DE102008000968A1 - Optisches Korrekturelement und Verfahren zur Korrektur von temperaturinduzierten Abbildungsfehlern in optischen Systemen, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie - Google Patents

Optisches Korrekturelement und Verfahren zur Korrektur von temperaturinduzierten Abbildungsfehlern in optischen Systemen, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Korrektur von temperaturinduzierten Abbildungsfehlern eines optischen Systems. Dabei erfolgt die Korrektur unter Verwendung einer im optischen System angeordneten Flüssigkeitsschicht (24) in der Weise, dass die Abbildungsfehler dadurch kompensiert werden, dass sich durch Absorption optischer Nutzstrahlung eine inhomogene Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht (24) ausbildet. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches Korrekturelement (21) zur Anwendung in dem genannten Verfahren sowie ein Projektionsobjektiv (7) bzw. eine Projektionsbelichtungsanlage (1) mit dem erfindungsgemäßen optischen Korrekturelement (21).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein optisches Korrekturelement für ein optisches System, ein Verfahren zur Korrektur von temperaturinduzierten Abbildungsfehlern in optischen Systemen sowie eine Projektionsbelichtungsanlage für die Hableiterlithographie, in der das optische Korrekturelement bzw. das Verfahren zur Verwendung kommen.
  • In 1 ist eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Halbleiterlithographie nach dem Stand der Technik dargestellt. Diese dient zur Belichtung von Strukturen auf ein mit photosensitiven Materialien beschichtetes Substrat, welches im allgemeinen überwiegend aus Silizium besteht und als Wafer 2 bezeichnet wird, zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie z. B. Computerchips.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 1 besteht dabei im wesentlichen aus einer Beleuchtungseinrichtung 3, einer Einrichtung 4 zur Aufnahme und exakten Positionierung einer mit einer Struktur versehenen Maske, einem sogenannten Reticle 5, durch welches die späteren Strukturen auf dem Wafer 2 bestimmt werden, einer Einrichtung 6 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben dieses Wafers 2 und einer Abbildungseinrichtung, nämlich einem Projektionsobjektiv 7, mit mehreren optischen Elementen 8, die über Fassungen 9 in einem Objektivgehäuse 10 des Projektionsobjektives 7 gelagert sind.
  • Das grundsätzliche Funktionsprinzip sieht dabei vor, dass die in das Reticle 5 eingebrachten Strukturen auf den Wafer 2 abgebildet werden; die Abbildung wird in der Regel verkleinernd ausgeführt.
  • Nach einer erfolgten Belichtung wird der Wafer 2 in Pfeilrichtung weiterbewegt, sodass auf demselben Wafer 2 eine Vielzahl von einzelnen Feldern, jeweils mit der durch das Reticle 5 vorgegebenen Struktur, belichtet wird. Aufgrund der schrittweisen Vorschubbewegung des Wafers 2 in der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird diese häufig auch als Stepper bezeichnet.
  • Die Beleuchtungseinrichtung 3 stellt einen für die Abbildung des Reticles 5 auf dem Wafer 2 benötigten Projektionsstrahl 11, beispielsweise Licht oder eine ähnliche elektromagnetische Strahlung, bereit. Als Quelle für diese Strahlung kann ein Laser oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung wird in der Beleuchtungseinrichtung 3 über optische Elemente so geformt, dass der Projektionsstrahl 11 beim Auftreffen auf das Reticle 5 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.
  • Über die Strahlen 11 wird ein Bild des Reticles 5 erzeugt und von dem Projektionsobjektiv 7 entsprechend verkleinert auf den Wafer 2 übertragen, wie bereits vorstehend erläutert wurde. Das Projektionsobjektiv 7 weist eine Vielzahl von einzelnen refraktiven, diffraktiven und/oder reflektiven optischen Elementen, wie z. B. Linsen, Spiegeln, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen auf.
  • Während des Lithographieprozesses erwärmen sich die in der Projektionsbelichtungsanlage angeordneten bspw. als Linsen ausgebildeten optischen Elemente 8, so dass Bildfehler auftreten, die eine Abbildung der gewünschten Strukturen erschweren oder gar unmöglich machen können. Die Erwärmung der Linsen hat ihre Ursache in der Absorption der zur Belichtung verwendeten Nutzstrahlung einer bestimmten Wellenlänge innerhalb des Linsenmaterials und der Schichtmaterialien, bspw. innerhalb von Antireflexschichten. Damit trotz der geschilderten Erwärmung der verwendeten optischen Elemente 8 eine Abbildung der gewünschten Strukturen mit der erforderlichen Präzision möglich ist, wird üblicherweise eine Korrektur mit Manipulatoren wie bspw. Manipulatorlin sen vorgenommen. Diese Linsen lassen sich beispielsweise verschieben, kippen oder auch deformieren. Dies bedingt eine aktive Veränderung der Linsen, so dass durch deren veränderte Lage oder die veränderte Linsengeometrie innerhalb des optischen Designs des Projektionsobjektives eine Korrekturwirkung entsteht. Es sind auch Manipulatoren bekannt, die durch eine veränderte Brechzahl innerhalb der Linse zu einer Korrekturwirkung führen.
  • Durch die aktive Korrektur lassen sich allerdings nur bestimmte Bildfehler korrigieren. Wellenfrontfehler, die sich durch Funktionen mit höheren radialen und azimutalen Polynomen beschreiben lassen, sind im Allgemeinen schwierig zu korrigieren. Die mechanischen Deformationen lassen sich in der Regel nur für niedere Ordnungen einstellen, so dass eine umfassende Korrektur der Wellenfront unmöglich ist. Als Wellenfrontfehler wird dabei die Abweichung der Phase von einer idealen Kugelwelle bezeichnet, welche im idealen Fall im Soll-Bildpunkt zusammenläuft.
  • Ein Ansatz zur Lösung der geschilderten Problematik ist in der Internationalen Patentanmeldung WO 2006/053751 A2 , die auf die Anmelderin zurückgeht, adressiert. In der genannten Schrift werden verschiedene Ansätze zur Korrektur insbesondere auch der oben geschilderten thermisch induzierten Bildfehler geschildert.
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren sowie Vorrichtungen anzugeben, mittels derer thermisch induzierte Abbildungsfehler in optischen Systemen, insbesondere in Projektionsobjektiven für die Halbleiterlithographie, schnell, einfach und effizient korrigiert werden können.
  • Diese Aufgabe wird durch das in Anspruch 1 beschriebene Verfahren sowie durch die Vorrichtungen mit den in den Ansprüchen 15, 33 und 37 aufgeführten Merkmalen gelöst. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Varianten bzw. Ausführungsformen der Erfindung.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur Korrektur von temperaturinduzierten Abbildungsfehlern eines optischen Systems erreicht die oben beschriebene Korrektur unter Verwendung einer im optischen System angeordneten Flüssigkeitsschicht. Im Unterschied zu den aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren wird die Kompensation der Abbildungsfehler dadurch erreicht, dass sich durch Absorption optischer Nutzstrahlung eine inhomogene Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht ausbildet. Unter optischer Nutzstrahlung wird dabei diejenige optische Strahlung verstanden, welche die zu dem optischen System gehörigen optischen Elemente bei einem bestimmungsgemäßen Gebrauch des optischen Systems durchtritt. Beispielsweise handelt es sich bei der optischen Nutzstrahlung eines Projektionsobjektives in der Halbleiterlithographie um die zur Abbildung der Strukturen des Reticle auf den Wafer verwendete ultraviolette Strahlung.
  • Dadurch, dass zur Korrektur die optische Nutzstrahlung selbst verwendet wird, kann auf einfache und effiziente Weise eine Selbstkompensation insbesondere der temperaturinduzierten Abbildungsfehler des optischen Systems erreicht werden. Unter der Annahme, dass die Intensitätsverteilung der verwendeten optischen Nutzstrahlung in der Flüssigkeitsschicht der Intensitätsverteilung in den meisten der übrigen optischen Elementen des Systems entspricht und dass somit die durch die Absorption erzeugte Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht im wesentlichen der Intensitätsverteilung der optischer Nutzstrahlung entspricht, kann davon ausgegangen werden, dass gerade in den Bereichen, in denen die temperaturinduzierten Abbildungsfehler maximal sind auch die Korrekturwirkung der Flüssigkeitsschicht maximal ist.
  • Im wesentlichen beruht die Korrekturwirkung der Flüssigkeitsschicht darauf, dass sich aufgrund der Temperaturänderung in der Flüssigkeitsschicht auch der Brechungsindex lokal ändert. Diese Änderung des Brechungsindex resultiert in einer lokalen Änderung des Verlaufs der Wellenfront der einfallenden optischen Strahlung, durch die bei einer geeigneten Wahl der Eigenschaften der Flüssigkeitsschicht die induzierten Abweichungen von der idealen Wellenfront gerade kompensiert werden.
  • Dabei kann die Flüssigkeitsschicht im wesentlichen senkrecht zur optischen Achse des Systems lateral ausgedehnt und insbesondere als flüssige planparallele Platte ausgebildet sein.
  • In einer alternativen Ausführungsform der Erfindung kann die Flüssigkeitsschicht als flüssige Linse mit mindestens einer gekrümmten Fläche ausgebildet sein.
  • Die Dicke der planparallelen Platte bzw. die geometrischen Parameter der flüssigen Linse können während des Betriebes des optischen Systems konstant gehalten werden, da die Kompensation der Abbildungsfehler nicht über eine Änderung der Geometrie, sondern, wie oben bereits beschrieben, durch eine Änderung der Verteilung des Brechungsindex in der Flüssigkeit erreicht wird. Mit anderen Worten sind bspw. zwei als Begrenzungselemente verwendete planparallele Platten fixiert zu einander angeordnet.
  • Als Flüssigkeit zur Bildung der erfindungsgemäßen Flüssigkeitsschicht hat sich insbesondere Wasser bewährt. Wasser hat einen großen, negativen Temperaturkoeffizienten des Brechungsindex dn/dT im Bereich von –100·10–6/K bei einer Wellenlänge von 193 nm. Dieser Wert ist betragsmäßig etwa 5 mal so groß wie bei Quarz, zeigt jedoch ein entgegengesetztes Vorzeichen. Die genannten Unterschiede in den Materialkonstanten lassen sich somit vorteilhaft zur Kompensation der Abbildungsfehler in einem optischen System ausnutzen. Da die Absorption elektromagnetischer Strahlung der genannten Wellenlänge innerhalb des Wassers mehr als eine Größenordnung größer ist als bei Quarz, wird sich auch eine lokale Erwärmung innerhalb des Wassers schnell einstellen.
  • Als Alternative zur Verwendung von Wasser kommen auch andere Flüssigkeiten in Frage, so sind bspw. interessante Kandidaten die sogenannten High-Index-Flüssigkeiten. Als Beispiele seien Cyclohexan mit einem 193-nm-Brechungsindex von 1.57 (liegt nahe bei dem Brechungsindex von Quarzglas) oder Dekalin mit einem Brechungsindex von etwa 1.65 genannt.
  • In einer vorteilhaften Variante der Erfindung können die optischen Eigenschaften der Flüssigkeitsschicht in einem gewissen Bereich eingestellt werden. Auf diese Weise können Schwankungen der Absorption in optischen Elementen wie bspw. Linsen oder Schichten, die die Wirksamkeit einer selbstkompensierenden Flüssigkeitsschicht ungünstig beeinflussen können, kompensiert werden. Eine vorteilhafte Möglichkeit für eine derartige Einstellung besteht darin, die Absorptionseigenschaften der Flüssigkeitsschicht durch Zugabe z. B. von Salzen wie z. B. Natriumchlorid, Calciumchlorid oder Kaliumiodid, die alle eine sehr gute Löslichkeit im Wasser besitzen, zu verändern. Im allgemeinen wird die Absorption mit der Konzentration der Salze steigen, so dass es vorteilhaft ist, immer mit einer gewissen Startkonzentration zu beginnen und während eines Kalibrationsschrittes für das System die Absorption der Flüssigkeitsschicht so lange zu verändern, bis die Selbstkompensation optimal eingestellt ist.
  • Die als flüssige planparallele Platte ausgebildete Flüssigkeitsschicht kann insbesondere zwischen zwei im Wesentlichen planparallelen Platten angeordnet sein, die Quarzglas oder CaF2 enthalten bzw. aus den genannten Materialien bestehen. Bei den beiden genannten Stoffen handelt es sich um etablierte und gut beherrschte Materialien, die in optischen Systemen breite Verwendung finden und deren Eigenschaften gut bekannt sind.
  • Für den Fall, dass die planparallelen Platten Quarzglas enthalten, ist es vorteilhaft, wenn das Verhältnis der Dicke der Flüssigkeitsschicht zu der aufsummierten Dicke der beiden im Wesentlichen planparallelen Platten zwischen 0,2 und 1,0, bevorzugt zwischen 0,25 und 0,75, besonders bevorzugt zwischen 0,3 und 0,5 liegt.
  • Wenn die planparallelen Platten CaF2 enthalten, ist es von Vorteil, wenn das Verhältnis der Dicke der Flüssigkeitsschicht zu der aufsummierten Dicke der beiden im Wesentlichen planparalle len Platten zwischen 0,1 und 2,0, bevorzugt zwischen 0,3 und 1,5, besonders bevorzugt zwischen 0,5 und 1 liegt.
  • Die aufsummierte Dicke der beiden im Wesentlichen planparallelen Platten kann dabei insbesondere in einem Bereich zwischen 1,5 mm und 15 mm, bevorzugt zwischen 2 mm und 12 mm liegen.
  • Um die Funktionsfähigkeit des erfindungsgemäßen optischen Korrekturelementes zu verbessern beziehungsweise zu gewährleisten, kann es vorteilhaft sein, die Konvektion der Flüssigkeit innerhalb der Flüssigkeitsschicht zu vermindern beziehungsweise zu unterbinden. Die Konvektion hätte die Wirkung, dass sich die Temperaturunterschiede entlang der lateralen Ausdehnung der Flüssigkeitsschicht einebnen würden, wodurch der Korrektureffekt vermindert würde. Um den beschriebenen nachteiligen Effekt zu vermindern, können Zusatzelemente in der Flüssigkeitsschicht angeordnet sein.
  • Durch die genannten Zusatzelemente können dabei insbesondere Waben- oder rechteckförmige gegeneinander abgeschlossene Teilräume geschaffen werden, welche die Flüssigkeitsschicht unterteilen.
  • In einer vorteilhaften Variante der Erfindung ist der Brechungsindex der Flüssigkeit an den Brechungsindex des umgebenden Materials in kaltem Zustand angepasst. Dadurch erreicht man, dass die durch die Zusatzelemente gebildete Struktur im kalten Zustand optisch homogen erscheint und keine störenden optischen Wegunterschiede verursacht.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung sind zusätzliche Temperierelemente zur Modifikation der Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht vorhanden. Auf diese Weise kann zur Feinanpassung und zur Erweiterung der Flexibilität die Flüssigkeitsschicht gezielt und räumlich lokal aufgeheizt werden. Dies kann während des Betriebs des optischen Korrekturelementes angepasst an die jeweiligen Einsatzbedingungen geschehen. Es hat sich dabei insbesondere bewährt, elektrisch über den Widerstand dünner Drähte als Widerstandsheizelemente zu heizen, die in Form eines Gitters oder in einer alternativen geometrischen Anordnung auf der Innenseite der an die Flüssigkeitsschicht angrenzenden Oberflächen der Begrenzungselemente angebracht sind. Je nach Anzahl der Drähte lässt sich damit eine unterschiedliche räumliche Auflösung der einstellbaren Temperaturverteilung einstellen.
  • Eine alternative Möglichkeit zur Aufheizung besteht in der Nutzung von Infrarot-Bestrahlung. Dabei ist zu berücksichtigen, dass bspw. Wasser nur in einem relativ schmalen spektralen Bereich für optische Anwendungen ausreichend transparent ist und im Spektralbereich oberhalb von ca. 2 μm sehr stark absorbiert. Zur optimierten Einkopplung der IR-Strahlung in das Wasser sollte das umgebende Material bei der betrachteten Wellenlänge nicht zu stark absorbieren.
  • Die Einkopplung der IR-Strahlung kann dabei über mehrere, seitlich des Korrekturelementes angebrachte optische Systeme erfolgen. Darüber hinaus ist eine direkte Einkopplung unter Verwendung von Lichtwellenleitern wie bspw. Fasern denkbar.
  • Das oben beschriebene Verfahren beziehungsweise das ebenfalls beschriebene optische Korrekturelement lässt sich besonders vorteilhaft in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie anwenden.
  • Eine vorteilhafte Wahl für den Ort des erfindungsgemäßen Korrekturelements in der Projektionsbelichtungsanlage besteht dabei darin, dass das optische Korrekturelement in einem Abstand von einer Pupillenebene angeordnet ist, der einem Subaperturverhältnis von größer als 0,7 entspricht.
  • Für ein optisches System, welches ein Objektfeld mit einer maximalen Objekthöhe unter einer gegebenen Apertur auf ein Bildfeld abbildet, definiert man das Subaperturverhältnis durch –H|/(|R – H| + |H|),wobei, ausgehend von einem Objektpunkt maximaler Objekthöhe, R die Randstrahlhöhe und H die Hauptstrahlhöhe ist, und diese Strahlhöhen in einer gegebenen Ebene, welche parallel zu einer Pupillenebene des optischen Systems ist, gemessen werden.
  • Das Subaperturverhältnis nimmt Werte zwischen 0 und 1 an. Das Subaperturverhältnis hat den Wert 1 in jeder Pupillenebene des optischen Systems und den Wert 0 in jeder Feldebene des optischen Systems.
  • Diese Definition findet insbesondere für Projektionsoptiken für die Halbleiterlithographie Anwendung, denn diese sind für eine, von der Projektionsoptik abhängige, maximale Objekthöhe und maximale Apertur korrigiert. Hierdurch sind eine maximale Objekthöhe und eine Apertur solchen Projektionsoptiken als optischen Systemen in natürlicher Weise zugeordnet.
  • In der Regel stammen die größten Beiträge zu den Fehlern einer Projektionsbelichtungsanlage von sog. Pupillenfehlern, die im Bereich der Pupille am effektivsten korrigiert werden können. Darüber hinaus ist der Bereich der Pupillenebene ein besonders günstiger Ort, um eine Bildfehlerkorrektur mittels optischer Korrekturelemente vorzunehmen, da durch Maßnahmen in der Pupillenebene gleichartige Modifikationen der Abbildung in jedem Ort einer Bildebene erreicht werden können.
  • Alternativ oder zusätzlich kann ein weiteres erfindungsgemäßes Korrekturelement bspw. zur Realisation einer zusätzlichen Korrekturwirkung feldnah oder intermediär zwischen Feld und Pupille angeordnet sein.
  • Das Korrekturpotenzial des beschriebenen Verfahrens beziehungsweise des erfindungsgemäßen optischen Elementes kommt besonders in Projektionsbelichtungsanlagen zum Tragen, die Beleuchtungs einrichtungen aufweisen, die geeignet sind, eine Dipolbeleuchtung zu erzeugen. In diesen Fällen ist von einer besonders inhomogenen Verteilung der absorbierten optischen Leistung in den optischen Elementen der Projektionsbelichtungsanlage auszugehen.
  • Das genannte Korrekturpotenzial kann dadurch noch weiter gesteigert werden, dass das erfindungsgemäße Korrekturelement von der optischen Nutzstrahlung mehrmals, insbesondere zweimal, durchstrahlt wird.
  • Nachfolgend werden grundsätzliche Überlegungen zu der Erfindung sowie einige Ausführungsbeispiele an Hand der Figuren dargestellt.
  • Es zeigen:
  • 1 Ein Projektionsobjektiv für die Halbleiterlithographie nach den Stand der Technik (vgl. Beschreibungseinleitung);
  • 2 ein beispielhaftes optisches Korrekturelement;
  • 3 eine anschauliche Darstellung des der Erfindung zu Grunde liegenden Prinzips;
  • 4 in den 4a) und 4b) eine Darstellung der korrigierten Wellenfront (Feldmitte);
  • 5 ein erstes Ausführungsbeispiel eines Projektionsobjektivs, in dem zwei erfindungsgemäße Korrekturelemente angeordnet sind;
  • 6 ein alternatives Design eines Projektionsobjektives, bei dem ebenfalls zwei erfindungsgemäße Korrekturelemente zum Einsatz kommen;
  • 7 ein weiteres Beispiel eines Projektionsobjektivs, in dem die erfindungsgemäßen Korrekturelemente Anwendung finden;
  • 8 in den 8a) und 8b) das Korrekturpotenzial verschiedener Anordnungen der Korrekturelemente;
  • 9 eine Darstellung der notwendigen Dicken der Flüssigkeitsschicht in Abhängigkeit der Dicke der Begrenzungselemente;
  • 10 in einer Draufsicht zwei mögliche Varianten zur Gestaltung des Korrekturelementes;
  • 11 eine Projektionsbelichtungsanlage, in der ein erfindungsgemäßes Korrekturelement im Projektionsobjektiv angeordnet ist;
  • 12 eine weitere Variante der Erfindung, bei der die Begrenzungselemente nicht plane Oberflächen zeigen;
  • 13 ein erfindungsgemäßes optisches Korrekturelement mit Temperierelementen;
  • 14 eine zusätzliche Variante zur Konvektionsunterdrückung;
  • 15 eine weitere Möglichkeit zur Konvektionsunterdrückung, und
  • 16 eine weitere Variante der Erfindung, bei der die Konvektion vermieden wird.
  • 2 zeigt ein beispielhaftes optisches Korrekturelement 21, das die beiden als planparallele Platten ausgebildeten Begrenzungselemente 22 und 23 aufweist. Zwischen den beiden Begrenzungselementen 22 bzw. 23 ist die Flüssigkeitsschicht 24 angeordnet, die im vorliegenden Beispiel als Wasserschicht reali siert ist. Selbstverständlich sind für die Flüssigkeitsschicht 24 auch andere Flüssigkeiten als Wasser, bspw. eine High-Index-Flüssigkeit wie bspw. Cyclohexan oder Dekalin denkbar. Die Begrenzungselemente 22 bzw. 23 können aus Quarzglas oder CaF2 oder auch einem anderen Material bestehen. Zur Anpassung der optischen Eigenschaften der Flüssigkeitsschicht 24 kann diese insbesondere Salze wie z. B. Natriumchlorid, Calciumchlorid oder Kaliumiodid enthalten.
  • In 3 ist das der Erfindung zu Grunde liegende Prinzip anschaulich dargestellt. 3 zeigt in ihrem linken Figurenteil a) die gestörte Wellenfront eines inhomogen erwärmten pupillennahen Linsenelementes 25. Dabei kann die inhomogene Erwärmung des Linsenelementes 25 auf eine Dipolbeleuchtung zurückgehen. Zum Vergleich ist im rechten Figurenteil b) die gestörte Wellenfront des erfindungsgemäßen optischen Korrekturelementes 21 mit der Flüssigkeitsschicht 24 und den Begrenzungselementen 22 und 23 dargestellt. Aus 3 geht anschaulich hervor, dass die Störung der Wellenfronten bis auf das jeweilige Vorzeichen nahezu identisch ist. Somit lässt sich durch eine geeignete Wahl der Dicke der Flüssigkeitsschicht 24 eine Korrekturwirkung erzielen.
  • 4 zeigt in den 4a) und 4b) eine Darstellung der korrigierten Wellenfront (Feldmitte). Dabei sind in der Teilfigur 4a) die Wellenfronten nach einer Korrektur mit ausschließlich aktiven Manipulatoren nach dem Stand der Technik gezeigt, wohingegen in 4b) die Wellenfront nach Kompensation mit dem erfindungsgemäßen Korrekturelement dargestellt ist. Deutlich erkennbar ist die erheblich bessere Korrektur der Wellenfront durch das erfindungsgemäße Korrekturelement.
  • 5 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel eines katadioptrischen Projektionsobjektivs 7 mit zwei Faltspiegeln, in dem zwei erfindungsgemäße Korrekturelemente 21 angeordnet sind. Dabei bestehen die Korrekturelemente 21 aus jeweils zwei in der Figur nicht näher bezeichneten Planplatten, wobei der Abstand zwischen den Planplatten mit Wasser gefüllt ist. Auf diese Weise wird die Kompensation der durch eine Erwärmung der in 5 nicht näher bezeichneten umgebenden optischen Elemente veränderten Wellenfront erreicht. Selbstverständlich lassen sich die erfindungsgemäßen Korrekturelemente 21 an beliebigen Positionen innerhalb des Projektionsobjektivs 7 anordnen.
  • Nachfolgend sind die Parameter des in 5 dargestellten Designs in tabellarischer Form zusammengestellt. Dabei bezeichnet in üblicher Weise die fortlaufende Nummerierung die Abfolge der jeweiligen Flächen optischer Elemente in dem betrachteten System.
  • Für die in der Tabelle „Asphärische Konstanten" angegebenen Parameter gilt die nachfolgende Asphärenformel:
    Figure 00130001
  • Dabei sind P die Pfeilhöhe der betreffenden Fläche parallel zur optischen Achse, h der radiale Abstand von der optischen Achse, r der Krümmungsradius der betreffenden Fläche, K die konische Konstante und C1, C2, ... die in der Tabelle aufgeführten Asphärenkonstanten.
    FLAECHE RADIEN DICKEN GLAESER 193.368 nm 1/2 DURCHMESSER
    0 0.000000 30.000000 AIR 1.00000000 63.500
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    2 153.564030 46.163367 SIO2 1.56018811 83.057
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    4 252.112090 10.194017 SIO2 1.56018811 80.045
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    9 –171.237076 19.050561 AIR 1.00000000 77.239
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    17 –176.872878 17.849517 AIR 1.00000000 49.819
    18 0.000000 5.000000 SIO2 1.56018811 57.952
    19 0.000000 3.000000 H2O 1.43618227 58.963
    20 0.000000 5.000000 SIO2 1.56018811 59.624
    21 0.000000 48.793011 AIR 1.00000000 60.635
    22 –334.529326 21.297520 SIO2 1.56018811 73.819
    23 –152.413035 8.812980 AIR 1.00000000 76.421
    24 –130.412891 9.998456 SIO2 1.56018811 77.007
    25 –157.266636 36.990723 AIR 1.00000000 81.222
    26 0.000000 222.908912 AIR 1.00000000 93.101
    27 –186.964171 AS 222 . 908912 REFL 1.00000000 161.077
    28 171.416188 AS 222.908912 REFL 1.00000000 137.401
    29 0.000000 66.222340 AIR 1.00000000 105.690
    30 413.994571 32.308650 SIO2 1.56018811 111.149
    31 –758.622508 28.635887 AIR 1.00000000 110.634
    32 –955.998871 21.588516 SIO2 1.56018811 105.180
    33 1524.287096 AS 0.947667 AIR 1.00000000 103.924
    34 262.039412 18.703407 SIO2 1.56018811 95.421
    35 124.828140 41.905886 AIR 1.00000000 84.348
    36 –904.702595 AS 12.559987 SIO2 1.56018811 84.028
    37 131.444949 22.233392 AIR 1.00000000 82.766
    38 288.382771 AS 17.620577 SIO2 1.56018811 85.404
    39 1424.680258 26.330510 AIR 1.00000000 87.966
    40 –218.823450 10.143335 SIO2 1.56018811 90.145
    41 –506.939484 AS 1.481794 AIR 1.00000000 104.660
    42 603.634623 AS 45.598924 SIO2 1.56018811 113.183
    43 –381.334550 1.007701 AIR 1.00000000 124.528
    44 –3667.499392 AS 62.829718 SIO2 1.56018811 133.964
    45 –186.485102 0.937179 AIR 1.00000000 139.126
    46 803.514905 AS 47.213007 SIO2 1.56018811 157.657
    47 –404.465866 1.492986 AIR 1.00000000 158.966
    48 463.934249 42.671920 SIO2 1.56018811 157.557
    49 29604.694483 AS 5.695972 AIR 1.00000000 156.191
    50 0.000000 0.000000 AIR 1.00000000 154.218
    51 0.000000 –4.751879 AIR 1.00000000 154.218
    52 452.363951 57.278451 SIO2 1.56018811 152.299
    53 –566.149653 AS 1.149493 AIR 1.00000000 150.626
    54 114.035594 60.870569 SIO2 1.56018811 99.773
    55 1030.454633 AS 1.035245 AIR 1.00000000 90.468
    56 61.122059 43.376716 SIO2 1.56018811 51.345
    57 0.000000 3.100000 H2O 1.43618227 24.548
    58 0.000000 0.000000 H2O 0.00000000 15.875
    ASPHAERISCHE KONSTANTEN
    SRF 3 8 11 27 28
    K 0 0 0 –2.18039 –0.680703
    C1 6.704207e-08 –3.897228e-07 –1.053404e-07 –3.448229e-08 7.001822e-09
    C2 3.090417e-12 1.951856e-11 4.354829e-11 2.826417e-13 1.038576e-13
    C3 –7.898842e-16 1.221835e-15 –7.319113e-15 –8.929830e-18 1.391815e-18
    C4 1.082407e-19 –5.413752e-20 2.242273e-18 1.627065e-22 1.791196e-23
    C5 –9.811055e-24 –3.646321e-23 –4.146641e-22 –3.600583e-27 3.717432e-28
    C6 5.807496e-28 4.118252e-27 4.236689e-26 4.847008e-32 –2.763446e-33
    C7 –1.673414e-32 –1.421915e-31 –1.938336e-30 –4.094157e-37 1.134820e-37
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    SRF 33 36 38 41 42
    K 0 0 0 0 0
    C1 –2.214609e-07 2.199337e-08 4.830664e-09 1.027731e-07 –4.736874e-08
    C2 1.314825e-11 5.437360e-14 –4.483860e-12 2.857813e-12 4.151473e-12
    C3 3.671489e-17 6.717342e-17 3.907686e-16 –3.350784e-16 –3.988368e-16
    C4 –7.303224e-20 9.384699e-20 –1.215216e-19 –2.011428e-20 1.648318e-20
    C5 6.187636e-24 –1.576974e-23 1.511307e-23 9.035398e-25 –1.558834e-25
    C6 –2.508753e-28 9.780615e-28 –1.438793e-27 8.108236e-29 –1.958302e-29
    C7 4.111335e-33 –3.402825e-32 6.515194e-32 –2.715308e-33 6.361897e-34
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    SRF 44 46 49 53 55
    K 0 0 0 0 0
    C1 –6.487335e-11 –5.109502e-08 –5.762462e-08 2.371342e-08 3.985232e-08
    C2 –3.081671e-12 1.615428e-12 2.832865e-12 –1.830822e-12 6.989783e-12
    C3 1.412820e-16 1.075923e-17 –1.199866e-17 –2.740022e-17 –1.114967e-15
    C4 –1.574059e-21 –7.100399e-22 –3.222523e-21 6.478622e-21 1.215712e-19
    C5 –6.228739e-26 –3.197067e-26 1.903111e-25 –2.759936e-25 –1.015927e-23
    C6 2.272004e-30 1.463389e-30 –5.258535e-30 5.475954e-30 5.340097e-28
    C7 0.000000e+00 –1.514834e-35 5.663158e-35 –4.473118e-35 –1.144880e-32
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
  • 6 zeigt ein alternatives Design eines Projektionsobjektives 7, bei dem drei erfindungsgemäße Korrekturelemente 21 zum Einsatz kommen. Das in 6 dargestellte Design des Projekti onsobjektivs 7 zeichnet sich dadurch aus, dass der Strahlengang in der Weise geführt wird, dass das im senkrechten Ast des Strahlenganges befindliche Korrekturelement 21' zweimal von der optischen Nutzstrahlung durchstrahlt wird. Dabei wird der Projektionsstrahl im Laufe des Passierens des Projektionsobjektivs 7 über die reflektierenden Elemente 31 bzw. 32 um 90° von der ursprünglichen Richtung abgelenkt. Mit anderen Worten zeigt der Projektionsstrahl bei der Passage des Projektionsobjektivs 7 einen T-förmigen Verlauf. Selbstverständlich sind auch Verläufe denkbar, die mehr oder weniger von der T-Form abweichen. Zur Ablenkung des Projektionsstrahls können auch optische Elemente verwendet werden, deren ablenkende Wirkung nicht auf Reflexion, sondern beispielsweise auf Beugungseffekten oder anderen optischen Effekten beruht.
  • Nachfolgend sind die Parameter des in 6 dargestellten Designs in tabellarischer Form in analoger Weise zum vorhergegangenen Beispiel zusammengestellt:
    FLAECHE RADIEN DICKEN GLAESER 193.300 nm 1/2 DURCHMESSER
    0 0.000000 81.909100 AIR 1.00000000 60.033
    1 0.000000 –0.019387 AIR 1.00000000 87.121
    2 624.406971 21.184336 SIO2 1.56032610 89.234
    3 –711.908894 0.999674 AIR 1.00000000 90.564
    4 0.000000 5.000000 SIO2 1.56032610 91.641
    5 0.000000 3.000000 H2O 1.43681630 92.147
    6 0.000000 5.000000 SIO2 1.56032610 92.476
    7 0.000000 0.930386 AIR 1.00000000 92.982
    8 153.168520 52.483115 SIO2 1.56032610 98.879
    9 381.676973 52.783096 AIR 1.00000000 93.373
    10 178.580075 36.135354 SIO2 1.56032610 83.063
    11 –473.446738 AS 0.828657 AIR 1.00000000 79.307
    12 90.185633 49.982051 SIO2 1.56032610 65.244
    13 94.133983 14.329461 AIR 1.00000000 44.293
    14 0.000000 5.000000 SIO2 1.56032610 42.038
    15 0.000000 3.000000 H2O 1.43681630 40.079
    16 0.000000 5.000000 SIO2 1.56032610 39.270
    17 0.000000 10.129876 AIR 1.00000000 40.520
    18 –92.819702 43.908983 SIO2 1.56032610 40.799
    19 –85.424170 9.674700 AIR 1.00000000 55.255
    20 –74.103929 42.690832 SIO2 1.56032610 56.250
    21 –387.164103 5.455512 AIR 1.00000000 86.706
    22 –365.002253 50.126397 SIO2 1.56032610 89.674
    23 –117.453515 9.914517 AIR 1.00000000 95.876
    24 –415.027695 AS 46.185735 SIO2 1.56032610 103.840
    25 –170.395886 10.880007 AIR 1.00000000 108.562
    26 282.083769 27.654229 SIO2 1.56032610 103.448
    27 3361.289798 0.943859 AIR 1.00000000 101.950
    28 220.659610 28.386959 SIO2 1.56032610 97.155
    29 2300.889907 AS 74.311566 AIR 1.00000000 94.463
    30 0.000000 –225.404290 REFL 1.00000000 66.879
    31 106.700509 AS –12.093388 SIO2 1.56032610 75.306
    32 1029.600488 –50.044033 AIR 1.00000000 90.121
    33 111.361912 –12.592875 SIO2 1.56032610 92.937
    34 212.730136 –26.076586 AIR 1.00000000 118.651
    35 155.078710 26.076586 REFL 1.00000000 122.105
    36 212.730136 12.592875 SIO2 1.56032610 118.685
    37 111.361912 50.044033 AIR 1.00000000 93.478
    38 1029.600488 12.093388 SIO2 1.56032610 91.625
    39 106.700509 AS 223.404290 AIR 1.00000000 77.766
    40 0.000000 –73.835699 REFL 1.00000000 67.545
    41 2344.735704 –22.315744 SIO2 1.56032610 94.161
    42 253.638670 –0.972611 AIR 1.00000000 95.658
    43 –470.789990 –24.879552 SIO2 1.56032610 102.074
    44 689.891250 –2.106896 AIR 1.00000000 102.389
    45 –235.901080 –43.892529 SIO2 1.56032610 102.646
    46 –4312.807930 –5.654827 AIR 1.00000000 99.266
    47 –144.330672 –49.147417 SIO2 1.56032610 91.143
    48 –480.152998 AS –16.476018 AIR 1.00000000 81.298
    49 677.356771 –10.210359 SIO2 1.56032610 79.391
    50 –95.633899 AS –39.196037 AIR 1.00000000 69.026
    51 –8735.863231 –12.989064 SIO2 1.56032610 71.393
    52 –149.341293 AS –16.622787 AIR 1.00000000 75.955
    53 –482.080214 –30.207378 SIO2 1.56032610 78.756
    54 1131.416760 –76.857457 AIR 1.00000000 85.023
    55 –3370.357868 AS –22.664450 SIO2 1.56032610 121.135
    56 598.291433 –0.983285 AIR 1.00000000 123.862
    57 –357.148002 –33.365168 SIO2 1.56032610 136.868
    58 –3252.688786 –1.240420 AIR 1.00000000 137.154
    59 –308.281049 –48.644248 SIO2 1.56032610 139.484
    60 826.515050 AS –12.324883 AIR 1.00000000 138.290
    61 0.000000 0.000000 AIR 1.00000000 134.463
    62 0.000000 3.030879 AIR 1.00000000 134.463
    63 –781.936893 –35.234520 SIO2 1.56032610 133.791
    64 1334.529669 –3.705163 AIR 1.00000000 131.854
    65 –321.881102 –36.276903 SIO2 1.56032610 123.524
    66 3268.678145 –2.414881 AIR 1.00000000 120.698
    67 –131.156713 –28.556588 SIO2 1.56032610 95.909
    68 –200.745257 AS –0.831534 AIR 1.00000000 89.479
    69 –96.478236 –34.227499 SIO2 1.56032610 76.783
    70 –225.754972 AS –1.247532 AIR 1.00000000 67.997
    71 –61.493162 –50.017947 SIO2 1.56032610 49.906
    72 0.000000 –0.998407 H2OV 1.43681630 16.800
    73 0.000000 0.000000 H2OV 0.00000000 15.009
    ASPHAERISCHE KONSTANTEN
    SRF 11 24 29 31 39
    K 0 0 0 0 0
    C1 9.324488e-08 –1.320272e-08 1.267249e-08 –8.634840e-08 –8.634840e-08
    C2 3.336144e-13 4.898244e-13 2.228804e-13 –3.319972e-12 –3.319972e-12
    C3 2.899321e-16 –1.845346e-17 –1.514143e-17 –2.014127e-16 –2.014127e-16
    C4 –3.004514e-20 3.563056e-23 2.879756e-22 –1.717334e-20 –1.717334e-20
    C5 1.438584e-24 8.021001e-27 1.131170e-26 2.068734e-25 2.068734e-25
    C6 –9.597193e-30 –5.338275e-32 –6.425389e-31 –1.432400e-28 –1.432400e-28
    C7 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    SRF 48 50 52 55 60
    K 0 0 0 0 0
    C1 –3.049083e-08 –1.825792e-08 3.667191e-08 1.588995e-08 –1.124865e-08
    C2 4.086320e-13 3.806406e-12 1.975333e-12 –1.425731e-13 2.231510e-14
    C3 9.699911e-17 4.829197e-17 6.988457e-17 –1.129970e-17 –2.476426e-17
    C4 –1.029295e-20 4.014235e-20 3.426305e-21 –2.761803e-22 1.133669e-21
    C5 1.045245e-24 1.790122e-24 –6.683435e-25 –1.990926e-28 –2.410429e-26
    C6 –2.146822e-29 –3.387427e-28 2.962190e-28 2.982407e-31 2.058281e-31
    C7 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    SRF 68 70
    K 0 0
    C1 2.865471e-09 –1.020006e-07
    C2 –3.950281e-12 –9.653887e-12
    C3 4.329320e-16 1.074443e-15
    C4 –4.469477e-20 –1.131273e-19
    C5 1.374429e-24 1.340084e-23
    C6 –4.141746e-29 –4.763270e-28
    C7 0.000000e+00 0.000000e+00
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00
  • 7 zeigt ein weiteres Beispiel eines Projektionsobjektivs 7, in dem die erfindungsgemäßen Korrekturelemente 21 Anwendung finden. Das Korrekturelement 21 befindet sich dabei im Bereich einer in der Zeichnung nicht bezeichneten Pupillenebene des Projektionsobjektivs 7. Zusätzlich oder alternativ kann ein optisches Korrekturelement nicht (nur) im Bereich der oberen Pupillenebene, d. h. im Bereich derjenigen Pupille, die sich in der Nähe des Reticles befindet, sondern im Bereich einer unteren oder der untersten Pupillenebene, also in der Nähe des Wafers, angeordnet sein. In 7 kommt hierfür insbesondere der Bereich unmittelbar vor oder nach einer der drei Bikonvexlinsen 26 in Frage. Der Vorteil der Wahl dieses Orts im Projektionsobjektiv für das erfindungsgemäße optische Korrekturelement 21 liegt darin, dass die Strahldivergenz im Bereich der unteren Pupillenebene geringer ist als im Bereich der oberen Pupillenebene. Das heißt, die Winkelstreuung der einzelnen Strahlenbündel des Projektionslichtes ist im Bereich der unteren Pupillenebene geringer als im Bereich der oberen Pupillenebene. Damit geht eine geringere Varianz des optischen Weges der Projektionsstrahlenbündel durch das erfindungsgemäße optische Korrekturelement 21 und somit eine verbesserte Manipulatorwirkung bzw. Kompensationswirkung einher. Im Bereich der unteren Pupillenebene wird zwar eine insgesamt größere Dicke der Flüssigkeitsschicht 24 für die Sicherstellung der Kompensationswirkung erforderlich sein; die damit verbundenen Konvektionsprobleme lassen sich jedoch insbesondere mit den nachfolgend insbesondere anhand der 13 und 14 beschriebenen Maßnahmen wirksam vermindern.
  • Nachfolgend sind die Parameter des in 7 dargestellten Designs in tabellarischer Form zusammengestellt:
    FLAECHE RADIEN DICKEN GLAESER 193.368 nm 1/2 DURCHMESSER
    1 0.000000 –0.008710 AIR 1.00000000 74.285
    2 152.806541 45.431089 SIO2 1.56018811 83.121
    3 –330.275035 AS 1.000851 AIR 1.00000000 82.575
    4 257.561794 10.194017 SIO2 1.56018811 80.063
    5 107.240602 20.970575 AIR 1.00000000 74.712
    6 124.218381 34.878498 SIO2 1.56018811 79.868
    7 458.206125 12.581575 AIR 1.00000000 78.003
    8 384.774717 AS 27.324175 SIO2 1.56018811 77.420
    9 –171.322174 18.856624 AIR 1.00000000 77.242
    10 –3632.304551 18.733166 SIO2 1.56018811 64.020
    11 –199.567355 AS 2.828885 AIR 1.00000000 61.914
    12 0.000000 5.000000 SIO2 1.56018811 54.880
    13 0.000000 3.000000 H2O 1.43618227 53.208
    14 0.000000 5.000000 SIO2 1.56018811 52.108
    15 0.000000 14.620990 AIR 1.00000000 50.436
    16 –670.721085 14.518506 SIO2 1.56018811 47.020
    17 –176.631072 18.497791 AIR 1.00000000 49.836
    18 0.000000 10.000000 SIO2 1.56018811 58.150
    19 0.000000 50.127707 AIR 1.00000000 60.164
    20 –332.255286 21.268478 SIO2 1.56018811 73.716
    21 –151.946002 8.902276 AIR 1.00000000 76.312
    22 –129.715474 9.992972 SIO2 1.56018811 76.896
    23 –157.281728 36.998231 AIR 1.00000000 81.158
    24 0.000000 222.916965 AIR 1.00000000 93.101
    25 –186.901756 AS –222.916965 REFL 1.00000000 161.210
    26 171.573325 AS 222.916965 REFL 1.00000000 137.537
    27 0.000000 65.919281 AIR 1.00000000 105.927
    28 411.784617 32.629492 SIO2 1.56018811 111.394
    29 –746.664472 29.263212 AIR 1.00000000 110.873
    30 –948.543683 21.325761 SIO2 1.56018811 105.199
    31 1499.828375 AS 0.945167 AIR 1.00000000 103.923
    32 261.881650 18.698434 SIO2 1.56018811 95.462
    33 124.935818 42.260342 AIR 1.00000000 84.398
    34 –915.013583 AS 13.263189 SIO2 1.56018811 84.060
    35 131.428201 22.265151 AIR 1.00000000 82.775
    36 288.836563 AS 17.544354 SIO2 1.56018811 85.432
    37 1414.281223 26.390583 AIR 1.00000000 87.975
    38 –218.516375 10.102933 SIO2 1.56018811 90.157
    39 –507.740782 AS 1.489700 AIR 1.00000000 104.688
    40 604.663227 AS 45.569170 SIO2 1.56018811 113.228
    41 –381.560602 0.942198 AIR 1.00000000 124.577
    42 –3659.679844 AS 62.802391 SIO2 1.56018811 134.048
    43 –186.489469 0.947473 AIR 1.00000000 139.144
    44 803.608129 AS 47.107253 SIO2 1.56018811 157.634
    45 –404.730895 1.543174 AIR 1.00000000 158.929
    46 463.662829 42.746808 SIO2 1.56018811 157.507
    47 –30094.708524 AS 5.621418 AIR 1.00000000 156.116
    48 0.000000 0.000000 AIR 1.00000000 154.178
    49 0.000000 –4.671083 AIR 1.00000000 154.178
    50 452.542212 57.094680 SIO2 1.56018811 152.261
    51 –566.442779 AS 1.126324 AIR 1.00000000 150.626
    52 114.051127 60.904375 SIO2 1.56018811 99.792
    53 1031.094018 AS 1.051630 AIR 1.00000000 90.472
    54 61.061829 43.385068 SIO2 1.56018811 51.327
    55 0.000000 3.100000 H2O 1.43618227 24.550
    56 0.000000 0.000000 H2O 0.00000000 15.875
    ASPHAERISCHE KONSTANTEN
    SRF 3 8 11 25 26
    K 0 0 0 –2.18057 –0.68075
    C1 6.807176e-08 –3.894432e-07 –1.021799e-07 –3.451557e-08 6.956902e-09
    C2 2.758792e-12 1.910214e-11 4.259880e-11 2.834543e-13 1.026860e-13
    C3 –7.472013e-16 1.269846e-15 –6.711059e-15 –8.951839e-18 1.373475e-18
    C4 1.032820e-19 –6.666988e-20 1.949733e-18 1.635510e-22 1.729102e-23
    C5 –9.360724e-24 –3.502078e-23 –3.313598e-22 –3.622076e-27 3.391440e-28
    C6 5.518526e-28 4.055705e-27 2.994958e-26 4.886066e-32 –1.078343e-33
    C7 –1.590972e-32 –1.376730e-31 –1.183689e-30 –4.119375e-37 6.728969e-38
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    SRF 31 34 36 39 40
    K 0 0 0 0 0
    C1 –2.201517e-07 1.982727e-08 4.760706e-09 1.024157e-07 –4.693787e-08
    C2 1.310974e-11 1.149782e-13 –4.284305e-12 2.898919e-12 4.122224e-12
    C3 3.146452e-17 1.309645e-16 3.451768e-16 –3.385660e-16 –4.003637e-16
    C4 –7.326166e-20 8.055972e-20 –1.130963e-19 –1.965311e-20 1.664861e-20
    C5 6.320778e-24 –1.485189e-23 1.393697e-23 8.494893e-25 –1.565754e-25
    C6 –2.622555e-28 9.962441e-28 –1.334397e-27 8.510786e-29 –1.981449e-29
    C7 4.470867e-33 –3.738869e-32 6.106339e-32 –2.843237e-33 6.446673e-34
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    SRF 42 44 47 51 53
    K 0 0 0 0 0
    C1 1.393220e-11 –5.101307e-08 –5.745699e-08 2.363301e-08 3.982997e-08
    C2 –3.073786e-12 1.616688e-12 2.831988e-12 –1.831889e-12 7.025032e-12
    C3 1.421171e-16 1.036774e-17 –1.190434e-17 –2.748749e-17 –1.121978e-15
    C4 –1.614622e-21 –7.028114e-22 –3.229348e-21 6.499918e-21 1.224907e-19
    C5 –6.170320e-26 –3.147269e-26 1.907381e-25 –2.771767e-25 –1.023565e-23
    C6 2.259679e-30 1.441683e-30 –5.273430e-30 5.506115e-30 5.375828e-28
    C7 0.000000e+00 –1.492937e-35 5.675564e-35 –4.500925e-35 –1.151286e-32
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.0000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
  • 8 zeigt im 8a) das Korrekturpotenzial der in 7 gezeigten Anordnung; 8b) stellt das Korrekturpotenzial einer Anordnung dar, bei dem ein Korrekturelement 21 in der Nähe einer Pupillenebene und ein anderes Korrekturelement in der Nähe einer Feldebene des Projektionsobjektives angeordnet ist. Dabei bestehen die Korrekturelemente 21 in beiden Fällen jeweils aus zwei 5 mm starken SiO2-Platten mit einer zwischen den Platten angeordneten Wasserschicht von 4 mm Dicke.
  • Nachfolgend soll exemplarisch das Verhältnis der Dicken der Flüssigkeitsschicht und der Begrenzungselemente für eine optimale Kompensationswirkung des erfindungsgemäßen Korrekturelements betrachtet werden. Die prinzipielle Vorgabe besteht dabei darin, dass der Temperaturkoeffizient der Brechzahl (dn/dT) der verwendeten Flüssigkeit ein anderes Vorzeichen zeigt als der des umgebenden Materials, insbesondere des Materials der im Projektionsobjektiv verwendeten optischen Elemente. Das Verhältnis zwischen der Dicke der Flüssigkeitsschicht und der aufsummierten Dicke der Begrenzungselemente folgt der folgenden Formel:
    Figure 00220001
  • Die Größe DWasser/DGlas ist das Verhältnis von Flüssigkeitsdicke und Dicke des umgebenden Glasmaterials. Weiter bezeichnen dnGlas/dT und dnWasser/dT die Temperaturkoeffizienten der Brechzahl des Glasmaterials bzw. der verwendeten Flüssigkeit. Die Größe Di·ΔTi ist gleich dem Produkt aus Einzellinsendicke und Temperaturanstieg innerhalb des Linsenelements i. Die Summe über alle i (mit Ausnahme des Korrekturelements selber) kennzeichnen die Beiträge aller Linsenelemente zum Gesamteffekt.
  • Die maximale Temperaturänderung innerhalb eines planen Linsenelements ist näherungsweise gegeben durch
    Figure 00230001
  • Dies gilt für ein Planelement mit konventioneller Beleuchtung, d. h. kreisförmige Ausleuchtung zentriert um die optische Achse des Elements. Dabei bezeichnet P die Bestrahlungsleistung, α den Absorptionskoeffizienten zur Basis e, λ die Wärmeleitfähigkeit des Materials, Hill den Radius der konventionellen Ausleuchtung und Hlens die Linsenhöhe.
  • Bei der Flüssigkeitsschicht kann davon ausgegangen werden, dass die Temperatur innerhalb der Flüssigkeit näherungsweise gleich der Temperatur der begrenzenden Glasflächen ist. Dabei fällt mit zunehmender Wärmeleitfähigkeit (bspw. Quarz → CaF2) die Temperatur der Flüssigkeit ab. Dadurch nimmt die erforderliche Dicke der Flüssigkeitsschicht mit zunehmender Wärmeleitfähigkeit zu.
  • Eine Wasserschicht mit zwei begrenzenden Glasplatten kann näherungsweise als ein homogenes Element mit effektiver Absorption αeff und Wärmeleitfähigkeit λeff dargestellt werden, wobei gilt:
    Figure 00230002
  • In 9 sind die notwendigen Dicken der Wasserschicht in Abhängigkeit der Dicke der Begrenzungselemente dargestellt. Dabei wird für das Material der Begrenzungselemente von den Glassorten Quarz und CaF2 ausgegangen. Die verwendeten Werte sind hierbei Hill/Hlens = 0.2, P = 1 W, αWasser = 0,0829/cm und αGlas = 0 (vernachlässigbar im Vergleich zu Wasser). Der Kurvenparameter in 9 ist der zu kompensierende Wellenfrontfehler des Gesamtobjektives (200 nm bzw. 150 nm). Dieser lässt sich über die Temperaturänderung und die Dicken der optischen Elemente, insbesondere der Linsen im Projektionsobjektiv berechnen. Die dargestellten Zusam menhänge gelten für das Materialsystem Quarz/Wasser/Quarz bzw. CaF2/Wasser/CaF2. Die Begrenzungselemente haben in diesem Fall plane Oberflächen.
  • Eine Verallgemeinerung der oben dargestellten Zusammenhänge lässt sich durch gekrümmte Oberflächen der Begrenzungselemente erreichen. Das Projektionsobjektiv lässt sich dabei als effektive mittlere Linse modellhaft darstellen. Diese effektive Linse lässt sich durch die optischen Weglängen auf der optischen Achse und entlang eines Randstrahls bestimmen. Das Gesamtobjektiv verhalt sich aus der Sicht des Erwärmungseffekts äquivalent zu einer Linse mit positiver Brechkraft. Um den Erwärmungseffekt einer derartigen Linse ausgleichen zu können, ist eine Flüssigkeitslinse mit größerer Mitten- als Randdicke zu verwenden. Diese Linse ergibt sich aus äquivalenten Überlegungen zur oberen Darstellung. In 12 sind einige exemplarische Ausführungsformen eines optischen Korrekturelementes 21 mit Begrenzungselementen 22 bzw. 23 mit nicht planen Oberflächen dargestellt.
  • Ein mögliches Problem bei der Realisierung des erfindungsgemäßen Korrekturelementes könnte sich daraus ergeben, dass aufgrund von Konvektion in der Flüssigkeitsschicht die gewollte Temperaturverteilung gestört wird. In diesem Fall ist es vorteilhaft, die Flüssigkeitsschicht im wesentlichen orthogonal zur Richtung der optischen Nutzstrahlung z. B. wabenförmig zu strukturieren, d. h. eines der Begrenzungselemente wird in der Weise strukturiert, dass die Flüssigkeit in einzelne Zellen „eingefüllt" und mit dem zweiten Begrenzungselement quasi verschlossen wird.
  • Auf diese Weise wird der Wärmeaustausch über Konvektion stark unterdrückt. Es ist weiterhin vorteilhaft, den Brechungsindex der Flüssigkeit an den Brechungsindex des umgebenden Materials der Begrenzungselemente anzupassen. Dadurch wird gewährleistet, dass die Wabenstruktur im kalten Zustand optisch homogen erscheint und keine störenden optischen Wegunterschiede verursacht.
  • 10 zeigt in einer Draufsicht zwei mögliche Varianten zur Gestaltung des Korrekturelementes. Dabei sind Zusatzelemente 33 vorgesehen, durch welche die in 10 nicht bezeichnete Flüssigkeitsschicht in einzelne Teilräume 34 unterteilt wird. In der in 10a) dargestellten Variante sind die Teilräume 34 wabenförmig ausgebildet, wohingegen sie in der in 10b) als Rechtecke, insbesondere Quadrate gestaltet sind.
  • In 11 ist eine Projektionsbelichtungsanlage 1 dargestellt, in der ein erfindungsgemäßes Korrekturelement 21 im Projektionsobjektiv 7 angeordnet ist. Darüber hinaus ist die Beleuchtungseinrichtung 3 der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der Weise ausgelegt, dass mittels der Beleuchtungseinrichtung 3 eine Dipolbeleuchtung realisiert wird. In einer derartig ausgestalteten Projektionsbelichtungsanlage 1 zeigt das erfindungsgemäße Korrekturelement 21 aufgrund der ausgesprochen inhomogenen Beleuchtungsverteilung sein maximales Korrekturpotenzial.
  • 13 zeigt eine weitere Variante eines erfindungsgemäßen Korrekturelementes 21, das als Temperierelemente 40 gitterförmig über das Korrekturelement 21 verteilte Heizdrähte zeigt, die bei geeigneter Kontaktierung eine gewünschte Temperaturverteilung über das Korrekturelement 21 hinweg erzeugen können. Ferner ist in 13 eine als IR-Laser 41 ausgeführte Infrarot-Quelle dargestellt, mittels derer ein begrenzter, gerichteter Infrarot-Strahl 42 auf beliebige Punkte auf dem Korrekturelement 21 gerichtet werden kann, der zu einer lokalen Erwärmung des Korrekturelementes 21 führt. Auch lokales Kühlen (bspw. unter Verwendung eines kühlenden, gerichteten Fluidstromes) ist denkbar.
  • Alternativ oder zusätzlich (nicht dargestellt) können auch die Zusatzelemente 33 als leitende Elemente bspw. aus einem metallischen Material hergestellt sein oder mit einer in Richtung der optischen Achse verlaufenden leitfähigen Schicht versehen sein. Auf diese Weise lässt sich bei einer geeigneten Kontaktierung der Zusatzelemente 33 in einer Doppelfunktionalität sowohl die Konvektion innerhalb der Flüssigkeitsschicht 24 reduzieren als auch bei einer Verwendung der leitenden Bereiche der Zusatzelemente 33 in der Art einer Widerstandsheizung eine gewünschte Temperaturverteilung einstellen.
  • 14 zeigt eine weitere Variante zur Unterdrückung der Konvektion. Die Flüssigkeitsschicht 24 wird dabei durch das Trennelement 50 in die beiden Teilschichten 24a und 24b unterteilt. Die Teilschichten 24a und 24b sind dabei bezogen auf den Lichtweg durch das optische Korrekturelement 21 hintereinander angeordnet. Die jeweiligen Dicken der beiden Teilschichten 24a und 24b sind dabei gegenüber den vorstehend geschilderten Beispielen reduziert; insbesondere liegen sie in einem Bereich von unter 3 mm, Dicken von 2 oder auch 1 mm sind dabei vorteilhaft. Die Unterteilung der Flüssigkeitsschicht in mehrere dünnere Teilschichten hat den Effekt, dass die Konvektion in den Teilschichten 24a und 24b auch in der Richtung der Schichtebene reduziert wird. Dabei bleibt die Korrekturwirkung des Korrekturelements 21 aufgrund der unveränderten aufsummierten Gesamtdicke der Flüssigkeitsschicht 24 praktisch vollständig erhalten. Die vorgestellte Variante hat dabei den Vorteil, dass die optische Wirkung der konvektionsreduzierenden Maßnahmen gering gehalten werden kann; so kann beispielsweise als Trennelement 50 eine planparallele Quarzglasplatte verwendet werden, deren optischer Einfluss gering ist.
  • 15 zeigt eine weitere Möglichkeit zur Verminderung der Konvektion. Dabei wird eine Reduzierung der Schichtdicke der Flüssigkeitsschicht 24 dadurch ermöglicht, dass diese mittels der Isolierschichten 51 von den Begrenzungselementen 22 und 23 thermisch isoliert wird. Wie bereits vorstehend gezeigt wurde, hängt die erforderliche minimale Dicke der Flüssigkeitsschicht 24 unter anderem auch davon ab, in welchem Ausmaß eine thermische Kopplung zwischen der Flüssigkeitsschicht 24 und den Begrenzungselementen 22 bzw. 23 besteht. Im wesentlichen wurde gefunden, dass, je besser die thermische Kopplung zwischen der Flüssigkeitsschicht 24 und den Begrenzungselementen 22 bzw. 23 ist, eine erhöhte Dicke der Flüssigkeitsschicht 24 erforderlich wird. Die Isolierschichten 51 reduzieren aufgrund ihrer thermischen Isolationswirkung den Wärmeübergang zwischen der Flüssigkeitsschicht 24 und den Begrenzungselementen 22 bzw. 23 und ermöglichen damit eine dünnere Flüssigkeitsschicht 24. Auf diese Weise wird es möglich, die Flüssigkeitsschicht 24 in der Größenordnung der im Zusammenhang mit 14 vorgestellten Werte zu dimensionieren und damit aufgrund der reduzierten Dicke Konvektion auch in Schichtrichtung weitgehend zu unterbinden. Die Isolierschicht 51 kann dabei in der Weise gestaltet werden, dass in dem der Flüssigkeitsschicht zugewandten Bereich der Begrenzungselemente 22 bzw. 23 Gasblasen eingebracht werden, deren Durchmesser so gewählt ist, dass der optische Einfluss der Gasblasen weitgehend reduziert ist. Abhängig von der Position des optischen Korrekturelementes im Objektiv seien beispielsweise Blasenklassen bis 5 × 0,25 erlaubt. Dies entspricht einer Gesamtfläche von 1,25 mm2. Nach ISO 1010-3 ist es erlaubt, diese Fläche auf mehr Blasen einer äquivalenten Gesamtfläche zu verteilen, solange hierbei keine Häufung auftritt.
  • Eine weitere in 16 dargestellte Variante zur Verminderung der durch die Konvektion verursachten störenden Einflüsse besteht darin, die Flüssigkeit, durch die die Flüssigkeitsschicht 24 gebildet wird, in regelmäßigen Abständen auszutauschen und somit für eine Homogenisierung der Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht 24 zu sorgen. Hierzu wird das Korrekturelement 21 mit den Zu- bzw. Abflüssen 55 versehen, die einen zumindest teilweisen Austausch der Flüssigkeitsschicht 24 gewährleisten. Mit anderen Worten wird der Zeitraum, in dem sich die Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht 24 erst ausbildet, ohne dass die Konvektion ein störendes Maß überschreitet, für die Manipulatorwirkung des optischen Korrekturelements ausgenutzt. Dabei kann vorteilhaft dasjenige Zeitfenster für den Einsatz des Manipulators verwendet werden, in dem sich zwar schon eine kompensierende Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht 24 ausgebildet hat, jedoch die Konvektion ein störendes Maß noch nicht überschritten hat. Wesentliche Parameter, die die Lage und Länge dieses Zeitfensters beeinflussen, sind Viskosität und Wärmeleitfähigkeit der Flüssigkeit sowie die Form der Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht 24. Daneben besteht – wie bereits anhand der 13 erläutert – die Möglichkeit, die Temperaturverteilung und damit die Konvektion in der Flüssigkeitsschicht durch Temperierelemente, also durch gezieltes lokales Kühlen oder Heizen zu beeinflussen. In 16 ist hierzu exemplarisch eine als IR-Laser 41 ausgeführte Infrarot-Quelle dargestellt, mittels derer ein begrenzter, gerichteter Infrarot-Strahl 42 auf beliebige Punkte auf dem Korrekturelement 21 bzw. der Flüssigkeitsschicht 24 gerichtet werden kann, der zu einer lokalen Erwärmung des Korrekturelementes 21 bzw. der Flüssigkeitsschicht 24 führt.
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  • Zitierte Patentliteratur
    • - WO 2006/053751 A2 [0010]

Claims (60)

  1. Verfahren zur Korrektur von temperaturinduzierten Abbildungsfehlern eines optischen Systems, wobei die Korrektur unter Verwendung einer im optischen System angeordneten Flüssigkeitsschicht (24) erfolgt, dadurch gekennzeichnet, dass die Abbildungsfehler dadurch kompensiert werden, dass sich durch Absorption optischer Nutzstrahlung eine inhomogene Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht (24) ausbildet.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssigkeitsschicht (24) als flüssige planparallele Platte ausgebildet ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssigkeitsschicht (24) als flüssige Linse mit mindestens einer gekrümmten Fläche ausgebildet ist.
  4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die geometrischen Parameter der Flüssigkeitsschicht (24) während des Betriebes des optischen Systems konstant gehalten werden.
  5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Flüssigkeit Wasser oder eine High-Index-Flüssigkeit wie bspw. Cyclohexan oder Dekalin verwendet wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die als flüssige planparallele Platte ausgebildete Flüssigkeitsschicht (24) zwischen zwei als im Wesentlichen planparallelen Platten ausgebildeten Begrenzungselementen (22, 23) angeordnet ist.
  7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Begrenzungselemente (22, 23) Quarzglas oder CaF2 enthalten.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die planparallelen Platten Quarzglas enthalten und das Verhältnis der Dicke der Flüssigkeitsschicht (24) zu der aufsummierten Dicke der beiden im Wesentlichen planparallelen Platten zwischen 0,2 und 1,0, bevorzugt zwischen 0,25 und 0,75, besonders bevorzugt zwischen 0,3 und 0,5 liegt.
  9. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die planparallelen Platten CaF2 enthalten und das Verhältnis der Dicke der Flüssigkeitsschicht (24) zu der aufsummierten Dicke der beiden im Wesentlichen planparallelen Platten zwischen 0,1 und 2,0, bevorzugt zwischen 0,3 und 1,5, besonders bevorzugt zwischen 0,5 und 1 liegt.
  10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche 6–9, dadurch gekennzeichnet, dass die aufsummierte Dicke der beiden im Wesentlichen planparallelen Platten in einem Bereich von 1,5 mm– 15 mm, vorzugsweise in einem Bereich von 2 mm–12 mm liegt.
  11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Flüssigkeitsschicht (24) zur Modifikation ihrer optischen Eigenschaften lösliche Stoffe, insbesondere Salze wie Natriumchlorid, Calciumchlorid oder Kaliumiodid zugegeben werden.
  12. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht (24) durch zusätzliche Temperierelemente (40) modifiziert wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass als Temperierelemente (40) Widerstandsheizelemente oder Infrarot-Strahlungsquellen verwendet werden.
  14. Verfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssigkeitsschicht (24) mindestens teilweise ausgetauscht wird, sobald die in der Flüssigkeitsschicht (24) auftretende Konvektion die Korrekturwirkung der Flüssigkeitsschicht (24) über ein bestimmtes Maß hinaus beeinträchtigt.
  15. Optisches Korrekturelement (21) zur Kompensation von temperaturinduzierten Abbildungsfehlern in einem optischen System, wobei das Korrekturelement (21) eine als flüssige planparallele Platte ausgebildete Flüssigkeitsschicht (24) enthält, die zwischen zwei Begrenzungselementen (22, 23) mit ebenen Oberflächen angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Begrenzungselemente (22, 23) fixiert zu einander angeordnet sind.
  16. Optisches Korrekturelement (21) nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Begrenzungselemente (22, 23) als im Wesentlichen planparallele Platten ausgebildet sind.
  17. Optisches Korrekturelement (21) nach einem der vorangehenden Ansprüche 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Begrenzungselemente (22, 23) Quarzglas oder CaF2 enthalten.
  18. Optisches Korrekturelement (21) nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die planparallelen Platten Quarzglas enthalten und das Verhältnis der Dicke der Flüssigkeitsschicht (24) zu der aufsummierten Dicke der beiden im Wesentlichen planparallelen Platten zwischen 0,2 und 1,0, bevorzugt zwischen 0,25 und 0,75, besonders bevorzugt zwischen 0,3 und 0,5 liegt.
  19. Optisches Korrekturelement (21) nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass die planparallelen Platten CaF2 enthalten und das Verhältnis der Dicke der Flüssigkeitsschicht (24) zu der aufsummierten Dicke der beiden im Wesentlichen planparallelen Platten zwischen 0,1 und 2,0, bevorzugt zwischen 0,3 und 1,5, besonders bevorzugt zwischen 0,5 und 1 liegt.
  20. Optisches Korrekturelement (21) nach einem der vorangehenden Ansprüche 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass die aufsummierte Dicke der beiden im Wesentlichen planparallelen Platten in einem Bereich von 1,5 mm–15 mm, vorzugsweise in einem Bereich von 2 mm–12 mm liegt.
  21. Optisches Korrekturelement (21) nach einem der vorangehenden Ansprüche 15–20, dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssigkeitsschicht (24) Wasser oder eine High-Index-Flüssigkeit wie bspw. Cyclohexan oder Dekalin enthält.
  22. Optisches Korrekturelement (21) nach einem der vorangehenden Ansprüche 15–21, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Begrenzungselementen (22, 23) Zusatzelemente (33, 50, 51) zur Verminderung von Konvektion in der Flüssigkeitsschicht (24) angeordnet sind.
  23. Optisches Korrekturelement (21) nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Zusatzelemente (33) insbesondere waben- oder rechteckförmige gegeneinander abgeschlossene Teilräume (34) geschaffen werden, welche die Flüssigkeitsschicht (24) unterteilen.
  24. Optisches Korrekturelement (21) nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Zusatzelement um mindestens ein Trennelement (50) handelt, das die Flüssigkeitsschicht (24) in mindestens zwei Teilschichten (24a, 24b) unterteilt, die im Lichtweg durch das optische Korrekturelement (21) hintereinander angeordnet sind.
  25. Optisches Korrekturelement (21) nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Teilschichten (24a, 24b) eine mittlere Dicke von kleiner als 3 mm, bevorzugt kleiner als 2 mm, besonders bevorzugt kleiner als 1 mm, aufweisen.
  26. Optisches Korrekturelement (21) nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Zusatzelement um mindes tens eine Isolierschicht (51) zur thermischen Isolierung der Flüssigkeitsschicht (24) gegenüber mindestens einem Begrenzungselement (22, 23) handelt.
  27. Optisches Korrekturelement (21) nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht (51) durch Gasblasen in dem der Flüssigkeitsschicht (24) zugewandten Bereich des Begrenzungselements (22, 23) gebildet wird.
  28. Optisches Korrekturelement (21) nach einem der vorangehenden Ansprüche 15–27, dadurch gekennzeichnet, dass der Brechungsindex der Flüssigkeit an den Brechungsindex des umgebenden Materials in kaltem Zustand angepasst ist.
  29. Optisches Korrekturelement (21) nach einem der vorangehenden Ansprüche 15–28, dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssigkeitsschicht (24) zur Modifikation ihrer optischen Eigenschaften lösliche Stoffe, insbesondere Salze wie Natriumchlorid, Calciumchlorid oder Kaliumiodid enthält.
  30. Optisches Korrekturelement (21) nach einem der vorangehenden Ansprüche 15–29, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzliche Temperierelemente (40) zur Modifikation der Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht (24) vorhanden sind.
  31. Optisches Korrekturelement (21) nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den Temperierelementen (40) um Widerstandsheizelemente oder um Infrarot-Strahlungsquellen handelt.
  32. Optisches Korrekturelement (21) nach einem der vorangegangenen Ansprüche 15–31, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Korrekturelement (21) Zu- bzw. Abflüsse (55) zum mindestens teilweisen Austausch der Flüssigkeitsschicht (24) aufweist.
  33. Projektionsobjektiv (7) für die Halbleiterlithographie, da durch gekennzeichnet, dass das Projektionsobjektiv (7) mindestens ein optisches Korrekturelement (21) nach einem der Ansprüche 15–32 enthält.
  34. Projektionsobjektiv (7) für die Halbleiterlithographie nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein optisches Korrekturelement (21) im Bereich einer Pupillenebene in einem Abstand von der Pupillenebene angeordnet ist, der einem Subaperturverhältnis von größer als 0,7 entspricht.
  35. Projektionsobjektiv (7) für die Halbleiterlithographie nach einem der Ansprüche 33 oder 34, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eines der Korrekturelemente (21') von der optischen Nutzstrahlung mehrmals, insbesondere zweimal, durchstrahlt wird.
  36. Projektionsobjektiv (7) für die Halbleiterlithographie nach einem der Ansprüche 33–35, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Projektionsobjektiv (7) um ein katadioptrisches Objektiv mit mindestens zwei Faltspiegeln handelt.
  37. Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie mit einem optischen Korrekturelement (21) mit einer Flüssigkeitsschicht (24) zur Korrektur von Abbildungsfehlern, wobei die Flüssigkeitsschicht (24) mindestens teilweise im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage eine Beleuchtungseinrichtung (3) aufweist, die geeignet ist, eine inhomogene Beleuchtung, insbesondere eine Dipolbeleuchtung eines im Strahlengang angeordneten Reticles (5) zu erzeugen.
  38. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssigkeitsschicht (24) als flüssige planparallele Platte ausgebildet ist, die zwischen zwei fixiert zu einander angeordneten Begrenzungselementen (22, 23) mit ebenen Oberflächen angeordnet ist.
  39. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Begrenzungselemente (22, 23) als im Wesentlichen planparallele Platten ausgebildet sind.
  40. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche 38 oder 39, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Begrenzungselemente (22, 23) Quarzglas oder CaF2 enthalten.
  41. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, dass die planparallelen Platten Quarzglas enthalten und das Verhältnis der Dicke der Flüssigkeitsschicht (24) zu der aufsummierten Dicke der beiden im Wesentlichen planparallelen Platten zwischen 0,2 und 1,0, bevorzugt zwischen 0,25 und 0,75, besonders bevorzugt zwischen 0,3 und 0,5 liegt.
  42. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 40, dadurch gekennzeichnet, dass die planparallelen Platten CaF2 enthalten und das Verhältnis der Dicke der Flüssigkeitsschicht (24) zu der aufsummierten Dicke der beiden im Wesentlichen planparallelen Platten zwischen 0,1 und 2,0, bevorzugt zwischen 0,3 und 1,5, besonders bevorzugt zwischen 0,5 und 1 liegt.
  43. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche 41 oder 42, dadurch gekennzeichnet, dass die aufsummierte Dicke der beiden im Wesentlichen planparallelen Platten in einem Bereich von 1,5 mm–15 mm, vorzugsweise in einem Bereich von 2 mm–12 mm liegt.
  44. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche 37–43, dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssigkeitsschicht (24) Wasser oder eine High-Index-Flüssigkeit wie bspw. Cyclohexan oder Dekalin enthält.
  45. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche 37–44, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Begrenzungselementen (22, 23) Zusatzelemente (33) zur Verminderung von Konvektion in der Flüssigkeitsschicht (24) angeordnet sind.
  46. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 45, dadurch gekennzeichnet, dass durch die Zusatzelemente (33) insbesondere waben- oder rechteckförmige gegeneinander abgeschlossene Teilräume (34) geschaffen werden, welche die Flüssigkeitsschicht (24) unterteilen.
  47. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 45, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Zusatzelement um mindestens ein Trennelement (50) handelt, das die Flüssigkeitsschicht (24) in mindestens zwei Teilschichten (24a, 24b) unterteilt, die im Lichtweg durch das optische Korrekturelement (21) hintereinander angeordnet sind.
  48. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, dass die Teilschichten (24a, 24b) eine mittlere Dicke von kleiner als 3 mm, bevorzugt kleiner als 2 mm, besonders bevorzugt kleiner als 1 mm, aufweisen.
  49. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 37, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Zusatzelement um mindestens eine Isolierschicht (51) zur thermischen Isolierung der Flüssigkeitsschicht (24) gegenüber mindestens einem Begrenzungselement (22, 23) handelt.
  50. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 49, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht (51) durch Gasblasen in dem der Flüssigkeitsschicht (24) zugewandten Bereich des Begrenzungselements (22, 23) gebildet wird.
  51. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche 37–50, dadurch gekennzeichnet, dass der Brechungsindex der Flüssigkeit an den Brechungsindex des umgebenden Materials in kaltem Zustand angepasst ist.
  52. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche 37–51, dadurch gekennzeichnet, dass die Flüssigkeitsschicht (24) zur Modifikation ihrer optischen Eigenschaften lösliche Stoffe, insbesondere Salze wie Natriumchlorid, Calciumchlorid oder Kaliumiodid enthält.
  53. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche 37–52, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzliche Temperierelemente (40) zur Modifikation der Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht (24) vorhanden sind.
  54. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 53, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei den Temperierelementen (40) um Widerstandsheizelemente oder um Infrarot-Strahlungsquellen handelt.
  55. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der vorangehenden Ansprüche 37–54, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Korrekturelement (21) in einem Projektionsobjektiv (7) der Projektionsbelichtungsanlage (1) angeordnet ist.
  56. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 55, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein optisches Korrekturelement (21) in dem Projektionsobjektiv (7) im Bereich einer Pupillenebene in einem Abstand von der Pupillenebene angeordnet ist, der einem Subaperturverhältnis von größer als 0,7 entspricht.
  57. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 55 oder 56, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eines der Korrekturelemente (21') von der optischen Nutzstrahlung mehrmals, insbesondere zweimal, durchstrahlt wird.
  58. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 55–57, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Projektionsobjektiv (7) um ein katadioptrisches Objektiv mit mindestens zwei Faltspiegeln handelt.
  59. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der Ansprüche 55–58, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein optisches Korrekturelement (21) im Bereich einer wafernahen Pupillenebene angeordnet ist.
  60. Projektionsbelichtungsanlage (1) nach einem der vorangegangenen Ansprüche 37–59, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Korrekturelement (21) Zu- bzw. Abflüsse (55) zum mindestens teilweisen Austausch der Flüssigkeitsschicht (24) aufweist.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011077784A1 (de) * 2011-06-20 2012-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsanordnung
WO2018060126A1 (de) * 2016-09-28 2018-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit fluessigkeitsschicht zur wellenfrontkorrektur

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101626737B1 (ko) * 2009-05-16 2016-06-01 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학 교정 배열체를 포함하는 반도체 리소그래피를 위한 투사 노광 장치
US11474439B2 (en) * 2019-06-25 2022-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing article
CN112859543B (zh) * 2021-02-02 2021-12-14 北京理工大学 一种折反式深紫外光刻物镜系统设计方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006053751A2 (de) 2004-11-18 2006-05-26 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100462844C (zh) * 2002-08-23 2009-02-18 株式会社尼康 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法
EP1524558A1 (de) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006053751A2 (de) 2004-11-18 2006-05-26 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011077784A1 (de) * 2011-06-20 2012-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsanordnung
US9377694B2 (en) 2011-06-20 2016-06-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection arrangement
WO2018060126A1 (de) * 2016-09-28 2018-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit fluessigkeitsschicht zur wellenfrontkorrektur

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