DE102022203369A1

DE102022203369A1 - Anordnung, Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Kalibrierung von Facettenspiegeln

Info

Publication number: DE102022203369A1
Application number: DE102022203369.8A
Authority: DE
Inventors: Florian Baumer; Markus Hauf
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2022-04-05
Filing date: 2022-04-05
Publication date: 2023-10-05
Also published as: WO2023194374A1; TW202405506A

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Anordnung (100), ein Verfahren sowie ein Computerprogrammprodukt zur systemintegrierten Kalibrierung der Facettenspiegel (18, 19) eines Beleuchtungssystems (20) für die Mikrolithografie.Es werden mithilfe der Facettenspiegel (18, 19) Strahlengänge (103) zwischen einer Strahlungsquelle (101) und einem Strahlungsdetektor (102) geschaffen, an denen jeweils nur ein verschwenkbarer Mikrospiegel (18'', 19'') jedes Facettenspiegels (18, 19) beteiligt ist. Durch planvolles Verschwenken eines der am Strahlengang (10) beteiligten Mikrospiegel (18'', 19'') kann anhand des Strahlungsdetektors (102) eine bestimmte optimale Schwenkposition gefunden werden, deren zugrunde liegende Orientierung des Mikrospiegels (18'', 19'') auch geometrisch berechnen lässt. Durch den Abgleich der berechneten Orientierung mit der durch einen Kippsensor am Mikrospiegel (18'', 19'') ermittelten Orientierung kann der Kippsensor bzw. der Mikrospiegel (18'', 19'') des Facettenspiegels (18, 19) kalibriert werden.

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung, ein Verfahren sowie ein Computerprogrammprodukt zur systemintegrierten Kalibrierung der Facettenspiegel eines Beleuchtungssystems für die Mikrolithografie.
Die Mikrolithografie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie bspw. integrierter Schaltkreise, angewendet. Die dabei verwendete Projektionsbelichtungsanlage umfasst ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (auch als Retikel bezeichnet) wird mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, verkleinernd projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
In Beleuchtungssystemen, insbesondere von für den EUV-Bereich ausgelegten Projektionsbelichtungsanlage, d. h. bei Wellenlängen der Belichtung von 5 nm bis 30 nm, werden in der Regel zwei Facettenspiegel im Strahlengang zwischen der eigentlichen Strahlungsquelle und der zu beleuchteten Maske angeordnet, die grundsätzlich vergleichbar zum Prinzip eines Wabenkondensators eine Homogenisierung der Strahlung ermöglichen. Sind die einzelnen Facetten der Spiegel aus elektromechanisch kippbaren Mikrospiegeln gebildet, lassen sich durch geeignete Ansteuerung der Mikrospiegel nahezu beliebige Intensitäts- und Einfallswinkelverteilungen bei der Beleuchtung der Maske erreichen.
Um die erforderliche Präzision bei der Einstellung einer gewünschten Intensitäts- und Einfallswinkelverteilung zu erreichen, ist es erforderlich, die Orientierung der einzelnen Mikrospiegel genau einstellen zu können. Die Mikrospiegel umfassen dabei neben dem für das Verschwenken des Spiegels erforderlichen mikroelektromechanischen Antrieb auch einen Kippsensor, mit dem die Orientierung des Mikrospiegels in zwei Raumrichtungen ausgelesen und überprüft werden kann.
Der Zusammenhang zwischen der tatsächlichen Orientierung des Mikrospiegels und dem über den Kippsensor ermittelten Wert ist typischerweise nicht-linear und bedarf der Kalibrierung, die in einer Sensorkennlinie resultiert, mit der die vom Kippsensor ermittelten Werte zur Ansteuerung der Mikrospiegel erst tatsächlich nutzbar werden. Für den Anwendungsfall der Mikrolithografie ist dabei eine Genauigkeit im Bereich von 10 prad erforderlich.
Es hat sich gezeigt, dass die Sensorkennlinien der Kippsensoren einem Drift und möglicherweise noch anderen ähnlichen Transformationen unterliegen, sodass die Genauigkeit der über die Kippsensoren ermittelten Orientierungen der Mikrospiegel im Laufe der Zeit abnimmt, womit dann auch die Präzision der Einstellung der Intensitäts- und Einfallswinkelverteilungen abnehmen kann.
Für einen dauerhaften Betrieb eines Beleuchtungssystems umfassend entsprechende Facettenspiegel mit elektromechanisch kippbaren Mikrospiegeln ist daher eine regelmäßige Nachkalibrierung erforderlich. Bekannte Kalibrierungsverfahren, bei denen das Beleuchtungssystem zu öffnen und/oder externe Mess-Sensorik anzubringen ist, sind allerdings aufwendig und zeitintensiv.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung, ein Verfahren sowie ein Computerprogrammprodukt zur systemintegrierten Kalibrierung der Facettenspiegel eines Beleuchtungssystems für die Mikrolithografie zu schaffen, mit der sich die fragliche Nachkalibrierung systemintegriert durchführen lässt.
Gelöst wird diese Aufgabe durch eine Anordnung gemäß Anspruch 1, ein Verfahren gemäß Anspruch 6, sowie ein Computerprogrammprodukt gemäß Anspruch 16. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Demnach betrifft die Erfindung eine Anordnung zur systemintegrierten Kalibrierung der Facettenspiegel eines Beleuchtungssystems für die Mikrolithografie, wobei die Facettenspiegel jeweils als mikroelektromechanisches System mit einer Vielzahl von individuell verschwenkbaren Mikrospiegeln mit jeweils einem Kippsensor zur Ermittlung der Orientierung des Mikrospiegels ausgestaltet und ortsfest im Strahlengang der Beleuchtungsoptik des Beleuchtungssystems angeordnet sind, wobei wenigstens eine elektromagnetische Strahlung aussendende Strahlungsquelle und wenigstens ein zur Detektion der von der Strahlungsquelle stammenden Strahlung geeigneter Strahlungsdetektor derart ortsfest angeordnet sind, dass sich durch geeignetes Verschwenken der Mikrospiegel der Facettenspiegel ein von einer Strahlungsquelle ausgehender Strahlengang zu einem Strahlungsdetektor ergibt, an dem jeweils nur ein Mikrospiegel jedes Facettenspiegels beteiligt ist.
Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Kalibrierung der Facettenspiegel des Beleuchtungssystems für die Mikrolithografie mit einer erfindungsgemäßen Anordnung, mit den Schritten:

a) Initiales Verschwenken wenigstens eines Mikrospiegels eines der Facettenspiegel, sodass ein von einer Strahlungsquelle ausgehender Strahlengang zu einem Strahlungsdetektor ermöglicht wird, an dem jeweils nur ein Mikrospiegel der Facettenspiegel beteiligt ist;
b) Planvolles Verschwenken eines der am Strahlengang beteiligten Mikrospiegel zumindest über den Schwenkbereich, in dem der Strahlengang auf den Strahlendetektor auftrifft und von diesem detektiert wird;
c) Ermitteln der optimalen Schwenkposition des planvoll verschwenkten Mikrospiegels mithilfe des Strahlendetektors, bei welcher der Strahlengang möglichst zentral auf den dem planvoll verschwenkten Mikrospiegel entlang des Strahlengangs folgenden Mikrospiegel oder Strahlendetektor auftrifft;
d) Feststellen der durch den vom Kippsensor des Mikrospiegels ermittelten Orientierung des planvoll verschwenkten Mikrospiegels für die ermittelte optimale Schwenkposition;
e) Abgleichen der vom Kippsensor des planvoll verschwenkten Mikrospiegels ermittelten Orientierung mit einer aus der geometrischen Anordnung von Strahlungsquelle, den am Strahlengang beteiligten Mikrospiegeln und dem Strahlungsdetektor berechneten Orientierung; und
f) Rekalibrieren des Kippsensors des Mikrospiegels anhand des durchgeführten Abgleichs.

Zuletzt betrifft die Erfindung auch ein Computerprogrammprodukt oder Satz von Computerprogrammprodukten, umfassend Programmteile, welche, wenn geladen in einen Computer oder in untereinander vernetzte Computer, die mit einer erfindungsgemäßen Anordnung verbunden sind, zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ausgelegt sind.
Zunächst werden einige in Zusammenhang mit der Erfindung verwendete Begriffe erläutert:
Der Begriff „Mikrospiegel“ bezieht sich in erster Linie und bevorzugt auf kleine, insbesondere rechteckige Spiegel, mit einer Kantenlänge bis zu 1mm x 1mm, 1,5mm x 1,5mm oder 2mm x 2mm. Sofern keine Festlegung auf diese Mikrospiegel im engeren Sinne erfolgt, können grundsätzlich aber auch Facettenspiegel mit einer hexagonalen Spiegelfläche und/oder mit einem Durchmesser von bis zu 5 mm oder 10 mm von dem Begriff Mikrospiegel erfasst sein.
Das „mikroelektromechanisches System“ (MEMS) umfasst neben den Kippsensoren noch Aktoren, mit denen sich die Mikrospiegel eines Facettenspiegels individuell verschwenken lassen. Insbesondere bei kleineren Mikrospiegeln, bspw. mit einer Kantenlänge von bis zu 1,5mm x 1,5mm, kann das mikroelektromechanisches System in Mikrosystemtechnik realisiert werden. Bei größeren Mikrospiegeln, bspw. mit einem Durchmesser bis zu 10 mm, kann das mikroelektromechanisches System auch eine miniaturisierte konventionelle Mechanik, bspw. aus Kupfer, umfassen.
Mit „Kalibrierung“ wird die Anpassung einer vorgegebenen Übertragungsfunktion eines ersten gemessenen Wertes zu einer Messgröße, welche einen zweiten messbaren Wert widerspiegelt, bezeichnet. So wird bei einem Kippsensor eines Mikrospiegels ein oder mehrere analoge elektrische oder digitalisierte Signale mithilfe einer durch Kalibrierung angepassten Übertragungsfunktion bspw. in eine oder mehrere Winkelangabe überführt, welche die Orientierung des Mikrospiegels gegenüber einer festgelegten Null-Orientierung wiedergeben. Je nach Übertragungsfunktion und insbesondere deren Anzahl an veränderlichen Parametern ist es vorteilhaft, zur vollständigen Kalibrierung mehrere Messungen des ersten Wertes bei unterschiedlichen zweiten Werten durchzuführen, um ausreichend viele Stützpunkte für eine vollständige Anpassung der Übertragungsfunktion bzw. sämtlicher ihrer Parameter zu ermöglichen. Es ist dabei die grundsätzliche Zielsetzung einer Kalibrierung, die Übertragungsfunktion ausreichend exakt anzupassen, dass die aus dem ersten gemessenen Wert ermittelte Messgröße dem tatsächlichen zweiten Wert möglichst genau entspricht, ohne dass der zweite Wert selbst gemessen werden muss. In der Regel besteht sogar eine Vorgabe für die mithilfe der Kalibrierung zu erreichende Genauigkeit, die über den gesamten oder einen vorgegebenen Teil des Wertebereichs des ersten gemessenen Wertes erreicht werden soll.
Bevor die eigentliche Kalibrierung zur Erreichung der vorgegebenen Genauigkeit durchgeführt wird, wird entweder von einer gewissen „Grundkalibrierung“ ausgegangen (die ggf. noch verifiziert werden kann oder muss) oder aber es wird eine Grundkalibrierung durchgeführt. Auch bei einer „Grundkalibrierung“ liegt eine anpassbare Übertragungsfunktion, wie sie auch bei der eigentlichen Kalibrierung angepasst wird, vor; häufig sind die Übertragungsfunktionen bei der Grundkalibrierung und der eigentlichen Kalibrierung sogar identisch. Eine grundkalibrierte Übertragungsfunktion weist aber eine in der Regel um Größenordnungen geringere Genauigkeit als die spätere vollständig kalibrierte Übertragungsfunktion auf. Dennoch ist sie als Ausgangspunkt für die eigentliche Kalibrierung hilfreich, da die Grundkalibrierung zumindest in der Nähe der letztendlichen Kalibrierung liegt und somit den Aufwand für die eigentliche Kalibrierung geringer ausfallen kann.
Die Erfindung hat erkannt, dass es, wenn überhaupt erforderlich, durch nur minimale Veränderung an bekannten Beleuchtungssystemen - im Extremfall lediglich das Vorsehen eines einzelnen ortfesten Strahlungsdetektors - möglich ist, die Facettenspiegel des Beleuchtungssystems systemintegriert zu kalibrieren, insbesondere nachzukalibrieren, also bspw. die Genauigkeit einer grundsätzlich vorhandenen, aber aufgrund von Drift möglicherweise nicht mehr exakten Sensorkennlinie einzelner Mikrospiegel der Facettenspiegel zu verbessern. Dazu müssen neben den zu kalibrierenden Facettenspiegeln insbesondere keine zusätzlichen beweglichen Teile vorgesehen werden.
Die Erfindung nutzt die für die Beleuchtung im Bereich der Mikrolithografie erforderliche hochgenaue ortsfeste Anordnung der in der Regel zwei Facettenspiegel, deren Geometrie darüber hinaus ebenfalls bekannt ist, um ausgehend von einer ortfesten Strahlungsquelle durch geeignete Einstellung der Facettenspiegel einen Strahlengang zu einem ebenfalls ortsfesten Strahlungsdetektor zu erzeugen, an dem jeweils nur ein einzelner Mikrospiegel jedes Facettenspiegels beteiligt ist. Im Umkehrschluss wird bei Bestehen eines solchen Strahlengangs auf die anderen Mikrospiegel der Facettenspiegel möglicherweise auftreffende Strahlung der Strahlungsquelle jedenfalls nicht auf den Strahlungsdetektor umgelenkt. Entsprechendes kann durch geeignetes Verschwenken der Mikrospiegel entweder unter Nutzung vorhandener, wenn auch möglicherweise nicht mehr hohegenauer Kalibrierungen der Mikrospiegel oder durch Verschwenken in eine geeignete Endposition des mikroelektromechanischen Systems sichergestellt werden.
Für einen Strahlengang, wie erfindungsgemäß vorgesehen, lässt sich die optimale Orientierung der beteiligten Mikrospiegel einerseits mathematisch ermitteln. Andererseits kann durch planvolles Verschwenken eines am Strahlengang beteiligten Mikrospiegels und unter Beobachtung des Signals des Strahlungsdetektors der Schwenkbereich des Mikrospiegels „gescannt“ werden, bis sich bspw. die größtmögliche Intensität am Strahlungsdetektor einstellt bzw. der dem planvoll verschwenkten Mikrospiegel entlang des Strahlengangs folgende Mikrospiegel oder der Strahlungsdetektor möglichst zentral getroffen wird. Durch Abgleich der so ermittelten Orientierung des Mikrospiegels mit der mathematisch ermittelten optimalen Orientierung lässt sich der Kippsensor zumindest für diese konkrete Orientierung kalibrieren.
Bei dem Strahlungsdetektor kann es sich um einen Intensitätsdetektor handeln, also einen Detektor, mit dem die Intensität der über die gesamte Detektorfläche auftreffenden Strahlung in einer von dem Detektor erfassbaren Wellenlängenbereich gemessen werden kann. Um die für die Intensitätsmessung relevante Detektorfläche klar abzugrenzen kann eine Blende, vorzugsweise eine Aperturblende, vorgesehen sein. Ist der Durchmesser bzw. die Öffnung der Blende an den Durchmesser bzw. die Form des Strahlengangs im Bereich des Strahlungsdetektors angepasst, entspricht das absolute Maximum der gemessenen Intensität im Regelfall dem zentralen Auftreffen des Strahlengangs auf die Blende bzw. dem Strahlungsdetektor.
Alternativ oder zusätzlich kann der Strahlungsdetektor mit einem an die Wellenlänge der Strahlungsquelle angepassten schmalbandigen Wellenlängenfilter versehen sein. Dadurch kann eine mögliche Verfälschung des Messergebnisses des Strahlungsdetektors durch nicht von der Strahlungsquelle stammenden Fremdstrahlung, wie bspw. ausgehend von der Belichtungsstrahlungsquelle des Beleuchtungssystems, verringert werden.
Bei der wenigstens einen Strahlungsquelle kann es sich um eine oder mehrere für die Anordnung besonders vorgesehen Strahlungsquelle(n) handeln. Bei der oder einer der Strahlungsquelle(n) kann es sich aber auch um die Belichtungsstrahlungsquelle des Beleuchtungssystems, also die für die Beleuchtung der Maske und deren Projektion auf ein Substrat mittels eines Projektionssystems genutzten Strahlungsquelle handeln. Die am gewünschten Strahlungsgang beteiligten Mikrospiegel müssen dann lediglich so ausgerichtet werden, dass der Strahlengang nicht auf einer Maske, sondern grundsätzlich im Strahlungsdetektor endet. Bei der Belichtungsstrahlungsquelle kann es sich insbesondere um eine UV- oder eine EUV-Belichtungsstrahlungsquelle in einem Wellenlängenbereich von 190 nm bis 400 nm bzw. von 5 nm und 30 nm handeln.
Es ist bevorzugt, dass wenigstens eine Strahlungsquelle Licht im sichtbaren Bereich aussendet (womit es sich regelmäßig nicht um die Belichtungsstrahlungsquelle handelt). Die Strahlungsquelle kann dafür bspw. eine Hochleistungsleuchtdiode, bspw. mit einer Lichtabgabe im Wellenlängenbereich von 400 nm bis 500 nm, bei einer Lichtleistung von 500 mW bis 1.5 W bei einer Leuchtfläche von 0,5 mmx 0,5 mm bis 2 mm x 2 mm, oder einen Laser als eigentliche Lichtquelle umfassen, die bevorzugt aber fasergekoppelt und entfernt von dem eigentlichen Ort der Strahlungsquelle angeordnet ist, damit sich die Strahlungsquelle bzw. die Lichtaustrittsöffnung der gekoppelten Faser platzsparend im Innern des Beleuchtungssystems anordnen lässt und möglichst wenig Wärme in das Beleuchtungssystem eingetragen wird.
Es ist bevorzugt, wenn wenigstens eine Strahlungsquelle und/oder wenigstens ein Strahlungsdetektor jeweils nahe der Retikel- bzw. Objektebene oder dem Zwischenfokus der Belichtungsstrahlungsquelle des Beleuchtungssystems angeordnet ist. Insbesondere lassen sich die Strahlungsquelle und/oder der Strahlungsdetektor dabei abseits der diversen für die Beleuchtung der Maske möglichen Strahlengänge anordnen, sodass die originäre Funktionalität des Beleuchtungssystems durch diese zusätzlichen Komponenten der Anordnung nicht beeinträchtigt wird. Bei der Nutzung der Belichtungsstrahlungsquelle des Beleuchtungssystems als eine Strahlungsquelle der Anordnung bietet es sich an, einen Strahlungsdetektor nahe der Objektebene anzuordnen.
Es ist bevorzugt, wenn die Mikrospiegel der Facettenspiegel jeweils um zwei nicht-parallele - vorzugsweise senkrecht zueinanderstehende Achsen - verschwenkbar sind, sodass der Normalenvektor des Spiegels einen 2-D-Winkelraum, in der Regel kegel- oder pyramidenförmig, überstreichen kann. Entsprechende Mikrospiegel gestatten eine hohe Variabilität in der Intensitätsverteilung bei der Beleuchtung der Maske.
Weitere Details der erfindungsgemäßen Anordnung ergeben sich auch aus den nachfolgenden Ausführungen zum erfindungsgemäßen Verfahren, welches die mit der erfindungsgemäßen Anordnung ermöglichte, systemintegrierte Kalibrierung der Facettenspiegel eines Beleuchtungssystems für die Mikrolithografie betrifft.
In einem ersten Schritt des erfindungsgemäßen Verfahrens wird wenigstens ein Mikrospiegel eines der Facettenspiegel derart verschwenkt, dass ein von einer Strahlungsquelle ausgehender Strahlengang zu einem Strahlungsdetektor ermöglicht wird, an dem jeweils nur ein Mikrospiegel der Facettenspiegel - und damit neben den dem wenigstens einen initial verschwenkten Mikrospiegel insbesondere auch der in dem nachfolgenden Schritt planvoll verschwenkte Mikrospiegel - beteiligt ist.
Auch wenn es bei Annahme einer gewissen Grundkalibrierung der Mikrospiegel bereits ausreichen mag, nur diejenigen Mikrospiegel, die nachfolgend nicht planvoll verschwenkt werden, initial zu verschwenken, um den letztendlich gewünschten Strahlengang herstellen zu können, ist bevorzugt, alle am gewünschten Strahlengang beteiligten Mikrospiegel - also auch den nachfolgend planvoll zu verschwenkenden Mikrospiegel - initial zu verschwenken, um dann den Strahlengang durch Aussendung von Strahlung durch die Strahlungsquelle und Prüfung auf ein Detektorsignal am Strahlungsdetektor zu verifizieren. Bspw. kann gefordert sein, dass nach dem initialen Verschwenken ein Detektorsignal vorhanden oder eine vorgegebene Intensität, bspw. von wenigstens 10% der bei optimaler Kalibrierung zu erwartenden Intensität, erreichen muss, damit von einer ausreichend genauen Grundkalibrierung ausgegangen werden kann. Dadurch kann sichergestellt werden, dass eine gewisse Grundkalibrierung der Mikrospiegel gegeben ist.
Kann eine Grundkalibrierung nicht angenommen oder nicht, wie vorstehend erläutert, verifiziert werden, ist es möglich, bei Ausbleiben eines Detektorsignals nach dem initialen Verschwenken aller am vorgesehenen Strahlengang beteiligten Mikrospiegel diese planvoll gemäß einem vorgegebenen Suchmuster zu verschwenken, bis eine von der Strahlungsquelle ausgehende Strahlung, vorzugsweise oberhalb einer vorgegebenen Mindestintensität, durch den Strahlungsdetektor festgestellt werden kann. Auf diese Weise kann eine Grundkalibrierung für die am Strahlengang beteiligten Mikrospiegel erreicht werden. Insbesondere können die nachfolgend nicht planvoll verschwenkten Mikrospiegel in ihrer so aufgefundenen Orientierung festgehalten werden.
Für das erfindungsgemäße Verfahren ist grundsätzlich unerheblich, wie die übrigen Mikrospiegel der Facettenspiegel, die nicht am gewünschten Strahlengang beteiligt sind, ausgerichtet werden, solange sichergestellt ist, dass sich kein weiterer Strahlengang zu dem einen Strahlungsdetektor ergibt, der von diesem detektiert werden könnte. Insbesondere ist es möglich, dass die nicht am gewünschten Strahlengang beteiligten Mikrospiegel parallel zur Kalibrierung eines bestimmten Mikrospiegels für eine Belichtung einer Maske für die Mikrolithografie genutzt werden.
Anschließend an das initiale Verschwenken wird einer der am Strahlengang beteiligten Mikrospiegel planvoll verschwenkt. Bei dem planvoll zu verschwenkenden Mikrospiegel handelt es sich - je nach Ausgestaltung des initialen Verschwenkens - also um einen initial verschwenkten oder um den einen, nicht initial verschwenkten Mikrospiegel, der aber grundsätzlich am gewünschten Strahlengang beteiligt ist. Das planvolle Verschwenken umfasst ein Verschwenken des fraglichen Mikrospiegels derart, dass der Schwenkbereich des Mikrospiegels zumindest in dem Bereich durchfahren wird, in dem der gewünschte Strahlengang tatsächlich auf den Strahlendetektor auftrifft und von diesem detektiert werden kann - und nicht etwa dadurch unterbrochen wird, dass der von dem planvoll verschwenkten Mikrospiegel ausgehende tatsächliche Strahlengang nicht auf den entlang des gewünschten Strahlengangs angeordneten nächsten Mikrospiegel oder den Strahlendetektor trifft. Das Verschwenken des Mikrospiegels kann in eine bestimmte Richtung ausgehend von einer Orientierung, bei der der Strahlendetektor einen Strahlengang detektiert, im Übrigen immer dann abgebrochen werden, wenn durch den Strahlungsdetektor keine Strahlung der Strahlungsquelle mehr festgestellt werden kann.
Das planvolle Verschwenken erfolgt dabei um sämtliche Achsen, um welche der Mikrospiegel verschwenkbar ist. Durch ein entsprechendes Verschwenken ist grundsätzlich möglich, denjenigen Schwenkbereich zu erfassen, in dem der gewünschte Strahlengang grundsätzlich besteht oder nicht, nämlich wenn der vom planvoll verschwenkten Mikrospiegel ausgehende Strahlengang nicht am entlang des Strahlengangs nachfolgenden Mikrospiegel oder Strahlungsdetektor auftrifft.
Aus den während des planvollen Verschwenkens abgelesenen Daten des Strahlungsdetektors kann nicht nur der Schwenkbereich, in dem der gewünschte Strahlengang grundsätzlich vorliegt, festgestellt werden. Es ist vielmehr auch möglich, die optimale Schwenkposition des planvoll verschwenkten Mikrospiegels, bei welcher der Strahlengang möglichst zentral auf den entlang des Strahlengangs folgenden Mikrospiegel oder Strahlendetektor auftrifft, zu ermitteln. Folgt auf den planvoll zu verstellenden Mikrospiegel ein weiterer Mikrospiegel, so wirkt dessen Umriss als Blende, da nur die innerhalb des Umrisses auftreffende Strahlung reflektiert wird; folgt hingegen unmittelbar der Strahlendetektor, wird nur diejenige Strahlung, die auf der tatsächlich aktiven, ggf. durch eine Blende abgegrenzte Fläche des Detektors auftritt, registriert. In beiden Fällen ist die Intensität des von dem planvoll verschwenkten Mikrospiegel ausgehenden Strahlengang bei einem möglichst zentralen Auftreffen auf den entlang des Strahlengangs nachfolgenden Mikrospiegel oder Strahlungsdetektor am höchsten.
Ist der Strahlungsdetektor ein Intensitätsdetektor, kann die Intensität der darauf auftreffenden Strahlung unmittelbar genutzt werden, um die optimale Schwenkposition des planvoll verschwenkten Mikrospiegels zu ermitteln. Insbesondere kann dazu das Maximum der vom Strahlungsdetektor ermittelten Intensität, insbesondere für den Fall, dass es ein Plateau mit maximaler Intensität gibt, das mittlere Maximum der vom Strahlungsdetektor ermittelten Intensität, die Flanken von Anstieg und Abfall der Intensität beim Verschwenken des planvoll zu verschwenkenden Mikrospiegels und/oder der Schwerpunkt des gemessenen Profils herangezogen werden. Es ist auch möglich, dass der Strahlungsdetektor einen zweidimensionalen CCD-Array-Sensor oder einen Active Pixel Sensor umfasst. Mit einem entsprechenden Sensor kann neben der Intensität der darauf auftreffenden Strahlung aufgrund der Zweidimensionalität der aktiven Sensorfläche ggf. auch der Mittelpunkt der maximalen Intensität auf der Sensorfläche und somit der Auftreffpunkt des Strahlengangs ermittelt werden, was bei genauer Kenntnis der Anordnung des Sensors die Genauigkeit der Kalibrierung weiter erhöhen kann.
Es ist aber auch möglich, die optimale Schwenkposition bei Annahme einer konstanten Verschwenkgeschwindigkeit des planvoll verschwenkten Mikrospiegels und/oder bei Annahme einer über den gesamten Schwenkbereich gleichbleibenden (Fehl-)Kalibrierung anhand des Schwenkbereichs, in dem überhaupt Strahlung auf den Strahlungsdetektor auftritt, zu ermitteln. Wird der Umriss des fraglichen Schwenkbereichs ermittelt, lässt sich die optimale Schwenkposition geometrisch ermitteln. In diesem Fall ist es ausreichend, wenn der Strahlungsdetektor ein binärer Detektor ist, der lediglich angibt, ob Strahlung auf ihn auftrifft oder nicht.
Anschließend an die Ermittlung des optimalen Schwenkbereichs kann festgestellt werden, welche Orientierung des Mikrospiegels für die als optimal ermittelte Schwenkposition durch den Kippsensor des Mikrospiegels ermittelt wird. Dabei ist es grundsätzlich möglich, den Mikrospiegel in die als optimal ermittelte Schwenkposition zu verschwenken und die vom Kippsensor ermittelte Orientierung dann auszulesen. Es ist aber bevorzugt, wenn während des planvollen Verschwenkens des Mikrospiegels neben dem Signal des Strahlungsdetektors auch noch die vom Kippsensor ermittelte Orientierung aufgezeichnet wird. Ist die optimale Schwenkposition ermittelt, kann aus den aufgezeichneten Daten unmittelbar die dazu passende vom Kippsensor ermittelte Orientierung ausgelesen werden.
Aufgrund der hochgenauen Anordnung und Ausgestaltung der Facettenspiegel, wie sie im Bereich der Mikrolithografie erforderlich ist, lässt sich aus der geometrischen Anordnung von Strahlungsquelle, den am Strahlengang beteiligten Mikrospiegeln und dem Strahlungsdetektor für den planvoll verschwenkten Mikrospiegel diejenige Orientierung berechnen, welche der optimalen Schwenkposition entspricht. Durch Abgleich dieser berechneten Orientierung des Mikrospiegels mit der für die optimale Schwenkposition über den Kippsensor ermittelten Orientierung kann festgestellt werden, ob die aktuelle Kalibrierung des Kippsensors noch korrekt ist, oder ob es bei der vom Kippsensor ermittelten Orientierung zu Abweichungen von dem berechneten Wert kommt, der eine Rekalibrierung erfordert.
Dabei kann der Vorgang vom planvollen Verschwenken des Mikrospiegels (Schritt b) bis zum Abgleich der über den Kippsensor ermittelten Orientierung mit der berechneten Orientierung (Schritt e) für sämtliche Achsen, um die sich der Mikrospiegel verschwenken lässt, zeitgleich durchgeführt werden. Es ist aber auch möglich, dass die fraglichen Verfahrensschritte für jede dieser Achsen separat, insbesondere unmittelbar aufeinanderfolgend, durchgeführt werden.
Werden die beschriebenen Schritte a) bis e) vom initialen Verschwenken von Mikrospiegeln zur Ermöglichung eines bestimmten Strahlengangs bis zum Abgleich der über den Kippsensor ermittelten Orientierung mit der berechneten Orientierung für einen einzelnen Strahlengang durchgeführt, lässt sich die Kalibrierung des Mikrospiegels für eine bestimmte Schwenkposition des Mikrospiegels überprüfen. Insbesondere aufgrund des nicht-linearen Zusammenhangs zwischen dem Signal des Kippsensors und der Orientierung des Mikrospiegels ist es aber bevorzugt, wenn die Schritte a) bis e) für einen planvoll zu verschwenkenden Mikrospiegel mit wenigstens drei, vorzugsweise mit wenigstens fünf, weiter vorzugsweise wenigstens neun unterschiedlichen Strahlengängen durchzuführen. Dabei liegen die zur Herstellung der verschiedenen Strahlengänge, an denen jeweils derselbe planvoll zu verschwenkende Mikrospiegel beteiligt ist, verwendeten übrigen Mikrospiegel vorzugsweise nicht auf einer gemeinsamen Geraden in der Ebene der jeweiligen Facettenspiegel, sondern weisen eine zweidimensionale Verteilung auf. Bei drei verschiedenen Strahlengängen können die initial verstellten Mikrospiegel eines Facettenspiegels für die unterschiedlichen Strahlengänge bspw. in Form eines rechtwinkligen Dreiecks angeordnet sein; bei fünf Strahlengängen können die vergleichbaren Mikrospiegel insbesondere in Form eines Kreuzes angeordnet sein; bei neun oder mehr Strahlengängen ist eine Anordnung in Form eines zweidimensionalen Rasters bevorzugt. Für eine zuverlässige und genaue Kalibrierung eines Mikrospiegels können die Schritte a) bis e) aber auch mit 10, 20 oder 100 unterschiedlichen Strahlengänge durchgeführt werden.
Ist für alle für einen planvoll zu verstellenden Mikrospiegel vorgesehenen Strahlengänge ein Abgleich gemäß Schritt e) erfolgt, können die Daten aus dem wenigstens einen Abgleich zur Rekalibrierung des Kippsensors des Mikrospiegels genutzt werden. In anderen Worten wird die Sensorkennlinie des Kippsensors derart angepasst, dass die von dem Kippsensor eines Mikrospiegels ermittelten Werte der tatsächlichen Orientierung des jeweiligen Mikrospiegels möglichst exakt, insbesondere aber mit einer Genauigkeit von wenigstens 10 µrad entsprechen.
Bei dieser Rekalibrierung kann insbesondere eine n-dimensionale Kennlinie des Kippsensors angepasst werden, wobei n der Anzahl der Achsen, um die der dazugehörige Mikrospiegel verschwenkt werden kann, entspricht. Je nach Form dieser n-dimensionalen Kennlinie sind die Schritte a) bis e) mit einer ausreichenden Zahl unterschiedlicher Strahlengänge durchzuführen, um geeignet viele Stützpunkte für die Rekalibrierung bzw. die Anpassung der Kennlinie zu erhalten.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es grundsätzlich möglich, mit einem bestimmten Paar aus Strahlungsquelle und Strahlungsdetektor sowohl die Mikrospiegel eines der Strahlungsquelle näherliegenden Facettenspiegels als auch die Mikrospiegel eines dem Strahlungsdetektor näherliegenden Facettenspiegels zu kalibrieren. Bei Kalibrierung von Mikrospiegeln auf den Facettenspiegeln mithilfe eines festgelegten Paares aus einer Strahlungsquelle und einem Strahlungsdetektor ist es aber bevorzugt, wenn die Mikrospiegel des entlang des Strahlungsgangs der Strahlungsquelle näherliegenden Facettenspiegels zuerst kalibriert werden. Dadurch kann häufig eine höhere Genauigkeit der Kalibrierung der Mikrospiegel eines dem Strahlungsdetektor näherliegenden Facettenspiegels erreicht werden.
Wie bereits angedeutet, erlauben das erfindungsgemäße Verfahren bzw. die erfindungsgemäße Anordnung grundsätzlich eine Kalibrierung einzelner Mikrospiegel parallel zu einer Belichtung für die Mikrolithografie mithilfe der übrigen Mikrospiegel der Facettenspiegel. Angesichts der regelmäßig großen Zahl an Mikrospiegeln sowie der regelmäßig erforderlichen Zeit für die Kalibrierung eines einzelnen Mikrospiegels ist es sogar bevorzugt, die Kalibrierung parallel zu eigentlichen Belichtungen durchzuführen, um Standzeiten des Beleuchtungssystems und damit einer gesamten Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie aufgrund von Kalibrierung möglichst gering zu halten.
Um jegliche denkbare gegenseitige Beeinträchtigung von Belichtung und Kalibrierung so gering wie möglich zu halten, ist es bevorzugt, wenn die von der Belichtungsstrahlungsquelle des Beleuchtungssystems abweichende Strahlungsquelle(n) spektral und/oder zeitlich von der Belichtung durch die Belichtungsstrahlungsquelle entkoppelt sind. Werden von der Belichtungsstrahlungsquelle abweichende Strahlungsquellen verwendet, kann durch geeignete Wahl der Strahlungsquelle sichergestellt werden, dass diese keine Strahlung in dem für die Belichtung relevanten Wellenlängenbereich abgibt. Dadurch und das evtl. Vorsehen eines geeigneten Wellenlängenfilters am Strahlungsdetektor kann auch eine Beeinträchtigung der Kalibrierung aufgrund der von der Belichtungsstrahlungsquelle ausgehenden Strahlung zumindest reduziert werden.
Die bei der Mikrolithografie verwendeten Belichtungsstrahlungsquellen werden darüber hinaus regelmäßig gepulst betrieben. Es ist daher möglich, die zu Kalibrierungszwecken vorgesehene Strahlungsquelle(n) nur dann zu betreiben, wenn die Belichtungsstrahlungsquellen keine Strahlung aussendet. In anderen Worten kann eine für die Kalibrierung vorgesehene Strahlungsquelle versetzt-gepulst zur Belichtungsstrahlungsquelle betrieben werden.
Die erfindungsgemäße Anordnung verfügt vorzugsweise über eine Steuerungsvorrichtung, die zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ausgebildet ist. Dabei kann es sich insbesondere um eine bereits vorhandene Steuerungsvorrichtung eines erfindungsgemäß ausgebildeten Beleuchtungssystems oder um eine Steuerungsvorrichtung der Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie, in welche das Beleuchtungssystem eingebettet ist, handeln.
Das erfindungsgemäße Computerprogrammprodukt umfasst Programmteile, die, wenn in eine entsprechende Steuerungsvorrichtung geladen, zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ausgebildet sind. Dies ist insbesondere für die Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie relevant, die aus anderen Gründen eine mit der erfindungsgemäßen Anordnung vergleichbare Anordnung aufweisen und daher zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens keine strukturellen Veränderungen mehr erfordern.
Die Erfindung wird nun anhand vorteilhafter Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beispielhaft beschrieben. Es zeigen:

1: eine schematische Darstellung einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie umfassend eine erfindungsgemäße Anordnung;
2a, b: eine schematische Darstellung der Kalibrierung eines Mikrospiegels eines ersten Facettenspiegels der Projektionsbelichtungsanlage aus 1;
3a, b: eine schematische Darstellung der Kalibrierung eines Mikrospiegels eines zweiten Facettenspiegels der Projektionsbelichtungsanlage aus 1;
4: eines schematisches Flussdiagram des erfindungsgemäßen Verfahrens;
5a, b: schematische Darstellungen alternativer Ausführungsformen zur Projektionsbelichtungsanlage aus 1.

In 1 ist eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie in einem schematischen Meridionalschnitt dargestellt. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst dabei ein Beleuchtungssystem 10 und ein Projektionssystem 20, wobei das Beleuchtungssystem 10 mit einer erfindungsgemäßen Anordnung 100 weitergebildet ist.
Mithilfe des Beleuchtungssystems 10 wird ein Objektfeld 11 in einer Objektebene 12 beleuchtet.
Das Beleuchtungssystem 10 umfasst dazu eine Belichtungsstrahlungsquelle 13, die im dargestellten Ausführungsbeispiel Beleuchtungsstrahlung zumindest umfassend Nutzlicht im EUV-Bereich, also insbesondere mit einer Wellenlänge zwischen 5 nm und 30 nm, abgibt. Bei der Belichtungsstrahlungsquelle 13 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Belichtungsstrahlungsquelle 13 kann es sich auch um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Die von der Belichtungsstrahlungsquelle 13 ausgehende Beleuchtungsstrahlung wird zunächst in einem Kollektor 14 gebündelt. Bei dem Kollektor 14 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 14 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung beaufschlagt werden. Der Kollektor 14 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflexivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
Nach dem Kollektor 14 propagiert die Beleuchtungsstrahlung durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 15. Sollte das Beleuchtungssystem 10 in modularer Bauweise aufgebaut werden, kann die Zwischenfokusebene 15 grundsätzlich für die - auch strukturellen - Trennung des Beleuchtungssystems 10 in ein Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Belichtungsstrahlungsquelle 13 und den Kollektor 14, und der nachfolgend beschriebenen Beleuchtungsoptik 16 herangezogen werden. Bei einer entsprechenden Trennung bilden Strahlungsquellenmodul und Beleuchtungsoptik 16 dann gemeinsam ein modular aufgebautes Beleuchtungssystem 10.
Die Beleuchtungsoptik 16 umfasst einen Umlenkspiegel 17. Bei dem Umlenkspiegel 17 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 15 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt.
Mit dem Umlenkspiegel 17 wird die von der Belichtungsstrahlungsquelle 13 stammende Strahlung auf einen ersten Facettenspiegel 18 umgelenkt. Sofern der erste Facettenspiegel 18 dabei - wie vorliegend - in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 16 angeordnet ist, die zur Objektebene 12 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet.
Der erste Facettenspiegel 18 umfasst eine Vielzahl von individuell um jeweils zwei senkrecht zueinander verlaufende Achsen verschwenkbare Mikrospiegel 18' zur steuerbaren Bildung von Facetten, die jeweils mit einem Kippsensor (nicht dargestellt) zur Ermittlung der Orientierung des Mikrospiegels 18` ausgestaltet sind. Bei dem ersten Facettenspiegel 18 handelt es sich somit um ein mikroelektromechanisches System (MEMS-System), wie es bspw. auch in der DE 10 2008 009 600 A1 beschrieben ist.
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 16 ist dem ersten Facettenspiegel 18 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 19, sodass sich ein doppelt facettiertes System ergibt, dessen Grundprinzip auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet wird. Sofern der zweite Facettenspiegel 19 - wie im dargestellten Ausführungsbeispiel - in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 16 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 19 kann aber auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein, womit sich aus der Kombination aus dem ersten und dem zweiten Facettenspiegel 18, 19 ein spekularer Reflektor ergibt, wie er bspw. in der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 beschrieben ist.
Auch der zweite Facettenspiegel 19 umfasst eine Vielzahl von individuell um jeweils zwei senkrecht zueinander verlaufende Achsen verschwenkbare Mikrospiegel 19', die jeweils mit einem Kippsensor (nicht dargestellt) zur Ermittlung der Orientierung des Mikrospiegels 19` ausgestaltet sind. Zur weiteren Erläuterung wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Mithilfe des zweiten Facettenspiegels 19 werden die einzelnen Facetten des ersten Facettenspiegels 18 in das Objektfeld 5 abgebildet, wobei es sich regelmäßig nur um eine näherungsweise Abbildung handelt. Der zweite Facettenspiegel 19 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
Jeweils eine der Facetten des zweiten Facettenspiegels 19 ist genau einer der Facetten des ersten Facettenspiegels 18 zur Ausbildung eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben.
Die Facetten des ersten Facettenspiegels 18 werden jeweils von einer zugeordneten Facette des zweiten Facettenspiegels 19 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist dabei möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Durch Auswahl der letztendlich verwendeten Beleuchtungskanäle, was durch geeignete Einstellung der Mikrospiegel 18', 19' problemlos möglich ist, kann weiterhin die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille des nachfolgend beschriebenen Projektionssystems 20 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet. Dabei kann im Übrigen vorteilhaft sein, wenn der zweite Facettenspiegel 19 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene des Projektionssystems 20 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 19 gegenüber einer Pupillenebene des Projektionssystems 20 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.
Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 16 ist der zweite Facettenspiegel 19 aber in einer zur Eintrittspupille des Projektionssystems 20 konjugierten Fläche angeordnet. Umlenkspiegel 17 sowie die beiden Facettenspiegel 18, 19 sind sowohl gegenüber der Objektebene 6 als auch zueinander jeweils verkippt angeordnet.
Bei einer alternativen, nicht dargestellten Ausführungsform der Beleuchtungsoptik 16 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 19 und dem Objektfeld 11 noch eine Übertragungsoptik umfassend einen oder mehrere Spiegel vorgesehen sein. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen. Mit einer zusätzlichen Übertragungsoptik kann insbesondere unterschiedlichen Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang des nachfolgend beschriebenen Projektionssystems 20 berücksichtigt werden.
Es ist alternativ möglich, dass auf den in 1 dargestellten Umlenkspiegel 17 verzichtet wird, wozu dann die Facettenspiegel 18, 19 gegenüber der Strahlungsquelle 13 und dem Kollektor 14 geeignet anzuordnen sind.
Mithilfe des Projektionssystems 20 wird das Objektfeld 11 in der Objektebene 12 auf das Bildfeld 21 in der Bildebene 22 übertragen.
Das Projektionssystem 20 umfasst dafür eine Mehrzahl von Spiegeln M_i, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst das Projektionssystem 20 sechs Spiegel M₁ bis M₆. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel Ms und der letzte Spiegel M₆ haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung, womit es sich bei dem dargestellten Projektionssystem 20 um eine doppelt obskurierte Optik handelt. Das Projektionssystem 20 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,3 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
Die Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi aber auch als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 16, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
Das Projektionssystem 20 hat einen großen Objekt-Bild-versatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 11 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 21. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 21 und der Bildebene 22.
Das Projektionssystem 20 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein, d. h. es weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe β_x, β_y in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe β_x, β_y des Projektionssystems 20 liegen bevorzugt bei (β_x, β_y) - (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein Abbildungsmaßstab β von 0,25 entspricht dabei einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1, während ein Abbildungsmaßstab β von 0,125 in eine Verkleinerung im Verhältnis 8:1 resultiert. Ein positives Vorzeichen beim Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr, ein negatives Vorzeichen eine Abbildung mit Bildumkehr.
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe β_x, β_y in x- und y-Richtung sind möglich.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 11 und dem Bildfeld 21 kann, je nach Ausführung des Projektionssystems 20, gleich oder unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionssysteme 20 mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .
Das Projektionssystem 20 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann aber auch unzugänglich sein.
Durch das Beleuchtungssystem 10 belichtet und durch das Projektionssystem 20 auf die Bildebene 21 übertragen wird eine im Objektfeld 11 angeordnete Maske 30 (auch Retikel genannt). Die Maske 30 ist von einem Retikelhalter 31 gehalten. Der Retikelhalter 31 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 32 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.
Abgebildet wird eine Struktur auf der Maske 30 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 21 in der Bildebene 22 angeordneten Wafers 35. Der Wafer 35 wird von einem Waferhalter 36 gehalten. Der Waferhalter 36 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 37 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits der Maske 30 über den Retikelverlagerungsantrieb 32 und andererseits des Wafers 35 über den Waferverlagerungsantrieb 37 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Die in 1 dargestellte Projektionsbelichtungsanlage 1 bzw. deren Beleuchtungssystem 10, deren vorstehende Beschreibung im wesentlichen bekannten Stand der Technik widerspiegelt, ist mit einer erfindungsgemäßen Anordnung 100 weitergebildet.
Die Anordnung 100 umfasst dabei grundsätzlich eine elektromagnetische Strahlung aussendende Strahlungsquelle 101, wobei im in 1 dargestellten Ausführungsbeispiel die Belichtungsstrahlungsquelle 13 des Beleuchtungssystems 10 als Strahlungsquelle 101 genutzt wird, sodass auf eine gesondert ausgebildete Strahlungsquelle verzichtet werden kann.
Weiterhin umfasst die Anordnung einen Strahlungsdetektor 102, der nahe der Objektebene 12 des Beleuchtungssystems 10 derart ortsfest angeordnet ist, dass sich durch geeignete Einstellung der Mikrospiegel 18', 19' der beiden Facettenspiegel 18, 19 des Beleuchtungssystems 10 ein Strahlengang 103 von der Strahlungsquelle 101 zum Strahlungsdetektor 102 ergibt, an dem jeweils nur ein Mikrospiegel 18', 19' der beiden Facettenspiegel 18, 19 beteiligt ist. Bei dem Strahlungsdetektor 102 handelt es sich um einen Intensitätsdetektor, der mit einem an die Wellenlänge der Strahlenquelle 101 - also insbesondere EUV - angepassten Bandfilter (nicht dargestellt) versehen ist. Außerdem ist der Strahlungsdetektor 102 mit einer Blende 104 versehen, mit dem die aktive Fläche des Strahlungsdetektors 102 abgegrenzt wird.
Die Nutzung dieser Anordnung 100 zur systemintegrierten Kalibrierung der Facettenspiegel 18, 19 des Beleuchtungssystems 10 - und somit das erfindungsgemäße Verfahren - wird nun anhand der 2 bis 4 erläutert.
2a und 3a zeigen jeweils einen für die Anordnung 100 und deren Nutzung relevanten schematischen Ausschnitt der Beleuchtungsoptik 16 aus 1 umfassend die beiden Facettenspiegel 18, 19 (wobei einzelne Mikrospiegel 18', 19' der beiden Facettenspiegel 18, 19 exemplarisch dargestellt sind) sowie die in der Objektebene 22 liegende Maske 30. Auch ist der Strahlungsdetektor 102 der Anordnung 100 dargestellt. 4 zeigt schematisch den Ablauf des erfindungsgemäßen Verfahrens.
Die Mikrospiegel 18', 19' sind grundsätzlich zur Belichtung der Maske 30 gemäß einer gewünschten Intensitätsverteilung geeignet ausgerichtet, wie es aus dem Stand der Technik hinlänglich bekannt ist. Jeweils ein Mikrospiegel 18'', 19'' der beiden Facettenspiegel 18, 19 werden aber abweichend davon derart ausgerichtet, dass sich ein Strahlengang 103 ausgehend von der Strahlungsquelle 101 (vgl. 1) über eben diese beiden Mikrospiegel 18'', 19'' zum Strahlungsdetektor 103 ergibt. Da die übrigen Mikrospiegel 18', 19' zu Belichtungszwecken geeignet ausgerichtet sind, ist sichergestellt, dass auch tatsächlich nur der Strahlengang 103 auf dem Strahlendetektor 102 auftrifft.
Es ist vorgesehen, dass die beiden Mikrospiegel 18'', 19'' initial in die zur Herstellung des gewünschten Strahlengangs 103 erforderliche Orientierung verschwenkt werden (vgl. 4, Schritt 200). Dazu kann auf die grundsätzlich bestehende Kalibrierung der Mikrospiegel 18'', 19'' zurückgegriffen werden, d. h. es kann eine Winkelvorgabe für die jeweils beiden Achsen, um welche die Mikrospiegel 18'', 19'' verschwenkbar sind, unter Überwachung durch Kippsensoren der Mikrospiegel 18'', 19'' eingestellt werden. In der Regel ist eine bestehende Kalibrierung trotz evtl. Sensordrifts des Kippsensors noch ausreichend genau, um den Strahlengang 103 grundsätzlich aufbauen zu können, was durch Feststellung auf den Strahlungsdetektor 102 einfallender Strahlung von der Strahlungsquelle 101 auch noch verifiziert werden kann. Sollte eine entsprechende Verifizierung fehlschlagen, versucht werden, die am vorgesehenen Strahlengang 103 beteiligten Mikrospiegel 18'', 19'' planvoll gemäß einem vorgegebenen Suchmuster zu verschwenken, bis von der Strahlungsquelle 101 ausgehende Strahlung durch den Strahlungsdetektor 102 festgestellt werden kann.
Ausgehend von der durch das initiale Verschwenken der beiden Mikrospiegel 18'', 19'' erreichten Ausgangsorientierung, wird einer der beiden am Strahlengang 103 beteiligten Mikrospiegel 18'', 19'' planvoll verschwenkt - in 2a ist dies der Mikrospiegel 18'', in 3a der Mikrospiegel 19'' (vgl. 4, Schritt 210).
Dabei erfolgt das planvolle Verschwenken der Mikrospiegel 18'', 19'' jeweils über den gesamten Schwenkbereich, in dem der Strahlengang 103 auf den Strahlungsdetektor 102 auftrifft und von diesem detektiert wird. Letzteres ist beim Verschwenken des Mikrospiegels 18'' insbesondere dann nicht mehr der Fall, wenn der vom Mikrospiegel 18'' ausgehende Teil des Strahlengangs 103 nicht mehr auf dem Mikrospiegel 19'' auftrifft (vgl. 2a); der Umriss des Mikrospiegels 19'' wirkt dabei wie eine Blende für den Strahlengang 103. Beim Verschwenken des Mikrospiegels 19'' geschieht Vergleichbares: Der davon ausgehende Teil des Strahlengangs 103 trifft je nach Orientierung des Mikrospiegels 19'' auf der Blende 104 auf und kann dann nicht mehr vom Strahlungsdetektor 102 detektiert werden.
In 2b und 3d ist jeweils die von dem Strahlungsdetektor 102 erfasste Intensität I der einfallenden Strahlung über dem durch den Kippsensor des jeweils planvoll verschwenkten Mikrospiegels 18'' (2b) bzw. 19'' ( 3b) aufgezeichneten Verschwenkwinkel α aufgezeichnet. Dabei beschränkt sich die Darstellung in 2 und 3 jeweils auf ein Verschwenken auf eine Schwenkachse der Mikrospiegel 18'', 19'' senkrecht zur Blattebene. Sind die Mikrospiegel 18'', 19'', wie vorliegend, um zwei Achsen verschwenkbar, ist das planvolle Verschwenken auch über jede der Achsen durchzuführen, wobei die beiden Achsen zeitgleich oder zeitlich versetzt hintereinander betrachtet werden können.
Aus den so aufgezeichneten Daten kann die optimale Schwenkposition des planvoll verschwenkten Mikrospiegels 18'' (2b) bzw. 19'' (3b) ermittelt werden (vgl. 4, Schritt 220), bei welcher der von dem Mikrospiegel 18'' ausgehende Teil des Strahlengangs 103 möglichst zentral auf dem Mikrospiegel 19'' bzw. der vom Mikrospiegel 19'' ausgehende Teil des Strahlengangs 103 möglichst zentral auf den Strahlungsdetektor 102 auftrifft: Die optimale Schwenkposition entspricht nämlich dem mittleren Maximum der Intensität I_max, med .
Für die so ermittelte optimale Schwenkposition I_max, _med lässt sich aus den aufgezeichneten Daten jeweils der von dem Kippsensor des jeweiligen Mikrospiegels 18'', 19'' erfasste dazugehörige Verschwenkwinkel α₁ bzw. die vom jeweiligen Kippsensor ermittelte Orientierung des planvoll verschwenkten Mikrospiegels 18'' bzw. 19'' ermitteln (vgl. 4, Schritt 230) .
Aufgrund der genauen Kenntnis der Anordnung von Strahlungsquelle 101, den Facettenspiegeln 18, 19 bzw. der Mikrospiegel 18', 19'' und Strahlungsdetektor 102 lässt sich diejenige Orientierung des planvoll verschwenkten Mikrospiegels 18'', 19'', welche der optimalen Schwenkposition entsprechen sollte, auch berechnen. Aus dieser berechneten Orientierung ergibt sich auch der Verschwenkwinkel α*, welchen der Kippsensor bei der optimalen Schwenkposition des planvoll verschwenkten Mikrospiegels 18'' bzw. 19'' eigentlich hätte angeben sollen. Durch Abgleich des vom Kippsensor für die optimale Schwenkposition erfassten Verschwenkwinkel α₁ mit dem für diese Schwenkposition berechneten Verschwenkwinkel α* (vgl. 4, Schritt 240) lässt sich bereits die Kalibrierung des Kippsensors für diese eine Schwenkposition anhand des Abgleichs grundsätzlich anpassen (vgl. 4, Schritt 250).
Es ist aber vorgesehen, dass die vorstehend beschriebenen Schritte 200-240 für einen bestimmten planvoll zu verschwenkenden Mikrospiegel 18'' bzw. 19'' für insgesamt fünf unterschiedliche Strahlengänge 103 durchgeführt wird (vgl. 4, Pfeil 245). Die fünf Mikrospiegel 19' bzw. 18' auf dem Facettenspiegel 19, 18, der den planvoll zu verschwenkenden Mikrospiegel 18'', 19'' nicht umfasst, die an jeweils einem der fünf Strahlengänge 103 beteiligt sind, sind dabei vorzugsweise in eine Kreuzform auf dem jeweiligen Facettenspiegel 19, 18 angeordnet, d. h. jeweils drei der Mikrospiegel 19', 18' liegen auf einer gemeinsamen Geraden, wobei der jeweils mittlere Mikrospiegel 19', 18' davon auf beiden senkrecht zueinander verlaufenden Geraden liegt.
Dadurch ergeben sich insgesamt fünf der beschriebenen Abgleiche von erfassten und berechneten Orientierungen bzw. Verschwenkwinkeln α₁, α* für die jeweils optimalen Schwenkpositionen des planvoll zu verschwenkenden Mikrospiegels 18'' bzw. 19'' für jeweils einen Strahlengang 103 (vgl. 4, Schritt 240), die zur Rekalibrierung des Kippsensors des Mikrospiegels 18'' bzw. 19'' herangezogen werden können (vgl. 4, Schritt 250).
Dies ist insbesondere für Kippsensoren, die aufgrund einer Verschwenkbarkeit um zwei separate Achsen eine zweidimensionale Kennlinie aufweisen, die möglicherweise nicht-linear ist, hilfreich, da die aus den genannten fünf Abgleichen ergebenden fünf Stützpunkte in der Regel ausreichen, die zweidimensionale Kennlinie des Kippsensors über den genannten Schwenkbereich anzupassen und so eine vollständige Rekalibrierung des Kippsensors zu erreichen. Je nach Kennlinie des Kippsensors oder der erforderlichen Genauigkeit der Kalibrierung können aber selbstverständlich auch deutlich mehr Strahlengänge und daraus resultierende Abgleiche erforderlich sein, um eine geeignete Kalibrierung durchzuführen.
Wie anhand der 2 und 3 ersichtlich, lassen sich durch ein festgelegtes Paar aus Strahlungsquelle 101 und Strahlungsdetektor 102 Mikrospiegel 18', 19' sowohl des ersten als auch des zweiten Facettenspiegels 18, 19 kalibrieren. Es ist dabei vorteilhaft, zur Kalibrierung einzelner Mikrospiegel 19` des zweiten Facettenspiegels 19 nur unter Zuhilfenahme von zuvor bereits gemäß der Erfindung kalibrierter Mikrospiegel 18' des ersten Facettenspiegels 18 durchzuführen. In anderen Worten sollen die Mikrospiegel des entlang des Strahlungsgangs 103 der Strahlungsquelle 103 näherliegenden Facettenspiegels 18 zuerst kalibriert werden.
In 5a und b sind alternative Ausführungsformen der Anordnung 100 gemäß 1 bis 3 dargestellt. Dabei beschränkt sich die Darstellung der 5a und b auf den bereits aus 2 und 3 bekanntenrelevanten schematischen Ausschnitt der Beleuchtungsoptik 16 einer Projektionsbelichtungsanlage 1 gemäß bzw. vergleichbar zu 1.
Die Anordnungen 100 gemäß den 5a und b zeichnen sich dadurch aus, dass anstelle der Nutzung der Belichtungsstrahlungsquelle 13 als Strahlungsquelle 101 zur Schaffung der gewünschten Strahlengänge 103 jeweils eine separate Strahlungsquelle 101 vorgesehen ist, welche Licht im sichtbaren Bereich aussendet. Die Strahlungsquellen 101 in 5a und b umfassen jeweils eine Hochleistungsleuchtdiode.
In 5a ist die Strahlungsquelle 101 nahe dem Zwischenfokus der Belichtungsstrahlungsquelle 13 des Beleuchtungssystems 10 angeordnet, womit der Strahlungsdetektor 102 weiterhin nahe der Objektebene 22 angeordnet bleibt. In der Ausführungsvariante gemäß 5b sind die Positionen der Strahlungsquelle 101 und des Strahlungsdetektors im Vergleich zu 5a vertauscht.
Die Kalibrierung der einzelnen Mikrospiegel 18', 19' der Facettenspiegel 18, 19 des Beleuchtungssystems 10 kann analog zu der in Zusammenhang mit 1 bis 3 beschriebenen Vorgehensweise erfolgen, sodass auf die dortigen Ausführungen verwiesen wird.
Um jegliche denkbare Beeinträchtigung des eigentlichen Belichtungsvorgangs durch eine Kalibrierung unter Verwendung einer separaten Strahlungsquelle 101 zu vermeiden, wird die Strahlungsquelle 101 nur zeitlich entkoppelt von der Belichtungsstrahlungsquelle 13 verwendet, d. h., die Strahlungsquelle 101 gibt nur dann Strahlung ab, wenn die Belichtungsstrahlungsquelle 13 keine Strahlung abgibt. Da die Belichtungsstrahlungsquelle 13 in der Regel hochfrequent gepulst betrieben wird, kann auch die Strahlungsquelle 101 hochfrequent gepulst betrieben werden, sodass sich für den Vorgang der Kalibrierung kaum ein Unterschied zu einer dauerhaft betriebenen Strahlungsquelle 101 ergibt.
Es ist selbstverständlich möglich, mehrere Strahlungsquellen 101 und Strahlungsdetektoren 102 vorzusehen, um parallel - auch zeitlich zu einer Belichtung - mehrere Mikrospiegel 18', 19' kalibrieren zu können und so die für eine vollständige Kalibrierung sämtlicher Mikrospiegel 18', 19' beider Facettenspiegel 18, 19 erforderliche Zeit zu verkürzen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

DE 102008009600 A1 [0057, 0059]
US 2006/0132747 A1 [0058]
EP 1614008 B1 [0058]
US 6573978 [0058]
DE 102017220586 A1 [0063]
US 2018/0074303 A1 [0074]

Claims

Anordnung (100) zur systemintegrierten Kalibrierung der Facettenspiegel (18, 19) eines Beleuchtungssystems (10) für die Mikrolithografie, wobei die Facettenspiegel (18, 19) jeweils als mikroelektromechanisches System mit einer Vielzahl von individuell verschwenkbaren Mikrospiegeln (18', 19`) mit jeweils einem Kippsensor zur Ermittlung der Orientierung des Mikrospiegels (18', 19`) ausgestaltet und ortsfest im Strahlengang der Beleuchtungsoptik (16) des Beleuchtungssystems (10) angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine elektromagnetische Strahlung aussendende Strahlungsquelle (101) und wenigstens ein zur Detektion der von der Strahlungsquelle (101) stammenden Strahlung geeigneter Strahlungsdetektor (102) derart ortsfest angeordnet sind, dass sich durch geeignetes Verschwenken der Mikrospiegel (18', 19`) der Facettenspiegel (18, 19) ein von einer Strahlungsquelle (101) ausgehender Strahlengang (103) zu einem Strahlungsdetektor (103) ergibt, an dem jeweils nur ein Mikrospiegel (18'', 19'') jedes Facettenspiegels (18, 19) beteiligt ist.
Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Strahlungsdetektor (102) ein Intensitätsdetektor ist, der vorzugsweise mit einer Blende (104) und/oder mit einem an die Wellenlänge der Strahlungsquelle (101) angepassten Bandfilter versehen ist.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Strahlungsquelle (101) die Belichtungsstrahlungsquelle (13) des Beleuchtungssystems (10), vorzugsweise eine EUV-Belichtungsstrahlungsquelle, ist und/oder wenigstens eine Strahlungsquelle (101), vorzugsweise eine Hochleistungsleuchtdiode oder ein Laser, jeweils vorzugsweise fasergekoppelt, Licht im sichtbaren Bereich aussendet.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine Strahlungsquelle (101) und/oder wenigstens ein Strahlungsdetektor (102) jeweils nahe der Objektebene (12) des Beleuchtungssystems (10) oder dem Zwischenfokus der Belichtungsstrahlungsquelle (13) des Beleuchtungssystems (10) angeordnet ist.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Mikrospiegel (18', 19') der Facettenspiegel (18, 19) jeweils um zwei nicht-parallele, vorzugsweise senkrecht zueinanderstehende Achsen verschwenkbar sind.
Verfahren zur Kalibrierung der Facettenspiegel (18, 19) eines Beleuchtungssystems (20) für die Mikrolithografie mit einer Anordnung (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, mit den Schritten: a) Initiales Verschwenken wenigstens eines Mikrospiegels (19'', 18'') eines der Facettenspiegel (19, 18), sodass ein von einer Strahlungsquelle (101) ausgehender Strahlengang (103) zu einem Strahlungsdetektor (102) ermöglicht wird, an dem jeweils nur ein Mikrospiegel (18'', 19'') der Facettenspiegel (18, 19) beteiligt ist (Schritt 200); b) Planvolles Verschwenken eines der am Strahlengang beteiligten Mikrospiegel (18'', 19'') zumindest über den Schwenkbereich, in dem der Strahlengang (103) auf den Strahlendetektor (102) auftrifft und von diesem detektiert wird (Schritt 210); c) Ermitteln der optimalen Schwenkposition des planvoll verschwenkten Mikrospiegels (18'', 19'') mithilfe des Strahlendetektors (102), bei welcher der Strahlengang (103) möglichst zentral auf den dem planvoll verschwenkten Mikrospiegel (18'', 19'') entlang des Strahlengangs folgenden Mikrospiegel (19'') oder Strahlendetektor (102) auftrifft (Schritt 220); d) Feststellen der durch den vom Kippsensor des Mikrospiegels (18'', 19'') ermittelten Orientierung des planvoll verschwenkten Mikrospiegels (18'', 19'') für die ermittelte optimale Schwenkposition (Schritt 230); e) Abgleichen der vom Kippsensor des planvoll verschwenkten Mikrospiegels (18'', 19'') ermittelten Orientierung mit einer aus der geometrischen Anordnung von Strahlungsquelle (101), den am Strahlengang (103) beteiligten Mikrospiegeln (18'', 19'') und dem Strahlungsdetektor (102) berechneten Orientierung (Schritt 240); und f) Rekalibrieren des Kippsensors des Mikrospiegels (18'', 19'') anhand des durchgeführten Abgleichs (Schritt 250) .
Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem initialen Verschwenken aller am Strahlengang (103) beteiligten Mikrospiegel (18'', 19'') der Facettenspiegel (18, 19) gemäß Schritt a) der gewünschte Strahlengang (103) durch Prüfung auf ein Detektorsignal des Strahlungsdetektors (102) verifiziert wird, wobei bevorzugt bei Ausbleiben eines Detektorsignals die am vorgesehenen Strahlengang (103) beteiligten Mikrospiegel (18'', 19'') planvoll gemäß einem vorgegebenen Suchmuster verschwenkt werden, bis von der Strahlungsquelle (101) ausgehende Strahlung, vorzugsweise oberhalb einer vorgegebenen Mindestintensität, durch den Strahlungsdetektor (102) festgestellt werden kann.
Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass zur Ermittlung der optimalen Schwenkposition in Schritt c) das Maximum der vom Strahlungsdetektor (102) ermittelten Intensität, das mittlere Maximum der vom Strahlungsdetektor ermittelten Intensität und/oder die Flanken von Anstieg und Abfall der Intensität beim Verschwenken des einen Mikrospiegels (18'', 19'') herangezogen werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Schritte b) bis e) für jede Schwenkachse des planvoll zu verschwenkenden Mikrospiegels (18'', 19'') separat, vorzugsweise unmittelbar aufeinanderfolgend, durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Schritte a) bis e) für einen planvoll zu verschwenkenden Mikrospiegel (18'', 19'') eines Facettenspiegels (18, 19) mit wenigstens drei, vorzugsweise mit wenigstens fünf, weiter vorzugsweise wenigstens neun unterschiedlichen Strahlengängen (103) durchgeführt werden, wobei die dafür genutzten initial verschwenkten Mikrospiegel (19'', 18'') vorzugsweise nicht alle auf einer Geraden liegen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass zur Rekalibrierung des Kippsensors eine n-dimensionale Kennlinie des Kippsensors angepasst wird, wobei n der Anzahl der Achsen, um die der dazugehörige Mikrospiegel (18'', 19'') verschwenkt werden kann, entspricht.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass bei Kalibrierung von Mikrospiegeln (18'', 19'') auf den Facettenspiegeln (18, 19) mithilfe eines festgelegten Paares aus einer Strahlungsquelle (101) und einem Strahlungsdetektor (102), die Mikrospiegel (18`) des entlang des Strahlungsgangs (103) der Strahlungsquelle (101) näherliegenden Facettenspiegels (18) zuerst kalibriert werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Kalibrierung einzelner Mikrospiegel (18'', 19"") parallel zu einer Belichtung für die Mikrolithografie mithilfe der übrigen Mikrospiegel (18', 19`) der Facettenspiegel (18, 19) erfolgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die von der Belichtungsstrahlungsquelle (13) des Beleuchtungssystems (10) abweichende Strahlungsquelle(n) (101) spektral und/oder zeitlich von der Belichtung durch die Belichtungsstrahlungsquelle (13) entkoppelt sind.
Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung eine Steuerungsvorrichtung umfasst, die zur Durchführung des Verfahrens gemäß einem der Ansprüche 6 bis 14 ausgebildet ist.
Computerprogrammprodukt oder Satz von Computerprogrammprodukten, umfassend Programmteile, welche, wenn geladen in einen Computer oder in untereinander vernetzte Computer, die mit einer Anordnung gemäß Ansprüchen 1 bis 5 verbunden sind, zur Durchführung des Verfahrens gemäß einem der Ansprüche 6 bis 14 ausgelegt sind.