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Hintergrund der Erfindung
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Die Erfindung betrifft eine Messvorrichtung zur Messung von Reflexionseigenschaften einer Probe, insbesondere eines reflektierenden optischen Elements für die Mikrolithographie, für elektromagnetische Strahlung bei verschiedenen Wellenlängen im extremen ultravioletten Spektralbereich.
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Zur Messung von Reflexionseigenschaften einer Probe sind insbesondere Messvorrichtungen bekannt, welche einen Reflexionsgrad bei einem einstellbaren Einfallswinkel bestimmen. Als Reflexionsgrad oder Reflektivität wird das Verhältnis zwischen der Intensität der reflektierten elektromagnetischen Strahlung und der Intensität der einfallenden elektromagnetischen Strahlung bezeichnet. Messungen bei verschiedenen Wellenlängen in einem bestimmten Wellenlängenbereich ergeben Reflexionsspektren, welche unter anderem zur Charakterisierung der an der Reflexion beteiligten Materialien und deren Struktur verwendet werden können. Solche auch als Reflektometer bezeichnete Messvorrichtungen eignen sich daher besonders zur Untersuchung von reflektiven optischen Elementen wie beispielsweise Spiegeln mit einer Vielzahl von Materiallagen als reflektive Beschichtung.
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Spiegel mit einem Multilagenschichtsystem kommen beispielsweise in der Extremen Ultraviolett (EUV) Mikrolithographie mit einer Arbeitswellenlänge von etwa 13,5 nm oder etwa 6,8 nm zum Einsatz. Es besteht daher ein Bedarf, die Reflexionseigenschaften und Schichtprofile solcher Spiegel mit möglichst hoher Genauigkeit zu vermessen. Die bekannten Messvorrichtungen für den EUV-Bereich erreichen aber nicht die Anforderungen an die Messgenauigkeit. So führt beispielsweise eine geringe spektrale Auflösung zu einer Verschmierung der spektralen Reflexionskurve, wodurch eine Auswertung und Interpretation erschwert wird. Auch ein stark asymmetrischer und relativ großer Messfleck auf der Spiegeloberfläche bewirkt insbesondere bei Spiegeln mit gekrümmter Oberfläche eine ungleichmäßige Ausleuchtung und somit Messfehler. Ferner wird durch eine relativ geringe EUV-Intensität bekannter Messvorrichtungen ein höheres Messrauschen und eine geringere Standzeit der Messvorrichtung verursacht. Optische Verschleißelemente müssen bereits bei einem geringen Transmissions- oder Reflexionsverlust ausgetauscht werden.
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Zugrunde liegende Aufgabe
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Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung sowie ein Verfahren bereitzustellen, womit die vorgenannten Probleme gelöst werden und insbesondere die Messgenauigkeit bei einer Bestimmung von Reflexionseigenschaften einer reflektierenden Probe im extremen ultravioletten Spektralbereich verbessert wird.
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Erfindungsgemäße Lösung
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Die vorgenannte Aufgabe kann erfindungsgemäß beispielsweise gelöst werden mit einer nachfolgend beschriebenen Messvorrichtung zur Messung von Reflexionseigenschaften einer Probe für elektromagnetische Strahlung bei verschiedenen Wellenlängen im extremen ultravioletten Spektralbereich. Die Messvorrichtung umfasst eine Strahlenquelle zur Bereitstellung elektromagnetischer Strahlung im extremen ultravioletten Spektralbereich. Weiterhin umfasst die Messvorrichtung einen Monochromator zum Einstellen der Wellenlänge eines auf die Probe gerichteten Messstrahls und einen Detektor zum Erfassen von an der Probe reflektierter Strahlung. Der Monochromator der Messvorrichtung umfasst ferner ein konkaves kreiszylindrisches Reflexionsgitter.
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Die Messvorrichtung ist vorzugsweise zum Messen eines Reflexionsgrads bzw. einer Reflektivität bei verschiedenen Wellenlängen im EUV-Bereich konfiguriert. Dafür kann beispielsweise im Strahlengang vor der Probe ein Strahlenteiler vorgesehen sein, welcher einen Anteil des Messstrahls auf einen Referenzdetektor richtet. Der Referenzdetektor kann ebenso wie der Detektor zum Erfassen einer Intensität konfiguriert sein. Die Messvorrichtung ist zum Beispiel zur Bestimmung einer Intensität des einfallenden Messstrahls mittels der am Referenzdetektor erfassten Intensität ausgebildet. Ferner kann die Messvorrichtung zum Ermitteln eines Reflexionsgrads basierend auf der erfassten Intensität des einfallenden Messstrahls und der erfassten Intensität der reflektierten Strahlung ausgebildet sein.
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Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist die Strahlenquelle zum Bereitstellen von Strahlung mit einer Vielzahl von Wellenlängen oder einem quasikontinuierlichen Spektrum in einem EUV-Bereich konfiguriert. Als EUV-Strahlung wird hier elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von ungefähr 1 nm bis ungefähr 120 nm bezeichnet. Dem Fachmann ist bekannt, dass Grenzwellenlängen für die Übergänge zur weichen Röntgenstrahlung und zur UV-Strahlung nicht einheitlich definiert sind. Vorzugweise stellt die Strahlenquelle EUV-Strahlung mit einer Wellenlänge in einem Bereich von 6 nm bis 16 nm, insbesondere von 10 nm bis 16 nm bereit.
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Die Messvorrichtung ist beispielsweise zum Messen eines Reflexionsspektrums über einen festgelegten Wellenlängenbereich, z.B. von ungefähr 10 nm bis ungefähr 16 nm, konfiguriert. Hierfür kann der Monochromator zum Einstellen der Wellenlänge des Messstrahls während einer Messung ausgebildet sein. Das konkave kreiszylindrische Reflexionsgitter des Monochromators kann derart konfiguriert und angeordnet sein, dass der Messstrahl auf einen Austrittsspalt des Monochromators fokussiert wird. Vorzugsweise ist das Reflexionsgitter so angeordnet, dass ein Emissionsfleck der Strahlenquelle und der Austrittsspalt auf dem Rowland-Kreis des Reflexionsgitters liegen. Dabei kann eine Nutzung der +1.-Ordnung der Reflexionsgitters für den Messstrahl vorgesehen sein.
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In einer alternativen Ausführungsform der Erfindung ist anstelle des konkaven kreiszylindrischen Reflexionsgitters mit geraden Gitterlinien ein Plangitter mit gekrümmten Linien im Monochromator angeordnet. Ferner kann die Messvorrichtung insbesondere zur Vermessung von reflektiven optischen Elementen einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie ausgebildet sein.
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Eine Ausführungsform der Messvorrichtung nach der Erfindung umfasst ein planelliptisches hinteres Reflexionselement, welches im Strahlengang nach dem Reflexionsgitter angeordnet und zum Ausrichten des Messstrahls auf die Probe konfiguriert ist. Als planelliptisches Reflexionselement wird ein Reflexionselement bezeichnet, dessen reflektierende optische Oberfläche in einer Richtung in Form eines Ellipsoids und in einer dazu im Wesentlichen senkrechten Richtung eben verläuft. Das hintere Reflexionselement ist beispielsweise als konkaver planelliptischer Spiegel ausgebildet.
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Nach einer Ausführungsform ist das hintere Reflexionselement derart konfiguriert und im Strahlengang angeordnet, dass ein Austrittsspalt des Monochromators auf die Probe abgebildet wird. Dabei kann in einer Richtung senkrecht zur Brennlinie des hinteren Reflexionselements bei der Probe eine Vergrößerung des Austrittspalts erfolgen. Die Brennlinie ist bei planelliptischen reflektiven Elementen parallel zur ebenen Richtung der reflektierenden Oberfläche.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform nach der Erfindung umfasst die Messvorrichtung ein planelliptisches vorderes Reflexionselement, welches im Strahlengang vor dem Reflexionsgitter angeordnet ist. Auch das vordere Reflexionselement kann als konkaver Spiegel ausgebildet sein. Nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform ist das vordere Reflexionselement derart konfiguriert und im Strahlengang angeordnet, dass ein Emissionsfleck der Strahlenquelle bei der Probe abgebildet wird. Dabei kann senkrecht zu einer Brennlinie des vorderen Reflexionselements eine Vergrößerung des Emissionsflecks bei der Probe erfolgen. Alternativ kann auch eine Fokussierung des Messstrahls bei der Probe parallel zu einer Brennlinie des vorderen Reflexionselements vorgesehen sein.
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Bei einer erfindungsgemäßen Ausführungsform der Messvorrichtung sind das vordere Reflexionselement und das hintere Reflexionselement derart im Strahlengang angeordnet, dass eine Brennlinie des vorderen Reflexionselements im Wesentlichen senkrecht zu einer Brennlinie des hinteren Reflexionselements ist. Mit anderen Worten fokussiert das vordere Reflexionselement den Messstrahl in einer ersten Ebene und das hintere Reflexionselement den Messstrahl in einer zweiten Ebene, welche im Wesentlichen orthogonal zur ersten Ebene ist. Dabei können das vordere und das hintere Reflexionselement so konfiguriert sein, dass die Emissionsquelle bei der Probe maßstabstreu, insbesondere maßstabstreu vergrößert, abgebildet wird.
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Weiterhin ist bei einer Ausführungsform das konkave kreiszylindrische Reflexionsgitter derart angeordnet, dass es den Messstrahl in einer Dispersionsebene fokussiert, in welcher auch das hintere Reflexionselement fokussiert. Die ebenen Richtungen der reflektierenden Oberflächen des Reflexionsgitters und des hinteren Reflexionselements sind somit im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet.
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Ferner umfasst die Strahlenquelle der Messvorrichtung bei einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform eine Plasmastrahlenquelle zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung im extremen ultravioletten Spektralbereich. Beispielsweise umfasst die Strahlenquelle einen Laser, insbesondere einen gepulsten Laser, dessen Strahl auf ein Zielmaterial fokussiert ist und an der Oberfläche des Zielmaterials ein Plasma als Plasmastrahlenquelle generiert. Das Zielmaterial ist vorzugsweise in einem Vakuum angeordnet und beispielsweise als Goldzylinder ausgebildet. Der Laserstrahl generiert in diesem Fall ein Goldplasma. Das Plasma stellt einen Emissionsfleck für EUV-Strahlung mit einem quasikontinuierlichen Spektrum da.
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Figurenliste
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Die vorstehenden, sowie weitere vorteilhafte Merkmale der Erfindung werden in der nachfolgenden detaillierten Beschreibung beispielhafter erfindungsgemäßer Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten schematischen Zeichnungen veranschaulicht. Es zeigt:
- 1 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Messvorrichtung zur Messung von Reflexionseigenschaften einer Probe in einer schematischen Draufsicht, sowie
- 2 die Messvorrichtung zur Messung von Reflexionseigenschaften einer Probe nach 1 in einer schematischen Seitenansicht.
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Detaillierte Beschreibung erfindungsgemäßer Ausführungsbeispiele
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In den nachstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen bzw. Ausführungsformen oder Ausführungsvarianten sind funktionell oder strukturell einander ähnliche Elemente soweit wie möglich mit den gleichen oder ähnlichen Bezugszeichen versehen. Daher sollte zum Verständnis der Merkmale der einzelnen Elemente eines bestimmten Ausführungsbeispiels auf die Beschreibung anderer Ausführungsbeispiele oder die allgemeine Beschreibung der Erfindung Bezug genommen werden.
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Zur Erleichterung der Beschreibung ist in den Zeichnungen ein rechtshändiges kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. Beispielsweise verläuft in 1 die x-Richtung nach rechts, die y-Richtung nach oben und die z-Richtung senkrecht zur Zeichenebene aus dieser hinaus.
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1 zeigt stark vereinfacht ein Ausführungsbeispiel einer Messvorrichtung 10 zur Messung von Reflexionseigenschaften einer Probe 12 in einer Draufsicht. Die Messvorrichtung 10 ist zum Erfassen eines Reflexionsgrads bei einer Vielzahl von Wellenlängen in einem vorgegebenen Wellenlängenbereich von extrem ultravioletter (EUV-) Strahlung konfiguriert. Insbesondere ist die Messvorrichtung 10 zum Erfassen eines Reflexionsspektrums über den vorgegebenen Wellenlängenbereich ausgebildet. Solche Messvorrichtungen werden auch als EUV-Reflektometer bezeichnet. Der vorgegebene Wellenlängenbereich reicht bei diesem Ausführungsbeispiel von ungefähr 6 nm bis ungefähr 18 nm. Ferner ist die Messvorrichtung 10 zur Auswahl eines Messorts bei der Probe 12 und zum Einstellen eines vorgegebenen Einfallwinkels der EUV-Strahlung konfiguriert.
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In 2 wird die Messvorrichtung 10 nach 1 in einer schematischen Seitenansicht dargestellt. Die nachfolgende Beschreibung bezieht sich daher sowohl auf die 1 als auch auf die 2.
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Die Messvorrichtung 10 enthält eine Strahlenquelle 14 für elektromagnetische Strahlung im EUV-Spektralbereich, einen Monochromator 16 zum Einstellen beziehungsweise zur Auswahl der Wellenlänge eines auf die Probe 12 gerichteten Messstrahls 18, eine Probenhalterung 20, einen Detektor 22 zum Erfassen einer Intensität eines von der Probe 12 reflektierten Strahls 24 und einen Referenzdetektor 26 zum Erfassen einer Intensität des auf die Probe 12 gerichteten Messstrahls 18.
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Die Strahlenquelle 14 dieses Ausführungsbeispiels umfasst einen gepulsten Laser 28, beispielsweise einen Nd:YAG-Laser, dessen Laserstrahl 30 mittels einer nicht dargestellten Fokussierungsoptik auf ein Gold-Target 32 oder ein anderes geeignetes Material fokussiert wird. Der Laserstrahl 30 erzeugt bei der Oberfläche des Gold-Targets 32 ein Plasma, welches im EUV-Bereich ein quasikontinuierliches Spektrum elektromagnetischer Strahlung emittiert. Das Plasma stellt somit einen Quell- oder Emissionsfleck für EUV-Strahlung dar. Eine solche Plasmastrahlenquelle wird auch als Laser-Puls-Plasma (LPP-) Quelle bezeichnet. Bei alternativen Ausführungen können auch andersartige Strahlenquellen mit einem diskreten oder quasikontinuierlichen Spektrum elektromagnetischer Strahlung im EUV-Bereich verwendet werden.
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Ein Teil der von dem Quellfleck emittierten EUV-Strahlung durchtritt als Messstrahl 18 eine Eingangsblende 34 als Eintrittsöffnung des Monochromators 16. Der Monochromator 16 umfasst weiterhin ein konkaves, kreiszylindrisches Reflexionsgitter 36, ein im Strahlengang vor dem Reflexionsgitter 36 angeordnetes vorderes Reflexionselement 38, einen im Strahlengang nach dem Reflexionsgitter 36 angeordneten Austrittsspalt 40 und ein im Strahlengang hinter dem Austrittsspalt 40 angeordnetes hinteres Reflexionselement 42.
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Das Reflexionsgitter 36 weist einen Gitterträger mit konkaver kreiszylindrischer Oberfläche auf. Die Oberfläche verläuft somit in einer Richtung eben und in einer dazu im Wesentlichen orthogonalen Richtung in Form eines Kreisbogens. Mit anderen Worten stellt die Oberfläche des Gitterträgers ein Mantelsegment eines Zylinders mit kreisförmiger Grundfläche dar. An dem Gitterträger sind Gitterlinien mit einer konstanten Liniendichte vorgesehen, z.B. 1600 Linien pro mm. Bei einer Beugung eines Lichtstrahls erfolgt somit eine Fokussierung entlang einer Brennlinie, welche parallel zur ebenen Richtung beziehungsweise zur Zylinderachse des Reflexionsgitters 36 ist. Weiterhin ist das Reflexionsgitter 36 derart im Strahlengang angeordnet, dass sowohl der Quellfleck als auch der Austrittsspalt 40 auf dem so genannten Rowland-Kreis liegen und die +1.-Ordnung des Gitter für den Messstrahl verwendet wird. Alternativ kann auch ein Plangitter mit entsprechend gekrümmten Gitterlinien verwendet werden.
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Sowohl das vordere Reflexionselement 38 als auch das hintere Reflexionselement 42 sind in diesem Ausführungsbeispiel als konkave planelliptische Spiegel mit einer zur Reflexion von EUV-Strahlung geeigneten Beschichtung ausgebildet. Als planelliptische Spiegel werden Spiegel mit einer reflektierenden Fläche bezeichnet, welche in einer Richtung eben und in einer dazu im Wesentlichen senkrechten Richtung in Form eines Ellipsoids verläuft. Mit anderen Worten stellen die reflektierenden Oberflächen des vorderen und des hinteren Reflexionselements 38, 42 jeweils einen Mantelsegment eines Zylinders mit ellipsoider Grundfläche dar. Beide Reflexionselemente 38, 42 fokussieren den Messstrahl 18 jeweils in einer Brennlinie, welche parallel zur ebenen Richtung der reflektierenden Oberfläche beziehungsweise der Zylinderachse ist. Der Messstrahl 18 wird somit von den Reflexionselementen 38, 42 nur in Ebenen senkrecht zur jeweiligen Brennlinie fokussiert.
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Das vordere Reflexionselement 38 und das hintere Reflexionselement 42 sind derart angeordnet, dass deren jeweilige Brennlinie oder ebene Richtung im Wesentlichen senkrecht zueinander sind. Weiterhin ist das hintere Reflexionselement 42 gegenüber dem Reflexionsgitter 36 derart angeordnet, dass deren Brennlinien oder ebene Richtungen im Wesentlichen parallel zueinander ausgerichtet sind. Somit ist die Brennlinie oder ebene Richtung des vorderen Reflexionselements 38 ebenfalls im Wesentlichen senkrecht zur Brennlinie oder ebenen Richtung des Reflexionsgitters 36. In 1 und 2 verläuft die ebene Richtung des vorderen Reflexionselements 38 parallel zur x-y-Ebene, während die ebene Richtung beziehungsweise Brennlinie des Reflexionsgitters 36 und des hinteren Reflexionselementes 42 parallel zur z-Achse ausgerichtet sind.
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Nach Durchlaufen der Eingangsblende 34 trifft der Messstrahl 18 auf das vordere Reflexionselement 38. Dieses Reflexionselement 38 richtet den Messstrahl 18 auf das Reflexionsgitter 36 und ist derart konfiguriert, dass der Emissionsfleck der Strahlenquelle 14 bezüglich einer erste Ebene des Messstrahls 18 auf die Probe 12 abgebildet wird. Vorzugsweise ist das vordere Reflexionselement 38 so konfiguriert, dass der Emissionsfleck vergrößert auf die Probe 12 abgebildet wird, z.B. ungefähr im Maßstab 1:5. Die erste Ebene ist parallel zur x-z-Ebene und wird auch als vertikale Ebene bezeichnet. Somit wird insbesondere in 2 die Abbildung des Emissionsflecks durch das vordere Reflexionselement 38 deutlich dargestellt.
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Die Eingangsapertur wird durch die Größe des vorderen Reflexionselements 38 festgelegt. Für eine möglichst große Eingangsapertur und somit hohe Intensität des Messstrahls 18 weist das vordere Reflexionselement 38 in diesem Ausführungsbeispiel eine Länge von über 300 mm, z.B. von ca. 600 mm auf. Die Eingangsblende 34 ist entsprechend zur Größe des vorderen Reflexionselements 38 ausgebildet und verhindert neben Streustrahlung auch eine Verunreinigung von Komponenten der Messvorrichtung 10 durch die Plasmastrahlenquelle 14.
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Das Reflexionsgitter 36 und das hintere Reflexionselement 42 sind derart konfiguriert und angeordnet, dass der Emissionsfleck der Strahlenquelle 14 bezüglich einer zweiten Ebene des Messstrahls 18 auf die Probe 12 abgebildet wird. Die zweite Ebene steht senkrecht zur ersten Ebene und liegt in 1 parallel zur x-y-Ebene. Somit wird in 1 insbesondere die Abbildung des Emissionsflecks durch das Reflexionsgitter 36 und das hintere Reflexionselement 42 deutlich dargestellt. Die zweite Ebene wird auch als horizontale Ebene bezeichnet. Vorzugsweise sind das Reflexionsgitter 36 und das hintere Reflexionselement 42 derart konfiguriert, dass der Emissionsfleck bezüglich der zweiten Ebene mit gleicher Vergrößerung wie in der ersten Ebene auf die Probe 12 abgebildet wird. Insgesamt findet auf diese Weise eine maßstabsgetreue Vergrößerung des Emissionsflecks statt.
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Das Reflexionsgitter 36 beugt den Messstrahl 18 wellenlängenabhängig derart, dass im Strahlengang vor dem hinteren Reflexionselement 42 ein Zwischenfokus bezüglich der zweiten Ebene liegt. Bei diesem Zwischenfokus ist der Austrittspalt 40 angeordnet. Der Austrittsspalt 40 lässt nur einen sehr kleinen Wellenlängenbereich des Messstrahls 18 passieren. Die Spaltbreite des Austrittsspalts 40 ist einstellbar und legt die Messfleckgröße auf der Probe 12 und die spektrale Auflösung fest. Bei kleiner Spaltbreite wird ein kleiner Messfleck und eine hohe spektrale Auflösung erzeugt. Mit der Messvorrichtung 10 wird in einem EUV-Nutzbereich von 10 nm bis 18 nm eine spektrale Auflösung λ/Δλ größer als 750 erreicht. Der Messfleck hat dabei ungefähr einen Durchmesser von 0,5 mm. Durch eine größere Spaltbreite wird zu Lasten der spektralen Auflösung ein größerer Messfleck und somit eine größere Intensität des Messstrahls bei der Probe 12 erzielt.
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Die von der Probe 12 reflektierte Strahlung 24 wird von dem Detektor 22 erfasst. Der Detektor 22 ist beispielsweise als Silizium- oder Germanium-Photodiode ausgebildet. Ein Anteil des Messstrahls 18 wird durch einen im Strahlengang vor der Probe vorgesehenen Strahlenteiler 44 auf den Referenzdetektor 26 gerichtet. Der Referenzdetektor 26 ist vorzugsweise von gleicher Bauart wie der Detektor 22. Eine in 1 und 2 nicht dargestellte Verarbeitungsvorrichtung ermittelt aus einer bei dem Referenzdetektor 26 erfassten Intensität die Intensität des einfallenden Messstrahls 18 und anhand einer beim Detektor 22 erfassten Intensität des reflektierten Strahls 24 schließlich den Reflexionsgrad der Probe 12 bezüglich eines eingestellten Einfallswinkels und Orts auf der Probe 12 in Abhängigkeit von der durch den Monochromator 16 festgelegten Wellenlänge des Messstrahls 18. Die Probenhalterung 20 ermöglicht hierfür eine Translation und Drehung der Probe 12 bezüglich aller drei Raumrichtungen. Eine in 1 und 2 nicht dargestellte Steuerung führt je nach Vorgabe eine Einstellung der Wellenlänge des Messstrahls 18 mittels des Monochromators 16 und des Einfallswinkels und Einfallorts auf der Probe 12 mit Hilfe der Probenhalterung 20 durch.
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Ferner ist die Messvorrichtung 10 so konfiguriert, dass der gesamte Strahlengang von der Strahlenquelle 14 bis zum Detektor 22 innerhalb eines Vakuums von beispielsweise ungefähr 2×10-6 mbar verläuft. Die Messvorrichtung 10 umfasst hierfür entsprechend ausgebildete Vakuumkammern und Vakuumpumpen, welche ebenfalls in 1 und 2 nicht dargestellt sind.
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Sowohl das vordere als auch das hintere Reflexionselement 38, 42 wird im streifenden Einfall verwendet. Gegenüber bekannten Messvorrichtungen mit sphärischen Spiegeln bewirkt die planelliptischen Form der Reflexionselemente 38, 42 eine bessere Abbildung des Quellflecks auf der Probe 12 mit geringeren Bildfehlern. Die Entkopplung der horizontalen Ebene von der vertikalen Ebene bei der Abbildung des Quellflecks durch die zylindrische Form der Reflexionselemente 38, 42 und deren zueinander um 90° verdrehte Anordnung ermöglicht ferner ein schnelle Justage der optischen Komponenten der Messvorrichtung 10. Die Messvorrichtung 10 ist insbesondere zur Vermessung der Reflexionseigenschaften und somit auch der Material- und Struktureigenschaften von Spiegeln für Projektionsbelichtungsanlagen der EUV-Mikrolithographie ausgebildet.
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Die vorstehende Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen ist exemplarisch zu verstehen. Die damit erfolgte Offenbarung ermöglicht es dem Fachmann einerseits, die vorliegende Erfindung und die damit verbundenen Vorteile zu verstehen, und umfasst andererseits im Verständnis des Fachmanns auch offensichtliche Abänderungen und Modifikationen der beschriebenen Strukturen und Verfahren. Daher sollen alle derartigen Abänderungen und Modifikationen, insoweit sie in den Rahmen der Erfindung gemäß der Definition in den beigefügten Ansprüchen fallen, sowie Äquivalente vom Schutz der Ansprüche abgedeckt sein.
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Bezugszeichenliste
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- 10
- Messvorrichtung
- 12
- Probe
- 14
- Strahlenquelle
- 16
- Monochromator
- 18
- Messstrahl
- 20
- Probenhalterung
- 22
- Detektor
- 24
- reflektierter Strahl
- 26
- Referenzdetektor
- 28
- Laser
- 30
- Laserstrahl
- 32
- Goldtarget
- 34
- Eingangsblende
- 36
- Reflexionsgitter
- 38
- vorderes Reflexionselement
- 40
- Austrittsspalt
- 42
- hinteres Reflexionselement
- 44
- Strahlenteiler
