JP2022544545A - リソグラフィ装置および紫外放射制御システム - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2019年8月14日に出願された米国仮特許出願62/886,532の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
1.ハウジングと、
前記ハウジング上または前記ハウジング内に配置され、紫外放射を蛍光放射に変換するように構成された変換結晶と、
前記蛍光放射の散乱された部分の強度を検出するように構成された複数の光検出器と、
前記変換結晶上または前記変換結晶内に配置され、前記蛍光放射の散乱された部分の強度を増加させるように構成された少なくとも1つの拡散面と、を備える紫外放射制御システム。
2.前記少なくとも1つの拡散面は、前記複数の光検出器に空間的に近接して配置されている、項1に記載の紫外放射制御システム。
3.単一の変換結晶のみを備える、項1の紫外放射制御システム。
4.前記変換結晶は、円盤形状を有し、
前記複数の光検出器は、前記変換結晶の環状外周縁に等間隔に配置されている、項2の紫外放射制御システム。
5.前記少なくとも1つの拡散面は、リング形状を有する、項4に記載の紫外放射制御システム。
6.前記少なくとも1つの拡散面は、不連続なリング形状に配列された複数のセグメントを備え、前記複数のセグメントの各々が、前記複数の光検出器のうちの所定の1つに隣接して配置されている、項4に記載の紫外放射制御システム。
7.前記複数の光検出器は、前記変換結晶の第1側に配置され、
前記少なくとも1つの拡散面は、前記変換結晶の前記第1側とは反対の第2側に配置されている、項4に記載の紫外放射制御システム。
8.前記複数の光検出器は、前記変換結晶の第1側に配置され、
前記少なくとも1つの拡散面は、前記変換結晶の前記第1側に配置されている、項4に記載の紫外放射制御システム。
9.前記複数の光検出器は、前記変換結晶の第1側に配置され、
前記少なくとも1つの拡散面は、前記変換結晶の前記第1側に配置された第1拡散面を備え、第2拡散面が、前記変換結晶の前記第1側とは反対の第2側に配置されている、項4に記載の紫外放射制御システム。
10.前記複数の光検出器は、前記変換結晶の前記環状外周縁を囲むように配置され、
前記少なくとも1つの拡散面は、前記変換結晶の前記環状外周縁に配置されている、項4に記載の紫外放射制御システム。
11.前記紫外放射は、深紫外放射である、項1に記載の紫外放射制御システム。
12.前記紫外放射は、193nmのエキシマパルスレーザーから分岐されたビームである、項11に記載の紫外放射制御システム。
13.前記複数の光検出器は、絶縁体上に配置されたリング形状のスペーサー上に配置されている、項1に記載の紫外放射制御システム。
14.前記リング形状のスペーサーの中心に配置され、前記紫外放射から変換される蛍光放射の量を増加するために前記変換結晶を透過した紫外放射の一部を前記変換結晶へと反射するように構成された光ダンプまたはミラーをさらに備える、項13に記載の紫外放射制御システム。
15.前記ハウジングは、前記変換結晶および前記複数の光検出器を保護するように構成され、
前記システムは、
前記ハウジングに固定されたパージキャップと、
前記パージキャップ内に、または、前記ハウジングと前記パージキャップとの間に配置されたパージチャネルと、をさらに備える、項13に記載の紫外放射制御システム。
16.前記パージキャップと前記絶縁体との間に配置された第1シール、複数のスプリング、および結晶スプリングホルダーをさらに備える、項15に記載の紫外放射制御システム。
17.前記変換結晶と結晶のハウジングとの間に配置された第2シールおよびセンタリングOリングをさらに備える、項16に記載の紫外放射制御システム。
18.前記少なくとも1つの拡散面は、前記蛍光放射を散乱させるように構成された前記変換結晶の層に埋め込まれた不純物を含む、項1に記載の紫外放射制御システム。
19.項1に記載の紫外放射制御システムを備えるリソグラフィ装置。
20.紫外放射を測定する方法であって、
前記紫外放射の分岐された部分を蛍光放射に変換するように変換結晶を使用することと、
前記蛍光放射を散乱させるように、前記変換結晶上または前記変換結晶内に配置された少なくとも1つの拡散面を使用することと、
散乱された蛍光放射の強度を測定するように複数の光検出器を使用することと、を備える方法。
Claims (20)
- ハウジングと、
前記ハウジング上または前記ハウジング内に配置され、紫外放射を蛍光放射に変換するように構成された変換結晶と、
前記蛍光放射の散乱された部分の強度を検出するように構成された複数の光検出器と、
前記変換結晶上または前記変換結晶内に配置され、前記蛍光放射の散乱された部分の強度を増加させるように構成された少なくとも1つの拡散面と、を備える紫外放射制御システム。 - 前記少なくとも1つの拡散面は、前記複数の光検出器に空間的に近接して配置されている、請求項1に記載の紫外放射制御システム。
- 単一の変換結晶のみを備える、請求項1の紫外放射制御システム。
- 前記変換結晶は、円盤形状を有し、
前記複数の光検出器は、前記変換結晶の環状外周縁に等間隔に配置されている、請求項2の紫外放射制御システム。 - 前記少なくとも1つの拡散面は、リング形状を有する、請求項4に記載の紫外放射制御システム。
- 前記少なくとも1つの拡散面は、不連続なリング形状に配列された複数のセグメントを備え、前記複数のセグメントの各々が、前記複数の光検出器のうちの所定の1つに隣接して配置されている、請求項4に記載の紫外放射制御システム。
- 前記複数の光検出器は、前記変換結晶の第1側に配置され、
前記少なくとも1つの拡散面は、前記変換結晶の前記第1側とは反対の第2側に配置されている、請求項4に記載の紫外放射制御システム。 - 前記複数の光検出器は、前記変換結晶の第1側に配置され、
前記少なくとも1つの拡散面は、前記変換結晶の前記第1側に配置されている、請求項4に記載の紫外放射制御システム。 - 前記複数の光検出器は、前記変換結晶の第1側に配置され、
前記少なくとも1つの拡散面は、前記変換結晶の前記第1側に配置された第1拡散面を備え、第2拡散面が、前記変換結晶の前記第1側とは反対の第2側に配置されている、請求項4に記載の紫外放射制御システム。 - 前記複数の光検出器は、前記変換結晶の前記環状外周縁を囲むように配置され、
前記少なくとも1つの拡散面は、前記変換結晶の前記環状外周縁に配置されている、請求項4に記載の紫外放射制御システム。 - 前記紫外放射は、深紫外放射である、請求項1に記載の紫外放射制御システム。
- 前記紫外放射は、193nmのエキシマパルスレーザーから分岐されたビームである、請求項11に記載の紫外放射制御システム。
- 前記複数の光検出器は、絶縁体上に配置されたリング形状のスペーサー上に配置されている、請求項1に記載の紫外放射制御システム。
- 前記リング形状のスペーサーの中心に配置され、前記紫外放射から変換される蛍光放射の量を増加するために前記変換結晶を透過した紫外放射の一部を前記変換結晶へと反射するように構成された光ダンプまたはミラーをさらに備える、請求項13に記載の紫外放射制御システム。
- 前記ハウジングは、前記変換結晶および前記複数の光検出器を保護するように構成され、
前記システムは、
前記ハウジングに固定されたパージキャップと、
前記パージキャップ内に、または、前記ハウジングと前記パージキャップとの間に配置されたパージチャネルと、をさらに備える、請求項13に記載の紫外放射制御システム。 - 前記パージキャップと前記絶縁体との間に配置された第1シール、複数のスプリング、および結晶スプリングホルダーをさらに備える、請求項15に記載の紫外放射制御システム。
- 前記変換結晶と結晶のハウジングとの間に配置された第2シールおよびセンタリングOリングをさらに備える、請求項16に記載の紫外放射制御システム。
- 前記少なくとも1つの拡散面は、前記蛍光放射を散乱させるように構成された前記変換結晶の層に埋め込まれた不純物を含む、請求項1に記載の紫外放射制御システム。
- 請求項1に記載の紫外放射制御システムを備えるリソグラフィ装置。
- 紫外放射を測定する方法であって、
前記紫外放射の分岐された部分を蛍光放射に変換するように変換結晶を使用することと、
前記蛍光放射を散乱させるように、前記変換結晶上または前記変換結晶内に配置された少なくとも1つの拡散面を使用することと、
散乱された蛍光放射の強度を測定するように複数の光検出器を使用することと、を備える方法。
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