JP2005345102A - 光検出器および半導体露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高感度で光軸の揺らぎに強く、かつ、均一な光量分布を保存した光検出が可能な光検出器及びこれを用いた半導体露光装置を提供すること。
【解決手段】光検出器10は、被検出光DLの光軸上に配置される。この際、支持枠23によって被検出光DLの光路が妨げられないようにし、被検出光DLが自立導電薄膜21に全て入射するようにする。短波長光である被検出光DLが自立導電薄膜21に入射すると、短波長光の光エネルギーの一部が光電子放出に使用され、放出された電荷に相当する光電流が検出器本体20とアースとの間に流れる。この光電流量を電流計30で計測することにより、自立導電薄膜21で減衰する光量、さらには透過光量を計測できる。
【選択図】 図1
【解決手段】光検出器10は、被検出光DLの光軸上に配置される。この際、支持枠23によって被検出光DLの光路が妨げられないようにし、被検出光DLが自立導電薄膜21に全て入射するようにする。短波長光である被検出光DLが自立導電薄膜21に入射すると、短波長光の光エネルギーの一部が光電子放出に使用され、放出された電荷に相当する光電流が検出器本体20とアースとの間に流れる。この光電流量を電流計30で計測することにより、自立導電薄膜21で減衰する光量、さらには透過光量を計測できる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、短波長光の強度等を計測するための光検出器及びこれを用いた半導体露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、高エネルギー光等を同軸上で光電変換して検出する方法が知られている。このような同軸光検出法では、高エネルギー光の光路中に周囲から絶縁された金属メッシュを配置し、金属メッシュとアースとを電流計を介して結線する。高エネルギー光が金属メッシュを通過すると、高エネルギー光の一部が金属メッシュに入射し、金属メッシュ表面から光電子が放出される。この際、光電子を補うべく金属メッシュからアース方向へ電流が流れるので、かかる電流を光電流として電流計で計測すれば、高エネルギー光の強度を検出することができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の同軸光検出法では、金属メッシュを用いていることから、高エネルギー光の透過光量を確保するためにメッシュの開口を大きくすると、ゲイン(光電流)が低下してS/Nを大きく取ることができない。
【0004】
また、高エネルギー光の光軸がこれに垂直な方向に変動する揺らぎがある場合、メッシュ上の照射領域が変動することになり、光電流が不安定になるなど、高精度の光検出が困難となる。
【0005】
また、直線性の良いSOR光源等からの高エネルギー光を検出したり、被照射ターゲット近くに金属メッシュの検出部を配する場合には、被照射ターゲット上のビーム照射領域に金属メッシュの陰や光濃度の不均一が生じ、照射ビームの質の低下を避けることができない。
【0006】
そこで、本発明は、高感度で光軸の揺らぎに強く、かつ、均一な光量分布を維持したままで光検出が可能な光検出器及びこれを用いた半導体露光装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る光検出器は、自立導電薄膜を有する受光部と、被検出光が受光部を透過する際にこの受光部から放出される光電子を電流として検出する電流検出手段とを備える。
【0008】
上記光検出器では、被検出光が受光部を透過する際にこの受光部すなわち自立導電薄膜が光電子を放出する現象を利用するので、被検出光である短波長光を2次元的に均一な広がりを有する自立導電薄膜で全体的に受け止めることができる。つまり、被検出光である短波長光を自立導電薄膜で透過させつつ自立導電薄膜で効率的に検出することができる。この際、電流検出手段によって、受光部で発生した光電子を電流として検出するので、被検出光の強度を簡易かつ精密に検出することができる。また、被検出光すなわち短波長光の光軸がこれに垂直な方向に変位するような揺らぎがある場合であっても、被検出光を2次元的に均一な広がりを有する自立導電薄膜で受け止めているので、検出される光電流の変動を低減することができる。さらに、短波長光を入射させるべき被照射ターゲットに近接して受光部を配置しても、金属メッシュの場合のような照射パターンが生じにくく、短波長光による均一な照明が可能になる。
【0009】
また、上記光検出器の具体的態様では、受光部が、自立導電薄膜を周囲から支持するとともにこの自立導電薄膜を周囲から絶縁する支持枠をさらに備える。この場合、自立導電薄膜が周囲から電気的に独立した状態で安定して保持され、光電子に対応する電流を正確に検出することができる。
【0010】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、自立導電薄膜が、金属膜である。この場合、受光部から効率的に光電流を取り出すことができる。
【0011】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、受光部は、上面に絶縁層を形成したSi基板を所定領域で裏面から除去することによって絶縁層からなる絶縁体メンブレンを形成し、この絶縁体メンブレン上に金属層を形成した後に、所定領域で絶縁体メンブレンを除去することによって形成される。この場合、所謂マイクロマシンプロセスを活用して、所望の厚み、形状及びサイズを有する自立導電薄膜を得ることができる。また、自立導電薄膜の周囲には、Si基板材からなる支持枠を残すことができる。さらに、自立導電薄膜とSi基板材との間に絶縁層を介在させて簡易な絶縁を達成することができる。
【0012】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、金属膜が、2種以上の金属からなる多層金属薄膜である。この場合、多層金属薄膜を構成する金属の選択により、受光部に入射する短波長光のうち特定波長光を所望の透過率で透過させつつ所望の効率で検出するといった多様な機能を持たせることができる。
【0013】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、多層金属薄膜が、Ti/Zr/Tiの3層構造を含む3層以上の構成である。この場合、Tiによって自立導電薄膜に皺が形成されることを防止でき、自立導電薄膜の剛性を高めることができ、さらに、Zrの酸化等による劣化や特性変化を防止することができる。
【0014】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、多層金属薄膜が、Ti/Al/Tiの3層構造を含む3層以上の構成である。この場合、Tiによって自立導電薄膜に皺が形成されることを防止でき、自立導電薄膜の剛性を高めることができ、さらに、Alの酸化等による劣化や特性変化を防止することができる。
【0015】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、所定領域が、複数の部分領域からなり、受光部が、これらの複数の部分領域ごとに複数設けられている。この場合、広い断面積を有する被検出光すなわち短波長光を効率的に検出することができる。さらに、ビーム断面の光強度分布やビーム位置を検出することができる。
【0016】
また、本発明に係る半導体露光装置は、上述の光検出器を備える。この場合、例えば露光光として使用される短波長光の強度をこの光検出器によって正確に監視することができるので、短波長光を用いた露光の精度をさらに高めることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態に係る光検出器の構成を説明する図である。この光検出器10は、光検出体を有する受光部である検出器本体20と、被検出光DLが検出器本体20を透過する際に発生する電流を検出する電流検出手段である電流計30とを備える。
【0018】
ここで、検出器本体20は、被検出光DLが入射する光検出体である自立導電薄膜21と、この自立導電薄膜21を周囲から支持するとともにこの自立導電薄膜21を周囲から絶縁する支持枠23とを備える。前者の自立導電薄膜21は、均一な厚みを有する金属薄膜であり、紫外線やX線等の短波長光である被検出光DLを均一に透過させる。後者の支持枠23は、Si結晶を主要構成材とする矩形の構造体であり、被検出光DLの波長にもよるが被検出光DLをほとんど遮断する。
【0019】
電流計30は、一端が配線31を介して自立導電薄膜21に電気的に接続されており、他端が接地されている。この電流計30には、自立導電薄膜21への被検出光DLの入射に伴って、自立導電薄膜21から光電変換によって出射する光電子を補うように微小電流が流れる。つまり、電流計30の出力を監視することにより、被検出光DLの強度を検出することができる。
【0020】
なお、検出器本体20は、真空容器(不図示)中において、被検出光DLの光路上に周囲から絶縁された状態で固定される。また、電流計30は、真空容器の外部に配置され、配線31を介して真空容器中の検出器本体20と接続される。
【0021】
図2は、図1に示す検出器本体20の断面構造を説明する図である。検出器本体20を構成する自立導電薄膜21は、TiとAuとを積層した2層構造の金属膜41からなり、数10nm程度の厚さを有する。この金属膜41は、周囲の支持枠23まで延びており、Si窒化膜、Si酸化膜、窒化ホウ素等からなり数100nm程度の厚さを有する絶縁膜43を介して、Si単結晶からなる枠本体45に固定されている。ここで、枠本体45は、数100μm程度の厚さを有し、一辺が数cm程度の矩形開口23aを有する。つまり、支持枠23は、Si単結晶製の枠本体45上にSi窒化膜製の絶縁膜43とTi/Au製の金属膜41とを積層した構造となっており、自立導電薄膜21は、このような支持枠23の矩形開口23aを覆うように形成・配置されている。
【0022】
以下、図1及び図2に示す光検出器10の動作について説明する。光検出器10は、被検出光DLの光軸上に配置される。この際、支持枠23によって被検出光DLの光路が妨げられないようにし、被検出光DLが自立導電薄膜21に全て入射するようにする。短波長光である被検出光DLが自立導電薄膜21に入射すると、短波長光の光エネルギーの一部が光電子放出に使用され、放出された電荷に相当する光電流が検出器本体20とアースとの間に流れる。この光電流量を電流計30で計測することにより、自立導電薄膜21で減衰する光量、さらには透過光量を計測できる。
【0023】
なお、自立導電薄膜21に入射する被検出光DLの強度と、電流計30で検出される微小電流とは通常比例関係にあるが、他の非透過型の光センサを用いて、電流計30からの検出値に基づいて被検出光DLの強度を決定するためのグラフすなわち検量線を予め求めておくことができる。また、自立導電薄膜21における被検出光DLの減衰率や透過率は、被検出光DLの波長に依存して変化するので、波長が異なる複数の短波長光について入射強度を比較する場合、減衰率や透過率の波長依存性を考慮して、被検出光DLの強度を決定するためのグラフを修正する必要がある。
【0024】
図3は、図2に示す検出器本体20の製造方法を示す図である。まず、厚さ200μm程度のSi単結晶基板51の表裏面に、LP−CVD等により、支持体となる厚さ0.1μm程度のSiN膜52を成膜する(図3(a)参照)。なお、支持体としては、このSiNに限らず、SiNxやBNなど機械的に強靭で、この絶縁体メンブレン上に一定膜厚の異なる材質の成膜が可能なものを使用することができる。次に、Si単結晶基板51の裏側にレジストを塗布し、金属薄膜を形成する部分より幾分外側の部分(周辺領域)を残して、フォトリソグラフィ・プロセスを利用してレジストを除去することにより、矩形のレジストパターン層53を形成する(図3(b)参照)。次に、残されたレジストパターン層53をマスクとして、フッ素系活性種によるドライエッチングにより中央の矩形領域でSiN膜52を除去し、その後レジストパターン層53を除去する(図3(c)参照)。続いて、裏面からフッ素系活性種を用いたドライエッチング等により中央の矩形領域でSi単結晶基板51を除去して、SiN膜52からなる支持体すなわちメンブレンを製作する(図3(d)参照)。その後、SiN膜52の表面側に、蒸着、スパッタ等により例えば15nm程度のTi膜54と例えば165nm程度のAu膜55とを順次堆積する(図3(e)参照)。最後に、裏面側から、Si単結晶基板51をマスクとするフッ素系活性種によるドライエッチングによってSiN膜52を除去し、Ti膜54及びAu膜55からなる金属メンブレン層を完成させる(図3(f)参照)。SiN膜52の除去に使用するエッチングガスとしては、支持メンブレン材料をエッチングでき、かつ、金属系メンブレン層にはあまり損傷を与えない条件の採用が可能なRIE、RIBE、ICP−E、ラジカルビームエッチング等が使用できる。なお。支持体である絶縁体メンブレンがSiNxの場合、エッチングガスはCF4、CHF3、SF6などF系ガスを主成分としたガス組成を用いるのが望ましい。
【0025】
最終的な図3(f)の状態において、上側のTi膜54及びAu膜55は、図2の金属膜41に対応し、中間のSiN膜52は、図2の絶縁膜43に対応し、下側のSi単結晶基板51は、図2の枠本体45に対応する。Ti膜54及びAu膜55からなる金属メンブレンを構成する金属膜41は、Si単結晶51からなる枠本体45によって周囲から支持されている。よって、金属膜41に適度な引っ張り応力を与えることができ、金属膜41を平坦にすることができるので、同軸光検出器用の自立導電薄膜21として用いるのに特に有効である。
【0026】
図4(a)は、被検出光DLを3つの異なる膜厚を有する3つの自立導電薄膜21に入射させた場合の電流検出結果を示すグラフである。横軸は、自立導電薄膜21に入射する被検出光DLの光子エネルギーを示し、縦軸は、電流計30で検出される微小電流を示す。なお、図示のグラフを得る測定において、被検出光DLとしてSR光を用い、被検出光DLの光子エネルギーを徐々に変化させた。また、自立導電薄膜21において、Ti膜54の厚みを1.5nmに固定しAu膜55の厚みを変更することによって上記3種類の膜厚を得た。さらに、これらの測定は、真空中で行った。
【0027】
図4(b)は、被検出光DLに対応する光源光のスペクトル分布を示すグラフである。被検出光DLの強度分布は、この被検出光DLが透過する自立導電薄膜21によって検出される光電流(図4(a)参照)とほぼ比例する関係にあることが分かる。
【0028】
以上のグラフからも明らかなように、10eV〜30eVの光子エネルギーを有する被検出光DLを、5pA以上の光電流、かつ、良好なS/Nで検出することができる。つまり、上記のような自立導電薄膜21を用いることにより、被検出光DLを十分な電流量で、高精度の検出することができる。なお、自立導電薄膜21の膜厚が30nmを超すと電流計30で検出される電流が飽和する。
〔第2実施形態〕
図5は、第2実施形態に係る光検出器を説明する図である。第2実施形態の光検出器は、第1実施形態の光検出器10において、検出器本体20の一部を変更したものであり、他の共通する部分については、同一の符号を付して重複説明を省略する。
【0029】
この場合、検出器本体120の金属膜141が一対のTi膜141a、141bの間にZr膜141cを挟んだTi/Zr/Tiの3層構造になっている。このように、Ti膜141a、141bでZr膜141cを挟むことにより、自立導電薄膜21に皺が形成され易くなることを防止でき、自立導電薄膜21の剛性を高めることができる。また、Ti膜141a、141bによってZr膜141cが封止されることになるので、Zr膜141cの酸化等による劣化を防止することができる。なお、Ti膜141a、141bの膜厚を0.5nm〜10nm程度とし、Zr膜141cの膜厚を10nm〜300nm程度とすることで適正な検出結果が得られることが実験的に分かった。
【0030】
以上では、検出器本体120の金属膜141をTi/Zr/Tiの3層構造としているが、Ti/Al/Tiの3層構造とすることもできる。この場合も、Ti膜の膜厚を0.5nm〜10nm程度とし、Al膜の膜厚を10nm〜300nm程度とすることで適正な検出結果が得られることが実験的に分かった。
〔第3実施形態〕
図6は、第3実施形態に係る光検出器を説明する図である。第3実施形態の光検出器は、第1実施形態の場合と異なり、被検出光DLを入射・透過させるための検出器本体220が複数の受光部からなる。つまり、この検出器本体220は、被検出光DLの光路上にマトリックス状に配置された多数の自立導電薄膜21を備える。各自立導電薄膜21は、その周囲まで広がる矩形の金属膜41から形成されており、各金属膜41からは、配線31が検出器本体220の周辺に向かって延びている。各配線31には、図1に示す電流計30と同様の電流計がそれぞれ接続される。この場合、単独では大きくすることに限界がある自立導電薄膜21を格子状のサポート部123bを介して二次元的に配列しているので、広い断面積を有する被検出光DLを効率的に検出することができる。しかも、自立導電薄膜21ごとに、配線31を介して個別に電流計30を接続しているので、各電流計30で検出される相対的な電流強度比から、ビーム断面の光強度分布を検出したり、被検出光DLの入射位置を特定することもできる。
【0031】
第3実施形態に係る光検出器も、第1実施形態の場合と同様に作製することができる。ただし、図3(b)の工程において、マトリックス状に配列された9つの矩形開口からなるレジストパターン層53を形成する。さらに、図3(e)の工程の後に、例えばTi膜54やAu膜55からなる金属膜をパターニングして配線31を形成する。
【0032】
なお、上記実施形態において、すべての自立導電薄膜21を並列に接続して単一の電流計30で被検出光DLを検出することもできる。この場合、ビーム径の大きな被検出光DLを高い感度で検出することができる。
〔第4実施形態〕
図8は、図1に示す光検出器10等を組み込んだX線露光装置の一例を示す構成図である。
【0033】
このX線露光装置は、主に、軟X線光源S、コンデンサC、照明光学系IR1〜IR4、マスクMを支持するステージMST、投影結像光学系PR1〜PR4、ウエハWを支持するステージWST等により構成されている。
【0034】
軟X線光源Sには、プラズマ励起用レーザ光を発生するレーザ光源Lと、ターゲット材料であるキセノン等のガスを筐体SC中に供給するチューブTとが付設されている。チューブTの先端から出射するキセノンにレーザ光源Lからのレーザ光を集光させることにより、その部分のターゲット材がプラズマ化して軟X線を発する。コンデンサCは、チューブT先端で発生した軟X線を集光する。コンデンサCとコリメータミラーCMとの間には、図2や図5等に示す検出器本体20が配置されており、軟X線光源Sの筐体SCに固定されている。つまり、筐体SCから出射する軟X線は、検出器本体20に設けた自立導電薄膜21を通過することになるので、軟X線の強度に応じた電流が電流計30によって検出される。なお、以上のようなレーザプラズマ光源に代えて、放電プラズマ光源、SR光源からの放射光等を使用することができる。いずれの場合にも、光源光の光軸上に検出器本体20を配置することにより、光源光を大きく減衰させることなくその強度を正確に検出することができる。
【0035】
照明光学系IR1〜IR4は、反射型のオプティカルインチグレ一夕IR1、IR2、コンデンサミラーIR3等により構成されている。この照明光学系IR1〜IR4によって、マスクM上を所望の波長のX線で均一に照明することができる。
【0036】
X線の波長域では完全に透明な物質は存在しないので、マスクMには従来の透過型のマスクではなく反射型のマスクが使用される。
【0037】
投影結像光学系PR1〜PR4は、複数の多層膜ミラー等により構成されている。マスクM上に形成された回路パターンは、このような投影結像光学系PR1〜PR4によってレジストが塗布されたウエハW上に結像してこのレジストに転写される。なお、X線は大気に吸収されて減衰するが、装置全体を真空チャンバVCによって覆って、X線の光路を所定の真空度(例えば、1.3×10- 3Pa以下)に維持することで、X線の減衰を低減している。
【0038】
以上のX線露光装置では、光検出器10によって軟X線光源SからのX線強度の変動をリアルタイムで監視することができるので、ウエハWに対する露光量をより精密なものとすることができる。
【0039】
以上実施形態に即して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、自立導電薄膜21の材料として、上記実施形態では、Au、Ti、Zr、Al等を用いているが、Pt、Pd等を用いて自立導電薄膜21を形成することもできる。このように自立導電薄膜21を構成する金属を選択することで、光電変換に際しての仕事関数を適宜調節することができるので、自立導電薄膜21の透過率や、光電変換の効率等を用途に応じて調整することができる。
【0040】
さらに、自立導電薄膜21は、上記のように金属に限らず、ZnO、TiO2等の酸化物、炭素等で形成することもできる。
【0041】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る光検出器によれば、被検出光である短波長光を2次元的に均一な広がりを有する自立導電薄膜で全体的に受け止めることができる。つまり、被検出光である短波長光を受光部で透過させつつ効率的に検出することができる。この際、電流検出手段によって受光部で発生した光電子を電流として検出するので、被検出光の強度を簡易かつ精密に検出することができる。また、被検出光すなわち短波長光の光軸に揺らぎがある場合であっても、検出される光電流の変動を低減することができる。さらに、金属メッシュの場合のような照射パターンが生じにくく、短波長光による均一な照明が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る光検出器の構成を説明する図である。
【図2】図1に示す検出器本体20の断面構造を説明する図である。
【図3】(a)〜(f)は、図2に示す検出器本体の製造工程を示す図である。
【図4】(a)は、図2の自立導電薄膜に入射する被検出光のエネルギーと電流計で検出される電流との関係を説明するグラフであり、(b)は、図2の自立導電薄膜に入射する被検出光のエネルギーと被検出光の強度との関係を説明するグラフである。
【図5】第2実施形態に係る光検出器を説明する図である。
【図6】第3実施形態に係る光検出器を説明する図である。
【図7】図1に示す光検出器等を組み込んだX線露光装置の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
10 光検出器
20,120,220 検出器本体
21 自立導電薄膜
23 支持枠
30 電流計
31 配線
41 各金属膜
41 金属膜
43 絶縁膜
45 枠本体
DL 被検出光
【産業上の利用分野】
本発明は、短波長光の強度等を計測するための光検出器及びこれを用いた半導体露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、高エネルギー光等を同軸上で光電変換して検出する方法が知られている。このような同軸光検出法では、高エネルギー光の光路中に周囲から絶縁された金属メッシュを配置し、金属メッシュとアースとを電流計を介して結線する。高エネルギー光が金属メッシュを通過すると、高エネルギー光の一部が金属メッシュに入射し、金属メッシュ表面から光電子が放出される。この際、光電子を補うべく金属メッシュからアース方向へ電流が流れるので、かかる電流を光電流として電流計で計測すれば、高エネルギー光の強度を検出することができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の同軸光検出法では、金属メッシュを用いていることから、高エネルギー光の透過光量を確保するためにメッシュの開口を大きくすると、ゲイン(光電流)が低下してS/Nを大きく取ることができない。
【0004】
また、高エネルギー光の光軸がこれに垂直な方向に変動する揺らぎがある場合、メッシュ上の照射領域が変動することになり、光電流が不安定になるなど、高精度の光検出が困難となる。
【0005】
また、直線性の良いSOR光源等からの高エネルギー光を検出したり、被照射ターゲット近くに金属メッシュの検出部を配する場合には、被照射ターゲット上のビーム照射領域に金属メッシュの陰や光濃度の不均一が生じ、照射ビームの質の低下を避けることができない。
【0006】
そこで、本発明は、高感度で光軸の揺らぎに強く、かつ、均一な光量分布を維持したままで光検出が可能な光検出器及びこれを用いた半導体露光装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る光検出器は、自立導電薄膜を有する受光部と、被検出光が受光部を透過する際にこの受光部から放出される光電子を電流として検出する電流検出手段とを備える。
【0008】
上記光検出器では、被検出光が受光部を透過する際にこの受光部すなわち自立導電薄膜が光電子を放出する現象を利用するので、被検出光である短波長光を2次元的に均一な広がりを有する自立導電薄膜で全体的に受け止めることができる。つまり、被検出光である短波長光を自立導電薄膜で透過させつつ自立導電薄膜で効率的に検出することができる。この際、電流検出手段によって、受光部で発生した光電子を電流として検出するので、被検出光の強度を簡易かつ精密に検出することができる。また、被検出光すなわち短波長光の光軸がこれに垂直な方向に変位するような揺らぎがある場合であっても、被検出光を2次元的に均一な広がりを有する自立導電薄膜で受け止めているので、検出される光電流の変動を低減することができる。さらに、短波長光を入射させるべき被照射ターゲットに近接して受光部を配置しても、金属メッシュの場合のような照射パターンが生じにくく、短波長光による均一な照明が可能になる。
【0009】
また、上記光検出器の具体的態様では、受光部が、自立導電薄膜を周囲から支持するとともにこの自立導電薄膜を周囲から絶縁する支持枠をさらに備える。この場合、自立導電薄膜が周囲から電気的に独立した状態で安定して保持され、光電子に対応する電流を正確に検出することができる。
【0010】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、自立導電薄膜が、金属膜である。この場合、受光部から効率的に光電流を取り出すことができる。
【0011】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、受光部は、上面に絶縁層を形成したSi基板を所定領域で裏面から除去することによって絶縁層からなる絶縁体メンブレンを形成し、この絶縁体メンブレン上に金属層を形成した後に、所定領域で絶縁体メンブレンを除去することによって形成される。この場合、所謂マイクロマシンプロセスを活用して、所望の厚み、形状及びサイズを有する自立導電薄膜を得ることができる。また、自立導電薄膜の周囲には、Si基板材からなる支持枠を残すことができる。さらに、自立導電薄膜とSi基板材との間に絶縁層を介在させて簡易な絶縁を達成することができる。
【0012】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、金属膜が、2種以上の金属からなる多層金属薄膜である。この場合、多層金属薄膜を構成する金属の選択により、受光部に入射する短波長光のうち特定波長光を所望の透過率で透過させつつ所望の効率で検出するといった多様な機能を持たせることができる。
【0013】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、多層金属薄膜が、Ti/Zr/Tiの3層構造を含む3層以上の構成である。この場合、Tiによって自立導電薄膜に皺が形成されることを防止でき、自立導電薄膜の剛性を高めることができ、さらに、Zrの酸化等による劣化や特性変化を防止することができる。
【0014】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、多層金属薄膜が、Ti/Al/Tiの3層構造を含む3層以上の構成である。この場合、Tiによって自立導電薄膜に皺が形成されることを防止でき、自立導電薄膜の剛性を高めることができ、さらに、Alの酸化等による劣化や特性変化を防止することができる。
【0015】
また、上記光検出器の別の具体的態様では、所定領域が、複数の部分領域からなり、受光部が、これらの複数の部分領域ごとに複数設けられている。この場合、広い断面積を有する被検出光すなわち短波長光を効率的に検出することができる。さらに、ビーム断面の光強度分布やビーム位置を検出することができる。
【0016】
また、本発明に係る半導体露光装置は、上述の光検出器を備える。この場合、例えば露光光として使用される短波長光の強度をこの光検出器によって正確に監視することができるので、短波長光を用いた露光の精度をさらに高めることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態に係る光検出器の構成を説明する図である。この光検出器10は、光検出体を有する受光部である検出器本体20と、被検出光DLが検出器本体20を透過する際に発生する電流を検出する電流検出手段である電流計30とを備える。
【0018】
ここで、検出器本体20は、被検出光DLが入射する光検出体である自立導電薄膜21と、この自立導電薄膜21を周囲から支持するとともにこの自立導電薄膜21を周囲から絶縁する支持枠23とを備える。前者の自立導電薄膜21は、均一な厚みを有する金属薄膜であり、紫外線やX線等の短波長光である被検出光DLを均一に透過させる。後者の支持枠23は、Si結晶を主要構成材とする矩形の構造体であり、被検出光DLの波長にもよるが被検出光DLをほとんど遮断する。
【0019】
電流計30は、一端が配線31を介して自立導電薄膜21に電気的に接続されており、他端が接地されている。この電流計30には、自立導電薄膜21への被検出光DLの入射に伴って、自立導電薄膜21から光電変換によって出射する光電子を補うように微小電流が流れる。つまり、電流計30の出力を監視することにより、被検出光DLの強度を検出することができる。
【0020】
なお、検出器本体20は、真空容器(不図示)中において、被検出光DLの光路上に周囲から絶縁された状態で固定される。また、電流計30は、真空容器の外部に配置され、配線31を介して真空容器中の検出器本体20と接続される。
【0021】
図2は、図1に示す検出器本体20の断面構造を説明する図である。検出器本体20を構成する自立導電薄膜21は、TiとAuとを積層した2層構造の金属膜41からなり、数10nm程度の厚さを有する。この金属膜41は、周囲の支持枠23まで延びており、Si窒化膜、Si酸化膜、窒化ホウ素等からなり数100nm程度の厚さを有する絶縁膜43を介して、Si単結晶からなる枠本体45に固定されている。ここで、枠本体45は、数100μm程度の厚さを有し、一辺が数cm程度の矩形開口23aを有する。つまり、支持枠23は、Si単結晶製の枠本体45上にSi窒化膜製の絶縁膜43とTi/Au製の金属膜41とを積層した構造となっており、自立導電薄膜21は、このような支持枠23の矩形開口23aを覆うように形成・配置されている。
【0022】
以下、図1及び図2に示す光検出器10の動作について説明する。光検出器10は、被検出光DLの光軸上に配置される。この際、支持枠23によって被検出光DLの光路が妨げられないようにし、被検出光DLが自立導電薄膜21に全て入射するようにする。短波長光である被検出光DLが自立導電薄膜21に入射すると、短波長光の光エネルギーの一部が光電子放出に使用され、放出された電荷に相当する光電流が検出器本体20とアースとの間に流れる。この光電流量を電流計30で計測することにより、自立導電薄膜21で減衰する光量、さらには透過光量を計測できる。
【0023】
なお、自立導電薄膜21に入射する被検出光DLの強度と、電流計30で検出される微小電流とは通常比例関係にあるが、他の非透過型の光センサを用いて、電流計30からの検出値に基づいて被検出光DLの強度を決定するためのグラフすなわち検量線を予め求めておくことができる。また、自立導電薄膜21における被検出光DLの減衰率や透過率は、被検出光DLの波長に依存して変化するので、波長が異なる複数の短波長光について入射強度を比較する場合、減衰率や透過率の波長依存性を考慮して、被検出光DLの強度を決定するためのグラフを修正する必要がある。
【0024】
図3は、図2に示す検出器本体20の製造方法を示す図である。まず、厚さ200μm程度のSi単結晶基板51の表裏面に、LP−CVD等により、支持体となる厚さ0.1μm程度のSiN膜52を成膜する(図3(a)参照)。なお、支持体としては、このSiNに限らず、SiNxやBNなど機械的に強靭で、この絶縁体メンブレン上に一定膜厚の異なる材質の成膜が可能なものを使用することができる。次に、Si単結晶基板51の裏側にレジストを塗布し、金属薄膜を形成する部分より幾分外側の部分(周辺領域)を残して、フォトリソグラフィ・プロセスを利用してレジストを除去することにより、矩形のレジストパターン層53を形成する(図3(b)参照)。次に、残されたレジストパターン層53をマスクとして、フッ素系活性種によるドライエッチングにより中央の矩形領域でSiN膜52を除去し、その後レジストパターン層53を除去する(図3(c)参照)。続いて、裏面からフッ素系活性種を用いたドライエッチング等により中央の矩形領域でSi単結晶基板51を除去して、SiN膜52からなる支持体すなわちメンブレンを製作する(図3(d)参照)。その後、SiN膜52の表面側に、蒸着、スパッタ等により例えば15nm程度のTi膜54と例えば165nm程度のAu膜55とを順次堆積する(図3(e)参照)。最後に、裏面側から、Si単結晶基板51をマスクとするフッ素系活性種によるドライエッチングによってSiN膜52を除去し、Ti膜54及びAu膜55からなる金属メンブレン層を完成させる(図3(f)参照)。SiN膜52の除去に使用するエッチングガスとしては、支持メンブレン材料をエッチングでき、かつ、金属系メンブレン層にはあまり損傷を与えない条件の採用が可能なRIE、RIBE、ICP−E、ラジカルビームエッチング等が使用できる。なお。支持体である絶縁体メンブレンがSiNxの場合、エッチングガスはCF4、CHF3、SF6などF系ガスを主成分としたガス組成を用いるのが望ましい。
【0025】
最終的な図3(f)の状態において、上側のTi膜54及びAu膜55は、図2の金属膜41に対応し、中間のSiN膜52は、図2の絶縁膜43に対応し、下側のSi単結晶基板51は、図2の枠本体45に対応する。Ti膜54及びAu膜55からなる金属メンブレンを構成する金属膜41は、Si単結晶51からなる枠本体45によって周囲から支持されている。よって、金属膜41に適度な引っ張り応力を与えることができ、金属膜41を平坦にすることができるので、同軸光検出器用の自立導電薄膜21として用いるのに特に有効である。
【0026】
図4(a)は、被検出光DLを3つの異なる膜厚を有する3つの自立導電薄膜21に入射させた場合の電流検出結果を示すグラフである。横軸は、自立導電薄膜21に入射する被検出光DLの光子エネルギーを示し、縦軸は、電流計30で検出される微小電流を示す。なお、図示のグラフを得る測定において、被検出光DLとしてSR光を用い、被検出光DLの光子エネルギーを徐々に変化させた。また、自立導電薄膜21において、Ti膜54の厚みを1.5nmに固定しAu膜55の厚みを変更することによって上記3種類の膜厚を得た。さらに、これらの測定は、真空中で行った。
【0027】
図4(b)は、被検出光DLに対応する光源光のスペクトル分布を示すグラフである。被検出光DLの強度分布は、この被検出光DLが透過する自立導電薄膜21によって検出される光電流(図4(a)参照)とほぼ比例する関係にあることが分かる。
【0028】
以上のグラフからも明らかなように、10eV〜30eVの光子エネルギーを有する被検出光DLを、5pA以上の光電流、かつ、良好なS/Nで検出することができる。つまり、上記のような自立導電薄膜21を用いることにより、被検出光DLを十分な電流量で、高精度の検出することができる。なお、自立導電薄膜21の膜厚が30nmを超すと電流計30で検出される電流が飽和する。
〔第2実施形態〕
図5は、第2実施形態に係る光検出器を説明する図である。第2実施形態の光検出器は、第1実施形態の光検出器10において、検出器本体20の一部を変更したものであり、他の共通する部分については、同一の符号を付して重複説明を省略する。
【0029】
この場合、検出器本体120の金属膜141が一対のTi膜141a、141bの間にZr膜141cを挟んだTi/Zr/Tiの3層構造になっている。このように、Ti膜141a、141bでZr膜141cを挟むことにより、自立導電薄膜21に皺が形成され易くなることを防止でき、自立導電薄膜21の剛性を高めることができる。また、Ti膜141a、141bによってZr膜141cが封止されることになるので、Zr膜141cの酸化等による劣化を防止することができる。なお、Ti膜141a、141bの膜厚を0.5nm〜10nm程度とし、Zr膜141cの膜厚を10nm〜300nm程度とすることで適正な検出結果が得られることが実験的に分かった。
【0030】
以上では、検出器本体120の金属膜141をTi/Zr/Tiの3層構造としているが、Ti/Al/Tiの3層構造とすることもできる。この場合も、Ti膜の膜厚を0.5nm〜10nm程度とし、Al膜の膜厚を10nm〜300nm程度とすることで適正な検出結果が得られることが実験的に分かった。
〔第3実施形態〕
図6は、第3実施形態に係る光検出器を説明する図である。第3実施形態の光検出器は、第1実施形態の場合と異なり、被検出光DLを入射・透過させるための検出器本体220が複数の受光部からなる。つまり、この検出器本体220は、被検出光DLの光路上にマトリックス状に配置された多数の自立導電薄膜21を備える。各自立導電薄膜21は、その周囲まで広がる矩形の金属膜41から形成されており、各金属膜41からは、配線31が検出器本体220の周辺に向かって延びている。各配線31には、図1に示す電流計30と同様の電流計がそれぞれ接続される。この場合、単独では大きくすることに限界がある自立導電薄膜21を格子状のサポート部123bを介して二次元的に配列しているので、広い断面積を有する被検出光DLを効率的に検出することができる。しかも、自立導電薄膜21ごとに、配線31を介して個別に電流計30を接続しているので、各電流計30で検出される相対的な電流強度比から、ビーム断面の光強度分布を検出したり、被検出光DLの入射位置を特定することもできる。
【0031】
第3実施形態に係る光検出器も、第1実施形態の場合と同様に作製することができる。ただし、図3(b)の工程において、マトリックス状に配列された9つの矩形開口からなるレジストパターン層53を形成する。さらに、図3(e)の工程の後に、例えばTi膜54やAu膜55からなる金属膜をパターニングして配線31を形成する。
【0032】
なお、上記実施形態において、すべての自立導電薄膜21を並列に接続して単一の電流計30で被検出光DLを検出することもできる。この場合、ビーム径の大きな被検出光DLを高い感度で検出することができる。
〔第4実施形態〕
図8は、図1に示す光検出器10等を組み込んだX線露光装置の一例を示す構成図である。
【0033】
このX線露光装置は、主に、軟X線光源S、コンデンサC、照明光学系IR1〜IR4、マスクMを支持するステージMST、投影結像光学系PR1〜PR4、ウエハWを支持するステージWST等により構成されている。
【0034】
軟X線光源Sには、プラズマ励起用レーザ光を発生するレーザ光源Lと、ターゲット材料であるキセノン等のガスを筐体SC中に供給するチューブTとが付設されている。チューブTの先端から出射するキセノンにレーザ光源Lからのレーザ光を集光させることにより、その部分のターゲット材がプラズマ化して軟X線を発する。コンデンサCは、チューブT先端で発生した軟X線を集光する。コンデンサCとコリメータミラーCMとの間には、図2や図5等に示す検出器本体20が配置されており、軟X線光源Sの筐体SCに固定されている。つまり、筐体SCから出射する軟X線は、検出器本体20に設けた自立導電薄膜21を通過することになるので、軟X線の強度に応じた電流が電流計30によって検出される。なお、以上のようなレーザプラズマ光源に代えて、放電プラズマ光源、SR光源からの放射光等を使用することができる。いずれの場合にも、光源光の光軸上に検出器本体20を配置することにより、光源光を大きく減衰させることなくその強度を正確に検出することができる。
【0035】
照明光学系IR1〜IR4は、反射型のオプティカルインチグレ一夕IR1、IR2、コンデンサミラーIR3等により構成されている。この照明光学系IR1〜IR4によって、マスクM上を所望の波長のX線で均一に照明することができる。
【0036】
X線の波長域では完全に透明な物質は存在しないので、マスクMには従来の透過型のマスクではなく反射型のマスクが使用される。
【0037】
投影結像光学系PR1〜PR4は、複数の多層膜ミラー等により構成されている。マスクM上に形成された回路パターンは、このような投影結像光学系PR1〜PR4によってレジストが塗布されたウエハW上に結像してこのレジストに転写される。なお、X線は大気に吸収されて減衰するが、装置全体を真空チャンバVCによって覆って、X線の光路を所定の真空度(例えば、1.3×10- 3Pa以下)に維持することで、X線の減衰を低減している。
【0038】
以上のX線露光装置では、光検出器10によって軟X線光源SからのX線強度の変動をリアルタイムで監視することができるので、ウエハWに対する露光量をより精密なものとすることができる。
【0039】
以上実施形態に即して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、自立導電薄膜21の材料として、上記実施形態では、Au、Ti、Zr、Al等を用いているが、Pt、Pd等を用いて自立導電薄膜21を形成することもできる。このように自立導電薄膜21を構成する金属を選択することで、光電変換に際しての仕事関数を適宜調節することができるので、自立導電薄膜21の透過率や、光電変換の効率等を用途に応じて調整することができる。
【0040】
さらに、自立導電薄膜21は、上記のように金属に限らず、ZnO、TiO2等の酸化物、炭素等で形成することもできる。
【0041】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る光検出器によれば、被検出光である短波長光を2次元的に均一な広がりを有する自立導電薄膜で全体的に受け止めることができる。つまり、被検出光である短波長光を受光部で透過させつつ効率的に検出することができる。この際、電流検出手段によって受光部で発生した光電子を電流として検出するので、被検出光の強度を簡易かつ精密に検出することができる。また、被検出光すなわち短波長光の光軸に揺らぎがある場合であっても、検出される光電流の変動を低減することができる。さらに、金属メッシュの場合のような照射パターンが生じにくく、短波長光による均一な照明が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る光検出器の構成を説明する図である。
【図2】図1に示す検出器本体20の断面構造を説明する図である。
【図3】(a)〜(f)は、図2に示す検出器本体の製造工程を示す図である。
【図4】(a)は、図2の自立導電薄膜に入射する被検出光のエネルギーと電流計で検出される電流との関係を説明するグラフであり、(b)は、図2の自立導電薄膜に入射する被検出光のエネルギーと被検出光の強度との関係を説明するグラフである。
【図5】第2実施形態に係る光検出器を説明する図である。
【図6】第3実施形態に係る光検出器を説明する図である。
【図7】図1に示す光検出器等を組み込んだX線露光装置の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
10 光検出器
20,120,220 検出器本体
21 自立導電薄膜
23 支持枠
30 電流計
31 配線
41 各金属膜
41 金属膜
43 絶縁膜
45 枠本体
DL 被検出光
Claims (9)
- 自立導電薄膜を有する受光部と、
被検出光が前記受光部を透過する際に当該受光部から放出される光電子を電流として検出する電流検出手段と
を備える光検出器。 - 前記受光部は、前記自立導電薄膜を周囲から支持するとともに当該自立導電薄膜を周囲から絶縁する支持枠をさらに備える請求項1記載の光検出器。
- 前記自立導電薄膜は、金属膜である請求項1及び請求項2のいずれか記載の光検出器。
- 前記受光部は、上面に絶縁層を形成したSi基板を所定領域で裏面から除去することによって前記絶縁層からなる絶縁体メンブレンを形成し、当該絶縁体メンブレン上に金属層を形成した後に、所定領域で前記絶縁体メンブレンを除去することによって形成される請求項3記載の光検出器。
- 前記金属膜は、2種以上の金属からなる多層金属薄膜である請求項3及び請求項4のいずれか記載の光検出器。
- 前記多層金属薄膜は、Ti/Zr/Tiの3層構造を含む3層以上の構成である請求項5記載の光検出器。
- 前記多層金属薄膜は、Ti/Al/Tiの3層構造を含む3層以上の構成である請求項5記載の光検出器。
- 前記所定領域は、複数の部分領域からなり、前記受光部は、当該複数の部分領域ごとに複数設けられている請求項4記載の光検出器。
- 請求項1から請求項8記載の光検出器を備える半導体露光装置。
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