JP2007027186A - 半導体光検出器及び半導体露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザ光に対するモニタ精度が使用回数の増加に伴って低下するのを抑制できる半導体光検出器と半導体露光装置とを提供すること。
【解決手段】入射光に感応してキャリアを発生する半導体光検出器１であって、表面Ｍ１及び表面Ｍ２を有しており第１の表面Ｍ１に設けられたｐｎ接合部３１を含む基体２と、表面Ｍ１又は表面Ｍ２の少なくとも一方の表面上に設けられた下地層４と、下地層４上に設けられた貴金属層５とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体光検出器及び半導体露光装置に関する。

特許文献１には、エキシマレーザ等の２５０ｎｍ以下の紫外光を照射することによりウェハ表面を露光して回路パターンを設けるための半導体露光装置が開示されている。この半導体露光装置には、露光するレーザ光をモニタするための半導体光検出器（露光量検出手段）が設けられている。この半導体光検出器は、シリコン（Ｓｉ）を含んで構成される光検出領域を有しており、この光検出領域は紫外光に光感度を有する。このような半導体光検出器には、光検出領域の表面にシリコン酸化膜（ＳｉＯ_ｘ）が設けられている。上記半導体露光装置では、上記半導体光検出器を用いたモニタ結果に基づいて露光調整が行われる。

また、従来の他の半導体光検出器の一例を図５に示す。図５は、従来型の半導体光検出器の構成を示す図である。半導体光検出器１０１は、紫外光のような高エネルギーのレーザ光Ｌ１の入射に感応してキャリアを発生する機器である。半導体光検出器１０１は、基体１０２、シリコン酸化膜１０３、電極１０４及び電極１０５を有する。電極１０４は接地されている。基体１０２は、例えばｐ型のシリコン基体であり、表面Ｍ１１及び表面Ｍ１２を有する。基体１０２内には、例えばｎ型の不純物領域１０６が表面Ｍ１１に設けられている。また、基体１０２内には、表面Ｍ１２に例えばｐ^＋型の不純物領域１０７と、表面Ｍ１１に例えばｐ^＋型の不純物領域１０８とが設けられている。不純物領域１０６と基体１０２の界面にはｐｎ接合部１３１が形成されている。表面Ｍ１１上にはシリコン酸化膜１０３が設けられている。シリコン酸化膜１０３には表面Ｍ１１に至るコンタクトホール１８１が設けられている。コンタクトホール１８１は、表面Ｍ１１のうち不純物領域１０６に対応する表面領域Ｅ１１上に位置する。コンタクトホール１８１にはアルミニウム（Ａｌ）等の電極１０４が設けられており、電極１０４は不純物領域１０６と電気的に接続されている。不純物領域１０８は、不要なキャリアを吸収するための不純物領域であり、表面Ｍ１１のうち表面領域Ｅ１１を除く表面領域Ｅ１２の一部に設けられている。表面Ｍ１２上には金等の電極１０５が設けられており、電極１０５は不純物領域１０７と電気的に接続されている。レーザ光Ｌ１は、表面Ｍ１１から入射する。
特開平５−４０２４０号公報

しかし、上記特許文献１に記載のような、光検出領域の表面にシリコン酸化膜が設けられた構成の半導体光検出器において、この光検出領域に高エネルギーの紫外光が照射されると、紫外光の照射によって生じるチャージが、シリコン酸化膜と光検出領域（シリコン）の界面に蓄積（チャージアップ）される。さらに紫外光が照射されることにより、この界面に結晶欠陥が引き起こされる。この結晶欠陥により、紫外波長領域における感度低下や暗電流増加等の特性劣化が招来される。このため、紫外光の露光量の正確なモニタが使用にともなって困難となり、半導体露光装置における露光精度の低下を招く。

そこで、本発明の目的は、レーザ光に対するモニタ精度が使用回数の増加に伴って低下するのを抑制できる半導体光検出器と半導体露光装置とを提供することである。

本発明の半導体光検出器は、入射光に感応してキャリアを発生する半導体光検出器であって、第１及び第２の表面を有しており上記第１の表面に設けられた第１導電型の不純物領域を含む第２導電型のシリコン基体と、上記第１又は第２の表面の少なくとも一方の表面上に設けられた貴金属層と、上記貴金属層と上記シリコン基体との間に設けられており上記貴金属層よりも上記シリコン基体に対する密着性を向上させる下地層と、を備え、上記下地層の厚みと上記貴金属層の厚みとの合計は２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、ことを特徴とする。

シリコン基体の表面に酸化膜が設けられている従来の半導体光検出器の構成では、例えば紫外光のような高エネルギー線の入射により生じるチャージが、シリコン基体と酸化膜の界面に蓄積される。さらに紫外光の照射によりこの界面周辺に結晶欠陥が引き起こされる。この結晶欠陥により、紫外波長領域における感度低下や暗電流増加等の特性劣化が招来される。しかし、本発明の半導体光検出器では、シリコン基体の第１の表面及び第２の表面の少なくとも一方の光入射面上には下地層を介して非酸化性の貴金属層が設けられている。すなわち、このシリコン基体の光入射面上には、酸化膜に替えて、非酸化性の貴金属層が下地層を介して設けられている。このため、チャージアップによる結晶欠陥の発生が低減される。よって、使用に伴って生じる半導体光検出器の検出精度の低下が抑制できる。そして、下地層は、貴金属層よりもシリコン基体に対する密着性が向上するため、下地層（及び貴金属層）がシリコン基体の表面から剥離しにくくなっている。更に、下地層及び貴金属層の透過率はシリコン酸化膜に比較して小さいが、下地層の厚みと貴金属層の厚みとの合計が２０ｎｍ以下と極めて薄いため、入射光は下地層及び貴金属層を透過してシリコン基体内に到達できる。また、下地層の厚みと貴金属層の厚みとの合計が２ｎｍ以上のため、下地層及び貴金属層をシリコン基体上に精度良く設けることができる。

また、本発明のように、上記第１の表面のうち上記不純物領域と上記シリコン基体の界面を含む第１の領域上に設けられた絶縁層を更に備え、上記第１の表面上に設けられた上記下地層及び上記貴金属層は、上記第１の領域においては上記絶縁層上に設けられ、上記第１の表面から上記第１の領域を除いた第２の領域においては上記不純物領域上に設けられており、上記不純物領域上に直に形成されているのが好ましい。このように、絶縁層が、不純物領域とシリコン基体の界面（ｐｎ接合部）を含む第１の領域上に設けられ、下地層及び貴金属層が、不純物領域上に直に形成されている。従って、絶縁層が設けられていることにより、下地層及び貴金属層は、シリコン基体と不純物領域とを電気的に接続することなく、不純物領域上にのみ直に形成可能となる。このため、不純物領域表面におけるチャージアップによる結晶欠陥の発生を低減できる。また、本発明のように、上記下地層はチタン、クロム又はモリブデンのうち少なくとも一つを含んで構成され、上記貴金属層は白金又は金のうちすくなくとも一つを含んで構成されるのが好ましい。

本発明の半導体露光装置は、レーザ光源と、上記レーザ光源から入力されたレーザ光を、加工対象物の表面を露光するための露光用レーザ光に整え、上記露光用レーザ光を出射する光学系と、上記入力されたレーザ光をモニタするモニタ部と、上記モニタ部によるモニタ結果に基づいて上記レーザ光源の出力制御を行う制御部とを備え、上記モニタ部は、請求項１又は２に記載の半導体光検出器を有しており、上記半導体光検出器によってモニタ対象の上記レーザ光を検出する、ことを特徴とする。

本発明によれば、モニタ部は、上記の半導体光検出器によりレーザ光源から入力されたレーザ光をモニタし、制御部は、モニタ部によるモニタ結果に基づいてレーザ光源の出力制御を行う。そして、この半導体光検出器は、上記のように使用に伴う検出精度の低下が抑制できるものとなっている。このため、レーザ光に対するモニタ精度が使用を重ねていっても維持できる。よって、制御部によるレーザ光源に対する出力制御の精度低下が抑制できる。

本発明によれば、レーザ光に対するモニタ精度が使用回数の増加に伴って低下するのを抑制できる。

以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図１を参照して半導体光検出器１の構成を説明する。半導体光検出器１は、紫外光のような高エネルギーのレーザ光Ｌ１の入射に感応してキャリアを発生する機器である。

半導体光検出器１は、基体２（シリコン基体）、下地層４、貴金属層５、電極６、電極７及びシリコン酸化膜８を有する。下地層４、貴金属層５及び電極７は接地されている。基体２は、第２導電型（例えばｎ型）を示すシリコン基体であり、表面Ｍ１（第１の表面）及び表面Ｍ２（第２の表面）を有する。基体２内には、第１導電型（例えばｐ型）の不純物領域３が表面Ｍ１に設けられている。また、基体２内には、表面Ｍ２に第２導電型（例えばｎ^＋型）の不純物領域２１と、表面Ｍ１に第２導電型（例えばｎ^＋型）の不純物領域２２が設けられている。不純物領域３と基体２の界面にはｐｎ接合部３１が形成されている。表面Ｍ１上にはシリコン酸化膜８が設けられている。シリコン酸化膜８には表面Ｍ１に至るコンタクトホール８１及びコンタクトホール８２が設けられている。コンタクトホール８１は、表面Ｍ１のうち不純物領域３に対応する表面領域Ｅ１上に位置する。コンタクトホール８１にはアルミニウム（Ａｌ）等の電極６が設けられており、電極６は不純物領域３と電気的に接続されている。コンタクトホール８２は、表面Ｍ１のうち表面領域Ｅ１を除く表面領域Ｅ２上に位置する。不純物領域２２は、不要なキャリアを吸収するための不純物領域であり、表面領域Ｅ２の一部に設けられている。コンタクトホール８２にはアルミニウム等の電極７が設けられており、電極７は不純物領域２２と電気的に接続されている。

表面Ｍ２には、基体２を薄板化する際等に研磨やエッチング処理等が施されている。このため、表面Ｍ２の表面は非常に高い平坦性を有する。表面Ｍ２上には下地層４が設けられ、下地層４上には貴金属層５が設けられている。下地層４は、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）又はモリブデン（Ｍｏ）等の金属膜（以下、実施形態においてはチタンとする）であり、貴金属層５よりも基体２に対する密着性を向上させる素材から成る。下地層４は、貴金属層５よりも基体２に対する密着性が高いため、下地層４（及び貴金属層５）が、基体２の表面Ｍ２から剥離しにくくなっている。貴金属層５は、非酸化性の例えば白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等の貴金属膜（以下、実施形態においては白金とする）を含んで構成される。

下地層４の厚みと貴金属層５の厚みとを合計した厚みＴは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下程度となっている。また、下地層４と貴金属層５の厚みは、製造工程上略同程度（１対１）が好ましい。厚みＴの下限値（２ｎｍ）は、下地層４及び貴金属層５を基体２上に精度良く設けることが可能な限界の厚みである。また、厚みＴの上限値（２０ｎｍ）は、レーザ光Ｌ１が下地層４及び貴金属層５を透過して基体２内の空乏層（図示略）に到達可能な厚みである。この上限値は、下地層４及び貴金属層５の透過率に応じて設定される。

上記構成の半導体光検出器１では、レーザ光Ｌ１が下地層４及び貴金属層５を透過して基体２に入射すると、この入射光の一部はｐｎ接合部３１の近傍に形成される空乏層（図示略）内に至る。この空乏層内では、入射光に感応してキャリアが発生し、このキャリアは電極６を介して出力される。

次に、実施形態に係る半導体光検出器１が有する分光感度特性と光感度の変化特性とについて説明する。まず、分光感度特性について説明する。図２（ａ）に、実施形態に係る半導体光検出器１（以下、実施例１という）及び図５に示す従来型の半導体光検出器１０１（以下、比較例１という）に対する分光感度特性（波長に対する光感度）の測定結果を示す。実施例１が有する下地層４及び貴金属層５の厚みＴは９ｎｍ程度であり、比較例１が有するシリコン酸化膜１０３の厚みは１００ｎｍ程度である。また、この分光感度特性の測定は、真空中において、重水素（Ｄ_２）ランプ光を、スリット通過後に分光し、１ｍｍΦのアパーチャを介して実施例１及び比較例１の各半導体光検出器に入射させて行われた。この分光感度特性の測定時には、測定中に実施例１及び比較例１が劣化しないようにするため、照射する重水素ランプ光のパワーをＳ／Ｎ比の許す限り小さく保ち、実施例１及び比較例１の各出力電流を数十ｐＡとなるように設定した。図２（ａ）に示すグラフＧ１の横軸は、照射する重水素ランプ光の波長（ｎｍ）を示し、縦軸は、各波長に対する光感度（Ａ／Ｗ）を示す。グラフＧ１に示すように、実施例１の光感度Ｒ１と比較例１の光感度Ｒ２とは、何れも、照射する重水素ランプ光の波長の大きさに応じてほぼ増加しているが、実施例１の光感度Ｒ１は、比較例１の光感度Ｒ２の略１／５となっている。従って、下地層４及び貴金属層５の光透過率は、シリコン酸化膜の光透過率より低いことがグラフＧ１からわかる。

次に、光感度の変化特性について説明する。図２（ｂ）に、上記の実施例１及び比較例１に対するレーザ光の照射量に応じた光感度の変化特性の測定結果を示す。図２（ｂ）に示すグラフＧ２の横軸は、レーザ光の照射量（ｋＪ／ｃｍ^２）を示し、縦軸は、光感度（％）を示す。レーザ光は、ＡｒＦレーザ光（１９３ｎｍ波長帯域のレーザ光）である。この測定結果は、実施例１と比較例１とに対し、真空中において所定時間ＡｒＦレーザ光を照射した後に光感度を測定することを繰り返し行うことにより得られたものである。グラフＧ２に示す照射量は、照射するレーザ光のパワーと照射時間とから求められるものであり、光感度は、各照射量に応じた値となっている。グラフＧ２に示すように、比較例１の光感度Ｒ３は、照射量の増加と共に減少している。すなわち、グラフＧ２は、照射量の増加に伴って比較例１の光感度の劣化が進むことを示している。例えば、レーザ光を１ｋＪ／ｃｍ^２程度照射した場合、比較例１の光感度Ｒ３は、略９０％を示しており、光感度が略１０％低減したことを示している。これに対し、実施例１の光感度Ｒ４は、照射量を増加させてもほとんど変化しない。すなわち、グラフＧ２は、照射量が増加しても実施例１の光感度の劣化はほとんど生じないことを示している。

次に、半導体光検出器１が奏する効果について説明する。レーザ光Ｌ１を高エネルギーの紫外光とする。この場合、シリコン酸化膜が表面Ｍ２に設けられている構成の従来型の半導体光検出器では、基体２を構成するシリコンとシリコン酸化膜の界面に対応する表面Ｍ２においてチャージアップ（チャージの蓄積）が発生する。このチャージアップにより表面Ｍ２には結晶欠陥が生じ、紫外光に対する光感度の劣化や暗電流の増加を招く。例えば、図５に示す半導体光検出器１０１の場合、表面Ｍ１１にチャージアップが発生する。しかし、実施形態に係る半導体光検出器１では、従来のシリコン酸化膜に替えて、非酸化性の貴金属層５が下地層４を介して表面Ｍ２上に設けられている。このため、表面Ｍ２におけるチャージアップの発生が抑制され、紫外光に対する光感度の劣化と暗電流の増加が低減される。

また、ＩＲＤ（International radiation detectors inc.）社製のＳＸＵＶシリーズの半導体光検出器（ホトダイオード）のように、シリコン酸化膜に替えてシリコン基体（基体２に対応）の表面上にシリサイド膜が設けられた半導体光検出器が開発されている。このシリサイド膜は、シリコン基体表面上のシリコン酸化膜がエッチング除去されて形成された凹部内に設けられている。この場合も、シリコン基体の表面上にはシリコン酸化膜が設けられていないため、チャージアップの発生が抑制される。しかし、このシリサイド膜が有するシリコン基体に対する密着性は、実施形態に係る半導体光検出器１が有する下地層４に比較して低い。よって、シリサイド膜を構成する貴金属の蒸着後に高温熱処理（例えば８００度）を施す必要が生じるため、製造工程の早い段階でシリサイド膜を形成しなければならない。このようにシリサイド膜を製造工程の早い段階で形成するということは、シリサイド膜の形成後の工程において、シリサイド膜自体が傷や汚れを被るということを意味する。このため、シリサイド膜を透過してシリコン基体に入射する光量が非一様となり、ムラ等が生じることとなる。これに対し、実施形態に係る半導体光検出器１では、下地層４及び貴金属層５は、製造工程の最終段階で設けられる。このため、下地層４及び５には傷や汚れがつきにくい。よって、下地層４及び貴金属層５を透過してシリコン基体に入射する光量は一様となり、ムラ等が生じない正確な光検出が可能となる。また、特開２００１−３０５２３４号公報にはモリブデン（Ｍｏ）膜を下地に白金膜を設けた半導体電子線検出器の構成が開示されている。この白金膜の膜厚は、実施形態に係る半導体光検出器１の下地層４及び貴金属層５に比較して厚く、４０ｎｍ程度となっている。このような厚い膜では、波長１９３ｎｍの光（ＡｒＦレーザ光）に対する光感度が小さくなり、Ｓ／Ｎ比が低下し好ましくない。

次に、図３を参照して、上記の半導体光検出器１を用いた半導体露光装置１０の構成を説明する。半導体露光装置１０は、レーザ光Ｌ２を出射する露光部１１と、加工対象物のウェハＷを吸着保持するＸＹステージ１２と、ＸＹステージ１２を搭載する定盤１３とを備える。露光部１１は、レーザ光Ｌ２を用いて、ＸＹステージ１２上に吸着保持されたウェハＷの表面を、所定の回路パターンに基づいて露光する。ＸＹステージ１２は、露光部１１による露光動作に同期してXY方向に移動する。

露光部１１は、レーザ光源１１ａ、光学系１１ｂ、モニタ部１１ｃ及び制御部１１ｄを有する。レーザ光源１１ａは、レーザ光Ｌ３を生成して出射する。レーザ光Ｌ３は、例えば、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ又はＦ２レーザ等の真空紫外光や、極短紫外光（ＥＵＶ）である。光学系１１ｂは、各種レンズや、ウェハＷの表面に露光する回路パターンを映し出すためのフォトマスク、レチクル等（何れも図示略）を有しており、レーザ光源１１ａから入射したレーザ光Ｌ３を、上記回路パターンを表すレーザ光Ｌ２（露光用レーザ光）に整え、このレーザ光Ｌ２をウェハＷに向けて出射する。

光学系１１ｂは、図示しないスプリッタを有する。このスプリッタは、露光部１１ｂ内を進行するレーザ光Ｌ３の一部（レーザ光Ｌ１）を分光してモニタ部１１ｃに向けて出射する。モニタ部１１ｃは、レーザ光Ｌ１を検出するための半導体光検出器１を有する。モニタ部１１ｃは、半導体光検出器１により検出されたレーザ光Ｌ１の検出信号（モニタ結果）を制御部１１ｄに出力する。制御部１１ｄは、モニタ部１１ｃから入力された検出信号に基づいて、レーザ光源１１ａの出力制御を行う。

以上説明した半導体露光装置１０は、レーザ光源１１ａから入射したレーザ光Ｌ３をモニタするため、モニタ部１１ｃは、半導体光検出器１を用いてレーザ光Ｌ３の一部（レーザ光Ｌ１）を分光して検出し、この検出結果に基づいて、レーザ光Ｌ３をモニタする。そして、このモニタ結果に基づいて、レーザ光源１１ａの出力制御が制御部１１ｄにより行われる。そして、半導体光検出器１は、上述のようにチャージアップの発生が低減される。このため、使用により生じるレーザ光Ｌ１の検出劣化が抑制される。従って、モニタ部１１ｃにおけるモニタの精度が、使用を重ねても維持される。よって、制御部１１ｄによるレーザ光源１１ａに対する出力制御の精度低下が抑制できる。

＜変形例＞
なお、本発明の半導体光検出器は上述の半導体光検出器１に限らない。例えば、本発明は以下に示す半導体光検出器１ａに対しても適用可能である。以下、図４を参照して、半導体光検出器１ａの構成を説明する。半導体光検出器１ａは、紫外光のような高エネルギーのレーザ光Ｌ１の入射に感応してキャリアを発生させる機器である。半導体光検出器１ａは、基体２ａ、下地層４ａ、貴金属層５ａ、電極６ａ、電極７ａ及びシリコン酸化膜２８（絶縁層）を有する。基体２ａは、第２導電型（例えばｐ型）を示すシリコン基体であり、表面Ｍ３（第１の表面）及び表面Ｍ４（第２の表面）を有している。基体２ａ内には、第１導電型の不純物領域３ａ（例えばｎ型の不純物領域）が表面Ｍ３に設けられている。また、基体２ａ内には、表面Ｍ４に第２導電型の不純物領域２３（例えばｐ^＋型の不純物領域）と、表面Ｍ３に第２導電型の不純物領域２４（例えばｐ^＋型の不純物領域）とが設けられている。不純物領域３ａと基体２ａの界面にはｐｎ接合部３１ａが形成されている。

シリコン酸化膜２８は、表面Ｍ３のうちｐｎ接合部３１ａを含む表面領域Ｅ４（第１の領域）上に設けられている。下地層４ａは、表面Ｍ３から表面領域Ｅ４を除いた表面領域Ｅ５（第２の領域）のうち不純物領域３ａ上（下記の表面領域Ｅ３）に設けられており、下地層４ａ上には貴金属層５ａが設けられている。また、下地層４ａ及び貴金属層５ａは、表面領域Ｅ４においてはシリコン酸化膜２８上に設けられている。従って、下地層４ａ及び貴金属層５ａは、シリコン酸化膜２８を設けたことにより、基体２ａと不純物領域３ａとを電気的に接続することなく、レーザ光Ｌ１が入射する不純物領域３ａ表面に対し下地層４ａ（及び貴金属層５ａ）を直に形成することを可能としている。ここで、下地層４ａは、上述の下地層４と同様の素材から成り、貴金属層５ａは、上述の貴金属層５と同様の素材からなる。下地層４ａの厚みと貴金属層５ａの厚みとを合計した厚みＴａは、上述の厚みＴと同様である。

下地層４ａ及び貴金属層５ａには表面領域Ｅ３に至るコンタクトホール４１が設けられている。コンタクトホール４１にはアルミニウム等の電極６ａが設けられており、電極６ａは不純物領域３ａと電気的に接続されている。基体２ａの表面Ｍ４上には金や白金等の電極７ａが設けられている。電極６ａは接地されている。

上記構成の半導体光検出器１ａは、レーザ光Ｌ１が、下地層４ａ及び貴金属層５ａを透過して表面Ｍ３から基体２ａに入射すると、この入射光の一部がｐｎ接合部３１ａの近傍に形成される空乏層（図示略）内に至る。この空乏層内では、入射光に感応してキャリアが発生し、このキャリアは電極７ａを介して出力される。この半導体光検出器１ａが奏する効果は、上述の半導体光検出器１の効果と同様であり、特に、シリコン酸化膜２８が設けられていることによって、下地層４ａ及び貴金属層５ａが、基体２ａと不純物領域３ａとを電気的に接続することなく、不純物領域３ａ上だけに直に形成可能となるため、不純物領域３ａ表面におけるチャージアップによる結晶欠陥の発生を低減できる。また、上述の半導体露光装置１０では、半導体光検出器１に代えて、半導体光検出器１ａを用いても、上記した半導体露光装置１０が奏する効果は変わらない。

実施形態に係る半導体光検出器の断面構成を示す図である。 実施形態に係る半導体光検出器に対する分光感度特性及び光感度変化の測定結果を示すグラフである。 実施形態に係る半導体露光装置のブロック構成を示す図である。 実施形態に係る他の半導体光検出器の断面構成を示す図である。 従来型の半導体光検出器の断面構成を示す図である。

符号の説明

１，１ａ…半導体光検出器、２，２ａ…基体、３，３ａ，２１，２２，２３，２４…不純物領域、４，４ａ…下地層、５，５ａ…貴金属層、６，６ａ，７，７ａ…電極、８，２８…シリコン酸化膜、１０…半導体露光装置、１１…露光部、１１ａ…レーザ光源、１１ｂ…光学系、１１ｃ…モニタ部、１１ｄ…制御部、１２…ＸＹステージ、１３…定盤、３１，３１ａ…ｐｎ接合部、４１，８１，８２…コンタクトホール。

Claims (4)

1. 入射光に感応してキャリアを発生する半導体光検出器であって、
   第１及び第２の表面を有しており該第１の表面に設けられた第１導電型の不純物領域を含む第２導電型のシリコン基体と、
   前記第１又は第２の表面の少なくとも一方の表面上に設けられた貴金属層と、
   前記貴金属層と前記シリコン基体との間に設けられており該貴金属層よりも該シリコン基体に対する密着性を向上させる下地層と、
   を備え、
   前記下地層の厚みと前記貴金属層の厚みとの合計は２ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、ことを特徴とする半導体光検出器。
2. 前記第１の表面のうち前記不純物領域と前記シリコン基体の界面を含む第１の領域上に設けられた絶縁層を更に備え、
   前記第１の表面上に設けられた前記下地層及び前記貴金属層は、前記第１の領域においては前記絶縁層上に設けられ、前記第１の表面から前記第１の領域を除いた第２の領域においては前記不純物領域上に設けられており、当該不純物領域上に直に形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体光検出器。
3. 前記下地層はチタン、クロム又はモリブデンのうち少なくとも一つを含んで構成され、前記貴金属層は白金又は金のうちすくなくとも一つを含んで構成される、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体光検出器。
4. レーザ光源と、
   前記レーザ光源から入力されたレーザ光を、加工対象物の表面を露光するための露光用レーザ光に整え、該露光用レーザ光を出射する光学系と、
   前記入力されたレーザ光をモニタするモニタ部と、
   前記モニタ部によるモニタ結果に基づいて前記レーザ光源の出力制御を行う制御部と
   を備え、
   前記モニタ部は、請求項１〜３のうち何れか一項に記載の半導体光検出器を有しており、該半導体光検出器によってモニタ対象の前記レーザ光を検出する、ことを特徴とする半導体露光装置。

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