JP2000151001A - 周波数変換被覆層を有する光検出器とそれを用いたレ―ザシステム - Google Patents
周波数変換被覆層を有する光検出器とそれを用いたレ―ザシステムInfo
- Publication number
- JP2000151001A JP2000151001A JP11291759A JP29175999A JP2000151001A JP 2000151001 A JP2000151001 A JP 2000151001A JP 11291759 A JP11291759 A JP 11291759A JP 29175999 A JP29175999 A JP 29175999A JP 2000151001 A JP2000151001 A JP 2000151001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- light
- photosensitive element
- photodetector
- frequency conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title abstract description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000007739 conversion coating Methods 0.000 claims description 41
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 13
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000012994 industrial processing Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/58—Photometry, e.g. photographic exposure meter using luminescence generated by light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ紫外光線に付随する暗電流増加問題を
回避することができ、スペースやコストがかからない光
検出器を提供する。 【解決手段】 本発明による紫外光線検出システム１０
０では、全累積照射線量に対する暗電流バックグラウン
ド増加率が抑制され、ＡｒＦ−エキシマレーザのような
紫外放射線源のパラメータは、信号上に暗電流バックグ
ラウンドが重ね合わされることによって信号が急速に劣
化することなくモニタされる。システム１００の検出器
１０２は、表面上に波長変換被覆層１０４を持つ感光素
子を含む。被覆層１０４は、直接に感光素子上に堆積
（積層）し、入射紫外光を吸収して、感光素子に向かう
方向に可視光を再放出する。被覆層１０４は、それがな
ければ入射紫外光線１０６が感光素子に直接入射すると
きに現れる暗電流バックグラウンドを最小化し、それに
よって感光素子の寿命を延ばす。
回避することができ、スペースやコストがかからない光
検出器を提供する。 【解決手段】 本発明による紫外光線検出システム１０
０では、全累積照射線量に対する暗電流バックグラウン
ド増加率が抑制され、ＡｒＦ−エキシマレーザのような
紫外放射線源のパラメータは、信号上に暗電流バックグ
ラウンドが重ね合わされることによって信号が急速に劣
化することなくモニタされる。システム１００の検出器
１０２は、表面上に波長変換被覆層１０４を持つ感光素
子を含む。被覆層１０４は、直接に感光素子上に堆積
（積層）し、入射紫外光を吸収して、感光素子に向かう
方向に可視光を再放出する。被覆層１０４は、それがな
ければ入射紫外光線１０６が感光素子に直接入射すると
きに現れる暗電流バックグラウンドを最小化し、それに
よって感光素子の寿命を延ばす。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外放射線のため
の光検出器、特に、光検出器の感光素子に光が衝突する
前に、紫外放射線を可視光に変換するための周波数変換
被覆層を備えた光検出器に関する。
の光検出器、特に、光検出器の感光素子に光が衝突する
前に、紫外放射線を可視光に変換するための周波数変換
被覆層を備えた光検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィ・ツールとして光を
使用するシリコン上の構造の最も高い達成可能な解像力
は、一般に光源（エキシマレーザ）の放出波長のオーダ
にある。従って、１００ｎｍの範囲にあるシリコン基板
上の構造の形成では、露光ツールとして深紫外線（ＤＵ
Ｖ、或いは３５０〜１９０ｎｍ）又は真空紫外線（ＶＵ
Ｖ、或いは１９０〜１００ｎｍ）光源を使用するフォト
マイクロリソグラフィ技術が使用される。
使用するシリコン上の構造の最も高い達成可能な解像力
は、一般に光源（エキシマレーザ）の放出波長のオーダ
にある。従って、１００ｎｍの範囲にあるシリコン基板
上の構造の形成では、露光ツールとして深紫外線（ＤＵ
Ｖ、或いは３５０〜１９０ｎｍ）又は真空紫外線（ＶＵ
Ｖ、或いは１９０〜１００ｎｍ）光源を使用するフォト
マイクロリソグラフィ技術が使用される。
【０００３】使用されるフォトリソグラフィ光源の放出
波長のほぼ半分程度の小ささの構造の形成を可能にする
特別な技術が開発されてきた。このような技術は、狭め
たエキシマレーザ出力光線を利用する。例えば、屈折光
学機器が使用されるとき、出力光線は０．６ｐｍ未満の
放出帯域幅を持つように狭めることができる。波長安定
度は、一般に、±０．１５ｐｍ未満である。反射又は反
射屈折光学機器が使用されるとき、出力光線は、１５ｐ
ｍから１００ｐｍまでの範囲で放出帯域幅を持つように
狭められる。この場合の出力光線の波長安定度は、±５
ｐｍ未満である。
波長のほぼ半分程度の小ささの構造の形成を可能にする
特別な技術が開発されてきた。このような技術は、狭め
たエキシマレーザ出力光線を利用する。例えば、屈折光
学機器が使用されるとき、出力光線は０．６ｐｍ未満の
放出帯域幅を持つように狭めることができる。波長安定
度は、一般に、±０．１５ｐｍ未満である。反射又は反
射屈折光学機器が使用されるとき、出力光線は、１５ｐ
ｍから１００ｐｍまでの範囲で放出帯域幅を持つように
狭められる。この場合の出力光線の波長安定度は、±５
ｐｍ未満である。
【０００４】１００ｎｍの構造を作り出すための最も効
率的な光源は、多分、アルゴン−フッ化物（ＡｒＦ（Ar
gon-Fluoride））−エキシマレーザであり、これはおよ
そ１９３．３ｎｍに集中する帯域内の光を放出し、５０
０ｐｍ周辺の自然放出帯域を有する。１００ｎｍ未満の
幅を有するシリコン基板上に構造を形成するために、さ
らにより小さい波長の放射線源が必要とされる。１５７
ｎｍ周辺のレーザ光線を放出するＦ2 −エキシマレーザ
は、この目的のために使用することができる光源であ
る。最近の進歩によって、既に８０ｎｍの構造の形成が
可能である。
率的な光源は、多分、アルゴン−フッ化物（ＡｒＦ（Ar
gon-Fluoride））−エキシマレーザであり、これはおよ
そ１９３．３ｎｍに集中する帯域内の光を放出し、５０
０ｐｍ周辺の自然放出帯域を有する。１００ｎｍ未満の
幅を有するシリコン基板上に構造を形成するために、さ
らにより小さい波長の放射線源が必要とされる。１５７
ｎｍ周辺のレーザ光線を放出するＦ2 −エキシマレーザ
は、この目的のために使用することができる光源であ
る。最近の進歩によって、既に８０ｎｍの構造の形成が
可能である。
【０００５】レーザ出力光線に関連するいくつかのパラ
メータがモニタされるので、放射線波長の半分のサイズ
の構造のフォトリソグラフィ的形成を可能にするのを助
ける既に述べた高い波長安定度は可能である。これらの
パラメータのいくつかは、放出波長、帯域幅、パルスエ
ネルギと光線分布を含む。波長モニタリングは、波長選
択ユニット及び光検出器を含むようなスペクトロメータ
を使用して実行してよい。
メータがモニタされるので、放射線波長の半分のサイズ
の構造のフォトリソグラフィ的形成を可能にするのを助
ける既に述べた高い波長安定度は可能である。これらの
パラメータのいくつかは、放出波長、帯域幅、パルスエ
ネルギと光線分布を含む。波長モニタリングは、波長選
択ユニット及び光検出器を含むようなスペクトロメータ
を使用して実行してよい。
【０００６】従来の光検出器は、ＡｒＦ−エキシマレー
ザ、Ｆ2 −レーザ、或いは五重周波数（frequency-quin
tupled）のＮｄ−レーザ（Ｎｄ−ＹＡＧ，Ｎｄ−ＹＬ
Ｆ，Ｎｄ−ＹＡＰ，Ｎｄ−ＹＬＪなど）からそれぞれ放
出されるような、およそ１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、或い
は２０９〜２１９ｎｍの波長を例えば有する短波長放射
線に曝されるので、それらの光検出器には問題が存在す
る。ナノジュール／ｃｍ 2 の範囲のエネルギ密度がこれ
らの短い波長において従来の光検出器に直接的に入射す
るとき、全累積照射線量に比例して急速に増加する暗電
流バックグラウンドが生成される。
ザ、Ｆ2 −レーザ、或いは五重周波数（frequency-quin
tupled）のＮｄ−レーザ（Ｎｄ−ＹＡＧ，Ｎｄ−ＹＬ
Ｆ，Ｎｄ−ＹＡＰ，Ｎｄ−ＹＬＪなど）からそれぞれ放
出されるような、およそ１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、或い
は２０９〜２１９ｎｍの波長を例えば有する短波長放射
線に曝されるので、それらの光検出器には問題が存在す
る。ナノジュール／ｃｍ 2 の範囲のエネルギ密度がこれ
らの短い波長において従来の光検出器に直接的に入射す
るとき、全累積照射線量に比例して急速に増加する暗電
流バックグラウンドが生成される。
【０００７】暗電流信号は、望まれる検出信号にそれ自
身を重ね、光検出器によって測定されるデータから生成
されるスペクトルの望ましくないバックグラウンド人工
物として作用するバックグラウンドノイズである。暗電
流は、光検出器がより長い波長に曝されるときにも生成
される。しかしながら、同じ光検出器がＫｒＦ−エキシ
マレーザ光源の２４８ｎｍ周辺の放射線に曝されるとき
に生成される暗電流は、１９３ｎｍの放射線に曝される
ときよりも少なくとも低いオーダの強度で全累積照射線
量と共に増加する。より短い波長において観察される全
累積照射線量に対する暗電流バックバックグラウンドの
急速な増加は、光検出器を製造するのに使用される半導
体チップ内の高エネルギ光子によって引き起こされると
考えられている。
身を重ね、光検出器によって測定されるデータから生成
されるスペクトルの望ましくないバックグラウンド人工
物として作用するバックグラウンドノイズである。暗電
流は、光検出器がより長い波長に曝されるときにも生成
される。しかしながら、同じ光検出器がＫｒＦ−エキシ
マレーザ光源の２４８ｎｍ周辺の放射線に曝されるとき
に生成される暗電流は、１９３ｎｍの放射線に曝される
ときよりも少なくとも低いオーダの強度で全累積照射線
量と共に増加する。より短い波長において観察される全
累積照射線量に対する暗電流バックバックグラウンドの
急速な増加は、光検出器を製造するのに使用される半導
体チップ内の高エネルギ光子によって引き起こされると
考えられている。
【０００８】最終結果は、例えばＡｒＦ−エキシマレー
ザ、Ｆ2 −レーザに曝された従来の光検出器は、光検出
器が役に立たなくなるまで、露光時間と共により大きな
暗電流バックグラウンド信号を生成するであろうという
ことである。すなわち、ある一期間の後、或いは従来の
光検出器の「寿命」の後、暗電流バックグラウンドは非
常に強くなり、信号対ノイズの比率が受容可能な限界を
下回るために、その光検出器を使用して既に記述したレ
ーザパラメータのどれかをモニタすることは望ましくな
くなる。一例として、露光前の信号：ノイズの比率が４
０：１の場合、高エネルギ放射線の１０8 個のパルスの
後、信号対ノイズ比率が２：１又は３：１に減少するこ
とが観測される場合がある。
ザ、Ｆ2 −レーザに曝された従来の光検出器は、光検出
器が役に立たなくなるまで、露光時間と共により大きな
暗電流バックグラウンド信号を生成するであろうという
ことである。すなわち、ある一期間の後、或いは従来の
光検出器の「寿命」の後、暗電流バックグラウンドは非
常に強くなり、信号対ノイズの比率が受容可能な限界を
下回るために、その光検出器を使用して既に記述したレ
ーザパラメータのどれかをモニタすることは望ましくな
くなる。一例として、露光前の信号：ノイズの比率が４
０：１の場合、高エネルギ放射線の１０8 個のパルスの
後、信号対ノイズ比率が２：１又は３：１に減少するこ
とが観測される場合がある。
【０００９】信号対ノイズの比率がこれら低い水準に落
ちるとき、暗電流バックグラウンドからスペクトル特性
を分離することも困難であり、レーザパラメータを特徴
付ける試みは当てにならなくなる。その時点で、新しい
光検出器が古い「使い古して駄目になった」光検出器に
取って代わるよう配置、整列、較正される。この処置に
よって、置換コストは言うに及ばず、システムにとって
望ましくない中断時間がもたらされる。
ちるとき、暗電流バックグラウンドからスペクトル特性
を分離することも困難であり、レーザパラメータを特徴
付ける試みは当てにならなくなる。その時点で、新しい
光検出器が古い「使い古して駄目になった」光検出器に
取って代わるよう配置、整列、較正される。この処置に
よって、置換コストは言うに及ばず、システムにとって
望ましくない中断時間がもたらされる。
【００１０】以下に詳細に述べるが、本発明は、その表
面上に周波数変換被覆層を持つ光検出器と、その光検出
器を含むレーザシステムを提供する。周波数変換被覆層
は、入射紫外光をより長い波長の光に変換する。より長
い波長の光は、全累積照射量に比例して急速に増加する
タイプの暗電流バックグラウンドを生み出すことなく、
検出器素子に入射する。その表面上に周波数変換被覆層
を有する検出器素子の寿命はこうして劇的に長くなり、
従ってシステムの中断時間とコストを減少させる。
面上に周波数変換被覆層を持つ光検出器と、その光検出
器を含むレーザシステムを提供する。周波数変換被覆層
は、入射紫外光をより長い波長の光に変換する。より長
い波長の光は、全累積照射量に比例して急速に増加する
タイプの暗電流バックグラウンドを生み出すことなく、
検出器素子に入射する。その表面上に周波数変換被覆層
を有する検出器素子の寿命はこうして劇的に長くなり、
従ってシステムの中断時間とコストを減少させる。
【００１１】量子周波数変換は過去において、一般によ
り低いエネルギである入射キャリア（搬送波）のエネル
ギを変化させるために使用されてきた。例えば、蛍光体
で覆われた光学的表面の電子ボンバードは、蛍光体被覆
層からの光の放出という結果をもたらす。主な例として
は、ブラウン管が組み込まれた蛍光体テレビやコンピュ
ータスクリーンが挙げられる。
り低いエネルギである入射キャリア（搬送波）のエネル
ギを変化させるために使用されてきた。例えば、蛍光体
で覆われた光学的表面の電子ボンバードは、蛍光体被覆
層からの光の放出という結果をもたらす。主な例として
は、ブラウン管が組み込まれた蛍光体テレビやコンピュ
ータスクリーンが挙げられる。
【００１２】量子変換器は、ＣＣＤカメラを使用する検
出システム内にも導入される。カナダ・ケベック州で１
９９６年６月に開催されたレーザ光線と光学機器特性評
価（ＬＢＯＣ（Laser Beam and Optics Characterizati
on））に関する第三回国際ワークショップのプロシーデ
ィングスＳＰＩＥ Ｖｏｌ．２８７０，３６７（１９９
６）におけるＨ．Ｓ．アルブレヒト，Ｕ．レップハン，
Ｋ．マン、及びＪ．オーレンブッシュ氏らによる「商用
エキシマレーザの光線特性評価に対する測定及び評価
法」と題された論文と、ドイツ・ベルリン市で１９９４
年５月に開催されたレーザ光線特性評価に関する第二回
ワークショップのプロシーディングスＳ．３４７におけ
るＫ．マン及びＡ．ホップメラー氏らによる「エキシマ
レーザ放射線の特性評価と具体化」と題された論文を参
照されたい。これらの量子変換器は、紫外光を可視光に
変換するためのドープされたプレートとして組み込ま
れ、この目的は、標準的可視光屈折結像システムが使用
できることにあった。使用された量子変換器は、光検出
器の正面に挿入されたＣｅ又はＴｂによってドープされ
たガラスプレートである。
出システム内にも導入される。カナダ・ケベック州で１
９９６年６月に開催されたレーザ光線と光学機器特性評
価（ＬＢＯＣ（Laser Beam and Optics Characterizati
on））に関する第三回国際ワークショップのプロシーデ
ィングスＳＰＩＥ Ｖｏｌ．２８７０，３６７（１９９
６）におけるＨ．Ｓ．アルブレヒト，Ｕ．レップハン，
Ｋ．マン、及びＪ．オーレンブッシュ氏らによる「商用
エキシマレーザの光線特性評価に対する測定及び評価
法」と題された論文と、ドイツ・ベルリン市で１９９４
年５月に開催されたレーザ光線特性評価に関する第二回
ワークショップのプロシーディングスＳ．３４７におけ
るＫ．マン及びＡ．ホップメラー氏らによる「エキシマ
レーザ放射線の特性評価と具体化」と題された論文を参
照されたい。これらの量子変換器は、紫外光を可視光に
変換するためのドープされたプレートとして組み込ま
れ、この目的は、標準的可視光屈折結像システムが使用
できることにあった。使用された量子変換器は、光検出
器の正面に挿入されたＣｅ又はＴｂによってドープされ
たガラスプレートである。
【００１３】変換器プレートは、光検出器表面と置き換
わり、光検出器の窓としての役割をする。プレートによ
る可視光への変換の後に、光は、光検出器に入射してＣ
ＣＤカメラによって検出される前に、結像レンズによっ
て結像させられる。
わり、光検出器の窓としての役割をする。プレートによ
る可視光への変換の後に、光は、光検出器に入射してＣ
ＣＤカメラによって検出される前に、結像レンズによっ
て結像させられる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記量
子変換器の技術においては、量子変換後に光を結像させ
るために必要な距離によって、光検出器ユニットの全体
的なサイズが増大する。さらに、適切に結像光学機器を
整然と並べるための処置が必要であって、余分な時間と
努力が必要とされる。
子変換器の技術においては、量子変換後に光を結像させ
るために必要な距離によって、光検出器ユニットの全体
的なサイズが増大する。さらに、適切に結像光学機器を
整然と並べるための処置が必要であって、余分な時間と
努力が必要とされる。
【００１５】また、これまで、ＫｒＦ−レーザからの２
４８ｎｍの放射線だけがフォトリソグラフィにおいて十
分に使用されてきた。２４８ｎｍの光がなにか十分に増
加する暗電流バックグラウンドを生み出すことは観測さ
れていない。１９３ｎｍの光の使用は、暗電流増加問題
をもたらすので、その問題を軽減する別の検出システム
や技術が必要となっている。
４８ｎｍの放射線だけがフォトリソグラフィにおいて十
分に使用されてきた。２４８ｎｍの光がなにか十分に増
加する暗電流バックグラウンドを生み出すことは観測さ
れていない。１９３ｎｍの光の使用は、暗電流増加問題
をもたらすので、その問題を軽減する別の検出システム
や技術が必要となっている。
【００１６】従って、本発明の課題は、既に説明した全
累積照射線量と共に暗電流が増大することが回避され、
例えばＡｒＦ−エキシマレーザ、Ｆ2 −レーザ、及び／
又は五重周波数のＮｄ−レーザのような紫外放射線源の
パラメータが、信号上に増大する暗電流バックグラウン
ドが重ね合わさることによる信号の素早い劣化を生じる
ことなくモニタされるようにした光検出器を提供するこ
とにある。
累積照射線量と共に暗電流が増大することが回避され、
例えばＡｒＦ−エキシマレーザ、Ｆ2 −レーザ、及び／
又は五重周波数のＮｄ−レーザのような紫外放射線源の
パラメータが、信号上に増大する暗電流バックグラウン
ドが重ね合わさることによる信号の素早い劣化を生じる
ことなくモニタされるようにした光検出器を提供するこ
とにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、その表面に周波数変換被覆層を備えた感
光素子を有する光検出器を提供する。周波数変換被覆層
は、好ましくは、直接的に感光素子の表面上に堆積（積
層）させられ、入射紫外光を吸収して、感光素子によっ
て検出された可視光を再放出する。
め、本発明は、その表面に周波数変換被覆層を備えた感
光素子を有する光検出器を提供する。周波数変換被覆層
は、好ましくは、直接的に感光素子の表面上に堆積（積
層）させられ、入射紫外光を吸収して、感光素子によっ
て検出された可視光を再放出する。
【００１８】有利なことに、周波数変換被覆層は、ＤＵ
Ｖ又はＶＵＶ紫外放射線に対する感光素子の全累積照射
線量に対する暗電流バックグラウンドの増加率を大きく
減少させる。こうして、本発明による光検出器は、大い
に長くなった寿命を有する。本発明による光検出器は、
広い範囲の紫外光を検出するには有用であって、２４０
ｎｍ未満の入射放射線を検出することに関連する暗電流
問題を解決するのに特に有用である。
Ｖ又はＶＵＶ紫外放射線に対する感光素子の全累積照射
線量に対する暗電流バックグラウンドの増加率を大きく
減少させる。こうして、本発明による光検出器は、大い
に長くなった寿命を有する。本発明による光検出器は、
広い範囲の紫外光を検出するには有用であって、２４０
ｎｍ未満の入射放射線を検出することに関連する暗電流
問題を解決するのに特に有用である。
【００１９】本発明は、利得媒体、出力カプラを含む共
振器、そして少なくも一つの光検出器を備えるレーザシ
ステムも提供する。この光検出器は、感光素子に光が衝
突する前に、入射紫外光を変換して、好ましくは２４０
ｎｍより長い波長を有するより長い波長の光に変換する
ための被覆層をその上に備えた感光素子を有する。
振器、そして少なくも一つの光検出器を備えるレーザシ
ステムも提供する。この光検出器は、感光素子に光が衝
突する前に、入射紫外光を変換して、好ましくは２４０
ｎｍより長い波長を有するより長い波長の光に変換する
ための被覆層をその上に備えた感光素子を有する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
好ましい実施態様を詳細に説明する。
好ましい実施態様を詳細に説明する。
【００２１】図１は、本発明の好ましい実施態様に係る
検出システム１００を示すものであって、この検出シス
テム１００は、検出器１０２と周波数変換被覆層１０４
とをそれぞれ備えている。いくつかの特定用途に対し、
検出器１０２は（ビームの）位置を感知する。こうした
検出器１０２は、好ましくは、アレイ検出器、例えばＣ
ＣＤカメラ、位置感知検出器（ＰＳＤ（position sensi
tive detector））、又はダイオードアレイである。検
出器１０２は、必要とされるときには例えばフォトダイ
オード或いは光電子増倍管などの、全エネルギ検出器或
いは強度検出器であってよい。検出器１０２は、特に特
定の帯域から成る光の検出のために構成されてよく、か
つ検出器１０２は広帯域検出器でよい。その点で、検出
器１０２は、フォトダイオードアレイ、ＣＣＤカメラ、
フォトダイオード、位置感知検出器（ＰＳＤ）、光電子
増倍管、或いは検出器１０２が適用される特定の目的に
応じた別のタイプの検出器でよい。このような目的は、
光線エネルギの測定、光線分布、光線直径、光線幅、光
線位置、波長、線幅、光線の横方向の、及び／又は角度
的な安定度などを含む。
検出システム１００を示すものであって、この検出シス
テム１００は、検出器１０２と周波数変換被覆層１０４
とをそれぞれ備えている。いくつかの特定用途に対し、
検出器１０２は（ビームの）位置を感知する。こうした
検出器１０２は、好ましくは、アレイ検出器、例えばＣ
ＣＤカメラ、位置感知検出器（ＰＳＤ（position sensi
tive detector））、又はダイオードアレイである。検
出器１０２は、必要とされるときには例えばフォトダイ
オード或いは光電子増倍管などの、全エネルギ検出器或
いは強度検出器であってよい。検出器１０２は、特に特
定の帯域から成る光の検出のために構成されてよく、か
つ検出器１０２は広帯域検出器でよい。その点で、検出
器１０２は、フォトダイオードアレイ、ＣＣＤカメラ、
フォトダイオード、位置感知検出器（ＰＳＤ）、光電子
増倍管、或いは検出器１０２が適用される特定の目的に
応じた別のタイプの検出器でよい。このような目的は、
光線エネルギの測定、光線分布、光線直径、光線幅、光
線位置、波長、線幅、光線の横方向の、及び／又は角度
的な安定度などを含む。
【００２２】図１に示されているように、紫外光線１０
６が検出システム１００に入射されるようになってい
る。フォトリソグフィ的な用途に対し、例えば、入射紫
外光線１０６は、電磁スペクトルの深紫外（ＤＵＶ）又
は真空紫外（ＶＵＶ）領域における波長帯域を含むもの
とされてよい、ということが期待される。既に論じられ
たように、好ましいＤＵＶ光源は、およそ１９３ｎｍを
放出するＡｒＦ−エキシマレーザである。また、好まし
いＶＵＶ光源は、およそ１５７ｎｍのレーザ光線を放出
するＦ2 レーザである。２０９〜２１９ｎｍ周辺の光線
を出力する五重周波数のＮｄ−レーザ（例えば、Ｎｄ−
ＹＡＧ，Ｎｄ−ＹＬＦ，Ｎｄ−ＹＡＰ，Ｎｄ−ＹＬＪ）
からの入射光を含むシステムも本発明を組み込むことに
よって質が高められる場合がある。
６が検出システム１００に入射されるようになってい
る。フォトリソグフィ的な用途に対し、例えば、入射紫
外光線１０６は、電磁スペクトルの深紫外（ＤＵＶ）又
は真空紫外（ＶＵＶ）領域における波長帯域を含むもの
とされてよい、ということが期待される。既に論じられ
たように、好ましいＤＵＶ光源は、およそ１９３ｎｍを
放出するＡｒＦ−エキシマレーザである。また、好まし
いＶＵＶ光源は、およそ１５７ｎｍのレーザ光線を放出
するＦ2 レーザである。２０９〜２１９ｎｍ周辺の光線
を出力する五重周波数のＮｄ−レーザ（例えば、Ｎｄ−
ＹＡＧ，Ｎｄ−ＹＬＦ，Ｎｄ−ＹＡＰ，Ｎｄ−ＹＬＪ）
からの入射光を含むシステムも本発明を組み込むことに
よって質が高められる場合がある。
【００２３】入射光線１０６は、最初に、検出システム
１００の周波数変換被覆層１０４に衝突する。この被覆
層１０４は、ＤＵＶ及び／又はＶＵＶ光を、２４０ｎｍ
より長い波長を持つ光に変換する。被覆層１０４は、好
ましくは、微量のＴｂがホスト基質におけるドーパント
して使用された、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ，ＬａＯＢｒ：Ｔ
ｂ、又はｌｎＢＯ3：Ｔｂを含む。或いは代わりに、Ｌ
ａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ，ＺｎＳ：Ａｇ，ＬａＯ
Ｃｌ：Ｔｍ，Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｔｂ，Ｙ3（Ａｌ，Ｇａ）5
Ｏ12，ＬａＯＢｒ：Ｔｂ、又はＴｂ、Ｔｍ、もしくはＣ
ｅの何れかでドープされたこれらのホストの何れかが使
用されてよい。上でリストされた特定の周波数変換素材
は経験的なものであり、２４０ｎｍ未満の光、又はＤＵ
Ｖ及び／又はＶＵＶ光を、２４０ｎｍより長い波長を持
つ光に変換する別の素材が本発明による光検出器におい
て使用されてよい。
１００の周波数変換被覆層１０４に衝突する。この被覆
層１０４は、ＤＵＶ及び／又はＶＵＶ光を、２４０ｎｍ
より長い波長を持つ光に変換する。被覆層１０４は、好
ましくは、微量のＴｂがホスト基質におけるドーパント
して使用された、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｔｂ，ＬａＯＢｒ：Ｔ
ｂ、又はｌｎＢＯ3：Ｔｂを含む。或いは代わりに、Ｌ
ａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ，ＺｎＳ：Ａｇ，ＬａＯ
Ｃｌ：Ｔｍ，Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｔｂ，Ｙ3（Ａｌ，Ｇａ）5
Ｏ12，ＬａＯＢｒ：Ｔｂ、又はＴｂ、Ｔｍ、もしくはＣ
ｅの何れかでドープされたこれらのホストの何れかが使
用されてよい。上でリストされた特定の周波数変換素材
は経験的なものであり、２４０ｎｍ未満の光、又はＤＵ
Ｖ及び／又はＶＵＶ光を、２４０ｎｍより長い波長を持
つ光に変換する別の素材が本発明による光検出器におい
て使用されてよい。
【００２４】被覆層１０４は、検出器１０２の光検出素
子（感光素子）の表面上に直接的に堆積（積層）させら
れる。被覆層１０４は、光検出素子１０２から若干の距
離だけ離れた表面の上ではなく、検出器１０２の光検出
素子の表面上に直接的に配置され、好ましくは堆積させ
られる。有利なことには、本発明によって、像が変換過
程を経験した後でもそこなわれないままでいることが可
能となる。既に説明したように、従来技術では、周波数
変換プレートは光検出器の正面に若干の距離をおいて挿
入されてきた。しかしながら、プレートを通過すると、
結像エラーと劣化がもたらされる。すなわち、周波数変
換プレートが検出器素子から十分に遠く離れて配置され
ると、映像データは、結像レンズを使用しなければ検出
器素子において劣化する。結像レンズをプレートと検出
器の間に挿入してもよいが、これは貴重なスペースを奪
い、そしてシステムを整然と並べるための時間と労力を
伴う。
子（感光素子）の表面上に直接的に堆積（積層）させら
れる。被覆層１０４は、光検出素子１０２から若干の距
離だけ離れた表面の上ではなく、検出器１０２の光検出
素子の表面上に直接的に配置され、好ましくは堆積させ
られる。有利なことには、本発明によって、像が変換過
程を経験した後でもそこなわれないままでいることが可
能となる。既に説明したように、従来技術では、周波数
変換プレートは光検出器の正面に若干の距離をおいて挿
入されてきた。しかしながら、プレートを通過すると、
結像エラーと劣化がもたらされる。すなわち、周波数変
換プレートが検出器素子から十分に遠く離れて配置され
ると、映像データは、結像レンズを使用しなければ検出
器素子において劣化する。結像レンズをプレートと検出
器の間に挿入してもよいが、これは貴重なスペースを奪
い、そしてシステムを整然と並べるための時間と労力を
伴う。
【００２５】被覆層１０４は、入射紫外光線１０６の光
子を吸収して、より長い波長の光１０８の光子を再放出
するように機能する。より長い波長の光１０８は、その
後、先ほど吸収された入射光子１０６と同一又は類似の
方向に伝搬する。周波数が変換された光１０８は、好ま
しくは２４０ｎｍより長い波長を有し、特に可視光であ
ってよい。変換された光子１０８は、次いで、検出器１
０２の感光素子そのものに入射する。有利なことには、
２４０ｎｍより長い波長を持っている変換された光子１
０８だけが検出器１０２の感光素子に入射する。
子を吸収して、より長い波長の光１０８の光子を再放出
するように機能する。より長い波長の光１０８は、その
後、先ほど吸収された入射光子１０６と同一又は類似の
方向に伝搬する。周波数が変換された光１０８は、好ま
しくは２４０ｎｍより長い波長を有し、特に可視光であ
ってよい。変換された光子１０８は、次いで、検出器１
０２の感光素子そのものに入射する。有利なことには、
２４０ｎｍより長い波長を持っている変換された光子１
０８だけが検出器１０２の感光素子に入射する。
【００２６】図２は、図１の周波数変換被覆層１０４の
機能を説明するためのエネルギ準位を示した図である。
図１の周波数変換被覆層１０４による周波数変換過程
は、周波数変換過程の理解を与えるための図２に示され
ている。図２は、基本的な周波数変換過程を説明するこ
とだけを意図しており、この過程が、入射光子１０６が
被覆層１０４に衝突する際に生じる正確な物理的過程で
ある、ということを主張するものではない。実際の過程
は周波数変換のために使用される素材と入射波長に依存
する。例えば、４準位系の方がよりいっそう正確に周波
数変換過程を表現するかもしれない。ただし、そのとき
には、追加的な無放射遷移が起きる。
機能を説明するためのエネルギ準位を示した図である。
図１の周波数変換被覆層１０４による周波数変換過程
は、周波数変換過程の理解を与えるための図２に示され
ている。図２は、基本的な周波数変換過程を説明するこ
とだけを意図しており、この過程が、入射光子１０６が
被覆層１０４に衝突する際に生じる正確な物理的過程で
ある、ということを主張するものではない。実際の過程
は周波数変換のために使用される素材と入射波長に依存
する。例えば、４準位系の方がよりいっそう正確に周波
数変換過程を表現するかもしれない。ただし、そのとき
には、追加的な無放射遷移が起きる。
【００２７】少なくも、図２によれば、入射光子１０６
は図１の周波数変換被覆層１０４の結晶格子の基底状態
（１１０）にある構成原子及び／又は分子、或いは格子
それ自身、によって吸収される。この吸収によって、基
底状態１１０からより高いエネルギの初期励起状態１１
２へのエネルギ準位遷移１１１が引き起こされる。準位
１１０と１１２との間のエネルギ差は、入射光線１０６
の個々の光子のエネルギに実質的に等しい。
は図１の周波数変換被覆層１０４の結晶格子の基底状態
（１１０）にある構成原子及び／又は分子、或いは格子
それ自身、によって吸収される。この吸収によって、基
底状態１１０からより高いエネルギの初期励起状態１１
２へのエネルギ準位遷移１１１が引き起こされる。準位
１１０と１１２との間のエネルギ差は、入射光線１０６
の個々の光子のエネルギに実質的に等しい。
【００２８】次いで、初期励起状態１１２から弛緩した
励起状態１１６への、結晶格子又はその構成原子もしく
は分子の弛緩（リラクゼーション）を含む無放射遷移１
１４が起こる。初期励起状態１１２と励起状態１１６の
間のエネルギ差は、無放射過程１１４で持ち去れるエネ
ルギに実質的に等しい。そのとき、弛緩した励起状態エ
ネルギ準位１１６と基底状態エネルギ準位１１０の間の
エネルギ差は、初期の励起状態準位１１２と基底状態準
位１１０との間のエネルギ差よりも実質的に無放射遷移
１１４のエネルギだけ小さい。
励起状態１１６への、結晶格子又はその構成原子もしく
は分子の弛緩（リラクゼーション）を含む無放射遷移１
１４が起こる。初期励起状態１１２と励起状態１１６の
間のエネルギ差は、無放射過程１１４で持ち去れるエネ
ルギに実質的に等しい。そのとき、弛緩した励起状態エ
ネルギ準位１１６と基底状態エネルギ準位１１０の間の
エネルギ差は、初期の励起状態準位１１２と基底状態準
位１１０との間のエネルギ差よりも実質的に無放射遷移
１１４のエネルギだけ小さい。
【００２９】励起した結晶格子或いはその成分は、次い
で、放射弛緩遷移１１７を受ける。この遷移１１７でエ
ネルギを運び去る光１０８の個々の光子は、個々の入射
光子１０６よりもより低いエネルギとより長い波長を有
する。検出器１０２そのものに衝突するのはこれらの光
子１０８であり、被覆層１０４に入射する高エネルギ光
子１０６ではない。
で、放射弛緩遷移１１７を受ける。この遷移１１７でエ
ネルギを運び去る光１０８の個々の光子は、個々の入射
光子１０６よりもより低いエネルギとより長い波長を有
する。検出器１０２そのものに衝突するのはこれらの光
子１０８であり、被覆層１０４に入射する高エネルギ光
子１０６ではない。
【００３０】上記の通り、周波数変換被覆層１０４内で
起こる周波数変換は有利に作用する。例えば、およそ１
９３ｎｍの波長、或いはＡｒＦ−エキシマレーザの放出
波長周辺の波長を持つような高エネルギ光子が本発明の
周波数変換被覆層１０４をその表面に持たない光検出器
に直接的に、従って被覆層１０４によってより低いエネ
ルギに変換されることなく、入射すると、暗電流バック
グラウンドが全累積照射線量と共に急速に増加すること
が観測されている。光検出器が本発明による周波数変換
被覆層１０４を含む場合には、この増加率は劇的に減少
する。
起こる周波数変換は有利に作用する。例えば、およそ１
９３ｎｍの波長、或いはＡｒＦ−エキシマレーザの放出
波長周辺の波長を持つような高エネルギ光子が本発明の
周波数変換被覆層１０４をその表面に持たない光検出器
に直接的に、従って被覆層１０４によってより低いエネ
ルギに変換されることなく、入射すると、暗電流バック
グラウンドが全累積照射線量と共に急速に増加すること
が観測されている。光検出器が本発明による周波数変換
被覆層１０４を含む場合には、この増加率は劇的に減少
する。
【００３１】従って、例えばＡｒＦ−エキシマレーザに
よって１９３ｎｍ周辺で放出されるような高エネルギ光
子による長期の露光によって、光検出器は役立たたない
ものとされる。なぜなら、意味のあるデータが暗電流バ
ックグラウンドから全く分離されないからである。長い
時間にわたる高エネルギ光子による露光によって生み出
された暗電流の影響を受けている光検出器の寿命は、暗
電流バックグラウンドから分離されたデータが役に立つ
ときの光検出器の全露光時間として定義される。被覆層
を持たない光検出器の寿命は、ほぼ数億個のレーザパル
スの場合があるが、これは短くて好ましくない。本発明
によるその表面上に被覆層１０４を有する検出器１０２
の感光素子の寿命は、少なくとも数十億個のレーザパル
ス以上で、これは十分な改善である。
よって１９３ｎｍ周辺で放出されるような高エネルギ光
子による長期の露光によって、光検出器は役立たたない
ものとされる。なぜなら、意味のあるデータが暗電流バ
ックグラウンドから全く分離されないからである。長い
時間にわたる高エネルギ光子による露光によって生み出
された暗電流の影響を受けている光検出器の寿命は、暗
電流バックグラウンドから分離されたデータが役に立つ
ときの光検出器の全露光時間として定義される。被覆層
を持たない光検出器の寿命は、ほぼ数億個のレーザパル
スの場合があるが、これは短くて好ましくない。本発明
によるその表面上に被覆層１０４を有する検出器１０２
の感光素子の寿命は、少なくとも数十億個のレーザパル
ス以上で、これは十分な改善である。
【００３２】本発明の周波数変換被覆層１０４は、大き
さで一桁以上、検出器１０２の素子の寿命を増加させ
る。ＫｒＦ−エキシマレーザからのおよそ２４８ｎｍの
放射線が使用される場合には、暗電流問題が現れること
は観測されず、そして周波数変換被覆層１０４は、入射
光子１０６をそれぞれが少なくとも２４０ｎｍ程度の波
長を持つ光子１０８に変換するので、ＡｒＦ−エキシマ
レーザ、Ｆ2 −レーザ、或いは五重周波数のＮｄ−レー
ザの放射線が使用されているときでさえ、本発明は従来
技術の光検出器の暗電流問題を十分に最小化する。
さで一桁以上、検出器１０２の素子の寿命を増加させ
る。ＫｒＦ−エキシマレーザからのおよそ２４８ｎｍの
放射線が使用される場合には、暗電流問題が現れること
は観測されず、そして周波数変換被覆層１０４は、入射
光子１０６をそれぞれが少なくとも２４０ｎｍ程度の波
長を持つ光子１０８に変換するので、ＡｒＦ−エキシマ
レーザ、Ｆ2 −レーザ、或いは五重周波数のＮｄ−レー
ザの放射線が使用されているときでさえ、本発明は従来
技術の光検出器の暗電流問題を十分に最小化する。
【００３３】図３は、本発明の好ましい光学的構成を示
した図であって、レーザ出力光線の一部が図１の検出シ
ステム１００に与えられ、これによって、一つ以上の出
力光線パラメータをモニタすることが可能になる。レー
ザ出力光線２１８は、光線分割器２２０に入射される。
光線分割器２２０は、出力光線２１８の一部２２２を反
射し、出力光線の残りの部分２２４は直進し続け、例え
ばフォトリソグラフィ処理を実行することが可能であ
る。反射された部分２２２は、次いで、検出システム１
００に向けられる。一般には必要でないが、ミラー２２
６が検出システム１００に光線を向けている様子が示さ
れている。
した図であって、レーザ出力光線の一部が図１の検出シ
ステム１００に与えられ、これによって、一つ以上の出
力光線パラメータをモニタすることが可能になる。レー
ザ出力光線２１８は、光線分割器２２０に入射される。
光線分割器２２０は、出力光線２１８の一部２２２を反
射し、出力光線の残りの部分２２４は直進し続け、例え
ばフォトリソグラフィ処理を実行することが可能であ
る。反射された部分２２２は、次いで、検出システム１
００に向けられる。一般には必要でないが、ミラー２２
６が検出システム１００に光線を向けている様子が示さ
れている。
【００３４】図４及び図５は、フィードバックループで
レーザ出力光線の波長とスペクトル帯域幅をモニターす
るための本発明による検出システムをその中に含む好ま
しいレーザシステム構成を概略的に示している。この構
成は、帯域幅及び／又は波長検出システム３００を備え
ている。また、図５を参照すると、システム３００は、
好ましくはフォトダイオードアレイ、ＣＣＤチップ、フ
ォトダイオード（エネルギ検出器）或いはＰＳＤである
感光素子３０２を含んでいる。検出器の感光素子３０２
は、周波数変換被覆層３０４をその上に有している。
レーザ出力光線の波長とスペクトル帯域幅をモニターす
るための本発明による検出システムをその中に含む好ま
しいレーザシステム構成を概略的に示している。この構
成は、帯域幅及び／又は波長検出システム３００を備え
ている。また、図５を参照すると、システム３００は、
好ましくはフォトダイオードアレイ、ＣＣＤチップ、フ
ォトダイオード（エネルギ検出器）或いはＰＳＤである
感光素子３０２を含んでいる。検出器の感光素子３０２
は、周波数変換被覆層３０４をその上に有している。
【００３５】図４の検出システムの構成は、利得媒体
（ gain medium ）３２８、波長選択ユニット（波長選
択ユニット）３３０，そして出力カプラ３３２を有する
共振器をさらに含んでいる。図４において、この共振器
は、出力カプラ３３２と、回折格子、プリズム、エタロ
ン、或いは高率反射ミラーのような波長選択ユニット３
３０の少なくとも一つの部品とをそれぞれ含んでいる。
コンピュータ（プロセッサを含む）３３４は、検出シス
テム３００から受信した情報を処理し、波長選択ユニッ
ト３３０と通信して出力光線２１８の波長及び／又は帯
域幅を調整する。従って、この構成は、フィードバック
・ループを含んでいる。帯域幅及び／又は波長検出シス
テム３００は、出力光線２１８の一部２２２だけを受信
して、オンライン検出を可能にする。出力光線２１８の
主要部分２２４は、光線分割器２２０によって反射され
ることなく意図された産業用途に向かって直進し続け
る。
（ gain medium ）３２８、波長選択ユニット（波長選
択ユニット）３３０，そして出力カプラ３３２を有する
共振器をさらに含んでいる。図４において、この共振器
は、出力カプラ３３２と、回折格子、プリズム、エタロ
ン、或いは高率反射ミラーのような波長選択ユニット３
３０の少なくとも一つの部品とをそれぞれ含んでいる。
コンピュータ（プロセッサを含む）３３４は、検出シス
テム３００から受信した情報を処理し、波長選択ユニッ
ト３３０と通信して出力光線２１８の波長及び／又は帯
域幅を調整する。従って、この構成は、フィードバック
・ループを含んでいる。帯域幅及び／又は波長検出シス
テム３００は、出力光線２１８の一部２２２だけを受信
して、オンライン検出を可能にする。出力光線２１８の
主要部分２２４は、光線分割器２２０によって反射され
ることなく意図された産業用途に向かって直進し続け
る。
【００３６】図５は、図４の検出システムにおける波長
選択ユニット３３０の構成を示している。表面上に周波
数変換被覆層３０４を持つ感光素子３０２の正面に置か
れた波長選択デバイス３３６は、検出されるべき特定の
波長を選択する。従って、スペクトル分析は検出システ
ム３００及びコンピュータ３３４によって実行されてよ
く、これはレーザ出力光線２１８の波長とスペクトル帯
域幅の十分なモニタリングにとって望ましい。
選択ユニット３３０の構成を示している。表面上に周波
数変換被覆層３０４を持つ感光素子３０２の正面に置か
れた波長選択デバイス３３６は、検出されるべき特定の
波長を選択する。従って、スペクトル分析は検出システ
ム３００及びコンピュータ３３４によって実行されてよ
く、これはレーザ出力光線２１８の波長とスペクトル帯
域幅の十分なモニタリングにとって望ましい。
【００３７】図６は、フィードバックループでレーザ出
力光線のパルスエネルギを測定するための本発明による
検出システムを含む好ましいレーザ構成を概略的に示し
ている。図６の検出システムの構成は、波長及び／又は
帯域幅のモニタリングの代わりに、パルスエネルギの測
定及び／又はモニタリングのために構成されていること
を除けば、図４の配置と類似している。終わりに、波長
選択ユニットは共振器内に組み込まれても、組み込まれ
なくてもよく、従ってレーザ活性ガスの全広帯域スペク
トル放出又は狭めたスペクトル放出が出力される。図６
に示される共振器は、図４の構成のように波長選択ユニ
ット３３０の回折格子又はプリズムを使用する代わり
に、高率反射ミラー４３８を含む。
力光線のパルスエネルギを測定するための本発明による
検出システムを含む好ましいレーザ構成を概略的に示し
ている。図６の検出システムの構成は、波長及び／又は
帯域幅のモニタリングの代わりに、パルスエネルギの測
定及び／又はモニタリングのために構成されていること
を除けば、図４の配置と類似している。終わりに、波長
選択ユニットは共振器内に組み込まれても、組み込まれ
なくてもよく、従ってレーザ活性ガスの全広帯域スペク
トル放出又は狭めたスペクトル放出が出力される。図６
に示される共振器は、図４の構成のように波長選択ユニ
ット３３０の回折格子又はプリズムを使用する代わり
に、高率反射ミラー４３８を含む。
【００３８】さらに、図７に示されているように、検出
システム４００は、パルスエネルギを測定するように構
成され、従ってエネルギ検出器であり、そして好ましく
はフォトダイオード又は焦電検出器或いはその代わりに
光電子増倍管から成る感光素子４０２を含んでいる。コ
ンピュータは、パルスエネルギ情報を受信して、例えば
エキシマレーザの場合には、そのパルスエネルギ情報を
使用して高圧電源４４０を制御する。或いは高電圧制御
の代わりに、一つ以上の減衰器が制御されてよい。同じ
く、ＹＡＧレーザに対しては、駆動電流がモニターさ
れ、制御されてよい。この構成は、フィードバック・ル
ープを含んでよく、手作業で操作してよい。図６に示さ
れた高圧電源４４０は、放電ユニット４４２にエネルギ
を供給し、次いで放電ユニット４４２は、レーザ動作が
可能になるようにエネルギを利得媒体３２８に供給す
る。このようにして、パルスエネルギはモニターされ、
制御され、そして安定化させられる。もう１度、システ
ムのオンライン期間中にこれは全て行われる。
システム４００は、パルスエネルギを測定するように構
成され、従ってエネルギ検出器であり、そして好ましく
はフォトダイオード又は焦電検出器或いはその代わりに
光電子増倍管から成る感光素子４０２を含んでいる。コ
ンピュータは、パルスエネルギ情報を受信して、例えば
エキシマレーザの場合には、そのパルスエネルギ情報を
使用して高圧電源４４０を制御する。或いは高電圧制御
の代わりに、一つ以上の減衰器が制御されてよい。同じ
く、ＹＡＧレーザに対しては、駆動電流がモニターさ
れ、制御されてよい。この構成は、フィードバック・ル
ープを含んでよく、手作業で操作してよい。図６に示さ
れた高圧電源４４０は、放電ユニット４４２にエネルギ
を供給し、次いで放電ユニット４４２は、レーザ動作が
可能になるようにエネルギを利得媒体３２８に供給す
る。このようにして、パルスエネルギはモニターされ、
制御され、そして安定化させられる。もう１度、システ
ムのオンライン期間中にこれは全て行われる。
【００３９】図７に示すように、検出システム４００
は、本発明による周波数変換被覆層４０４を有する感光
素子４０２を含んでいる。表面上に被覆層４０４を有す
る感光素子４０２の寿命は、その表面上にこうした被覆
層４０４を持たない感光素子と比べて、大きさで少なく
とも一桁だけ増大する。結果として、システムはより長
い継続期間の間、オンラインで工業処理を実行し続ける
ことができる。
は、本発明による周波数変換被覆層４０４を有する感光
素子４０２を含んでいる。表面上に被覆層４０４を有す
る感光素子４０２の寿命は、その表面上にこうした被覆
層４０４を持たない感光素子と比べて、大きさで少なく
とも一桁だけ増大する。結果として、システムはより長
い継続期間の間、オンラインで工業処理を実行し続ける
ことができる。
【００４０】図８は、フィードバックループでレーザ出
力光線分布を測定するための本発明による検出システム
５００を含む好ましいレーザ構成を概略的に示してい
る。図８の検出システム５００は、図９に具体的に示さ
れているように、光線プロファイリングを実行するよう
構成され、好ましくはＣＣＤカメラ、或いはその代わり
にＰＳＤもしくはダイオードアレイから成る感光素子５
０２を含んでいる。感光素子５０２は、その表面上に周
波数変換被覆層５０４を有している。図８の構成は、好
ましくは、レーザの出力光線の位置をモニタしかつ調整
するための手段を含み、特に光線プロファイリングのた
めに構成された共振器を備えている。コンピュータ５３
４は、位置モニタ・調整手段を制御する。必要でないけ
れども、この構成は、フィードバックループで動作する
よう構成することができる。
力光線分布を測定するための本発明による検出システム
５００を含む好ましいレーザ構成を概略的に示してい
る。図８の検出システム５００は、図９に具体的に示さ
れているように、光線プロファイリングを実行するよう
構成され、好ましくはＣＣＤカメラ、或いはその代わり
にＰＳＤもしくはダイオードアレイから成る感光素子５
０２を含んでいる。感光素子５０２は、その表面上に周
波数変換被覆層５０４を有している。図８の構成は、好
ましくは、レーザの出力光線の位置をモニタしかつ調整
するための手段を含み、特に光線プロファイリングのた
めに構成された共振器を備えている。コンピュータ５３
４は、位置モニタ・調整手段を制御する。必要でないけ
れども、この構成は、フィードバックループで動作する
よう構成することができる。
【００４１】図１０は、フィードバックループでレーザ
出力光線の位置及び方向を測定するための本発明による
検出システム５００を含む好ましいレーザ構成を概略的
に示している。検出システム５００は、図９に示されて
いるように、図８のそれと同一である。図１０の構成
は、好ましくは、レーザの出力光線の位置及び／又は方
向をモニタしかつ調整するための手段も備えている。出
力光線５１８は、それを検出システム５００により検出
される一部５２２と産業使用に適用される主要部５２４
とに分割する光線分割器２２０に入射する前に、一組の
ミラー５４４ａ及び５４４ｂによって反射される。コン
ピュータ６３４は、好ましくは、フィードバックループ
で出力光線モニタ・調整手段を制御する。
出力光線の位置及び方向を測定するための本発明による
検出システム５００を含む好ましいレーザ構成を概略的
に示している。検出システム５００は、図９に示されて
いるように、図８のそれと同一である。図１０の構成
は、好ましくは、レーザの出力光線の位置及び／又は方
向をモニタしかつ調整するための手段も備えている。出
力光線５１８は、それを検出システム５００により検出
される一部５２２と産業使用に適用される主要部５２４
とに分割する光線分割器２２０に入射する前に、一組の
ミラー５４４ａ及び５４４ｂによって反射される。コン
ピュータ６３４は、好ましくは、フィードバックループ
で出力光線モニタ・調整手段を制御する。
【００４２】一般に、図４，図６，図８及び図１０に示
されたようなシステムで使用される光検出器の感光素子
は、ＣＣＤカメラ、線形ダイオードアレイ、及び位置感
知検出器（ＰＳＤ）である。線形ダイオードアレイは、
一方向で光線位置をモニタするよう動作する。ＰＳＤ
は、２次元で光線位置をモニタするために使用されてよ
く、また光線方向をモニタするためのレンズで構成され
てよい。ＣＣＤカメラは、光線分布は言うに及ばず、２
次元で光線位置をモニタするために使用されてよく、ま
た光線方向をモニタするためのレンズで構成されてもよ
い。
されたようなシステムで使用される光検出器の感光素子
は、ＣＣＤカメラ、線形ダイオードアレイ、及び位置感
知検出器（ＰＳＤ）である。線形ダイオードアレイは、
一方向で光線位置をモニタするよう動作する。ＰＳＤ
は、２次元で光線位置をモニタするために使用されてよ
く、また光線方向をモニタするためのレンズで構成され
てよい。ＣＣＤカメラは、光線分布は言うに及ばず、２
次元で光線位置をモニタするために使用されてよく、ま
た光線方向をモニタするためのレンズで構成されてもよ
い。
【００４３】これらの感光素子は、それぞれ、チップに
含まれる半導体素材を含んでいる。ＣＣＤカメラは、一
般に、２５〜５０Ｈｚのパルス周波数範囲で動作する
が、他方、ＰＳＤは、最大１ｋＨｚ以上のパルス周波数
範囲で動作する。従って、ＰＳＤは良い時間分解能を示
す。ＣＣＤカメラ、ＰＳＤ、又は線形ダイオードアレイ
の何れかにより構成されたシステムは、フィードバック
ループで光検出器とレーザシステムの他の素子と通信し
てレーザシステムの様々なパラメータをモニタしかつ調
整するためのプロセッサを含んでよい。なるべくなら、
システムは「オンライン」であり、そして出力光線が産
業用途のために使われている間に、このモニタリングと
調整が実行されるのが望ましい。本発明による光検出器
の長くなった寿命は、こうして有利に継続的なオンライ
ン産業処理時間を増加させる。
含まれる半導体素材を含んでいる。ＣＣＤカメラは、一
般に、２５〜５０Ｈｚのパルス周波数範囲で動作する
が、他方、ＰＳＤは、最大１ｋＨｚ以上のパルス周波数
範囲で動作する。従って、ＰＳＤは良い時間分解能を示
す。ＣＣＤカメラ、ＰＳＤ、又は線形ダイオードアレイ
の何れかにより構成されたシステムは、フィードバック
ループで光検出器とレーザシステムの他の素子と通信し
てレーザシステムの様々なパラメータをモニタしかつ調
整するためのプロセッサを含んでよい。なるべくなら、
システムは「オンライン」であり、そして出力光線が産
業用途のために使われている間に、このモニタリングと
調整が実行されるのが望ましい。本発明による光検出器
の長くなった寿命は、こうして有利に継続的なオンライ
ン産業処理時間を増加させる。
【図１】本発明による周波数変換被覆層を備えた光検出
器を示した図である。
器を示した図である。
【図２】図１の周波数変換被覆層の機能を説明するため
のエネルギ準位を示した図である。
のエネルギ準位を示した図である。
【図３】レーザ出力ビームの一部が本発明による光検出
器に入射されて一つ以上の出力ビームパラメータをモニ
タすることが可能となるようにした好ましい光学的構成
を示した概念図である。
器に入射されて一つ以上の出力ビームパラメータをモニ
タすることが可能となるようにした好ましい光学的構成
を示した概念図である。
【図４】レーザ出力ビームの波長及びスペクトル帯域幅
をモニタするための本発明による検出システムを含む好
ましいレーザシステムの構成図である。
をモニタするための本発明による検出システムを含む好
ましいレーザシステムの構成図である。
【図５】図４の検出システムを示した図である。
【図６】レーザ出力ビームのパルスエネルギをモニタす
るための本発明による検出システムを含む好ましいレー
ザシステムの構成図である。
るための本発明による検出システムを含む好ましいレー
ザシステムの構成図である。
【図７】図６の検出システムを示す図である。
【図８】レーザ出力ビーム分布を測定するための本発明
による検出システムを含む好ましいレーザシステムの構
成図である。
による検出システムを含む好ましいレーザシステムの構
成図である。
【図９】図８の検出システムを示す図である。
【図１０】レーザ出力ビームの位置及び方向を制御する
ための本発明による検出システムを含む好ましいレーザ
システムの構成図である。
ための本発明による検出システムを含む好ましいレーザ
システムの構成図である。
１００，４００，５００ 検出システム １０２ 検出器 １０６ 紫外光線 １０８ より長い波長の光 ２１８ レーザ出力光線 ２２０ 光線分割器 ２２２ 反射光線 ２２４ 反射されなかった光線 ２２６ ミラー ３００ 帯域幅及び／又は波長検出システム ３０２，５０２ 感光素子 ３０４，４０４，５０４ 周波数変換被覆層 ３２８ 利得媒体 ３３０ 波長選択ユニット ３３２，５３２，６３２ 出力カプラ ３３４，４３４，５３４，６３４ コンピュータ（プロ
セッサ） ３３６ 波長選択デバイス ４３８，５３８，６３８ 高率反射ミラー ４４０ 高圧電源 ４４２ 放電ユニット
セッサ） ３３６ 波長選択デバイス ４３８，５３８，６３８ 高率反射ミラー ４４０ 高圧電源 ４４２ 放電ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 591283936 ラムダ・フィジーク・ゲゼルシャフト・ツ ァ・ヘルシュテルンク・フォン・ラーゼル ン・ミット・ベシュレンクテル・ハフツン グ ＬＡＭＢＤＡ ＰＨＹＳＩＫ ＧＥＳＥＬ ＬＳＣＨＡＦＴ ＺＵＲ ＨＥＲＳＴＥＬ ＬＵＮＧ ＶＯＮ ＬＡＳＥＲＮ ＭＩＴ ＢＥＳＣＨＲＡＮＫＴＥＲ ＨＡＦＴＵ ＮＧ ドイツ連邦共和国、37079 ゲッティンゲ ン、ハンス−ベックラー−シュトラーセ 12 (72)発明者 ウーヴェ・シュタム ドイツ連邦共和国、37085 ゲッティンゲ ン、ハインホルツヴェーク 29 (72)発明者 ハンス‐シュテファン・アルブレヒト ドイツ連邦共和国、37085 ゲッティンゲ ン、アウフ・デム・ローベルゲ 18 (72)発明者 ウーヴェ・ライノース ドイツ連邦共和国、37073 ゲッティンゲ ン、ニコライキルヒホーフ 12 (72)発明者 ウーヴェ・チョッケ ドイツ連邦共和国、37079 ゲッティンゲ ン、ゼーポーレ １
Claims (43)
- 【請求項１】 感光素子と、 前記感光素子上に形成され、入射紫外光線を吸収して前
記感光素子に向かう方向により長い波長の光を再放出す
るための周波数変換被覆層と、をそれぞれ備えたことを
特徴とする光検出器。 - 【請求項２】 全累積照射線量に対応する暗電流バック
グラウンドの増加率が１０以上の因子によって減少され
るのに基づいて、前記感光素子の寿命が増大することを
特徴とする請求項１に記載の光検出器。 - 【請求項３】 前記周波数変換被覆層は、２４０ｎｍ未
満の波長の入射光を、２４０ｎｍより長い波長の光に変
換することを特徴とする請求項１に記載の光検出器。 - 【請求項４】 前記周波数変換被覆層は、１５７ｎｍ、
１９３ｎｍ、そして２０９ｎｍ〜２１９ｎｍの中の一つ
の波長の周辺の波長の入射光を、２４０ｎｍより長い波
長の光に変換することを特徴とする請求項１に記載の光
検出器。 - 【請求項５】 前記周波数変換被覆層は、１９３ｎｍ周
辺の波長を持つＡｒＦ−エキシマレーザ光源からの入射
光を、十分により長い波長の光に変換することを特徴と
する請求項１に記載の光検出器。 - 【請求項６】 前記周波数変換被覆層は、１５７ｎｍ周
辺の波長を持つＦ2−エキシマレーザ光源からの入射光
を、十分により長い波長の光に変換することを特徴とす
る請求項１に記載の光検出器。 - 【請求項７】 およそ２０９ｎｍから２１９ｎｍまでの
波長を持つ五重周波数のＹＡＧ−レーザ光源からの入射
光を、十分により長い波長の光に変換することを特徴と
する請求項１に記載の光検出器。 - 【請求項８】 前記感光素子は、線形ダイオードアレイ
であることを特徴とする請求項１に記載の光検出器。 - 【請求項９】 前記感光素子は、位置感知検出器である
ことを特徴とする請求項１に記載の光検出器。 - 【請求項１０】 前記感光素子は、ＣＣＤカメラである
ことを特徴とする請求項１に記載の光検出器。 - 【請求項１１】 前記感光素子は、フォトダイオードで
あることを特徴とする請求項１に記載の光検出器。 - 【請求項１２】 前記感光素子は、エネルギ検出器であ
ることを特徴とする請求項１に記載の光検出器。 - 【請求項１３】 位置感知検出器、ＣＣＤカメラ、フォ
トダイオード、及び線形ダイオードアレイから成る感光
素子のグループの中から選択された感光素子と、 入射紫外光線を吸収して前記感光素子に向かう方向に可
視光を再放出するための周波数変換被覆層と、をそれぞ
れ備えたことを特徴とする光検出器。 - 【請求項１４】 前記周波数変換被覆層は、前記感光素
子上に配置されていることを特徴とする請求項１３に記
載の光検出器。 - 【請求項１５】 全累積照射線量に対応する暗電流バッ
クグラウンドの増加率が１０以上の因子によって減少さ
れるのに基づいて、前記感光素子の寿命が増大すること
を特徴とする請求項１４に記載の光検出器。 - 【請求項１６】 前記周波数変換被覆層は、２４０ｎｍ
未満の波長の入射光を、２４０ｎｍより長い波長の光に
変換することを特徴とする請求項１５に記載の光検出
器。 - 【請求項１７】 前記周波数変換被覆層は、２４０ｎｍ
未満の波長の入射光を、２４０ｎｍより長い波長の光に
変換することを特徴とする請求項１３に記載の光検出
器。 - 【請求項１８】 前記周波数変換被覆層は、１９３ｎｍ
周辺の波長を持つＡｒＦ−エキシマレーザ光源からの入
射光を、十分により長い波長の光に変換することを特徴
とする請求項１３に記載の光検出器。 - 【請求項１９】 前記周波数変換被覆層は、１５７ｎｍ
周辺の波長を持つＦ 2 −エキシマレーザ光源からの入射
光を、十分により長い波長の光に変換することを特徴と
する請求項１３に記載の光検出器。 - 【請求項２０】 およそ２０９ｎｍから２１９ｎｍまで
の波長を持つ五重周波数のＹＡＧ−レーザ光源からの入
射光を、十分により長い波長の光に変換することを特徴
とする請求項１３に記載の光検出器。 - 【請求項２１】 前記感光素子は、線形ダイオードアレ
イであることを特徴とする請求項１３に記載の光検出
器。 - 【請求項２２】 前記感光素子は、位置感知検出器であ
ることを特徴とする請求項１３に記載の光検出器。 - 【請求項２３】 前記感光素子は、ＣＣＤカメラである
ことを特徴とする請求項１３に記載の光検出器。 - 【請求項２４】 前記感光素子は、フォトダイオードで
あることを特徴とする請求項１３に記載の光検出器。 - 【請求項２５】 紫外放射線ビームを生成するための利
得媒体と、 出力カプラを有する共振器と、 感光素子、及び、前記感光素子上に形成され、入射紫外
光を吸収して前記感光素子に向かう方向により長い波長
の光を再放出するための周波数変換被覆層を含む、前記
ビームのパラメータを測定するための検出器と、をそれ
ぞれ備えたことを特徴とするレーザシステム。 - 【請求項２６】 全累積照射線量に対応する暗電流バッ
クグラウンドの増加率が１０以上の因子により減少する
のに基づいて、前記感光素子の寿命が増大することを特
徴とする請求項２５に記載のレーザシステム。 - 【請求項２７】 前記周波数変換被覆層は、２４０ｎｍ
未満の波長の入射光を、２４０ｎｍより長い波長の光に
変換することを特徴とする請求項２５に記載のレーザシ
ステム。 - 【請求項２８】 前記周波数変換被覆層は、１５７ｎ
ｍ、１９３ｎｍ、及び２０９ｎｍ〜２１９ｎｍのグルー
プの中の一つの波長の周辺の波長の入射光を、２４０ｎ
ｍより長い波長の光に変換することを特徴とする請求項
２５に記載のレーザシステム。 - 【請求項２９】 前記周波数変換被覆層は、１９３ｎｍ
周辺の波長を持つＡｒＦ−エキシマレーザ光源からの入
射光を、十分により長い波長の光に変換することを特徴
とする請求項２５に記載のレーザシステム。 - 【請求項３０】 前記周波数変換被覆層は、１５７ｎｍ
周辺の波長を持つＦ 2 −エキシマレーザ光源からの入射
光を、十分により長い波長の光に変換することを特徴と
する請求項２５に記載のレーザシステム。 - 【請求項３１】 およそ２０９ｎｍから２１９ｎｍまで
の波長を持つ五重周波数のＮｄ−レーザ光源からの入射
光を、十分により長い波長の光に変換することを特徴と
する請求項２５に記載のレーザシステム。 - 【請求項３２】 前記感光素子は、線形ダイオードアレ
イであることを特徴とする請求項２５に記載のレーザシ
ステム。 - 【請求項３３】 前記感光素子は、位置感知検出器であ
ることを特徴とする請求項２５に記載のレーザシステ
ム。 - 【請求項３４】 前記感光素子は、ＣＣＤカメラである
ことを特徴とする請求項２５に記載のレーザシステム。 - 【請求項３５】 前記感光素子は、エネルギ検出器であ
ることを特徴とする請求項２５に記載のレーザシステ
ム。 - 【請求項３６】 前記感光素子は、フォトダイオードで
あることを特徴とする請求項２５に記載のレーザシステ
ム。 - 【請求項３７】 前記検出器からデータを受信して、フ
ィードバックループにおいて前記システムの一つ以上の
構成部品を調整するためのプロセッサをさらに備えたこ
とを特徴とする請求項２５に記載のレーザシステム。 - 【請求項３８】 前記レーザシステムの出力放出ビーム
の波長を選択かつ安定化するための波長選択ユニットを
さらに備え、 前記プロセッサは、前記検出器からデータを受信して、
フィードバックループにおいて前記波長選択ユニットと
通信することによって、前記波長を調整することを特徴
とする請求項３７に記載のレーザシステム。 - 【請求項３９】 前記検出器は、前記出力放出ビームの
スペクトル帯域幅を測定かつ安定化するための波長選択
デバイスを備えたことを特徴とする請求項３８に記載の
レーザシステム。 - 【請求項４０】 前記検出器は、前記出力放出ビームの
波長を測定かつ安定化するための波長選択デバイスを備
えたことを特徴とする請求項３８に記載のレーザシステ
ム。 - 【請求項４１】 前記利得媒体にエネルギを供給するた
めの電源を含む放電回路をさらに備え、 前記プロセッサは、前記検出器からデータを受信して、
フィードバックループにおいて可変電源及び減衰器の中
の少なくとも一つと通信することによって、前記レーザ
の出力放出ビームのパルスエネルギを調整することを特
徴とする請求項３７に記載のレーザシステム。 - 【請求項４２】 前記ビームの位置及び方向の中の少な
くとも一つをモニタしかつ調整するための手段をさらに
備えたことを特徴とする請求項３７に記載のレーザシス
テム。 - 【請求項４３】 前記ビームの位置及び方向の中の少な
くとも一つをモニタしかつ調整するための手段をさらに
備えたことを特徴とする請求項２５に記載のレーザシス
テム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/172805 | 1998-10-14 | ||
| US09/172,805 US6327284B1 (en) | 1998-10-14 | 1998-10-14 | Detector with frequency converting coating |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000151001A true JP2000151001A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=22629323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11291759A Pending JP2000151001A (ja) | 1998-10-14 | 1999-10-14 | 周波数変換被覆層を有する光検出器とそれを用いたレ―ザシステム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6327284B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000151001A (ja) |
| DE (1) | DE19941175A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6636297B2 (en) | 1999-01-20 | 2003-10-21 | Gigaphoton, Inc. | Vacuum ultraviolet laser wavelength measuring apparatus |
| JP2022544545A (ja) * | 2019-08-14 | 2022-10-19 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | リソグラフィ装置および紫外放射制御システム |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003521683A (ja) * | 2000-01-25 | 2003-07-15 | ラムダ フィジーク アーゲー | ビーム・パラメータ監視ユニット、分子弗素（Ｆ２）或はＡｒＦレーザ・システム、分子弗素（Ｆ２）レーザ・システム、およびＡｒＦレーザ・システム |
| US6570901B2 (en) * | 2000-02-24 | 2003-05-27 | Lambda Physik Ag | Excimer or molecular fluorine laser having lengthened electrodes |
| US6747741B1 (en) | 2000-10-12 | 2004-06-08 | Lambda Physik Ag | Multiple-pass interferometric device |
| US6658032B2 (en) * | 2001-10-05 | 2003-12-02 | Pranalytica, Inc. | Automated laser wavelength selection system and method |
| JP2003142758A (ja) * | 2001-11-01 | 2003-05-16 | Komatsu Ltd | フッ素分子レーザ装置 |
| US6970492B2 (en) * | 2002-05-17 | 2005-11-29 | Lambda Physik Ag | DUV and VUV laser with on-line pulse energy monitor |
| EP1426827A1 (en) * | 2002-12-04 | 2004-06-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| EP1426824A1 (en) * | 2002-12-04 | 2004-06-09 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| KR100546324B1 (ko) * | 2003-04-22 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | Ａｌｄ에 의한 금속 산화물 박막 형성 방법, 란탄 산화막 형성 방법 및 반도체 소자의 고유전막 형성 방법 |
| KR101472833B1 (ko) * | 2013-07-16 | 2014-12-24 | 에스엘 주식회사 | 차량용 램프의 전류 제어 장치 |
| US11217722B2 (en) * | 2015-07-10 | 2022-01-04 | The Regents Of The University Of California | Hybrid growth method for III-nitride tunnel junction devices |
| EP3767276A1 (en) * | 2019-07-19 | 2021-01-20 | Sensirion AG | Total organic carbon sensor with uv-sensitive photodetector comprising a down-converting layer |
| CN117213626B (zh) * | 2023-11-07 | 2024-01-26 | 上海频准激光科技有限公司 | 基于非线性频率变换的不可见光参数测量方法和系统 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514871A (en) * | 1994-01-13 | 1996-05-07 | Trojan Technologies | Optical radiation sensor device |
-
1998
- 1998-10-14 US US09/172,805 patent/US6327284B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-08-30 DE DE19941175A patent/DE19941175A1/de not_active Withdrawn
- 1999-10-14 JP JP11291759A patent/JP2000151001A/ja active Pending
-
2001
- 2001-06-25 US US09/891,928 patent/US6389048B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6636297B2 (en) | 1999-01-20 | 2003-10-21 | Gigaphoton, Inc. | Vacuum ultraviolet laser wavelength measuring apparatus |
| JP2022544545A (ja) * | 2019-08-14 | 2022-10-19 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | リソグラフィ装置および紫外放射制御システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6389048B2 (en) | 2002-05-14 |
| US6327284B1 (en) | 2001-12-04 |
| DE19941175A1 (de) | 2000-04-20 |
| US20010040905A1 (en) | 2001-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000151001A (ja) | 周波数変換被覆層を有する光検出器とそれを用いたレ―ザシステム | |
| US8958143B2 (en) | Master oscillator—power amplifier drive laser with pre-pulse for EUV light source | |
| US6998620B2 (en) | Stable energy detector for extreme ultraviolet radiation detection | |
| Cobble et al. | The interaction of a high irradiance, subpicosecond laser pulse with aluminum: The effects of the prepulse on x‐ray production | |
| TW563279B (en) | F2 laser system and process for producing a narrow-band pulsed ultraviolet laser beam | |
| US20020071468A1 (en) | Injection seeded F2 laser with pre-injection filter | |
| US6529533B1 (en) | Beam parameter monitoring unit for a molecular fluorine (F2) laser | |
| US20110205529A1 (en) | Cell For Light Source | |
| Schnürer et al. | Few-cycle-driven XUV laser harmonics: generation and focusing | |
| US10887975B2 (en) | Optical pulse generation for an extreme ultraviolet light source | |
| US6907058B2 (en) | Energy monitor for molecular fluorine laser | |
| US10686290B2 (en) | Radiation source | |
| US6970492B2 (en) | DUV and VUV laser with on-line pulse energy monitor | |
| JP4021596B2 (ja) | Ｕｖイメージングに関するフロント照射蛍光スクリーン | |
| JP2002118309A (ja) | エキシマレーザ装置又はフッ素分子レーザ装置及びその出力ビームパラメータを安定化させる方法 | |
| US6819698B1 (en) | Energy monitor for F2 molecular fluorine laser and method of energy stabilization | |
| US4983844A (en) | Fast atomic line filter | |
| de Bruijn et al. | Characterization of a novel double-gas-jet laser plasma EUV source | |
| EP1739490A1 (en) | Radiation energy sensor with extended lifetime | |
| Fomenkov et al. | Laser-produced plasma source system development | |
| Shevelko | Absolute measurements in the VUV spectral range with a luminescent detector | |
| Zwicker et al. | High throughput multilayer mirror based soft x‐ray spectrometer for metallic impurity emission from tokamaks | |
| George et al. | EUV generation from lithium laser plasma for lithography | |
| JP2002148122A (ja) | レーザ光の波長モニタ用光学装置 | |
| Suganuma et al. | Evaluation at the intermediate focus for EUV light source |