WO2004013590A1 - 光検出装置 - Google Patents

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WO2004013590A1
WO2004013590A1 PCT/JP2003/009831 JP0309831W WO2004013590A1 WO 2004013590 A1 WO2004013590 A1 WO 2004013590A1 JP 0309831 W JP0309831 W JP 0309831W WO 2004013590 A1 WO2004013590 A1 WO 2004013590A1
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photodetector
face
photocathode
light
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Yoshihiro Takiguchi
Original Assignee
Hamamatsu Photonics K.K.
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/28Vessels, e.g. wall of the tube; Windows; Screens; Suppressing undesired discharges or currents

Definitions

  • the present invention relates to a photodetector including an optical component such as a photomultiplier tube.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a conventional photodetector.
  • a conventional photodetector includes a photomultiplier tube 80 and an imaging system 90.
  • the photomultiplier tube 80 includes an electrode 83 a, a photocathode 85, and an aperture electrode 8, in order from one end face of the vacuum vessel 81 to the other end face, in the tubular vacuum vessel 81. 3 b, focusing electrode 83 c, electron multiplier 87, and readout electrode 83 d are arranged.
  • the imaging system 90 includes lens systems 91 and 93 arranged facing each other, a wavelength selection filter 95 arranged between the lens systems 91 and 93, and a lens system 9 And an adjusting unit 97 for finely adjusting the position of 3. A necessary wavelength component of the optical signal L is selected by the wavelength selection filter 95.
  • the optical signal L from the light source S is imaged by the imaging system 90 on the photocathode 85.
  • This imaging excites electrons in the photocathode 85 and emits photoelectrons into the vacuum (external photoelectric effect). Of the emitted photoelectrons, those passing through the opening 82 of the aperture electrode 83 are converged on the electron multiplier 87 by the converging electrode 83c.
  • the current is amplified by repeating the secondary electron emission in the electron multiplier 87. This is read as an output signal via the read electrode 83d.
  • Thermal noise is the photocathode 8 5
  • the temperature can be reduced by lowering the temperature of the photocathode or reducing the area of the photocathode 85.
  • the temperature of the photocathode 85 is reduced by disposing the Peltier cooler 89 near the photocathode 85, or the effective area of the photocathode 85 is reduced by the aperture electrode 83b. I have.
  • the area corresponding to the opening area of the opening 82 of the aperture electrode 83 b is the effective area of the photocathode 85.
  • An object of the present invention is to provide a photodetector that can be downsized while reducing thermal noise.
  • the photodetector according to the present invention includes: an optical fin having an end surface serving as a light emitting surface; and a photoelectron emitting device configured to emit photoelectrons based on light formed on the end surface and emitted from the end surface. Department.
  • a photoelectron emission portion for example, a photoelectron surface
  • an imaging system or an imaging system for imaging light on the photoelectron emission portion is provided.
  • An adjusting unit for finely adjusting the lens of the image system becomes unnecessary.
  • the aperture electrode is not required for the same reason, the lens effect caused by the electric field formed by the photoelectron emission portion and the aperture electrode does not occur. Therefore, according to the present invention, it is not necessary to dispose a focusing electrode for correcting the lens effect.
  • the photoelectron emission portion is formed on the end face of the optical fiber, the size of the photoelectron emission portion can be reduced. Less than For the above reasons, according to the present invention, the size of the photodetector can be reduced.
  • the optical fiber includes a core portion, at least a part of the end face includes the core portion, and the photoelectron emission portion is formed only on the core portion of the end face. It is. According to this, the size of the photoelectron emission section can be further reduced, so that thermal noise can be reduced and the ratio of signal Z noise in measurement can be improved.
  • the present invention it is preferable to adopt a structure in which a diffraction grating for wavelength selection is formed in the core portion.
  • a structure including a light-shielding film disposed on the surface of the optical fiber in order to prevent light leakage from the optical fiber, it is preferable to adopt a structure including a light-shielding film disposed on the surface of the optical fiber.
  • the optical fiber includes another end face serving as a light incident surface, and the light detecting device has a structure including an optical fiber connector attached to the other end face.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of the photodetector according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of another example of the photodetector according to the present embodiment. It is a schematic diagram.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a conventional photodetector.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of the photodetector according to the present embodiment.
  • the light detection device 1 is composed of a vacuum vessel 10 made of a glass tube whose inside is evacuated, An optical fiber 20 including a clad layer 23 formed around the optical fiber.
  • the vacuum container 10 has one end face 11 and the other end face 13.
  • the end 25 of the optical fiber 20 is inserted into the vacuum vessel 10 from the end face 11 and is fixed.
  • the end 25 has an end face 27 of the optical fiber 20.
  • the optical signal L from the light source that has propagated through the core portion 21 is emitted from the end face 27.
  • a base metal layer 32 On the end portion 27, on the core portion 21 portion, a base metal layer 32, whose surface is roughened to about nanometers to facilitate metal adsorption, and a photocathode 3, which is an example of a photoelectron emitting portion, are provided. 0 is stacked.
  • the photocathode 30 produces an external photoelectric effect.
  • the photocathode 30 is formed on the end face 27.
  • a metal layer is deposited on the end face 27.
  • this metal layer is left only on the core portion 21 on the end face 27. This becomes the base metal layer 32.
  • the photocathode 30 is formed on the end face 27.
  • an electrode 40 electrically connected to the photocathode 30 via the base metal layer 32 is disposed, and a predetermined distance from the photocathode 30 is provided.
  • the electron multipliers 50 are arranged so as to face each other.
  • As the electron multiplier 50 a known electron multiplier can be used.
  • the structure and materials of the electron multiplier 50 are various, and the current multiplication factor, time response characteristics, etc. of the photodetector 1 are different depending on these. Select the structure and material of 0.
  • a readout electrode 60 is arranged in the vacuum vessel 10 between the end face 13 and the electron multiplier section 50, and a part of the readout electrode 60 is externally provided through the end face 13. Has been withdrawn.
  • the vacuum vessel 10, the photocathode 30 and the electron multiplier 50 constitute a photomultiplier tube.
  • Optical fiber 20 core The optical signal L that has propagated through the unit 21 enters the photoelectric surface 30 via the end face 27 of the optical fiber 20. This excites electrons in the photocathode 30 and emits photoelectrons into a vacuum.
  • Photoelectrons enter the electron multiplier 50. Photoelectrons multiplied by current by repeating secondary electron emission in the electron multiplier section 50 are sent to the readout electrode 60.
  • the optical fiber 20 through which the optical signal L flows is provided, and the photoelectric surface 30 is formed on the end surface 27 of the optical fiber 20. For this reason, an imaging system, a focusing electrode, and the like are not required, and the size of the device can be reduced. In addition, it is possible to increase the efficiency of light propagation and photoelectric conversion.
  • the photoelectric surface 30 is formed only on the core portion 21 of the end surface 27, so that the photoelectric surface can be reduced in size. Therefore, since thermal noise can be reduced to the utmost, the ratio of signal Z noise in measurement can be improved.
  • the photocathode 30 may be formed on the core 21 of the end face 27 and on the cladding layer 23.
  • the photodetector 1 for example, when a multi-mode fiber having a core part 21 having a diameter of 125 ⁇ is used, a photocathode having a diameter of 5 mm (a photocathode of a normal size) is used.
  • the photocathode 30 has an area ratio of 1/600.
  • the noise level of the photocathode is about 100 cps.
  • the thermal noise is 0.063 cps.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the photodetector 3.
  • the difference between the photodetector 3 and the photodetector 1 shown in FIG. 1 will be described.
  • the same components as those of the light detecting device 1 among the constituents of the light detecting device 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the diffraction grating 29 is formed on a part of the core 21 of the optical fiber 20. I have. This makes it possible to select only the wavelength component to be measured from the optical signal.
  • a light-shielding film 22 is formed around the optical fiber 20. This makes it possible to prevent the optical signal in the optical fiber 20 from leaking to the outside.
  • An FC type optical fiber connector 70 is attached to an end 24 of the optical fiber 20 opposite to the end 25.
  • the photoelectric surface 30 is formed only on the core portion 21 of the end surface 27, it may be formed on the core portion 21 of the end surface 27 and on the cladding layer 23.
  • a Peltier cooler 13 is disposed in the vacuum vessel 10 and near the end face 11 and the photocathode 30.
  • the Peltier cooler 13 has a through-hole through which the end 25 of the optical fiber 20 passes.
  • the photocathode 30 is cooled by the Peltier cooler 13. Thereby, thermal noise can be reduced.
  • the operation and effect of the light detection device 3 are the same as those of the light detection device 1.

Landscapes

  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

光検出装置1は、真空容器10内に配置された光電面30及び電子増倍部50を含む。これらにより光電子増倍管が構成される。光検出装置1は、光信号Lが流れる光ファイバ20を備え、光電面30が光ファイバ20の端面27上に形成されている。

Description

明細書
光検出装置
技術分野
【0 0 0 1】 本発明は、 例えば、 光電子増倍管のような光学部品を含む光検出 装置に関する。
背景技術
【0 0 0 2】 図 3は、 従来の光検出装置の模式図である。 従来の光検出装置は 、 光電子増倍管 8 0及び結像系 9 0を含む。 光電子増倍管 8 0は、 管状をした真 空容器 8 1内に、 真空容器 8 1の一方の端面から他方の端面に向かって順に、 電 極 8 3 a、 光電面 8 5、 アパーチャ電極 8 3 b、 収束電極 8 3 c、 電子増倍部 8 7、 読み出し電極 8 3 dが配置された構造をしている。 結像系 9 0は、 互いに対 向して配置されたレンズ系 9 1、 9 3と、 レンズ系 9 1とレンズ系 9 3との間に 配置された波長選択フィルタ 9 5と、 レンズ系 9 3の位置を微調整する調整部 9 7と、 を含む。 波長選択フィルタ 9 5により光信号 Lのうち必要となる波長成分 が選択される。
【0 0 0 3】 光源 Sからの光信号 Lは、 結像系 9 0により光電面 8 5に結像さ れる。 調整部 9 7を用いてレンズ系 9 3の位置を微調整することにより、 結像の 調整がなされる。 この結像により光電面 8 5内の電子が励起され真空中に光電子 が放出される (外部光電効果)。放出された光電子のうちアパーチャ電極 8 3 の 開口部 8 2を通過した光電子が収束電極 8 3 cによつて電子増倍部 8 7に収束さ れる。 電子增倍部 8 7において二次電子放出が繰り返えされることにより電流増 幅される。 これが出力信号として読み出し電極 8 3 dを介して読み出される。
【0 0 0 4】 さて、 上記光検出装置において、 光電面 8 5に入射する光信号 L の強度が極度に小さい場合、 計測における信号 雑音の比は熱雑音の影響を強く 受ける。 つまり、 熱雑音が大きくなると計測における信号/雑音の比が悪くなる のである。 従って、 熱雑音を低減することが重要である。 熱雑音は、 光電面 8 5 の温度を低下させたりすることや、 光電面 8 5の面積を小さくすることにより、 低減することができる。 従来は、 ペルチェ冷却器 8 9を光電面 8 5の近傍に配置 することにより光電面 8 5の温度を低下させたり、 アパーチャ電極 8 3 bにより 光電面 8 5の有効面積を低減させたりしている。 アパーチャ電極 8 3 bの開口部 8 2の開口面積に相当する面積が光電面 8 5の有効面積となる。
発明の開示
【0 0 0 5】 従来の光検出装置は、 アパーチャ電極 8 3 bの開口部 8 2を通過 した光電子が電子増倍部 8 7に収束される。 光電面 8 5から放出された光電子を 効率的に利用するためには、 開口部 8 2を通過する光電子を多くしなければなら ず、 そのために、 結像系 9 0及び調整部 9 7が必要となる。 また、 アパーチャ電 極 8 3 bを設けることにより、 光電面 8 5とアパーチャ電極 8 3 bにより形成さ れる電場が原因でレンズ効果が発生する。 この捕正のため収束電極 8 3 cが必要 となる。 このように、 従来の光検出装置は結像系 9 0、 調整部 9 7、 収束電極 8 3 c等を備えなければならず、 これらが装置の小型化の妨げとなっていた。 【0 0 0 6】 本発明の目的は、 熱雑音を低下させつつ、 小型化が可能な光検出 装置を提供することである。
【0 0 0 7】 本発明に係る光検出装置は、 光の出射面となる端面を有する光フ ァイノ と、 端面上に形成され端面から出射される光を基にして光電子を放出する 光電子放出部と、 を含む。
【0 0 0 8】 本発明によれば、 光ファイバの端面上に光電子放出部 (例えば光 電面) が形成されているので、 光電子放出部に光を結像させるための結像系や結 像系のレンズを微調整する調整部が不要となる。 また、 同じ理由によりァパーチ ャ電極が不要となるので、 光電子放出部とアパーチャ電極により形成される電場 が原因となるレンズ効果が発生することはない。 よって、 本発明によればレンズ 効果を捕正するための収束電極を配置しなくてもよい。 また、 光ファイバの端面 上に光電子放出部が形成されているので光電子放出部の小型化が可能となる。 以 上の理由により本発明によれば、 光検出装置の小型化が可能となる。
【0 0 0 9】 また、 上記の通り光電子放出部の小型化が可能となるので、 熱雑 音を低減することができる。 よって、 本発明によれば、 計測における信号 Z雑音 の比を良好にすることが可能となる。
【0 0 1 0】 本発明において、 光ファイバはコア部を含み、 端面の少なくとも 一部はコア部を含み、 光電子放出部は端面のコア部上にのみ形成されている構造 にすることが好適である。 これによれば、 光電子放出部をさらに小型化すること ができるので、 熱雑音を低減することができ、 計測における信号 Z雑音の比を良 好にすることが可能となる。
【0 0 1 1】 本発明において、 コア部に波長選択用の回折格子が形成されてい る構造にすることが好適である。 本発明において、 光ファイバからの光漏れを防 ぐために、 光ファイバの表面に配置された遮光性皮膜を含む構造にすることが好 適である。 本発明において、 光ファイバは光の入射面となる他の端面を含み、 光 検出装置は他の端面に取付けられた光ファイバコネクタを含む構造にすることが 好適である。 本発明において、 光電子放出部の温度を低下させるための冷却部を 含む構造にすることが好適である。
図面の簡単な説明
【0 0 1 2】 図 1は、 本実施形態に係る光検出装置の一例の断面模式図である 【0 0 1 3】 図 2は、 本実施形態に係る光検出装置の他の例の断面模式図であ る。
【0 0 1 4】 図 3は、 従来の光検出装置の椟式図である。
発明を実施するための最良の形態
【0 0 1 5】 本発明の好適な実施形態について図面を用いて説明する。図 1は、 本実施形態に係る光検出装置の一例の断面模式図である。 光検出装置 1は、 内部 が真空にされたガラス管からなる真空容器 1 0と、 コア部 2 1及びコア部 2 1の 周囲に形成されたクラッド層 2 3を含む光ファイバ 2 0と、 を備える。
【0 0 1 6】 真空容器 1 0は一方の端面 1 1と他方の端面 1 3を有する。 光フ アイバ 2 0の端部 2 5は、 端面 1 1から真空容器 1 0内に挿入され、 固定されて いる。 端部 2 5には光ファイバ 2 0の端面 2 7がある。 コア部 2 1を伝播した光 源からの光信号 Lは、 端面 2 7から出射される。 端面 2 7上のうちコア部 2 1の 部分上には、 金属が吸着しやすいように表面をナノメートル程度で荒らして蒸着 した下地金属層 3 2と、 光電子放出部の一例である光電面 3 0とが積層されてい る。 光電面 3 0により外部光電効果が生じる。 つまり、 端面 2 7から出射された 光信号 Lが光電面 3 0に入射することにより、 光電面 3 0から真空容器 1 0中に 光電子が放出される。 光電面 3 0を端面 2 7上に形成する方法として、 例えば、 以下の方法がある。 まず、 端面 2 7上に金属層を蒸着する。 この金属層をフォト リソグラフィとエッチングを用いてパターニングすることにより、 端面 2 7上の うちコア部 2 1の部分上にのみこの金属層を残す。これが下地金属層 3 2となる。 そして、 下地金属層 3 2上に光電面の材料を選択的に蒸着することにより、 端面 2 7上に光電面 3 0が形成される。
【0 0 1 7】 真空容器 1 0内には、 光電面 3 0に下地金属層 3 2を介して電気 的に接続されている電極 4 0が配置され、 また光電面 3 0と所定距離を設けて向 かい合うように電子増倍部 5 0が配置されている。 電子增倍部 5 0としては公知 の電子増倍部が用いることができる。電子増倍部 5 0の構造や材料は様々であり、 これらにより光検出装置 1の電流増倍率、 時間応答特性等が異なるので、 光検出 装置 1の使用目的に応じて、 電子増倍部 5 0の構造や材料を選択する。 真空容器 1 0内であって、 端面 1 3と電子増倍部 5 0との間には読み出し電極 6 0が配置 されており、読み出し電極 6 0の一部は端面 1 3を介して外部に引出されている。 真空容器 1 0、 光電面 3 0及び電子增倍部 5 0により光電子増倍管が構成されて いる。
【0 0 1 8】 ここで、 光検出装置 1の動作を説明する。 光ファイバ 2 0のコア 部 2 1を伝播してきた光信号 Lは光ファイバ 2 0の端面 2 7を介して光電面 3 0 に入射する。 これにより光電面 3 0内の電子を励起し真空中に光電子を放出する
(外部光電効果)。光電子は電子増倍部 5 0に入射する。電子増倍部 5 0において 二次電子放出が繰り返えされることにより電流増倍された光電子は、 読み出し電 極 6 0に送られる。
【0 0 1 9】 光検出装置 1によれば、光信号 Lが流れる光ファイバ 2 0を備え、 かつ光電面 3 0が光ファイバ 2 0の端面 2 7上に形成されている。 このため、 結 像系、 収束電極等が不要となり、 装置の小型化が可能となる。 また、 光伝播と光 電子変換を高効率にすることが可能となる。
【0 0 2 0】 また、 光検出装置 1によれば、 光電面 3 0が端面 2 7のコア部 2 1上にのみ形成されているので、 光電面の小型化を図ることができる。 よって、 熱雑音を極限まで低減することが可能となるので、 計測における信号 Z雑音の比 を良好にすることできる。 なお、 光電面 3 0は端面 2 7のコア部 2 1上及びクラ ッド層 2 3上に形成されていてもよい。
【0 0 2 1】 上記の効果について数値を用いて具体的に説明する。 光検出装置 1によれば、 例えば、 コア部 2 1の径が 1 2 5 μ πιのマルチモードファイバを用 いた場合、 直径 5 mmの光電面 (通常の大きさの光電面) と比較して、 光電面 3 0は面積比で 1 6 0 0分の 1になる。 また、例えば、光電面が GaAsであり光電面 の冷却部を備えた従来のタイプにおいて、 光電面の雑音レベルが 1 0 0 c p s程 度となる。 光検出装置 1によれば、 熱雑音が 0 . 0 6 3 c p sとなる。
【0 0 2 2】 次に、本実施形態に係る光検出装置の他の例を説明する。図 2は、 この光検出装置 3の断面模式図である。 光検出装置 3については、 図 1に示す光 検出装置 1との相違点を説明する。 光検出装置 3を構成する要素のうち光検出装 置 1の構成要素と同一のものについては同一符号を付すことにより説明を省略す る。
【0 0 2 3】 光ファイバ 2 0のコア部 2 1の一部に回折格子 2 9が形成されて いる。 これにより、 光信号のうち測定したい波長成分のみを選択することが可能 となる。 また、 光ファイバ 2 0の周囲には遮光用皮膜 2 2が形成されている。 こ れにより光ファイバ 2 0内の光信号が外部に漏れるのを防ぐことが可能となる。 光ファイバ 2 0の端部 2 5と反対側の端部 2 4には、 F C型の光ファイバコネク タ 7 0が取付けられている。 なお、 光電面 3 0は端面 2 7のコア部 2 1上にのみ 形成されているが、 端面 2 7のコア部 2 1上及ぴクラッド層 2 3上に形成されて いてもよい。
【0 0 2 4】 真空容器 1 0内であって端面 1 1及び光電面 3 0の近傍には、 ぺ ルチェ冷却器 1 3が配置されている。 ペルチヱ冷却器 1 3には貫通孔があり、 そ こに光ファイバ 2 0の端部 2 5が通されている。 ペルチェ冷却器 1 3により光電 面 3 0が冷却される。 これにより、 熱雑音を低減することができる。 なお、 光検 出装置 3の動作及び効果は光検出装置 1と同様である。

Claims

請求の範囲
1 . 光の出射面となる端面を有する光ファイバと、
前記端面上に形成され、 前記端面から出射される光を基にして光電子を放出する 光電子放出部と、
を含む光検出装置。
2 . 前記光ファイバはコア部を含み、
前記端面の少なくとも一部は前記コア部を含み、
前記光電子放出部は前記端面の前記コア部上にのみ形成されている、 請求項 1記 載の光検出装置。
3 . 前記コア部に波長選択用の回折格子が形成されている、 請求項 1又は 2 記載の光検出装置。
4 . 前記光ファイバからの光漏れを防ぐために、 前記光ファイバの表面に配 置された遮光性皮膜を含む、 請求項 1〜 3のいずれかに記載の光検出装置。
5 . 前記光ファイバは光の入射面となる他の端面を含み、
前記光検出装置は前記他の端面に取付けられた光ファィバコネクタを含む、 請求 項 1 ~ 4のいずれかに記載の光検出装置。
6 . 前記光電子放出部の温度を低下させるための冷却部を含む、 請求項 1〜 5のいずれかに記載の光検出装置。
7 . 前記端面と前記光電子放出部との間に金属層が位置する、 請求項 1〜6 のいずれかに記載の光検出装置。
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