WO2018060126A1 - Projektionsbelichtungsanlage mit fluessigkeitsschicht zur wellenfrontkorrektur - Google Patents

Projektionsbelichtungsanlage mit fluessigkeitsschicht zur wellenfrontkorrektur Download PDF

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WO2018060126A1
WO2018060126A1 PCT/EP2017/074197 EP2017074197W WO2018060126A1 WO 2018060126 A1 WO2018060126 A1 WO 2018060126A1 EP 2017074197 W EP2017074197 W EP 2017074197W WO 2018060126 A1 WO2018060126 A1 WO 2018060126A1
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WO
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liquid layer
projection
projection exposure
exposure apparatus
optical element
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PCT/EP2017/074197
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Inventor
Markus Bauer
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Carl Zeiss Smt Gmbh
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
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    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature

Definitions

  • the invention relates to a projection exposure apparatus for semiconductor lithography, in which a liquid layer for correcting aberrations is used.
  • US Pat. No. 7,817,249 B2 discloses a projection exposure apparatus for semiconductor lithography in which aberrations can be corrected by heating at least one optical element arranged in the projection objective of the projection exposure apparatus in a spatially resolved manner by the action of directed infrared radiation, whereby a desired temperature is achieved. temperature and thereby refractive index distribution across the optical element is achieved.
  • a manipulator is disclosed in WO 2007/017089 A1, in which a thin liquid layer is located between two optical elements, for example plane-parallel plates, wherein one of the plane-parallel plates can be deformed.
  • the temperature of the liquid is chosen so that the difference in refractive indices from the liquid to the adjacent plane-parallel plate is as small as possible.
  • the projection exposure apparatus for semiconductor lithography comprises inter alia a projection objective for imaging a reticle onto a wafer and a liquid layer which is arranged in the path of the optical radiation used for imaging and means for producing a specific temperature distribution in the liquid layer.
  • the said means for generating a specific temperature distribution are suitable for introducing electromagnetic heating radiation into the liquid layer and there are additionally means for producing a flow profile in the liquid layer.
  • the flow profile in the liquid layer has in particular the effect that the heat introduced by the optical radiation can be dissipated again before the temperature distribution desired for wave front correction can dissipate due to thermal conduction or convection processes, so that the required lhe corrective effect of the liquid layer is maintained over the relevant period of time.
  • the means for generating the flow profile comprise a liquid supply device and a drain
  • the desired flow can be generated in a simple manner.
  • the liquid layer is formed by an immersion liquid arranged between the wafer and the last optical element of the projection objective, the already existing immersion liquid can advantageously be used as the optical element of a manipulator.
  • the flowing liquid layer can be formed in this case, in particular, using high-purity water.
  • the water used in particular flows through the area of the so-called scan slot, ie the area in which the scanning image of areas of the reticle is made on corresponding areas of the wafer.
  • the scan slot can show dimensions in particular in the range of about 26 mm x 1 1 mm.
  • the flow occurring in the region of the scan slot is well controlled hydrodynamically, in particular as a laminar flow, so that a reproducible temperature distribution can be set.
  • the local heating of the immersion medium typically leads to temperature differences in the range of about 0.5 K to 1 K. These temperature differences are sufficient on the one hand for a satisfactory wavefront correction, but are still low enough not to disturb the flow profile in the immersion medium in the scanning slot ,
  • the location of the heat deposition in the immersion medium can be set very well resolved only by the choice of the heating wavelength.
  • a practically stepless adjustment of the penetration depth of the heating radiation and thus of the spatial temperature profile in the immersion medium can be achieved by the use of a tunable laser such as an external cavity laser.
  • the adjustable temperature profile in the immersion medium depends inter alia on the parameters wavelength of the heating radiation and, associated therewith, the penetration depth and on the flow profile of the immersion medium. If, for example, the heat is deposited in the region of the scan slot, in particular in the region of an interface between immersion medium and the adjacent elements (wafer and last lens), a desired temperature profile can also be set along the scan direction due to the parabolic flow profile of the immersion medium.
  • the immersion medium can be heated tomographically, in particular shortly before it enters the region of the scan slot, by means of a scanning beam of heating radiation.
  • Direct heating of the medium in the area of the scan slot is also conceivable.
  • the wavelength used is in the infrared range
  • unwanted exposure of the photoresist used to pattern the wafer is avoided by the heating radiation in that the photoresist is virtually insensitive in this spectral range.
  • the immersion medium as directly adjacent to the wafer medium, a near-field wavefront correction possible.
  • the local heating by means of electromagnetic radiation has a positive effect that, in contrast to the use of heating elements such as heating wires, it is not necessary here to bring objects into the exposure beam path which would lead to shading.
  • the liquid layer may also be formed between the reticle and the first optical element of the projection objective. It is also conceivable that the liquid layer is formed in the region of a pupil plane of the projection objective.
  • the means for producing a specific temperature distribution may include lasers, in particular infrared lasers, with means for deflecting the beam emitted by the laser;
  • the means for beam deflection may be a mirror galvanometer.
  • a narrowly limited, scanning laser beam it is also possible to provide means for the simultaneous generation of a flatly extended intensity distribution of heating radiation, which may comprise, for example, an array of light sources and an imaging optic.
  • a flatly extended intensity distribution of heating radiation which may comprise, for example, an array of light sources and an imaging optic.
  • an array of infrared LEDs can be used in an advantageous manner.
  • an optical element of the projection lens in particular the last optical element of the projection lens, be a component of said imaging optics and thus fulfill a dual function.
  • this possibility is also given when using a scanning laser beam.
  • FIG. 1 shows a projection exposure apparatus for semiconductor lithography, in which the invention is realized
  • FIG. 2 shows an enlarged, schematic illustration of the area of the projection exposure apparatus in which the last optical element of the projection exposure apparatus, the wafer and the immersion liquid are arranged are;
  • FIG. 3 shows an alternative embodiment of the invention.
  • FIG. 1 shows a projection exposure apparatus 1 for semiconductor lithography, in which the invention is implemented in three places.
  • the projection exposure apparatus 1 is used to illuminate structures on a substrate coated with photosensitive materials, which generally consists predominantly of silicon and is referred to as wafer 15, for the production of semiconductor components, such as computer chips.
  • the projection exposure apparatus 1 consists essentially of an illumination device 6, a device 9 for receiving and exact positioning of a mask provided with a structure, a so-called reticle 3, by which the later structures on the wafer 15 are determined, a device 10 for Holder, movement and exact positioning of just this wafer 15 and an imaging device, namely a projection lens 2 with a plurality of optical elements 21, 22, 23, which are mounted on sockets 24 in a lens housing 25 of the projection lens 2.
  • the basic principle of operation provides that the structures introduced into the reticle 3 are imaged onto the wafer 15; the image is usually scaled down.
  • the wafer 15 is moved further in the direction of the arrow, so that a multiplicity of individual fields are exposed on the same wafer 15, each with the structure predetermined by the reticle 3. Due to the stepwise advancing movement of the wafer 15 in the projection exposure apparatus 1, this is often referred to as a stepper.
  • so-called scanner systems have found widespread use in which the reticle 3 is imaged on the wafer 15 during a joint movement with the wafer 15.
  • the illumination device 6 provides a projection beam 7 required for the imaging of the reticle 3 on the wafer 15, for example light or a similar electromagnetic radiation.
  • the source of this radiation may be a laser or the like.
  • the radiation is formed in the illumination device 6 via optical elements such that the projection beam 7 has the desired properties in terms of diameter, polarization, wavefront shape and the like when it hits the reticle 3.
  • the projection objective 2 has a plurality of individual refractive, diffractive and / or reflective optical elements 21, 22, 23, such as, for example, lenses, mirrors, prisms, end plates and the like.
  • FIG. 1 three positions along the course of the projection beam 7 are shown in FIG. 1, on which arrangements according to the invention are located.
  • a flowing liquid layer 51 is arranged, which is located between the two plane-parallel plates 54; the flow direction is indicated by the arrow.
  • the flow is realized by the medium flowing in by means of the feed device 52, for example water, wherein the medium flowing into the region between the plane-parallel plates 54 can flow out through the outlet 53.
  • a desired temperature distribution is generated in the example shown by the steered, only schematically indicated laser beam.
  • FIG. 1 area of the projection exposure apparatus 1 is shown in which the last optical element 23 of the projection exposure apparatus, the wafer 15 and the immersion liquid 51 are arranged.
  • the layer formed by the immersion liquid 51, for example water, between the last optical element 23 of the projection objective 2 and the wafer 15 to be exposed is clearly visible in FIG. 1.
  • the wafer 15 is used as the device 10 during the scanning process by the wafer stage Holder, movement and exact positioning of the wafer 15 is moved in the direction of arrow relative to the last optical element 23, wherein the liquid layer 51 is maintained.
  • immersion liquid 51 is always supplemented by means of the feed device 52, on the other hand immersing liquid 51 being discharged by means of the feed 53.
  • a laminar flow profile with defined properties is established in the layer of immersion liquid 51. Due to the good control of the flow conditions in the liquid layer 51, it is possible, depending on the desired correction effect, to introduce a temperature profile into the liquid layer 51 and thus to achieve a spatially resolved wavefront correction close to the field. In particular, due to the fact that due to the flow of the immersion liquid 51, the liquid contained in a volume element is continuously replaced, a flow of a desired temperature profile and thus a loss of the correction effect is avoided.
  • the challenge is to sufficiently heat the liquid in the desired volume element to achieve a corrective effect but, on the other hand, to exchange the liquid per volume element fast enough to avoid loss of the correction effect due to heat conduction and concomitant homogenization of the temperature profile to avoid the immersion liquid layer.
  • two lasers 41, 41 ' are shown in FIG. 2 as light sources for heating radiation 26, 26' whose emitted radiation, for example IR radiation, is first coupled into a mirror galvanometer 43, 43 ', which is shown schematically in FIG , Subsequently, the heating radiation 26 deflected by means of the mirror galvanometer 43 in coordination with the scan and according to the desired Schuprofiles suitable by means for beam deflection 23.
  • the radiation emitted by the first light source After passing through the mirror galvanometer 43, the radiation emitted by the first light source passes through the last optical element 23 of the projection objective, which thus likewise contributes to the beam deflection or beam shaping, and only then reaches the immersion liquid layer 51.
  • the radiation 26 'emitted from the second light source 41' immediately reaches the immersion liquid layer 51 after being deflected by the mirror galvanometer 43 '.
  • the mirror galvanometers 43, 43 'mentioned in FIG. 2 it is of course also possible to use other devices for beam deflection.
  • FIG. 3 shows a variant of the invention in which in the region of the immersion liquid layer 51, an areally extended intensity distribution of heating radiation is generated at one time.
  • means 8 are used for the simultaneous generation of a flatly extended intensity distribution of heating radiation.
  • the desired temperature distribution in the immersion liquid layer 51 is achieved by first of all applying a specific pattern in a LED by means of a suitable driver circuit.
  • Array 81 for example, using infrared LEDs, is generated.
  • the emitted radiation is directed by means of an imaging optical system 82 in the form of a lens 83 onto a mirror 84 and subsequently introduced through the last optical element 23 of the projection objective 2 into the immersion liquid layer 51 where it depends on the control of the individual LED's of the LED array 81 generates a certain area intensity profile.
  • the last optical element 23 of the projection objective 2 is part of the optical system which images the LED array 81 into the immersion liquid layer 51.
  • a micromirror array illuminated by means of a conventional or thermal radiation source may also be used.
  • the variant shown in FIG. 3 is characterized in particular by the fact that overall more power is available for spatially resolved thermal influencing of the immersion liquid layer 51 and, in the case of the use of an LED array 81, the use of mechanically moving parts can be dispensed with practically completely.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie und umfasst unter anderem ein Projektionsobjektiv (2) zur Abbildung eines Reticles (3) auf einen Wafer (15) sowie eine Flüssigkeitsschicht (51), welche im Weg der zur Abbildung verwendeten optischen Strahlung (7) angeordnet ist sowie Mitteln (4) zur Erzeugung einer bestimmten Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht (51). Dabei sind die genannten Mittel (4) zur Erzeugung einer bestimmten Temperaturverteilung geeignet, elektromagnetische Heizstrahlung in die Flüssigkeitsschicht einzubringen und es sind zusätzlich Mittel (5) zur Erzeugung eines Strömungsprofiles in der Flüssigkeitsschicht vorhanden.

Description

Projektionsbelichtunqsanlaqe mit Flüssigkeitsschicht zur Wellenfrontkorrektur
Die vorliegende Anmeldung nimmt die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2016 218 744.9 in Anspruch, deren Inhalt hierin durch Bezugnahme vollumfänglich aufgenommen wird.
Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, bei welcher eine Flüssigkeitsschicht zur Korrektur von Abbildungsfehlern Verwen- dung findet.
Für derartige Projektionsbelichtungsanlagen bestehen extrem hohe Anforderungen an die Abbildungsgenauigkeit bei gleichzeitig hoher thermischer Belastung der zur Abbildung eines Reticles auf einen Wafer verwendeten Komponenten. Hieraus resul- tiert regelmäßig das Erfordernis, zu einer Wellenfrontkorrektur mittels sogenannter Manipulatoren, wobei es sich bei den genannten Manipulatoren in der Regel um Vorrichtungen mit thermisch oder mechanisch aktuierten optischen Elementen zur Beeinflussung der Wellenfront handelt. So ist beispielsweise in dem US-Patent 7,817,249 B2 eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie offenbart, bei welcher Abbildungsfehler dadurch korrigiert werden können, dass mindestens ein im Projektionsobjektiv der Projektionsbelichtungsanlage angeordnetes optisches Element durch das Einwirken gerichteter infraroter Strahlung ortsaufgelöst geheizt wird, wodurch eine gewünschte Tem- peratur- und dadurch Brechungsindexverteilung über das optische Element hinweg erreicht wird. Aufgrund der thermischen Trägheit des optischen Elements ist jedoch eine schnelle Anpassung des gewünschten Profils bzw. auch ein schnelles "Neutralschalten" des optischen Elements durch ein wieder einstellen einer homogenen Temperaturverteilung über das optische Element hinweg durch die in der genannten Schrift offenbarte Vorrichtung nur schwer möglich. Ferner ist in der WO 2007/017089 A1 ein Manipulator offenbart, bei welchem sich eine dünne Flüssigkeitsschicht zwischen zwei optischen Elementen, beispielsweise planparallelen Platten befindet, wobei eine der planparallelen Platten deformiert werden kann. Dabei wird die Temperatur der Flüssigkeit so gewählt, dass der Unter- schied der Brechungsindizes von der Flüssigkeit zu der angrenzenden planparallelen Platte so gering wie möglich ist.
Darüber hinaus ist aus der internationalen Veröffentlichungsschrift WO2009/026970 A1 ein Manipulator bekannt, bei welchem mittels lokaler Temperierung eines opti- sehen Elementes unter Verwendung dünner Heizdrähte in Verbindung mit einem an dem optischen Element vorbeiströmenden Fluid als Wärmesenke eine ortsaufgelöste Wellenfrontkorrektur möglich ist. Dabei wird im Wesentlichen von zwei Effekten Gebrauch gemacht. Zum einen ändert sich die Geometrie des entsprechend temperierten Elementes aufgrund der thermischen Ausdehnung. Zum anderen ist der Bre- chungsindex ebenfalls temperaturabhängig. Im Ergebnis führen beide Effekte zu einer Änderung des optischen Weges in einem optischen Element. Derartige Manipulatoren sind bereits verbreitet im Einsatz. Eine wesentliche Herausforderung bei der Realisation derartiger Manipulatoren besteht jedoch insbesondere darin, dass die genannten Manipulatoren oftmals - wie der oben genannte - in Transmission betrie- ben werden. Hierdurch sind an die zur Beeinflussung des verwendeten optischen Elementes eingesetzte Aktuatorik erhöhte Anforderungen zu stellen. Damit verbunden soll insbesondere die Ausbreitung der zur Abbildung eines Reticles auf einen Wafer verwendeten elektromagnetischen Strahlung nicht über ein noch vertretbares Maß hinaus beeinträchtigt werden.
Daneben sind Konzepte bekannt, bei welchen eine lokale Wärmedeposition in Flüssigkeitsschichten mittels elektromagnetischer Strahlung, insbesondere Infrarotstrahlung, erfolgt. So ist beispielsweise aus der Internationalen Patentanmeldung WO 2008/122410 A2 ein optischer Manipulator bekannt, bei welchem in einer in einem Projektionsobjektiv angeordneten Flüssigkeitsschicht durch die zur Abbildung verwendete Strahlung selbst, aber auch gegebenenfalls zusätzlich durch die zusätzliche Einstrahlung von Infrarotstrahlung eine inhomogene Temperaturverteilung zur Wellenfrontkorrektur erzeugt wird.
Wie auch für andere aus dem Stand der Technik bekannte Lösungen besteht eine wesentliche Problematik bei der Verwendung von Manipulatoren, welche auf thermischen Effekten beruhen darin, die eingesetzte Wärme definiert abzuführen, um eine zuverlässige Wirkungsweise des verwendeten Manipulators sicher zu stellen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es somit, eine Projektionsbelichtungsanlage anzugeben, bei welcher eine zuverlässige Wellenfrontkorrektur möglich ist und bei welcher die zur Wellenfrontkorrektur eingesetzten Manipulatoren sich nicht über die erwünschte Korrekturwirkung hinaus auf die Abbildungseigenschaften des in der Projektionsbelichtungsanlage verwendeten Projektionsobjektives auswirken. Diese Aufgabe wird gelöst durch die Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 . Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Ausführungsformen und Varianten der Erfindung.
Die erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, umfasst unter anderem ein Projektionsobjektiv zur Abbildung eines Reticles auf einen Wafer sowie eine Flüssigkeitsschicht, welche im Weg der zur Abbildung verwendeten optischen Strahlung angeordnet ist sowie Mitteln zur Erzeugung einer bestimmten Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht. Dabei sind die genannten Mittel zur Erzeugung einer bestimmten Temperaturverteilung geeignet, elektromagnetische Heizstrahlung in die Flüssigkeitsschicht einzubringen und es sind zusätzlich Mittel zur Erzeugung eines Strömungsprofiles in der Flüssigkeitsschicht vorhanden.
Das Strömungsprofil in der Flüssigkeitsschicht hat dabei insbesondere die Wirkung, dass die durch die optische Strahlung eingebrachte Wärme wieder abgeführt werden kann, bevor die zur Wellenfrontkorrektur gewünschte Temperaturverteilung aufgrund von Wärmleitungs- oder Konvektionsprozessen zerfließen kann, so dass die erforder- liehe Korrekturwirkung der Flüssigkeitsschicht über den relevanten Zeitraum hinweg erhalten bleibt.
Dadurch, dass die Mittel zur Erzeugung des Strömungsprofiles eine Zuführeinrich- tung für Flüssigkeit sowie einen Ablauf umfassen, kann die gewünschte Strömung auf einfache Weise erzeugt werden.
Wenn die Flüssigkeitsschicht durch eine zwischen dem Wafer und dem letzten optischen Element des Projektionsobjektives angeordnete Immersionsflüssigkeit gebildet ist, kann in vorteilhafter Weise die ohnehin vorhandene Immersionsflüssigkeit als optisches Element eines Manipulators Verwendung finden.
Die strömende Flüssigkeitsschicht kann in diesem Fall insbesondere unter Verwendung von hochreinem Wasser ausgebildet werden. Beim Scanvorgang durchströmt das verwendete Wasser insbesondere den Bereich des sogenannten Scanschlitzes, also denjenigen Bereich, in welchem die scannende Abbildung von Bereichen des Reticles auf korrespondierende Bereiche des Wafers vorgenommen wird. Der Scanschlitz kann dabei Abmessungen insbesondere im Bereich von ca. 26 mm x 1 1 mm zeigen. Die im Bereich des Scanschlitzes auftretende Strömung ist hydrodynamisch gut beherrscht, insbesondere als laminare Strömung, so dass sich eine reproduzierbare Temperaturverteilung einstellen lässt.
Die lokale Heizung des Immersionsmediums führt typischerweise zu Temperaturunterschieden im Bereich von ca. 0,5 K bis 1 K. Diese Temperaturunterschiede reichen einerseits für eine befriedigende Wellenfrontkorrektur aus, sind jedoch noch gering genug, um das Strömungsprofil im Immersionsmedium im Bereich des Scanschlitzes nicht zu stören.
Dadurch, dass im Wellenlängenbereich hoher Absorption im Wasser eine Vielzahl von Lichtquellen mit geringen Abständen der jeweiligen Emissionswellenlängen zur Verfügung steht und die Eindringtiefe in das Immersionsmedium, insbesondere Was- ser, stark von der verwendeten Wellenlänge abhängt, kann allein durch die Wahl der Heizwellenlänge der Ort der Wärmedeposition im Immersionsmedium sehr gut aufgelöst eingestellt werden. Insbesondere kann eine praktisch stufenlose Einstellung der Eindringtiefe der Heizstrahlung und damit des räumlichen Temperaturprofiles im Im- mersionsmedium durch die Verwendung eines durchstimmbaren Lasers wie beispielsweise eines External Cavity Lasers erreicht werden.
Insgesamt hängt das einstellbare Temperaturprofil im Immersionsmedium unter anderem von den Parametern Wellenlänge der Heizstrahlung und damit verbunden der Eindringtiefe sowie von dem Strömungsprofil des Immersionsmediums ab. Wird beispielsweise die Wärme im Bereich des Scanschlitzes, insbesondere im Bereich einer Grenzschicht zwischen Immersionsmedium und den benachbarten Elementen (Wafer und letzte Linse) deponiert, so lässt sich aufgrund des parabolischen Strömungsprofils des Immersionsmediums eine gewünschter Temperaturverlauf auch entlang der Scanrichtung einstellen.
Zur Einstellung einer gewünschten Temperaturverteilung im Immersionsmedium im Bereich des Scanschlitzes kann das Immersionsmedium insbesondere kurz vor seinem Eintritt in den Bereich des Scanschlitzes mittels eines scannenden Strahls von Heizstrahlung oder auch tomographisch aufgeheizt werden. Auch eine direkte Beheizung des Mediums im Bereich des Scanschlitzes ist denkbar. In denjenigen Fällen, in welchen die verwendete Wellenlänge im infraroten Bereich liegt, wird eine ungewollte Belichtung des zur Strukturierung des Wafers verwendeten Fotolackes durch die Heizstrahlung dadurch vermieden, dass der Fotolack in diesem Spektralbereich prak- tisch insensitiv ist. Darüber hinaus wird durch die Verwendung des Immersionsmediums als unmittelbar dem Wafer benachbarten Mediums eine feldnahe Wellenfront- korrektur möglich. Hier wirkt sich darüber hinaus die lokale Erwärmung mittels elektromagnetischer Strahlung positiv aus, dass es, im Unterschied zu der Verwendung von Heizelementen wie beispielsweise Heizdrähten, hier nicht erforderlich ist, Objek- te in den Belichtungsstrahlengang zu bringen, die zu einer Abschattung führen würden. Zusätzlich oder alternativ kann die Flüssigkeitsschicht auch zwischen dem Reticle und dem ersten optischen Element des Projektionsobjektives gebildet sein. Ebenso ist es denkbar, dass die Flüssigkeitsschicht im Bereich einer Pupillenebene des Pro- jektionsobjektives gebildet ist.
Die Mittel zur Erzeugung einer bestimmten Temperaturverteilung können Laser, insbesondere Infrarot-Laser, beinhalten, wobei Mittel zur Ablenkung des von dem Laser emittierten Strahles vorhanden sind; insbesondere kann es sich bei den Mitteln zur Strahlablenkung um einen Spiegelgalvanometer handeln.
Zusätzlich oder alternativ zu der Verwendung eines eng begrenzten, scannenden Laserstrahles können auch Mittel zur gleichzeitigen Erzeugung einer flächig ausgedehnten Intensitätsverteilung von Heizstrahlung vorhanden sein, welche beispiels- weise einen Array von Lichtquellen sowie eine abbildende Optik umfassen können. Hier kann in vorteilhafter Weise ein Array von Infrarot-LED's zur Anwendung kommen.
In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung kann ein optisches Element des Projektionsobjektives, insbesondere das letzte optische Element des Projektionsobjektives, ein Bestandteil der genannten abbildenden Optik sein und damit eine Doppelfunktion erfüllen. Grundsätzlich ist diese Möglichkeit auch bei der Verwendung eines scannenden Laserstrahls gegeben. Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung exemplarisch erläutert. Es zeigen:
Figur 1 eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, in welcher die Erfindung verwirklicht ist,
Figur 2 eine vergrößerte, schematische Darstellung des Bereiches der Projektionsbelichtungsanlage, in welchem das letzte optische Element der Projektionsbelichtungsanlage, der Wafer sowie die Immersionsflüssigkeit angeordnet sind; und
Figur 3 eine alternative Ausführungsform der Erfindung.
In Figur 1 ist eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Halbleiterlithographie, in welcher die Erfindung an drei Stellen verwirklicht ist, dargestellt. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 dient zur Belichtung von Strukturen auf ein mit photosensitiven Materialien beschichtetes Substrat, welches im allgemeinen überwiegend aus Silizium besteht und als Wafer 15 bezeichnet wird, zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, wie beispielsweise Computerchips.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 besteht dabei im Wesentlichen aus einer Beleuchtungseinrichtung 6 , einer Einrichtung 9 zur Aufnahme und exakten Positionierung einer mit einer Struktur versehenen Maske, einem sogenannten Reticle 3, durch welches die späteren Strukturen auf dem Wafer 15 bestimmt werden, einer Einrich- tung 10 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben dieses Wafers 15 und einer Abbildungseinrichtung, nämlich einem Projektionsobjektiv 2 mit mehreren optischen Elementen 21 , 22, 23, die über Fassungen 24 in einem Objektivgehäuse 25 des Projektionsobjektives 2 gelagert sind. Das grundsätzliche Funktionsprinzip sieht dabei vor, dass die in das Reticle 3 eingebrachten Strukturen auf den Wafer 15 abgebildet werden; die Abbildung wird in der Regel verkleinernd ausgeführt.
Nach einer erfolgten Belichtung wird der Wafer 15 in Pfeilrichtung weiterbewegt, so- dass auf demselben Wafer 15 eine Vielzahl von einzelnen Feldern jeweils mit der durch das Reticle 3 vorgegebenen Struktur belichtet wird. Aufgrund der schrittweisen Vorschubbewegung des Wafers 15 in der Projektionsbelichtungsanlage 1 wird diese häufig auch als Stepper bezeichnet. Daneben haben auch sogenannte Scannersysteme Verbreitung gefunden, bei welchen das Reticle 3 während einer gemeinsamen Bewegung mit dem Wafer 15 scannend auf dem Wafer 15 abgebildet wird. Die Beleuchtungseinrichtung 6 stellt einen für die Abbildung des Reticles 3 auf dem Wafer 15 benötigten Projektionsstrahl 7, beispielsweise Licht oder eine ähnliche elektromagnetische Strahlung, bereit. Als Quelle für diese Strahlung kann ein Laser oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung wird in der Beleuchtungseinrich- tung 6 über optische Elemente so geformt, dass der Projektionsstrahl 7 beim Auftreffen auf das Reticle 3 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.
Über den Projektionsstrahl 7 wird ein Bild des Reticles 3 erzeugt und von dem Pro- jektionsobjektiv 2 entsprechend verkleinert auf den Wafer 15 übertragen, wie bereits vorstehend erläutert wurde. Das Projektionsobjektiv 2 weist wie bereits erwähnt eine Vielzahl von einzelnen refraktiven, diffraktiven und/oder reflexiven optischen Elementen 21 , 22, 23, wie beispielsweise Linsen, Spiegeln, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen auf.
Wie ebenfalls bereits erwähnt sind in der Figur 1 drei Positionen entlang des Verlaufes des Projektionsstrahls 7 dargestellt, an welchen sich erfindungsgemäße Anordnungen befinden. So ist zunächst zwischen der Aufnahme- und Positioniereinrichtung 9 für das Reticle 3 und dem ersten optischen Element 21 des Projektionsobjek- tives 2 eine strömende Flüssigkeitsschicht 51 angeordnet, welche sich zwischen den beiden planparallelen Platten 54 befindet; die Strömungsrichtung ist dabei durch den Pfeil angedeutet. Dabei wird die Strömung durch das mittels der Zuführeinrichtung 52 einströmende Medium, beispielsweise Wasser, realisiert, wobei das in den Bereich zwischen den planparallelen Platten 54 einströmende Medium durch den Ablauf 53 abströmen kann. Eine gewünschte Temperaturverteilung wird im gezeigten Beispiel durch den gelenkten, lediglich schematisch angedeuteten Laserstrahl erzeugt.
Eine ähnliche Anordnung derartiger Mittel 5 zur Erzeugung eines Strömungsprofiles ist im Bereich der gestrichelt angedeuteten Pupillenebene PE dargestellt.
Weiterhin ist in der Figur 1 derjenige Bereich der Projektionsbelichtungsanlage 1 dargestellt, in welchem das letzte optische Element 23 der Projektionsbelichtungsan- lage, der Wafer 15 sowie die Immersionsflüssigkeit 51 angeordnet sind. Gut erkennbar in der Figur 1 ist die aus der Immersionsflüssigkeit 51 , beispielsweise Wasser, gebildete Schicht zwischen dem letzten optischen Element 23 des Projektionsobjek- tives 2 und dem zu belichtenden Wafer 15. Der Wafer 15 wird während des Scanvorganges durch die Waferstage als Einrichtung 10 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben des Wafers 15 in Pfeilrichtung relativ zu dem letzten optischen Element 23 bewegt, wobei die Flüssigkeitsschicht 51 erhalten bleibt. Hierzu wird einerseits mittels der Zuführeinrichtung 52 stets Immersionsflüssigkeit 51 er- gänzt, wobei andererseits mittels des Ablaufes 53 Immersionsflüssigkeit 51 abgeführt wird. Insgesamt stellt sich in der Schicht der Immersionsflüssigkeit 51 ein laminares Strömungsprofil mit definierten Eigenschaften ein. Durch die gute Beherrschung der Strömungsverhältnisse in der Flüssigkeitsschicht 51 ist es möglich, je nach gewünschter Korrekturwirkung ein Temperaturprofil in die Flüssigkeitsschicht 51 einzu- bringen und damit eine ortsaufgelöste Wellenfrontkorrektur feldnah zu erreichen. Insbesondere wird dadurch, dass aufgrund der Strömung der Immersionsflüssigkeit 51 die in einem Volumenelement befindliche Flüssigkeit kontinuierlich ausgetauscht wird, ein Zerfließen eines gewünschten Temperaturprofiles und damit ein Verlust der Korrekturwirkung vermieden. Im Wesentlichen besteht die Herausforderung darin, ei- nerseits in dem gewünschten Volumenelement die Flüssigkeit zur Erzielung einer Korrekturwirkung ausreichend zu erwärmen, andererseits jedoch die Flüssigkeit pro Volumenelement schnell genug auszutauschen, um einen Verlust der Korrekturwirkung aufgrund der Wärmeleitung und der damit einhergehenden Homogenisierung des Temperaturprofils in der Immersionsflüssigkeitsschicht zu vermeiden.
Nachfolgend sollen anhand Figur 2 exemplarisch zwei Möglichkeiten an Mitteln 4 zur Erzeugung einer gewünschten Temperaturverteilung in der Immersionsflüssigkeitsschicht 51 erläutert werden. Hierzu sind in der Figur 2 zwei Laser 41 , 41 ' als Lichtquellen für Heizstrahlung 26, 26' dargestellt, deren emittierte Strahlung, beispielswei- se IR-Strahlung, jeweils zunächst in einen in der Figur 2 schematisch gezeigten Spiegelgalvanometer 43, 43' eingekoppelt wird. Nachfolgend wird die Heizstrahlung 26 mittels des Spiegelgalvanometers 43 in Abstimmung mit dem Scanvorgang und entsprechend des gewünschten Heizprofiles geeignet durch Mittel zur Strahlablenkung 23 abgelenkt. Dabei durchtritt die aus der ersten Lichtquelle emittierte Strahlung nach dem Passieren des Spiegelgalvanometers 43 das letzte optische Element 23 des Projektionsobjektives, welches somit ebenfalls einen Beitrag zur Strahlablenkung bzw. auch zur Strahlformung leistet, und erreicht erst dann die Immersionsflüs- sigkeitsschicht 51 . Die aus der zweiten Lichtquelle 41 ' emittierte Strahlung 26' erreicht nach ihrer Ablenkung durch das Spiegelgalvanometer 43' unmittelbar die Im- mersionsflüssigkeitsschicht 51 . Selbstverständlich kann auch nur eine der gezeigten Anordnungen zur Emission und Ablenkung der Heizstrahlung zur Anwendung kommen. Anstatt der in Figur 2 angesprochenen Spiegelgalvanometer 43, 43' können selbstverständlich auch andere Vorrichtungen zur Strahlablenkung verwendet werden. In Figur 3 ist eine Variante der Erfindung gezeigt, bei welcher im Bereich der Immer- sionsflüssigkeitsschicht 51 zu einem Zeitpunkt eine flächig ausgedehnte Intensitätsverteilung von Heizstrahlung erzeugt wird. Hierbei kommen Mittel 8 zur gleichzeitigen Erzeugung einer flächig ausgedehnten Intensitätsverteilung von Heizstrahlung zum Einsatz. Es kommen also im Unterschied zu der in Figur 2 gezeigten Lösung folglich keine scannenden Heizstrahlen mit vergleichsweise kleinem Querschnitt zur Anwendung, sondern die gewünschte Temperaturverteilung in der Immersionsflüssigkeits- schicht 51 wird dadurch erreicht, dass zunächst mittels einer geeigneten Treiberschaltung ein bestimmtes Muster in einem LED-Array 81 , beispielsweise unter Verwendung von Infrarot-LED's, erzeugt wird. Die emittierte Strahlung wird mittels einer abbildenden Optik 82 in Gestalt einer Linse 83 auf einen Spiegel 84 gelenkt und nachfolgend durch das letzte optische Element 23 des Projektionsobjektives 2 hindurch in die Immersionsflüssigkeitsschicht 51 eingeleitet, wo sie in Abhängigkeit der Ansteuerung der einzelnen LED's des LED-Arrays 81 ein bestimmtes flächiges Intensitätsprofil erzeugt. Hierdurch wird das letzte optische Element 23 des Projekti- onsobjektives 2 Bestandteil der Optik, welche das LED-Array 81 in die Immersionsflüssigkeitsschicht 51 abbildet. Selbstverständlich kann anstelle des LED-Arrays 81 auch ein mittels einer konventionellen bzw. thermischen Strahlungsquelle beleuchteter Mikrospiegelarray verwendet werden. Die in Figur 3 gezeigte Variante zeichnet sich insbesondere dadurch aus, dass insgesamt mehr Leistung zur ortsaufgelösten thermischen Beeinflussung der Immersionsflüssigkeitsschicht 51 zur Verfügung steht und - im Falle der Verwendung eines LED-Arrays 81 - auf die Verwendung mechanisch bewegter Teile praktisch vollständig verzichtet werden kann.
Bezugszeichenliste:
1 Projektionsbelichtungsanlage
2 Projektionsobjektiv
21 erstes optisches Element des Projektionsobjektives
22 optisches Element des Projektionsobjektives
23 letztes optisches Element des Projektionsobjektives
24 Fassung
25 Objektivgehäuse
3 Reticle, Maske
4 Mittel zur Erzeugung einer bestimmten Temperaturverteilung 41 , 41 ' Laser
43, 43' Mittel zur Strahlablenkung, Spiegelgalvanometer
5 Mittel zur Erzeugung eines Strömungsprofiles
51 Flüssigkeitsschicht; Immersionsflüssigkeit
52 Zuführeinrichtung
53 Ablauf
54 Platten
6 Beleuchtungseinrichtung
7 Projektionsstrahl
8 Mittel zur gleichzeitigen Erzeugung einer flächig ausgedehnten Intensitätsverteilung von Heizstrahlung
81 Array von Lichtquellen; LED-Array
82 abbildende Optik
83 Linse
84 Spiegel
9 Aufnahme- und Positioniereinrichtung für Reticle
10 Aufnahme- und Positioniereinrichtung für Wafer
15 Wafer
PE Pupillenebene

Claims

Patentansprüche:
1 . Projektionsbelichtungsanlage (1 ) für die Halbleiterlithographie, umfassend -.ein Projektionsobjektiv (2) zur Abbildung eines Reticles (3) auf einen
Wafer (15)
- eine Flüssigkeitsschicht (51 ), welche im Weg der zur Abbildung verwendeten optischen Strahlung (7) angeordnet ist sowie Mitteln (4) zur Erzeugung einer bestimmten Temperaturverteilung in der Flüssigkeitsschicht (51 )
- wobei die Mittel (4) zur Erzeugung einer bestimmten Temperaturverteilung geeignet sind, elektromagnetische Heizstrahlung in die Flüssigkeitsschicht einzubringen
dadurch gekennzeichnet, dass
zusätzlich Mittel (5) zur Erzeugung eines Strömungsprofiles in der Flüssigkeitsschicht vorhanden sind.
2. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1 ,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Mittel (5) zur Erzeugung eines Strömungsprofiles in der Flüssigkeitsschicht eine Zuführeinrichtung (52) für Flüssigkeit sowie einen Ablauf (53) umfassen.
3. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Flüssigkeitsschicht (51 ) durch eine zwischen dem Wafer (15) und dem letzten optischen Element (23) des Projektionsobjektives (2) angeordnete Immersionsflüssigkeit gebildet ist.
4. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Flüssigkeitsschicht (51 ) zwischen dem Reticle (3) und dem ersten optischen Element (21 ) des Projektionsobjektives (2) gebildet ist.
5. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Flüssigkeitsschicht (51 ) im Bereich einer Pupillenebene (PE) des Projektionsobjektives (2) gebildet ist.
6. Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
die Mittel (4) zur Erzeugung einer bestimmten Temperaturverteilung Laser (41 , 41 '), insbesondere Infrarot-Laser, beinhalten.
7. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, dass
Mittel (43, 43') zur Ablenkung des von dem Laser (41 ) emittierten Strahles vorhanden sind.
8. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 7 ,
dadurch gekennzeichnet, dass
es sich bei den Mitteln zur Strahlablenkung um einen Spiegelgalvanometer (43) handelt.
9. Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, dass
Mittel (8) zur gleichzeitigen Erzeugung einer flächig ausgedehnten Intensitätsverteilung von Heizstrahlung vorhanden sind.
10. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Mittel (8) zur Erzeugung der flächig ausgedehnten Intensitätsverteilung einen Array von Lichtquellen (81 ) sowie eine abbildende Optik (82) umfassen.
1 1 . Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 10,
dadurch gekennzeichnet, dass
ein optisches Element (21 , 22, 23) des Projektionsobjektives, insbesondere das letzte optische Element (23) des Projektionsobjektives, ein Bestandteil der abbildenden Optik (82) ist.
12. Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 10 oder 1 1 ,
dadurch gekennzeichnet, dass
es sich bei dem Array von Lichtquellen (81 ) um einen Array von Infrarot-LED's handelt.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112276346A (zh) * 2020-10-22 2021-01-29 温州大学 一种超高功率激光切割自动精准调焦加工头

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002052313A1 (en) * 2000-12-22 2002-07-04 Redfern Optical Components Pty Ltd Tuning of optical devices
EP1670041A1 (de) * 2003-08-28 2006-06-14 Nikon Corporation Belichtungsverfahren und -vorrichtung und bauelemente-herstellungsverfahren
WO2007017089A1 (en) 2005-07-25 2007-02-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
EP1813989A1 (de) * 2006-01-30 2007-08-01 ASML Netherlands B.V. Lithographische Projektionsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE102008000968A1 (de) * 2007-04-05 2008-10-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Korrekturelement und Verfahren zur Korrektur von temperaturinduzierten Abbildungsfehlern in optischen Systemen, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
WO2009026970A1 (en) 2007-08-24 2009-03-05 Carl Zeiss Smt Ag Controllable optical element and method for operating an optical element with thermal actuators and projection exposure apparatus for semiconductor lithography
DE102011113521A1 (de) * 2011-09-15 2013-01-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002052313A1 (en) * 2000-12-22 2002-07-04 Redfern Optical Components Pty Ltd Tuning of optical devices
EP1670041A1 (de) * 2003-08-28 2006-06-14 Nikon Corporation Belichtungsverfahren und -vorrichtung und bauelemente-herstellungsverfahren
US7817249B2 (en) 2003-08-28 2010-10-19 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and device producing method using two light beams to correct non-rotationally symmetric aberration
WO2007017089A1 (en) 2005-07-25 2007-02-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
EP1813989A1 (de) * 2006-01-30 2007-08-01 ASML Netherlands B.V. Lithographische Projektionsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE102008000968A1 (de) * 2007-04-05 2008-10-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Korrekturelement und Verfahren zur Korrektur von temperaturinduzierten Abbildungsfehlern in optischen Systemen, Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
WO2008122410A2 (en) 2007-04-05 2008-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Optical correction element and method for the correction of temperature-induced imaging aberrations in optical systems, projection objective and projection exposure apparatus for semiconductor lithography
WO2009026970A1 (en) 2007-08-24 2009-03-05 Carl Zeiss Smt Ag Controllable optical element and method for operating an optical element with thermal actuators and projection exposure apparatus for semiconductor lithography
DE102011113521A1 (de) * 2011-09-15 2013-01-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112276346A (zh) * 2020-10-22 2021-01-29 温州大学 一种超高功率激光切割自动精准调焦加工头
CN112276346B (zh) * 2020-10-22 2021-11-09 温州大学 一种超高功率激光切割自动精准调焦加工头

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