JP4095566B2 - 光学素子を評価する方法 - Google Patents
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Description
このように、表面での反射における位相差をミラー形状に換算したミラー形状のことを「等価的な反射面」と呼ぶ。
球面波やそれに収差が重畳したような場合でも、充分小さい領域を考えれば平面波で近似できるので、上記説明は同様に成り立つ。
ミラー表面での反射において入射光と反射光の位相差δが、ミラーの面内で変化したり、入射角に依存したりする場合には、多層膜表面で光路長がδλ/2πだけ付加するとして回折積分法等を用いれば、多層膜形状から、多層膜で反射したEUV光の波面を求めることができる。
残りのターゲットを回収するターゲット回収システムを備えている。
10 EUV光源
12 分光器
14 ビーム強度モニタ
16 演算部
18 電荷増幅部
20 測定室
22 ステージ
24 光強度検出器
26 蛍光X線検出器
100 露光装置
120 照明光学系
130 マスク(レチクル)
140 投影光学系
Claims (19)
- 多層膜が形成された反射型光学素子の評価方法であって、
前記光学素子に波長2乃至40nmの光を入射させた際に前記多層膜から放出される二次放射線を計測し、該計測値に基づいて前記多層膜へ入射する光と多層膜から反射する光との位相差を算出するステップを有することを特徴とする方法。 - 前記光学素子の面形状を計測するステップと、
前記計測ステップと前記決定ステップとで得られた値を基に、前記光学素子で反射された前記反射光の波面を決定するステップとを有することを特徴とする請求項1記載の方法。 - 前記位相差を決定するステップは、前記多層膜から放出される二次放射線の前記光学素子への前記光の入射角依存性を測定するステップを含むことを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
- 前記位相差を決定するステップは、前記多層膜から放出される二次放射線の前記光学素子への前記光の波長依存性を測定するステップを含むことを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
- 前記位相差を決定するステップは、前記多層膜の干渉条件を満足する入射角とは異なる角度で前記光を前記多層膜に入射して前記多層膜から放出される二次放射線を測定するステップを含むことを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
- 前記位相差を決定するステップは、前記多層膜の干渉条件を満足する波長とは異なる波長で前記光を前記多層膜に入射して前記多層膜から放出される二次放射線を測定するステップを含むことを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
- 前記位相差を決定するステップは、
前記多層膜の干渉条件を満足する前記光を前記多層膜に入射して前記多層膜から放出される第1の二次放射線の量を測定するステップと、
前記第1の二次放射線の量を測定する際の前記多層膜に入射する光の第1の強度を測定するステップと、
前記多層膜の干渉条件を満足する波長とは異なる波長で前記光を前記多層膜に入射して前記多層膜から放出される第2の二次放射線の量を測定するステップと、
前記第2の二次放射線の量を測定する際の前記多層膜に入射する光の第2の強度を測定するステップとを含むことを特徴とする請求項1又は2記載の方法。 - 前記位相差を決定するステップは、前記多層膜の最上層と同一材料からなる参照試料に前記光を入射した場合に前記参照試料の表面から放出される二次放射線を測定するステップを含むことを特徴とする請求項1又は2記載の方法。
- 前記位相差を決定するステップは、前記多層膜の反射率と前記反射光の位相に関するモデル計算によって実測値をフィッティングするステップを有することを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記二次放射線は、光電子であることを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記位相差を決定するステップは、前記多層膜から放出される光電子を加速及び/又は増幅した後に蛍光体に照射し、当該蛍光体から放射される光を測定するステップを含むことを特徴とする請求項10記載の方法。
- 前記二次放射線は、蛍光X線であることを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか一項記載の方法。
- 前記多層膜の最上層は、当該最上層以外の層と異なる特定の物質からなることを特徴とする請求項1乃至12のうちいずれか一項記載の方法。
- 多層膜が形成された反射型光学素子の評価方法であって、
前記多層膜の表面にレジストを塗布するステップと、
前記レジストが塗布された前記光学素子に波長2乃至40nmの光を入射させて当該レジストを露光するステップと、
前記露光されたレジストの残膜分布を計測し、該計測値に基づいて前記多層膜へ入射する光と前記多層膜から反射する光との位相差を算出するステップと、を有することを特徴とする方法。 - 複数の多層膜ミラーを有する結像光学系の評価方法であって、
前記結像光学系の前記複数の多層膜ミラーにレジストを塗布するステップと、
前記レジストが塗布された前記結像光学系に、波長2乃至40nmの光を実際に前記結像光学系を使用する条件で入射させて当該レジストを露光するステップと、
前記露光されたレジストの残膜分布を計測し、該計測値に基づいて前記多層膜へ入射する光と前記多層膜から反射する光との位相差を算出するステップと、を有することを特徴とする方法。 - 前記条件は、前記光の波長であることを特徴とする請求項15の方法。
- 前記条件は、前記光の前記結像光学系への入射角であることを特徴とする請求項15の方法。
- 請求項1乃至17のうちいずれか一項に記載の方法で評価された反射型光学素子を有し、レチクルのパターンを被露光体に露光する露光装置。
- 請求項18記載の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、
当該露光された被露光体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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