WO2011091900A2 - Facettenspiegel zum einsatz in der mikrolithografie - Google Patents

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Damian Fiolka
Joachim Hartjes
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Carl Zeiss Smt Gmbh
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    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets

Definitions

  • German Patent Application DE 10 2010 001 388.9 is fully incorporated by reference.
  • the invention relates to a facet mirror for use in microlithography.
  • the invention further relates to a lighting optical system for microlithography for illuminating an object field with at least one such facet mirror, a lighting system with such illumination optics, a projection exposure apparatus with such an illumination system, a method for adjusting an illumination optical system within such a projection exposure apparatus, a production method for a micro- or nano-structured component using a projection exposure system set in this way as well as a structured component manufactured using such a production method.
  • a projection exposure apparatus with a facet mirror of the aforementioned type is known from US 2004/0108467 AI.
  • the adjustment device according to the invention leads to the possibility of very finely influencing a direction specification for the illumination channels assigned to the individual facets after reflection at the adjustable facets. Given requirements for accuracy of directional control, the requirements for the adjusting device are correspondingly low.
  • the adjusting device may have a control unit.
  • the facet mirror with the adjusting device according to the invention can be embodied as a field facet mirror or as a pupil facet mirror. A displaceability with a movement component perpendicular to the facet reflection plane is also given if the direction of displacement deviates from a normal to the facet reflection plane.
  • an angle in the range of 5 ° can lie between the direction of displacement of the facets given by the adjusting device and the normal to the facet reflection plane. Even a smaller angle, for example an angle of 3 °, 2 ° or 1 °, is possible. A displacement that is exactly perpendicular to the facet reflection plane is also possible. Finally, the angle between the direction of displacement and the normal to the facet reflection plane may also be greater than 5 °.
  • the facet mirror according to the invention can be used in particular in EUV microlithography. Alternatively, it is also possible to use the facet mirror at other wavelengths, for example at UV or VUV wavelengths, for example at the illumination wavelength 193 nm. The other components of the invention explained below can also be used at these other wavelengths.
  • the adjusting device according to the invention is particularly well-suited, since there is a linear dependence of the deflection angle resulting from a displacement of the facet via the adjusting device and thus a corresponding dependence of the direction specification of the illumination channel guided via the displaced facet ,
  • An adjusting device with a correspondingly large adjustment path in the mm range leads, with practically adapted dimensions, to a sufficient change in the illumination channel
  • a positioning accuracy according to claim 4 has been found in practice sufficient. Such positioning accuracy is accessible with conventional adjustment mechanisms and with conventional adjustment actuators, for example with piezo or spindle actuators. The positioning accuracy can be better than 10 ⁇ .
  • a piezoelectric actuator according to claim 5 can be designed with stacked piezoceramic elements. Corresponding piezo actuators also allow a tilt adjustment of the facets. Reference areas in the rich facets to specify an initial position of the facet be present.
  • a spindle drive according to claim 6 represents a micromechanically executable variant of a piezo actuator.
  • the overall displacement path and the positioning accuracy of the spindle drive can be specified via the accuracy of a rotational positioning of a rotary drive for the spindle drive and the thread pitch ,
  • the spindle drive can be designed as a fine drive with a differential thread.
  • the advantages of a lighting optical system according to claim 7 correspond to those which have already been explained above in connection with the facet mirror according to the invention.
  • the illumination optics according to the invention can be an illumination optic for use in EUV microlithography.
  • both an illumination angle distribution over the object field and an illumination intensity distribution over the object field can be finely adjusted to default values.
  • the advantages of an illumination system according to claim 9 and a projection exposure apparatus according to claim 10 correspond to those which have already been explained above with reference to the illumination optics according to the invention and the facet mirror according to the invention.
  • the projection exposure apparatus can be used to realize microstructured or nano-structured components, for example semiconductor chips, with high structural resolution.
  • the light source of the projection exposure system it can is an EUV light source, a UV light source or a VUV light source, for example for the production of illumination light with a wavelength of 193 nm.
  • a method for adjusting the illumination optical system according to claim 1 uses the possibilities of the facet mirror with the adjusting device according to the invention.
  • the measuring device can have a CCD array or another spatially resolving detection element.
  • Such a CCD array can be sensitive to the illumination light by appropriate equipment.
  • the measuring device it is possible to configure the measuring device so that, for example, a CCD array or another spatially resolving detection element can be used, which is sensitive to an adjustment light wavelength.
  • illumination parameters can also be achieved by taking into account a predisposition of effects of the projection optics or of the light source which have an effect on the projection exposure within predefined tolerance ranges. In this way, a compensation of such effects of the projection optics or the light source via the facet adjustment is possible.
  • the measuring can take place with a measuring device which has a measuring unit in the area of the object field and a further measuring unit in the area of the pupil facet mirror. In this way, in cases where both a field facet mirror and a pupil facet mirror have the adjustment device according to the invention, the effects of the respective adjustments of field facets and pupil facets can be detected separately.
  • the adjusting device according to the invention can be used to optimize a lighting intensity over the field height of the object field.
  • a field intensity specification device can be improved, which is described for example in WO 2009/074 21 1 AI.
  • the field intensity presetting device and the facet mirror interact with the adjustment device according to the invention for presetting an illumination intensity distribution over the field height. This interaction can be iterative.
  • the advantages of a manufacturing method according to claim 14 and a component according to claim 15 correspond to those which have already been explained above.
  • FIG. 1 Shown schematically in FIG. 1 and in relation to illumination optics in the meridional section, are a microlithography projection exposure apparatus;
  • FIG. 2 an enlarged detail of FIG. 1 in the region of a particle or object plane
  • a pupil facet of the pupil facet mirror of the illumination optics with a piezo-adjustment device for adjusting the pupil facet perpendicular to a facet flexion plane
  • 2 schematically shows a section of a beam path of the EUV illumination light according to FIG. 7 to illustrate the effects of an adjustment of a field illumination. facet of the field facet mirror of the illumination optics;
  • FIG. 10 is a schematic plan view in the direction of an object plane of the effect of an adjustment of facets on specific illumination channels assigned to the facets, with the field intensity specification device also being shown;
  • FIG. 11 shows in a representation similar to FIG. 10 the effects of an adjustment of individual field facets on an illumination of pupil facets of the pupil facet mirror of the illumination optics;
  • FIG. 12 is a schematic side view of the effects of mutual shadowing of two adjacent facets;
  • a microlithography projection exposure apparatus 1 is used to produce a microstructured or nano-structured electronic semiconductor component.
  • a light source 2 emits EUV radiation used for illumination in the wavelength range, for example, between 5 nm and 30 nm.
  • the light source 2 may be a GDPP source (plasma discharge by gas discharge, produced plasma) or an LPP source (plasma generation by laser, laser produced plasma) act.
  • a radiation source based on a synchrotron can also be used for the light source 2. Information about such a light source can be found by the person skilled in the art, for example, in US Pat. No. 6,859,515 B2.
  • EUV illumination light or illumination radiation 3 is used for illumination and imaging inside the projection exposure apparatus 1.
  • the EUV illumination light 3 first passes through a collector 4, which may, for example, be a nested collector with a multi-shell structure known from the prior art or alternatively an ellipsoidally shaped collector.
  • a corresponding collector is known from EP 1 225 481 A.
  • the EUV illumination light 3 first passes through an intermediate focus plane 5, which can be used to separate the EUV illumination light 3 from unwanted radiation or particle fractions.
  • the EUV illumination light 3 first strikes a field facet mirror 6.
  • a Cartesian global xyz coordinate system is shown in the drawing.
  • the x-axis in Fig. 1 is perpendicular to the plane and out of this.
  • the y-axis extends in Fig. 1 to the right.
  • the z-axis extends in Fig. 1 upwards.
  • a Cartesian local xyz or xy coordinate system is also used in the following figures.
  • the respective local xy coordinates span a respective main assembly plane of the optical component, for example a reflection plane.
  • the x-axes of the global xyz coordinate system and the local xyz or xy coordinate systems run parallel to each other.
  • the respective y-axes of the local xyz or xy coordinate systems have an angle to the y-axis of the global xyz coordinate system, which corresponds to a tilt angle of the respective optical component about the x-axis.
  • the field facets 7 are rectangular and each have the same x / y aspect ratio.
  • the x / y aspect ratio may be 12/5, 25/4, or 104/8.
  • the field facets 7 provide a reflection surface of the field facet mirror 6 and are grouped into four columns of six to eight field facet groups 8a, 8b, respectively.
  • the two field facet groups 8b of the two middle field facet columns each have four field facets 7.
  • the facet arrangement of the field facet mirror has 6 spaces 9, in which the Field facet mirror 6 is shaded by holding spokes of the collector 4.
  • the EUV illumination light 3 After reflection at the field facet mirror 6, the EUV illumination light 3 divided into beam tufts or sub-beams, which are assigned to the individual field facets 7, strikes a pupil facet mirror 10.
  • FIG. 5 shows an exemplary facet arrangement of circular pupil facets 11 of the pupil facet mirror 10.
  • the pupil facets 11 are arranged around a center in mutually adjacent facet rings.
  • Each sub-bundle of the EUV membership reflected from one of the field facets 7 Illumination light 3 is assigned a pupil facet 1 1, so that in each case an applied facet pair with one of the field facets 7 and one of the pupil facets 1 1 defines an illumination channel for the associated sub-beam of the EUV illumination light 3.
  • the channel-wise assignment of the pupil facets 1 1 to the field facets 7 takes place as a function of a desired illumination by the projection exposure apparatus 1.
  • the field facets 7 are imaged into an object plane 16 of the projection exposure apparatus 1.
  • the EUV mirror 14 is designed as a grazing incidence mirror.
  • a reticle 17 is arranged, from which a illumination area is illuminated with the EUV illumination light 3, which coincides with an object field 18 of a downstream projection optics 19 of the projection exposure apparatus 1.
  • the illumination channels are superimposed in the object field 18.
  • the EUV illumination light 3 is reflected by the reticle 17.
  • the projection optical system 19 images the object field 18 in the object plane 16 into an image field 20 in an image plane 21.
  • a wafer 22 is arranged, which carries a photosensitive layer, which is exposed to the projection exposure apparatus 1 during the projection exposure.
  • both the reticle 17 and the wafer 22 are scanned synchronously in the y-direction.
  • the projection exposure system 1 is designed as a scanner.
  • the scanning direction is also referred to below as the object displacement direction.
  • a field intensity presetting device or field correction device 24 Arranged in a field intensity predetermining level 23 is a field intensity presetting device or field correction device 24, which follows will be explained in more detail.
  • the field intensity presetting device 24, which is also referred to as UNICOM, is used to set a scan-integrated, ie, integrated in y-direction, intensity distribution over the object field 18.
  • the field intensity presetting device 24 is controlled by a control device 25.
  • An example of a field correction device is known from EP 0 952 491 A2 and from
  • the field facet mirror 6, the pupil facet mirror 10, the mirrors 12 to 14 of the transmission optical unit 15 and the field intensity presetting device 24 are components of an illumination optical unit 26 of the projection exposure apparatus 1. Together with the projection optics 19, the illumination optics 26 forms an illumination system of the projection exposure apparatus 1.
  • Figs. 2 and 3 show the field intensity presetting means 24 in greater detail.
  • the field intensity presetting device 24 has a plurality of juxtaposed finger-like individual apertures 27.
  • z For example, twenty-six individual panels 27 each having a width of 4 mm are provided.
  • These individual apertures 27 are directly adjacent to each other or partially overlapping. In the case of a partial overlap, adjacent elements of the individual apertures 27 must lie perpendicular to the beam direction of the EUV illumination light 3 in planes that are as close as possible to each other.
  • All individual apertures 27 are inserted into the EUV illumination light 3 from one and the same side.
  • the individual apertures 27 can be adjusted independently of one another in the y-direction into a predetermined position.
  • the field height ie in which x position
  • an object point on the reticle 17 passes the object field 18, the scanning path of this object point in the y direction and thus the integrated intensity of the EUV illumination light 3, which this object point experiences , determined by the y position of the respective individual aperture 27.
  • a homogenization or a predetermined distribution of the intensity of the EUV illuminating light 3 illuminating the reticle 17 can be achieved.
  • Fig. 6 shows another embodiment of a field facet mirror 6.
  • Components corresponding to those discussed above with reference to the field facet mirror 6 of Fig. 4 bear the same reference numerals and will be explained only insofar as they differ from the components of the field facet mirror 6 differ according to FIG. 4.
  • the field facet mirror 6 according to FIG. 6 has a field facet arrangement with curved field facets 7. These field facets 7 are arranged in a total of five columns each having a plurality of field facet groups 8.
  • the Feldfa- cettenan extract is inscribed in a circular boundary of a support plate 28 of the Feldfacettenaptapts.
  • the field facets 7 of the embodiment according to FIG. 6 all have the same area and the same ratio of width in the x direction and height in the y direction, which corresponds to the x / y aspect ratio of the field facets 7 of the embodiment according to FIG. 4.
  • FIG. 7 A local coordinate system for the field facet mirror 6 and the field facets 7 is shown in FIG. 7 as the x'y'z 'coordinate system.
  • a local x "y" z "coordinate system for the pupil facet mirror 10 and the pupil facets 11 is also shown in FIG.
  • a spectral filter 29 is schematically indicated in FIG. 7, which may also be a deflection mirror for the EUV illumination light 3.
  • the spectral filter 29 does not suppress wavelength components of the EUV illumination light 3 used as useful radiation, in particular long-wave components.
  • the field facet mirror 6 is shown schematically with three field facets 7 and, on the other hand, the pupil facet mirror 10 is shown schematically with three pupil facets 11. It is understood that a significantly larger number of field facets 7 and pupil facets 11 are used in practice.
  • the field facets 7 are designed to be tiltable between two stops, not shown, wherein each of the two tilt positions is associated with a certain one of the pupil facets 1 1 via an illumination channel. In this way, the specification of the tilted position of the field cette 7 select one of two possible illumination channels and accordingly one of two possible pupil facets 1 1.
  • the pupil facet mirror 10 thus has twice as many facets as the field facet mirror 6.
  • the associated stops and the tilt actuators are not shown in FIG. 7.
  • FIG. 7 two illumination channels 3i and 3 2 of the EUV illumination light 3 are shown.
  • the illumination channel 3i is assigned the field facet 7i and the pupil facet 11.
  • the illumination channel 3 2 are assigned the field facet 7 2 and the pupil facet 1 1 2 .
  • Each of the field facets 7 has an adjusting device 30, which has an actuator 31 in the form of a linear actuator.
  • the adjusting device 30 serves to adjust the associated field facet 7 along a displacement direction (double arrow 32) with a component of motion z 'perpendicular to a facet reflection plane x'y'.
  • the field facets 7 have a curved, in particular a concavely curved reflection surface 33.
  • the adjusting device 30 is designed such that a positioning of the respective field facet 7 along a total adjustment path V perpendicular to the field facet reflection plane x'y 'in the range of at least 1 mm and in the described embodiment of 2 mm is given.
  • the field facet 7i shown on the left is shown in a maximally retracted adjustment position and the middle field facet 7 in a maximally extended field position, so that the z 'positions of these two field facets 7 illustrate the overall adjustment path V.
  • a positioning accuracy of the field facets 7 along the total adjustment path V is in the range of less than 25 ⁇ and is in the described embodiment of 10 ⁇ .
  • a further adjusting device 34 with a linear actuator 35 is connected to the carrier plate 28 of the field facet mirror 6 so that the field facet mirror 6 with all the field facets 7 can be displaced in its entirety with the adjusting device 34 in the z 'direction for specifying a z' offset ,
  • the pupil facets 11 are also equipped with adjusting devices 30 with actuators 31, and the entire pupil facet mirror 10 is equipped with an adjusting device 34 with linear actuator 35, so that on the one hand the individual pupil facets 11 and on the other hand the entire pillar facet mirror 10 along one Displacement direction 32 and z "with component of motion perpendicular to a x" y "reflection plane of the pupil facets 1 1 is displaced.
  • the projection exposure apparatus 1 comprises a measuring device with measuring units 36, 37 for measuring an actual illumination intensity distribution of the EUV illumination light 3, which is able to resolve the contribution of individual illumination channels.
  • the object field measuring unit 36 is arranged in the region of the object plane 16, namely in the EUV beam path behind the reticle 17, so that the object field measuring unit 36 can measure an illumination of the object field 18 as long as the reticle 17 is removed.
  • the object field measuring unit 36 may be a CCD array, which is sensitive to the EUV illumination light 3 by appropriate equipment. be sensitive to a Justierlicht- wavelength whose intensity distribution coincides with that of the EUV illumination light 3.
  • the object field measuring unit 36 is in signal connection via a signal line 38 with the adjusting devices 30 of the pupil facet mirror 10.
  • the object field measuring unit 36 may also, what is not shown, be in signal connection with the adjusting device 34 of the pupil facet mirror 10 and the adjusting devices 30, 34 of the field facet mirror 6 via a further signal line.
  • the pupil measuring unit 37 can be moved into the beam path of the EUV illumination light 3 between the pupil facet mirror 10 and the object field 18 and detects an actual illumination intensity distribution on one of the pupil facets 11, as in FIG the pupil facet 1 1 2 shown, or on all pupil facets 1 1.
  • the pupil-measuring unit 37 may also be designed as a CCD array. Via a signal line 39, the pupil-measuring unit 37 is in signal connection with the adjusting devices 30 of the field facet mirror 6.
  • the pill-measuring unit 37 may also, what is not shown, be in signal communication with the adjusting device 34 of the field facet mirror 6 and with the adjusting devices 30, 34 of the pupil facet mirror 10 via a further signal line.
  • the two measuring units 36, 37 may be in signal communication with each other via a signal line, not shown, for exchanging data or control signals.
  • Fig. 8 shows an embodiment of one of the pupil facets 1 1 with an embodiment of the adjusting device 30. Components which correspond to those which have already been explained above with reference to Figures 1 to 7 bear the same reference numerals and will not be discussed again in detail.
  • the adjusting device 30 has a piezoelectric actuator.
  • a pin-shaped facet carrier 40 on one end of which the pupil facet 1 1 having a concave reflection surface 41 is formed, carries in an axial section a plurality of axially spaced piezoceramic elements 42.
  • four such piezoceramic elements 42 are shown , which each have the shape of a circumferential collar around a jacket wall 43 of the facet carrier 40, shown.
  • the axially spaced apart piezoceramic elements 42 engage on the edge in a complementary shaped stack 44 of piezo elements, so-called piezo stacks.
  • the stacks 44 are supported by a carrier plate-fixed facet mirror frame 45 which simultaneously constitutes a heat sink.
  • a carrier plate-fixed facet mirror frame 45 which simultaneously constitutes a heat sink.
  • About the piezoelectric actuator 31 is an adjustment of the pupil facet 1 1 along the displacement direction 32, ie in the z-direction of FIG. 8, possible.
  • piezoelectric actuators 46 enable a tilting of the pupil facet 11 about tilting axes parallel to the y-axis and to the x-axis. Shown in FIG. 8 is the piezoactuator 46 with which the x-axis tilting is possible. Correspondingly arranged at 90 ° perpendicular thereto is the otherwise identically constructed piezo actuator for the y-axis tilting.
  • the piezoelectric actuator 46 has on the jacket wall 43 of the facet carrier 40 areally mounted piezoceramic elements 47 and radially spaced this stack 48 of piezo elements.
  • the stacks 48 in turn are supported by the facet mirror frame 45.
  • a tilting (double arrow 49 in FIG. 8) with the piezoactuator 46 takes place by specifying a radial attraction between the stacks 48 and the piezoceramic elements 47.
  • the facet mirror frame 45 also carries two reference surfaces, namely a Z reference surface 50 and a Y reference surface 51. Another X reference surface with which an X position or an X precision measure P x of the pupil facet 1 1 can be determined is not shown in FIG. 8.
  • a Z precision measure P z can be predefined via the Z reflection surface 50 with the aid of an optical measurement. Accordingly, a Y precision measure P y can be given optically via the y reference surface 51.
  • the piezo-stacks 44, 48 are in signal connection with a control or regulating unit 54 of the adjusting device 30.
  • the control or regulating unit 54 in turn is in signal communication with the pupil measuring unit 37 (see FIG. 7) and with a detection and evaluation unit (not shown) for the precision dimensions P x , P y and P z .
  • Fig. 9 illustrates the effect of adjusting a field facet 7 by a displacement path dz within the Retroverstellweges V on the beam guidance of an illumination channel of the EUV illumination light 3.
  • Fig. 9 represents the deflecting effect due to a shift to dz greatly exaggerated because the Displacement is shown exaggerated and because the radius of curvature is shown greatly exaggerated small. Shown is the beam path of the illumination channel 3 V before the relocation of the Field facet 7 and the beam path 3 n after the shift by dz in the positive z-direction. After the shift, the field facet is shown at 7 '. The displacement of the field facet 7 by the associated adjusting device 30 (not shown in FIG.
  • the illumination channel strikes the field facet 7 at a point B2 and there has an angle of incidence a to a normal vector nl on the reflection surface 31 of the field facet 7 at the point B2.
  • the curved reflecting surfaces 31 of the field facets 7 have a radius of curvature R.
  • the illumination channel 3 V is reflected toward a point P 2 in a plane E 1 following the field facet mirror 6 in the beam path of the EUV illumination light 3, for example a main reflection plane in which the pupil facet mirror 10 is arranged.
  • the displacement of the field facet 7 by actuation of the corresponding adjusting device 30 by the adjustment path dz results in the EUV illumination light 3 n of the illumination channel now being reflected at the reflection surface 31 'of the pupil facet 7' at the point B 1.
  • the point B 1 is in the x direction of the local Cartesian xyz coordinate system for field facet 7 in FIG. 9 is spaced from point B2 by a distance dx.
  • the EUV illumination light 3 does not impinge parallel to the z-direction on the pupil facet 7 but at an angle to it.
  • the reflection surface 31 has a normal vector nl '.
  • the two normal vectors n1, n1 ' enclose an angle to one another, as illustrated again at the top right in FIG.
  • the angle of incidence of the EUV illumination light 3 at the point B 1 is corresponding to a - da.
  • the beam path 3 n of the EUV illumination light 3 extends to a point PI in the plane El.
  • 1 1 illustrates the effect of an adjustment of field facets 7 by adjustment paths dz 'of the local x'y'z' coordinate system of the field facet mirror 6 according to FIG. 7 to the position of the respective illumination channels 3i, 3 2 and further illumination channels 3.
  • Pulled through the illumination in the plane of arrangement E 1 of the pupil facet mirror 10 before displacement of the field facets 7 by dz 'and dashed is the position of these illumination channels 3 l 5 3 2 and 3 after the displacement of the field facets 7 by dz'.
  • the amount and the direction of the respective displacement of the illumination channels 3 l 5 3 2 and 3 in the arrangement level 1, ie in the xy plane according to FIG. 10, are illustrated in FIG. 10 by a directional arrow v.
  • This change in the points of impingement of the illumination channels 3 1 5 3 2 and 3 on the pupil facet mirror 10 results in a corresponding change in an illumination angle distribution during the illumination of the object field 18.
  • Tuning of the illumination angle distribution so it can be used as a so-called PUPICOM, ie as illumination angle-predetermining device for the illumination of the object field 18.
  • Such illumination angle-predetermining device can influence an intensity distribution of the illumination light 3 in a pupil plane of the illumination optics 26.
  • FIG. 10 shows the corresponding relationships when the pupil facets 1 1 are displaced by adjustment paths dz "according to the local x" y "z" coordinate system of the pupil facet mirror 10 according to FIG. 7.
  • the illumination channels 3 l 5 3 2 and another are again drawn through Illumination channel 3 before the displacement of the pupil facets 1 1 to the adjustment dz "and dashed are the same illumination channels 3 l 5 3 2 and 3 after the displacement of the pupil facets 1 1 to the adjustment
  • the magnitude and the direction of the respective displacement of the illumination channels 3 1, 5 3 2, and 3 on the pupil facet mirror 10 are respectively illustrated in Fig. 10 by a directional arrow v. This results in a corresponding displacement of the respective OFF
  • FIG. 12 illustrates that an adjustment along the displacement direction 32, that is to say about an adjustment path dz 'or dz ", can lead to a partial shading of an illumination channel of the EUV illumination light 3 in the case of adjacent field or pupil facets 7, 11 can also be used to correct a field or illumination angle intensity distribution in the object field 18.
  • neighboring facets 7, 1 1 the same z-position, so that no shading effect results.
  • two adjacent facets 7, 11 have a positional difference ⁇ in the direction of displacement 32, so that in a shading area 55 the EUV illumination light 3 is shadowed.
  • the shading area 55 does not contribute to imaging on the object field 18, which can be used for field intensity correction.
  • the shading area 55 does not contribute to illumination from the direction of this pupil facet, which can be used for illumination angle correction, for example for correcting an ellipticity or telecentricity value.
  • a definition of corresponding Elliptizticians- and Telezentriehong can be found in WO 2009/074 21 1 AI.
  • FIG. 13 shows a further embodiment of an adjusting device 56 for adjusting a pupil facet 11 along the displacement direction 32 or along the z direction of the local xyz coordinate system of the pupil facet 1.
  • an actuator for displacing the reflection surface 41 of the pupil facet 11 in the z-direction is designed as a spindle drive 57.
  • the spindle drive 57 has an external thread 58 which is embodied in the casing wall 43 of the facet carrier 40 adjacent to the reflection surface 41.
  • the spindle drive 57 has a threaded body 59, the is supported by the facet mirror frame 45.
  • the threaded body 59 has a male thread 58 to the complementary internal thread 60th
  • the threaded body 59 is held by a circumferential rib 61 of the facet mirror frame 45.
  • the circumferential rib 61 has a passage opening 62, through which the facet carrier 40 is inserted.
  • the threaded body 59 is mounted radially between a resilient restoring element 63, which is supported between the threaded body 59 and the facet mirror frame 45, and a connecting element 64 of a lateral drive 65.
  • the Y-tilt adjustment of the pupil facet 1 1 causes, it may be a micro-linear motor or a piezo-actuator in the manner of the piezo-actuator 46 of FIG. 8.
  • the adjusting device 56 has yet another lateral drive for X-tilt adjustment of the pupil facet mirror 11.
  • the facet carrier 40 For adjustment along the displacement direction 32, ie along the facet carrier 40, which corresponds to a Z-adjustment of the pupil facet mirror 11, the facet carrier 40 is rotated about its longitudinal axis.
  • a rotary drive 66 in the form of a micromotor.
  • the latter represents a structural unit with a rotary encoder 67.
  • the drives, so in particular the lateral drive 65 and the rotary drive 66 with the rotary encoder 67 are connected via signal lines 68, 69, 70 with the control unit 54 in signal connection.
  • the spindle drive 57 may be designed as a fine drive with a differential thread.
  • the following procedure is used to set the illumination optics 26 for predetermining a desired illumination intensity distribution and a desired illumination angle distribution via the object field 18.
  • an actual illumination intensity distribution of the EUV illumination light 3 with the measurement units 36, 37 which absorbs the contributions of individual illumination channels. of the EUV illuminating light 3 can be measured.
  • at least one of the facets 7, 1 1 with the associated actuator 31, 35, 57 of the respective adjusting device 30, 34, 56 adjusted along the displacement direction 32 until the respectively measured actual illumination intensity distribution over the object field 18 with a desired illumination intensity distribution within a predetermined tolerance range matches.
  • the measurement unit 36 can be used to measure the distribution of the intensity of the illumination light 3 over the field height, that is to say along the x direction. Subsequently, an adjustment of at least one of the facets 7, 1 1 along the displacement direction 32 can be made, as already explained above, until the actual illumination intensity distribution over the field height x coincides with the desired illumination intensity distribution within the predetermined tolerance range.
  • a measurement of the illumination intensity on selected or on all pupil facets 11 can be carried out with the measuring unit 37 and on the basis of this measurement result the adjustment of the facets 7, 11 can be carried out along predefined displacement paths dz ', dz "for achieving a target value.
  • Illumination intensity and illumination angle distribution over the object field 18 are performed. Possibly. is the displacement of the facets 7, 1 1 along the respective displacement direction 32 associated with a tilt angle correction about the respective x and y axes of the local coordinate systems of the field facets 7, 1 1. This correction can be used together with the displacement along the publisher 32 in an iterative process.
  • an ultrasonic motor can be used.
  • An adjustment of the individual apertures 27 of the field intensity presetting device 24 as well as an adjustment of the facets 7, 11 along the direction of displacement 32 can be performed iteratively to specify a desired illumination intensity distribution over the field height x.
  • the reticle 17 and the wafer 22 carrying a photosensitive coating for the EUV illumination light 3 are provided. Subsequently, at least a portion of the reticle 17 is projected onto the wafer 22 with the aid of the projection exposure apparatus 1. Finally, the photosensitive layer exposed to the EUV illuminating light 3 is developed on the wafer 22. In this way, the micro- or nano-structured component, for example a semiconductor chip, is produced.
  • EUV lighting it is also possible to use UV or VUV lighting, for example with illuminating light having a wavelength of 193 nm.

Abstract

Ein Facettenspiegel (6; 10) dient zum Einsatz in der Mikrolithografie. Der Facettenspiegel (6; 10) hat eine Mehrzahl von Facetten (7; 11), die Ausleuchtungskanäle zur Führung von Teilbündeln von EUV-Beleuchtungslicht (3) vorgeben. Zumindest einige der Facetten (7; 11) sind mittels einer einen Aktor (31; 35) aufweisenden Verstelleinrichtung (30; 34) mit einer Bewegungskomponente (32; dz'; dz") senkrecht zu einer Facetten-Reflexionsebene (xy; x'y'; x"y") verlagerbar. Es resultiert ein Facettenspiegel, mit dem gegebene Anforderungen an das Einhalten von Soll-Beleuchtungsvorgaben, die beim Einsatz des Facettenspiegels zu erreichen sind, mit im Vergleich zum Stand der Technik geringerem Herstellungsaufwand erreicht werden.

Description

Facettenspiegel zum Einsatz in der Mikrolithografie
Auf den Inhalt der deutschen Patentanmeldung DE 10 2010 001 388.9 wird vollumfänglich Bezug genommen.
Die Erfindung betrifft einen Facettenspiegel zum Einsatz in der Mikrolithografie. Ferner betrifft die Erfindung eine Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie zur Ausleuchtung eines Objektfeldes mit mindestens einem derartigen Facettenspiegel, ein Beleuchtungssystem mit einer derarti- gen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, ein Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsoptik innerhalb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, ein Herstellungsverfahren für ein mikro- bzw. nano strukturiertes Bauteil unter Einsatz einer derart eingestellten Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit einem derartigen Herstellungsverfahren gefertigtes strukturiertes Bauteil.
Eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem Facettenspiegel der eingangs genannten Art ist bekannt aus der US 2004/0108467 AI .
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Facettenspiegel der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass gegebene Anforderungen an das Einhalten von Soll-Beleuchtungsvorgaben, die beim Einsatz des Facettenspiegels zu erreichen sind, mit im Vergleich zum Stand der Tech- nik geringerem Herstellungsaufwand erreicht werden.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch einen Facettenspiegel mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen. Es wurde erkannt, dass die erfindungsgemäße VerStelleinrichtung zur Möglichkeit führt, eine Richtungsvorgabe für die den einzelnen Facetten zugeordneten Ausleuchtungskanälen nach Reflexion an den verstellbaren Facetten sehr fein zu beeinflussen. Entsprechend gering sind bei gegebenen An- forderungen an eine Genauigkeit der Richtungsbeeinflussung die Anforderungen an die VerStelleinrichtung. Die VerStelleinrichtung kann eine Steuer- bzw. Regeleinheit aufweisen. Der Facettenspiegel mit der erfindungsgemäßen VerStelleinrichtung kann als Feldfacettenspiegel oder als Pupil- lenfacettenspiegel ausgeführt sein. Eine Verlagerbarkeit mit einer Bewe- gungskomponente senkrecht zur Facetten-Reflexionsebene ist auch dann gegeben, wenn die Verlagerungsrichtung von einer Normalen auf die Facetten-Reflexionsebene abweicht. Beispielsweise kann zwischen der Verlagerungsrichtung der Facetten, die durch die VerStelleinrichtung gegeben ist, und der Normalen auf die Facetten-Reflexionsebene ein Winkel im Be- reich von 5° liegen. Auch ein kleinerer Winkel, beispielsweise ein Winkel von 3°, 2° oder 1°, ist möglich. Auch eine exakt zur Facetten- Reflexionsebene senkrechte Verlagerung ist möglich. Schließlich kann der Winkel zwischen der Verlagerungsrichtung und der Normalen auf die Facetten-Reflexionsebene auch größer sein als 5°.
Der erfindungsgemäße Facettenspiegel kann insbesondere bei der EUV- Mikrolithografie zum Einsatz kommen. Alternativ ist auch ein Einsatz des Facettenspiegels bei anderen Wellenlängen, beispielsweise bei UV- oder VUV- Wellenlängen, zum Beispiel bei der Beleuchtungswellenlänge 193 nm, möglich. Auch die anderen nachfolgend erläuterten erfindungsgemäßen Baugruppen können bei diesen anderen Wellenlängen eingesetzt werden. Bei einer Facette nach Anspruch 2 kommt die erfindungsgemäße Verstell- einrichtung besonders gut zum Tragen, da sich eine lineare Abhängigkeit des aufgrund einer Verlagerung der Facette über die VerStelleinrichtung resultierenden Ablenkwinkels und damit eine entsprechende Abhängigkeit der Richtungsvorgabe des über die verlagerte Facette geführten Ausleuch- tungskanals ergibt.
Eine VerStelleinrichtung nach Anspruch 3 mit einem entsprechend großen Verstellweg im mm-Bereich führt bei praxisangepassten Dimensionierun- gen zur ausreichenden Änderung in der Ausleuchtungskanal-
Richtungsvorgabe und damit zu einem ausreichenden Verstellhub vorzugebender Beleuchtungsparameter einer Optik, deren Bestandteil der Facettenspiegel mit der erfindungsgemäßen VerStelleinrichtung ist. Auch ein größerer Verstellweg ist möglich. Insbesondere dann, wenn ein größerer Ver- stellweg als 1 mm über die VerStelleinrichtung erreicht werden kann, können auch Abschattungseffekte zwischen benachbarten Facetten gezielt genutzt werden.
Eine Positioniergenauigkeit nach Anspruch 4 hat sich für die Praxis als ausreichend herausgestellt. Eine derartige Positioniergenauigkeit ist mit gängigen Verstellmechaniken und mit gängigen Verstell- Aktoren, beispielsweise mit Piezo- oder Spindel- Aktoren, zugänglich. Die Positioniergenauigkeit kann besser sein als 10 μηι. Ein Piezo-Aktor nach Anspruch 5 kann mit gestapelten piezokeramischen Elementen ausgeführt sein. Mit entsprechenden Piezo-Aktoren ist auch eine Kippjustage der Facetten möglich. Es können Referenzflächen im Be- reich der Facetten zur Vorgabe einer Initial-Position der Facette vorhanden sein.
Ein Spindeltrieb nach Anspruch 6 stellt eine auch mikromechanisch aus- führbare Variante zu einem Piezo-Aktor dar. Über die Genauigkeit einer Drehpositionierung eines Drehantriebs für den Spindeltrieb und über die Gewindesteigung lässt sich einerseits der Gesamt- Verstellweg und lässt sich andererseits die Positioniergenauigkeit des Spindeltriebs vorgeben. Der Spindeltrieb kann als Feintrieb mit einem Differenzgewinde ausgeführt sein.
Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 7 entsprechen denen, die vorstehend im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Facettenspiegel bereits erläutert wurden. Bei der erfindungsgemäßen Beleuch- tungsoptik kann es sich um eine Beleuchtungsoptik zum Einsatz in der EUV-Mikrolithografie handeln.
Bei einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 8 kann sowohl eine Beleuchtungswinke lverteilung über das Objektfeld als auch eine Beleuchtungsin- tensitätsverteilung über das Objektfeld an Vorgabewerte fein angepasst werden.
Die Vorteile eines Beleuchtungssystems nach Anspruch 9 und einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 10 entsprechen denen, die vor- stehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik und den erfindungsgemäßen Facettenspiegel bereits erläutert wurden. Mit der Projektionsbelichtungsanlage lassen sich mikro- bzw. nano strukturierte Bauelemente, beispielsweise Halbleiterchips, mit hoher Strukturauflösung realisieren. Bei der Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage kann es sich um eine EUV-Lichtquelle, um eine UV-Lichtquelle oder um eine VUV-Lichtquelle, beispielsweise zur Erzeugung von Beleuchtungslicht mit einer Wellenlänge von 193 nm, handeln. Ein Verfahren zur Einstellung der Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1 1 nutzt die Möglichkeiten des Facettenspiegels mit der erfindungsgemäßen VerStelleinrichtung. Die Messeinrichtung kann ein CCD-Array oder ein sonstiges ortsauflösendes Detektionselement aufweisen. Ein derartiges CCD-Array kann durch entsprechende Ausrüstung empfindlich für das Be- leuchtungslicht sein. Alternativ ist es möglich, die Messeinrichtung so zu gestalten, dass beispielsweise ein CCD-Array oder ein sonstiges ortsauflö- sendes Detektionselement genutzt werden kann, welches für eine Justierlicht-Wellenlänge empfindlich ist. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Einstellverfahrens können Beleuchtungsparameter auch unter Einbeziehung eines Vorhalts von sich auf die Projektionsbelichtung auswirkenden Effekten der Projektionsoptik oder der Lichtquelle innerhalb vorgegebener Toleranzbereiche erreicht werden. Auf diese Weise ist eine Kompensation derartiger Effekte der Projektionsoptik oder der Lichtquelle über die Facettenverstellung möglich. Das Messen kann mit einer Messeinrichtung erfolgen, die eine Messeinheit im Bereich des Objektfeldes und eine weitere Messeinheit im Bereich des Pupillenfacettenspiegels aufweist. Hierdurch können in Fällen, in denen sowohl ein Feldfacettenspiegel als auch ein Pupil- lenfacettenspiegel die erfindungsgemäße VerStelleinrichtung aufweisen, die Auswirkungen der jeweiligen Verstellungen von Feld- und von Pupil- lenfacetten getrennt erfasst werden.
Beim Einstellverfahren nach Anspruch 12 kann die erfindungsgemäße Ver- stelleinrichtung zur Optimierung einer Beleuchtungsintensität über die Feldhöhe des Objektfeldes genutzt werden. Hierdurch kann die Wirkungs- weise einer Feldintensitäts-Vorgabeeinrichtung verbessert werden, die beispielsweise in der WO 2009/074 21 1 AI beschrieben ist.
Beim Einstellverfahren nach Anspruch 13 wirken die Feldintensitäts- Vorgabeeinrichtung und der Facettenspiegel mit der erfindungsgemäßen VerStelleinrichtung zur Vorgabe einer Beleuchtungsintensitätsverteilung über die Feldhöhe zusammen. Dieses Zusammenwirken kann iterativ geschehen. Die Vorteile eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 14 und eines Bauelements nach Anspruch 15 entsprechen denen, die vorstehend bereits erläutert wurden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen: schematisch und in Bezug auf eine Beleuchtungsoptik im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanla- ge für die Mikrolithografie;
Fig. 2 eine Ausschnittsvergrößerung aus Fig. 1 im Bereich einer etikel- bzw. Objektebene;
Fig. 3 eine Ansicht auf eine Feldintensitäts-
Vorgabeeinrichtung der Projektionsbelichtungsanlage aus Blickrichtung III in Fig. 2; eine Ansicht einer Facettenanordnung eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projektionsbe- lichtungsanlage nach Fig. 1 ; eine Ansicht einer Facettenanordnung eines Pupillen- facettenspiegels der Beleuchtungsoptik der Projekti- onsbelichtungsanlage nach Fig. 1 ; in einer zu Fig. 4 ähnlichen Darstellung eine Facettenanordnung einer weiteren Ausführung eines Feldfacettenspiegels; in Bezug auf einen Strahlengang von EUV-Beleuch- tungslicht stärker schematisch sowie in Bezug auf eine Verstellbarkeit von Facetten eines Feldfacettenspiegels und eines Pupillenfacettenspiegels weitere Details zeigend die Beleuchtungsoptik der Projektionsbelich- tungsanlage nach Fig. 1 ; schematisch und perspektivisch eine Pupillenfacette des Pupillenfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik mit einer Piezo-Verstelleinrichtung zur Verstellung der Pupillenfacette senkrecht zu einer Facetten- e flexionsebene; schematisch einen Ausschnitt eines Strahlengangs des EUV-Beleuchtungslichts nach Fig. 7 zur Verdeutlichung der Auswirkungen einer Verstellung einer Feld- facette des Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik;
Fig. 10 schematisch in einer Aufsicht in Richtung auf eine Ob- jektebene die Auswirkung einer Verstellung von Facetten auf bestimmte, den Facetten zugeordnete Aus- leuchtungskanäle, wobei zusätzlich die Feldintensitäts- Vorgabeeinrichtung dargestellt ist; Fig. 1 1 in einer zu Fig. 10 ähnlichen Darstellung die Auswirkungen einer Verstellung einzelner Feldfacetten auf eine Beleuchtung von Pupillenfacetten des Pupillenfa- cettenspiegels der Beleuchtungsoptik; Fig. 12 in einer schematischen Seitenansicht die Auswirkungen der gegenseitigen Abschattung zweier benachbarter Facetten; und in einer zu Fig. 8 ähnlichen Darstellung eine Pupillenfacette mit einer weiteren Ausführung einer Verstell- einrichtung mit einem Spindeltrieb.
Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie dient zur Herstellung eines mikro- bzw. nano strukturierten elektronischen Halbleiter-Bauelements. Eine Lichtquelle 2 emittiert zur Beleuchtung genutzte EUV-Strahlung im Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gas discharge produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, ist für die Lichtquelle 2 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Lichtquelle findet der Fachmann beispielsweise in der US 6 859 515 B2. Zur Beleuchtung und Abbildung innerhalb der Projektionsbelichtungs- anläge 1 wird EUV-Beleuchtungslicht bzw. Beleuchtungsstrahlung 3 genutzt. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 durchläuft nach der Lichtquelle 2 zunächst einen Kollektor 4, bei dem es sich beispielsweise um einen genesteten Kollektor mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Mehrschalen-Aufbau oder alternativ um einen ellipsoidal geformten Kollektor han- dein kann. Ein entsprechender Kollektor ist aus der EP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor 4 durchtritt das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst eine Zwischenfokusebene 5, was zur Trennung des EUV- Beleuchtungslichts 3 von unerwünschten Strahlungs- oder Partikelanteilen genutzt werden kann. Nach Durchlaufen der Zwischenfokusebene 5 trifft das EUV-Beleuchtungslicht 3 zunächst auf einen Feldfacettenspiegel 6.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der Zeichnung jeweils ein kartesisches globales xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der Fig. 1 senkrecht zur Zeichenebene und aus dieser heraus. Die y-Achse verläuft in der Fig. 1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der Fig. 1 nach oben.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen bei einzelnen optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird in den nachfolgenden Figuren jeweils auch ein kartesisches lokales xyz- oder xy- Koordinatensy stem verwendet. Die jeweiligen lokalen xy-Koordinaten spannen, soweit nichts anderes beschrieben ist, eine jeweilige Hauptanordnungsebene der optischen Komponente, beispielsweise eine Reflexionsebene, auf. Die x-Achsen des globalen xyz-Koordinatensystems und der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme verlaufen parallel zueinander. Die jeweiligen y- Achsen der lokalen xyz- oder xy-Koordinatensysteme haben einen Winkel zur y- Achse des globalen xyz-Koordinatensystems, die einem Kippwinkel der jeweiligen optischen Komponente um die x- Achse entspricht.
Fig. 4 zeigt beispielhaft eine Facettenanordnung von Feldfacetten 7 des Feldfacettenspiegels 6. Die Feldfacetten 7 sind rechteckig und haben jeweils das gleiche x/y- Aspektverhältnis. Das x/y- Aspektverhältnis kann bei- spielsweise 12/5, kann 25/4 oder kann 104/8 betragen.
Die Feldfacetten 7 geben eine Reflexionsfläche des Feldfacettenspiegels 6 vor und sind in vier Spalten zu je sechs bis acht Feldfacettengruppen 8a, 8b gruppiert. Die Feldfacettengruppen 8a haben jeweils sieben Feldfacetten 7. Die beiden zusätzlichen randseitigen Feldfacettengruppen 8b der beiden mittleren Feldfacettenspalten haben jeweils vier Feldfacetten 7. Zwischen den beiden mittleren Facettenspalten und zwischen der dritten und vierten Facettenzeile weist die Facettenanordnung des Feldfacettenspiegels 6 Zwischenräume 9 auf, in denen der Feldfacettenspiegel 6 durch Haltespeichen des Kollektors 4 abgeschattet ist.
Nach Reflexion am Feldfacettenspiegel 6 trifft das in Strahlbüschel bzw. Teilbündel, die den einzelnen Feldfacetten 7 zugeordnet sind, aufgeteilte EUV-Beleuchtungslicht 3 auf einen Pupillenfacettenspiegel 10.
Fig. 5 zeigt eine beispielhafte Facettenanordnung von runden Pupillenfacetten 1 1 des Pupillenfacettenspiegels 10. Die Pupillenfacetten 1 1 sind um ein Zentrum herum in ineinander liegenden Facettenringen angeordnet. Jedem von einer der Feldfacetten 7 reflektierten Teilbündel des EUV-Be- leuchtungslichts 3 ist eine Pupillenfacette 1 1 zugeordnet, so dass jeweils ein beaufschlagtes Facettenpaar mit einer der Feldfacetten 7 und einer der Pupillenfacetten 1 1 einen Ausleuchtungskanal für das zugehörige Teilbündel des EUV-Beleuchtungslichts 3 vorgibt. Die kanalweise Zuordnung der Pupillenfacetten 1 1 zu den Feldfacetten 7 erfolgt abhängig von einer gewünschten Beleuchtung durch die Projektionsbelichtungsanlage 1.
Über den Pupillenfacettenspiegel 10 (Fig. 1) und eine nachfolgende, aus drei EUV-Spiegeln 12, 13, 14 bestehenden Übertragungsoptik 15 werden die Feldfacetten 7 in eine Objektebene 16 der Projektionsbelichtungsanlage 1 abgebildet. Der EUV-Spiegel 14 ist als Spiegel für streifenden Einfall (Grazing-Incidence- Spiegel) ausgeführt. In der Objektebene 16 ist ein Retikel 17 angeordnet, von dem mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 ein Aus- leuchtungsbereich ausgeleuchtet wird, der mit einem Objektfeld 18 einer nachgelagerten Projektionsoptik 19 der Projektionsbelichtungsanlage 1 zusammenfällt. Die Ausleuchtungskanäle werden im Objektfeld 18 überlagert. Das EUV-Beleuchtungslicht 3 wird vom Retikel 17 reflektiert.
Die Projektionsoptik 19 bildet das Objektfeld 18 in der Objektebene 16 in ein Bildfeld 20 in einer Bildebene 21 ab. In dieser Bildebene 21 ist ein Wafer 22 angeordnet, der eine lichtempfindliche Schicht trägt, die während der Projektionsbelichtung mit der Projektionsbelichtungsanlage 1 belichtet wird. Bei der Projektionsbelichtung werden sowohl das Retikel 17 als auch der Wafer 22 in y-Richtung synchronisiert gescannt. Die Projektionsbelich- tungsanlage 1 ist als Scanner ausgeführt. Die Scanrichtung wird nachfolgend auch als Objektverlagerungsrichtung bezeichnet.
In einer Feldintensitäts-Vorgabeebene 23 angeordnet ist eine Feldintensi- täts-Vorgabeeinrichtung bzw. Feld-Korrektur- Vorrichtung 24, die nachfol- gend noch näher erläutert wird. Die Feldintensitäts-Vorgabeeinrichtung 24, die auch als UNICOM bezeichnet wird, dient zur Einstellung einer scanintegrierten, also in y- ichtung integrierten, Intensitätsverteilung über das Objektfeld 18. Die Feldintensitäts-Vorgabeeinrichtung 24 wird von einer Steuereinrichtung 25 angesteuert. Ein Beispiel einer Feld-Korrektur- Vorrichtung ist bekannt aus der EP 0 952 491 A2 sowie aus der
DE 10 2008 013 229 AI .
Der Feldfacettenspiegel 6, der Pupillenfacettenspiegel 10, die Spiegel 12 bis 14 der Übertragungsoptik 15 sowie die Feldintensitäts-Vorgabeein- richtung 24 sind Bestandteile einer Beleuchtungsoptik 26 der Projektions- belichtungsanlage 1. Gemeinsam mit der Projektionsoptik 19 bildet die Beleuchtungsoptik 26 ein Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungs- anlage 1.
Fig. 2 und 3 zeigen die Feldintensitäts-Vorgabeeinrichtung 24 stärker im Detail. Die Feldintensitäts-Vorgabeeinrichtung 24 hat eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten fingerartigen Einzelblenden 27. Bei der Ausführung nach den Fig. 2 und 3 können z. B. sechsundzwanzig Einzelblen- den 27 mit einer jeweiligen Breite von 4 mm vor. Diese Einzelblenden 27 sind einander direkt benachbart oder auch teilweise überlappend. Im Falle einer teilweisen Überlappung müssen Benachbarte der Einzelblenden 27 in einander möglichst nahe benachbarten Ebenen senkrecht zur Strahlrichtung des EUV-Beleuchtungslichts 3 liegen.
Alle Einzelblenden 27 werden in das EUV-Beleuchtungslicht 3 von ein und derselben Seite her eingeschoben. Mit Hilfe der Steuereinrichtung 25 können die Einzelblenden 27 unabhängig voneinander in der y-Richtung in eine vorgegebene Position eingestellt werden. Je nachdem in welcher Feldhöhe, also in welcher x-Position, ein Objektpunkt auf dem Retikel 17 das Objektfeld 18 passiert, wird der Scan- weg dieses Objektpunktes in y-Richtung und damit die integrierte Intensität des EUV-Beleuchtungslichts 3, die dieser Objektpunkt erfährt, von der y- Position der jeweiligen Einzelblende 27 bestimmt. Auf diese Weise kann über eine Vorgabe der y-Positionen der Einzelblenden 27 eine Homogenisierung oder eine vorgegebene Verteilung der das Retikel 17 beleuchtenden Intensität des EUV-Beleuchtungslichts 3 erreicht werden.
Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführung eines Feldfacettenspiegels 6. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den Feldfacettenspiegel 6 nach Fig. 4 erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nur erläutert, soweit sie sich von den Komponenten des Feldfacettenspiegels 6 nach Fig. 4 unterscheiden. Der Feldfacettenspiegel 6 nach Fig. 6 hat eine Feldfacettenanordnung mit gebogenen Feldfacetten 7. Diese Feldfacetten 7 sind in insgesamt fünf Spalten mit jeweils einer Mehrzahl von Feldfacettengruppen 8 angeordnet. Die Feldfa- cettenanordnung ist in eine kreisförmige Begrenzung einer Trägerplatte 28 des Feldfacettenspiegels eingeschrieben.
Die Feldfacetten 7 der Ausführung nach Fig. 6 haben alle die gleiche Fläche und das gleiche Verhältnis von Breite in x-Richtung und Höhe in y- Richtung, welches dem x/y-Aspektverhältnis der Feldfacetten 7 der Ausführung nach Fig. 4 entspricht.
Anhand der Fig. 7, die einen Strahlengang des EUV-Beleuchtungslichts 3 im Vergleich zur Fig. 1 stärker schematisch und unter Weglassung der Übertragungsoptik 15 wiedergibt, werden nachfolgend weitere Details der Beleuchtungsoptik 26 erläutert. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Figuren 1 bis 6 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Ein lokales Koordinatensystem für den Feldfacettenspiegel 6 und die Feldfacetten 7 ist in der Fig. 7 als x'y'z'-Koordinatensystem eingezeichnet. Entsprechend ist in der Fig. 7 auch ein lokales x"y"z"-Koordinatensystem für den Pupillenfacettenspiegel 10 und die Pupillenfacetten 1 1 eingezeichnet.
Zwischen der Zwischenfokusebene 5 und dem Feldfacettenspiegel 6 ist in der Fig. 7 noch ein Spektralfilter 29 schematisch angedeutet, bei dem es sich auch um einen Umlenkspiegel für das EUV-Beleuchtungslicht 3 handeln kann. Der Spektralfilter 29 unterdrückt nicht als Nutzstrahlung eingesetzte Wellenlängenanteile des EUV-Beleuchtungslichts 3, insbesondere langwellige Anteile. In der Fig. 7 ist einerseits der Feldfacettenspiegel 6 schematisch mit drei Feldfacetten 7 und andererseits der Pupillenfacettenspiegel 10 schematisch mit drei Pupillenfacetten 1 1 dargestellt. Es versteht sich, dass in der Praxis eine deutliche größere Anzahl von Feldfacetten 7 und Pupillenfacetten 1 1 zum Einsatz kommt.
Die Feldfacetten 7 sind zwischen zwei nicht dargestellten Anschlägen verkippbar ausgestaltet, wobei jeder der beiden Kippstellungen über einen Ausleuchtungskanal eine bestimmte der Pupillenfacetten 1 1 zugeordnet ist. Auf diese Weise lässt sich über die Vorgabe der Kippstellung der Feldfa- cette 7 einer von zwei möglichen Ausleuchtungskanälen und dementsprechend eine von zwei möglichen Pupillenfacetten 1 1 auswählen. Bei der Beleuchtungsoptik 26 hat der Pupillenfacettenspiegel 10 also doppelt so viele Facetten wie der Feldfacettenspiegel 6. Die zugehörigen Anschläge sowie die Kippaktoren sind in der Fig. 7 nicht dargestellt.
In der Fig. 7 sind zwei Ausleuchtungskanäle 3i und 32 des EUV-Beleuch- tungslichts 3 dargestellt. Dem Ausleuchtungskanal 3i sind die Feldfacette 7i und die Pupillenfacette 1 11 zugeordnet. Dem Ausleuchtungskanal 32 sind die Feldfacette 72 und die Pupillenfacette 1 12 zugeordnet.
Jede der Feldfacetten 7 hat eine VerStelleinrichtung 30, die einen Aktor 31 in Form eines Linearaktors aufweist. Die VerStelleinrichtung 30 dient zur Verstellung der zugehörigen Feldfacette 7 längs einer Verlagerungsrich- tung (Doppelpfeil 32) mit einer Bewegungskomponente z' senkrecht zu einer Facetten- eflexionsebene x'y'.
Die Feldfacetten 7 haben eine gekrümmte, insbesondere eine konkav gekrümmte Reflexionsfläche 33.
Die VerStelleinrichtung 30 ist derart ausgeführt, dass eine Positionierung der jeweiligen Feldfacette 7 längs eines Gesamt- Verstellweges V senkrecht zur Feldfacetten-Reflexionsebene x'y' im Bereich von mindestens 1 mm und bei der beschriebenen Ausführungsform von 2 mm gegeben ist. In der Fig. 7 ist die links dargestellte Feldfacette 7i in einer maximal eingezogenen Verstellposition und die mittlere Feldfacette 7 in einer maximal ausgefahrenen Feldposition dargestellt, so dass die z' -Positionen dieser beiden Feldfacetten 7 den Gesamt- Verstellweg V veranschaulichen. Eine Positioniergenauigkeit der Feldfacetten 7 längs des Gesamt- Verstellweges V liegt im Bereich von weniger als 25 μηι und liegt bei der beschriebenen Ausführung bei von 10 μηι. Eine weitere VerStelleinrichtung 34 mit einem Linearaktor 35 ist mit der Trägerplatte 28 des Feldfacettenspiegels 6 verbunden, so dass der Feldfacettenspiegel 6 mit allen Feldfacetten 7 insgesamt mit der Verstelleinrich- tung 34 in der z'-Richtung zur Vorgabe eines z'-Offsets verlagert werden kann.
In gleicher Weise sind auch die Pupillenfacetten 1 1 mit Verstelleinrichtun- gen 30 mit Aktoren 31 und ist der gesamte Pupillenfacettenspiegel 10 mit einer VerStelleinrichtung 34 mit Linearaktor 35 ausgerüstet, so dass einerseits die einzelnen Pupillenfacetten 1 1 und andererseits der gesamten Pu- pillenfacettenspiegel 10 längs einer Verlagerungsrichtung 32 bzw. z" mit Bewegungskomponente senkrecht zu einer x"y"-Reflexionsebene der Pupillenfacetten 1 1 verlagerbar ist.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Messeinrichtung mit Messeinheiten 36, 37 zum Vermessen einer Ist-Beleuchtungsintensitäts- verteilung des EUV-Beleuchtungslichts 3, die dazu in der Lage ist, den Beitrag einzelner Ausleuchtungskanäle aufzulösen. Die Objektfeld-Messeinheit 36 ist im Bereich der Objektebene 16 angeordnet, und zwar im EUV-Strahlengang hinter dem Retikel 17, so dass die Objektfeld-Messein- heit 36 eine Ausleuchtung des Objektfeldes 18 vermessen kann, solange dass Retikel 17 entfernt ist. Bei der Objektfeld-Messeinheit 36 kann es sich um ein CCD-Array handeln, das durch eine entsprechende Ausrüstung empfindlich ist für das EUV-Beleuchtungslicht 3. Alternativ kann die Ob- jektfeld-Messeinheit 36 auch für eine Justierlicht- Wellenlänge empfindlich sein, deren Intensitätsverteilung mit derjenigen des EUV-Beleuchtungs- lichts 3 übereinstimmt. Die Objektfeld-Messeinheit 36 steht über eine Signalleitung 38 mit den VerStelleinrichtungen 30 des Pupillenfacettenspiegels 10 in Signalverbindung. Die Objektfeld-Messeinheit 36 kann auch, was nicht dargestellt ist, über eine weitere Signalleitung mit der VerStelleinrichtung 34 des Pupillenfacettenspiegels 10 und den VerStelleinrichtungen 30, 34 des Feldfacetten- spiegeis 6 in Signalverbindung stehen.
Die Pupillen-Messeinheit 37 kann in den Strahlengang des EUV-Beleuch- tungslichts 3 zwischen dem Pupillenfacettenspiegel 10 und dem Objektfeld 18 eingefahren werden und erfasst eine Ist-Beleuchtungsintensitätsvertei- lung auf einer der Pupillenfacetten 1 1 , wie in der Fig. 7 in Bezug auf die Pupillenfacette 1 12 dargestellt, oder auf allen Pupillenfacetten 1 1. Die Pupillen-Messeinheit 37 kann ebenfalls als CCD-Array ausgeführt sein. Über eine Signalleitung 39 steht die Pupillen-Messeinheit 37 mit den Verstell- einrichtungen 30 des Feldfacettenspiegels 6 in Signalverbindung. Die Pu- pillen-Messeinheit 37 kann auch, was nicht dargestellt ist, über eine weitere Signalleitung mit der VerStelleinrichtung 34 des Feldfacettenspiegels 6 und mit den VerStelleinrichtungen 30, 34 des Pupillenfacettenspiegels 10 in Signalverbindung stehen. Die beiden Messeinheiten 36, 37 können über eine nicht dargestellte Signalleitung auch untereinander zum Austausch von Daten oder von Steuersignalen in Signalverbindung stehen. Fig. 8 zeigt eine Ausführung einer der Pupillenfacetten 1 1 mit einem Ausführungsbeispiel der VerStelleinrichtung 30. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Figuren 1 bis 7 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Als Aktor 31 hat die VerStelleinrichtung 30 nach Fig. 8 einen Piezo-Aktor. Ein stiftförmiger Facettenträger 40, an dessen einem Ende die Pupillenfacette 1 1 mit konkaver eflexionsfläche 41 angeformt ist, trägt in einem axialen Abschnitt eine Mehrzahl von axial zueinander beabstandeten pie- zokeramischen Elementen 42. In der Fig. 8 sind vier derartiger piezokera- mischer Elemente 42, die jeweils die Form eines Umfangsbundes um eine Mantelwand 43 des Facettenträgers 40 haben, dargestellt. Die axial zueinander beabstandeten piezokeramischen Elemente 42 greifen randseitig ein in hierzu komplementär ausgeformte Stapel 44 von Piezoelementen, sogenannten Piezostacks. Die Stapel 44 werden von einem trägerplattenfesten Facettenspiegel-Rahmen 45 getragen, der gleichzeitig einen Kühlkörper darstellt. Über den Piezo-Aktor 31 ist eine Verstellung der Pupillenfacette 1 1 längs der Verlagerungsrichtung 32, also in der z-Richtung nach Fig. 8, möglich.
Weitere Piezo-Aktoren 46 ermöglichen eine Verkippung der Pupillenfacette 1 1 um zur y-Achse und zur x-Achse parallele Kippachsen. Dargestellt ist in der Fig. 8 der Piezo-Aktor 46, mit dem die x -Achsen- Verkippung mög- lieh ist. Entsprechend um 90° senkrecht hierzu angeordnet ist der ansonsten gleich aufgebaute Piezo-Aktor für die y-Achsen- Verkippung.
Der Piezo-Aktor 46 hat an der Mantelwand 43 des Facettenträgers 40 flächig angebrachte piezokeramische Elemente 47 und radial beabstandet hierzu Stapel 48 aus Piezoelementen. Die Stapel 48 sind wiederum vom Facettenspiegel-Rahmen 45 getragen. Eine Verkippung (Doppelpfeil 49 in der Fig. 8) mit dem Piezo-Aktor 46 erfolgt durch Vorgabe einer radialen Anziehungskraft zwischen den Stapeln 48 und den piezokeramischen Ele- menten 47.
Der Facettenspiegel-Rahmen 45 trägt weiterhin zwei Referenzflächen, nämlich eine Z-Referenzfläche 50 und eine Y-Referenzfläche 51. Eine weitere X-Referenzfläche, mit der eine X-Position bzw. ein X-Präzisionsmaß Px der Pupillenfacette 1 1 bestimmt werden kann, ist in der Fig. 8 nicht dargestellt.
Über die Z-Reflexionsfläche 50 lässt sich mit Hilfe einer optischen Vermessung ein Z-Präzisionsmaß Pz vorgeben. Über die y-Referenzfläche 51 lässt sich entsprechend optisch ein Y-Präzisionsmaß Py vorgeben.
Über Signalleitungen 52, 53 stehen die Piezo-Stapel 44, 48 mit einer Steuer- bzw. Regeleinheit 54 der VerStelleinrichtung 30 in Signalverbindung. Die Steuer- bzw. Regeleinheit 54 steht wiederum mit der Pupillen-Mess- einheit 37 (vgl. Fig. 7) und mit einer nicht dargestellten Erfassungs- und Auswerteeinheit für die Präzisionsmaße Px, Py und Pz in Signalverbindung.
Fig. 9 verdeutlicht die Wirkung einer Verstellung einer Feldfacette 7 um einen Verlagerungsweg dz innerhalb des Gesamt- Verstellweges V auf die Strahlführung eines Ausleuchtungskanals des EUV-Beleuchtungslichts 3. Fig. 9 stellt die ablenkende Wirkung aufgrund einer Verlagerung um dz stark übertrieben dar, da die Verlagerung überhöht dargestellt ist und da der Krümmungsradius stark übertrieben klein dargestellt ist. Dargestellt ist der Strahlengang des Ausleuchtungskanals 3V vor der Verlagerung der Feldfacette 7 und der Strahlengang 3n nach der Verlagerung um dz in positiver z-Richtung. Nach der Verlagerung ist die Feldfacette bei 7' dargestellt. Die Verlagerung der Feldfacette 7 durch die in der Fig. 9 nicht dargestellte zugehörige VerStelleinrichtung 30 verläuft in der z-Richtung, also senkrecht zur Facetten-Reflexionsebene, also der xy-Ebene. Auch ein Winkel zwischen der Verlagerungsrichtung und der z-Richtung, der größer ist als 0°, beispielsweise ein Winkel von 1°, 2°, 3°, 5° oder ein noch größerer Winkel zwischen der Verlagerungsrichtung und der Normalen auf die Facetten-Reflexionsebene, ist möglich.
Vor der Verlagerung trifft der Ausleuchtungskanal in einem Punkt B2 auf der Feldfacette 7 auf und hat dort einen Einfallswinkel a zu einem Norma- lenvektor nl auf die Reflexionsfläche 31 der Feldfacette 7 im Punkt B2. Die gekrümmten Reflexionsflächen 31 der Feldfacetten 7 haben einen Krümmungsradius R.
Ausgehend vom Punkt B2 wird der Ausleuchtungskanal 3V hin zu einem Punkt P2 in einer dem Feldfacettenspiegel 6 im Strahlengang des EUV- Beleuchtungslichts 3 nachgelagerten Ebene El , beispielsweise eine Haupt- Reflexionsebene, in der der Pupillenfacettenspiegel 10 angeordnet ist, reflektiert. Die Verlagerung der Feldfacette 7 durch Betätigung der entsprechenden VerStelleinrichtung 30 um den Verstellweg dz führt dazu, dass das EUV- Beleuchtungslicht 3n des Ausleuchtungskanals nun an der Reflexionsfläche 31 ' der Pupillenfacette 7' im Punkt B 1 reflektiert wird. Der Punkt B 1 ist in der x-Richtung des lokalen kartesischen xyz-Koordinatensystems zur Feld- facette 7 in der Fig. 9 vom Punkt B2 um einen Weg dx beabstandet. Dies liegt daran, dass das EUV-Beleuchtungslicht 3 nicht parallel zur z-Rich- tung auf die Pupillenfacette 7, sondern unter einem Winkel zu dieser auftrifft. Im Auftreffpunkt B 1 hat die Reflexionsfläche 31 einen Normalen- vektor nl ' . Die beiden Normalenvektoren nl , nl ' schließen zueinander einen Winkel da ein, wie in der Fig. 9 rechts oben nochmals verdeutlicht. Der Einfallswinkel des EUV-Beleuchtungslichts 3 am Punkt B 1 ist entsprechend a - da. Nach Reflexion am Punkt B 1 verläuft der Strahlengang 3n des EUV-Beleuchtungslichts 3 hin zu einem Punkt PI in der Ebene El .
Aufgrund der Verlagerung dz ergibt sich eine Änderung der Strahlrichtung des zugehörigen Ausleuchtungskanals, also eine Änderung in der Richtung zwischen den Strahlengängen 3V und 3n, um einen Winkel 2da. Es gilt: da ~ a dz / R da ist also direkt proportional zu a und zu dz und indirekt proportional zu R. Je kleiner der Krümmungsradius R der Reflexionsfläche 31 ist, desto stärker wirkt sich eine Verlagerung um dz also auf die Richtungsänderung des von der Feldfacette 7 reflektierten Ausleuchtungskanals des EUV- Beleuchtungslichts 3 aus.
Bei einem Krümmungsradius R in der Größenordnung von 1 m und einem mittleren Einfallswinkel a im Bereich von 15° ergibt sich durch eine Hö- henver Stellung dz im Bereich von 1 mm eine Änderung des Normalenvektor da im Bereich zwischen 0 und 500 μrad. Fig. 1 1 verdeutlicht die Wirkung einer Verstellung von Feldfacetten 7 um Verstellwege dz' des lokalen x'y'z'-Koordinatensystems des Feldfacettenspiegels 6 nach Fig. 7 auf die Position der jeweiligen Ausleuchtungskanäle 3i, 32 sowie weiterer Ausleuchtungskanäle 3. Durchgezogen ist die Aus- leuchtung in der Anordnungsebene El des Pupillenfacettenspiegels 10 vor einer Verlagerung der Feldfacetten 7 um dz' und gestrichelt ist die Position dieser Ausleuchtungskanäle 3l 5 32 sowie 3 nach der Verlagerung der Feldfacetten 7 um dz' dargestellt. Der Betrag und die Richtung der jeweiligen Verlagerung der Ausleuchtungskanäle 3l 5 32 sowie 3 in der Anordnungs- ebene 1, also in der xy-Ebene nach Fig. 10, sind in der Fig. 10 jeweils durch einen Richtungspfeil v verdeutlicht. Diese Änderung der Auftreffpunkte der Ausleuchtungskanäle 3l 5 32 sowie 3 auf dem Pupillenfacetten- spiegel 10 führt zu einer entsprechenden Änderung einer Beleuchtungswinkelverteilung bei der Ausleuchtung des Objektfeldes 18. Die Verstel- lung der Feldfacetten 7 um jeweilige Verstellwege dz' kann also zum Fein- tunen der Beleuchtungswinkelverteilung, kann also als sogenanntes PUPICOM verwendet werden, also als Beleuchtungswinkel- Vorgabeeinrichtung für die Beleuchtung des Objektfelds 18. Eine derartige Beleuchtungswinkel- Vorgabeeinrichtung kann eine Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts 3 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 26 beeinflussen.
Fig. 10 zeigt die entsprechenden Verhältnisse bei einer Verlagerung der Pupillenfacetten 1 1 um Verstellwege dz" gemäß dem lokalen x"y"z"- Koordinatensystem des Pupillenfacettenspiegels 10 nach Fig. 7. Durchgezogen sind wiederum die Ausleuchtungskanäle 3l 5 32 sowie ein weiterer Ausleuchtungskanal 3 vor der Verlagerung der Pupillenfacetten 1 1 um den Verstellweg dz" und gestrichelt sind die gleichen Ausleuchtungskanäle 3l 5 32 sowie 3 nach der Verlagerung der Pupillenfacetten 1 1 um den Verstell- weg dz" dargestellt. Der Betrag und die Richtung der jeweiligen Verlagerung der Ausleuchtungskanäle 3l 5 32 sowie 3 auf dem Pupillenfacettenspie- gel 10 sind in der Fig. 10 jeweils durch einen Richtungspfeil v verdeutlicht. Es ergibt sich eine entsprechende Verlagerung des jeweiligen Aus- leuchtungskanals in der Objektebene 16, also eine Verlagerung der Position des jeweiligen Feldfacettenbildes. Diese Verlagerung aufgrund einer Verstellung der Pupillenfacetten 1 1 um den Verstellweg dz" kann zur Optimierung der Überlagerung der Ausleuchtungskanäle des EUV- Beleuchtungslichts 3 im Objektfeld 18 genutzt werden.
Eine Verlagerung der Feldfacetten 7 um jeweilige Verstellwege dz' führt neben einer Verlagerung der Ausleuchtungskanäle in der Ebene El zusätzlich zu einer Richtungsänderung der Ausleuchtungskanäle beim Auftreffen auf die Objektebene 16. Ein Paar von Verstellwegen dz', dz" innerhalb eines Ausleuchtungskanals des EUV-Beleuchtungslichts 3 gibt also zwei Freiheitsgrade vor, mit dem beispielsweise ein bestimmter Beleuchtungswinkel ohne Veränderung einer Position des Feldfacettenbildes in der Objektebene 16 erreicht werden kann. Dies kann auch dazu genutzt werden, einen Ausleuchtungskanal 3 in seiner Richtung so vorzugeben, dass unge- wollte bzw. störende Auswirkungen der Feldintensitätsvorgabeeinrichtung 24 auf eine Beleuchtungswinkelverteilung des Objektfeldes 18 minimiert werden.
Fig. 12 verdeutlicht, dass eine Verstellung längs der Verlagerungsrichtung 32, also um einen Verstellweg dz' bzw. dz", bei benachbarten Feld- bzw. Pupillenfacetten 7, 1 1 zu einer teilweisen Abschattung eines Ausleuchtungskanals des EUV-Beleuchtungslichts 3 führen kann, was ebenfalls zur Korrektur einer Feld- oder einer Beleuchtungswinkel-Intensitätsverteilung im Objektfeld 18 genutzt werden kann. In der Fig. 12 links haben zwei be- nachbarte Facetten 7, 1 1 die gleiche z-Position, so dass keine abschattende Wirkung resultiert. In der Fig. 12 rechts haben zwei benachbarte Facetten 7, 1 1 einen Positionsunterschied Δζ in der Verlagerungsrichtung 32, so dass in einem Abschattungsbereich 55 das EUV-Beleuchtungslicht 3 abge- schattet wird. Falls es sich bei der Facette, auf der der Abschattungsbereich 55 liegt, um eine Feldfacette 7 handelt, trägt der Abschattungsbereich 55 nicht zur Abbildung auf dem Objektfeld 18 bei, was zur Feldintensitätskorrektur genutzt werden kann. Soweit es sich bei der Facette mit dem Abschattungsbereich 55 um eine Pupillenfacette 1 1 handelt, trägt der Abschat- tungsbereich 55 nicht zur Beleuchtung aus Richtung dieser Pupillenfacette bei, was zur Beleuchtungswinkelkorrektur, beispielsweise zur Korrektur eines Elliptizitäts- oder eines Telezentriewertes, genutzt werden kann. Eine Definition entsprechender Elliptizitäts- und Telezentriewerte findet sich in der WO 2009/074 21 1 AI .
Fig. 13 zeigt eine weitere Ausführung einer VerStelleinrichtung 56 zur Verstellung einer Pupillenfacette 1 1 längs der Verlagerungsrichtung 32 bzw. längs der z-Richtung des lokalen xyz-Koordinatensystems der Pupillenfacette 1 1. Komponenten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Figuren 1 bis 12 und insbesondere unter Bezugnahme auf die Figur 8 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Bei der Ausführung nach Fig. 13 ist ein Aktor zur Verlagerung der Refle- xionsfläche 41 der Pupillenfacette 1 1 in der z-Richtung als Spindeltrieb 57 ausgeführt. Der Spindeltrieb 57 hat ein Außengewinde 58, das in der Mantelwand 43 des Facettenträgers 40 benachbart zur Reflexionsfläche 41 ausgeführt ist. Weiterhin hat der Spindeltrieb 57 einen Gewindekörper 59, der vom Facettenspiegel-Rahmen 45 getragen wird. Der Gewindekörper 59 hat ein zum Außengewinde 58 komplementäres Innengewinde 60.
Axial wird der Gewindekörper 59 von einer Umfangsrippe 61 des Facet- tenspiegel-Rahmens 45 gehalten. Die Umfangsrippe 61 hat eine Durchgangsöffnung 62, durch die der Facettenträger 40 hindurchgesteckt ist. Der Gewindekörper 59 ist radial gelagert zwischen einem federnden Rückstellelement 63, das sich zwischen den Gewindekörper 59 und dem Facettenspiegel-Rahmen 45 abstützt, und einem Verbindungselement 64 eines Late- ralantriebs 65. Beim Lateralantrieb 65, der eine Y-Kipp-Verstellung der Pupillenfacette 1 1 bewirkt, kann es sich um einen Mikro-Linearmotor oder um einen Piezo-Aktor nach Art des Piezo-Aktors 46 nach Fig. 8 handeln. In gleicher Weise hat die VerStelleinrichtung 56 noch einen weiteren Lateralantrieb zur X-Kipp-Verstellung des Pupillenfacettenspiegels 1 1.
Zur Verstellung längs der Verlagerungsrichtung 32, also längs des Facettenträgers 40, was einer Z-Verstellung des Pupillenfacettenspiegels 1 1 entspricht, wird der Facettenträger 40 um seine Längsachse gedreht. Hierzu ist ein der Reflexionsfläche 41 abgewandtes Ende des Facettenträgers 40 mit einem Drehantrieb 66 in Form eines Mikromotors verbunden. Letzterer stellt eine Baueinheit mit einem Drehmessgeber 67 dar. Die Antriebe, also insbesondere der Lateralantrieb 65 und der Drehantrieb 66 mit dem Drehmessgeber 67, stehen über Signalleitungen 68, 69, 70 mit der Steuer- bzw. Regeleinheit 54 in Signalverbindung.
Der Spindeltrieb 57 kann als Feintrieb mit einem Differenzgewinde ausgeführt sein. Zum Einstellen der Beleuchtungsoptik 26 zur Vorgabe einer Soll-Beleuch- tungsintensitätsverteilung sowie einer Soll-Beleuchtungswinkelverteilung über das Objektfeld 18 wird folgendermaßen vorgegangen: Zunächst wird eine Ist-Beleuchtungsintensitätsverteilung des EUV-Beleuchtungslichts 3 mit den Messeinheiten 36, 37, die die Beiträge einzelner Ausleuchtungska- näle des EUV-Beleuchtungslichts 3 auflösen können, vermessen. Anschließend wird mindestens eine der Facetten 7, 1 1 mit dem zugehörigen Aktor 31, 35, 57 der jeweiligen VerStelleinrichtung 30, 34, 56 längs der Verlagerungsrichtung 32 verstellt, bis die jeweils gemessene Ist- Beleuchtungsintensitätsverteilung über das Objektfeld 18 mit einer Soll- Beleuchtungsintensitätsverteilung innerhalb eines vorgegebenen Toleranzbereiches übereinstimmt.
Beim Messen der Ist-Beleuchtungsintensitätsverteilung des EUV-Beleuch- tungslichts 3 kann mit der Messeinheit 36 die Verteilung der Intensität des Beleuchtungslichts 3 über die Feldhöhe, also längs der x- ichtung, vermessen werden. Anschließend kann eine Verstellung mindestens einer der Facetten 7, 1 1 längs der Verlagerungsrichtung 32 vorgenommen werden, wie dies vorstehend schon erläutert wurde, bis die Ist-Beleuchtungsinten- sitätsverteilung über die Feldhöhe x mit der Soll-Beleuchtungsintensitäts- verteilung innerhalb des vorgegebenen Toleranzbereichs übereinstimmt.
Alternativ oder zusätzlich kann mit der Messeinheit 37 eine Vermessung der Beleuchtungsintensität auf ausgewählten oder auf allen Pupillenfacet- ten 1 1 durchgeführt werden und auf Basis dieses Messergebnisses das Verstellen der Facetten 7, 1 1 längs vorgegebene Verlagerungswege dz', dz" zum Erzielen einer Soll-Beleuchtungsintensitäts- und Beleuchtungswinkelverteilung über das Objektfeld 18 durchgeführt werden. Ggf. geht die Verlagerung der Facetten 7, 1 1 längs der jeweiligen Verlagerungsrichtung 32 einher mit einer Kippwinkel-Korrektur um die jeweiligen x- und y- Achsen der lokalen Koordinatensysteme der Feldfacetten 7, 1 1. Diese Korrektur kann zusammen mit der Verlagerung längs des Verlage - rungswegs 32 in einem iterativen Prozess geschehen.
Insbesondere eine Feinjustage von Richtungskomponenten der Ausleuch- tungskanäle des EUV-Beleuchtungslichts vor dem Objektfeld 18 in der Scanrichtung, also in der Y-Richtung, ist möglich, was im Zusammenwir- ken mit den Einzelblenden 27 der Feldintensitäts-Vorgabeeinrichtung 24 eine gute Kontrolle der Beleuchtungsintensität über die Feldhöhe gewährleistet.
Als Piezo- Aktor kann insbesondere ein Ultraschallmotor zum Einsatz kommen.
Eine Verstellung der Einzelblenden 27 der Feldintensitäts-Vorgabeeinrich- tung 24 sowie eine Verstellung der Facetten 7, 1 1 längs der Verlagerungsrichtung 32 kann zur Vorgabe einer Soll-Beleuchtungsintensitätsverteilung über die Feldhöhe x iterativ erfolgen.
Bei der Projektionsbelichtung werden das Retikel 17 und der Wafer 22, der eine für das EUV-Beleuchtungslicht 3 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt. Anschließend wird zumindest ein Abschnitt des Reti- kels 17 auf den Wafer 22 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Schließlich wird die mit dem EUV-Beleuchtungslicht 3 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 22 entwickelt. Auf diese Weise wird das mikro- bzw. nano strukturierte Bauteil, beispielsweise ein Halbleiterchip, hergestellt. Die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele wurden anhand einer EUV-Beleuchtung beschrieben. Alternativ zu einer EUV-Beleuchtung kann auch eine UV- oder eine VUV-Beleuchtung, beispielsweise mit Be- leuchtungslicht mit einer Wellenlänge von 193 nm, zum Einsatz kommen.

Claims

Patentansprüche
1. Facettenspiegel (6; 10) zum Einsatz in der Mikrolithografie
mit einer Mehrzahl von Facetten (7; 1 1), die Ausleuchtungskanäle zur Führung von Teilbündeln von Beleuchtungslicht (3) vorgeben, wobei zumindest einige der Facetten (7; 1 1) mittels einer einen Aktor (31 ; 35; 46; 57) aufweisenden VerStelleinrichtung (30; 34; 56) mit einer Bewegungskomponente (32; dz; dz'; dz") senkrecht zu einer Fa- cetten- eflexionsebene (xy; x'y'; x"y") verlagerbar sind.
2. Facettenspiegel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die
Facetten (7; 1 1) eine gekrümmte Reflexionsfläche (33; 41) aufweisen.
3. Facettenspiegel nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die VerStelleinrichtung (30; 34; 56) derart ausgeführt ist, dass eine Positionierung der Facette (7; 1 1) längs eines Gesamt- Verstellweges (V) senkrecht zur Facetten-Reflexionsebene (xy; x'y'; x"y") im Bereich von mindestens 1 mm gegeben ist.
4. Facettenspiegel nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die
VerStelleinrichtung (30; 34; 56) derart ausgeführt ist, dass eine Positioniergenauigkeit der Facetten (7; 1 1) längs des Verstellweges (V) im Bereich von weniger als 25 μηι resultiert.
5. Facettenspiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Aktor (31 ; 35; 46) als Piezo- Aktor ausgeführt ist.
6. Facettenspiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Aktor einen Spindeltrieb (57) aufweist
mit einem Außengewinde (58), welches in einer Mantelwand (43) eines Facettenträgers (40) ausgeführt ist,
- mit einem von einem Facettenspiegel-Rahmen (45) getragenen Gewindekörper (59) mit einem zum Außengewinde (58) komplementären Innengewinde (60), wobei der Facettenträger (40) über den Aktor (57) drehantreibbar ist.
7. Beleuchtungsoptik (26) für die Mikrolithografie zur Ausleuchtung eines Objektfeldes (18) mit mindestens einem Facettenspiegel (6; 10) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Beleuchtungsoptik (26) derart ausgeführt ist, dass die Ausleuchtungskanäle im Objektfeld (18) überlagert werden.
8. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl ein Feldfacettenspiegel (6) als auch ein Pupillenfacettenspiegel (10) als Facettenspiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 6 ausgeführt ist.
9. Beleuchtungssystem mit einer Beleuchtungsoptik (26) nach einem der Ansprüche 7 oder 8 und mit einer Projektionsoptik (19) zur Abbildung des
Objektfeldes (18) in ein Bildfeld (20).
10. Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem Beleuchtungssystem nach Anspruch 9 und mit einer Lichtquelle (2).
1 1. Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsoptik (26) innerhalb einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 10 mit folgenden Schritten: Messen einer Ist-Beleuchtungsintensitätsverteilung des Beleuchtungslichts (3) im Strahlengang des Beleuchtungslichts (3) nach dem mindestens einen Facettenspiegel (6; 10) mit der VerStelleinrichtung (30; 34; 56) mit einer den Beitrag einzelner Ausleuchtungskanäle auflösenden Messeinrichtung (36, 37),
Verstellen mindestens einer Facette (7; 1 1) mit dem Aktor (31 ; 35; 46; 57) der VerStelleinrichtung (30; 43; 56), bis die Ist-Beleuchtungsinten- sitätsverteilung über das Objektfeld (18) mit einer Soll-Beleuchtungs- intensitätsverteilung innerhalb eines vorgegebenen Toleranzbereiches übereinstimmt.
12. Verfahren nach Anspruch 1 1, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich des Strahlengangs des Beleuchtungslichts (3) vor dem Objektfeld (18) eine Feldintensitäts-Vorgabeeinrichtung (24) mit einer Mehrzahl von Abschattungsblenden (27) zur Beeinflussung einer Beleuchtungsintensi- tätsverteilung über eine Feldhöhe (x) des Objektfeldes (18) angeordnet ist, mit folgenden Schritten:
Messen einer Ist-Beleuchtungsintensitätsverteilung des Beleuchtungslichts (3) über die Feldhöhe (x) mit einer den Beitrag einzelner Ausleuchtungskanäle auflösenden Messeinrichtung (36),
Verstellen mindestens einer Facette (7; 1 1) mit dem Aktor (31 ; 35; 46; 57) der VerStelleinrichtung (30; 34; 56), bis die Ist-Beleuchtungsinten- sitätsverteilung über die Feldhöhe (x) mit einer Soll-Beleuchtungs- intensitätsverteilung innerhalb eines vorgegebenen Toleranzbereichs übereinstimmt.
13. Verfahren nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch ein Verstellen mindestens einer Abschattungsblende (27), bis die Ist-Beleuchtungsinten- sitätsverteilung über die Feldhöhe (x) mit einer Soll-Beleuchtungsinten- sitätsverteilung innerhalb eines vorgegebenen Toleranzbereichs übereinstimmt.
14. Verfahren zur Herstellung strukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten:
Bereitstellen eines Wafers (22), auf dem zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist,
Bereitstellen eines etikels (17), das abzubildende Strukturen aufweist, Bereitstellen einer Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 10 mit einer gemäß dem Verfahren nach Anspruch 1 1 oder 12 eingestellten Beleuchtungsoptik (26),
Projizieren wenigstens eines Teils des Retikels (17) auf einen Bereich der Schicht des Wafers (22) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1).
15. Strukturiertes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 14.
PCT/EP2010/069456 2010-01-29 2010-12-13 Facettenspiegel zum einsatz in der mikrolithografie WO2011091900A2 (de)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013541829A (ja) * 2010-08-25 2013-11-14 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置のマルチファセットミラー
JP2014003290A (ja) * 2012-06-04 2014-01-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Ｅｕｖ用途向けの少なくとも１つのファセットミラーのファセットの角度位置を測定する光学的方法及び光学測定デバイス
CN104380202A (zh) * 2012-02-17 2015-02-25 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学部件
JP2016500158A (ja) * 2012-11-13 2016-01-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影露光装置の照明光学ユニットの瞳ファセットミラーの瞳ファセットを照明光学ユニットの視野ファセットミラーの視野ファセットに割り当てる方法
JP2017083856A (ja) * 2012-11-29 2017-05-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学系の少なくとも１つの光学素子を作動させる機構
US9804501B2 (en) 2012-02-17 2017-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical component
DE102020210829A1 (de) 2020-08-27 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013212363A1 (de) * 2013-06-27 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, insbesondere für die EUV-Projektionslithografie
DE102013218130A1 (de) * 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102013219057A1 (de) * 2013-09-23 2015-03-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102014203040A1 (de) 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
TWI701517B (zh) * 2014-12-23 2020-08-11 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 光學構件
US11099483B2 (en) * 2016-05-19 2021-08-24 Nikon Corporation Euv lithography system for dense line patterning
US10712671B2 (en) 2016-05-19 2020-07-14 Nikon Corporation Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching
US11067900B2 (en) 2016-05-19 2021-07-20 Nikon Corporation Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching
DE102016225898A1 (de) * 2016-12-21 2018-01-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit aktuierbarem facettiertem Spiegel
US11934105B2 (en) 2017-04-19 2024-03-19 Nikon Corporation Optical objective for operation in EUV spectral region
US11054745B2 (en) 2017-04-26 2021-07-06 Nikon Corporation Illumination system with flat 1D-patterned mask for use in EUV-exposure tool
US11300884B2 (en) 2017-05-11 2022-04-12 Nikon Corporation Illumination system with curved 1d-patterned mask for use in EUV-exposure tool
DE102018201457A1 (de) * 2018-01-31 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
US11360392B2 (en) * 2019-07-31 2022-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photolithography device having illuminator and method for adjusting intensity uniformity
DE102019214269A1 (de) * 2019-09-19 2021-03-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
CN112198768A (zh) * 2020-10-22 2021-01-08 Tcl华星光电技术有限公司 曝光机
DE102021202768A1 (de) 2021-03-22 2022-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettensystem und lithographieanlage
DE102022116699A1 (de) * 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0952491A2 (de) 1998-04-21 1999-10-27 Asm Lithography B.V. Lithographischer Apparat
EP1225481A2 (de) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Kollektor für Beleuchtungssysteme mit einer Wellenlänge 193 nm
US20040108467A1 (en) 2001-06-01 2004-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
WO2009000742A1 (fr) 2007-06-28 2008-12-31 Societe De Technologie Michelin Pneumatique avec une couche auto-obturante
WO2009074211A1 (en) 2007-12-11 2009-06-18 Carl Zeiss Smt Ag Illumination optics for microlithography

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6195201B1 (en) * 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
US6707534B2 (en) * 2002-05-10 2004-03-16 Anvik Corporation Maskless conformable lithography
EP1642173A1 (de) * 2003-07-09 2006-04-05 Carl Zeiss SMT AG Spiegelfacette und herstellverfahren dafür
US20050039553A1 (en) * 2003-08-22 2005-02-24 Yuan Chen Linear actuator
WO2005031748A1 (de) * 2003-08-27 2005-04-07 Carl Zeiss Smt Ag Schiefspiegliges normal-incidence-kollektorsystem für lichtquellen, insbesondere euv-plasmaentladungsquellen
US6977718B1 (en) * 2004-03-02 2005-12-20 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography method and system with adjustable reflector
DE102006017336B4 (de) * 2006-04-11 2011-07-28 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungssystem mit Zoomobjektiv
DE102007047446A1 (de) * 2007-10-04 2009-04-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und Beleuchtungssystem mit einem solchen Element
DE102008009600A1 (de) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
WO2009100856A1 (en) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
DE102008001511A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
WO2010008993A1 (en) * 2008-07-17 2010-01-21 Nikon Corporation Adaptive fly-eye and other mirrors for extreme ultraviolet and other optical systems

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0952491A2 (de) 1998-04-21 1999-10-27 Asm Lithography B.V. Lithographischer Apparat
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
EP1225481A2 (de) 2001-01-23 2002-07-24 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Kollektor für Beleuchtungssysteme mit einer Wellenlänge 193 nm
US20040108467A1 (en) 2001-06-01 2004-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
WO2009000742A1 (fr) 2007-06-28 2008-12-31 Societe De Technologie Michelin Pneumatique avec une couche auto-obturante
WO2009074211A1 (en) 2007-12-11 2009-06-18 Carl Zeiss Smt Ag Illumination optics for microlithography
DE102008013229A1 (de) 2007-12-11 2009-06-18 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013541829A (ja) * 2010-08-25 2013-11-14 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置のマルチファセットミラー
CN104380202A (zh) * 2012-02-17 2015-02-25 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学部件
US9804501B2 (en) 2012-02-17 2017-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical component
US10078271B2 (en) 2012-02-17 2018-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical component
JP2014003290A (ja) * 2012-06-04 2014-01-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Ｅｕｖ用途向けの少なくとも１つのファセットミラーのファセットの角度位置を測定する光学的方法及び光学測定デバイス
JP2016500158A (ja) * 2012-11-13 2016-01-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影露光装置の照明光学ユニットの瞳ファセットミラーの瞳ファセットを照明光学ユニットの視野ファセットミラーの視野ファセットに割り当てる方法
JP2017083856A (ja) * 2012-11-29 2017-05-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学系の少なくとも１つの光学素子を作動させる機構
US10303065B2 (en) 2012-11-29 2019-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Arrangement for actuating at least one optical element in an optical system
DE102020210829A1 (de) 2020-08-27 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
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JP2013518419A (ja) 2013-05-20

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