JPH06216404A

JPH06216404A - Ｕｖフォトディテクタ

Info

Publication number: JPH06216404A
Application number: JP5005065A
Authority: JP
Inventors: Masaharu Muramatsu; 雅治村松; Motohiro Suyama; 本比呂須山; Akinaga Yamamoto; 晃永山本
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 1993-01-14
Filing date: 1993-01-14
Publication date: 1994-08-05

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、紫外線の照射が検出できるＵＶフ
ォトディテクタを提供することを目的とする。【構成】受光面である第２半導体層（１６）のバンド
ギャップが、不純物領域（１４）よりも広いので、第２
半導体層（１６）に入射した短波長光の吸収効率が向上
する。また、第１半導体層（１３）は薄く形成されてい
るので、第２半導体層（１６）に入射した長波長光のほ
とんどは、第２半導体層（１６）、不純物領域（１４）
および第１半導体層（１３）を通り抜けてしまい吸収さ
れることはない。このように、本発明のＵＶフォトディ
テクタ（１０）は、短波長光の入射に対して高い感度を
持つと共に、長波長光に対して感度を持たない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光の入射を検出するＵＶ
フォトディテクタに関し、特に紫外線などの短波長光の
入射に対する検出感度が高いＵＶフォトディテクタに関
する。

【０００２】

【従来の技術】図６に従来のＵＶフォトディテクタの代
表的な構造を示す。従来のＵＶフォトディテクタ１００
は、ｎ型のシリコン基板１０１と、シリコン基板１０１
の上層部に形成されたｐ型の高濃度不純物層１０２と、
シリコン基板１０１および高濃度不純物層１０２の上面
に形成され、受光面として機能するシリコン酸化膜１０
３と、シリコン酸化膜１０３の開口部上に形成されたア
ルミニウム電極１０４、１０５とを備えている。

【０００３】シリコン基板１０１には、シリコン酸化膜
１０３との境界の界面準位が少ない＜１００＞の面方位
が表面に出ているシリコンウエファが用いられる。ま
た、シリコン基板１０１の厚さは５００μｍ程度とす
る。

【０００４】高濃度不純物層１０２は、ボロンを注入し
て形成する。不純物層の濃度を１×１０¹⁹ｃｍ^-3以上と
し、深さは例えば０．３μｍと非常に浅く形成してい
る。

【０００５】図７に従来のＵＶフォトディテクタ１００
の不純物プロファイルを示す。ここで重要なことは、ボ
ロンで形成された不純物層１０２の表面濃度がピーク濃
度に一致しているか否かである。つまり、ＵＶフォトデ
ィテクタ１００が高い受光感度を持つためには、不純物
層１０２の表面がピーク濃度になっている実線で示した
ような不純物プロファイルを有していることが好まし
い。

【０００６】逆に、不純物層１０２が点線で示したよう
な不純物プロファイルを有しているとすると、“ハイロ
ージャンクション”によって引き起こされる電子に対す
るポテンシャルは、不純物層１０２中よりも不純物層１
０２とシリコン酸化膜１０３の境界面１０２ｂの方が低
くなる。このため、ピーク濃度よりも浅いところで生じ
た信号電荷（電子）は、ｐｎ接合部１０２ａの方には移
動することができず、むしろ境界面１０２ｂの方に押し
やられ、そこに多数存在する界面準位を介してホールと
再結合し失われることになる。

【０００７】この様に構造的に光電変換に寄与できない
領域のことを、“デッドレイヤー”と呼ぶ。ＵＶ光など
の短波長は吸収係数が大きく、主に受光面表面で吸収さ
れる。したがって、この様なデッドレイヤーを有する不
純物層１０２を備えたＵＶフォトディテクタ１００で
は、吸収係数が大きい入射線に対して感度は出せないと
いうことになる。

【０００８】これに対して、実線で示すような不純物プ
ロファイルを有する不純物層１０２であれば、不純物分
布のピークは境界面１０２ｂと一致するので、短波長光
の照射によって表面近傍に生じた信号電荷は、不純物プ
ロファイルで形成されたポテンシャルで必ずｐｎ接合部
１０２ａ方向へドリフト移動し、信号として光電変換さ
れる。この場合、光電子が境界面１０２ｂ方向へ向かう
ことはないので、高い感度を得ることができる。

【０００９】しかしながら、シリコン酸化膜１０３の成
長過程で、不純物層１０２を形成するボロン原子がシリ
コン酸化膜１０３中に大量に取り込まれ、不純物層１０
２の表面不純物濃度が低下するために、現実にはどうし
ても図７の点線のような不純物プロファイルになってし
まう。このため、従来のＵＶフォトディテクタ１００に
おける不純物層１０２の不純物プロファイルには必ずデ
ッドレイヤーが形成され、短波長感度が出せないという
結果となった。

【００１０】そこで、このようなデッドレイヤーの形成
を防止するために、図８の断面図に示すような改良型の
ＵＶフォトディテクタ１１０が開発された。この改良型
のＵＶフォトディテクタ１１０は、不純物層１０２の表
面部分に不純物層１０２よりもバンドギャップの広いＳ
ｉＣ層１０６を形成し、このＳｉＣ層を受光部とするこ
とによってデッドレイヤーの形成を防止している。この
ような改良型のＵＶフォトディテクタ１１０について
は、特開昭５９−１５２６７８公報および特開昭６２−
２１６３７７公報等の文献に説明されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、オゾン層破
壊による紫外線の強度増加が問題になっている。紫外線
量を測定し、あらかじめ設定された値以上の紫外線が観
察されるとアラームが鳴ったりインジケータが点灯する
“紫外線アラーム装置”を海岸などに設置し、人体に有
害な紫外線がどの程度地表に到達しているかを調べる簡
単な装置が求められている。

【００１２】それには紫外線の検出器として、上述した
ＵＶフォトディテクタ１００、１１０を用いることが考
えられる。しかしながら、従来のＵＶフォトディテクタ
１００、１１０は図９に示すような分光感度特性を有す
ることから、紫外線のみならず赤外線にも反応してしま
い、ＵＶフォトディテクタ１００、１１０を紫外線検出
器として用いるためには、特別な工夫が必要となる。
（以下、ＵＶフォトディテクタ１００を用いて説明す
る。したがって、以下の説明をＵＶフォトディテクタ１
１０に置き換えても同じである。）このような工夫を施
した第１の方法としては、２個のＵＶフォトディテクタ
１００を用意し、一方のＵＶフォトディテクタ１００の
受光面（シリコン酸化膜１０３）上にＵＶ光を透過する
石英を窓材として固着し、もう一方のＵＶフォトディテ
クタ１００の受光面上にＵＶ光が透過しないコバールガ
ラスを窓材として固着する。そして、それぞれのＵＶフ
ォトディテクタ１００からの出力信号を減算して、ＵＶ
光成分だけを取り出す方法である。具体的には、２個の
ＵＶフォトディテクタ１００からの出力信号をオペアン
プで差動増幅して、差の信号である紫外線成分を取り出
している。この様に構成すればＵＶ光の強弱だけに反応
する紫外線アラーム装置が製作できる。

【００１３】しかしこの方法は、２個のＵＶフォトディ
テクタ１００の分光感度を均一化するのが難しいといっ
た問題がある。即ち両者の分光感度特性が少しでも異な
れば、減算がうまく出来ず、ＵＶ光成分だけを取り出す
ことができない。更に２個のＵＶフォトディテクタ１０
０とオペアンプを使用することによるコスト高も問題で
ある。

【００１４】さらに、第２の方法としては、ＵＶフォト
ディテクタ１００の受光面全面に長波長カットフィルタ
ーを置き、紫外線だけがＵＶフォトディテクタ１００に
入射できる構造にする方法である。この様にすれば紫外
線の有無だけに反応する紫外線アラーム装置が製作可能
となる。しかしこの方法にも、赤外カットフィルターが
強い太陽光の照射で劣化し、次第に長波長成分を透過す
るようになるといった問題がある。さらに余分にフィル
タを必要とするので、コスト高になる点も問題である。

【００１５】本発明は、このような問題を解決して、紫
外線だけを検出できるＵＶフォトディテクタを提供する
ことを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１の発明のＵＶフォトディテクタは、膜厚の薄い
第１導電型の第１半導体層と、第１半導体層の上層部に
形成された第２導電型の不純物領域と、不純物領域の上
に形成され、不純物領域よりもバンドギャップが広い第
２導電型の第２半導体層とを備える。

【００１７】また、第２の発明のＵＶフォトディテクタ
は、膜厚の薄い第１導電型の第１半導体層と、第１半導
体層上に形成され、第１半導体層よりもバンドギャップ
が広い第２導電型の第２半導体層とを備える。

【００１８】さらに、少なくとも接着面が絶縁性を有す
る基板を、第１および第２の発明のＵＶフォトディテク
タの第１半導体層の底面と貼り合わせてもよい。

【００１９】

【作用】第１の発明のＵＶフォトディテクタによれば、
受光面である第２半導体層のバンドギャップが広いの
で、第２半導体層に入射した短波長光の吸収効率が向上
する。また、第１半導体層は薄く形成されているので、
第２半導体層に入射した長波長光のほとんどは、第２半
導体層、不純物領域および第１半導体層を通り抜けてし
まい吸収されることはない。

【００２０】同様に、第２の発明のＵＶフォトディテク
タによれば、受光面である第２半導体層のバンドギャッ
プが、第１半導体層よりも広いので、第２半導体層に入
射した短波長光の吸収効率が向上する。また、第１半導
体層は薄く形成されているので、第２半導体層に入射し
た長波長光のほとんどは、第２半導体層および第１半導
体層を通り抜けてしまい吸収されることはない。

【００２１】このように、第１および第２の発明のＵＶ
フォトディテクタは、短波長光の入射に対して高い感度
を持つと共に、長波長光に対して感度を持たない。

【００２２】

【実施例】以下、第１および第２の発明に係るＵＶフォ
トディテクタの実施例について、添付図面を参照して説
明する。図１は、第１の実施例のＵＶフォトディテクタ
の構造を示す断面図である。本実施例のＵＶフォトディ
テクタ１０は、シリコン基板１１と、シリコン基板１１
に形成されたシリコン酸化膜による分離層１２と、分離
層１２上に形成された１μｍ程度の非常に薄いｎ型のシ
リコン層１３とが備えられている。このシリコン層１３
の上層部には、深さ０．５μｍ程度のｐ型の不純物層１
４が形成されている。さらに、ＵＶフォトディテクタ１
０は、ｎ型のシリコン層１３上に形成されたシリコン酸
化膜１５と、シリコン酸化膜１５の開口に形成されたｐ
型のアモルファスシリコンカーバイド（以下、ａ−Ｓｉ
Ｃと略す。）層１６と、シリコン層１３および不純物層
１４から引き出されたアルミニウム電極１７、１８とを
備えている。ここで、ａ−ＳｉＣ層１６は、不純物層１
４に比べてバンドギャップが広くなるように構成されて
いる。また、シリコン基板１１は、シリコン層１３を機
械的に保護するために一定の厚さを有している。

【００２３】このような構造のＵＶフォトディテクタ１
０は、酸化膜を介した“シリコンウエファの張り合わせ
技術”や“ＳＩＭＯＸ技術”によって製造することがで
きる。

【００２４】本実施例のＵＶフォトディテクタ１０にお
ける光の入射は、ａ−ＳｉＣ層１６の表面から行われ
る。ａ−ＳｉＣ層１６内ではシリコンと同様、短波長光
の吸収はほとんど表面だけで行われる。このため、ａ−
ＳｉＣ層１６が厚い構造では、ａ−ＳｉＣ層１６の表面
で発生した光キャリアは、ｐｎ接合部１４ａに到達する
前に再結合し失われる確率が大きい。したがって、ａ−
ＳｉＣ層１６の厚みは、短波長光に対する感度を高める
ために、数千オングストローム以下と非常に薄く形成す
るのが望ましい。

【００２５】図２に、本実施例のＵＶフォトディテクタ
１０のバンド構造を示す。ｐ型の不純物層１４とｐ型の
ａ−ＳｉＣ層１６との間では、電子がａ−ＳｉＣ層１６
から不純物層１４へ、正孔が不純物層１４からａ−Ｓｉ
Ｃ層１６へ流れ、平衡状態に至る。

【００２６】不純物層１４とａ−ＳｉＣ層１６の間には
格子定数の違いによって多くの界面準位が存在すると考
えられるが、バンドギャップの違いによってバンドの曲
がりは急峻になる。したがって、ＵＶ光によってａ−Ｓ
ｉＣ層１６中で生じた光電子は、高速で空乏層中を通り
抜けることができ、ほとんど再結合することはなく、信
号として寄与できる。

【００２７】またａ−ＳｉＣ層１６はバンドギャップが
およそ２μｍであるので６００ｎｍより長波長の入射光
成分は透過し、シリコン層１３に至る。しかしシリコン
層１３，不純物層１４は１μｍと非常に薄いので、６０
０ｎｍ以上の長波長はシリコン層１３，不純物層１４内
でほとんど吸収されることなく透過してしまう。つま
り、本実施例の様な構造であれば、６００ｎｍ以上の長
波長に対する感度を持たない。

【００２８】また、従来例のように受光窓がシリコン酸
化膜の場合、照射によって界面準位が増加し、感度が低
下したり暗電流が増加する等の照射損傷を生じたが、本
実施例の構造によれば光入射面にシリコン酸化膜を用い
ていないので、シリコン酸化膜を原因とした種々の照射
損傷を避けることができる。この結果、照射劣化がない
高い安定性を持ったＵＶフォトディテクタが製作でき
る。更に、本ＵＶフォトディテクタを“紫外線アラーム
装置”として使用する場合、太陽光に直にさらされるの
で高温になる事が予想されるが、ａ−ＳｉＣ層１６はワ
イドバンドギャップなので、暗電流が増加しない事も大
きな利点である。

【００２９】本実施例のＵＶフォトディテクタ１０の感
度を更に向上させるためには、以下に示すような方法が
ある。上述した本実施例の構造では、ａ−ＳｉＣ層１６
も光電変換に寄与した。しかし、この方法は、感度をさ
らに向上させるために、ａ−ＳｉＣ層１６を百オングス
トローム以下の程度の厚さとし、接触面付近のシリコン
のバンドを曲げるためだけに使用する。

【００３０】ここで、不純物層１４の厚みは薄い方が望
ましい。不純物層１４のｐ型不純物濃度は、本実施例の
構造では表面にデッドレイヤーが形成されないので、特
に高濃度にする必要はないが、空乏層が不純物層１４と
ａ−ＳｉＣ層１６の境界面１６ａまで及ぶと暗電流が増
加する。従って、空乏層が境界面１６ａまで届かない程
度に不純物層１４の不純物濃度とその深さ、及びシリコ
ン基板１１の濃度を決めなくてはいけない。具体的に
は、不純物層１４の濃度と深さは、それぞれ１×１０¹⁸
ｃｍ^-3、０．３μｍ、シリコン基板１１濃度は１×１０
¹⁶ｃｍ^-3程度である。勿論これは一例であり、この値に
限定されるものではない。

【００３１】この様な構造によればａ−ＳｉＣ層１６は
非常に薄いので長波長光は勿論のこと、短波長光もほと
んど通り抜け、シリコン表面や内部に到達し光電変換さ
れる。ただし、シリコン層１３、不純物層１４は１μｍ
と薄いので、６００ｎｍより短波長の光は光電変換され
るが、それより長波長の光は通り抜けてしまい光電変換
に寄与できない。

【００３２】ａ−ＳｉＣ層１６の表面に入射した短波長
光の多くは、不純物層１４の表面付近で吸収されるが、
図２に示したように、不純物層１４とａ−ＳｉＣ層１６
の境界面１６ａ付近でのポテンシャルは高くなっている
ので、信号電荷である電子は、ｐｎ接合部１４ａの方向
に流れていく。従って、境界面１６ａ付近で発生した電
子の多くは、再結合によって失われることなく、ｐｎ接
合部１４ａに到達して光電変換される。このため、短波
長光に対する感度が飛躍的に向上する。

【００３３】図３に、本実施例の分光感度特性の代表例
を示す。この分光感度特性は、図９に示した従来のフォ
トディテクタ１００の分光感度特性に比べて、短波長光
に対する感度が非常に高いことが判る。また、６００ｎ
ｍ以上の長波長光に対して感度を有していないことが判
る。

【００３４】図４は、第２の実施例のＵＶフォトディテ
クタの構造を示す断面図である。本実施例のＵＶフォト
ディテクタ２０は、シリコン基板２１と、シリコン基板
２１に形成されたシリコン酸化膜による分離層２２と、
分離層２２上に形成された１μｍ程度の非常に薄いｎ型
のシリコン層２３とを備えている。さらに、シリコン層
２３上に形成されたシリコン酸化膜２４と、シリコン酸
化膜２４の開口に形成されたｐ型のａ−ＳｉＣ層２５
と、シリコン層２３およびａ−ＳｉＣ層２５から引き出
されたアルミニウム電極２６、２７とを備えている。こ
こで、ａ−ＳｉＣ層２５は、シリコン層２３に比べてバ
ンドギャップが広くなるように構成されている。また、
シリコン基板２１は、シリコン層２３を機械的に保護す
るために一定の厚さを有している。

【００３５】本実施例のＵＶフォトディテクタ２０にお
ける光の入射は、ａ−ＳｉＣ層２５の表面から行われ
る。ａ−ＳｉＣ層２５内ではシリコンと同様、短波長光
の吸収はほとんど表面だけで行われる。このため、ａ−
ＳｉＣ層２５が厚い構造では、ａ−ＳｉＣ層２５の表面
で発生した光キャリアは、ｐｎ接合部２３ａに到達する
前に再結合して失われる。したがって、ａ−ＳｉＣ層２
５の厚みは、短波長光に対する感度を高めるために、数
千オングストローム以下と非常に薄く形成するのが望ま
しい。

【００３６】図５に、本実施例のＵＶフォトディテクタ
２０のバンド構造を示す。ｎ型のシリコン層２３とｐ型
のａ−ＳｉＣ層２５との間では、電子がａ−ＳｉＣ層２
５からシリコン層２３へ、正孔がシリコン層２３からａ
−ＳｉＣ層２５へ流れ、平衡状態に至る。

【００３７】シリコン層２３とａ−ＳｉＣ層２５の間に
は格子定数の違いによって多くの界面準位が存在すると
考えられるが、シリコン層２３とａ−ＳｉＣ層２５とで
は伝導タイプが異なること、およびバンドギャップの違
いによってバンドの曲がりは非常に急峻となる。このた
め、ＵＶ光によってａ−ＳｉＣ層２５内で発生した光電
子は、非常に高速で空乏層中を通り抜けることができ、
ほとんど再結合することなくｐｎ接合部２３ａに到達
し、信号として寄与できる。

【００３８】またａ−ＳｉＣ層２５は、バンドギャップ
がおよそ２μｍであるので６００ｎｍより長波長の光の
入射光成分は透過し、シリコン層２３に至る。しかしな
がら、シリコン層２３は１μｍと非常に薄いので、結局
６００ｎｍより長波長の光についてはシリコン層２３内
でほとんど吸収されることがない。つまり、本実施例の
ような構造であれば、６００ｎｍ以上の長波長光に対す
る感度を持たないことになる。

【００３９】また、本実施例の構造によれば光入射面に
シリコン酸化膜を用いていないので、シリコン酸化膜を
原因とした種々の照射損傷を避けることができる。この
結果、照射劣化がない高い安定性を持ったＵＶフォトデ
ィテクタが製作できる。更に高温に対して安定なのは、
図１の実施例と同じである。

【００４０】なお、海岸等で使用できる紫外線アラーム
装置の最も簡単な構造としては、本実施例によるＵＶフ
ォトディテクタ１０、２０の出力をコンパレータに接続
し、光電流が規定値を越えたらアラームが鳴るようにし
ておけばよい。

【００４１】次に、本実施例の特徴について説明する。

【００４２】従来のＵＶフォトディテクタ１００は、入
射面にシリコン酸化膜を用いているので、シリコン−シ
リコン酸化膜での原子の配列の不連続に起因して種々の
不都合が生じた。特に、感度が出ない問題や、感度が使
用中に徐々に減少したり、暗電流が増加したりする問題
が生じた。

【００４３】これに対して、本実施例のＵＶフォトディ
テクタ１０、２０は、シリコン酸化膜に代えてシリコン
よりもバンドギャップが大きく、且つ入射面シリコンと
同じ又は逆の導電タイプの半導体、例えばａ−ＳｉＣや
ａ−Ｓｉを入射面に堆積し、いわゆるヘテロ接合を形成
し、シリコン入射面表面をアキュームレーション状態に
している。これは半導体同士のバンドギャッブの違いを
利用した物であり初期における感度が高いことは勿論の
こと、その安定性においても非常に優れている。なお、
ワイドバンドギャップ半導体は一種の窓材とも考えられ
るから、シリコン酸化膜は、無くても良い。

【００４４】このように、本実施例のＵＶフォトディテ
クタ１０、２０は、シリコン領域を極力薄くし、ワイド
バンドギャップ半導体を受光窓に用いているので、ＵＶ
光に対しては高感度で長波長光に対しては感度がないと
いった特性を有する。このため、本実施例のＵＶフォト
ディテクタ１０、２０は、地表に到達する紫外線量を容
易に測定できる紫外線アラーム装置のようなＵＶセンサ
として利用できる。

【００４５】ここでＵＶフォトディテクタ１０、２０の
利点をすべて書き出すと、・シリコン入射面をアキュームレーション状態にでき、
紫外線に対する感度の向上及びその安定性を図ることが
できる。

【００４６】・６００ｎｍ以上の長波長光に対して感度
を持たない。

【００４７】・ワイドバンドギャッブなので高熱下でも
安定している。

【００４８】・ワイドバンドギャップ材料といっても半
導体であり、不純物のドーピングも行われるので、シリ
コン酸化膜を窓材に使用した場合に良く発生する帯電現
象はなく、いわゆるチャージアップによって暗電流が増
加するということはない。

【００４９】・入射面シリコンの直列抵抗を低減でき
る。

【００５０】・ＣＶＤ装置により低温で堆積可能であ
り、すでにアルミニウムなどの配線材料を施した後にも
堆積可能である。

【００５１】・バンドギャップが広いので、暗電流の生
成源にならない。

【００５２】・シリコンカーバイドはＮａイオンを通さ
ないので一種のパッシベーション膜となる。

【００５３】なお、シリコンに堆積できるワイドバンド
ギャッブ材料の例としては、アモルファス−シリコンカ
ーバイドの他のアモルファス−シリコン、ダイヤモンド
薄膜等を用いてもよい。

【００５４】また、本実施例ではｎ型シリコン基板をも
とに製作したＵＶフォトディテクタ１０、２０を例に説
明したが、逆の伝導タイプの構造であってもよい。

【００５５】

【発明の効果】第１および第２の発明のＵＶフォトディ
テクタによれば、受光面である第２半導体層のバンドギ
ャップが、不純物領域あるいは第１半導体層よりも広い
ので、第２半導体層に入射した短波長光の吸収効率が向
上する。また、第１半導体層は薄く形成されているの
で、第２半導体層に入射した長波長光のほとんどは、第
２半導体層および第１半導体層を通り抜けてしまい吸収
されることはない。このように、本発明のＵＶフォトデ
ィテクタは、短波長光の入射に対して高い感度を持つと
共に、長波長光に対して感度を持たない。

【００５６】このため、本発明のＵＶフォトディテクタ
を用いれば、地表に到達する紫外線量を容易に測定でき
る高性能の紫外線アラーム装置を提供することができ
る。

【００５７】

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例のＵＶフォトディテクタの構造を
示す断面図である。

【図２】第１の実施例のＵＶフォトディテクタのバンド
構造を示す図である。

【図３】第１の実施例のＵＶフォトディテクタの分光感
度特性を示す図である。

【図４】第２の実施例のＵＶフォトディテクタの構造を
示す断面図である。

【図５】第２の実施例のＵＶフォトディテクタのバンド
構造を示す図である。

【図６】従来のＵＶフォトディテクタの構造を示す断面
図である。

【図７】従来のＵＶフォトディテクタの不純物プロファ
イルを示す図である。

【図８】従来のＵＶフォトディテクタの構造を示す断面
図である。

【図９】従来のＵＶフォトディテクタの分光感度特性を
示す図である。

【符号の説明】

１０、２０…ＵＶフォトディテクタ、１１、２１…シリ
コン基板、１２、２２…分離層、１３、２３…シリコン
層、１４…不純物層、１５、２４…シリコン酸化膜、１
６、２５…アモルファスシリコンカーバイド、１７、１
８、２６、２７…アルミニウム電極。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】膜厚の薄い第１導電型の第１半導体層
と、前記第１半導体層の上層部に形成された第２導電型の不
純物領域と、前記不純物領域の上に形成され、前記不純物領域よりも
バンドギャップが広い前記第２導電型の第２半導体層と
を備えることを特徴とするＵＶフォトディテクタ。
【請求項２】膜厚の薄い第１導電型の第１半導体層
と、前記第１半導体層上に形成され、前記第１半導体層より
もバンドギャップが広い前記第２導電型の第２半導体層
とを備えることを特徴とするＵＶフォトディテクタ。
【請求項３】前記第１半導体層の底面と貼り合わさ
れ、少なくとも接着面が絶縁性を有する基板を備えるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２記載のＵＶフォ
トディテクタ。