DE10204994B4 - Anordnung zur Überwachung der Energieabstrahlung einer EUV-Strahlungsquelle - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 claims description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/10—Scattering devices; Absorbing devices; Ionising radiation filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
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Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Überwachung der Energieabstrahlung einer EUV-Strahlungsquelle bezüglich der in einem Beleuchtungsstrahlengang wirksamen Energieschwankungen, insbesondere für die Steuerung der Dosisstabilität in der EUV- Lithographie zur Chipherstellung in der Halbleitertechnologie.
- Zur Herstellung von Mikrochips werden momentan neben speziellen Lampen Schmalbandexcimerlaser bei den Wellenlängen 248 nm und 193 nm als Strahlungsquellen eingesetzt. In der Entwicklung sind derzeit Scanner auf der Basis von F2 -Lasern (157 nm).
- Allen photolithographischen Verfahren ist gemeinsam, dass in dem sogenannten Scanner eine Maske (diese enthält die abzubildende Struktur) verkleinert (typisch 1:5) auf einen Wafer (Halbleiterscheibe) abgebildet wird. EUV-Strahlungsquellen (um 13,5 nm) scheinen die aussichtsreichste Lösungsvariante für die nächste Generation der Halbleiter-Lithographie zu sein. Die Bildqualität der photolithographischen Verfahren wird neben den Eigenschaften des optischen Systems (numerische Apertur, Schärfentiefe, Abbildungsfehler der Linsen bzw. Spiegel) wesentlich dadurch bestimmt, wie genau die eingestrahlte Strahlungsdosis (dose accuracy) eingehalten werden kann. Diese Dosisstabilität wird bestimmt durch:
- a) Impuls-Quantisierung
- b) Puls-zu-Puls-Stabilität
- c) Räumliche Stabilität des emittierenden Volumens
- Die Impuls-Quantisierung ist scannerspezifisch. Die Anzahl von Lichtimpulsen, die während des Scans in einen bewegten Spalt (moving slit) fallen können, variiert. Dieser Beitrag kann aber meist vernachlässigt werden.
- Die Beiträge b und c sind spezifisch für die EUV-Strahlungsquelle selbst. Nützlich wäre eine Anordnung, die räumlichen Fluktuationen des emittierenden Gebietes bei der Impulsenergieregelung unterbindet oder geeignet berücksichtigt.
- Der Durchsatz eines photolithographischen Scanners (throughput = Anzahl der pro Zeiteinheit belichteten Wafer) wird wesentlich bestimmt durch die Impulsenergie und die Impulsfolgefrequenz der Strahlungsquelle sowie durch optische Verluste im Scanner selbst. Optische Verluste entstehen durch das beschränkte Reflexionsvermögen von Kollektor und Spiegeln sowie sogenannte geometrische Verluste. Der Betrag der Strahlungsleistung, der von der Kollektoroptik eingefangen werden kann, wird durch eine strahlungsquellenspezifische Größe, die sogenannte Quellen-Etendue (Größe des emittierenden Gebietes [mm2] x nutzbarer Raumwinkel [sr]) definiert. Die Etendue wird dabei genau genommen durch die Gesamtgeometrie der Strahlungsquelle, durch die Dimension des Quellortes, etwaige Austrittsfenster und die Apertur der nachfolgenden Optik bestimmt. Die Größe Etendue legt auch fest, wie viel Strahlung durch ein nachfolgendes optisches System erfasst werden kann. Des Weiteren stellt die Etendue ein Maß für die durch die geometrischen Verhältnisse der Strahlungsquelle gegebenen Strahlungsverluste (geometrische Verluste) dar.
- Zur Vermeidung von geometrischen Verlusten darf die Quellen-Etendue nicht größer als die Etendue des abbildenden Systems im Scanner sein, wie M. Antoni et al.: Illumination optic design for EUV Lithography, (in: Proc. of SPIE, Vol. 4146, Aug. 2000) beschreiben.
- Kann dies erfüllt werden, so ist die Strahlungsleistung in der Waferebene nur noch von den Reflexionsvermögen der Spiegel abhängig. Eine Regelung der Impulsenergie würde die Detektion derselben auf Basis ihrer ständigen Messung (Überwachung) mit einem Strahlungsdetektor erforderlich machen. Die Scanneroptik benötigt jedoch eine hinsichtlich Winkelverteilung isotrope Strahlungscharakteristik hoher Intensität. Deshalb sind in bisher bekannten EUV-Strahlungsquellen lichtauskoppelnde Optiken im Beleuchtungsstrahlengang unerwünscht und Messungen zur Impulsenergieregelung bei laufendem Betrieb unüblich.
- Lösungen, die Anteile des Beleuchtungsstrahlengangs zu Messzwecken auskoppeln, sind z.B. aus US 2001/0048083 A1 und US 2001/0055103 A1 bekannt und nur für Laser (Excimerlaser) anwendbar, bei denen die Strahlungsschwächung keine Rolle spielt.
- Für eine divergente Röntgenquelle ist in JP 2001-326096 A eine Messeinheit beschrieben, die den Plasmaort aus visuellen Lichtanteilen des Plasmas bestimmt, um den Quellort zu stabilisieren. Durch ein Loch im Parabol-Kollektorspiegel ist die kollimierbare Lichtausbeute reduziert. Eine Impulsenergiemessung für das kollimierte Röntgenbündel nicht möglich.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine neue Möglichkeit zur Detektion von Schwankungen der emittierten Strahlung von EUV-Quellen zu finden, die sowohl die Erfassung von Fluktuationen der Impulsenergie als auch von im Beleuchtungsstrahlengang wirksamen räumlichen Fluktuationen gestattet.
- Erfindungsgemäß wird die Aufgabe bei einer Anordnung zur Überwachung der Energieabstrahlung einer EUV-Strahlungsquelle bezüglich in einem Beleuchtungs strahlengang wirksamer Energieschwankungen, wobei die Strahlungsquelle eine Plasmasäule aufweist, die gepulst extrem ultraviolette Strahlung in einem großen Raumwinkel emittiert, dadurch gelöst, dass ein zum Beleuchtungsstrahlengang vollständig separater Detektionsstrahlengang mit einer Energiemonitoreinheit zur Detektion der Impulsenergie bezüglich der Plasmasäule entgegengesetzt zum Beleuchtungsstrahlengang angeordnet ist, so dass der Beleuchtungsstrahlengang nicht durch die Energiemessung beeinträchtigt wird, und dass der Detektionsstrahlengang optische Elemente aufweist, die bezüglich Entendue und optischer Verluste an die im Beleuchtungsstrahlengang vorhandenen optischen Elemente angeglichen sind.
- Vorteilhaft wird die Etendue des Detektionsstrahlenganges an die des Beleuchtungsstrahlengangs angepasst, indem eine Blende mit ihrer Öffnung an die Apertur der ersten Kollektoroptik des Beleuchtungsstrahlengangs angeglichen wird. Dabei ist es zweckmäßig, wenn die Apertur der Blende verstellbar ist.
- Vorzugsweise werden alle im Beleuchtungsstrahlengang erforderlichen Filter zur Angleichung optischer Verluste in gleicher Art und Anzahl im Detektionsstrahlengang angeordnet. Dies betrifft vorzugsweise gleiche Debris-Filter und Spektralfilter.
- Die Energiemonitoreinheit kann auf unterschiedliche Weise realisiert werden.
- In einer ersten Variante kann sie so gestaltet sein, dass sie einen Energiedetektor, der mit seiner lichtempfindlichen Fläche vollständig innerhalb des von einer Reflexionsoptik des Detektionsstrahlengangs übertragenen Lichtbündels angeordnet ist, sowie einen zweiten Detektor aufweist, dessen lichtempfindliche Fläche vom Randbereich des Lichtbündels des Detektionsstrahlengangs nur teilweise beleuchtet ist, so dass Schwankungen der Lage des Lichtbündels infolge von Fluktuationen der räumlichen Verteilung der emittierten EUV-Strahlung quantifizierbar sind. Dazu wird ein zentraler Teil des Lichtbündels zweckmäßig mittels eines ebenen Spiegels auf den Energiedetektor abgelenkt, wobei der Energiedetektor entlang der abgewinkelten optischen Achse der Reflexionsoptik angeordnet ist. Damit ist die Etendue des Beleuchtungsstrahlenganges im Detektionsstrahlengang mittels einer Aperturblende und der effektiven Fläche des ebenen Spiegels nachgebildet (simuliert), wobei der Energiedetektor eine Energiefluktuation registriert, wie sie auf dem Zielobjekt (Wafer) im Beleuchtungsstrahlengang wirksam wird. Infolge von räumlichen Fluktuationen der Plasmasäule können Strahlungsanteile am Spiegel vorbeigehen, die somit den Energiedetektor verfehlen und von dem zweiten Detektor hinter dem Spiegel als gesamte räumliche Strahlungsschwankung detektiert werden.
- Der Spiegel ist vorzugsweise ein Mehrschichtspiegel, der das Lichtbündel orthogonal zur Achse der Reflexionsoptik ablenkt, kann aber auch ein Metallspiegel unter streifendem Lichteinfall sein.
- Eine weitere Gestaltungsvariante der Energiemonitoreinheit enthält vorteilhaft einen positionsempfindlichen Empfänger zur gleichzeitigen Detektion von Schwankungen der Gesamtimpulsenergie und der räumlichen Verteilung der emittierten EUV-Strahlung, wobei die Gesamtimpulsenergie durch Summenbildung und die räumliche Verteilung durch Schwerpunktberechnung aus verschiedenen Segmenten des Empfängers ermittelbar sind. Der positionsempfindliche Empfänger ist vorzugsweise eine Quadrantendiode.
- Der Grundgedanke der Erfindung basiert auf der Überlegung, dass zur Einhaltung einer isotropen Strahlungscharakteristik einer EUV-Quelle, wie sie beispielsweise in der Halbleiter-Lithographie unverzichtbar ist, eine Regelung auf Basis ständiger Impulsenergiemessung erforderlich ist. Das besondere Problem, dass infolge der Energieauskopplung für diese Messaufgabe die isotrope Strahlungscharakteristik des Beleuchtungsstrahlenganges zusätzlich gestört wird, konnte gemäß der Erfindung umgangen werden, indem bezüglich der Plasmasäule der Detektionsstrahlengang separat (vorzugsweise entgegengesetzt) zum Beleuchtungsstrahlengang angeordnet wird und sämtliche Verhältnisse der Eingangsapertur und der optischen Verluste des Beleuchtungsstrahlengangs auf den Detektionsstrahlengang übertragen werden. Dabei wird die EUV-Etendue des Beleuchtungsstrahlengangs durch eine definierte Blende vor der Reflexionsoptik des Detektionsstrahlengangs simuliert. Dadurch können mit geeigneten Detektoranordnungen die Fluktuationen der EUV-Emission sowohl bezüglich Gesamtimpulsenergie als auch bezüglich räumlicher Änderungen erfasst werden, als ob diese in der Waferebene des Beleuchtungsstrahlengangs gemessen würden.
- Mit der erfindungsgemäßen Anordnung ist es möglich, Schwankungen der emittierten Strahlung von EUV-Quellen zum Zwecke deren Regelung zu detektieren, die sowohl die Erfassung von Fluktuationen der Impulsenergie als auch von im Beleuchtungsstrahlengang wirksamen räumlichen Fluktuationen gestattet, ohne den Beleuchtungsstrahlengang zu stören.
- Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Die Zeichnungen zeigen:
-
1 : eine Prinzipdarstellung der Erfindung mit separatem, zum Beleuchtungsstrahlengang entgegengesetzt angeordnetem Detektionsstrahlengang, -
2 : eine Ausgestaltung der Erfindung mit zwei Detektoren zur getrennten Registrierung von Schwankungen der Gesamtimpulsenergie, -
3 : eine schematische Darstellung des auf dem Energiedetektor61 auftreffenden Strahlungsmusters, -
4 : eine schematische Momentaufnahme eines auf dem zweiten Detektor62 auftreffenden Strahlungsmusters, -
5 : eine vorteilhafte Realisierung der Erfindung zur Trennung der Impulsenergieschwankungen von den Gesamtimpulsenergieschwankungen, -
6 : eine schematische Momentaufnahme eines auf einem Quadrantendetektor auftreffenden Strahlungsmusters. - Die Erfindung besteht bei einer Grundanordnung einer EUV-Quelle, in der auf beliebige Weise eine heiße Plasmasäule
1 erzeugt wird, einerseits aus einem Beleuchtungsstrahlengang12 mit einer Kollektoroptik7 , die aus der Plasmasäule1 emittierte EUV-Strahlung sammelt und zur Übertragung zu einem Anwendungsort (z.B. Scanner für Halbleiter-Lithographie, nicht dargestellt) überträgt, und andererseits aus einem Detektionsstrahlengang13 mit einer Energiemonitoreinheit6 , auf die die emittierte EUV-Strahlung11 über eine Reflexionsoptik4 gerichtet wird. - In
1 ist ein vereinfachtes Gesamtschema der Erfindung dargestellt, wobei die Plasmasäule1 beispielsweise durch eine gasentladungsgepumpte EUV-Quelle, z.B. mit Z-Pinch (nicht dargestellt), erzeugt wird. Die Plasmasäule1 kann aber ebenso gut auch durch Laserstrahlung erzeugt werden. - Wie
1 verdeutlicht, wird gemäß der Erfindung der Lichtweg zum Scanner (oben als Beleuchtungsstrahlengang12 benannt) von jeglichen Elementen zur Überwachung der emittierten EUV-Strahlung11 dadurch freigehalten, dass der Lichtweg zur Energiemonitoreinheit6 (Detektionsstrahlengang13 ) in entgegengesetzter Richtung zum Beleuchtungsstrahlengang12 aus der EUV- Strahlung11 der Plasmasäule1 ausgekoppelt wird. Dies ist aus Gründen der Symmetrie der Plasmasäule1 besonders vorteilhaft, aber nicht zwingend. - Die in
1 linksseitig aus der Plasmasäule1 austretende EUV-Strahlung11 wird im Detektionsstrahlengang13 mit Hilfe einer Reflexionsoptik4 auf die Energiemonitoreinheit6 abgebildet. - Dabei können Fehler, die infolge unterschiedlicher Auskopplungsorte und -Optiken bei der Überwachung der Plasmafluktuation entstehen, durch geeignete Anpassungsmaßnahmen kompensiert werden. Das geschieht mittels der Apertur einer Blende
3 , indem die Etendue vor der Reflexionsoptik4 verändert wird, um den Detektionsstrahlengang13 analog zu der im Beleuchtungsstrahlengang12 vorgegebenen Apertur der Kollektoroptik7 eines Anwendungsgerätes (z.B. eines oben erwähnten Scanners) anzupassen. Daraus folgt, dass die Lichtwege von Detektionsstrahlengang13 und Beleuchtungsstrahlengang12 bezüglich der geometrischen Verluste gleich sind. Dies muss sich ebenfalls in der Gleichheit aller übrigen Elemente im Detektionsstrahlengang13 gegenüber dem Beleuchtungsstrahlengang12 widerspiegeln. So sind z.B. enthaltene Debrisfilter2 in gleicher Weise wie auch alle selektiven Spektralfilter5 in beiden Strahlengängen12 und13 in Anzahl und Ausführung anzupassen. - In der Halbleiter-Lithographie sind Fluktuationen der Impulsenergie in der Waferebene wegen der geforderten Belichtungsgenauigkeiten unerwünscht. Solche Fluktuationen werden jedoch bei der EUV-Emission verursacht durch Energiefluktuation der Plasmasäule
1 und – wegen der begrenzten Apertur der Kollektoroptik7 – durch Positions- und Winkelfluktuationen der emittierten EUV-Strahlung11 . - Die in
1 dargestellte Anordnung erzielt wegen der angepassten Etendue von Detektionsstrahlengang13 und Beleuchtungsstrahlengang12 den Effekt, dass ein Energiedetektor in der Energiemonitoreinheit6 die gleichen Energiefluktuationen misst, wie sie in der Waferebene gemessen werden würden. -
2 zeigt eine vorteilhafte Gestaltung des Detektionsstrahlengangs13 , mit der zwei unterschiedliche Beiträge zur Gesamtimpulsenergie-Fluktuation (Impulsenergie-Fluktuation und Schwankungen der räumlichen Verteilung der EUV-Emission) getrennt gemessen werden können. Dazu weist die Energiemonitoreinheit6 einen Energiedetektor61 sowie einen zweiten Detektor62 auf, wobei das von der Reflexionsoptik4 übertragene Lichtbündel41 mittels eines Spiegels63 auf den Energiedetektor61 umgelenkt wird. Debrisfilter2 und Spektralfilter5 sind in Analogie zum Beleuchtungsstrahlengang12 – wie zu1 beschrieben – der Reflexionsoptik4 vor- bzw. nachgeordnet. Die gewünschte Etendue des Beleuchtungsstrahlengangs12 wird im Detektionsstrahlengang13 durch die Apertur der Blende3 und durch die effektive Fläche des Spiegels3 bestimmt. Mittels der Blende3 wird dabei die numerische Apertur der Kollektoroptik7 des Beleuchtungsstrahlenganges12 (nur in1 dargestellt) simuliert. - Der Spiegel
3 , der ein Multilayer-Spiegel oder ein Metallspiegel unter streifendem Einfall sein kann, reflektiert dabei den wesentlichen Anteil des Lichtbündels41 . Dieser in2 mit durchgehenden Linien gezeichnete Teil des Lichtbündels41 entspricht der idealen Etendue des Beleuchtungsstrahlengangs12 zur optimalen Beleuchtung des Zielobjekts (Wafer). -
4 zeigt dazu die schematischen Verhältnisse der Beleuchtung des Energiedetektors61 . Der Lichtfleck66 verkörpert den vom Spiegel63 ausgekoppelten Anteil des Lichtbündels41 . Der Energiedetektor61 erfasst somit die Gesamtimpulsenergie und deren Puls-zu-Puls-Schwankungen in Analogie zur Impulsenergie am Ort eines (nicht dargestellten) Wafers im Beleuchtungsstrahlengang12 . Der abgebildete Lichtfleck66 des vom Spiegel63 abgelenkten Lichtbündels41 sollte dabei die lichtempfindliche Fläche67 des Energiedetektors61 nicht vollständig ausfüllen. - Räumliche Fluktuationen der Plasmasäule
1 führen bei der Übertragung über die Blende3 und die Reflexionsoptik4 zu einem fluktuierenden Bündelrand42 (gestrichelt dargestellt) des Lichtbündels41 . Dieser fluktuierende Bündelrand42 verfehlt den Spiegel3 . Ein so ausgewanderter Anteil des Lichtbündels41 trifft somit nicht auf den Energiedetektor61 und führt bei an sich gleicher emittierter EUV-Strahlung11 der Plasmasäule1 zu einer Verringerung der Impulsenergie in der Waferebene des Beleuchtungsstrahlengangs12 , die im Detektionsstrahlengang13 durch den Ort des Energiedetektors61 simuliert wird. - Der zweite Detektor
62 ist deshalb dafür vorgesehen, diesen Anteil der Strahlung des fluktuierenden Bündelrandes42 aufzunehmen und daraus nachfolgend die reale Gesamtimpulsenergie sowie die örtlichen Schwankungen der emittierten EUV-Strahlung11 getrennt zu bestimmen. - Eine schematische Momentaufnahme des am Spiegel
63 vorbeigehenden Lichtes in Form des fluktuierenden Bündelrandes42 ist in3 dargestellt. Dabei ist die lichtempfindliche Fläche67 des zweiten Detektors62 so eingerichtet, dass der Detektor62 den vom fluktuierenden Bündelrand42 verursachten „wandernden" Lichtfleck66 mit Sicherheit erfasst. Der schwarz dargestellte Mittelkreis verkörpert den abgeschatteten Bündelkern65 , dessen Lichtanteil durch den Spiegel63 vollständig auf den Energiedetektor61 (in4 weiß dargestellter Lichtfleck66 ) ausgekoppelt wurde - Eine weitere Ausführung des Detektionsstrahlengangs
13 ist der5 entnehmbar. In diesem Beispiel enthält die Energiemonitoreinheit6 lediglich einen Detektor sowohl zur Erfassung der Gesamtimpulsenergie-Schwankungen als auch zum Nachweis von Positions- und Richtungsfluktuationen der emittierten EUV-Strahlung11 . Dieser Detektor ist ein positionsempfindlicher Empfänger68 , z.B. eine Quadrantendiode, und ist der Reflexionsoptik4 entlang deren optischer Achse nachgeordnet. Das aus der Reflexionsoptik4 austretende Lichtbündel41 muss dabei gegenüber der lichtempfindlichen Fläche64 so dimensioniert sein, wie es die kleine Detailabbildung von6 zeigt. Um Signalverfälschungen zu vermeiden, sind Auswanderungen des Lichtfleckes66 über den Rand des positionsempfindlichen Empfängers68 – auch bei maximalen Ausmaßen des fluktuierenden Bündelrandes42 (gemäß5 ) – unzulässig. -
6 zeigt eine Momentaufnahme des einfallenden Lichtbündels41 inklusive eines fluktuierenden Bündelrandes42 , so dass der Lichtfleck66 eine unregelmäßige und nicht symmetrische Lage auf den Quadranten69 des positionsempfindlichen Empfängers68 einnimmt. Die ideale Etendue der emittierenden Plasmasäule1 würde eine Gleichverteilung der auf alle Quadranten69 entfallenden Strahlungsanteile ergeben, so dass der Schwerpunkt des Lichtflecks66 genau in der Mitte des Quadrantendetektors68 läge. - Bei dieser Art der Energieüberwachung liefert die Summe der Energiebeiträge aller vier Quadranten
69 des Empfängers68 die Gesamtimpulsenergie und die relativen Beiträge der einzelnen Quadranten69 geben Information über den Schwerpunkt der räumlichen Verteilung der Strahlungsemission. - Es sind weitere Gestaltungsvarianten der Erfindung möglich, ohne den Rahmen dieser Erfindung zu verlassen. Ausgegangen wurde in den vorhergehend beschriebenen Beispielen von einer in einem separaten Detektionsstrahlengang
13 befindlichen Energiemonitoreinheit6 , die wenigstens eine Detektion der Gesamtimpulsenergie sowie eine Detektion von Schwankungen der Positions- und Winkellage der aus einer Plasmasäule1 emittierten EUV-Strahlung11 beinhalten. Dabei sind beliebige andere Sensorprinzipien, die nicht ausdrücklich erwähnt sind, gleichfalls klar als zur erfindungsgemäßen Lehre gehörig zu verstehen, solange sich diese ohne erfinderisches Zutun in einem gleichartigen separaten Detektionsstrahlengang13 anordnen lassen, der an die Apertur- und geometrischen Verlustverhältnisse eines konstant zu haltenden Beleuchtungsstrahlengangs12 angepasst ist (z.B. zur Einhaltung einer isotropen Strahlungscharakteristik für die Dosisstabilität in der EUV-Lithographie). -
- 1
- Plasmasäule
- 11
- EUV-Strahlung
- 12
- Beleuchtungsstrahlengang
- 13
- Detektionsstrahlengang
- 2
- Debris-Filter
- 3
- Blende
- 4
- Reflexionsoptik
- 41
- ideales Lichtbündel
- 42
- fluktuierender Bündelrand
- 5
- Spektralfilter
- 6
- Energiemonitoreinheit
- 61
- Energiedetektor
- 62
- zweiter Detektor
- 63
- (ebener) Spiegel
- 64
- reflektiertes Bündel
- 65
- abgeschatteter Bündelkern
- 66
- Lichtfleck
- 67
- lichtempfindliche Fläche
- 68
- positionsempfindlicher Empfänger
- 7
- Kollektoroptik
Claims (12)
- Anordnung zur Überwachung der Energieabstrahlung einer EUV-Strahlungsquelle bezüglich in einem Beleuchtungsstrahlengang wirksamer Energieschwankungen, wobei die Strahlungsquelle eine Plasmasäule aufweist, die gepulst extrem ultraviolette Strahlung in einem großen Raumwinkel emittiert, dadurch gekennzeichnet, dass ein zum Beleuchtungsstrahlengang (
12 ) vollständig separater Detektionsstrahlengang (13 ) mit einer Energiemonitoreinheit (6 ) zur Detektion der Impulsenergie bezüglich der Plasmasäule (1 ) entgegengesetzt zum Beleuchtungsstrahlengang angeordnet ist, so dass der Beleuchtungsstrahfengang (12 ) nicht durch die Energiemessung beeinträchtigt wird, und der Detektionsstrahlengang (13 ) optische Elemente (3 ;2 ,5 ) aufweist, die bezüglich Entendue und optischer Verluste an im Beleuchtungsstrahlengang (12 ) vorhandene optische Elemente (7 ;2 ,5 ) angeglichen sind. - Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Etendue des Detektionsstrahlenganges (
13 ) mittels einer Blende (3 ) mit definierter Apertur an die Apertur der ersten Kollektoroptik (7 ) des Beleuchtungsstrahlengangs (12 ) angeglichen ist. - Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Apertur der Blende (
3 ) einstellbar ist. - Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sämtliche im Beleuchtungsstrahlengang (
12 ) erforderlichen Filter (2 ;5 ) zur Angleichung optischer Verluste in äquivalenter Weise im Detektionsstrahlengang (13 ) angeordnet sind. - Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass im Beleuchtungs- und im Detektionstrahlengang (
12 ;13 ) gleiche Debris-Filter (2 ) vorhanden sind. - Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass im Beleuchtungs- und im Detektionstrahlengang (
12 ;13 ) gleiche Spektralfilter (5 ) vorhanden sind. - Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Energiemonitoreinheit (
6 ) einen Energiedetektor (61 ), der mit seiner lichtempfindlichen Fläche (67 ) vollständig innerhalb des von der Reflexionsoptik (4 ) des Detektionsstrahlengangs (13 ) übertragenen Lichtbündels (41 ) angeordnet ist, sowie einen zweiten Detektor (62 ) aufweist, dessen lichtempfindliche Fläche (67 ) vom Randbereich (42 ) des Lichtbündels (41 ) des Detektionsstrahlengangs (13 ) nur teilweise beleuchtet ist, so dass Schwankungen der Lage des Lichtbündels (41 ) infolge von Fluktuationen der räumlichen Verteilung der emittierten EUV-Strahlung (11 ) quantifizierbar sind. - Anordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein wesentlicher zentraler Teil (
64 ) des Lichtbündels (41 ) mittels eines ebenen Spiegels (63 ) auf den Energiedetektor (61 ) abgelenkt wird, wobei der Energiedetektor (61 ) entlang der abgewinkelten optischen Achse des von der Reflexionsoptik (4 ) ausgehenden Lichtbündels (41 ) angeordnet ist. - Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der ebene Spiegel (
63 ) ein Mehrschichtspiegel ist, der das Lichtbündel (41 ) orthogonal zur Achse der Reflexionsoptik (4 ) ablenkt. - Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der ebene Spiegel (
63 ) ein Metallspiegel bei streifendem Lichteinfall ist - Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Energiemonitoreinheit (
6 ) einen positionsempfindlichen Empfänger (68 ) zur gleichzeitigen Detektion von Gesamtimpulsenergie und Schwankungen der räumlichen Verteilung der Emission EUV-Strahlung (11 ) aufweist, wobei die Gesamtimpulsenergie durch Summenbildung und Änderungen der räumlichen Verteilung durch Schwerpunktberechnung aus unterschiedlichen Segmenten des Empfängers (68 ) ermittelbar sind. - Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass der positionsempfindliche Empfänger (
68 ) eine Quadrantendiode ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10204994A DE10204994B4 (de) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | Anordnung zur Überwachung der Energieabstrahlung einer EUV-Strahlungsquelle |
US10/357,899 US6894285B2 (en) | 2002-02-05 | 2003-02-04 | Arrangement for monitoring the energy radiated by an EUV radiation source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10204994A DE10204994B4 (de) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | Anordnung zur Überwachung der Energieabstrahlung einer EUV-Strahlungsquelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10204994A1 DE10204994A1 (de) | 2003-08-21 |
DE10204994B4 true DE10204994B4 (de) | 2006-11-09 |
Family
ID=27618379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10204994A Expired - Fee Related DE10204994B4 (de) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | Anordnung zur Überwachung der Energieabstrahlung einer EUV-Strahlungsquelle |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6894285B2 (de) |
DE (1) | DE10204994B4 (de) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6838684B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and particle barrier for use therein |
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US7378666B2 (en) | 2002-10-11 | 2008-05-27 | Qimonda Ag | Irradiation device for testing objects coated with light-sensitive paint |
JP4262032B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2009-05-13 | キヤノン株式会社 | Euv光源スペクトル計測装置 |
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DE102013211269A1 (de) | 2013-06-17 | 2014-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines in einem Objektfeld anordenbaren, strukturierten Objektes sowie Metrologiesystem für die Untersuchung eines strukturierten Objektes |
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-
2002
- 2002-02-05 DE DE10204994A patent/DE10204994B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-04 US US10/357,899 patent/US6894285B2/en not_active Expired - Lifetime
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Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP 2001-326096 A mit Abstract und englischer Über- setzung |
JP 2001326096 A mit Abstract und englischer Übersetzung * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10204994A1 (de) | 2003-08-21 |
US6894285B2 (en) | 2005-05-17 |
US20030146391A1 (en) | 2003-08-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, 07743 JENA, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA, JP Free format text: FORMER OWNER: XTREME TECHNOLOGIES GMBH, 07745 JENA, DE Effective date: 20110712 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE Effective date: 20110712 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA, JP Free format text: FORMER OWNER: XTREME TECHNOLOGIES GMBH, 52074 AACHEN, DE Effective date: 20131114 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE Effective date: 20131114 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GLEIM PETRI OEHMKE PATENT- UND RECHTSANWALTSPA, DE |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |