖所述第一表面(20a)的功能膜层(222)；

所述降温相变设备(50)用于容置形成所述薄膜(22)后的所述衬底基板(20)，并用于降低所述衬底基板(20)周围的温度，以使所述含锡相变图案(21)内的白锡发生相变且体积膨胀，以顶破所述牺牲膜层(221)。

2.如权利要求1所述的薄膜的定点去除装置，其特征在于，所述定点铺锡设备(30)包括第一导轨(31)、两条第二导轨(32)和铺锡单元(33)，两条所述第二导轨(32)分别设置在所述第一导轨(31)两侧，所述第一导轨(31)和所述第二导轨(32)正交，所述第一导轨(31)上载有所述铺锡单元(33)；所述第一导轨(31)和所述第二导轨(32)控制所述铺锡单元(33)在所述衬底基板(20)的上方移动；

所述铺锡单元(33)包括储锡壳体(331)和管路壳体(332)；所述储锡壳体(331)内设有用于储存所述含锡相变液(210)的储锡腔室(341)，所述储锡壳体(331)的内、外壁间设置夹层并布设恒温加热线圈(35)，所述恒温加热线圈(35)用于控制所述储锡腔室(341)内的所述含锡相变液(210)保持液态；所述管路壳体(332)连接在所述储锡壳体(331)下方，所述管路壳体(332)内设有铺锡管路(342)，所述管路壳体(332)的底部还设有涂布嘴(343)，所述涂布嘴(343)、所述铺锡管路(342)和所述储锡腔室(341)连通；所述管路壳体(332)的内、外壁间设置夹层并布设变温线圈(36)，所述变温线圈(36)用于控制所述含锡相变液(210)的涂布面积和涂布厚度。

3.如权利要求2所述的薄膜的定点去除装置，其特征在于，所述变温线圈(36)包括第一变温线圈(361)和第二变温线圈(362)，所述第二变温线圈(362)相较所述第一变温线圈(361)更靠近所述涂布嘴(343)。

4.如权利要求1所述的薄膜的定点去除装置，其特征在于，所述含锡相变液(210)还包括质量分数为0.01％～2％的铝，和/或所述含锡相变液(210)包括质量分数为0.01％～2％的镁。

5.如权利要求1所述的薄膜的定点去除装置，其特征在于，所述含锡相变液(210)和所述第一表面(20a)的浸润角小于120°。

6.如权利要求1所述的薄膜的定点去除装置，其特征在于，所述降温相变设备(50)包括密封壳体(51)、密封门(52)、多层手臂(53)、冷媒管路(54)以及冷媒压缩机(55)；

所述密封壳体(51)和所述密封门(52)构成密封腔室(510)，所述多层手臂(53)位于所述密封腔室(510)内，所述多层手臂(53)用于承载形成所述薄膜(22)后的所述衬底基板(20)；所述密封壳体(51)的内、外壁间设置夹层并布设所述冷媒管路(54)，所述冷媒管路(54)连接位于所述密封壳体(51)外的所述冷媒压缩机(55)，所述冷媒管路(54)和所述冷媒压缩机(55)用于给所述密封腔室(510)降温。

7.如权利要求6所述的薄膜的定点去除装置，其特征在于，所述降温相变设备(50)还包括升降气缸(56)和两级滑轨(57)，所述升降气缸(56)位于所述多层手臂(53)的下方，所述两级滑轨(57)连接在所述升降气缸(56)和所述密封壳体(51)之间；所述两级滑轨(57)用于在所述衬底基板(20)装载或取出时，控制所述多层手臂(53)伸出所述密封腔室(510)；所述升降气缸(56)用于在所述衬底基板(20)装载或取出时，调整所述多层手臂(53)的高度。

8.如权利要求6所述的薄膜的定点去除装置，其特征在于，所述冷媒管路(54)和所述冷媒压缩机(55)用于将所述密封腔室(510)内的温度降低至-30℃～-13.8℃。

9.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

提供一衬底基板(20)，所述衬底基板(20)包括相对设置的第一表面(20a)和第二表面(20b)，所述衬底基板(20)还设有至少一个标记区域(MA)，所述第一表面(20a)和/或所述第二表面(20b)在所述标记区域(MA)内形成有对位标记(201)；

在所述第一表面(20a)上涂布含锡相变液(210)以形成至少一个含锡相变图案(21)，每个所述含锡相变图案(21)位于对应的所述标记区域(MA)内并覆盖所述对位标记(201)，所述含锡相变液(210)包括白锡；

形成薄膜(22)，所述薄膜(22)包括覆盖所述含锡相变图案(21)的牺牲膜层(221)和覆盖所述第一表面(20a)的功能膜层(222)；

降温以使所述含锡相变图案(21)内的白锡发生相变且体积膨胀，所述含锡相变图案(21)顶破所述牺牲膜层(221)，所述含锡相变图案(21)和所述牺牲膜层(221)脱落，暴露出所述对位标记(201)；

清洗去除脱落的所述含锡相变图案(21)和所述牺牲膜层(221)；

形成覆盖所述薄膜(22)的光阻；

捕捉所述对位标记(201)的位置，根据所述对位标记(201)的位置将曝光机与所述衬底基板(20)进行对位；

使用曝光机进行曝光。

10.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求9所述的显示基板的制作方法制作形成。

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