DE102008042917A1

DE102008042917A1 - Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik

Info

Publication number: DE102008042917A1
Application number: DE200810042917
Authority: DE
Inventors: Hans-Jürgen Dr. Mann
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2007-10-26
Filing date: 2008-10-16
Publication date: 2009-04-30
Also published as: EP2533104A1; CN102819197A; CN102819197B; KR101515663B1; EP2533104B1; KR20150006019A; EP2203787A1; US9152056B2; US20100231885A1; US8576376B2; KR101592136B1; CN101836164A; US20140036246A1; JP2011502347A; TW200921145A; EP2203787B1; KR20100102586A; WO2009052932A1; CN101836164B; US20160004165A1

Abstract

Eine abbildende Optik (7) hat eine Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M8), die ein Objektfeld (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9) abbilden. Mindestens einer der Spiegel (M6, M7, M8) ist obskuriert, hat also eine Durchgangsöffnung (21) zum Durchtritt von Abbildungslicht (15). Ein im Strahlengang viertletzter Spiegel (M5) vor dem Bildfeld (8) ist nicht obskuriert und gibt mit einem äußeren Rand (22) seiner optisch wirksamen Reflexionsfläche eine zentrale Abschattung in einer Pupillenebene (17) der abbildenden Optik (7) vor. Ein Abstand zwischen dem viertletzten Spiegel (M5) und einem letzten Spiegel (M8) beträgt mindestens 10% eines Abstandes zwischen dem Objektfeld (4) und dem Bildfeld (8). Eine Zwischenbildebene (23), die der Bildebene (9) nächstbenachbart ist, ist zwischen dem letzten Spiegel (M8) und der Bildebene (9) angeordnet. Die abbildende Optik (7) hat eine numerische Apertur von 0,9. Diese Maßnahmen, von denen nicht alle gleichzeitig verwirklicht sein müssen, führen zu einer abbildenden Optik mit verbesserten Abbildungseigenschaften und/oder geringerem Herstellungsaufwand.

Description

Die Erfindung betrifft eine abbildende Optik nach den Oberbegriffen der Ansprüche 1, 5, 6, 7 und 10. Ferner betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik, ein Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauelement.
Abbildenden Optiken der eingangs genannten Art sind bekannt aus der US 6,750,948 B2 , der US 2006/0232867 A1 , der EP 0 267 766 A2 , der US 7,209,286 B2 und der WO 2006/069 725 A1 .
Insbesondere für die Verwendung innerhalb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, insbesondere zur Herstellung mikro- bzw. nanostrukturierter Halbleiterbauelemente, besteht für die eingangs genannten abbildenden Optiken der Bedarf nach verbesserten Abbildungseigenschaften, zum Beispiel einer größeren numerischen Apertur oder einer besseren Korrektur von Abbildungsfehlern. Alternativ oder zusätzlich besteht der Bedarf nach einfacherer Herstellbarkeit der Spiegel bei vorgegebener Baugröße oder nach einer Spiegelanordnung, die für zumindest einzelne Spiegel die Anforderungen an die Herstellung insbesondere der Spiegelträger relaxiert. Insbesondere soll auch die Anzahl der zur Abbildung und zur Korrektur der Abbildungsfehler notwendigen optischen Elemente möglichst gering gehalten werden.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch abbildende Optiken mit den im Kennzeichnungsteil der Ansprüche 1, 5, 6 und 8 angegebenen Merkmalen.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass ein Design einer abbildenden Optik nach Anspruch 1 mit einem Spiegel, der durch seinen äußeren Rand und nicht durch eine Durchgangsöffnung die Pupillenobskuration einer obskurierten Optik vorgibt, völlig neue Designspielräume im Vergleich zu den bekannten abbildenden Optiken eröffnet. Dies ermöglicht hochaperturige Objektive mit gut korrigierten Abbildungsfehlern. Bei dem äußeren Rand des viertletzten Spiegels um dessen optisch wirksame Reflexionsfläche handelt es sich entweder um den äußeren Rand der optisch wirksamen Reflexionsfläche selbst oder um den äußeren Rand eines Substrats, auf dem die Reflexionsfläche vorgegeben ist, oder um den äußeren Rand einer die Reflexionsfläche oder das Substrat tragenden mechanischen Haltestruktur.
Ein konvexer viertletzter Spiegel nach Anspruch 2 ermöglicht ein Design der abbildenden Optik mit relativ geringer Pupillenobskuration.
Entsprechende Vorteile hat eine Anordnung des viertletzten Spiegels nach Anspruch 3.
Die Anordnung des viertletzten Spiegels nach Anspruch 4 ermöglicht es, an diesem Spiegel eine Aperturblende anzubringen.
Die eingangs genannte Aufgabe ist auch durch abbildende Optiken nach den Ansprüchen 5 und 6 gelöst. Dort liegt zwischen dem viertletzten und dem letzten Spiegel ein vorteilhaft großer Bauraum vor. Der Bereich zwischen dem viertletzten und dem letzten Spiegel war bei anderen Designs mit obskurierten Spiegeln und hoher numerischer Apertur ein Problembereich, da dort entweder nur sehr dünne Spiegel oder ein sehr aufwendig herzustellender Spiegel mit beidseitiger reflektierender Beschichtung zum Einsatz kommen konnte.
Die vorstehend genannte Aufgabe ist auch durch eine abbildende Optik nach Anspruch 7 gelöst. Die Verlagerung der Zwischenbildebene in Richtung der Bildebene im Vergleich zu bekannten Designs führt zu verringerten Anforderungen an die optische Wirkung der beiden letzten Spiegel der abbildenden Optik. Bei bekannten obskurierten Systemen ist die Zwischenbildebene räumlich oft in etwa auf Höhe des im Lichtweg letzten Spiegels angeordnet. Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass dies nicht zwingend erforderlich ist, da der im Lichtweg letzte Spiegel meist nicht bestimmend für die Pupillenobskuration ist, so dass dort eine relativ große zentrale Öffnung und damit eine von der Reflexionsfläche des vorletzten Spiegels entfernte Zwischenebene toleriert werden kann.
Ein Abstandsverhältnis nach Anspruch 8 hat sich dabei als besonders vorteilhaft herausgestellt. Der Abstand des letzten Spiegels im Strahlengang zur Bildebene ist dabei als der Abstand des Durchstoßpunktes einer optischen Achse der abbildenden Optik durch die Reflexionsfläche dieses Spiegels von der Bildebene definiert. Für den Fall, dass die optische Achse nicht durch die Reflexionsfläche des Spiegels geht, also für den Fall beispielsweise eines Off-Axis-Spiegels, wird bei dieser Definition anstelle des Durchstoßpunktes der optischen Achse durch die Reflexionsfläche der Durchstoßpunkt der optischen Achse durch eine entsprechend der optischen Designvorgabe stetig fortgesetzte Fläche gewählt. Soweit der Spiegel um die optische Achse rotationssymmetrisch ist, fällt dieser Durchstoßpunkt mit dem Zentrum der Reflexionsfläche des Spiegels zusammen. Für den Fall, dass dieser letzte Spiegel obskuriert ist, kann dieses Zentrum der Reflexionsfläche auch in der Obskurations-Durchgangsöffnung des Spiegels liegen, wobei dabei angenommen wird, dass die Reflexionsfläche innerhalb der Obskurations-Durchgangsöffnung entsprechend der optischen Designvorgabe stetig fortgesetzt ist. Ein Abstand der Zwischenbildebene zur Bildebene kann beispielsweise das 0,7-fache, das 0,8-fache oder das 0,9-fache des Abstandes des letzten Spiegels im Strahlengang zur Bildebene betragen.
Numerische Aperturen nach Anspruch 9 sind zur Erzielung einer hohen Ortsauflösung der abbildenden Optik bevorzugt.
Die vorstehend genannte Aufgabe ist auch durch eine abbildende Optik nach den Ansprüchen 10 und 11 gelöst.
Eine abbildende Optik nach Anspruch 12 bedient sich insbesondere mehrerer der vorstehend erläuterten Lösungsansätze. Entsprechend resultieren abbildende Optiken, bei denen Vorteilskombinationen realisiert sind.
Abbildungseigenschaften nach den Ansprüchen 13 und 14 sind zur Erzielung einer hohen Ortsauflösung über das gesamte Feld vorteilhaft. Diese Abbildungseigenschaften sind von der Wellenlänge des Abbildungslichts unabhängig. Die Wellenlänge des Abbildungslichts kann vom EUV-Bereich bis hin zum sichtbaren Spektrum reichen. Bevorzugt sind Wellen frontfehler, die zu einer beugungsbegrenzten Auflösung führen, die also insbesondere kleiner sind als ein Vierzehntel der Abbildungslicht-Wellenlänge. Ein Wellenfrontfehler, der geringer ist als 1 nm im quadratischen Mittel (rms), führt für EUV-Wellenlängen zu einer in der Praxis beugungsbegrenzten Auflösung.
Eine geringe Pupillenobskuration, also ein Anteil einer Pupillenfläche, der aufgrund der zentralen Pupillenobskuration nicht genutzt werden kann, nach Anspruch 15 führt zu einem vorteilhaft hohen Lichtdurchsatz der abbildenden Optik. Zudem kann eine abbildende Optik mit einer geringen Pupillenobskuration breiter verwendbar sein, da die Bandbreite der zur Verfügung stehenden Beleuchtungsmittel umso größer ist, je geringer die Pupillenobskuration ist. Abbildende Optiken mit geringer Pupillenobskuration (ihren daher praktisch unabhängig von der Art der abzubildenden Objektstruktur zu einer kontrastreichen Abbildung.
Parallel nach Anspruch 16 zueinander angeordnete Feldebenen erleichtern die Integration der abbildenden Optik in eine bauliche Umgebung. Insbesondere dann, wenn die abbildende Optik in einer scannenden Projektionsbelichtungsanlage eingesetzt wird, kommt dieser Vorteil zum Tragen, da dann die Scanrichtungen zueinander parallel geführt werden können.
Bildfeldgrößen nach den Ansprüchen 17 und 18 führen beim Einsatz der abbildenden Optik in einer Projektionsbelichtungsanlage zu einem guten Durchsatz. Auch andere Dimensionen der kurzen und langen Bildfeldseiten sind möglich. Die kurze Bildfeldseite kann auch kleiner als 1 mm sein oder größer als 1 mm. Die lange Bildfeldseite kann beispielsweise auch 5 mm, 10 mm oder 15 mm betragen.
Ein Abbildungsmaßstab nach Anspruch 19 ermöglicht einen geringen Einfallswinkel auf einer Reflexionsmaske beim Einsatz der abbildenden Optik in einer Projektionsbelichtungsanlage. Bei einem solchen Einsatz führt die Verwendung eines derartigen Abbildungsmaßstabs nicht zur Notwendigkeit, unnötig große Masken einzusetzen.
Designs mit einer ungeraden Anzahl obskurierter Spiegel nach Anspruch 20 haben sich als besonders geeignet herausgestellt. Es können beispielsweise drei Spiegel obskuriert sein.
Eine Anordnung nach Anspruch 21 führt zur Möglichkeit, in einer räumlich begrenzten Anordnung Einflussnahmen sowohl in einer Feldebene als auch in einer Pupillenebene der abbildenden Optik vorzunehmen. Dies kann zu Korrekturzwecken besonders erwünscht sein.
Eine Ausgestaltung der abbildenden Optik nach Anspruch 22 führt zur Möglichkeit, die abbildende Optik direkt und ohne Zwischenschaltung zusätzlicher abbildender Elemente aus einer vorgeschalteten Beleuchtungsoptik über eine Pupillenkomponente als letztem Element vor der abbildenden Optik zu beaufschlagen, wobei diese Pupillenkomponente dann in der der abbildenden Optik selbst vorgelagerten Pupillenebene der abbildenden Optik angeordnet sein kann.
Eine abbildende Optik nach Anspruch 23 hat bei geringer Spiegelanzahl zwei Zwischenbildebenen, was einerseits zur kompakten Bündelführung und andererseits auch zu Korrekturzwecken genutzt werden kann.
Die Vorteile einer Projektionsbelichtungsanlage nach den Ansprüchen 24 und 25 entsprechen denen, die vorstehend in Bezug auf die erfindungsgemäße abbildende Optik ausgeführt wurden. Die Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage kann breitbandig ausgeführt sein und beispielsweise eine Bandbreite haben, die größer ist als 1 nm, die größer ist als 10 nm oder die größer ist als 100 nm. Zudem kann die Projektionsbelichtungsanlage so ausgeführt sein, dass sie mit Lichtquellen unterschiedlicher Wellenlängen betrieben werden kann. Auch Lichtquellen für andere, insbesondere für die Mikrolithographie eingesetzte Wellenlängen sind im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen abbildenden Optik einsetzbar, beispielsweise Lichtquellen mit den Wellenlängen 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 126 nm, 109 nm und insbesondere auch mit Wellenlängen, die kleiner sind als 100 nm.
Entsprechende Vorteile gelten für das Herstellungsverfahren nach Anspruch 26 und das hierdurch hergestellte mikrostrukturierte Bauteil nach Anspruch 27.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen
1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie;
2 bis 7 Ausführungsbeispiele einer abbildenden Optik, jeweils im Meridionalschnitt.
Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht. Bei der Lichtquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich insbesondere zwischen 10 nm und 30 nm erzeugt. Auch andere EUV-Wellenlängen sind möglich. Generell sind sogar beliebige Wellenlängen, zum Beispiel sichtbare Wellenlängen oder auch andere Wellenlängen, die beispielsweise in der Mikrolithographie Verwendung finden und für die geeignete Laserlichtquellen und/oder LED-Lichtquellen zur Verfügung stehen (beispielsweise 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm), für das in der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführte Beleuchtungslicht möglich. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst schematisch dargestellt.
Zur Führung des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle 2 hin zu einem Objektfeld 4 (vgl. 2) in einer Objektebene 5 dient eine Beleuchtungsoptik 6. Mit einer Projektionsoptik 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 (vgl. 2) in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen Verkleinerungsmaßstab abgebildet. Für die Projektionsoptik 7 kann eines der in den 2 bis 7 dargestellten Ausführungsbeispiele eingesetzt werden. Die Projektionsoptik 7 nach 2 verkleinert um einen Faktor 8. Auch andere Verkleinerungsmaßstäbe sind möglich, zum Beispiel 4×, 5× oder auch Verkleinerungsmaßstäbe, die größer sind als 8×. Für das Beleuchtungslicht 3 mit EUV-Wellenlänge eignet sich insbesondere ein Abbildungsmaßstab von 8×, da hierdurch ein objektseitiger Einfallswinkel auf einer Reflexionsmaske 10 klein gehalten werden kann. Ein Abbildungsmaßstab von 8× führt zudem nicht zur Notwendigkeit, unnötig große Masken einzusetzen. Die Bildebene 9 ist bei der Projektionsoptik 7 in den Ausführungen nach den 2 bis 7 parallel zur Objektebene 5 angeordnet. Abgebildet wird hierbei ein mit dem Objektfeld 4 zusammenfallender Ausschnitt der Reflexionsmaske 10, die auch als Retikel bezeichnet wird.
Das Bildfeld 8 ist teilkreisförmig gebogen, wobei der Abstand der beiden das Bildfeld 8 begrenzenden Teilkreisbögen 1 mm beträgt. 1 mm beträgt auch die Seitenlänge der das Bildfeld 8 zwischen den beiden Teilkreisbögen begrenzenden, geraden und zueinander parallel verlaufenden Seitenkanten. Diese beiden geraden Seitenkanten des Bildfelds 8 haben einen Abstand zueinander von 13 mm. In seiner Fläche entspricht dieses gebogene Bildfeld einem rechteckigen Bildfeld mit den Kantenlängen 1 mm × 13 mm. Auch ein derart rechteckiges Bildfeld 8 ist möglich.
Die Abbildung erfolgt auf die Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers, der von einem Substrathalter 12 getragen wird. In der 1 ist schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein in diese einlaufendes Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3 und zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 11 ein aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt.
Eine bildfeldseitige numerische Apertur der Projektionsoptik 7 nach 2 beträgt 0,9. Dies ist in der 1 aus darstellerischen Gründen nicht maßstäblich wiedergegeben.
Zur Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie der verschiedenen Ausführungen der Projektionsoptik 7 ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Fig. dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung verläuft nach rechts und die z-Richtung nach unten.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der y-Richtung gescannt.
2 zeigt das optische Design einer ersten Ausführung der Projektionsoptik 7. Dargestellt ist der Strahlengang jeweils zweier Einzelstrahlen 15, die von zwei in der 2 und zueinander in der y-Richtung beabstandeten Objektfeldpunkten ausgehen. Die zwei Einzelstrah len 15, die zu einem dieser zwei Objektfeldpunkte gehören, sind jeweils zwei unterschiedlichen Beleuchtungsrichtungen für die zwei Objektfeldpunkte zugeordnet. Die der gleichen Beleuchtungsrichtung zugeordneten Einzelstrahlen 15 verschiedener Feldpunkte verlaufen, ausgehend von der Objektebene 5, divergent. Dies wird nachfolgend auch als negative Eingangsschnittweite oder negative Schnittweite der Eintrittspupille bezeichnet. Eine Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 nach 2 liegt nicht innerhalb der Projektionsoptik 7, sondern im Strahlengang vor der Objektebene 5. Dies ermöglicht es beispielsweise, im Strahlengang vor der Projektionsoptik 7 eine Pupillenkomponente der Beleuchtungsoptik 6 in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 anzuordnen, ohne dass zwischen dieser Pupillenkomponente und der Objektebene 5 weitere abbildende optische Komponenten vorhanden sein müssen.
Die Projektionsoptik 7 nach 2 hat insgesamt acht Spiegel, die in der Reihenfolge des Strahlengangs, ausgehend vom Objektfeld 4, mit M1 bis M8 durchnumeriert sind. Dargestellt sind in der 2 lediglich die berechneten Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M8.
Die optischen Daten der Projektionsoptik 7 nach 2 werden nachfolgend anhand zweier Tabellen wiedergegeben. Die erste Tabelle zeigt in der Spalte „Radius" jeweils den Krümmungsradius der Spiegel (Mirror) M1 bis M8. Die dritte Spalte (Dicke) beschreibt den Abstand, ausgehend von der Objektebene 5, jeweils zur nachfolgenden Oberfläche.
Die zweite Tabelle beschreibt die genaue Oberflächenform der Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M8, wobei die Konstanten K sowie A bis J in folgende Gleichung für die Pfeilhöhe einzusetzen sind:

h stellt hierbei den Abstand zur optischen Achse 19 dar. Es gilt also h² = x² + y². Für c wird der Kehrwert von „Radius" eingesetzt.

Oberfläche	Radius (1/c)	Dicke	Betriebsmodus
Objektebene	unendlich	517,466
M1	–460,153	–217,028	REFL
M2	–380,618	101,780	REFL
M3	304,428	–158,351	REFL
M4	248,577	786,055	REFL
M5	320,928	–512,457	REFL
M6	826,181	1504,412	REFL
M7	–3221,704	–191,095	REFL
Blende	unendlich	–375,302
M8	750,83	606,397	REFL
Bildebene	unendlich	0

Oberfläche	K	A	B	C	D
M1	0,000000E+00	–1,631597E–10	9,657530E–16	–6,306626E–20	1,072197E–24
M2	–7,342117E+00	–3,247790E–08	1,007295E–13	–2,908653E–18	–6,581368E–21
M3	–8,421287E+00	1,604616E–09	1,164266E–11	–7,638324E–15	2,158838E–18
M4	5,504873E–02	–2, 854695E–10	1,302845E–15	7,411326E–19	–1,319473E–22
M5	–2,441303E–02	–4,072151E–09	–5,877441E–14	2,214912E–18	–8,175465E–23
M6	3,411049E–03	–7,680740E–18	–7,62133E–18	–6,837917E–24	–8,305886E–30
M7	–2,544754E+00	5,119174E–10	–8,412525E–16	8,746864E–21	–4,053738E–26
M8	1,012485E–01	–6,355004E–11	–1,261118E–16	–6,586951E–24	–4,143278E–28
Oberfläche	E	F	G	H	J
M1	–1,289213E–29	8,646860E–35	–2,746050E–40	0,000000E+00	1,075412E–51
M2	1,743214E–24	–2,256980E–28	1,288821E–32	0,000000E+00	–2,146208E–41
M3	2,665732E–25	1,001342E–24	–1,896580E–27	1,213404E–30	–2,772775E–34
M4	1,642304E–26	–1,185339E–30	4,697782E–35	–7,812489E–40	0,000000E+00
M5	1,783031E–27	–3,302179E–32	6,356237E–37	–8,439168E–42	3,970026E–47
M6	–1,193959E–35	3,014822E–41	–1,666695E–46	2,921935E–52	–2,589560E–58
M7	1,405577E–31	1,660762E–37	–4,750000E–42	2,390150E–47	–4,132019E–53
M8	3,396965E–35	3,588060E–40	–3,053788E–45	6,807302E–51	–1,109855E–56

Die Spiegel M1, M2 sowie M4 einer ersten Spiegelgruppe 18, die die Spiegel M1 bis M4 umfasst, werden ringsegmentförmig und – bei den Spiegeln M1 und M2 vollständig sowie beim Spiegel M4 zum größten Teil – in Bezug auf die optische Achse 19 off-axis genutzt.
Die genutzte optische Reflexionsfläche der Spiegel M1, M2 und – größtenteils – M4 liegt also von der optischen Achse 19 entfernt. Die Reflexionsflächen aller Spiegel M1 bis M8 sind in Bezug auf die optische Achse 19 rotationssymmetrisch.
Die genutzte Reflexionsfläche des Spiegels M3 liegt nahezu zentrisch auf der optischen Achse 19 (on-axis).
Die Spiegel M1, M4, M6, M7 und M8 sind als Konkavspiegel ausgeführt. Die Spiegel M2, M3, M5 sind als Konvexspiegel ausgeführt.
Zwischen den Spiegeln M4 und M5 liegt eine Zwischenbildebene 20 der Projektionsoptik 7. Im weiteren Verlauf durchtreten die Einzelstrahlen 15 eine Durchgangsöffnung 21 im Spiegel M6. Der Spiegel M6 wird um die Durchgangsöffnung 21 herum genutzt. Beim Spiegel M6 handelt es sich also um einen obskurierten Spiegel. Neben dem Spiegel M6 sind noch der Spiegel M7 und der Spiegel M8 obskuriert, die beide ebenfalls jeweils eine Durchgangsöffnung 21 aufweisen.
Der Spiegel M5, also der im Strahlengang viertletzte Spiegel vor dem Bildfeld 8, ist nicht obskuriert, hat also keine Durchgangsöffnung für Abbildungslicht. Ein äußerer Rand 22 der optisch wirksamen Reflexionsfläche des Spiegels M5 gibt in der Pupillenebene 17 eine zentrale Abschattung der Projektionsoptik 7, also der abbildenden Optik, vor. Der Spiegel M5 schattet dabei den Lichtweg zwischen den Spiegeln M6 und M7 zentral ab.
Der Spiegel M5 ist auf der optischen Achse 19 angeordnet, wobei er nahezu zentrisch auf der optischen Achse 19 liegt.
Ein Abstand zwischen dem Spiegel M5 und dem letzten Spiegel M8, die hinsichtlich ihrer reflektierenden Wirkung Rücken an Rücken angeordnet sind, beträgt bei der Ausführung nach 2 etwa 20,6% des Abstandes zwischen der Objektebene 5 und der Bildebene 9 und insbesondere etwa 20% des nur unwesentlich größeren Abstandes zwischen dem Objektfeld 4 und dem Bildfeld 8. Zwischen den Spiegeln M5 und M8 liegt also ein recht großer Bauraum in der Projektionsoptik 7 vor.
Im Strahlengang zwischen dem Spiegel M6 und dem Spiegel M7 liegt eine weitere Zwischenbildebene 23. Bei dieser handelt es sich um diejenige Zwischenbildebene, die der Bildebene 9 nächst benachbart ist. Diese Zwischenbildebene 23 liegt räumlich zwischen dem letzten Spiegel M8 im Strahlengang und der Bildebene 9. Ein Abstand der Zwischenbildebene 23 zur Bildebene 9 beträgt etwa das 0,7-fache des Abstandes des letzten Spiegels M6 im Strahlengang zur Bildebene 9.
Die Projektionsoptik 7 nach 2 hat einen maximalen Wellenfrontfehler von 0,9 nm im quadratischen Mittel (rms). Eine Verzeichnung der Projektionsoptik 7 beträgt maximal 0,5 nm. Eine Pupillenobskuration, also ein zentraler abgestatteter Flächenanteil in der Pupillenebene 17 im Verhältnis zur gesamten Fläche innerhalb einer ausgeleuchteten Randkontur in der Pupillenebene 17, beträgt 11,6%.
3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Projektionsoptik 7. Komponenten sowie Einzelheiten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 und 2 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.

Die optischen Daten der Projektionsoptik 7 nach 3 werden nachfolgend anhand zweier Tabellen wiedergegeben, die vom Aufbau her den Tabellen zur 2 entsprechen.

Oberfläche	Radius (1/c)	Dicke	Betriebsmodus
Objektebene	unendlich	240,357
M1	306,212	–140,357	REFL
M2	472,863	1508,127	REFL
M3	–1214,568	–651,640	REFL
M4	371,570	1076,156	REFL
M5	210,825	–524,516	REFL
M6	793,298	1450,998	REFL
M	–3402,480	–176,337	REFL
Blende	unendlich	–366,873
M8	734,006	584,084	REFL
Bildebene	unendlich	0,000

Oberfläche	K	A	B	C	D
M1	0,000000E+00	5,528998E–09	–4,968534E–13	1,659177E–17	–3,863442E–22
M2	–6,538633E–01	5,913642E–10	–2,068085E–15	1,843758E–20	–6,714355E–26
M3	0,000000E+00	9,809893E–10	1,757665E–15	6,252623E–20	–7,383824E–25
M4	2,740280E+00	–4,880461E–08	8,522603E–12	–1,221389E–15	1,142980E–19
M5	–5,973645E–02	–1,313275E–08	–1,603339E–13	2,016611E–18	–4,373542E–22
M6	4,517989E–02	–1,639817E–11	–1,843198E–17	–2,050197E–23	–3,219956E–29
M7	–1,286534E+01	4,603123E–10	–1,024577E–15	1,178213E–20	–7,426445E–26
M8	9,856773E–02	–8,505963E–11	–1,255661E–16	–1,224739E–22	–3,390517E–28
Oberfläche	E	F	G	H	J
M1	5,540209E–27	–4,791768E–32	2,229758E–37	–4,553644E–43	0,000000E+00
M2	1,572034E–31	–1,728552E–37	1,501360E–43	0,000000E+00	0,000000E+00
M3	8,354870E–30	–3,768113E–35	0,000000E+00	4,020897E–45	0,000000E+00
M4	–6,828562E–24	2,234887E–28	–2,050695E–33	–5,185597E–38	0,000000E+00
M5	2,682717E–26	–1,836495E–30	8,559900E–35	–1,643140E–39	0,000000E+00
M6	2,845752E–35	–2,880170E–40	5,575425E–46	–7,139928E–52	0,000000E+00
M7	4,719915E–31	–2,246586E–36	6,923567E–42	–9,256971E–48	0,000000E+00
M8	5,071111E–34	–2,813625E–39	6,372889E–45	–9,981207E–51	0,000000E+00

Die Ausführung nach 3 unterscheidet sich von derjenigen nach 2 im Wesentlichen durch die Anordnung der ersten Spiegelgruppe 18 mit den Spiegeln M1 bis M4. Alle vier Spiegel M1 bis M4 der ersten Spiegelgruppe 18 der Projektionsoptik 7 nach 3 werden off-axis beaufschlagt. Der Spiegel M1 ist konvex und die Spiegel M2 bis M4 sind konkav ausgeführt.
Auch die Projektionsoptik 7 nach 3 hat eine negative Schnittweite der Eintrittspupille.
Die erste Zwischenbildebene 20 ist bei der Ausführung nach 3 im Bereich des Spiegels M4 angeordnet. Je nach der genauen Auslegung des Spiegeldesigns kann das zugehörige Zwischenbild vor dem Spiegel M4, auf dem Spiegel M4 oder auch nach dem Spiegel M4 angeordnet sein.
Der Spiegel M3 liegt bei der Ausführung nach 3 nicht, wie bei der Ausführung nach 2, links vom Spiegel M6, sondern auf Höhe der optischen Achse 19 rechts vom Spiegel M6. Die Strahlen 15 durchtreten auf dem Weg vom Spiegel M2 zum Spiegel M3 daher den Spiegel M6, genau so wie die Strahlen 15 auf dem Weg vom Spiegel M3 zum Spiegel M4 und auf dem Weg vom Spiegel M4 zum Spiegel M5. Die Durchgangsöffnung 21 im Spiegel M6 erfährt also einen Dreifachdurchlauf der Einzelstrahlen 15.
Der Abstand zwischen den Spiegeln M5 und M8 beträgt bei der Projektionsoptik 7 nach
3 etwa 12,8% des Abstandes zwischen der Objektebene 5 und der Bildebene 9. Ein Abstand der Zwischenbildebene 23 zur Bildebene 9 beträgt etwa das 0,8-fache des Abstandes des letzten Spiegels M6 im Strahlengang zur Bildebene 9.
Der maximale Wellenfrontfehler (rms) der Projektionsoptik 7 nach 3 beträgt 2,2 nm.
Die maximale Verzeichnung beträgt 5 nm. Die Pupillenobskuration beträgt 8,4%.
4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Projektionsoptik 7. Komponenten sowie Einzelheiten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 und 2 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.

Die optischen Daten der Projektionsoptik 7 nach 4 werden nachfolgend anhand zweier Tabellen wiedergegeben, die vom Aufbau her den Tabellen zur 2 entsprechen.

Oberfläche	Radius (1/c)	Dicke	Betriebsmodus
Objektebene	unendlich	390,160
M1	5657,607	–290,160	REFL
M2	547,829	364,027	REFL
M3	150,329	–131,050	REFL
M4	182,077	674,854	REFL
M5	301,845	–517,671	REFL
M6	809,621	1464,069	REFL
M7	–3032,589	–177,803	REFL
Blende	unendlich	–377,065
M8	753,606	600,638	REFL
Bildebene	unendlich	0,000

Oberfläche	K	A	B	C	D
M1	0,000000E+00	–2,662522E–10	–5,535133E–15	9,951400E–20	–1,728701E–24
M2	0,000000E+00	–7,758511E–11	–4,927920E–16	–2,380995E–21	1,771881E–27
M3	0,000000E+00	2,187978E–08	–4,324024E–12	–2,166837E–15	6,601874E–19
M4	0,000000E+00	1,844448E–09	6,801387E–14	2,528119E–17	–6,128096E–21
M5	1,156883E–04	–6,361997E–09	–4,599504E–14	1,885582E–18	–6,053781E–23
M6	3,259720E–02	–1,077005E–11	–1,049275E–17	–1,178590E–23	–1,688268E–30
M7	–8,103305E+00	3,958094E–10	–5,118462E–16	5,066772E–21	–1,825272E–26
M8	1,035316E–01	–7,996215E–11	–1,253165E–10	–7,448536E–23	–2,060928E–28
Oberfläche	E	F	G	H	J
M1	1,574353E–29	–5,663846E–35	0,000000E+00	0,000000E+00	0,000000E+00
M2	–1,673915E–31	0,000000E+00	0,000000E+00	0,000000E+00	0,000000E+00
M3	–1,166941E–23	–9,288602E–26	5,378119E–29	0,000000E+00	0,000000E+00
M4	1,073882E–24	–9,788111E–29	3,783735E–33	0,000000E+00	0,000000E+00
M5	–4,369093E–28	5,123232E–32	–7,255963E–37	0,000000E+00	0,000000E+00
M6	–6,033318E–35	1,025297E–40	–1,418317E–46	0,000000E+00	0,000000E+00
M7	1,004654E–31	–5,423670E–37	2,038001E–42	–3,000000E–48	0,000000E+00
M8	–4,980960E–34	5,995233E–40	6,787033E–46	–4,632967E–51	0,000000E+00

Auch die Projektionsoptik 7 nach 4 unterscheidet sich von derjenigen nach den 2 und 3 im Wesentlichen durch den Aufbau der ersten Spiegelgruppe 18 mit den Spiegeln M1 bis M4. Die Spiegel M1, M2 und M4 werden off-axis beaufschlagt. Der Spiegel M3 ist konvex ausgeführt. Die Spiegel M1, M2 und M4 sind konkav ausgeführt. Der Spiegel M1 besitzt eine so geringe Krümmung, dass dieser Spiegel nicht nur konkav, sondern durch eine geringfügige Designanpassung auch plan oder auch konvex ausgeführt sein kann.
Die erste Zwischenbildebene 20 liegt bei der Projektionsoptik 7 nach 4 im Strahlengang zwischen den Spiegeln M4 und M5 etwa auf Höhe des Spiegels M3.
Bei der Ausführung nach 4 ist der Spiegel M3 wieder links vom Spiegel M6 angeordnet, so dass die Durchtrittsöffnung 21 des Spiegels M6 nur einfach von den Strahlen 15 durchlaufen wird. Durch eine geringfügige Designanpassung kann der Spiegel M3 auch in die Öffnung des Spiegels M6 hinein verlagert werden.
Der Abstand zwischen den Spiegeln M5 und M8 beträgt bei der Projektionsoptik 7 nach 4 etwa 19,6% des Abstandes zwischen der Objektebene 5 und der Bildebene 9. Ein Abstand der Zwischenbildebene 23 zur Bildebene 9 beträgt etwa das 0,76-fache des Abstandes des letzten Spiegels M6 im Strahlengang zur Bildebene 9.
Der maximale Wellenfrontfehler (rms) beträgt bei der Projektionsoptik 7 nach 4 1,4 nm. Die maximale Verzeichnung beträgt 1,5 nm. Die Pupillenobskuration beträgt 10,9%.
5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Projektionsoptik 7. Komponenten sowie Einzelheiten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 und 2 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.

Die optischen Daten der Projektionsoptik 7 nach 5 werden nachfolgend anhand zweier Tabellen wiedergegeben, die vom Aufbau her den Tabellen zur 2 entsprechen.

Oberfläche	Radius (1/c)	Dicke	Betriebsmodus
Objektebene	unendlich	591,532
M1	–6782,876	–530,662	REFL
M2	702,707	1026,755	REFL
Blende	unendlich	0,000
M3	217,303	–507,993	REFL
M4	776,996	1490,702	REFL
M5	–2014,188	–533,319	REFL
M6	791,740	603,252	REFL
Bildebene	unendlich	0,000

Oberfläche	K	A	B	C
M1	0,000000E+00	8,899437E–09	–1,356259E–12	2,954130E–15
M2	–3,639089E+00	1,110645E–09	–2,542191E–15	2,297600E–20
M3	1,390154E–01	–1,972567E–08	3,444974E–13	–7,400803E–17
M4	–2,088645E–02	–1,996767E–11	–3,060841E–17	–4,632700E–23
M5	–1,390893E+01	1,114680E–09	1,108176E–15	5,215888E–20
M6	1,112425E–01	6,540015E–11	8,340321E–17	2,310935E–22
Oberfläche	D	E	F	G
M1	–2,165883E–18	0,000000E+00	6,325365E–25	–1,919429E–28
M2	–1,439457E–24	9,400607E–29	–3,212860E–33	4,384528E–38
M3	9,862318E–21	–2,518066E–24	3,734400E–28	–2,241749E–32
M4	–5,236534E–29	–6,140963E–35	–6,134373E–40	8,521628E–46
M5	–1,658708E–24	7,482784E–29	–1,911769E–33	1,936176E–38
M6	–2,192695E–27	6,492849E–33	1,784557E–37	–1,082995E–42

Die Projektionsoptik 7 nach 5 hat insgesamt sechs Spiegel, die in der Reihenfolge des Strahlengangs, ausgehend von der Objektebene 5 von M1 bis M6 durchnumeriert sind.
Eine erste Spiegelgruppe 24 umfasst bei der Projektionsoptik 7 nach 5 lediglich zwei Spiegel, nämlich die Spiegel M1 und M2. Der Spiegel M1 wird nahezu on-axis betrieben und der Spiegel M2 off-axis. Die nachfolgenden Spiegel M3 bis M6 entsprechen hinsichtlich ihrer Anordnung und Funktion den Spiegeln M5 bis M8 der Ausführungen nach den 2 bis 4.
Die Projektionsoptik 7 nach 5 hat eine numerische Apertur von 0,4.
Die Projektionsoptik 7 nach 5 hat eine positive Schnittweite der Eintrittspupille, also ab dem Objektfeld 4 zunächst konvergent verlaufende Hauptstrahlen 16. Der Spiegel M1 liegt im Bereich einer Eintrittspupillenebene 25 der Projektionsoptik 7. Zwischen den Spiegeln M2 und M3 liegt, ebenfalls etwa auf Höhe des Spiegels M1, auch die erste Zwischenbildebene 20.
Der Spiegel M1 ist in der Durchgangsöffnung 21 des Spiegels M4 angeordnet. Die Durchtrittsöffnung 21 des Spiegels M4 wird wiederum, ähnlich wie beim Spiegel M6 bei der Ausführung nach 3, im Dreifachdurchlauf betrieben.
Der viertletzte Spiegel M3, der mit seinem äußeren Rand 22 wiederum die Pupillenobskuration der Projektionsoptik 7 nach 5 vorgibt, liegt im Bereich einer weiteren Pupillenebene 26 der Projektionsoptik 7 nach 5. Am Spiegel M3 kann daher eine Aperturblende der Projektionsoptik 7 nach 5 angebracht sein.
Der Abstand zwischen dem viertletzten Spiegel M3 und dem letzten Spiegel M6 beträgt bei der Ausführung nach 5 etwa 21,0% des Abstandes zwischen der Objektebene 5 und der Bildebene 9. Ein Abstand der Zwischenbildebene 23 zur Bildebene 9 beträgt etwa das 0,74-fache des Abstandes des letzten Spiegels M6 im Strahlengang zur Bildebene 9.
Die Projektionsoptik 7 nach 5 hat einen maximalen Wellenfrontfehler (rms) von 0,4 nm. Die maximale Verzeichnung beträgt 0,3 nm. Die Pupillenobskuration beträgt 17,6%.
6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Projektionsoptik 7. Komponenten sowie Einzelheiten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.

Die optischen Daten der Projektionsoptik 7 nach 6 werden nachfolgend anhand zweier Tabellen wiedergegeben, die vom Aufbau her den Tabellen zur 2 entsprechen.

Oberfläche	Radius (1/c)	Dicke	Betriebsmodus
Objektebene	unendlich	683,665
M1	–694,834	–271,324	REFL
M2	–411,527	1372,036	REFL
M3	346,281	–1100,613	REFL
M4	1469,502	2005,780	REFL
M5	–722,731	–41,563	REFL
Blende	unendlich	–272,149
M6	544,465	370,467	REFL
Bildebene	unendlich	0,000

Oberfläche	K	A	B	C
M1	7,396949E–03	–8,591818E–11	2,958631E–15	–1,515085E–19
M2	–4,696303E–01	–1,639186E–09	–1,894486E–14	–4,136066E–18
M3	–5,224549E–01	–2,010111E–09	–1,293006E–14	–2,918315E–200
M4	–3,021297E–02	9,250522E–14	5,057734E–20	4,887335E–28
M5	–3,126684E+00	2,153833E–09	1,799694E–14	–1,892202E–20
M6	6,984230E–01	–1,682769E–10	–1,422157E–15	1,234832E–20
Oberfläche	D	E	F	G
M1	4,091038E–24	–5,790509E–29	3,296826E–34	8,178384E–41
M2	1,255234E–21	–1,379809E–25	5,435466E–30	–4,566966E–36
M3	1,475407E–23	–5,835055E–28	1,288505E–32	–3,671165E–37
M4	4,320243E–35	4,670696E–39	–4,109431E–45	2,963010E–51
M5	–6,296522E–25	2,964336E–29	6,191151E–34	–1,998284E–38
M6	–1,683381E–25	8,658821E–31	–3,676860E–36	–5,905802E–41

Die Projektionsoptik 7 nach 6 ist wie diejenige nach 5 ein Sechs-Spiegel-System.
Die erste Spiegelgruppe 24 umfasst auch hier lediglich die Spiegel M1 und M2. Beide Spiegel M1 und M2 werden off-axis betrieben.
Der Spiegel M1 ist benachbart zur Durchtrittsöffnung 21 des Spiegels M4 angeordnet. Diese Anordnung ist so, dass die Durchtrittsöffnung 21 des Spiegels M4 nur im Einfachdurchlauf für die Strahlung zwischen den Spiegeln M2 und M3 betrieben wird.
Die Projektionsoptik 7 nach 6 hat nur eine einzige Zwischenbildebene 27, die, wie die Zwischenbildebenen 23 bei den Ausführungen nach den 2 bis 5, räumlich zwischen dem letzten Spiegel im Strahlengang, also dem Spiegel M6, und der Bildebene 9 angeordnet ist.
Trotz der Tatsache, dass die Durchtrittsöffnung 21 des Spiegels M4 von einem Strahlenbündel durchtreten wird, welches dort keinen Fokus, also einen relativ großen Durchmesser hat, durchtreten wird, ist auch bei der Ausführung nach 6 der viertletzte Spiegel M3 derjenige, der mit seinem äußeren Rand 22 die Pupillenobskuration der Projektionsoptik 7 vorgibt.
Die Projektionsoptik 7 nach 6 hat eine numerische Apertur von 0,55.
Ein Abstand zwischen dem viertletzten Spiegel M3 und dem letzten Spiegel M6 beträgt bei der Ausführung der Projektionsoptik 7 nach 6 etwa 22% des Abstandes der Objektebene 5 von der Bildebene 9. Ein Abstand der Zwischenbildebene 23 zur Bildebene 9 beträgt etwa das 0,8-fache des Abstandes des letzten Spiegels M6 im Strahlengang zur Bildebene 9.
Die Projektionsoptik 7 nach 6 hat einen maximalen Wellenfrontfehler (rms) von 1,4 nm. Die maximale Verzeichnung beträgt 1,4 nm. Die Pupillenobskuration beträgt 16,8%.
7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Projektionsoptik 7. Komponenten sowie Einzelheiten, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 5 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.

Die optischen Daten der Projektionsoptik 7 nach 7 werden nachfolgend anhand zweier Tabellen wiedergegeben, die vom Aufbau her den Tabellen zur 2 entsprechen.

Oberfläche	Radius (1/c)	Dicke	Betriebsmodus
Objektebene	unendlich	379,207
M1	–509,962	–179,207	REFL
M2	–318,440	1332,984	REFL
M3	343,817	–1093,195	REFL
M4	1475,059	2039,667	REFL
M5	–609,119	–28,006	REFL
Blende	unendlich	–281,138
M6	562,495	354,144	REFL
Bildebene	unendlich	0,000

Oberfläche	K	A	B	C
M1	1,484533E–01	–5,739623E–10	9,023124E–14	–7,365787E–18
M2	5,827688E–01	3,542976E–09	1,241138E–13	–3,596600E–17
M3	–1,284995E+00	–4,653305E–09	1,019610E–13	–3,037140E–18
M4	–4,865988E–02	–1,091347E–13	–6,628260E–21	–4,841711E–28
M5	–4,572713E+00	2,517019E–09	7,268687E–16	6,794125E–19
M6	8,759896E–01	1,726609E–10	–2,501863E–15	1,688202E–20
Oberfläche	D	E	F	G
M1	3,807256E–22	–1,215662E–26	2,193281E–31	–1,712891E–36
M2	9,673512E–21	–1,599535E–24	1,493641E–28	–5,987766E–33
M3	9,767861E–23	–2,436531E–27	3,766380E–32	–2,616614E–37
M4	–3,662658E–33	–1,445033E–38	1,208908E–44	–4,273745E–51
M5	–1,846769E–23	4,603723E–28	–6,890055E–33	4,664473E–38
M6	1,453398E–25	–6,794812E–30	8,060319E–35	–3,545269E–40

Auch die Projektionsoptik 7 nach 7 ist, wie die Ausführungen nach den 5 und 6, ein Sechs-Spiegel-System. Der Aufbau der ersten Spiegelgruppe 24 mit den Spiegeln M1 und M2 entspricht demjenigen der Ausführung nach 6. Auch die Ausführung nach 7 hat nur eine Zwischenbildebene, nämlich die Zwischenbildebene 27, die entsprechend derjenigen der Ausführung nach 6 angeordnet ist.
Die Projektionsoptik 7 nach 7 hat eine numerische Apertur von 0,60.
Ein Abstand zwischen dem viertletzten Spiegel M3 und dem letzten Spiegel M6 beträgt bei der Ausführung der Projektionsoptik 7 nach 7 etwa 25% des Abstandes der Objektebene 5 von der Bildebene 9. Ein Abstand der Zwischenbildebene 23 zur Bildebene 9 beträgt etwa das 0,8-fache des Abstandes des letzten Spiegels M6 im Strahlengang zur Bildebene 9.
Der maximale Wellenfrontfehler (rms) beträgt bei der Projektionsoptik 7 nach 7 0,7 nm. Die maximale Verzeichnung beträgt 0,3 nm. Die Pupillenobskuration beträgt 16,0%.
Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 10 bzw. das Retikel und das Substrat bzw. der Wafer 11 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikrostruktur auf dem Wafer 11 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- US 6750948 B2 [0002]
- US 2006/0232867 A1 [0002]
- EP 0267766 A2 [0002]
- US 7209286 B2 [0002]
- WO 2006/069725 A1 [0002]

Claims

Abbildende Optik (7) mit einer Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M8; M1 bis M6), die ein Objektfeld (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9) abbilden, wobei mindestens einer der Spiegel (M6, M7, M8; M4, M5, M6) eine Durchgangsöffnung (21) zum Durchtritt von Abbildungslicht (15) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die abbildende Optik (7) mindestens sechs Spiegel (M1 bis M8; M1 bis M6) aufweist, wobei ein im Strahlengang zwischen dem Objektfeld (4) und dem Bildfeld (8) viertletzter Spiegel (M5; M3) vor dem Bildfeld (8) keine Durchgangsöffnung aufweist und mit einem äußeren Rand (22) um seine optisch wirksame Reflexionsfläche eine zentrale Abschattung in einer Pupillenebene (17; 25, 26) der abbildenden Optik (7) vorgibt.
Abbildende Optik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der viertletzte Spiegel (M5; M3) als konvexer Spiegel ausgebildet ist.
Abbildende Optik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der viertletzte Spiegel (M5; M3) auf einer optischen Achse (19) der abbildenden Optik (7) liegt.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der viertletzte Spiegel (M3) im Bereich einer Pupillenebene (26) der abbildenden Optik (7) angeordnet ist.
Abbildende Optik (7) mit einer Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M8; M1 bis M6), die ein Objektfeld (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9) abbilden, wobei mindestens einer der Spiegel (M6, M7, M8; M4, M5, M6) eine Durchgangsöffnung (21) zum Durchtritt von Abbildungslicht (15) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die abbildende Optik (7) mindestens acht Spiegel (M1 bis M8; M1 bis M6) aufweist, wobei ein Abstand (M5 bis M8; M3 bis M6) zwischen einem im Strahlengang zwischen dem Objektfeld (4) und dem Bildfeld (8) viertletzten Spiegel (M5; M3) und einem letzten Spiegel (M8; M6) im Strahlengang mindestens 10% eines Abstandes zwischen dem Objektfeld (4) und dem Bildfeld (8) beträgt.
Abbildende Optik (7) mit einer Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M8; M1 bis M6), die ein Objektfeld (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9) abbilden, wobei mindestens drei der Spiegel (M6, M7, M8; M4, M5, M6) eine Durchgangsöffnung (21) zum Durchtritt von Abbildungslicht (15) aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass die abbildende Optik (7) mindestens sechs Spiegel (M1 bis M8; M1 bis M6) aufweist, wobei ein Abstand (M5 bis M8; M3 bis M6) zwischen einem im Strahlengang zwischen dem Objektfeld (4) und dem Bildfeld (8) viertletzten Spiegel (M5; M3) und einem letzten Spiegel (M8; M6) im Strahlengang mindestens 10% eines Abstandes zwischen dem Objektfeld (4) und dem Bildfeld (8) beträgt.
Abbildende Optik (7) mit einer Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M8; M1 bis M6), die ein Objektfeld (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9) abbilden, wobei mindestens einer der Spiegel (M6 bis M8; M4 bis M6) eine Durchgangsöffnung (21) zum Durchtritt von Abbildungslicht (15) aufweist, wobei zwischen der Objektebene (5) und der Bildebene (9) mindestens eine Zwischenbildebene (20, 23; 27) vorliegt, dadurch gekennzeichnet, dass diejenige Zwischenbildebene (23; 27), die der Bildebene (9) im Strahlengang zwischen dem Objektfeld (4) und dem Bildfeld (8) nächst benachbart ist, räumlich zwischen dem letzten Spiegel (M8; M6) im Strahlengang und der Bildebene (9) angeordnet ist.
Abbildende Optik (7) nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein Abstand der Zwischenbildebene (23; 27) zur Bildebene (9) höchsten das 0,95-fache des Abstandes des letzten Spiegels (M8; M6) im Strahlengang zur Bildebene (9) beträgt.
Abbildende Optik (7) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch eine numerische Apertur von mindestens 0,4 bevorzugt von mindestens 0,5, noch mehr bevorzugt von mindestens 0,6, noch mehr bevorzugt von mindestens 0,9.
Abbildende katoptrische Optik (7) mit weniger als zehn Spiegeln (M1 bis M8), die ein Objektfeld (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9) abbilden, gekennzeichnet durch eine numerische Apertur von ≤ 0,7.
Abbildende Optik (7) nach Anspruch 10 mit genau acht Spiegeln (M1 bis M8) und einer numerischen Apertur von 0,9.
Abbildende Optik (7) nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 11.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 12, gekennzeichnet durch einen maximalen Wellenfrontfehler im quadratischen Mittel (rms) von weniger als 10 nm, bevorzugt von weniger als 5 nm, noch mehr bevorzugt von weniger als 2 nm, noch mehr bevorzugt von weniger als 1 nm, noch mehr bevorzugt von weniger als 0,5 nm.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 13, gekennzeichnet durch eine maximale Verzeichnung von 10 nm, bevorzugt von weniger als 5 nm, noch mehr bevorzugt von weniger als 2 nm, noch mehr bevorzugt von weniger 1 nm, noch mehr bevorzugt von weniger als 0,5 nm.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 14, gekennzeichnet durch eine Pupillenobskuration von weniger als 20%, bevorzugt von weniger als 15%, noch mehr bevorzugt von weniger als 10%.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Bildebene (9) parallel zur Objektebene (5) angeordnet ist.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Bildfeld (8) größer ist als 1 mm².
Abbildende Optik nach Anspruch 17, gekennzeichnet durch ein rechteckiges oder bogenförmiges Bildfeld (8) mit den Seitenlangen 1 mm und 13 mm.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 18, gekennzeichnet durch einen verkleinernden Abbildungsmaßstab von 8.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 19, gekennzeichnet durch eine ungerade Anzahl von eine Durchgangsöffnung (21) zum Durchtritt von Abbildungslicht (15) aufweisenden Spiegeln (M6 bis M8; M4 bis M6).
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Zwischenbildebene (20) in die Nähe einer Pupillenebene (25) der abbildenden Optik (7) gefaltet ist, insbesondere mit dieser zusammenfällt.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass Hauptstrahlen (16) zu benachbarten Feldpunkten im Strahlengang ab dem Objektfeld (4) bis zum ersten Spiegel (M1) divergent verlaufen.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die abbildende Optik genau sechs Spiegel (M1 bis M6) und genau zwei Zwischenbildebenen (20, 23) aufweist.
Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie – mit einer abbildenden Optik (7) nach einem der Ansprüche 1 bis 23 – mit einer Lichtquelle (2) für das Beleuchtungs- und Abbildungslicht (3), – mit einer Beleuchtungsoptik (6) zur Führung des Beleuchtungslichts (3) hin zum Objektfeld (4) der abbildenden Optik (7).
Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle (2) zur Erzeugung von Beleuchtungslicht (3) mit einer Wellenlänge zwischen 10 und 30 nm ausgebildet ist.
Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Retikels (10) und eines Wafers (11), – Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (10) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (11) mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 24 oder 25, – Erzeugen einer Mikrostruktur auf dem Wafer (11).
Mikrostrukturiertes Bauelement, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 26.