DE102007047446A1 - Optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und Beleuchtungssystem mit einem solchen Element - Google Patents

Optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und Beleuchtungssystem mit einem solchen Element Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches Element, umfassend - einen ersten Bereich, der auf das optische Element auftreffendes Licht reflektiert oder transmittiert, und - wenigstens einen zweiten Bereich, der benachbart zum ersten Bereich ist und diesen teilweise umschließt, wobei der zweite Bereich wenigstens teilweise elektrisch leitend ausgebildet und elektrisch gegenüber dem ersten Bereich isoliert ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und ein Beleuchtungssystem mit einem derartigen Element. Das Beleuchtungssystem umfasst wenigstens eine optische Komponente mit Facettenelementen, insbesondere Spiegelfacetten, die auf einem Trägerelement angeordnet sind, wobei die erste optische Komponente in oder nahe der Austrittspupillenebene oder einer zur Austrittspupillenebene konjugierten Ebene angeordnet ist. Die Nutzwellenlänge des Beleuchtungssystems liegt im Wellenlängenbereich ≤ 400 nm besonders bevorzugt im Wellenlängenbereich, der für die EUV-Lithographie genutzt werden kann, d. h. im Bereich 11 bis 14 nm, insbesondere bei 13,5 nm.
  • Um die Strukturbreiten für elektronische Bauteile noch weiter reduzieren zu können, insbesondere in den Submikron-Bereich, ist es erforderlich, die Wellenlänge des für die Mikrolithographie eingesetzten Lichtes zu verringern. Denkbar ist die Verwendung von Licht mit Wellenlängen kleiner 100 nm, beispielsweise die Lithographie mit weichen Röntgenstrahlen, die so genannte EUV-Lithographie.
  • Die EUV-Lithographie ist eine der vielversprechendsten zukünftigen Lithographietechniken. Als Wellenlängen für die EUV-Lithographie werden derzeit Wellenlängen im Bereich 11–14 nm, insbesondere 13,5 nm diskutiert bei einer numerischen Apertur von 0,2–0,3. Die Bildqualität in der EUV-Lithographie wird bestimmt einerseits durch das Projektionsobjektiv, andererseits durch das Beleuchtungssystem. Das Beleuchtungssystem soll eine möglichst gleichförmige Ausleuchtung der Feldebene, in der die strukturtragende Maske, das so genannte Retikel, angeordnet ist, zur Verfügung stellen. Das Projektionsobjektiv bildet die Feldebene in eine Bildebene, die so genannte Waferebene ab, in der ein lichtsensitives Objekt angeordnet ist. Projektionsbelichtungsanlagen für die EUV- Lithographie sind mit reflektiven optischen Elementen ausgeführt. Die Form des Feldes in der Bildebene einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage ist typischerweise die eines Ringfeldes mit einem hohen Aspektverhältnis von 2 mm (Breite) × 22–26 mm (Bogenlänge). Die Projektionssysteme werden üblicherweise im Scanning Mode betrieben. Betreffend EUV-Projektionsbelichtungsanlagen wird auf die nachfolgenden Veröffentlichungen verwiesen:
    W. Ulrich, S. Beiersdörfer, H. J. Mann, "Trends in Optical Design of Projection Lenses for UV- and EUV-Lithography" in Soft-X-Ray and EUV Imaging Systems, W. M. Kaiser, R. H. Stulen (Hrsg.), Proceedings of SPIE, Vol. 4146 (2000), Seiten 13–24
    und
    M. Antoni, W. Singer, J. Schultz, J. Wangler, I. Escudero-Sanz, B. Kruizinga, "Illumination Optics Design for EUV-Lithography" in Soft X Ray and EUV Imaging Systems, W. M. Kaiser, R. H. Stulen (Hrsg.), Proceedings of SPIE, Vol. 4146 (2000), Seiten 25–34
    deren Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mitaufgenommen wird.
  • Um eine in einer Bildebene des Beleuchtungssystems angeordnete Maske auf ein lichtsensitives Substrat, beispielsweise einen Wafer, abzubilden, das zur Herstellung von Halbleiterelementen verwandt werden kann, ist es notwendig, dass die Form der Ausleuchtung und die Beleuchtungsintensität in der Ebene, in der die Maske angeordnet ist, während des Belichtungsprozesses konstant gehalten wird. Eine Änderung der Ausleuchtung kann sowohl in Leistung wie Lage durch eine Degradation der Quelle bzw. eine Veränderung der Quelllage hervorgerufen werden.
  • Insbesondere bei Beleuchtungssystemen, die aus zwei Teilsystemen bestehen, einem ersten Teilsystem, das wenigstens die Lichtquelle umfasst und gegebenenfalls einen Kollektor sowie einem zweiten Teilsystem, das wenigstens ein optisches Element mit Spiegelfacetten umfasst, kann beispielsweise durch eine Veränderung der Abstrahlcharakteristik der Quelle, der Lage der Quelle oder auch eine Dezentrierung bzw. Dejustage, ein so genanntes Misalignment vom ersten und zweiten Teilsystem, die Ausleuchtung des Feldes und/oder Austrittspupille eines Beleuchtungssystems in einer Feldebene und/oder einer Austrittspupillenebene schwanken oder ein Uniformitätsverlust in der Feldebene und/oder Telezentriefehler in der Austrittspupillenebene hervorgerufen werden.
  • Die oben beschriebene Dejustage eines ersten Teilsystem umfassend eine Lichtquelleneinheit zu einem zweiten Teilsystems umfassend optische Komponenten zur Ausleuchtung beispielsweise einer Feld- bzw. Pupillenebene ist nur eine Möglichkeit der Dejustage in einem optischen System, insbesondere einem optischen System, das beispielsweise in der Mikrolithographie Verwendung findet. Eine andere Möglichkeit der Dejustage wäre bespielsweise die Dejustage einzelner optischer Komponenten, beispielsweise einzelner Spiegel in einem Projektionsobjektiv.
  • In der US 6,842,500 ist eine Projektionsbelichtungsanlage beschrieben, die eine Einrichtung umfasst, mit der die Stärke der Ausleuchtung, die so genannte Belichtungsdosis, bestimmt werden kann. Des Weiteren ist in der US 6,842,500 ein Beleuchtungssystem angegeben, das ein erstes Teilsystem, umfassend eine Lichtquelle und einen Kollektor, aufweist, wobei das erste Teilsystem die Lichtquelle in ein Zwischenbild abbildet. Des Weiteren umfasst das Beleuchtungssystem ein zweites Teilsystem, das im Lichtweg von der Lichtquelle zur Austrittspupille dem Zwischenbild der Lichtquelle nachgeordnet ist, wobei das zweite Teilsystem optische Komponenten zum Ausleuchten eines Feldes in einer Feldebene und einer Austrittspupille in einer Austrittspupillenebene umfasst.
  • Des Weiteren ist in der US 6,842,500 allgemein beschrieben, dass zur Ausrichtung von erstem und zweitem Teilsystem die Beleuchtungseinrichtung eine Detektionsvorrichtung umfasst, mit der Lageabweichungen der optischen Achse zwischen dem ersten Teilsystem, dem so genannten Quellsystem, und dem zweiten Teilsystem detektiert werden. Hierzu schlägt die US 6,842,500 allgemein vor, auf einem im zweiten Teilsystem angeordneten Facettenspiegel Sensoren anzuordnen. Um die optische Achse in Abhängigkeit von der detektierten Abweichung ausrichten zu können, ist in der US 6,842,500 beschrieben, den Kollektorspiegel positionierbar auszuführen, so dass es möglich ist, durch Aussteuerung des Kollektorspiegels ein Misalignment von erstem und zweitem Teilsystem zu korrigieren. Als Sensoren schlägt die US 6,842,500 vor, den von dem einfallenden Licht im Nutzstrahlengang induzierten Photostrom beispielsweise an der Oberfläche eines Faltspiegels, der im Strahlengang des Beleuchtungssystems nahe zur Ebene, in der das Retikel angeordnet ist, aufzunehmen.
  • Bei der US 6,842,500 wird eine Änderung des photoelektrischen Effekts, der an einem optischen Element der Beleuchtungseinrichtung auftritt, immer an der Oberfläche der einzelnen optischen Elemente in dem Bereich des optischen Elementes, das auch das einfallende Licht der Nutzstrahlung reflektiert oder transmittiert, detektiert.
  • Ein Nachteil der Einrichtung, die aus der US 6,842,500 bekannt ist, ist, dass die Anzahl der photoelektrisch erzeugten Elektronen vom Reinheitsgrad der Oberfläche des jeweiligen optischen Elementes abhängig ist. Da Spiegeloberflächen bei längerem Betrieb insbesondere mit Wellenlängen im EUV-Bereich von beispielsweise 11 nm bis 15 nm als Nutzstrahlung mehr oder weniger kontaminiert werden, ist mit einer starken Änderung der photoelektrischen Signale bei Betrieb zu rechnen. Die Signale können daher zur Justage optischer Komponenten in einem Beleuchtungssystem oder einem Projektionsobjektiv nicht verwendet werden. Auch andere Aussagen beispielsweise zur Dosiskontrolle können nur schwer abgeleitet werden.
  • Aus der WO 2004/031854 ist ein Beleuchtungssystem bekannt geworden, das ein erstes optisches Teilsystem und ein zweites optisches Teilsystem aufweist, wobei das erste optische Teilsystem die Lichtquelle umfasst und das zweite optische Teilsystem wenigstens einen Feldfacettenspiegel.
  • Aus der WO 2004/031854 ist bekannt geworden, dass zur Justage des Quellmoduls und der nachfolgenden optischen Komponenten Sensoren auf einem optischen Element, das in oder nahe der Feldebene angeordnet ist, beispielsweise dem Feldfacettenspiegel aufgebracht werden.
  • Zwar offenbart die WO 2004/031854 auch einen Pupillenfacettenspiegel mit darauf angeordneten Detektoren, die bevorzugt als Quadrantendetektoren ausgebildet sind, jedoch ist die konkrete Ausgestaltung der Detektoren nicht weiter ausgeführt. Mögliche Detektoren werden in der WO 2004/031854 lediglich als Halbleiterdetektoren oder temperaturempfindliche Detektoren beschrieben. Detektoren, basierend auf einem photoelektrischen Effekt, wie aus der US 6,842,500 bekannt, werden in der WO 2004/031854 als nachteilig beschrieben, da zu instabil wie zuvor beschrieben.
  • Eine erste Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein optisches Element anzugeben, das auch bei längerem Betrieb ein stabiles photoelektrisches Signal zur Verfügung stellt, das beispielsweise bei Verwendung des optischen Elementes in einer optischen Einheit, wie beispielsweise in einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage zu Justagezwecken verwandt werden kann.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Beleuchtungssystem anzugeben, dass die zuvor beschriebenen Nachteile vermeidet, insbesondere ein Beleuchtungssystem anzugeben, mit dem es möglich ist, auf einfache Art und Weise eine möglichst uniforme Ausleuchtung in der Feldebene und geringe Telezentriefehler in der Austrittspupille sicherzustellen. Insbesondere sollen Fehler aufgrund von Misalignment eines Quellenmoduls und nachfolgender Optik vermieden werden.
  • Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Projektionsobjektiv anzugeben, das sicher justiert werden kann..
  • Die erste Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein optisches Element gemäß Anspruch 1 gelöst.
  • Das erfindungsgemäße optische Element umfasst einen ersten Bereich, der auf das optische Element auftreffendes Licht reflektiert oder transmittiert und wenigstens einen zweiten Bereich, der benachbart zum ersten Bereich ist beziehungsweise einen geringen Abstand zum ersten Bereich aufweist und diesen wenigstens teilweise umschließt, wobei der zweite Bereich wenigstens teilweise elektrisch leitend ausgebildet und elektrisch gegenüber dem ersten Bereich isoliert ist. Ist das optische Element Teil beispielsweise eines Beleuchtungssystems, eines Projektionsobjektives oder einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage, so trifft auf den ersten Bereich die sogenannte Nutzstrahlung auf. Die Nutzstrahlung ist das Licht das zur Ausleuchtung eines Bereiches in einer Feldebene oder der Austrittspupille in einem Beleuchtungssystem eingesetzt wird oder diejenige Strahlung die bei einem Projektionsobjektiv ein Objekt in einer Objektebene in ein Bild in einer Bildebene abbildet. Für Systeme die mit EUV-Licht arbeiten, liegt die Nutzstrahlung im Bereich von 9 bis 15 nm, bevorzugt zwischen 11 und 15 nm, beispielsweise bei 13,5 nm ohne hierauf beschränkt zu sein. Bei Verwendung von Nutzstrahlung mit Wellenlängen kleiner 100 nm, insbesondere im EUV-Bereich ist der erste Bereich reflektiv ausgebildet. Der erste Bereich reflektiert dann das auftreffende Licht auf eine weitere optische Komponente, z. B. eine Spiegel oder beispielsweise in die Feldebene. Für Nutzstrahlung mit Wellenlängen beispielsweise größer oder gleich 193 nm ist der erste Bereich auf den das Licht auftrifft transmittierend ausgebildet. Der zweite Bereiche ist zum ersten Bereich des optischen Elementes benachbart und umgibt diesen teilweise. Der zweite Bereich ist elektrisch leitend ausgebildet, d. h. Licht, das in diesen Bereich auftrifft, führt zu einem fotoelektrischen Effekt und der sich hieraus ergebende Strom kann detektiert werden. Ist das System vollständig justiert, so trifft auf den zweiten Bereich bis auf Streustrahlung keine Nutzstrahlung. Die Nutzstrahlung trifft ausschließlich auf den ersten Bereich des optischen Elementes. Ist das System nur leicht dejustiert, so trifft ein Teil des Lichtes der Nutzstrahlung auf den zweiten Bereich des optischen Elementes und kann dort fotoelektrisch detektiert werden. Da der erste Bereich so gewählt wird, dass er bei vollständig justiertem System weitgehend vollständig ausgeleuchtet wird, führt eine geringe Dejustage sofort zu einem Fotostrom im zweiten Bereich. Das optische Element ist daher sehr sensitive auf Dejustagen, da die Dejustage des optischen Elementes direkt am optischen Element selbst gemessen werden kann.
  • Der zweite Bereich kann den ersten Bereich in einer bevorzugten Ausführungsform vollständig umschliessen. In einer weitergebildeten Ausführungsform ist der zweite Bereich in mehrere Sektoren eingeteilt, beispielsweise einen ersten und einen zweiten Sektor. Mit Hilfe der Einteilung in mehrere Sektoren ist es möglich nicht nur zu Detektieren, ob eine Dejustage vorliegt, sondern auch eine Richtungsinformation über die Dejustage zu erhalten.
  • In einer besonderen Ausführungsform umfasst das optische Element ein Trägerelement und eine Vielzahl von auf dem Trägerelement angeordneten ersten Bereichen in Form von Spiegelfacetten und wenigstens einen elektrisch leitenden zweiten Bereich, der außerhalb der Spiegelfacetten auf dem Trägerelement angeordnet ist, wobei der elektrisch leitende zweite Bereich elektrisch sowohl gegenüber dem Trägerelement als auch gegenüber der Spiegelfacette isoliert ist. Hierdurch werden durch kurzwelliges Licht, das nicht auf die einzelnen Spiegelfacetten fällt, Sekundärelektronen in dem Bereich des Trägerelementes, der nicht von Spiegelfacetten abgedeckt ist, angeregt. Handelt es sich hierbei um einen elektrisch leitenden Bereich, beispielsweise um eine metallische Fläche, so kann bei Anschluss dieser Flächen beispielsweise an ein Strommessgerät ein Drain-Strom gemessen werden.
  • In einer ersten Ausführungsform ist das Trägermaterial, auf dem die Spiegelfacetten angeordnet sind, isolierend. Mit einem gewissen Abstand kann jede Spiegelfacette von einem elektrisch leitenden Bereich umgeben sein. Auf diese Art und Weise wird sichergestellt, dass der die jeweiligen Spiegelfacetten umgebende Bereich sowohl gegenüber der Spiegelfläche der Spiegelfacette isoliert ist, wie auch gegenüber dem Trägerelement selbst. Besonders bevorzugt ist es, wenn die elektrisch leitenden Bereiche einen möglichst geringen Abstand zu den einzelnen Spiegelfacetten aufweisen, sie also benachbart sind. Unter einem geringen Abstand versteht man in vorliegender Anmeldung bevorzugt, dass der Abstand geringer als 1/10 der mittleren Abmessung des ersten Bereiches ist. Andererseits muss man beachten, dass die Abstände nicht zu gering sind, da erster und zweiter Bereich elektrisch isoliert voneinander sein sollen. Es gibt somit für die Abstände eine Untergrenze. Eine Untergrenze wäre beispielsweise eine Untergrenze in der Größenordnung von 1 mm. Bei Platzmangel können mit entsprechenden Isoliermaterialien auch geringere Abstände realisiert werden, beispielsweise Untergrenzen von 0,5 mm oder sogar 0,1 mm. Als mittlere Abmessung wird beispielsweise bei einer kreisrund ausgebildeten Spiegelfacette der Durchmesser der Spiegelfacette angesehen. In einem solchen Fall können schon sehr geringe Dejustagen durch das aufgenommene Fotostromsignal detektiert werden.
  • Aber auch leitende Bereiche in einem größeren Abstand sind möglich wie weiter unten beschrieben. Die leitenden Bereiche sind gemäß der Erfindung auf dem optischen Element selbst in einem Bereich angeordnet, der nicht von der Nutzstrahlung in einem optischen System ausgeleuchtet wird, d. h. sie liegen außerhalb eines optisch aktiven Bereiches.
  • In einer alternativen Ausführungsform ist auf dem isolierenden Trägerelement um eine oder mehrere Spiegelfacetten eine Vielzahl von leitenden Bereichen angeordnet. Die leitenden Bereiche können z. B. als elektrisch leitende Streifen ausgeführt sein. Durch die örtliche Anordnung der Streifen kann eine örtlich aufgelöste Messung erfolgen.
  • Besonders bevorzugt ist es, wenn die elektrisch leitenden Bereiche zu wenigstens einer Spiegelfacette einen Quadrantendetektor ausbilden. Dies ermöglicht die Erstellung von Additions- und Subtraktionssignalen, die wiederum dazu genutzt werden, das Misalignment oder die Dezentrierung zu bestimmen.
  • Bevorzugt sind die elektrisch leitenden Bereiche aus einem metallischen oder einem Halbleitermaterial ausgebildet. Bevorzugte Materialien sind: Ru, Pd, Ir, Be, Zr, Ti, Ag, Au, Mo, Si.
  • Bei der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das optische Element ein facettiertes optisches Element. Besonders bevorzugt handelt es sich hierbei ohne Beschränkung hierauf um einen Pupillenfacettenspiegel. Pupillenfacettenspiegel werden in doppelt facettierten Beleuchtungssystemen, wie in der US 6,198,793 , in oder nahe der Pupillenebene eines Beleuchtungssystems platziert.
  • Alternativ hierzu könnte das facettierte optische Element gemäß der Erfindung auch ein Feldfacettenspiegel oder ein sogenannter spekularer Reflektor sein, wie in der US 2006-0132747 A offenbart. Bei dem spekularen Reflektor handelt es sich um ein optisches Element, dass bevorzugt nicht in einer Feldebene und nicht in einer Pupillenebene angeordnet ist. Der spekulare Reflektor leuchtet gleichzeitig das Feld und die Austrittspupille eines Beleuchtungssystems aus und umfasst mehrere hundert einzelne Spiegelfacetten. Sowohl der Offenbarungsgehalt der US 6,198,793 wie der US 2006-0132747 wird vollumfänglich in vorliegende Anmeldung mit einbezogen.
  • Andere optische Elemente in einem Beleuchtungssystem oder einem Projektionsobjektiv sind beispielsweise grazing-incidence-Spiegel oder normal-incidence-Spiegel. Der zweite Bereich der als elektrisch leitender Bereich ausgebildet ist, ist stets der Bereich, der nicht durch das Licht der Nutzstrahlung beispielsweise in einem Abbildungs- oder Beleuchtungsstrahlengang genutzt wird (d. h. außerhalb des optisch aktiven Bereiches liegt).
  • Neben dem optischen Element stellt die Erfindung auch ein Beleuchtungssystem, ein Projektionsobjektiv oder eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen Element zur Verfügung.
  • In einer ersten Ausführungsform umfasst das Beleuchtungssystem eine Lichtquelle, die eine Austrittspupille in einer Austrittspupillenebene ausleuchtet. Des Weiteren umfasst das Beleuchtungssystem ein optisches Element, das in einem Lichtweg von der Lichtquelle zur Austrittspupille im Lichtweg angeordnet ist.
  • Bevorzugt ist das optische Element als facettiertes optisches Element mit einer Vielzahl von Pupillenspiegelfacetten in oder nahe der Austrittspupillenebene und/oder einer Ebene, die konjugiert zur Austrittspupillenebene ist, angeordnet.
  • Ein derartiges optische Element umfasst ein Trägerelement und eine Vielzahl von auf dem Trägerelement angeordneten Pupillenfacetten sowie wenigstens einen elektrisch leitenden Bereich, der außerhalb der Pupillenfacetten auf dem Trägerelement angeordnet ist, wobei der elektrisch leitende Bereich elektrisch isoliert sowohl gegenüber dem Trägerelement als auch gegenüber der Pupillenfacette ist. Ein Beleuchtungssystem mit einem Pupillenfacettenspiegel ist beispielsweise in der US 6,198,793 offenbart.
  • Ein alternatives Beleuchtungssystem umfasst wiederum eine Lichtquelle sowie ein einziges optisches Element mit einem Trägerelement und einer Vielzahl von auf dem Trägerelement angeordneten Spiegelfacetten. Das optische Element weist einen leitenden Bereich, der außerhalb der Spiegelfacetten angeordnet ist, auf. Das optische Element leuchtet sowohl die Feldebene wie die Pupillenebene aus wie in der US 2006-0 132 747 A beschrieben und ist bevorzugt nicht in einer Feldebene oder einer zur Feldebene konjugierten Ebene und nicht in einer Pupillenebene oder einer zur Pupillenebene konjugierten Ebene angeordnet.
  • Bevorzugt umfasst ein Beleuchtungssystem gemäß der US 6,198,793 ein weiteres optisches Element mit einer Vielzahl von Feldfacetten. Die Feldfacetten nehmen das Licht der Lichtquelle auf und teilen es in eine Vielzahl von Strahlbüscheln. Die Vielzahl von Strahlbüscheln wird auf das optische Element, das auch als facettierter Pupillenfacettenspiegel bezeichnet wird, gelenkt. Gemäß der Erfindung weist der Pupillenfacettenspiegel wenigstens einen leitenden Bereich außerhalb der Pupillenfacetten auf. Jedes Strahlbüschel, das von einer Feldfacette ausgeht, bildet eine sekundäre Lichtquelle aus.
  • Der facettierte Pupillenfacettenspiegel ist in oder nahe der Ebene, in der die sekundären Lichtquellen ausgebildet werden, angeordnet. In der Ebene, in der der facettierte Pupillenfacettenspiegel zu liegen kommt, bildet jede sekundäre Lichtquelle einen Ausleuchtungsspot aus. Sind die Lichtquelle und die optischen Komponenten des nachfolgenden Beleuchtungssystems zueinander justiert, so leuchten die einzelnen Ausleuchtungsspots nur die einzelnen Pupillenfacetten aus. Bei Dejustage der Systeme leuchtet der Ausleuchtungsspot nicht nur die einzelnen Pupillenfacetten aus, sondern auch neben den Pupillenfacetten liegende Bereiche. In den neben den Pupillenfacetten liegenden Bereichen werden erfindungsgemäß Sekundärelektronen erzeugt, deren Drainstrom gemessen werden kann. Aus der Größe des Drainstromes kann auf die Größe der Dejustage geschlossen werden. Das System ist vollständig justiert, wenn bis auf durch Streulicht verursachte Ströme kein Drainstrom, der durch das Nutzlicht verursacht wird, gemessen wird, da dann die Ausleuchtungsspots nur auf den Pupillenfacettenspiegeln zu liegen kommen und nicht daneben. Sekundärelektronen werden in einem solchen Fall durch das Nutzlicht nicht erzeugt. Für einen Fachmann ist die oben für doppelt facettierte Systeme beschriebene Justage auch auf Systeme mit spekularen Reflektoren übertragbar oder jede andere Justage in einem optischen System, beispielsweise in einem Projektionsobjektiv.
  • Alternativ zu den zweiten Bereichen die in geringem Abstand zu den ersten Bereichen angeordnet sind, beispielsweise in der Nähe der Pupillenfacetten können auch Bereiche entfernt von dem ersten Bereich zur Generierung von Fotoströmen, die für die Justage genutzt werden, verwandt werden. Beispielsweise wäre es bei einem doppelt facettierten Beleuchtungssystem möglich, zur Erzeugung eines fotoelektrischen Signales zur Justage mittels des ersten facettierten Elementes, Ausleuchtungsspots auf bestimmte dafür reservierte strahlungsempfindliche Bereiche abzubilden, die anstelle von einzelnen Pupillenfacetten auf dem optischen Element ausgebildet werden. Hierzu können bei einem doppelt facettierten System zusätzliche Feldfacetten auf dem Feldfacettenspiegel oder dem ersten facettierten optischen Element angebracht werden oder einzelne Pupillenfacetten durch strahlungsempfindliche Bereiche ersetzt werden. Wenn die strahlungsempfindlichen Bereiche, d. h. die elektrischen leitenden Bereiche sektioniert z. B. in vier Sektoren, die einen Quadrantensensoren ausbilden, so, kann man durch Bildung der Differenzsignale der einzelnen Sektoren des Quadranten mit Teilen durch die Signalsumme beispielsweise eine Stellinformation generieren, die folgende Vorteile hat für eine Justage hat:
    • • die Stellinformation ist auch verfügbar, wenn jede einzelne Pupillenfacette des Pupillenfacettenspiegels vollständig ausgeleuchtet wird.
    • • die Stellinformation ist von der Absoluthöhe der Strahlung unabhängig.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform weist das Beleuchtungssystem im Lichtweg von der Lichtquelle zur Austrittspupille vor dem facettierten optischen Element einen Kollektor auf, der das Licht der Lichtquelle aufnimmt und sammelt.
  • Bevorzugt ist das Beleuchtungssystem in ein erstes optisches Teilsystem mit wenigstens der Lichtquelle und ein zweites optisches Teilsystem mit wenigstens dem facettierten optischen Element unterteilt. Das erste optische Teilsystem wird auch als Quelle/Kollektor-Teilsystem, umfassend wenigstens eine Lichtquelle und einen Kollektor, bezeichnet. Das zweite Teilsystem umfasst alle weiteren Komponenten des Beleuchtungssystems, insbesondere auch das facettierte optische Element. Bevorzugt ist erstes und zweites Teilsystem optisch durch einen Zwischenfokus und druckmäßig (d. h. vakuumtechnisch) getrennt. Das erfindungsgemäße optische Element im zweiten Teilsystem erlaubt die Justage von erstem zu zweitem Teilsystem zu kontrollieren. Für eine Kontrolle der Justierung in sechs Freiheitsgraden sind mindestens sechs Sensoren notwendig, sodass sechs Stellinformationen erzeugt werden. Diese können auf dem optischen Element mit Pupillenfacetten angeordnet sein. Alternativ kann auch nur eine gewisse Anzahl der Sensoren auf dem optischen Element mit Pupillenfacetten angeordnet sein und die anderen Sensoren beispielsweise auf dem optischen Element mit Feldfacetten. Dies hat den Vorteil, dass eine höhere Meßgenauigkeit erreicht wird. Bevorzugt wird die Justage mit Hilfe einer Positioniereinrichtung für die Lichtquelle und/oder das optische Element durchgeführt.
  • Eine automatische Justage wird ermöglicht, wenn das Beleuchtungssystem eine Auswerteeinheit sowie eine Positioniereinheit umfasst, wobei die Auswerteeinheit mit dem wenigstens einen elektrisch leitenden Bereich elektrisch verbunden ist.
  • Die Auswerteeinheit ist bevorzugt derart aufgebaut, dass die Messwerte des elektrisch leitenden Bereichs automatisch ausgewertet werden und die Auswerteeinheit mit mindestens einer Positioniereinheit zur Positionierung wenigstens der Lichtquelle und/oder wenigstens des optischen Elementes verbunden ist. Ein derartiger Aufbau stellt einen Regelkreis dar.
  • Das Beleuchtungssystem ist dann derart aufgebaut, dass die Auswerteeinheit mit Hilfe der in den leitenden Bereichen aufgenommenen Signale die Positioniereinrichtung derart ansteuert, dass die Ausleuchtungsspots der Vielzahl von Strahlbüscheln im Bereich der Pupillenfacetten zu liegen kommen.
  • Neben dem Beleuchtungssystem stellt die Erfindung auch ein Verfahren zur Justierung eines Beleuchtungssystems, insbesondere für die EUV-Lithographie, zur Verfügung. Das Verfahren umfasst folgende Schritte:
    • – mit Hilfe der elektrisch leitenden Bereiche wird ein Signal aufgenommen, das dem Elektronenfluss im Bereich der elektrisch leitenden Bereiche entspricht
    • – die Positioniereinheit für wenigstens die Lichtquelle und/oder das optische Element werden derart angesteuert, dass das aufgrund der Elektronen in den elektrisch leitenden Bereichen erzeugte Signal weitgehend verschwindet, womit das Beleuchtungssystem ausgerichtet ist.
  • Zur Justage der Systeme zueinander verschiebt und rotiert die Positioniereinrichtung vorzugsweise das gesamte Quellmodul oder das gesamte Beleuchtungsmodul. Bewegung eines vollständigen Moduls hat den Vorteil, dass die Ausrichtung der optischen Elemente innerhalb des Moduls nicht beeinflusst wird. Auch ein Spiegelelement innerhalb der Module kann bewegt werden, falls die Ausrichtung der optischen Achse des Moduls nicht beeinflusst wird bzw. nach Bewegung des Spiegels wieder ausgerichtet wird. Durch die Rotation und das Verschieben des Spiegelelementes wird im Wesentlichen ein Zwischenbild der Lichtquelle, beispielsweise zwischen erstem und zweitem Teilsystem, verschoben, eingestellt und die Strahlungsrichtung justiert. Da eine Ansteuerung des Spiegelelements auch während der Belichtung möglich ist, erlaubt ein derartiger Aufbau eine Ausrichtung bzw. Justage der beiden Teilsysteme während des Belichtungsvorganges. Wenn das Stellsystem über mehr als zwei Stellachsen verfügt, können Position und Richtung des Strahlbüschels unabhängig voneinander eingestellt werden. Dazu ist beispielsweise ein Spiegel mit zwei rotatorischen und zwei translatorischen Achsen geeignet, oder auch zwei Spiegel mit je zwei rotatorischen Achsen.
  • Eine besonders bevorzugte Vorrichtung zur Justage eines Spiegelelementes ist in dem US-Patent US 4490041 gezeigt, dessen Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mit aufgenommen wird. In der US 4490041 ist die Halterung eines Spiegelelements beschrieben, die es erlaubt, dass durch eine Drehung um einen ausgezeichneten Drehpunkt, der reflektierte Strahl zwar in seiner Richtung wandert aber stets an einer festgelegten Position auf die Spiegeloberfläche auftrifft, d. h. der Auftreffpunkt eines Strahls eines Strahlbüschels bleibt im Wesentlichen konstant, wenn der Spiegel gedreht wird. Wird eine Vorrichtung wie in der US 4490041 beschrieben als Positionseinrichtung eingesetzt, so kann das Spiegelelement durch diese Positioniereinrichtung so verfahren und gedreht werden, dass eine getrennte Richtungsjustage und Positionsjustage möglich ist. Dazu wird das Spiegelelement um den in der US 4490041 beschriebenen Drehpunkt, der eine Drehachse definiert, drehbar gelagert. Ein Richtungsfehler des Strahlbüschels beispielsweise im Bereich des Zwischenbildes, wie sie durch den vorgenannt beschriebenen Detektor festgestellt wurden, kann nun durch Drehung um diesen ausgezeichneten Drehpunkt korrigiert werden, ohne dass die laterale Position verloren wird. Damit lässt sich eine besonders einfache Justage realisieren.
  • Anwendung findet die Erfindung insbesondere in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie. Die Erfindung soll nachfolgend anhand der Ausführungsbeispiele beschrieben werden.
  • Es zeigen:
  • 1 eine Gesamtansicht einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einem Spiegelelement mit Positioniereinrichtung
  • 2a bis 2d prinzipielle Ansicht von Justagefehlern bei einem in zwei optische Teilsysteme aufgeteilten EUV-Beleuchtungssystem
  • 3a bis 3b ein erfindungsgemäßes facettiertes optisches Element mit Anordnung der elektrisch leitenden Bereiche auf einer Trägerplatte eines facettierten optischen Elementes mit Spiegelfacetten neben den Spiegelfacetten.
  • 4 Seitenansicht einer Justagevorrichtung für den Gitterspektralfilter zur mechanischen Entkopplung von Drehung und Lateral Justage im Zwischenfokus.
  • In 1 ist eine Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für Nutzwellenlängen im Bereich der EUV-Strahlung mit 13,5 nm gezeigt, bei der auf dem optischen Element mit Pupillenrasterelementen auf dem Trägerelement neben den Rasterelementen elektrisch leitende Bereiche angeordnet sind. Die EUV-Projektionsbelichtungsanlage umfasst eine Lichtquelle mit einem EUV-Strahlung aussendenden Quellplasma 1, ein sammelnde optische Komponente, einen sog. Kollektor 3, der als genesteter Kollektor gemäß der WO 02/065482 , deren Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung miteingeschlossen wird, ausgebildet ist. Der Kollektor 3 bildet die in der Objektebene des Beleuchtungssystems liegende Lichtquelle 1 in ein Zwischenbild Z der Lichtquelle 1 oder eine sekundäre Lichtquelle in einer zur Objektebene 2 konjugierten Ebene 7 ab. In oder nahe zur Objektebene 2 konjugierten Ebene 7 ist eine physikalische Blende 22 angeordnet.
  • Vorliegend ist die Lichtquelle 1, die beispielsweise eine Laser-Plasma-Quelle oder eine Plasma-Entladungsquelle sein kann, in der Objektebene 2 des Beleuchtungssystems angeordnet. In der zur Objektebene 2 konjugierten Ebene 7 des Beleuchtungssystems 10 kommt das Zwischenbild Z der primären Lichtquelle 1 zum Liegen, die auch als sekundäre Lichtquelle bezeichnet wird.
  • Als das erste optische Teilsystem 12 des Beleuchtungssystems 10 wird in vorliegender Anmeldung das optische Teilsystem von der Lichtquelle 1 bis zum Zwischenbild Z der Lichtquelle 1 verstanden.
  • Das erste Teilsystem 12, das auch als Quelle-Kollektor-Einheit bezeichnet wird, umfasst neben dem Kollektor 3 als Spiegelelement ein Gitterelement 14 und einer Positioniereinrichtung 16.
  • Ein solches Gitterelement 14, das auch als Gitterspektralfilter bezeichnet wird, ist beispielsweise in der US 2002-186811 A1 gezeigt, deren Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mitaufgenommen wird. Wie in der US 2002-186811 A1 beschrieben, kommt in der Ebene 7, in der die Blende 22 angeordnet ist, der Fokus der –1. Ordnung zu liegen, d. h. die Lichtquelle wird durch Kollektor und Gitterelement in der –1. Beugungsordnung nahezu stigmatisch in die Ebene der Blende abgebildet und ergibt dort eine sekundäre Lichtquelle bzw. ein Zwischenbild Z der Lichtquelle 1. Alle anderen Beugungsordnungen, beispielsweise die 0. Beugungsordnung, werden durch die Blenden 22 für längerwelliges Licht, beispielsweise DUV-Licht, geblockt.
  • Des Weiteren umfasst das Beleuchtungssystem 10 des Projektionssystems ein zweites optisches Teilsystem 50 zur Formung und Ausleuchtung der Feldebene 100 mit einem ringförmigen Feld sowie möglichst zentrische Füllung der Eintrittspupille der Projektionsoptik, wie in dem Patent US 6 438 199 B1 beschrieben, dessen Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung miteingeschlossen wird. In der Feldebene 100 ist auch das lokale x,y,z-Koordinatensystem eingezeichnet. Das zweite optische Teilsystem 50 umfasst als Mischeinheit 52 zur homogenen Ausleuchtung des Feldes eine erste optische Komponente 56 mit ersten Rasterelementen und eine zweite optische Komponente 58 mit zweiten Rasterelementen. Die ersten und zweiten Rasterelemente sind auf einem ersten und einem zweiten Trägerelement angeordnet. Die erste optische Komponente 56 mit ersten Rasterelementen wird in einer reflektiven Ausführungsform auch als Feldfacettenspiegel und die zweite optische Komponente 58 als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Ferner umfasst das zweite optische Teilsystem 50 zusätzlich zur Mischeinheit 52 eine Abbildungsoptik 63 mit zwei abbildenden Spiegeln 62, 64 und einem feldformenden grazing-incidence Spiegel 70.
  • Der Feldfacettenspiegel 56 mit einer Vielzahl von reflektiven Feldfacetten erzeugt eine Vielzahl von Lichtquellenbildern. Wenn wie im vorliegenden Fall ein Zwischenbild Z der Lichtquelle ausgebildet wird, so wird die Vielzahl dieser Lichtquellenbilder als tertiäre Lichtquellen bezeichnet. Die tertiären Lichtquellen liegen in einer Ebene 59, die konjugiert zur Ebene 2 der Lichtquelle bzw. der Ebene 7 des Zwischenbildes Z ist. In oder in der Nähe dieser Ebene 59 ist bei einem doppelt facettierten Beleuchtungssystem, wie in 1 gezeigt, ein Pupillenfacettenspiegel 58 angeordnet. Der Pupillenfacettenspiegel 58 umfasst ein Trägerelement 60 auf dem eine Vielzahl von Pupillenfacetten – siehe 3a und 3b – angeordnet sind.
  • Auf dem Trägerelement des Pupillenfacettenspiegels ist wenigstens ein elektrisch leitender Bereich 61 neben einer Pupillenfacette zur Detektion von Positionsdejustagen, beispielsweise des ersten und zweiten Teilsystems 12, 50 angeordnet. Bevorzugt handelt es sich hierbei um eine Vielzahl von elektrisch leitenden Bereichen 61, beispielsweise in Form eines Quadrantendetektors.
  • Die im Lichtweg von der Lichtquelle 1 zur Feldebene 100 nachfolgende Abbildungsoptik 63 bildet den Pupillenfacettenspiegel in die Austrittspupille des Beleuchtungssystems ab, welche in der Eintrittspupille 200 des Projektionsobjektives 202 zum Liegen kommt. Die Eintrittspupille 200 des Projektionsobjektives 202 ist durch den Schnittpunkt eines Hauptstrahles CR eines Strahlbüschels, das beispielsweise vom zentralen Feldpunkt (0,0) des ausgeleuchteten Feldes in der Feldebene 100 ausgeht, mit der optischen Achse HA des Projektionsobjektives 202 gegeben. Die Eintrittspupille bzw. die Austrittspupille kommt in einer Austrittspupillenebene 201 zu liegen.
  • Die Neigungswinkel der einzelnen Facetten des Feld- 56 und des Pupillenfacettenspiegels 58 sind so ausgelegt, dass sich die Bilder der einzelnen Feldfacetten des Feldfacettenspiegels in der Feldebene 100 des Beleuchtungssystems überlagern und somit eine weitgehend homogenisierte Ausleuchtung der strukturtragenden Maske 101, welche in dieser Feldebene zum Liegen kommt, ermöglicht wird. Das Segment des Ringfeldes wird beispielsweise über den unter streifenden Einfall betriebenen feldformenden grazing-incidence Spiegel 70 ausgebildet. In einer alternativen Ausführungsform können trivialerweise die Feldfacetten selbst die Form des auszuleuchtenden Feldes haben, also Ringsegmentförmig sein.
  • Die in der Feldebene 100 angeordnete strukturtragende Maske 101, die auch als Retikel bezeichnet wird, wird mit Hilfe eines Projektionsobjektives 202 in die Bildebene 204 der Feldebene 100 abgebildet. Das Projektionsobjektiv ist ein 6-Spiegel-Projektionsobjektiv wie beispielsweise im US-Patent 6,353,470 offenbart, dessen Offenbarungsgehalt vollumfänglich in die vorliegende Anmeldung mitaufgenommen wird. In der Bildebene 204 des Projektionsobjektives ist das zu belichtende Objekt, beispielsweise ein Wafer, angeordnet.
  • Gemäß der Erfindung ist auf der Trägerplatte 60 des Pupillenfacettenspiegels 58 wenigstens ein elektrischer Bereich 61 angeordnet, der eine Positionsdejustage, d. h. ein Missalignment detektiert. Eine detaillierte Ansicht von auf dem Trägerelement angeordneten elektrisch leitenden Bereichen 61 zeigen die 3a bis 3b. Die Signale der Sensoren 300 werden über beispielsweise eine elektrische Verbindung 302 an die Stell- und Steuereinheit 304 übermittelt. In der Stell- und Steuereinheit wird das von den Sekundärelektronen herrührende Signal beispielsweise mit dem Signal eines justierten Systems verglichen und in Abhängigkeit von der festgestellten Abweichung mit Hilfe der Positioniereinrichtung 16 das Gitterelement 14 um die eingezeichnete Rotationsachse RA rotiert bzw. entlang der eingezeichneten lokalen y-Achse verschoben. Auf diese Art und Weise kann bei einem Beleuchtungssystem mit Zwischenbild Z das Zwischenbild Z in seiner Lage verschoben und erstes und zweites Teilsystem zueinander in seiner Richtung wie in 2a bis 2d beschrieben justiert werden.
  • Eine Ausführungsform einer Positionseinrichtung 16 ist in 4 gezeigt.
  • In einer alternativen Ausführungsform kann statt dem Gitterelement 14 auch die Position des Quellplasmas 1 veränderbar ausgelegt sein, d. h. die Quelle mit mechanischen bzw. elektrischen Komponenten der Quelle 11 verfahrbar ausgeführt werden, was insbesondere von Vorteil ist, wenn das Quellplasma 1 durch Alterungserscheinungen während des Betriebes seinen Ort ändert. Besonders bevorzugt werden mehrere Komponenten als manipulierbar ausgelegt, beispielsweise die Quelle 11, das Gitterelement 14, oder die gesamte Quell-Kollektor-Einheit 12.
  • In den 2a bis 2d sind mögliche Dejustagen eines Beleuchtungssystems gezeigt, bei dem ein Zwischenbild Z der primären Lichtquelle des Beleuchtungssystems ausgebildet wird. Das Zwischenbild Z teilt das Beleuchtungssystem in ein erstes Teilsystem 12 und ein zweites Teilsystem 50. In 2a ist das erste Teilsystem 12 relativ zum zweiten Teilsystem 50 justiert. Die optischen Achsen 400.1, 400.2 von erstem und zweitem Teilsystem stimmen überein und das Zwischenbild Z der Lichtquelle kommt in einer Ebene 7 zu liegen, die konjugiert zu der Ebene 2 ist, in der die Lichtquelle 1 des Beleuchtungssystems positioniert ist. In der zur Lichtquellenbildebene 2 konjugierten Ebene 7 kann bevorzugt eine physikalische Blende 22 angeordnet sein.
  • In den 2b bis 2d sind die drei möglichen Dejustagen von erstem und zweitem Teilsystem 12, 50 des Beleuchtungssystems gezeigt.
  • In 2b ist eine Richtungsdejustage von erstem und zweitem Teilsystem 12, 50 gezeigt. Richtungsdejustage bedeutet, dass zwar die Ebene 7, in der das Zwischenbild Z zu liegen kommt, mit der Ebene 23 in der die physikalische Blende 22 angeordnet ist, zu Deckung kommt; die optische Achse 400.1 des ersten Teilsystems jedoch gegen die optische Achse 400.2 des zweiten Teilsystems geneigt ist. Mit Hilfe eines in Entfernung zur Zwischenbildebene 7 angeordneten Detektors ist es möglich, die Verkippung der optischen Achse 400.1 des ersten Teilsystems zur optischen Achse 400.2 des zweiten Teilsystems zu bestimmen und so die erste optische Achse 400.1 zur zweiten optischen Achse 400.2 auszurichten, d. h. das System bezüglich der Strahlungsrichtung zu justieren.
  • Unter Entfernung wird in vorliegender Anmeldung die Strecke des Lichts von der Zwischenbildebene 7 bis zum Auftreffpunkt auf den Detektor verstanden. Der Detektor ist vorliegend der leitende Bereich 61 auf dem Pupillenfacettenspiegel 58.
  • 2c zeigt den Fall der lateralen Positionsdejustage von erstem und zweitem Teilsystem 12, 50. Im Falle einer lateralen Positionsdejustage kommt das Zwischenbild Z der Lichtquelle zwar in der Zwischenbildebene 7 zu liegen, durchstößt aber diese Ebene nicht zentrisch zur optischen Achse 400.2 des zweiten optischen Systems, in der die physikalische Blende 22 angeordnet ist, d. h. die Blende blockiert den Durchtritt von Strahlung in das zweite Teilsystem. Diese so genannte laterale Positionsdejustage von erstem und zweitem Teilsystem 12, 50 kann mit Hilfe des auf dem Pupillenfacettenspiegels leitenden Bereiches detektiert werden. Der Pupillenfacettenspiegel ist bei justiertem System in der konjugierten Ebene 59 angeordnet. Mit Hilfe des leitenden Bereiches 61 kann die Größe und Position eines resultierenden Lichtflecks erkannt und detektiert werden.
  • 2d zeigt den Fall der axialen Positionsdejustage von erstem und zweitem Teilsystem. Im Falle einer axialen Positionsdejustage kommt das Zwischenbild Z der Lichtquelle in einer Zwischenbildebene 7 zu liegen, die beispielsweise im Lichtweg von der Lichtquelle zur Feldebene hinter der Blendenebene 23 zu liegen kommt, in der die physikalische Blende 22 angeordnet ist, d. h. Zwischenbildebene 7 und Blendenebene 23 kommen in diesem Fall nicht mehr zur Deckung. Diese so genannte Positionsdejustage von erstem und zweitem Teilsystem 12, 50 kann mit Hilfe mindestens eines Detektors, der in einer zur Zwischenbildebene 7 bei justiertem System konjugierten Ebene 59 angeordneten ist, detektiert werden. So ist bei ideal justiertem System der Lichtfleck in der konjugierten Ebene von minimaler Ausdehnung. Bei axialer Dejustage wird Ausdehnung des Lichtflecks zunehmen und damit detektierbar. Erfindungsgemäß ist der Detektor zur Detektion der axialen Positionsdejustage der Pupillenfacettenspiegel, der leitende Bereiche aufweist.
  • Wird ein sowohl in Position wie Richtung dejustiertes System justiert, so wird bevorzugt in einem ersten Schritt eine Richtungsjustage vorgenommen. Die optische Achse 400.1 von erstem Teilsystem 12 und die optische Achse 400.2 des zweiten Teilsystems sind dann zueinander ausgerichtet. In einem daran anschließenden zweiten Schritt wird die Position justiert. Danach kann der Vorgang wiederholt werden, bis ein gewünschter Justagezustand erreicht ist.
  • In 3a ist eine erste Ausführungsform eines Pupillenfacettenspiegels, der in 1 mit der Bezugsziffer 58 bezeichnet ist, gezeigt. Der Pupillenfacettenspiegel umfasst ein Trägerelement 1000. Auf dem Trägerelement sind vorliegend insgesamt 8 Pupillenfacetten aufgebracht. Die Pupillenfacetten haben im Allgemeinen eine runde Form entsprechend der Form der Ausleuchtungsspots in der Ebene, in der der Pupillenfacettenspiegel angeordnet ist. Die einzelnen Pupillenfacetten, die als reflektive Pupillenfacetten ausgebildet sind, sind mit den Bezugsziffern 1002.1, 1002.2, 1002.3, 1002.4, 1002.5, 1002.6, 1002.7, 1002.8 bezeichnet. Jede der Pupillenfacetten 1002.1, 1002.2, 1002.3, 1002.4, 1002.5, 1002.6, 1002.7, 1002.8, ist von isolierenden Bereichen 1004.1, 1004.2, 1004.3, 1004.4, 1004.5, 1004.6, 1004.7, 1004.8 umgeben. Die isolierenden Bereiche weisen einen Abstand zu den jeweiligen Pupillenfacetten auf. Auf die isolierenden Bereich ist eine leitende Schicht, beispielsweise eine Metallschicht 1006.1, 1006.2, 1006.3, 1006.4, 1006.5, 1006.6, 1006.7, 1006.8 aufgebracht. Wandert nunmehr aufgrund einer Dejustage ein Ausleuchtungsspot der sekundären Lichtquelle aus dem Bereich, der von der jeweiligen Pupillenfacetten überdeckt wird, heraus, wird auf dem umgebenden metallischen Material beziehungsweise dem umgebenden leitenden Bereich 1006.1, 1006.2, 1006.3, 1006.4, 1006.5, 1006.6, 1006.7, 1006.8 eine Sekundärelektronenemission ausgelöst. Über die dem jeweiligen Bereich zugeordnete Leitung 1012.1, 1012.2, 1012.3, 1012.4, 1012.5, 1012.6, 1012.7, 1012.8 fließt ein sogenannter Drainstrom. Die Größe des Drainstroms ist ein Maß dafür, in wieweit die Ausleuchtung von der idealen Ausleuchtung abweicht. Im Falle, dass das System vollständig justiert ist, leuchten die Ausleuchtungsspots lediglich die Bereiche aus, die von den einzelnen Pupillenfacetten überdeckt sind. Dann gibt es überhaupt keine Sekundärelektronensignale, die gemessen werden könnten.
  • Die die jeweiligen Pupillenfacetten umgebenden leitenden Bereiche 1006.1, 1006.2, 1006.3, 1006.4, 1006.5, 1006.6, 1006.7, 1006.8, hier die ringförmig ausgebildeten Metallbeschichtungen, sind wiederum von der Trägerplatte durch ein Isoliermaterial 1014.1, 1014.2, 1014.3, 1014.4, 1014.5, 1014.6, 1014.7, 1014.8 isoliert. Bei der Ausführungsform gemäß 3a ist nur je ein leitender Bereich 1006.1, 1006.2, 1006.3, 1006.4, 1006.5, 1006.6. 1006.7, 1006.8 je Pupillenfacette gezeigt, der die Signale aufnimmt und die Pupillenfacette konzentrisch umgibt. Denkbar wäre auch mehrere, die Pupillenfacette umgebende konzentrische Ringe aus einem leitenden Material, aufgebracht auf einem Isolationsmaterial vorzusehen. Vorteil einer derartigen Anordnung wäre, dass damit eine bessere Ortsauflösung erzielt werden könnte.
  • In 3b ist für eine einzelne Pupillenfacette 1040 der Vielzahl von Pupillenfacetten (1002.1, 1002.2, 1002.3, 1002.4, 1002.5, 1002.6, 1002.7, 1002.8 in 3a), die auf einem Pupillenfacettenspiegel, wie in 3a gezeigt, angeordnet sind, dargestellt, wie eine Vielzahl von leitenden Bereichen eine Pupillenfacette umgeben können. Insgesamt umgeben acht leitende Bereiche jeweils eine Pupillenfacette 1040. Die Pupillenfacette 1040 selbst ist auf einer isolierenden Platte 1050 aufgebracht, die wiederum auf dem Trägerelement, das in 3a mit 1000 bezeichnet ist, angeordnet ist. Die acht leitenden Bereiche sind mit 1020.1, 1020.2, 1020.3, 1020.4, 1020.5, 1020.6, 1020.7 und 1020.8 bezeichnet. Wandert der Ausleuchtungsspot aus dem Bereich des Pupillenfacettenspiegels heraus, so wird auf dem jeweiligen leitenden Bereich, der vorliegend als Metallstreifen ausgebildet ist, ein elektrisches Signal detektiert. Da die leitenden Bereiche in Art eines Quadrantendetektors die einzelne Pupillenfacette 1040 umgeben, kann mit dem Ausführungsbeispiel gemäß 3b ein Misalignment örtlich aufgelöst detektiert werden. Wiederum ist jeder der acht leitenden Bereiche über eine Leitung 1030.1, 1030.2, 1030.3, 1030.4, 1030.5, 1030.6, 1030.7, 1030.8 an ein Messgerät zur Messung des Drainstroms angeschlossen. Anstelle der gezeigten acht leitenden Bereiche können auch noch mehr leitende Bereiche vorgesehen sein. Dies erhöht dann die Auflösung. Auch weniger leitende Bereiche, z. B. vier leitende Bereiche, die einen Quadrantendetektor ausbilden, sind möglich.
  • Bei einem Quadrantendetektor ist jedem leitenden Bereich ein Stromsignal I1, I2, I3, I4 zugeordnet. Aus diesen gemessenen Größen I1 bis I4 können Asymmetriesignale:
    Figure 00240001
    und Summensignale: S1 = I1 + I3 S2 = I2 + I4 erhalten werden. Hiermit lässt sich dann beispielsweise die laterale Position eines dejustierten Systems bestimmen. Auch andere Auswertungen sind möglich, mit denen die Positionsbestimmung erfolgen kann.
  • In 4 ist beispielhaft eine Positioniervorrichtung 16, die mit Hilfe der aufgenommenen Signale zur Einstellung der Lage des Zwischenbildes Z einer Lichtquelle gemäß den Prinzipien der US 4 490 041 gezeigt.
  • Die Positioniervorrichtung umfasst ein Spiegelelement, das als Gitter 14 ausgebildet sein kann. Das Spiegelelement ist über einen Winkel mechanisch mit einer Drehachse 2000 verbunden. Mit Hilfe des Stelltriebes 2002 lässt sich das Spiegelelement um die Drehsachse 2000 rotieren.
  • Bei dem Stelltrieb 2000 handelt es sich somit um den Stelltrieb für die Drehung. Das auftreffende Lichtbüschel 2006 wird vom Gitterelement und der Kollektoreinheit in die 1. Beugung gebeugt und dort zu einem Zwischenbild Z der Lichtquelle fokussiert. Eingezeichnet auch die Blende 22. Bei Bewegung des Stelltriebes für die Drehung bleibt stets die Lage des Zwischenbildes Z in der Zwischenbildebene unverändert. Als Stelltrieb für translatorische Bewegungen sind die Stelltriebe 2010 vorgesehen. Wie zuvor und der US 4 490 041 beschrieben, lässt sich durch die dargestellte Justagevorrichtung die translatorische Bewegung von der rotatorischen Bewegung zur Justage des Zwischenfokus entkoppeln.
  • Mit der Erfindung wird erstmals ein Beleuchtungssystem angegeben, mit dem auf einfache Art und Weise die Justage eines Beleuchtungssystems festgestellt und überwacht werden kann. Dadurch wird die zeitliche und räumliche Konstanz der Beleuchtung der Maske und eine zentrische Ausleuchtung der Pupille sichergestellt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 6842500 [0007, 0007, 0008, 0008, 0008, 0008, 0009, 0010, 0013]
    • - WO 2004/031854 [0011, 0012, 0013, 0013, 0013]
    • - US 6198793 [0026, 0027, 0032, 0034]
    • - US 2006-0132747 A [0027, 0033]
    • - US 2006-0132747 [0027]
    • - US 4490041 [0044, 0044, 0044, 0044, 0076, 0078]
    • - WO 02/065482 [0051]
    • - US 2002-186811 A1 [0055, 0055]
    • - US 6438199 B1 [0056]
    • - US 6353470 [0061]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - W. Ulrich, S. Beiersdörfer, H. J. Mann, "Trends in Optical Design of Projection Lenses for UV- and EUV-Lithography" in Soft-X-Ray and EUV Imaging Systems, W. M. Kaiser, R. H. Stulen (Hrsg.), Proceedings of SPIE, Vol. 4146 (2000), Seiten 13–24 [0003]
    • - M. Antoni, W. Singer, J. Schultz, J. Wangler, I. Escudero-Sanz, B. Kruizinga, "Illumination Optics Design for EUV-Lithography" in Soft X Ray and EUV Imaging Systems, W. M. Kaiser, R. H. Stulen (Hrsg.), Proceedings of SPIE, Vol. 4146 (2000), Seiten 25–34 [0003]

Claims (33)

  1. Optisches Element umfassend einen ersten Bereich, der auf das optische Element auftreffendes Licht reflektiert oder transmittiert und wenigstens einen zweiten Bereich, der einen Abstand, bevorzugt einen geringen Abstand zum ersten Bereich, aufweist und diesen wenigstens teilweise umgibt, wobei der zweite Bereich wenigstens teilweise elektrisch leitend ausgebildet und elektrisch gegenüber dem erstem Bereich isoliert ist.
  2. Optisches Element gemäß Anspruch 1, wobei der zweite Bereich den ersten Bereich vollständig umschliesst.
  3. Optisches Element gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei der zweite Bereich wenigstens einen ersten elektrisch leitenden Sektor und einen zweiten elektrisch leitenden Sektor umfasst, wobei der erste Sektor gegenüber dem zweiten Sektor elektrisch isoliert ist.
  4. Optisches Element gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das optische Element ein Trägerelement (60) und eine Vielzahl von auf dem Trägerelement angeordneten ersten Bereichen in Form von Spiegelfacetten umfasst und der zweite Bereich (61) außerhalb der Spiegelfacetten auf dem Trägerelement (60) angeordnet ist, wobei der zweite Bereich elektrisch sowohl gegenüber dem Trägerelement als auch gegenüber der Spiegelfacette isoliert ist.
  5. Optisches Element nach Anspruch 4, wobei wenigstens eine Spiegelfacette von einem elektrisch leitenden zweiten Bereich umgeben wird.
  6. Optisches Element gemäß Anspruch 5, wobei der zweite Bereich wenigstens einen ersten leitenden Sektor und einen zweiten leitenden Sektor umfasst, wobei der erste Sektor und der zweite Sektor wenigstens eine Spiegelfacette umgeben.
  7. Optisches Element gemäß Anspruch 6, wobei der zweite Bereich wenigstens vier leitende Sektoren umfasst, die einen Quadrantendetektor ausbilden.
  8. Optisches Element gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die elektrisch leitenden Bereiche mit einer Strommesseinrichtung elektrisch verbunden sind.
  9. Optisches Element gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die elektrisch leitenden Bereiche aus einem metallischen Material oder einem Halbleitermaterial ausgebildet werden
  10. Optisches Element gemäß Anspruch 9, wobei das metallische Material oder das Halbleitermaterial ausgewählt ist aus einem oder mehreren der nachfolgenden Materialien: Ru, Pd, Ir, Be, Zr, Ti, Ag, Au, Mo, Si.
  11. Optisches Element gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Licht eine Nutzstrahlung in einem Beleuchtungssystem insbesondere für die Mikrolithographie ist.
  12. Optisches Element gemäß Anspruch 11, wobei die Nutzstrahlung eine Wellenlänge kleiner 400 nm, insbesondere kleiner 100 nm, bevorzugt eine Wellenlänge im Bereich 11 bis 13 nm umfasst.
  13. Optisches Element gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei der zweite Bereich, der zur Messung des Photostromsignales verwendet wird, derart gestaltet ist, dass er kein für den optischen Abbildungsprozess schädliches Streulicht produziert.
  14. Beleuchtungssystem mit einer Lichtquelle (1) die Licht emittiert, wobei das Licht der Lichtquelle (1) eine Austrittspupille (200) in einer Austrittspupillenebene (201) ausleuchtet umfassend: wenigstens ein optisches Element gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, das in einem Lichtweg des Lichtes von der Lichtquelle (1) zur Austrittspupille (200) angeordnet ist.
  15. Beleuchtungssystem gemäß Anspruch 14, wobei das optischen Element (58), in dem Lichtweg von der Lichtquelle (1) zur Austrittspupille (200) in oder nahe der Austrittspupillenebene und/oder einer Ebene, die konjugiert zur Austrittspupillenebene ist, angeordnet ist und das optische Element ein Trägerelement (60) und eine Vielzahl von auf dem Trägerelement (60) angeordneten Pupillenfacetten als erste Bereiche umfasst sowie wenigstens einen elektrisch leitenden zweiten Bereich (61), der außerhalb der Pupillenfacetten auf dem Trägerelement (60) angeordnet ist, wobei der elektrisch leitende zweite Bereich elektrisch isoliert sowohl gegenüber dem Trägerelement (60) als auch gegenüber der Pupillenfacette ist.
  16. Beleuchtungssystem nach Anspruch 15, wobei wenigstens eine Pupillenfacette von einem elektrisch leitenden zweiten Bereich umgeben wird.
  17. Beleuchtungssystem nach Anspruch 16, wobei der zweite Bereich wenigstens einen ersten leitenden Sektor und einen zweiten leitenden Sektor umfasst, wobei der erste leitende Sektor und der zweite leitende Sektor wenigstens eine Pupillenfacette umschließt.
  18. Beleuchtungssystem nach Anspruch 17, wobei der zweite Bereich wenigstens vier leitende Sektoren umfasst, die einen Quadrantendetektor ausbildet.
  19. Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei das Beleuchtungssystem ein weiteres optisches Element (56) mit einer Vielzahl von Feldfacetten umfasst, die das Licht der Lichtquelle (1) aufnehmen und in eine Vielzahl von Strahlbüscheln teilen und auf das optische Element (56) lenken.
  20. Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 14 bis 19, wobei das Beleuchtungssystem im Lichtweg von der Lichtquelle (1) zur Austrittspupille (200) vor dem optischen Element einen Kollektor (3) aufweist, der das Licht der Lichtquelle (1) aufnimmt.
  21. Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 14 bis 20, wobei das Beleuchtungssystem ein erstes optisches Teilsystem (12) mit wenigstens der Lichtquelle (1) und ein zweites optisches Teilsystem (50) mit wenigstens dem optischen Element (58) umfasst.
  22. Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 14 bis 21, wobei das Beleuchtungssystem eine Positioniereinrichtung (16) für die Lichtquelle und/oder eine optische Komponente (14) und/oder das optische Element umfasst.
  23. Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 14 bis 22, wobei das Beleuchtungssystem eine Auswerteeinheit (304) umfasst, wobei die Auswerteeinheit mit dem wenigstens einen elektrisch leitenden zweiten Bereich elektrisch verbunden ist.
  24. Beleuchtungssystem nach Anspruch 23, wobei die Auswerteeinheit derart aufgebaut ist, dass Signale im elektrisch leitenden zweiten Bereich aufgenommen und an die Auswerteeinheit (304) übermittelt werden und die Auswerteeinheit mit mindestens einer Positioniereinheit (16) zur Positionierung wenigstens der Lichtquelle und/oder wenigstens einer optischen Komponente und/oder des optischen Elementes verbunden ist.
  25. Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 23 bis 24, wobei die Auswerteeinheit (304) derart aufgebaut ist, dass die mit Hilfe der in dem(den) elektrisch leitenden Bereich(e) aufgenommenen Signale die Positioniereinrichtung (16) derart angesteuert wird, dass auf das optische Element auftreffende Licht im wesentlichen im ersten Bereich des optischen Elementes zu liegen kommt.
  26. Verfahren zur Justierung eines Beleuchtungssystems, insbesondere für die EUV-Lithographie gemäß einem der Ansprüche 14 bis 25, umfassend folgende Schritte: es wird im elektrisch leitenden zweiten Bereich ein Signal aufgenommen, das vom im zweiten Bereich auftreffenden Licht erzeugt wird die Positioniereinheit für wenigstens die Lichtquelle und/oder die optische Komponente (14) und/oder das optische Element werden derart angesteuert, dass das aufgrund des auftreffenden Lichtes in dem elektrisch leitenden zweiten Bereich erzeugte Signal minimiert wird.
  27. Projektionsobjektiv, wobei das Licht einer Lichtquelle (1) ein Objekt in einer Objektebene mit Hilfe wenigstens eines optischen Elementes in ein Bild in einer Bildebene abbildet, wobei das optische Element gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 ausgebildet ist und in einem Lichtweg des Lichtes von der Objektebene zur Bildebene angeordnet ist.
  28. Projektionsobjektiv nach Anspruch 27, wobei der zweite Bereich wenigstens vier leitende Sektoren umfasst, die einen Quadrantendetektor ausbilden.
  29. Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 27 bis 28, wobei das Beleuchtungssystem eine Positioniereinrichtung (16) für das wenigstens eine optische Element und/oder eine optische Komponente des Projektionsobjektives umfasst.
  30. Projektionsobjektiv nach einem der Ansprüche 27 bis 29, wobei das Projektionsobjektiv eine Auswerteeinheit (304) umfasst, wobei die Auswerteeinheit mit dem wenigstens einen elektrisch leitenden zweiten Bereich elektrisch verbunden ist
  31. Projektionsobjektiv nach Anspruch 30, wobei die Auswerteeinheit derart aufgebaut ist, dass Signale im elektrisch leitenden zweiten Bereich aufgenommen und an die Auswerteeinheit (304) übermittelt werden und die Auswerteeinheit mit mindestens einer Positioniereinheit (16) zur Positionierung wenigstens des optischen Elementes und/oder einer optischen Komponente verbunden ist.
  32. Projektionsobjektiv nach Anspruch 31, wobei die Auswerteeinheit derart aufgebaut ist, dass Signale im elektrisch leitenden zweiten Bereich aufgenommen und an die Auswerteeinheit (304) übermittelt werden und die Auswerteeinheit mit mindestens einer Positioniereinheit (16) zur Positionierung wenigstens des Elementes und/oder einer optischen Komponente verbunden ist.
  33. Verfahren zur Justierung eines Projektionsobjektives, insbesondere für die EUV-Lithographie gemäß einem der Ansprüche 27 bis 32, umfassend folgende Schritte: es wird im elektrisch leitenden zweiten Bereich ein Signal aufgenommen, das von in dem zweiten Bereich auftreffendem Licht erzeugt wird; die Positioniereinheit für wenigstens das optische Element und/oder die optische Komponente werden derart angesteuert, dass das aufgrund des auftreffenden Lichtes in dem elektrisch leitenden zweiten Bereich erzeugte Signal minimiert wird.
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PCT/EP2008/008350 WO2009043578A1 (en) 2007-10-04 2008-10-02 Illumination system optical element with an electrically conductive region
EP08802752A EP2203786A1 (de) 2007-10-04 2008-10-02 Optisches element eines beleuchtungssystems mit einer elektrisch leitfähigen region
JP2010527361A JP5225382B2 (ja) 2007-10-04 2008-10-02 電気伝導性領域を有する光学素子およびこのような光学素子を有する照明系
US12/751,849 US8553200B2 (en) 2007-10-04 2010-03-31 Optical element with at least one electrically conductive region, and illumination system with the optical element

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015202411A1 (de) * 2015-02-11 2016-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
US9939731B2 (en) 2015-02-11 2018-04-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for EUV projection lithography

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008000967B4 (de) * 2008-04-03 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
DE102010001388A1 (de) * 2010-01-29 2011-08-04 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Facettenspiegel zum Einsatz in der Mikrolithografie
DE102011003928B4 (de) 2011-02-10 2012-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
US8681413B2 (en) * 2011-06-27 2014-03-25 Kla-Tencor Corporation Illumination control
DE102012202536A1 (de) * 2012-02-20 2013-08-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102012203950A1 (de) * 2012-03-14 2013-09-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
CN105511231B (zh) * 2014-10-16 2019-03-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Euv光源和曝光装置
CN107111242B (zh) * 2014-11-18 2020-04-24 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元
JP6898304B2 (ja) * 2015-09-03 2021-07-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 減衰装置及び方法
DE102016205893A1 (de) * 2016-04-08 2017-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
CN109521582B (zh) * 2018-12-05 2021-04-13 北京控制工程研究所 一种光学镜头光轴表征方法、系统以及成像组件对准方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4490041A (en) 1981-12-02 1984-12-25 Carl-Zeiss-Stiftung, D/B/A Carl Zeiss Device for applying radiation at adjustable angles
EP0421746A2 (de) * 1989-10-03 1991-04-10 Canon Kabushiki Kaisha Belichtungsvorrichtung
US6198793B1 (en) 1998-05-05 2001-03-06 Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss Illumination system particularly for EUV lithography
US6353470B1 (en) 1999-02-15 2002-03-05 Udo Dinger Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus
US6438199B1 (en) 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
WO2002065482A2 (de) 2001-01-23 2002-08-22 Carl Zeiss Smt Ag KOLLEKTOR MIT UNGENUTZTEM BEREICH FÜR BELEUCHTUNGSSYSTEME MIT EINER WELLENLÄNGE ≤ 193 nm
US20020186811A1 (en) 1999-05-04 2002-12-12 Markus Weiss Illumination system with a grating element
WO2004031854A2 (de) 2002-09-30 2004-04-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine wellenlänge ≤ 193 nm mit sensoren zur bestimmung der ausleuchtung
US6842500B1 (en) 1998-09-17 2005-01-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method using same
US20060132747A1 (en) 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
EP1901125A1 (de) * 2006-09-14 2008-03-19 Carl Zeiss SMT AG Optisches System zur Erzeugung von Strahlung im EUV-Wellenlängenbereich und Verfahren zur Messung des Kontaminationsstatus von EUV-reflektierenden Elementen

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3013523B2 (ja) * 1991-07-05 2000-02-28 株式会社ニコン X線光学素子
US6324255B1 (en) * 1998-08-13 2001-11-27 Nikon Technologies, Inc. X-ray irradiation apparatus and x-ray exposure apparatus
JP2000056099A (ja) * 1998-08-13 2000-02-25 Nikon Corp X線照射装置及びx線発生位置検出器
DE10120446C2 (de) * 2001-04-26 2003-04-17 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern in einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikro-Lithographie
US6771352B2 (en) * 2002-03-18 2004-08-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10219514A1 (de) 2002-04-30 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie
JP2005345102A (ja) * 2002-04-30 2005-12-15 Nikon Corp 光検出器および半導体露光装置
JP2009514188A (ja) * 2003-07-09 2009-04-02 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー ファセットミラーおよび鏡面ファセットの製造方法
JP4034759B2 (ja) * 2004-06-22 2008-01-16 オリンパス株式会社 顕微鏡用照明調整方法及び顕微鏡
US7136214B2 (en) 2004-11-12 2006-11-14 Asml Holding N.V. Active faceted mirror system for lithography
JP2006216917A (ja) 2005-02-07 2006-08-17 Canon Inc 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法
WO2006085626A1 (ja) * 2005-02-14 2006-08-17 Nikon Corporation 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4490041A (en) 1981-12-02 1984-12-25 Carl-Zeiss-Stiftung, D/B/A Carl Zeiss Device for applying radiation at adjustable angles
EP0421746A2 (de) * 1989-10-03 1991-04-10 Canon Kabushiki Kaisha Belichtungsvorrichtung
US6198793B1 (en) 1998-05-05 2001-03-06 Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss Illumination system particularly for EUV lithography
US6438199B1 (en) 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
US6842500B1 (en) 1998-09-17 2005-01-11 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method using same
US6353470B1 (en) 1999-02-15 2002-03-05 Udo Dinger Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus
US20020186811A1 (en) 1999-05-04 2002-12-12 Markus Weiss Illumination system with a grating element
WO2002065482A2 (de) 2001-01-23 2002-08-22 Carl Zeiss Smt Ag KOLLEKTOR MIT UNGENUTZTEM BEREICH FÜR BELEUCHTUNGSSYSTEME MIT EINER WELLENLÄNGE ≤ 193 nm
WO2004031854A2 (de) 2002-09-30 2004-04-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine wellenlänge ≤ 193 nm mit sensoren zur bestimmung der ausleuchtung
US20060132747A1 (en) 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
EP1901125A1 (de) * 2006-09-14 2008-03-19 Carl Zeiss SMT AG Optisches System zur Erzeugung von Strahlung im EUV-Wellenlängenbereich und Verfahren zur Messung des Kontaminationsstatus von EUV-reflektierenden Elementen

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. Antoni, W. Singer, J. Schultz, J. Wangler, I. Escudero-Sanz, B. Kruizinga, "Illumination Optics Design for EUV-Lithography" in Soft X Ray and EUV Imaging Systems, W. M. Kaiser, R. H. Stulen (Hrsg.), Proceedings of SPIE, Vol. 4146 (2000), Seiten 25-34
W. Ulrich, S. Beiersdörfer, H. J. Mann, "Trends in Optical Design of Projection Lenses for UV- and EUV-Lithography" in Soft-X-Ray and EUV Imaging Systems, W. M. Kaiser, R. H. Stulen (Hrsg.), Proceedings of SPIE, Vol. 4146 (2000), Seiten 13-24

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015202411A1 (de) * 2015-02-11 2016-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
US9939731B2 (en) 2015-02-11 2018-04-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optics for EUV projection lithography

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Publication number Publication date
KR101477842B1 (ko) 2014-12-30
KR20100076963A (ko) 2010-07-06
US8553200B2 (en) 2013-10-08
JP5225382B2 (ja) 2013-07-03
EP2203786A1 (de) 2010-07-07
JP2010541259A (ja) 2010-12-24
WO2009043578A1 (en) 2009-04-09
US20100231877A1 (en) 2010-09-16

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