WO2024099676A1 - Verfahren zur korrektur lokaler oberflächenerhebungen auf spiegelnden oberflächen - Google Patents

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WO2024099676A1
WO2024099676A1 PCT/EP2023/078319 EP2023078319W WO2024099676A1 WO 2024099676 A1 WO2024099676 A1 WO 2024099676A1 EP 2023078319 W EP2023078319 W EP 2023078319W WO 2024099676 A1 WO2024099676 A1 WO 2024099676A1
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local
reflective coating
substrate
elevations
elevation
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PCT/EP2023/078319
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Franz-Josef Stickel
Matthias Kaes
Helmut Koerner
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Carl Zeiss Smt Gmbh
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    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement

Definitions

  • the invention relates to a method for correcting local surface elevations on the surface of an optical element for EUV microlithography provided with a reflective coating.
  • Microlithography is used in the production of microstructured components, such as integrated circuits.
  • the microlithography process is carried out in a so-called projection exposure system, which has an illumination device and a projection device.
  • the image of a mask (also called a "reticle") illuminated by the illumination device is projected by the projection device onto a substrate, for example a silicon wafer, coated with a light-sensitive layer (so-called "photoresist”) and arranged in the image plane of the projection device in order to transfer the mask structure onto the light-sensitive coating of the substrate.
  • the transferred structure is implemented in the substrate, for example by etching.
  • nm 13.5 nm
  • a mask in the object plane onto a substrate in the image plane e.g. with a reduction factor of 8:1, using only reflective optical elements.
  • Corresponding reflective optical elements generally comprise a substrate, on the surface of which, at least in the areas intended as the actual mirror surface, a layer or multilayer arrangement is applied, with which radiation in the wavelength intended for exposure (such as 13.5 nm) or a wavelength range is reflected.
  • the substrate of a reflective optical element is manufactured with very high accuracy and very low tolerances, at least in the area of the actual mirror surface, before the actual reflective coating is applied.
  • the reflective coating is also applied with high precision.
  • the local surface deviations can be local elevations, local depressions or holes in the coating and/or the substrate. If a correction option is already created for one of these types of local surface deviations, with which at least some of the imaging errors caused by the local surface deviations can be reduced, the imaging quality of an individual optical element or of a projection device in which the optical element in question is used can generally be improved overall.
  • the object of the present invention is to provide a method with which local surface elevations on the surface provided with a reflective coating of a mirror for EUV microlithography.
  • the invention relates to a method for correcting local elevations on the surface of an optical element ( 25 ) for EUV microlithography provided with a reflective coating ( 27 ), comprising the steps of:
  • the "lateral extent" of an elevation refers to the characteristic size of a geometric figure that completely envelops the elevation in a lateral direction to the height of the elevation - in this case in particular in the plane of the reflective surface. If the geometric figure is a circle, the characteristic size is the diameter of the circle.
  • a threshold value for the deviation from the ideal shape of the reflective surface can be specified, above which a surface deviation is considered to be an elevation.
  • a threshold value that is suitable and usually sufficient for a reflective surface for EUV applications can be 3 nm, for example.
  • An elevation is considered “local” if its lateral extent is locally limited.
  • the lateral extent up to which an elevation is considered local can result from the technical conditions of the machine for local compaction to be used in the course of the method according to the invention: corresponding machines inevitably have a minimum resolution predetermined by the extent of the beam used for irradiation, e.g. electrode beam, when it hits the reflective surface; an elevation can then, for example, be considered local if its lateral extent is in any case no greater than the minimum resolution of the machine for local compaction, i.e. the minimum lateral extent of the beam of the machine intended for compaction.
  • Surveys are considered local if they are conducted within predefined absolute or relative limits.
  • the resolution of the machine to be used in the course of the method according to the invention for local compaction can be lower than a predetermined maximum extent for local elevations.
  • the predetermined maximum extent can, for example, be based on the minimum extent of larger elevations that result in imaging errors such as wavefront errors that are corrected using other methods known from the prior art.
  • an elevation can be considered local if its extent is less than 5 mm.
  • the invention has recognized that local elevations on a reflective surface intended for the reflection of EUV radiation can in principle be corrected by local compaction of the substrate arranged under the reflective coating. Since the method according to the invention is aimed at correcting already coated reflective surfaces, compaction of the substrate arranged under the reflective coating by irradiation, as is known from the prior art, is in principle suitable for this purpose. However, due to technical limitations, such compaction cannot usually be restricted with sufficient reliability to an arbitrarily small and/or arbitrarily shaped area on the reflective surface, so that it can generally be expected that when attempting to level a corresponding elevation by compaction by irradiation, depressions or other deformations of the reflective surface can also arise immediately adjacent to the original elevation, which can in principle also result in imaging errors.
  • Factors can also be taken into account which could prevent compaction to correct the local elevation, such as compaction of the substrate that has already been carried out or is to be carried out due to a wavefront error in the area of a local elevation, as a result of which further compaction is excluded.
  • the assessment of the correctability of local elevations must always be carried out with regard to the machine for local compaction provided for the correction, since the correctability also depends on the technical parameters of this machine, such as e.g. the achievable accuracy and resolution of the irradiation. During the evaluation, the machine to be used for the correction must therefore be specified in order to ensure that a planned correction can actually be implemented accordingly.
  • the evaluation of the local elevations with regard to their correctability includes a comparison of the local imaging performance with the existing elevation with the expected imaging performance after a possible compaction of the substrate arranged under the reflective coating by irradiation with the machine available for this purpose.
  • the imaging performance in the area of the elevation before a possible correction directly on the basis of the initially performed surface measurement and on the other hand the imaging performance in the same area after an assumed correction, e.g. comprising an estimate or simulation of the change in the surface due to a compaction of the substrate arranged under the reflective coating.
  • the resulting imaging performances can then be compared with each other in order to determine whether the imaging performance is actually improved by the considered correction.
  • a correction strategy can be used to completely level a local elevation.
  • Another correction strategy can be used to reduce or level only parts of a local elevation, e.g. only peaks of the local elevation, by compacting the underlying substrate.
  • a correction strategy can also be used to lower a larger area extending beyond the local elevation by appropriately compacting the substrate in this area. All of the correction strategies mentioned above as examples, each preferred individually or in any combination, can generally achieve improvements in the local imaging performance for individual local elevations. If the correctability of a local elevation is assessed using several correction strategies, any correction is preferably carried out using the correction strategy with the greatest expected improvement in the local imaging performance or with the greatest resulting local imaging performance.
  • a processing specification for the machine for the local compaction of the material under the mirroring Coating arranged substrate is determined by irradiation for corresponding correctable local elevations.
  • the processing specification is designed in such a way that - when it is subsequently processed by the machine for local compaction - it is used to control the machine in order to correct the local elevation identified and assessed as correctable by compacting the substrate lying under the reflective coating in the area of the local elevation.
  • the prior assessment ensures that even if the correction can result in effects such as depressions that could fundamentally worsen the image quality, the image quality of the optical element and/or the projection device for which this element is intended is not worsened overall, but rather improved.
  • processing specification is only determined after the evaluation of identified local elevations with regard to their correctability. Alternatively, it is also possible to determine processing specifications for all identified local elevations, which can then be used, for example, when evaluating their correctability. The processing specifications can thus be used, for example, to estimate or simulate the local imaging performance after correction has been carried out.
  • the processing specifications determined by the method according to the invention for correcting the identified local elevations assessed as correctable are ultimately used to control the machine for local compaction of the substrate arranged under the reflective coating by irradiation. It is possible for a corresponding machine to implement the processing specifications determined according to the invention on its own. For this purpose, the processing specifications are regularly implemented by the machine in a processing program which controls the machine in such a way that the elevations assessed as correctable are approached individually and the substrate located in this area below the reflective coating is specifically compacted. It is also possible, however, for the processing specifications determined according to the invention Processing specifications together with processing specifications resulting from other correction methods, e.g. for reducing wavefront errors, are processed into a common processing program so that the various processing specifications can be implemented in a single processing run.
  • the method according to the invention is particularly suitable for correcting local elevations on reflective surfaces which are due to elevations already present on the substrate.
  • the surface measurement of the surface provided with the reflective coating and/or the substrate arranged under the reflective coating, prior to its coating comprises an interferometric method for surface measurement.
  • Corresponding methods for high-precision surface measurement are known from the state of the art and are considered reliable and efficient.
  • the radiation intended for compacting the substrate lying beneath the reflective surface preferably comprises electron beams.
  • the use of electron beams is known and tested for compacting substrates with coatings intended for reflecting EUV radiation.
  • the substrate In order to carry out such compaction, the substrate must already be provided with the reflective coating.
  • compaction must be carried out by irradiation in a vacuum.
  • the lateral extent of a local elevation is set to less than 5 mm and/or its amplitude to greater than 0.3 nm.
  • a suitable irradiation to densify the substrate can, for example, be irradiation with electrons with an energy between 5 keV and 80 eV at doses between 0.1 ] /mm 2 and 2,500 J /mm 2 and/or irradiation by a pulsed laser with wavelengths between 0.3 m and 3 m, repetition rates between 1 Hz and 100 MHz and pulse energies between 0.01 /z/ and 10 m/ .
  • Figure 1 a schematic representation of a projection exposure system for EUV microlithography with various optical elements
  • Figure 2a-e a schematic representation of an embodiment of the method according to the invention for correcting local elevations on the surface of an optical element for EUV microlithography provided with a reflective coating;
  • Figure 3a-c schematic representations of possible correction strategies for the method according to Figure 2a-e .
  • Figure 1 shows a projection exposure system 1 for microlithography in a schematic meridional section.
  • the projection exposure system 1 comprises an illumination system 10 and a projection system 20.
  • the illumination system 10 comprises an exposure radiation source 13 which, in the exemplary embodiment shown, emits illumination radiation at least comprising useful light in the EUV range, i.e. with a wavelength between 5 nm and 30 nm, in particular with a wavelength of 13.5 nm.
  • the exposure radiation source 13 can be a plasma source, for example an LPP source (laser produced plasma, plasma produced with the aid of a laser) or a DPP source (gas discharged produced plasma, plasma produced by means of gas discharge). It can also be a synchrotron-based radiation source.
  • the exposure radiation source 13 can also be a free-electron laser (FEL).
  • the illumination radiation emanating from the exposure radiation source 13 is first bundled in a collector 14.
  • the collector 14 can be a collector with one or more ellipsoidal and/or hyperboloidal reflection surfaces.
  • the at least one reflection surface of the collector 14 can be exposed to the illumination radiation in grazing incidence (Gl), i.e. with angles of incidence greater than 45°, or in normal incidence (NI), i.e. with angles of incidence less than 45°.
  • Gl grazing incidence
  • NI normal incidence
  • the collector 14 can be structured and/or coated on the one hand to optimize its reflectivity for the useful radiation and on the other hand to suppress stray light.
  • the illumination radiation propagates through an intermediate focus in an intermediate focal plane 15.
  • the intermediate focal plane 15 can in principle be used for the - also structural - separation of the illumination system 10 into a radiation source module, having the exposure radiation source 13 and the collector 14, and the illumination optics 16 described below. With a corresponding separation, the radiation source module and illumination optics 16 then together form a modularly constructed illumination system 10.
  • the illumination optics 16 comprise a deflection mirror 17.
  • the deflection mirror 17 can be a flat deflection mirror or alternatively a mirror with a beam-influencing effect beyond the pure deflection effect.
  • the deflection mirror 15 can be designed as a spectral filter which separates a useful light wavelength of the illumination radiation from stray light of a different wavelength.
  • the deflection mirror 17 deflects the radiation originating from the exposure radiation source 13 onto a first facet mirror 18. If the first facet mirror
  • the illumination optics 16 which is optically conjugated to the reticle plane 12 as a field plane, it is also referred to as a field facet mirror.
  • the first facet mirror 18 comprises a plurality of micromirrors (not shown in detail) that can be individually pivoted about two axes running perpendicular to one another for the controllable formation of facets.
  • the first facet mirror 18 is thus a microelectromechanical system (MEMS system), as is also described, for example, in DE 10 2008 009 600 A1.
  • MEMS system microelectromechanical system
  • a second facet mirror is arranged downstream of the first facet mirror 18
  • the basic principle of which is also referred to as a honeycomb condenser (fly's eye integrator).
  • the second facet mirror 19 - as in the illustrated embodiment - is arranged in a pupil plane of the illumination optics 16, it is also referred to as a pupil facet mirror.
  • the second facet mirror 19 - is arranged in a pupil plane of the illumination optics 16, it is also referred to as a pupil facet mirror.
  • the second facet mirror 19 also comprises a plurality of micromirrors that can be pivoted individually about two axes running perpendicular to each other. For further explanation, reference is made to DE 10 2008 009 600 A1. [ 0041 ] With the aid of the second facet mirror 19, the individual facets of the first facet mirror 18 are imaged in the object field 5, whereby this is usually only an approximate image.
  • the second facet mirror 19 is the last beam-forming mirror or actually the last mirror for the illumination radiation in the beam path in front of the object field 5.
  • Each facet of the second facet mirror 19 is assigned to exactly one of the facets of the first facet mirror 18 to form an illumination channel for illuminating the object field 5. This can result in particular in illumination according to the Köhler principle.
  • the facets of the first facet mirror 18 are each imaged by an associated facet of the second facet mirror 19, superimposed on one another, to illuminate the object field 5.
  • the illumination of the object field 5 is as homogeneous as possible. It preferably has a uniformity error of less than 2%.
  • the field uniformity can be achieved by superimposing different illumination channels.
  • the intensity distribution in the entrance pupil of the projection system 20 described below can also be adjusted.
  • This intensity distribution is also referred to as illumination setting.
  • the second facet mirror 19 is not arranged exactly in a plane which is optically conjugated to a pupil plane of the projection system 20.
  • the pupil facet mirror 19 can be arranged opposite a pupil plane of the projection system 20 can be arranged tilted, as described for example in DE 10 2017 220 586 Al.
  • the second facet mirror 19 is arranged in a surface conjugated to the entrance pupil of the projection system 20.
  • the deflection mirror 17 and the two facet mirrors 18, 19 are arranged tilted both with respect to the object plane 6 and with respect to one another.
  • a transmission optics comprising one or more mirrors can be provided in the beam path between the second facet mirror 19 and the object field 11.
  • the transmission optics can in particular comprise one or two mirrors for perpendicular incidence (NI mirrors, normal incidence mirrors) and/or one or two mirrors for grazing incidence (GL mirrors, gracing incidence mirrors).
  • the object field 11 in the reticle plane 12 is transferred to the image field 21 in the image plane 22.
  • the projection system 20 comprises a plurality of mirrors Mi and 25, which, according to their arrangement in the Beam path of the projection exposure system 1 are numbered.
  • the projection system 20 comprises six mirrors 25, M1 to M6 . Alternatives with four, eight, ten, twelve or another number of mirrors 25, M1 are also possible.
  • the penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation, which means that the projection system 20 shown is a double-obscured optics.
  • the projection system 20 has a numerical aperture on the image side that is greater than 0.3 and can also be greater than 0.6 and can be, for example, 0.7 or 0.75.
  • the reflection surfaces of the mirrors 25, Mi can be designed as free-form surfaces without a rotational symmetry axis.
  • the reflection surfaces of the mirrors 25, Mi can also be designed as aspherical surfaces with exactly one rotational symmetry axis of the reflection surface shape.
  • the mirrors 25, Mi can, just like the mirrors of the illumination optics 16, have highly reflective coatings for the illumination radiation. These coatings can be designed as multilayer coatings, in particular with alternating layers of molybdenum and silicon.
  • the projection system 20 has a large object-image offset in the y-direction between a y-coordinate of a center of the object field 11 and a y-coordinate of the center of the image field 21.
  • This object-image offset in the y-direction can be approximately as large as a z-distance between the object plane 21 and the image plane 22.
  • the projection system 20 can in particular be anamorphic, ie it has in particular different image scales ß x , ß y in the x and y directions.
  • An image scale ß of 0.25 corresponds to a reduction in the ratio 4:1, while an image scale ß of 0.125 results in a reduction in the ratio 8:1.
  • a positive sign for the image scale ß means an image without image inversion, a negative sign an image with image inversion.
  • Image scales ß x , ß y with the same sign and absolutely the same in the x and y directions are also possible.
  • the number of intermediate image planes in the x and y directions in the beam path between the object field 11 and the image field 21 can be the same or different, depending on the design of the projection system 20. Examples of projection systems 20 with different numbers of such intermediate images in the x and y directions are known from US 2018/0074303 Al.
  • the projection system 20 can in particular have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. But it can also be inaccessible.
  • a reticle 30 (also called a mask) arranged in the object field 11 is exposed by the illumination system 10 and transferred to the image plane 21 by the projection system 20.
  • the reticle 30 is held by a reticle holder 31.
  • the reticle holder 31 can be displaced in particular in a scanning direction via a reticle displacement drive 32. In the exemplary embodiment shown, the scanning direction runs in the x-direction.
  • a structure on the reticle 30 is imaged onto a light-sensitive layer of a wafer 35 arranged in the region of the image field 21 in the image plane 22.
  • the wafer 35 is held by a wafer holder 36.
  • the wafer holder 36 can be displaced via a wafer displacement drive 37, in particular along the x-direction.
  • the displacement of the reticle 30 on the one hand via the reticle displacement drive 32 and the wafer 35 on the other hand via the wafer displacement drive 37 can be carried out in synchronization with one another.
  • the extremely high-resolution projection system 20 In order to ensure a high quality of the semiconductors to be produced using the projection exposure system 1, it is necessary for the extremely high-resolution projection system 20 to have a high imaging performance or as low imaging errors as possible.
  • various imaging errors that reduce the imaging performance namely wavefront errors
  • the correction method according to the invention is provided for imaging errors that result from local elevations, which is explained below by way of example with reference to Figures 2a-e.
  • the mirrors 25, Mi provided for the projection system 20 are reflective optical elements 25 in which a coating 27 reflecting EUV radiation is applied to a substrate 26.
  • the coating 27 can be a multilayer coating - although not shown in detail.
  • the surface of the substrate 26 is measured using known interferometric methods in order to determine, among other things, local elevations 40 ' of the substrate with an amplitude of more than 0.3 nm and a lateral extent of less than 5 mm, as shown by way of example in Figure 2a. In this case, not only is the presence of a corresponding local elevation 40 ' determined, but also the position of the local elevation 40 ' on the substrate 26 is precisely recorded.
  • the surface of the optical element 25 provided with the reflective coating 27 is measured again using an interferometric method, among other things in order to determine local elevations 40 (cf. Figure 2b). For this method step too, only elevations with a size of more than 0.3 nm and a lateral extent of less than 5 mm are regarded as local elevations 40 and their position is recorded.
  • [ 0066 ] In order to evaluate the correctability of a single local elevation 40, it is intended to first determine the imaging performance of the optical element 25 in the area of the local elevation 40. The imaging performance of the optical element 25 is then determined in the same area, but on the basis of an assumed correction result after a possible correction. For this purpose, it is intended to provide a processing specification for the machine for the local compression of the to determine the density of the substrate 26 arranged under the reflective coating 27 by irradiation and to simulate the result.
  • any compaction of the substrate by irradiation that has already been carried out or is still to be carried out in the area of the local elevation 40, for example to compensate for wavefront errors, is taken into account in order to obtain a more realistic simulation result.
  • the simulation result determined in this way is indicated in Figure 2c by the dashed lines.
  • This processing specification is then used to control the machine for local compaction of the substrate 26 arranged under the reflective coating 27 by irradiation suitable for correcting the local elevations 40 identified and assessed as correctable.
  • the machine will suitably irradiate the areas of local elevations 40 assessed as correctable (cf. Figure 2d) so that the substrate in this area is compacted in such a way that the local elevation 40 is leveled or at least reduced (cf. Figure 2e). This results in more highly compacted areas 26' in the substrate 26; however, these are irrelevant for the optical properties of the optical element 25.
  • the local elevation 40 shown there as an example can be optimally corrected. However, due to limitations of the machine intended for local compaction and/or other factors, it may not always be guaranteed that a complete leveling of a local elevation 40, as shown in Figure 2, is possible.
  • Figure 3 shows three possible correction strategies as examples, with the respective correction strategy for a local elevation 40 being indicated as a dashed line on the left-hand side, while the right-hand side shows a possible result after application of the correction strategy.
  • the correction strategy according to Figure 3a basically corresponds to the correction strategy also used in Figure 2, namely to compact the substrate 26 over the entire area of the local elevation 40, possibly to varying degrees, so that basically the entire elevation 40 is leveled (cf. dashed line in Figure 3a, left side). Even if the latter may be successful in individual cases (cf. Figure 2), for other local elevations 40 there may be a risk that previously raised areas of the local elevation 40 are sunk so much by compacting the substrate that they remain as a depression on the surface of the optical element 25.
  • an area larger than the actual elevation is lowered by suitable irradiation and the associated larger-area compaction of the substrate 26. A possible result of such a correction strategy is shown on the right-hand side of Figure 3b.
  • the substrate 26 is only to be compacted in those areas in which the elevation deviates from the actually desired surface shape by more than a predetermined threshold value.
  • the result of such a correction strategy is shown as an example on the right-hand side of Figure 3c.
  • each of the correction strategies shown as an example in Figure 3 can basically result in an increased local imaging performance.
  • the correction strategy that promises the highest resulting imaging performance is then implemented.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Korrektur lokaler Erhebungen (40) auf der mit einer spiegelnden Beschichtung (27) versehenen Oberfläche eines optischen Elements (25) für die EUV-Mikrolithografie, mit den Schritten: Vermessen der Oberfläche der mit der spiegelnden Beschichtung (27) versehenen Oberfläche eines optischen Elements (25); Identifizieren von lokalen Erhebungen (40) auf der mit der spiegelnden Beschichtung (27) versehenen Oberfläche auf Basis des Ergebnisses der Oberflächenvermessung; Bewerten der identifizierten lokalen Erhebungen (40) hinsichtlich ihrer Korrigierbarkeit mit einer vorgegebenen Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung (27) angeordneten Substrats (26) durch Bestrahlung; Ermittlung von Bearbeitungsvorgaben für die Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung (27) angeordneten Substrats (26) durch Bestrahlung, zumindest für die als korrigierbar bewerteten lokalen Erhebungen (40); und Ansteuern der Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung (27) angeordneten Substrats (26) durch Bestrahlung gemäß den Bearbeitungsvorgaben zur Korrektur der identifizierten und als korrigierbar bewerteten lokalen Erhebungen (40).

Description

Verfahren zur Korrektur lokaler Oberflächenerhebun- gen auf spiegelnden Oberflächen
[0001] Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der Deutschen Patentanmeldung 10 2022 211 875.8, angemeldet am 9. November 2022. Der Inhalt dieser Deutschen Patentanmeldung wird durch Bezugnahme („incorporation by reference") mit in den vorliegenden Anmeldungstext auf genommen.
[0002] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Korrektur lokaler Oberflächenerhebungen auf der mit einer spiegelnden Beschichtung versehenen Oberfläche eines optischen Elements für die EUV-Mikrolithograf ie .
[0003] Mikrolithografie wird bei der Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, verwendet. Der Mikrolithograf ieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungsvorrichtung und eine Pro ektionsvorrichtung aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungsvorrichtung beleuchteten Maske (auch „Retikel") wird hierbei mittels der Projektionsvorrichtung auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (sog. „Photoresist") beschichtetes und in der Bildebene der Projektionsvorrichtung angeordnetes Substrat, bspw. einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen. In nachfolgenden Herstellungsschritten wird die übertragene Struktur in dem Substrat umgesetzt, bspw. durch Ätzen.
[0004] Die Projektionsvorrichtungen von Projektionsbelichtungsanlage müssen aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung im Halbleiterbereich sowie dem Übergang der Wellenlänge bei der Belichtung von DUV (bspw. 193 nm) zur EUV (bspw.
13,5 nm) eine hohe Abbildungsqualität aufweisen. Bei Projektionsvorrichtungen im EUV-Bereich (5-20 nm) werden zur Abbildung einer Maske in der Obj ektebene auf ein Substrat in der Bildebene , bspw . mit einen Verkleinerungs faktor von 8 : 1 , dabei ausschließlich reflektive optische Elemente verwendet .
[ 0005 ] Entsprechende reflektive optische Elemente umfassen in der Regel ein Substrat , auf dessen Oberfläche zumindest in den als eigentliche Spiegel fläche vorgesehenen Bereichen eine Schicht oder Mehrschicht-Anordnung aufgebracht ist , mit denen Strahlung in der für die Belichtung vorgesehenen Wellenlänge (wie bspw . 13 , 5 nm) oder einem Wellenlängenbereich reflektiert wird .
[ 0006 ] Das Substrat eines reflektiven optischen Elements ist vor dem Aufbringen mit der eigentlich reflektierenden Beschichtung zumindest im Bereich der eigentlichen Spiegel fläche mit sehr hohen Genauigkeiten und sehr geringen Toleranzen gefertigt . Auch das Aufbringen der reflektierenden Beschichtung geschieht hochpräzise .
[ 0007 ] Aufgrund der für die hohe Abbildungsqualität bei der Mikrolithografie erforderliche hohe Güte der einzelnen optischen Elemente kann es trotz der hochpräzisen Fertigung der reflektiven optischen Elemente zu Abweichungen von der idealen Form kommen, die trotz geringer Größe dennoch zu teils erheblichen Reduktionen der Abbildungsqualität eines optischen Elements oder einer aus mehreren optischen Elementen zusammengesetzten Pro ektionsvorrichtung führen können .
[ 0008 ] Zur Behebung sogenannter Wellenfrontfehler, bei denen die reflektierende Oberfläche eines bereits vollständig beschichteten optischen Elements groß flächig - insbesondere in einem Bereich mit lateraler Ausdehnung von mehr als 5 mm - von der idealen Form abweicht , ist es bekannt , das Substrat unterhalb der reflektierenden Beschichtung durch gezielte Bestrahlung mit geeigneter Elektrodenstrahlung bereichsweise zu kompaktieren, wodurch Bereiche der reflektierenden Oberfläche abgesenkt werden können, um so die Oberfläche des optischen Elements der idealen Formgebung anzunähern oder aber der Oberfläche des optischen Elements eine Formgebung zu verleihen, die - ggf . auch unter Berücksichtigung der optischen Eigenschaften weiterer optische Elemente einer Proj ektionsvorrichtung - zu einer Reduktion des Abbildungs fehlers des optischen Elements oder der gesamten Pro ektionsvorrichtung führt . Ein dazu geeignetes Verfahren ist bspw . in DE 10 2011 084 117 Al of fenbart .
[ 0009 ] Korrekturen lokaler Oberflächenabweichungen mit einer lateralen Ausdehnung von bspw . weniger als 5 mm sind - sofern überhaupt - derzeit nur sehr aufwendig möglich, da hierfür regelmäßig die gesamte Optik einer Proj ektionsvorrichtung umfassend überarbeitet werden muss . Ein beschichtetes optisches Element , dessen Umriss bereits an eine nicht-runde Endgeometrie angepasst wurde , lässt sich häufig gar nicht mehr korrigieren .
[ 0010 ] Bei den lokalen Oberflächenabweichungen kann es sich um lokale Erhebungen, lokale Vertiefungen oder Löcher in der Beschichtung und/oder dem Substrat handeln . Wenn bereits für eine dieser Arten von lokalen Oberflächenabweichungen eine Korrekturmöglichkeit geschaf fen wird, mit denen sich wenigstens ein Teil der durch die lokalen Oberflächenabweichungen entstehenden Abbildungs fehler reduzieren lässt , kann regelmäßig die Abbildungsqualität eines einzelnen optischen Elements oder einer Proj ektionsvorrichtung, in welche das fragliche optische Element eingesetzt ist , insgesamt verbessert werden .
[ 0011 ] Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es , ein Verfahren zu schaf fen, mit dem sich lokale Oberflächenerhebungen auf der mit einer spiegelnden Beschichtung versehenen Oberfläche eines Spiegels für die EUV-Mikrolithograf ie korrigieren lassen .
[ 0012 ] Gelöst wird diese Aufgabe durch ein Verfahren gemäß dem Hauptanspruch . Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche .
[ 0013 ] Demnach betri f ft die Erfindung ein Verfahren zur Korrektur lokaler Erhebungen auf der mit einer spiegelnden Beschichtung ( 27 ) versehenen Oberfläche eines optischen Elements ( 25 ) für die EUV-Mikrolithograf ie , mit den Schritten :
- Vermessen der Oberfläche der mit der spiegelnden Beschichtung versehenen Oberfläche eines optischen Elements ;
- Identi fi zieren von lokalen Erhebungen auf der mit der spiegelnden Beschichtung versehenen Oberfläche auf Basis des Ergebnisses der Oberflächenvermessung;
- Bewerten der identi fi zierten lokalen Erhebungen hinsichtlich ihrer Korrigierbarkeit mit einer vorgegebenen Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung angeordneten Substrats durch Bestrahlung;
- Ermittlung von Bearbeitungsvorgaben für die Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung angeordneten Substrats durch Bestrahlung, zumindest für die als korrigierbar bewerteten lokalen Erhebungen; und
- Ansteuern der Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung angeordneten Substrats durch Bestrahlung gemäß den Bearbeitungsvorgaben zur Korrektur der identi fi zierten und als korrigierbar bewerteten lokalen Erhebungen .
[ 0014 ] Zunächst werden einige in Zusammenhang mit der Erfindung verwendete Begri f fe erläutert :
[ 0015 ] Mit „lateraler Ausdehnung" einer Erhebung ist die charakteristische Größe einer, die Erhebung vollständig einhüllenden geometrischen Figur in seitlicher Richtung zur Höhe der Erhebung - vorliegend also insbesondere in der Ebene der spiegelnden Oberfläche - bezeichnet . Handelt es sich bei der geometrischen Figur um einen Kreis , so ist die charakteristische Größe der Durchmesser des Kreises . Zur Abgrenzung der Erhebung von der übrigen Spiegel fläche kann ein Schwellwert für die Abweichung von der idealen Form der spiegelnden Oberfläche vorgegeben sein, ab welchem eine Oberflächenabweichung als Erhebung gilt . Ein für spiegelnden Oberfläche für EUV-Anwendungen geeigneter und regelmäßig ausreichender Schwellenwert hierfür kann bspw . bei 3 nm liegen .
[ 0016 ] Eine Erhebung gilt als „lokal" , wenn deren laterale Ausdehnung lokal begrenzt ist . Die laterale Ausdehnung, bis zu der eine Erhebung als lokal gilt , kann sich dabei aus den technischen Gegebenheiten der im Zuge des erfindungsgemäßen Verfahrens einzusetzenden Maschine zur lokalen Verdichtung ergeben : Entsprechende Maschinen weisen zwangsläufig eine durch die Ausdehnung des zur Bestrahlung verwendeten Strahls , bspw . Elektrodenstrahls , beim Auftref fen auf die spiegelnden Oberfläche vorgegebene minimale Auflösung auf ; eine Erhebung kann dann bspw . als lokal gelten, wenn deren laterale Ausdehnung j edenfalls nicht größer ist als die minimale Auflösung der Maschine zur lokalen Verdichtung, also der minimalen lateralen Ausdehnung des Strahls der zur Verdichtung vorgesehenen Be-
Strahlung auf der spiegelnden Oberfläche . Alternativ kann eine
Erhebung als lokal gelten, wenn sie innerhalb vordefinierter absoluter oder relativer Grenzen liegt . In einem solchen Fall kann die Auflösung der im Zuge des erfindungsgemäßen Verfahrens einzusetzenden Maschine zur lokalen Verdichtung geringer sein als eine vorgegebene maximale Ausdehnung für lokale Erhebungen . Die vorgegebene maximale Ausdehnung kann sich bspw . an der minimalen Ausdehnung von groß flächigeren Erhebungen, die in solchen Abbildungs fehlern, wie bspw . Wellenfront fehlern, resultieren, die mit anderen, aus dem Stand der Technik bekannten verfahren korrigiert werden, orientieren . So kann bspw . eine Erhebung als lokal gelten, wenn deren Ausdehnung kleiner als 5 mm ist .
[ 0017 ] Die Erfindung hat erkannt , dass sich lokale Erhebungen auf einer für die Reflektion von EUV-Strahlung vorgesehenen spiegelnden Oberfläche grundsätzlich durch lokale Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung angeordneten Substrats korrigieren lassen . Da sich das erfindungsgemäße Verfahren auf die Korrektur von bereits beschichteten spiegelnden Oberflächen richtet , ist hierfür die Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung angeordneten Substrats durch Bestrahlung, wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist , grundsätzlich geeignet . Allerdings lässt sich eine solche Verdichtung aufgrund von technischen Limitationen regelmäßig nicht ausreichend zuverlässig auf einen beliebig kleinen und/oder beliebig geformten Bereich auf der spiegelnden Oberfläche beschränken, sodass grundsätzlich damit zu rechnen ist , dass sich beim Versuch des Einebnens einer entsprechenden Erhöhung durch Verdichtung per Bestrahlung unmittelbar benachbart zu der ursprünglichen Erhöhung auch Vertiefungen oder sonstige Verformungen der spiegelnden Oberfläche ergeben können, die grundsätzlich ebenfalls Abbildungs fehler zur Folge haben können . In der Folge wurde eine entsprechende Verdichtung im Stand der Technik zur Korrektur von lokalen Erhebungen bislang nicht in Betracht gezogen . [ 0018 ] Erfindungsgemäß ist allerdings vorgesehen, dass - bevor tatsächlich versucht wird, eine identi fi zierte lokale Erhebung durch Kompaktieren des darunterliegenden Substrats per Bestrahlung zu korrigieren - zunächst eine Bewertung der identifi zierten lokalen Erhebung hinsichtlich ihrer Korrigierbarkeit mit einer Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung angeordneten Substrats durch Bestrahlung erfolgt . Die Bewertung der Korrigierbarkeit kann dabei auf unterschiedlichste Weise , bspw . auf Basis der Geometrie der Erhebung mithil fe von Expertensystemen oder einer künstlichen Intelligenz , erfolgen . Dabei können auch Faktoren berücksichtigt werden, die einer Verdichtung zur Korrektur der lokalen Erhebung entgegenstehen könnten, wie bspw . eine aufgrund eines Wellenfrontfehlers im Bereich einer lokalen Erhebung bereits vorgenommenen oder vorzunehmenden Verdichtung des Substrats , aufgrund derer eine weitergehende Verdichtung ausgeschlossen ist . Die Bewertung der Korrigierbarkeit lokaler Erhebungen muss dabei immer im Hinblick auf die für die Korrektur vorgesehene Maschine zur lokalen Verdichtung erfolgen, da die Korrigierbarkeit auch von den technischen Parametern dieser Maschine , wie bspw . der erreichbaren Genauigkeit und Auflösung der Bestrahlung, abhängt . Bei der Bewertung muss daher die später zur Korrektur zu verwendende Maschine vorgegeben sein, damit sichergestellt ist , dass eine vorgesehene Korrektur auch tatsächlich entsprechend umgesetzt werden kann .
[ 0019 ] Bevorzugt umfasst das Bewerten der lokalen Erhebungen hinsichtlich ihrer Korrigierbarkeit dabei einen Vergleich der lokalen Abbildungsleistung mit der bestehenden Erhebung mit der zu erwartenden Abbildungsleistung nach einer möglichen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung angeordneten Substrats durch Bestrahlung mit der dafür zur Verfügung stehenden Maschine . In anderen Worten wird überprüft , ob sich die lokale Abbildungsleistung durch eine mögliche Korrektur verbessern lässt . Dazu kann zum einen die Abbildungsleistung im Bereich der Erhebung vor einer möglichen Korrektur unmittelbar auf Basis der initial durchgeführten Oberflächenvermessung, zum anderen die Abbildungsleistung im selben Bereich nach einer angenommenen Korrektur, bspw . umfassend eine Abschätzung oder Simulation der Veränderung der Oberfläche aufgrund einer Verdichtung des unter der reflektierenden Beschichtung angeordneten Substrats , ermittelt werden . Die resultierenden Abbildungsleistungen können dann miteinander verglichen werden, um so zu ermitteln, ob sich die Abbildungsleistung durch die erwogene Korrektur tatsächlich verbessert .
[ 0020 ] Bei der Bewertung der Korrigierbarkeit können ein oder mehrere Strategien zur Korrektur einer lokalen Erhebung überprüft werden . So kann als Korrekturstrategie vorgesehen sein, eine lokale Erhebung vollständig einzuebnen . In einer weiteren Korrekturstrategie kann vorgesehen sein, lediglich Teile einer lokalen Erhebung, bspw . lediglich Spitzen der lokalen Erhebung, durch Verdichtung des darunterliegenden Substrats zu reduzieren bzw . einzuebnen . Auch kann als eine Korrekturstrategie vorgesehen sein, einen über die lokale Erhebung hinausgehenden größeren Bereich durch entsprechende Verdichtung des Substrats in diesem Bereich abzusenken . Durch sämtliche der vorstehend exemplarisch genannten, j eweils für sich genommen oder in beliebiger Kombination bevorzugten Korrekturstrategien lassen sich für einzelne lokale Erhebungen grundsätzlich Verbesserungen der lokalen Abbildungsleistung erreichen . Wird die Korrigierbarkeit einer lokalen Erhebung anhand mehrerer Korrekturstrategien bewertet , erfolgt eine evtl . Korrektur vorzugsweise anhand der Korrekturstrategie mit der größten zu erwartenden Verbesserung der lokalen Abbildungsleistung bzw . mit der größten resultierenden lokalen Abbildungsleistung .
[ 0021 ] Spätestens nachdem eine lokale Erhebung als korrigierbar eingestuft wurde , wird eine Bearbeitungsvorgabe für die Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung angeordneten Substrats durch Bestrahlung für entsprechende korrigierbare lokale Erhebungen ermittelt . Die Bearbeitungsvorgabe ist dabei derart ausgestaltet , dass sie - wenn sie anschließend durch die Maschine zur lokalen Verdichtung verarbeitet wird - zur Ansteuerung der Maschine dient , um die identi fi zierte und als korrigierbar bewertete lokale Erhebung durch Kompaktieren des im Bereich der lokalen Erhebung unter der spiegelnden Beschichtung liegenden Substrats zu korrigieren . Durch die zuvor erfolgte Bewertung ist sichergestellt , dass , selbst wenn sich durch die Korrektur auch die Abbildungsqualität grundsätzlich verschlechtern könnende Effekte , wie Vertiefungen, ergeben können, die Abbildungsqualität des optischen Elements und/oder der Proj ektionsvorrichtung, für welche dieses Element vorgesehen ist , insgesamt nicht verschlechtert , sondern vielmehr verbessert .
[ 0022 ] Es ist nicht zwingend, dass die Bearbeitungsvorgabe erst nach der Bewertung identi fi zierter lokaler Erhebungen im Hinblick auf deren Korrigierbarkeit ermittelt wird . Alternativ ist es auch möglich, Bearbeitungsvorgaben für sämtliche identi fi zierte lokale Erhebungen zu ermitteln, welche dann bspw . auch bereits bei deren Bewertung auf Korrigierbarkeit herangezogen werden können . So können die Bearbeitungsvorgaben bspw . genutzt werden, um die lokale Abbildungsleistung nach erfolgter Korrektur abzuschätzen oder zu simulieren .
[ 0023 ] Bei dem Bewerten der lokalen Erhebungen hinsichtlich ihrer Korrigierbarkeit , dem Ermitteln von Bearbeitungsvorgaben und/oder dem Ansteuern der Maschine wird vorzugsweise berücksichtigt , ob das Substrat im Bereich lokaler Erhebungen bereits aus anderen Gründen verdichtet wurde oder noch zu verdichten ist , bspw . um Wellenfrontfehler aus zugleichen . Durch entsprechende , aus anderen Gründen erforderliche Verdichtungen kann nämlich die Möglichkeit der Korrektur lokaler Erhebungen eingeschränkt sein (bspw . weil sich das Substrat im Bereich einer lokalen Erhebung nicht weiter verdichten lässt ) oder aber die Bewertung der Korrigierbarkeit führt zu einem abweichenden Ergebnis . So kann aufgrund einer aus anderen Gründen erforderlichen Verdichtung im Bereich einer lokalen Erhebung bei deren Korrektur ggf . keine Verbesserung der Abbildungsleistung mehr erreicht werden, selbst wenn bei einer Bewertung der Korrigierbarkeit ohne Berücksichtigung der anderweitig vorgesehenen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung angeordneten Substrats eine Korrektur aufgrund Verbesserung der Abbildungsleistung angezeigt wäre . Werden mehrere Korrekturstrategien bei der Bewertung der Korrigierbarkeit einer lokalen Erhebung überprüft , können für j ede der Korrekturstrategien Bearbeitungsvorgaben ermittelt werden, die dann der Bewertung der Korrigierbarkeit lokaler Erhebungen gemäß den einzelnen Korrekturstrategien zugrunde gelegt werden können . Schlussendlich wird dann aber nur diej enige Bearbeitungsvorgabe tatsächlich umgesetzt , die der Korrekturstrategie entspricht , mit der die größte Verbesserung der lokalen Abbildungsleistung bzw . die beste Abbildungsleistung erreicht werden kann .
[ 0024 ] Die durch das erfindungsgemäße Verfahren ermittelten Bearbeitungsvorgaben zur Korrektur der identi fi zierten und als korrigierbar bewerteten lokalen Erhebungen werden letztendlich zur Ansteuerung der Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung angeordneten Substrats durch Bestrahlung verwendet . Dabei ist es möglich, dass eine entsprechende Maschine die erfindungsgemäß ermittelten Bearbeitungsvorgaben für sich genommen umsetzt . Dazu werden die Bearbeitungsvorgaben von der Maschine regelmäßig in ein Bearbeitungsprogramm umgesetzt , welches die Maschine derart steuert , dass die als korrigierbar bewerteten Erhebungen einzeln angefahren und das in diesem Bereich befindliche Substrat unterhalb der spiegelnden Beschichtung gezielt verdichtet wird . Es ist aber auch möglich, dass die erfindungsgemäß ermittelten Bearbeitungsvorgaben zusammen mit aus anderen Korrekturverfahren resultierenden Bearbeitungsvorgaben, bspw . zur Reduktion von Wellenfront fehlern, zu einem gemeinsamen Bearbeitungsprogramm verarbeitet werden, sodass die diversen Bearbeitungsvorgaben in einem einzigen Bearbeitungsdurchlauf umgesetzt werden können .
[ 0025 ] Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich besonders gut zur Korrektur von lokalen Erhebungen auf spiegelnden Oberflächen, die auf bereits auf dem Substrat vorhandene Erhebungen zurückzuführen sind . Zur automatisierten Erkennung solcher Erhebungen ist bevorzugt , wenn nur solche lokalen Erhebungen auf Basis des Ergebnisses der Oberflächenvermessung der mit der spiegelnden Beschichtung versehenden Oberfläche identi fiziert werden, zu denen anhand einer vor der Beschichtung mit der spiegelnden Beschichtung durchgeführten Oberflächenvermessung des zu beschichtenden Substrats eine Erhebung an derselben Position, vorzugsweise mit einer Positionstoleranz von maximal ± 100 m, feststellbar ist . I st eine lokale Erhebung also positionsgetreu sowohl auf dem Substrat selbst - also vor der Beschichtung - als auch nach erfolgter Beschichtung feststellbar, kann unmittelbar davon ausgegangen werden, dass die lokale Erhebung auf eine Erhebung des Substrats zurückgeht .
[ 0026 ] Es bleibt selbstverständlich auch weiterhin möglich, mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lokale Erhebungen zu korrigieren, die sich nur für die beschichtete spiegelnde Oberfläche , nicht aber für das darunterliegende Substrat feststellen lassen . In einem solchen Fall ist dann aber ggf . erforderlich, die lokale Erhebung genauer zu untersuchen, um deren Ursache fest zustellen und in der Folge auch deren Korrigierbarkeit auch tatsächlich bewerten zu können .
[ 0027 ] Es ist bevorzugt , wenn die Oberflächenvermessung der mit der spiegelnden Beschichtung versehenden Oberfläche und/oder des unter der spiegelnden Beschichtung angeordneten Substrats vor dessen Beschichtung ein interf erometrisches Verfahren zur Oberflächenvermessung umfasst . Entsprechende Verfahren sind zur hochgenauen Oberflächenvermessung aus dem Stand der Technik bekannt und gelten als zuverlässig und ef fizient .
[ 0028 ] Die zur Verdichtung des unter der spiegelnden Oberfläche liegenden Substrats vorgesehene Strahlung umfasst vorzugsweise Elektronenstrahlen . Die Verwendung von Elektronenstrahlen ist zur Verdichtung von Substrat mit einer zur Reflektion von EUV-Strahlung vorgesehenen Beschichtungen bekannt und erprobt . Zur Durchführung einer entsprechenden Verdichtung muss das Substrat bereits zwingend mit der spiegelnden Beschichtung versehen sein . Außerdem muss die Verdichtung durch Bestrahlung im Vakuum erfolgen .
[ 0029 ] Sofern für das erfindungsgemäße Verfahren absolute Werte für die Identi fikation lokaler Erhebungen herangezogen werden sollen, ist es bevorzugt , wenn die laterale Ausdehnung einer lokalen Erhebung auf kleiner als 5 mm und/oder deren Amplitude auf größer als 0,3 nm festgelegt wird .
[ 0030 ] Eine geeignete Bestrahlung, um das Substrat zu verdichten, kann bspw . eine Bestrahlung mit Elektronen mit einer Energie zwischen 5 keV und 80 eV bei Dosen zwischen 0,1 ] /mm2 und 2.500 J /mm2 sein und/oder eine Bestrahlung durch einen Pulslaser mit Wellenlängen zwischen 0,3 m und 3 m, Repetitionsraten zwischen 1 Hz und 100 MHz und Pulsenergien zwischen 0,01 /z/ und 10 m/ sein .
[ 0031 ] Die Erfindung wird nun anhand vorteilhafter Aus führungs formen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben . Es zeigen : Figur 1 : eine schematische Darstellung einer Proj ektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithograf ie mit diversen optischen Elementen;
Figur 2a-e : eine schematische Darstellung eines Aus führungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Korrektur lokaler Erhebungen auf der mit einer spiegelnden Beschichtung versehenen Oberfläche eines optischen Elements für die EUV-Mikrolithograf ie ; und
Figur 3a-c : schematische Darstellungen zur möglichen Korrekturstrategien für das Verfahren gemäß Figur 2a-e .
[ 0032 ] In Figur 1 ist eine Pro ektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie in einem schematischen Meridionalschnitt dargestellt . Die Proj ektionsbelichtungsanlage 1 umfasst dabei ein Beleuchtungssystem 10 und ein Proj ektionssystem 20 .
[ 0033 ] Mithil fe des Beleuchtungssystems 10 wird ein Obj ektfeld 11 in einer Obj ektebene bzw . Retikelebene 12 beleuchtet . Das Beleuchtungssystem 10 umfasst dazu eine Belichtungsstrahlungsquelle 13 , die im dargestellten Aus führungsbeispiel Beleuchtungsstrahlung zumindest umfassend Nutzlicht im EUV-Bereich, also mit einer Wellenlänge zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere mit einer Wellenlänge von 13 , 5 nm, abgibt . Bei der Belichtungsstrahlungsquelle 13 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle ( Laser Produced Plasma, mithil fe eines Lasers erzeugtes Plasma ) oder um eine DPP-Quelle ( Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma ) . Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln . Bei der Belichtungsstrahlungsquelle 13 kann es sich auch um einen Freie-Elektronen-La- ser ( Free-Electron-Laser , FEL ) handeln . [ 0034 ] Die von der Belichtungsstrahlungsquelle 13 ausgehende Beleuchtungsstrahlung wird zunächst in einem Kollektor 14 gebündelt . Bei dem Kollektor 14 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloi- den Reflexions flächen handeln . Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 14 kann im strei fenden Einfall ( Grazing Incidence , Gl ) , also mit Einfallswinkeln größer als 45 ° , oder im normalen Einfall (Normal Incidence , NI ) , also mit Einfallwinkeln kleiner als 45 ° , mit der Beleuchtungsstrahlung beaufschlagt werden . Der Kollektor 14 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflexivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein .
[ 0035 ] Nach dem Kollektor 14 propagiert die Beleuchtungsstrahlung durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 15 . Sollte das Beleuchtungssystem 10 in modularer Bauweise aufgebaut werden, kann die Zwischenfokusebene 15 grundsätzlich für die - auch strukturellen - Trennung des Beleuchtungssystems 10 in ein Strahlungsquellenmodul , aufweisend die Belichtungsstrahlungsquelle 13 und den Kollektor 14 , und der nachfolgend beschriebenen Beleuchtungsoptik 16 herangezogen werden . Bei einer entsprechenden Trennung bilden Strahlungsquellenmodul und Beleuchtungsoptik 16 dann gemeinsam ein modular auf gebautes Beleuchtungssystem 10 .
[ 0036 ] Die Beleuchtungsoptik 16 umfasst einen Umlenkspiegel 17 . Bei dem Umlenkspiegel 17 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln . Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 15 als Spektral filter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt . [0037] Mit dem Umlenkspiegel 17 wird die von der Belichtungsstrahlungsquelle 13 stammende Strahlung auf einen ersten Facettenspiegel 18 umgelenkt. Sofern der erste Facettenspiegel
18 dabei - wie vorliegend - in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 16 angeordnet ist, die zur Retikelebene 12 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet.
[0038] Der erste Facettenspiegel 18 umfasst eine Vielzahl von individuell um jeweils zwei senkrecht zueinander verlaufende Achsen verschwenkbare Mikrospiegel (nicht näher dargestellt) zur steuerbaren Bildung von Facetten. Bei dem ersten Facettenspiegel 18 handelt es sich somit um ein mikroelektromechanisches System (MEMS-System) , wie es bspw. auch in der DE 10 2008 009 600 Al beschrieben ist.
[0039] Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 16 ist dem ersten Facettenspiegel 18 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel
19, sodass sich ein doppelt facettiertes System ergibt, dessen Grundprinzip auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet wird. Sofern der zweite Facettenspiegel 19 - wie im dargestellten Ausführungsbeispiel - in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 16 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel
19 kann aber auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein, womit sich aus der Kombination aus dem ersten und dem zweiten Facettenspiegel 18, 19 ein spekularer Reflektor ergibt, wie er bspw. in der
US 2006/0132747 Al, der EP 1 614 008 Bl und der US 6,573,978 beschrieben ist.
[0040] Auch der zweite Facettenspiegel 19 umfasst eine Vielzahl von individuell um jeweils zwei senkrecht zueinander verlaufende Achsen verschwenkbare Mikrospiegel. Zur weiteren Erläuterung wird auf die DE 10 2008 009 600 Al verwiesen. [ 0041 ] Mithil fe des zweiten Facettenspiegels 19 werden die einzelnen Facetten des ersten Facettenspiegels 18 in das Obj ektfeld 5 abgebildet , wobei es sich regelmäßig nur um eine näherungsweise Abbildung handelt . Der zweite Facettenspiegel 19 ist der letzte bündel formende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung im Strahlengang vor dem Obj ektfeld 5 .
[ 0042 ] Jeweils eine der Facetten des zweiten Facettenspiegels 19 ist genau einer der Facetten des ersten Facettenspiegels 18 zur Ausbildung eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Obj ektfeldes 5 zugeordnet . Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben .
[ 0043 ] Die Facetten des ersten Facettenspiegels 18 werden j eweils von einer zugeordneten Facette des zweiten Facettenspiegels 19 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Obj ektfeldes 5 abgebildet . Die Ausleuchtung des Obj ektfeldes 5 ist dabei möglichst homogen . Sie weist vorzugsweise einen Uni formitätsfehler von weniger als 2 % auf . Die Felduni formität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden .
[ 0044 ] Durch Auswahl der letztendlich verwendeten Beleuchtungskanäle , was durch geeignete Einstellung der Mikrospiegel des ersten Facettenspiegels 18 problemlos möglich ist , kann weiterhin die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille des nachfolgend beschriebenen Proj ektionssystems 20 eingestellt werden . Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet . Dabei kann im Übrigen vorteilhaft sein, wenn der zweite Facettenspiegel 19 nicht exakt in einer Ebene , welche zu einer Pupillenebene des Proj ektionssystems 20 optisch konj ugiert ist , anzuordnen . Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 19 gegenüber einer Pupillenebene des Projektionssystems 20 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 Al beschrieben ist.
[0045] Bei der in der Figur 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 16 ist der zweite Facettenspiegel 19 aber in einer zur Eintrittspupille des Pro ektionssystems 20 konjugierten Fläche angeordnet. Umlenkspiegel 17 sowie die beiden Facettenspiegel 18, 19 sind sowohl gegenüber der Objektebene 6 als auch zueinander jeweils verkippt angeordnet.
[0046] Bei einer alternativen, nicht dargestellten Ausführungsform der Beleuchtungsoptik 16 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 19 und dem Objektfeld 11 noch eine Ubertragungsoptik umfassend einen oder mehrere Spiegel vorgesehen sein. Die Ubertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (Gl-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen. Mit einer zusätzlichen Ubertragungsoptik kann insbesondere unterschiedlichen Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang des nachfolgend beschriebenen Projektionssystems 20 berücksichtigt werden .
[0047] Es ist alternativ möglich, dass auf den in Figur 1 dargestellten Umlenkspiegel 17 verzichtet wird, wozu dann die Facettenspiegel 18, 19 gegenüber der Strahlungsquelle 13 und dem Kollektor 14 geeignet anzuordnen sind.
[0048] Mithilfe des Projektionssystems 20 wird das Objektfeld 11 in der Retikelebene 12 auf das Bildfeld 21 in der Bildebene 22 übertragen.
[0049] Das Projektionssystem 20 umfasst dafür eine Mehrzahl von Spiegeln Mi bzw. 25, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
[0050] Bei dem in der Figur 1 dargestellten Beispiel umfasst das Pro ektionssystem 20 sechs Spiegel 25, Mi bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln 25, Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung, womit es sich bei dem dargestellten Projektionssystem 20 um eine doppelt obskurierte Optik handelt. Das Projektionssystem 20 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,3 und die auch größer sein kann als 0, 6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
[0051] Die Reflexionsflächen der Spiegel 25, Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel 25, Mi aber auch als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel 25, Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 16, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung aufweisen. Diese Beschichtungen können als Mul- tilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
[0052] Das Projektionssystem 20 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 11 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 21. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y- Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 21 und der Bildebene 22.
[0053] Das Projektionssystem 20 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein, d. h. es weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe ßx, ßy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe ßx, ßy des Projektionssystems 20 liegen bevorzugt bei (ßx, ßy) = ( + /- 0,25, / + - 0, 125) . Ein Abbildungsmaßstab ß von 0,25 entspricht dabei einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1, während ein Abbildungsmaßstab ß von 0,125 in eine Verkleinerung im Verhältnis 8:1 resultiert. Ein positives Vorzeichen beim Abbildungsmaßstab ß bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr, ein negatives Vorzeichen eine Abbildung mit Bildumkehr.
[0054] Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe ßx, ßy in x- und y-Richtung sind möglich.
[0055] Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 11 und dem Bildfeld 21 kann, je nach Ausführung des Projektionssystems 20, gleich oder unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionssysteme 20 mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 Al.
[0056] Das Projektionssystem 20 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann aber auch unzugänglich sein.
[0057] Durch das Beleuchtungssystem 10 belichtet und durch das Projektionssystem 20 auf die Bildebene 21 übertragen wird ein im Objektfeld 11 angeordnetes Retikel 30 (auch Maske genannt) . Das Retikel 30 ist von einem Retikelhalter 31 gehalten. Der Retikelhalter 31 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 32 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar. Im dargestellten Ausführungsbeispiel verläuft die Scanrichtung in x-Rich- tung . [ 0058 ] Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 30 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 21 in der Bildebene 22 angeordneten Wafers 35 . Der Wafer 35 wird von einem Waferhalter 36 gehalten . Der Waferhalter 36 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 37 insbesondere längs der x-Richtung verlagerbar . Die Verlagerung einerseits des Reti- kels 30 über den Retikelverlagerungsantrieb 32 und andererseits des Wafers 35 über den Waferverlagerungsantrieb 37 kann synchronisiert zueinander erfolgen .
[ 0059 ] Die in Figur 1 dargestellte Proj ektionsbelichtungsanlage 1 gemäß der vorstehenden Beschreibung stellt im Wesentlichen bekannten Stand der Technik dar .
[ 0060 ] Um eine hohe Qualität der mithil fe der Pro ektionsbelichtungsanlage 1 herzustellenden Halbleiter zu gewährleisten, ist es erforderlich, dass das extrem hochauflösende Proj ektionssystem 20 eine hohe Abbildungsleistung bzw . möglich geringe Abbildungs fehler aufweist . Im Stand der Technik, bspw . der DE 10 2011 084 117 Al , sind Verfahren bekannt , mit denen diverse , die Abbildungsleistung reduzierende Abbildungs fehler, nämlich Wellenfrontfehler, durch Bestrahlung des Spiegels mit Elektronenstrahlung korrigiert werden können . Für Abbildungsfehler, die aus lokalen Erhebungen resultieren, ist das erfindungsgemäße Korrekturverfahren vorgesehen, welches nachfolgend exemplarisch anhand der Figuren 2a-e erläutert wird .
[ 0061 ] Bei den für das Proj ektionssystem 20 (vgl . Figur 1 ) vorgesehenen Spiegeln 25 , Mi handelt es sich um reflektive optische Elemente 25 , bei denen auf ein Substrat 26 eine für EUV-Strahlung spiegelnde Beschichtung 27 aufgebracht ist . Die Beschichtung 27 kann - wenn auch nicht detailliert dargestellt - eine Multilayer-Beschichtung sein . [ 0062 ] Noch bevor die Beschichtung 27 aufgebracht wird, wird die Oberfläche des Substrats 26 mithil fe bekannter interfero- metrischer Verfahren vermessen, um so u . a . lokale Erhebungen 40 ' des Substrats mit einer Amplitude von mehr als 0,3 nm und einer lateralen Ausdehnung von weniger als 5 mm, wie sie exemplarisch in Figur 2a dargestellt ist , zu ermitteln . Dabei wird nicht nur das Vorhandensein einer entsprechenden lokalen Erhebung 40 ' festgestellt , sondern auch die Position der lokalen Erhebung 40 ' auf dem Substrat 26 genau erfasst .
[ 0063 ] Nach erfolgter Beschichtung der Oberfläche des Substrats 26 , wird die mit der spiegelnden Beschichtung 27 versehenen Oberfläche des optischen Elements 25 erneut mit einem interf erometrischen Verfahren vermessen, u . a . um lokale Erhebungen 40 zu ermitteln (vgl . Figur 2b ) . Auch für diesen Verfahrensschritt werden nur Erhöhungen mit einer von mehr als 0,3 nm und einer lateralen Ausdehnung von weniger als 5 mm als lokale Erhebungen 40 angesehen und hinsichtlich ihrer Position erfasst .
[ 0064 ] Im dargestellten Aus führungsbeispiel werden weiterhin nur solche Erhebungen als lokale Erhebungen 40 letztendlich identi fi ziert , bei denen sowohl bei der Oberflächenvermessung des Substrats 26 ohne Beschichtung 27 (vgl . Figur 2a ) als auch bei der Oberflächenvermessung des optischen Elements 25 nach erfolgter Beschichtung (vgl . Figur 2b ) j eweils eine grundsätzlich als lokale Erhebung 40 , 40 ' in Frage kommende Erhebung an j eweils genau derselben Position erkannt wird . Für die Frage der identischen Position kann dabei eine Toleranz von + 100 /zm grundsätzlich akzeptiert werden . Erhebungen, die nur bei einer der beiden Oberflächenvermessungen erkannt werden, müssen bei Bedarf näher daraufhin untersucht werden, ob sie mit dem vorliegenden Verfahren grundsätzlich korrigiert werden können . I st dies der Fall , können sie manuell als lokale Erhebung 40 identi fi ziert und im weiteren Verfahren als solche behandelt werden .
[ 0065 ] In einem nächsten Schritt wird bewertet , ob sich die identi fi zierten lokalen Erhebungen 40 durch die dafür vorgesehene Maschine (nicht dargestellt ) zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung 27 angeordneten Substrats 26 durch Bestrahlung auch tatsächlich korrigieren lässt , insbesondere ob eine mit der Maschine möglichen Korrektur in einer Verbesserung der Abbildungsleistung des optischen Elements 25 resultiert . Entsprechende Maschinen, insbesondere zur Verdichtung mit Elektrodenstrahlen sind im Stand der Technik, bspw . zur Korrektur von Wellenfront fehlern bereits bekannt , und bedürfen keiner aus führlichen Erläuterung . Dennoch sei kurz zusammengefasst , dass dabei durch eine im Vakuum durchgeführte , lokale Bestrahlung (bspw . mit Elektronenstrahlen) des Substrats 26 durch die spiegelnde Beschichtung 27 hindurch eine lokale Verdichtung bzw . ein lokales Kompaktieren des Substrats 26 erreicht wird, welche sich auch auf der Oberfläche des Substrats 26 sowie der darauf befindlichen Beschichtung 27 als Absenkung widerspiegeln . Selbstverständlich müssen die Bestrahlung und das Substrat 26 derart aufeinander abgestimmt sein, dass die Verdichtung bzw . das Kompaktieren per Bestrahlung tatsächlich erreicht werden kann; aus dem Stand der Technik sind hierzu aber eine Viel zahl von geeigneten Bestrahlungs-Substrat-Kombinationen bekannt .
[ 0066 ] Für die Bewertung der Korrigierbarkeit einer einzelnen lokalen Erhebung 40 ist vorgesehen, zunächst die Abbildungsleistung des optischen Elements 25 im Bereich der lokalen Erhebung 40 zu ermitteln . Anschließend wird die Abbildungsleistung des optischen Elements 25 im selben Bereich, aber auf Basis eines angenommenen Korrekturergebnisses nach einer möglichen Korrektur ermittelt . Dazu ist vorgesehen, eine Bearbeitungsvorgabe für die Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung 27 angeordneten Substrats 26 durch Bestrahlung zu ermitteln und deren Ergebnis zu simulieren . Bei der Simulation des Bestrahlungsvorgangs wird dabei j egliche im Bereich der lokalen Erhebung 40 bereits durchgeführte oder noch durchzuführende Verdichtung des Substrats durch Bestrahlung, bspw . zum Ausgleich von Wellenfront fehlern, berücksichtigt , um so ein realistischeres Simulationsergebnis zu erhalten . Das so ermittelte Simulationsergebnis ist in Figur 2c durch die gestrichelten Linien angedeutet .
[ 0067 ] I st angesichts der Simulation, wie im vorliegenden Fall , einer Steigerung der Abbildungsleistung des optischen Elements 25 durch die bewertete Korrekturstrategie zu erwarten, gilt die lokale Erhebung 40 als korrigierbar .
[ 0068 ] Sofern nicht bereits im Zuge der Bewertung einer lokalen Erhebung 40 geschehen, wird eine Bearbeitungsvorgabe für die Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung 27 angeordneten Substrats 26 durch Bestrahlung ermittelt , mit der die bewertete Korrektur durch die dafür vorgesehene Maschine auch tatsächlich umgesetzt werden kann .
[ 0069 ] Eben diese Bearbeitungsvorgabe wird abschließend verwendet , um die Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung 27 angeordneten Substrats 26 durch Bestrahlung geeignet zur Korrektur der identi fi zierten und als korrigierbar bewerteten lokalen Erhebungen 40 anzusteuern . Aufgrund der Bearbeitungsvorgaben wird die Maschine die Bereiche als korrigierbar bewerteter lokaler Erhebungen 40 geeignet bestrahlen (vgl . Figur 2d) , sodass das Substrat in diesem Bereich derart verdichtet wird, dass die lokale Erhebung 40 eingeebnet oder zumindest reduziert wird (vgl . Figur 2e ) . Im Substrat 26 ergeben sich dabei höher verdichtete Bereiche 26 ' ; diese sind für die optischen Eigenschaften des optischen Elements 25 aber unerheblich . [ 0070 ] In Figur 2 wird von einer optimale Korrigierbarkeit der dort exemplarisch gezeigten lokalen Erhebung 40 ausgegangen . Aufgrund von Limitationen der zur lokalen Verdichtung vorgesehenen Maschine und/oder anderen Faktoren ist aber ggf . nicht immer gewährleistet , dass eine vollständige Einebnung einer lokalen Erhebung 40 , wie in Figur 2 dargestellt , möglich ist .
[ 0071 ] Es ist daher bevorzugt , bei der Bewertung der Korrigierbarkeit der lokalen Erhebung 40 nicht nur eine einzige Strategie zur Korrektur einer lokalen Erhebung 40 zu verfolgen, sondern die Ergebnisse verschiedener Korrekturstrategien zu berücksichtigen und dann diej enige Korrekturstrategie , welche das beste Korrekturergebnis verspricht , tatsächlich umzusetzen .
[ 0072 ] In Figur 3 sind exemplarisch drei mögliche Korrekturstrategien dargestellt , wobei auf der linken Seite die j eweilige Korrekturstrategie für eine lokale Erhebung 40 als gestrichelte Linie angedeutet ist , während die rechte Seite ein mögliches Ergebnis nach Anwendung der Korrekturstrategie zeigt .
[ 0073 ] Die Korrekturstrategie gemäß Figur 3a entspricht dabei grundsätzlich der auch in Figur 2 angewendeten Korrekturstrategie , nämlich das Substrat 26 über den gesamten Bereich der lokalen Erhebung 40 , ggf . unterschiedlich stark zu verdichten, sodass grundsätzlich die gesamte Erhebung 40 eingeebnet wird (vgl . gestrichelte Linie in Figur 3a, linke Seite ) . Auch wenn Letzteres in Einzel fällen (vgl . Figur 2 ) gelingen mag, besteht für andere lokalen Erhebungen 40 ggf . das Risiko , dass vormals erhabene Bereiche der lokalen Erhebung 40 durch Verdichtung des Substrats derart stark abgesenkt werden, dass sie als Vertiefung auf der Oberfläche des optischen Elements 25 verbleiben . [ 0074 ] Bei der Korrekturstrategie gemäß Figur 3b wird ein Bereich größer als die eigentliche Erhebung durch geeignete Bestrahlung und damit einhergehende groß flächigere Verdichtung des Substrats 26 abgesenkt . Ein mögliches Ergebnis einer solchen Korrekturstrategie ist auf der rechten Seite der Figur 3b dargestellt .
[ 0075 ] Bei der Korrekturstrategie gemäß Figur 3c ist vorgesehen, nur in denj enigen Bereichen das Substrat 26 zu verdichten, in denen die Erhebung um mehr als einen vorgegebenen Schwellenwert von der eigentlich gewünschten Oberflächenform abweicht . Das Ergebnis einer solchen Korrekturstrategie ist auf der rechten Seite der Figur 3c exemplarisch dargestellt .
[ 0076 ] Ggf . auch abhängig davon, an welcher Stelle eines optischen Elementes 25 eine lokale Erhebung 40 vorliegt und/oder wie die einzelne lokale Erhebung 40 tatsächlich ausgeformt ist , kann j ede der in Figur 3 exemplarisch gezeigten Korrekturstrategien grundsätzlich in einer erhöhten lokalen Abbildungsleistung resultieren . Es wird dann diej enige Korrekturstrategie umgesetzt , welche die höchste resultierende Abbildungsleistung verspricht .

Claims

Patentansprüche Verfahren zur Korrektur lokaler Erhebungen auf der mit einer spiegelnden Beschichtung (27) versehenen Oberfläche eines optischen Elements (25) für die EUV-Mikrolithograf ie, mit den Schritten:
- Vermessen der Oberfläche der mit der spiegelnden Beschichtung (27) versehenen Oberfläche eines optischen Elements (25) ;
- Identifizieren von lokalen Erhebungen (40) auf der mit der spiegelnden Beschichtung (27) versehenen Oberfläche auf Basis des Ergebnisses der Oberflächenvermessung;
- Bewerten der identifizierten lokalen Erhebungen (40) hinsichtlich ihrer Korrigierbarkeit mit einer vorgegebenen Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung (27) angeordneten Substrats (26) durch Bestrahlung;
- Ermittlung von Bearbeitungsvorgaben für die Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung (27) angeordneten Substrats (26) durch Bestrahlung, zumindest für die als korrigierbar bewerteten lokalen Erhebungen (40) ; und
- Ansteuern der Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung (27) angeordneten Substrats (26) durch Bestrahlung gemäß den Bearbeitungsvorgaben zur Korrektur der identifizierten und als korrigierbar bewerteten lokalen Erhebungen (40) . Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bewerten der lokalen Erhebungen (40) hinsichtlich ihrer Korrigierbarkeit anhand der lokalen Abbildungsleistung mit vorhandener Erhebung (40) und/oder nach mit der Maschine zur lokalen Verdichtung des unter der spiegelnden Beschichtung (27) angeordneten Substrats (26) durch Bestrahlung möglichen Korrektur umfasst. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Bewerten der lokalen Erhebungen (40) hinsichtlich ihrer Korrigierbarkeit die Überprüfung mehrerer unterschiedlicher Strategien zur Korrektur einer lokalen Erhebung (40) umfasst. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Bewerten der lokalen Erhebungen (40) hinsichtlich ihrer Korrigierbarkeit, das Ermitteln von Bearbeitungsvorgaben und/oder das Ansteuern der Maschine unter Berücksichtigung von bereits erfolgten oder noch zu erfolgenden Verdichtungen des unter der spiegelnden Beschichtung (27) angeordneten Substrats (26) durch Bestrahlung erfolgt. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nur solche lokalen Erhebungen (40) auf Basis des Ergebnisses der Oberflächenvermessung der mit der spiegelnden Beschichtung (27) versehenden Oberfläche identifiziert werden, zu denen anhand einer vor der Beschichtung mit der spiegelnden Beschichtung (27) durchgeführten Oberflächenvermessung des zu beschichtenden Substrats (26) eine Erhebung (40') an derselben Position, vorzugsweise mit einer Positionstoleranz von maximal + 100 im, feststellbar ist. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenvermessung der mit der spiegelnden Beschichtung (27) versehenden Oberfläche und/oder des unter der spiegelnden Beschichtung (27) angeordneten Substrats (26) vor dessen Beschichtung ein interf erometrisches Verfahren zur Oberflächenvermessung umfasst. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zur Verdichtung des unter der spiegelnden Oberfläche liegenden Substrat (26) vorgesehene Strahlung Elektronenstrahlen umfasst. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Erhebung (40) als lokal angesehen wird, wenn deren laterale Ausdehnung kleiner als 5mm und/oder die Amplitude größer als 0,3 nm ist.
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