DE102019204345A1

DE102019204345A1 - Verfahren zum herstellen eines optischen elements

Info

Publication number: DE102019204345A1
Application number: DE102019204345.3A
Authority: DE
Inventors: Patric Büchele; Florian Ahles
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2019-03-28
Filing date: 2019-03-28
Publication date: 2019-05-23

Abstract

Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements (1), insbesondere eine Linse oder einen Spiegel für ein optisches System für eine Lithographieanlage (100A, 100B), umfasst:
a) Bereitstellen eines Glassubstrats (10) mit einer optisch wirksamen Oberfläche (12), und
b) Bestrahlen einer Teilfläche (14) der optisch wirksamen Oberfläche (12) des Glassubstrats (10) mit einem Strahl (30) umfassend Ionen, Elektronen, Neutronen und/oder Photonen, wobei durch das Bestrahlen ein Verlauf des Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) als Funktion der Temperatur in einem unter der Teilfläche (14) liegenden Teilvolumen (16) des Glassubstrats (10) gezielt eingestellt wird.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements.
Optische Elemente aus Gläsern mit einem geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten finden insbesondere bei Technologien Anwendung, bei denen eine hohe Präzision über einen breiten Temperaturbereich erwünscht ist. Ein Beispiel hierfür ist eine Projektionsoptik bei Lithographieanlagen. Aufgrund von Lichtabsorption in den optischen Elementen während einer Belichtung kommt es zu einer Erwärmung. Dies kann bei unterschiedlichem Wärmeausdehnungskoeffizienten zu unterschiedlichen Ausdehnungen in dem optischen Element und zu einer Deformation des optischen Elements führen. Eine Abbildungsleistung des optischen Elements kann hierdurch reduziert sein.
Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Aus DE 2011 084 117 A1 , DE 10 2014 225 197 A1 sowie WO 2017/148577 A1 sind Verfahren sowie Vorrichtungen bekannt, bei denen mittels Bestrahlens eines optischen Elements die optischen Eigenschaften des optischen Elements verändert werden.
Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements vorzuschlagen.
Demgemäß wird ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements, insbesondere eine Linse oder einen Spiegel für ein optisches System für eine Lithographieanlage, vorgeschlagen. In einem ersten Schritt wird ein Glassubstrat mit einer optisch wirksamen Oberfläche bereitgestellt. In einem zweiten Schritt wird eine Teilfläche der optisch wirksamen Oberfläche des Glassubstrats mit einem Strahl umfassend Ionen, Elektronen, Neutronen und/oder Photonen bestrahlt. Durch das Bestrahlen wird ein Verlauf des Wärmeausdehnungskoeffizienten als Funktion der Temperatur in einem unter der Teilfläche liegenden Teilvolumen des Glassubstrats gezielt eingestellt.
Durch das Bestrahlen des Glassubstrats lassen sich gezielt bestimmte Änderungen in dem Glassubstrat erwirken, wie beispielsweise eine Veränderung der Glasstruktur oder Kristallstruktur. Hierdurch wird das Glas beispielsweise kompaktiert, das heißt, die Dichte wird erhöht. Insbesondere lassen sich hierdurch bestimmte thermische Eigenschaften des Glassubstrats anpassen. Ein nach diesem Verfahren hergestelltes optisches Element hat daher vorteilhafte thermische Eigenschaften, die sich speziell für die zukünftige Anwendung des optischen Elements, beispielsweise in einem optischen System wie in einer Lithographieanlage, anpassen lassen.
Unter dem Bereitstellen des Glassubstrats werden vorliegend alle Bearbeitungsschritte zusammengefasst, die zum Herstellen des optischen Elements durchgeführt werden, mit Ausnahme des Bestrahlens. Dies umfasst beispielsweise ein Gießen eines Glaskörpers, ein Aussägen eines Glaskörpers, ein Schleifen eines Glaskörpers, ein Polieren eines Glaskörpers und/oder ein Beschichten eines Glaskörpers. Das bereitgestellte Glassubstrat hat vorzugsweise alle mechanischen Bearbeitungsschritte durchlaufen, wenn es zum Bestrahlen kommt. Das Glassubstrat kann auch bereits bestimmte Beschichtungen, wie beispielsweise Schutzschichten, Antireflexschichten und/oder reflektierende Beschichtungen, insbesondere metallische Beschichtungen, aufweisen, insbesondere auf der optisch wirksamen Oberfläche, wenn es zum Bestrahlen kommt. Das Glassubstrat kann insbesondere ein fertiges optisches Element darstellen, das bei bestimmten Anwendungen auch ohne das Bestrahlen verwendet werden kann. Das Bestrahlen ist insofern ein weiterer Verarbeitungsschritt, der zu einer Veredelung des optischen Elements führt.
Das Bestrahlen mit dem Strahl wird vorliegend so durchgeführt, dass die optisch wirksame Oberfläche des Glassubstrats mit dem Strahl an bestimmten Stellen, mit einem bestimmten Strahl, und/oder mit bestimmten Strahlparametern bestrahlt wird. Die Auswahl dieser Parameter des Bestrahlens hängt beispielsweise von den zu erzielenden Eigenschaften des Teilvolumens des Glassubstrats und den vorhandenen Eigenschaften vor dem Bestrahlen ab. Die vorhandenen Eigenschaften lassen sich beispielsweise mittels verschiedener Messmethoden ermitteln.
Die optisch wirksame Oberfläche des Glassubstrats ist bei einem Spiegel insbesondere die reflektierende Vorderseite. Bei einer Linse, die ein transmissives optisches Element ist, sind beide Seiten, das heißt sowohl eine Eintrittsseite als auch eine Austrittsseite, optisch wirksame Oberflächen. Bei Linsen kann daher sowohl eine Vorderseite als auch eine Rückseite mittels Bestrahlens behandelt werden.
Die Teilfläche kann insbesondere auch die gesamte optisch wirksame Oberfläche des Glassubstrats umfassen.
Der Strahl kann geladene Teilchen wie Elektronen oder Ionen, neutrale Teilchen wie Neutronen, oder auch Photonen umfassen. Vorliegend werden diese alle als Teilchen oder Teilchensorte bezeichnet. Bevorzugt umfasst der Strahl genau eine bestimmte dieser Teilchensorten. Hierunter ist zu verstehen, dass der Strahl hauptsächlich die bestimmte Teilchensorte aufweist, dass also beispielsweise 99% der Teilchen der bestimmten Teilchensorte entsprechen.
Ionen umfassen sowohl positiv geladene als auch negativ geladene Ionen. Vorzugsweise werden Edelgasionen verwendet, da diese chemisch Inert sind und keine chemischen Bindungen eingehen. Daher diffundieren in das Glassubstrat eingebrachte Edelgasionen nach dem Bestrahlen aus dem Glassubstrat heraus.
Sofern der Strahl aus geladenen Teilchen besteht, weist das Glassubstrat auf der optisch wirksamen Oberfläche vorzugsweise eine elektrisch leitende Beschichtung auf, um eine elektrostatische Aufladung der Oberfläche zu vermeiden, welche die geladenen Teilchen des Strahls beeinflussen, insbesondere ablenken, könnte.
Der Teilchenstrahl dringt in das Glassubstrat ein. In Abhängigkeit der Teilchensorte sowie deren Energie finden verschiedene Wechselwirkungen zwischen den einzelnen Teilchen im Strahl und den Atomen im Glassubstrat statt. Durch die Wechselwirkung werden die Teilchen des Strahls abgebremst, weshalb deren Energie mit zunehmender Eindringtiefe geringer wird, was sich wiederum auf die stattfindenden Prozesse auswirkt. Auf diese Weise wird ein begrenztes Volumen durch den Strahl bearbeitet oder beeinflusst, das hier als Teilvolumen bezeichnet ist. Das Teilvolumen hängt beispielsweise auch von einem Einstrahlwinkel des Strahls ab. Das Teilvolumen oder die Eindringtiefe des Strahls lassen sich nicht ganz exakt bestimmen, da es sich bei den genannten physikalischen Vorgängen um statistische Prozesse handelt. Unter der Eindringtiefe wird beispielsweise ein Abstand zu der Oberfläche verstanden, an dem eine Strahlintensität auf einen Wert von 1/e oder auch auf 10% abgefallen ist. Unter der Strahlintensität wird insbesondere eine Anzahl von Teilchen pro Zeiteinheit und pro Flächeneinheit verstanden. Insofern ist ein unscharfer Übergang zwischen dem Teilvolumen und dem restlichen Volumen des Glassubstrats vorhanden.
Durch das Bestrahlen wird vorzugsweise eine Veränderung der Glasstruktur, wie beispielsweise eine Änderung von einer sechsgliedrigen Tetraederstruktur zu einer dreigliedrigen Tetraederstruktur erreicht. Durch die Wechselwirkung der Teilchen des Strahls mit den Atomen im Glas kommt es zu einem Energieübertrag auf die letzteren, weshalb beispielsweise schwache Bindungen aufgebrochen und durch stärkere Bindungen ersetzt werden können. Dies kann zu einer Erhöhung einer Gitterenergie führen, die Auswirkungen auf die thermischen Eigenschaften hat.
Durch das Bestrahlen wird ein Verlauf des Wärmeausdehnungskoeffizienten als Funktion der Temperatur in dem Teilvolumen gezielt eingestellt. Der Wärmeausdehnungskoeffizient eines Materials ist beispielsweise abhängig von der Temperatur. Eine Auftragung des Wärmeausdehnungskoeffizienten, der auch als CTE bezeichnet werden kann (von engl. coeffident of thermal expansion), als Funktion der Temperatur wird im Folgenden auch als CTE-Kurve bezeichnet. Es kann auch CTE(T) geschrieben werden. „Funktion“ ist hier allgemein als Abhängigkeitsverhältnis des Wärmeausdehnungskoeffizienten von der Temperatur und nicht notwendigerweise als mathematische Funktion zu verstehen. Durch das Bestrahlen kann erreicht werden, dass der Wärmeausdehnungskoeffizient in einem bestimmten Temperaturbereich, vorzugsweise in einem Bereich von 20°K über und unter einer vorbestimmten Betriebstemperatur, die beispielsweise 35°C ist, nur sehr kleine Werte und auch keine starken Änderungen, insbesondere keine plötzlichen Änderungen (Stufen), aufweist.
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens liegt eine Strahlenergie des Strahls im Bereich zwischen 10 keV bis 20 MeV.
Unter der Strahlenergie wird vorliegend verstanden, dass ein jeweiliges Teilchen des Strahls die entsprechende Energie aufweist. Elektronen sowie Ionen werden beispielsweise beim Durchlaufen einer Beschleunigungsspannung von 10 kV auf eine Energie von 10 keV beschleunigt. Die Strahlenergie hat einen hohen Einfluss auf eine Eindringtiefe des Strahls in das Glassubstrat sowie auf die dabei ablaufenden physikalischen Prozesse. Für Elektronen lässt sich die Eindringtiefe annähernd mittels der Bethe-Bloch-Gleichung beschreiben.
Bei Elektronen ist eine Energie von wenigstens 60 keV vorteilhaft, da bei dieser Energie Atome des Glassubstrats aus ihrer Position gedrängt werden können, weshalb der Prozess besonders effektiv wird.
Um das Bestrahlen gut kontrollieren zu können, weist der Strahl vorzugsweise eine enge Energieverteilung auf. Das heißt, der Strahl enthält nur Teilchen mit einer Energie in einem vorgegebenen Intervall, beispielsweise 100 keV - 110 keV. Man kann auch sagen, der Strahl ist monochromatisch.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Glassubstrat ein Glas mit geringem Wärmeausdehnungskoeffizienten, insbesondere ein Titanium-Silicatglas. Der Wärmeausdehnungskoeffizient weist in einem bestimmten Temperaturbereich einen Wert kleiner als 10^-8 1/K, bevorzugt kleiner als 10^-9 1/K, auf.
Vorliegend wird unter einem geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten verstanden, dass dieser einen Wert von weniger als 10^-7 1/K, vorzugsweise weniger als 10^-8 1/K, in einem Bereich von beispielsweise -50°C bis 100°C aufweist. Mathematisch kann man dies beispielsweise so ausdrücken: CTE(T) ≤ 10^-8 1/K für T ∈ [223 K, 373 K]. Das heißt, dass eine Längenänderung des Glassubstrats bezogen auf eine Gesamtlänge des Glassubstrats bei einer Änderung der Temperatur um 1°K weniger als 10^-8 ist. Bei einem Glassubstrat mit einer Länge von 10 cm entspricht dies einer maximalen Längenänderung von 1 nm/K.
Titanium-Silicatglas ist ein Glas mit einem geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der insbesondere geringer als 10^-9 1/K ist. Weitere Beispiele umfassen fused silica, Glaskeramik, low expansion SiO₂ , Zerodur® sowie ULE®.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens ist das Teilvolumen in Abhängigkeit der Strahlenergie, der Teilchen in dem Strahl und einem Einstrahlwinkel des Strahls in einem Bereich von bis zu 10 mm, bevorzugt zwischen 1 µm bis 1 mm, unter der optisch wirksamen Oberfläche angeordnet.
Die Lage des Teilvolumens wird außer von der Strahlenergie und der Teilchensorte auch von dem Einstrahlwinkel des Strahls auf die Oberfläche bestimmt, was ein rein geometrischer Effekt ist. Durch Anpassung des Einstrahlwinkels von einem senkrechten Einfall hin zu einem schrägen Einfall lässt sich insbesondere eine geringere Bearbeitungstiefe realisieren, was vorteilhaft sein kann.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird durch das Bestrahlen der Teilfläche eine Nulldurchgangstemperatur des Wärmeausdehnungskoeffizienten in dem Teilvolumen des Glassubstrats verschoben, insbesondere zu einem Wert von (35 +/- 0,5)°C verschoben.
Die Nulldurchgangstemperatur ist eine Temperatur, bei der die CTE-Kurve den Wert Null aufweist. Die Nulldurchgangstemperatur wird auch als TZC (von engl. temperature of zero crossing) bezeichnet. Die CTE-Kurve kann bei der TZC ein Minimum aufweisen, wobei der CTE dann beiderseits der TZC positive Werte aufweist, der Gradient (bezogen auf eine Erhöhung der Temperatur) der CTE-Kurve aber unterhalb des TZC negativ und oberhalb des TZC positiv ist. Der CTE kann aber auch von der TZC einen negativen Wert und oberhalb der TZC einen positiven Wert (oder umgekehrt) aufweisen, wobei der Gradient der CTE-Kurve dann beiderseits der TZC das gleiche Vorzeichen hat. Das Vorzeichen des Gradienten zeigt an, ob sich das Teilvolumen bei einer Temperaturänderung ausdehnt oder zusammenzieht. Bei positivem Gradienten dehnt sich das Teilvolumen bei Temperaturerhöhung aus und zieht sich bei Temperaturreduzierung zusammen. Bei negativem Gradienten ist der Zusammenhang umgekehrt.
Eine Einstellung der TZC auf einen bestimmten Wert ist vorteilhaft, da sich hierdurch ein optimaler Betriebspunkt erreichen lässt. Im Bereich der TZC ist der Gradient der CTE-Kurve insbesondere vergleichsweise gering, insbesondere, wenn der TZC im Bereich eines Minimums der CTE-Kurve liegt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird durch das Bestrahlen der Teilfläche ein Gradient des Wärmeausdehnungskoeffizienten in einem bestimmten Temperaturbereich, vorzugsweise in einem Bereich von 10°K über und unter der Nulldurchgangstemperatur, in dem Teilvolumen des Glassubstrats reduziert. Insbesondere weist der Gradient nach dem Bestrahlen einen Wert geringer als 0,15 ·10^-91/K² auf.
Diese Ausführungsform hat den Vorteil, dass Längen- oder Volumenänderungen mit einer Temperaturänderung sehr gering sind. Der Gradient ist vorliegend beispielsweise als die Ableitung der CTE-Kurve mit Bezug auf die Temperatur gegeben, ∂CTE(T)/∂T. Die geometrische Form der optisch wirksamen Oberfläche des Glassubstrats ist daher in dem bestimmten Temperaturbereich unempfindlich gegen Temperaturschwankungen. Damit können insbesondere optische Eigenschaften, wie ein Brennpunkt einer gekrümmten Oberfläche, mit einer höhen Güte erreicht werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses ferner ein Bestimmen einer Bestrahlungsdosis für einen Abschnitt der optisch wirksamen Oberfläche, insbesondere aus einem Bereich von 0-10 J/mm², und ein Anpassen einer Strahlintensität in Abhängigkeit der bestimmten Bestrahlungsdosis und/oder ein Anpassen einer Bestrahlungsdauer des Abschnitts in Abhängigkeit der bestimmten Bestrahlungsdosis.
Der Abschnitt der optisch wirksamen Oberfläche kann die gesamte Teilfläche oder auch nur einen Teil der Teilfläche umfassen.
Die Bestrahlungsdosis hat beispielsweise die Einheit einer Energie pro Fläche, J/mm², und kann auch als Gesamtbestrahlungsenergie bezeichnet werden. Die Bestrahlungsdosis kann sich auch auf ein bestimmtes Strahlenergieintervall beziehen. Die Bestrahlungsdosis lässt sich beispielsweise aus der Strahlintensität multipliziert mit der Bestrahlungsdauer und einem Strahldurchmesser geteilt durch eine Fläche des Abschnitts ermitteln.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der Strahl zum Bestrahlen geformt, insbesondere fokussiert.
Durch die Fokussierung kann insbesondere eine Erhöhung der Strahlintensität erzielt werden. Weiterhin kann durch die Strahlformung eine Dispersion des Strahls, das heißt eine Aufweitung pro Länge, eingestellt werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der Strahl bei dem Bestrahlen entlang einem vorbestimmten, ununterbrochenen Pfad über die Teilfläche geführt.
Beispielsweise wird der Strahl Zeile für Zeile, entlang einer Mäanderbahn oder auch entlang einer an dem Umfang der Teilfläche orientierten, sich verjüngenden Bahn, wie beispielsweise schneckenförmig, über die Teilfläche geführt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses ferner eine Erfassen eines Messwerts der optisch wirksamen Oberfläche, ein Bestimmen der zu bestrahlenden Teilfläche der optisch wirksamen Oberfläche in Abhängigkeit des Messwerts, und ein Bestrahlen der bestimmten Teilfläche.
Der Messwert ist beispielsweise ein Höhenprofil der optisch wirksamen Oberfläche, das beispielsweise mittels eines Interferogramms erfasst wird.
Diese Ausführungsform hat den Vorteil, dass die zu bestrahlende Teilfläche sehr exakt bestimmt werden kann.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses ferner ein Ermitteln von Bestrahlungsparametern des Bestrahlens in Abhängigkeit des Messwerts, und ein Bestrahlen der bestimmten Teilfläche in Abhängigkeit der ermittelten Bestrahlungsparameter.
Bestrahlungsparameter umfassen die Teilchensorte des Strahls, die Strahlenergie, den Einstrahlwinkel, die Strahlintensität, die Strahldispersion, die Bestrahlungsdosis, die Bestrahlungsdauer und dergleichen mehr.
Diese Ausführungsform ist vorteilhaft, weil sich durch die Bestrahlung eine sehr gezielte Veränderung der thermischen Eigenschaften in dem Teilvolumen erreichen lässt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens weist die optisch wirksame Oberfläche nach dem Bestrahlen bei einer vorbestimmten Temperatur, insbesondere in einem Bereich von 30°C - 40°C, eine Flachheit von besser als RMS ≤ 0,4 nm, bevorzugt RMS ≤ 0,1 nm, auf.
„RMS“ steht hierbei für „root mean square“. Ein RMS-Wert bezüglich der Flachheit einer Oberfläche lässt sich beispielsweise wie folgt ermitteln: Zunächst wird ein Höhenprofil der Oberfläche ermittelt, beispielsweise wird ein Interferogramm erstellt. Das ermittelte Höhenprofil wird anschließend mit einer mathematischen Idealform der Oberfläche verglichen. Beispielweise wird die ideale Höhe eines jeden Punkts der Oberfläche von der ermittelten Höhe des Punkts abgezogen. So erhält man die Abweichung eines jeden Punkts der Oberfläche von dem idealen Wert. Anschließend wird ein Mittelwert der quadrierten Abweichungswerte gebildet, von dem zuletzt die Quadratwurzel ermittelt wird. Damit erhält man den RMS der Oberfläche in Bezug zu der Idealform der Oberfläche. Eine mathematisch perfekte Ebene hat beispielsweise einen Wert von RMS = 0.
Ein RMS-Wert lässt sich beispielsweise gemäß Gleichung (1) berechnen. $RMS = {[\sum {(x_{i} - x_{i,0})}^{2} / n]}^{1 / 2}$
In Gleichung (1) steht x_i für den gemessenen Wert, beispielsweise dem Höhenwert am Punkt i, x_i,0 steht für den Sollwert oder den idealen Wert an dem Punkt i, die Summe ist über alle n Punkte zu berechnen, also von i=0 bis i=n. Der RMS-Wert kann auch mit einem anderen Gewicht berechnet werden, also beispielsweise nicht der einfachen Differenz zwischen Sollwert und Istwert.
Ein nach diesem Verfahren oder einer der Ausführungsformen hergestelltes optisches Element ist besonders vorteilhaft in optischen Systemen einzusetzen, die eine sehr hohe optische Güte aufweisen müssen und zudem Temperaturschwankungen ausgesetzt sein können. Dies ist beispielsweise bei Lithographieanlagen, insbesondere EUV-Lithographieanlagen, der Fall. Auch optische Elemente in der Nachrichtentechnik oder Forschungsinstrumente, wie Teleskope, können von einem solchen optischen Element profitieren.
Bei einer EUV-Lithographieanlage kommt beispielsweise Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm zum Einsatz, weshalb zur Abbildung der Photomaske auf dem Chip reflektive optische Systeme zum Einsatz kommen. Aufgrund einer Reflektivität von ca. 70% der optischen Elemente wird ein Teil der EUV-Strahlung von den optischen Elementen absorbiert, was zu Temperaturänderungen in dem optischen Element führt. Dies kann zu lokalen Deformationen führen, was sich nachteilig auf die optische Güte des optischen Elements und damit auf eine Auflösung der Lithographieanlage auswirken kann. Durch die Verwendung eines optischen Elements, das gemäß dem vorbeschriebenen Verfahren hergestellt wurde, lässt sich dieser Effekt reduzieren, so dass eine Auflösung erhöht sein kann. Weiterhin kann eine Effizienz der Lithographieanlage gesteigert werden, da das optische Element in einem größeren Temperaturintervall die geforderte optische Güte aufweist. Pausen zwischen einzelnen Belichtungsvorgängen können daher reduziert oder weggelassen werden.
„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteilige angegeben ist.
Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

1 zeigt einen schematischen Querschnitt eines beispielhaften optischen Elements während einem Bestrahlen;
2 zeigt ein schematisches Diagramm eines Bestrahlens mit unterschiedlichen Strahlparametern;
3 zeigt ein beispielhaftes Diagramm von drei CTE-Kurven;
4 zeigt ein beispielhaftes Diagramm mit drei Kurven, die eine relative Ausdehnung von drei verschiedenen optischen Elementen als Funktion der Temperatur darstellen;
5A zeigt einen schematischen Querschnitt eines zweiten beispielhaften optischen Elements bei Raumtemperatur;
5B zeigt einen schematischen Querschnitt des zweiten beispielhaften optischen Elements bei Betriebstemperatur;
6A - 6C zeigen einen schematischen Querschnitt eines dritten beispielhaften optischen Elements vor dem Bestrahlen bei drei verschiedenen Temperaturen;
6D - 6F zeigen einen schematischen Querschnitt des dritten beispielhaften optischen Elements nach dem Bestrahlen bei den drei unterschiedlichen Temperaturen;
7A zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer EUV-Lithographieanlage; und
7B zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform einer DUV-Lithographieanlage.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.
1 zeigt einen schematischen Querschnitt eines beispielhaften optischen Elements 1 während einem Bestrahlen. Das optische Element 1 ist als ein Spiegel ausgebildet. Der Spiegel 1 umfasst ein Glassubstrat 10, das Titanium-Silicatglas umfasst. Das Glassubstrat 10 weist eine gekrümmte Oberfläche auf, die hier als die optisch wirksame Oberfläche 12 bezeichnet wird. Auf der optisch wirksamen Oberfläche 12 ist beispielsweise eine nicht dargestellte, hoch reflektive metallische Beschichtung aufgebracht.
Das optische Element 1 befindet sich gerade in dem letzten Bearbeitungsschritt des Herstellungsverfahrens. Dieser ist das Bestrahlen einer Teilfläche 14 der optisch wirksamen Oberfläche 12. Hierfür ist das optische Element 1 unterhalb einer hier nicht näher ausgeführten Vorrichtung zum Erzeugen eines Strahls 30 angeordnet. Die Vorrichtung umfasst zumindest eine Strahlquelle 40 und in diesem Beispiel zwei Strahlformungseinrichtungen 50, die den Strahl 30 fokussieren und/oder umlenken. Die Vorrichtung ist dazu eingerichtet, alle relevanten Strahlparameter, wie Teilchensorte, Energie, Intensität und/oder Richtung, einzustellen. In diesem Beispiel handelt es sich bei dem Strahl 30 beispielsweise um einen Elektronenstrahl, der mit einer Beschleunigungsspannung von 200 keV beschleunigt wurde.
Der Strahl 30 trifft unter einem bestimmten Einstrahlwinkel auf die Teilfläche 14 und dringt in das Volumen des Glassubstrats 10. Aufgrund verschiedener physikalischer Prozesse, insbesondere einer Wechselwirkung der Elektronen des Strahls 30 mit den Atomen des Glassubstrats, werden die Elektronen abgebremst. Dabei übertragen sie eine gewisse Energie auf die Atome des Glassubstrats 10. Der überwiegende Teil der Elektronen überträgt seine Energie in dem Teilvolumen 16, das einige µm unter der optisch wirksamen Oberfläche 12 beginnt und sich beispielsweise bis 50 µm in das Glassubstrat 10 hinein erstreckt.
Das Teilvolumen 16 wird daher durch den Strahl 30 bearbeitet. Strahlparameter und weitere Bestrahlungsparameter sind dabei insbesondere derart gewählt, dass die thermischen Eigenschaften des Teilvolumens 16 durch das Bestrahlen in vorteilhafter Weise verändert werden.
2 zeigt ein schematisches Diagramm eines Bestrahlens eines Glassubstrats 10 mit Strahlen 30, die unterschiedliche Strahlparameter aufweisen. Es handelt sich hierbei beispielsweise um einen Elektronenstrahl, dessen Strahlenergie beispielsweise durch eine Beschleunigungsspannung bestimmt ist. Das Eindringprofil des Elektronenstrahls kann als tröpfchenförmig oder als Bethe-Blochähnliches Eindringprofil bezeichnet werden, was schematisch dargestellt ist.
Links in der 2 ist das Bestrahlen einer Teilfläche 14 mit einem Strahl 30 bei senkrechtem Einstrahlwinkel und geringer Beschleunigungsspannung dargestellt. Das von dem Strahl 30 bearbeitete Teilvolumen 16 liegt daher sehr dicht unter der Teilfläche 14, beispielsweise in einem Bereich zwischen 1 µm - 10 µm.
In der Mitte der 2 ist das Bestrahlen einer anderen Teilfläche 14 mit einem Strahl 30 bei senkrechtem Einstrahlwinkel und hoher Beschleunigungsspannung dargestellt. Das von dem Strahl 30 bearbeitete Teilvolumen 16 erstreckt sich in daher deutlich tiefer in das Glassubstrat 10 hinein. Insbesondere kann ein Bereich, in dem eine stärkste Wirkung durch den Strahl 30 erzielt wird, deutlich tiefer in dem Glassubstrat 10 liegen, beispielsweise zwischen 40 µm - 50 µm unter der Oberfläche 12.
Rechts in der 2 ist das Bestrahlen einer weiteren Teilfläche 14 mit einem Strahl 30 bei schrägem Einstrahlwinkel und hoher Beschleunigungsspannung dargestellt. Das von dem Strahl 30 bearbeitete Teilvolumen 16 erstreckt sich aufgrund des schrägen Einfalls nicht so weit in das Glassubstrat 10 hinein, wie bei dem in der Mitte dargestellten Fall. Ein schräges Einstrahlen hat daher den Vorteil, dass mit einer hohen Strahlenergie gearbeitet werden kann, was eine schnellere Bearbeitung und/oder stärkere Effekte in dem Glassubstrat 10 ermöglicht, das bearbeitete Teilvolumen 16 aber auch sehr dicht unter der optisch wirksamen Oberfläche 12 gehalten werden kann, beispielsweise zwischen 1 µm - 10 µm.
3 zeigt ein beispielhaftes Diagramm von drei CTE-Kurven CTE1, CTE2 und CTE3. Die horizontale Achse des Diagramms zeigt eine Temperatur T, die vertikale Achse des Diagramms zeigt einen Wert des Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE. Die Kurve CTE1 zeigt beispielsweise den Verlauf CTE(T) eines unbearbeiteten Materials, beispielsweise eines Glassubstrats 10 vor dem Bestrahlen. Die Kurve CTE2 (gestrichelt dargestellt) zeigt beispielsweise den Verlauf CTE(T) eines Glassubstrats 10, bei dem der Gradient des Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE durch Bestrahlen verändert, insbesondere reduziert wurde. Die Kurve CTE2 verläuft daher flacher als die Kurve CTE1. Die Kurve CTE3 zeigt beispielsweise den Verlauf CTE(T) eines Glassubstrats 10, bei dem die Nulldurchgangstemperatur TZC des Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE durch Bestrahlen verändert, insbesondere erhöht wurde. Die Kurve CTE3 ist daher zu höheren Temperaturwerten verschoben.
4 zeigt ein beispielhaftes Diagramm mit drei Kurven L1, L2 und L3, die eine relative Ausdehnung dL/L von drei verschiedenen optischen Elementen 1 als Funktion der Temperatur T darstellen. Die Kurve L1 zeigt beispielsweise den Verlauf für ein optisches Element 1 vor einem Bestrahlen. Die Kurve L2 (gestrichelt dargestellt) zeigt beispielsweise den Verlauf für ein optisches Element 1, bei dem der Gradient des Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE angepasst, insbesondere verringert, wurde. Beispielsweise weist das optische Element einen Verlauf CTE(T) wie durch die Kurve CTE2 der 3 dargestellt auf. Die Kurve L3 zeigt beispielsweise den Verlauf für ein optisches Element 1, bei dem die Nulldurchgangstemperatur TZC des Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE angepasst, insbesondere erhöht, wurde.
5A zeigt einen schematischen Querschnitt eines zweiten beispielhaften optischen Elements 1 bei Raumtemperatur und 5B zeigt einen schematischen Querschnitt des optischen Elements 1 bei Betriebstemperatur. Das optische Element 1 soll bei Betriebstemperatur beispielsweise eine möglichst plane optisch wirksame Oberfläche 12 aufweisen. Vorliegend weist das optische Element 1 in einem Bereich 15 eine lokale Deformation auf, wenn das optische Element 1 Raumtemperatur aufweist. Durch Bestrahlen dieses Bereichs 15 wurde ein darunter liegendes Teilvolumen 16 bearbeitet. Durch das Bestrahlen wurde erreicht, dass das Teilvolumen 16 einen im Vergleich zu dem umliegenden Volumen des Glassubstrats 10 höheren Gradienten des Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE aufweist. Daher ist eine Ausdehnung des Teilvolumens 16 bei Erwärmung des optischen Elements 1 höher als um das Teilvolumen 16 herum. Wie in 5B dargestellt, ergibt sich damit bei Betriebstemperatur eine ausgeglichene, insbesondere besonders plane, optisch wirksame Oberfläche 12. Die optische Güte des optischen Elements 1 bei Betriebstemperatur konnte daher durch das Bestrahlen erhöht werden. Der gezeigte Effekt kann beispielsweise auch durch eine Verschiebung der Nulldurchgangstemperatur TZC in dem Teilvolumen 16 erreicht werden. Durch das Bestrahlen lassen sich beispielsweise Höhenunterschiede, die im Bereich von Pikometern liegen, ausgleichen.
6A - 6C zeigen einen schematischen Querschnitt eines dritten beispielhaften optischen Elements 1 vor dem Bestrahlen bei drei verschiedenen Temperaturen und 6D - 6F zeigen einen schematischen Querschnitt des dritten optischen Elements 1 nach dem Bestrahlen bei den unterschiedlichen Temperaturen.
6A bzw. 6D zeigen das optische Element 1 jeweils bei Raumtemperatur, 6B bzw. 6E zeigen das optische Element 1 jeweils bei Betriebstemperatur und 6C bzw. 6F zeigen das optische Element 1 jeweils bei erhöhter Betriebstemperatur.
In diesem Beispiel entstehen beispielsweise Spannungen in dem optischen Element 1, wenn dieses auf die Betriebstemperatur erwärmt wird, was zu einer Deformation der optisch wirksamen Oberfläche 12 führt. Die Deformation ist hier beispielsweise als ein Höhenunterschied ΔL zwischen dem höchsten und dem niedrigsten Punkt der optisch wirksamen Oberfläche 12 dargestellt. Der Höhenunterschied ΔL kann als ein Parameter zur Bewertung der optischen Güte des optischen Elements 1 herangezogen werden. ΔL wird größer, je höher die Temperatur ist.
Durch das Bestrahlen, das in diesem Beispiel vollflächig durchgeführt wurde, das heißt, dass die gesamte optisch wirksame Oberfläche 12 bestrahlt wurde, konnte ein thermisch deutlich stabileres Teilvolumen 16 unter der optisch wirksamen Oberfläche 12 geschaffen werden. Insbesondere weist dieses Teilvolumen 16 einen geringeren Gradienten des Wärmeausdehnungskoeffizienten CTE und eine optimierte Nulldurchgangstemperatur TZC auf. Daher sind die Effekte, die sich aus der Verspannung ergeben, deutlich reduziert, wie man im Vergleich erkennt. Das optische Element 1 hat nach dem Bestrahlen daher eine erhöhte optische Güte, was sich beispielsweise an den kleineren Werten für ΔL erkennen lässt.
7A zeigt eine schematische Ansicht einer EUV-Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht EUV für „extremes Ultraviolett“ (von engl. extreme ultraviolet) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem nicht gezeigten Vakuum-Gehäuse vorgesehen, wobei jedes Vakuum-Gehäuse mit Hilfe einer nicht dargestellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum-Gehäuse sind von einem nicht dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem Antriebsvorrichtungen zum mechanischen Verfahren beziehungsweise Einstellen von optischen Elementen vorgesehen sind. Ferner können auch elektrische Steuerungen und dergleichen in diesem Maschinenraum vorgesehen sein.
Die EUV-Lithographieanlage 100A weist eine EUV-Lichtquelle 106A auf. Als EUV-Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle (oder ein Synchrotron) vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV-Bereich (extrem ultravioletter Bereich), also beispielsweise im Wellenlängenbereich von 5 nm bis 20 nm, aussendet. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A gebündelt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV-Lichtquelle 106A erzeugte EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.
Das in 7A dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf eine Photomaske (engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist ebenfalls als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 122 auf die Photomaske 120 gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.
Das Projektionssystem 104 (auch als Projektionsobjektiv bezeichnet) weist sechs Spiegel M1 bis M6 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Spiegel M1 bis M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel M1 bis M6 der EUV-Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel M1 bis M6 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel M1 bis M6 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
Wenigstens einer der Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 sowie M1 bis M6 wurde gemäß dem anhand der 1 beschriebenen Verfahren hergestellt und weist daher die anhand der weiteren Figuren beschriebenen Vorteile auf. Die EUV-Lithographieanlage 100A hat damit vorteilhafte optische Eigenschaften und kann besonders effizient betrieben werden.
7B zeigt eine schematische Ansicht einer DUV-Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht DUV für „tiefes Ultraviolett“ (von engl. deep ultraviolett) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und das Projektionssystem 104 können - wie bereits mit Bezug zu 7A beschrieben - in einem Vakuumgehäuse angeordnet und/oder von einem Maschinenraum mit entsprechenden Antriebsvorrichtungen umgeben sein.
Die DUV-Lithographieanlage 100B weist eine DUV-Lichtquelle 106B auf. Als DUV-Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV-Bereich bei beispielsweise 193 nm emittiert.
Das in 7B dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Photomaske 120. Die Photomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet wird.
Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel 130 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel 130 des Projektionssystems 104 symmetrisch zu einer optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Linsen 128 und Spiegel 130 der DUV-Lithographieanlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen 128 und/oder Spiegel 130 vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel 130 in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex > 1 aufweist.
Das flüssige Medium 132 kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf. Das Medium 132 kann auch als Immersionsflüssigkeit bezeichnet werden.
Wenigstens eine der Linsen 128 und/oder der Spiegel 130 wurde gemäß dem anhand der 1 beschriebenen Verfahren hergestellt und weist daher die anhand der weiteren Figuren beschriebenen Vorteile auf. Die DUV-Lithographieanlage 100B hat damit vorteilhafte optische Eigenschaften und kann besonders effizient betrieben werden.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.
Bezugszeichenliste

1: optisches Element
10: Glassubstrat
12: optisch wirksame Oberfläche
14: Teilfläche
15: Bereich
16: Teilvolumen
30: Strahl
40: Strahlquelle
50: Strahlformungseinrichtung
100A: EUV-Lithographieanlage
100B: DUV-Lithographieanlage
102: Strahlformungs- und Beleuchtungssystem
104: Projektionssystem
106A: EUV-Lichtquelle
106B: DUV-Lichtquelle
108A: EUV-Strahlung
108B: DUV-Strahlung
110: Spiegel
112: Spiegel
114: Spiegel
116: Spiegel
118: Spiegel
120: Photomaske
122: Spiegel
124: Wafer
126: optische Achse
128: Linse
130: Spiegel
132: Medium
CTE: Wärmeausdehnungskoeffizient
CTE1: CTE-Kurve
CTE2: CTE-Kurve
CTE3: CTE-Kurve
dL/L: relative Ausdehnung
L1: Kurve
L2: Kurve
L3: Kurve
M1: Spiegel
M2: Spiegel
M3: Spiegel
M4: Spiegel
M5: Spiegel
M6: Spiegel
T: Temperatur
TZC: Nulldurchgangstemperatur

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

DE 2011084117 A1 [0004]
DE 102014225197 A1 [0004]
WO 2017/148577 A1 [0004]

Claims

Verfahren zum Herstellen eines optischen Elements (1), insbesondere eine Linse oder einen Spiegel für ein optisches System für eine Lithographieanlage (100A, 100B), umfassend: a) Bereitstellen eines Glassubstrats (10) mit einer optisch wirksamen Oberfläche (12), und b) Bestrahlen einer Teilfläche (14) der optisch wirksamen Oberfläche (12) des Glassubstrats (10) mit einem Strahl (30) umfassend Ionen, Elektronen, Neutronen und/oder Photonen, wobei durch das Bestrahlen ein Verlauf des Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) als Funktion der Temperatur in einem unter der Teilfläche (14) liegenden Teilvolumen (16) des Glassubstrats (10) eingestellt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei eine Strahlenergie des Strahls (30) im Bereich zwischen 10 keV bis 20 MeV liegt.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Glassubstrat (10) ein Glas mit geringem Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE), insbesondere ein Titanium-Silicatglas, umfasst, wobei der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) in einem bestimmten Temperaturbereich einen Wert kleiner als 10^-8 1/K, bevorzugt kleiner als 10^-9 1/K, aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei durch das Bestrahlen das Teilvolumen (16) in Abhängigkeit der Strahlenergie, der Teilchen in dem Strahl (30) und einen Einstrahlwinkel des Strahls (30) in einem Bereich von bis zu 10 mm, bevorzugt zwischen 1 µm bis 1 mm, unter der optisch wirksamen Oberfläche (12) angeordnet ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei durch das Bestrahlen der Teilfläche (14) eine Nulldurchgangstemperatur (TZC) des Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) in dem Teilvolumen (16) des Glassubstrats (10) verschoben wird, insbesondere zu einem Wert von (35 +/- 0,5)°C verschoben wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei durch das Bestrahlen der Teilfläche (14) ein Gradient des Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) in einem bestimmten Temperaturbereich, vorzugsweise in einem Bereich von 10°K über und unter der Nulldurchgangstemperatur (TZC), in dem Teilvolumen (16) des Glassubstrats (10) reduziert wird, insbesondere nach dem Bestrahlen einen Wert geringer als 0,15 10^-91/K² aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner umfassend: Bestimmen einer Bestrahlungsdosis für einen Abschnitt der optisch wirksamen Oberfläche (12), insbesondere aus einem Bereich von 0-10 J/mm², und Anpassen einer Strahlintensität in Abhängigkeit der bestimmten Bestrahlungsdosis und/oder Anpassen einer Bestrahlungsdauer des Abschnitts in Abhängigkeit der bestimmten Bestrahlungsdosis.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Strahl (30) zum Bestrahlen geformt, insbesondere fokussiert, wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der Strahl (30) bei dem Bestrahlen entlang einem vorbestimmten, ununterbrochenen Pfad über die optisch wirksame Oberfläche (12) geführt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, ferner umfassend Erfassen eines Messwerts der optisch wirksamen Oberfläche (12), Bestimmen der zu bestrahlenden Teilfläche (14) der optisch wirksamen Oberfläche (12) in Abhängigkeit des Messwerts, und Bestrahlen der bestimmten Teilfläche (14).
Verfahren nach Anspruch 10, ferner umfassend: Ermitteln von Bestrahlungsparametern des Bestrahlens in Abhängigkeit des Messwerts, und Bestrahlen der bestimmten Teilfläche (14) in Abhängigkeit der ermittelten Bestrahlungsparameter.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die optisch wirksame Oberfläche (12) nach dem Bestrahlen bei einer vorbestimmten Temperatur, insbesondere in einem Bereich von 30°C - 40°C, eine Flachheit von besser als RMS ≤ 0,4 nm, bevorzugt RMS ≤ 0,1 nm, aufweist.